JPH06302916A - 半導体光素子 - Google Patents
半導体光素子Info
- Publication number
- JPH06302916A JPH06302916A JP11222293A JP11222293A JPH06302916A JP H06302916 A JPH06302916 A JP H06302916A JP 11222293 A JP11222293 A JP 11222293A JP 11222293 A JP11222293 A JP 11222293A JP H06302916 A JPH06302916 A JP H06302916A
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- JP
- Japan
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- light
- absorption
- layer
- semiconductor optical
- oscillation
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 集積化及び小型化を容易に行え、パルス光を
発する半導体光素子を提供すること。 【構成】 超格子構造の吸収層６を備える吸収部Ｂに電
圧が印加され２準位間エネルギーギャップが高くなり、
発振する光に対する吸収係数が小さくなる。このとき、
活性層１１を備える利得部Ｃでは利得に比べて共振器内
の損失が小さくなり光が発振する。光が発振した状態で
は、吸収部Ｂと直列接続された抵抗Ｒにかかる電圧が増
加して吸収部Ｂにかかる電圧が減少し、吸収層６の吸収
係数は大きくなる。このとき、吸収層６での光の吸収が
大きくなり、活性層１１の光利得に比べて共振器内の損
失が大きくなり、光の発振が停止する。光の発振が停止
すると吸収部Ｂにかかる電圧が増加し、吸収層６の吸収
係数が小さくなり、共振器全体の損失が活性層１１の光
利得より小さくなって光が発振する。これを繰り返すこ
とによって、パルス光が出力される。
発する半導体光素子を提供すること。 【構成】 超格子構造の吸収層６を備える吸収部Ｂに電
圧が印加され２準位間エネルギーギャップが高くなり、
発振する光に対する吸収係数が小さくなる。このとき、
活性層１１を備える利得部Ｃでは利得に比べて共振器内
の損失が小さくなり光が発振する。光が発振した状態で
は、吸収部Ｂと直列接続された抵抗Ｒにかかる電圧が増
加して吸収部Ｂにかかる電圧が減少し、吸収層６の吸収
係数は大きくなる。このとき、吸収層６での光の吸収が
大きくなり、活性層１１の光利得に比べて共振器内の損
失が大きくなり、光の発振が停止する。光の発振が停止
すると吸収部Ｂにかかる電圧が増加し、吸収層６の吸収
係数が小さくなり、共振器全体の損失が活性層１１の光
利得より小さくなって光が発振する。これを繰り返すこ
とによって、パルス光が出力される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、活性層及び吸収層を備
える垂直共振器型の半導体光素子に関する。
える垂直共振器型の半導体光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】図８は、パルス光を発振する従来のレー
ザ装置の構造を示す模式的断面図である。図に示すレー
ザ装置はストライプ構造であり、ｎ−ＧａＡｓからなる
基板５１上にクラッド層５２，ＡｌＧａＡｓからなる活
性層５３，クラッド層５４及びコンタクト層５５が、こ
の順に積層され、コンタクト層５５上の中央には電極５
６が形成され、電極５６を挟んで両側に電極５７，５８
が形成されている。
ザ装置の構造を示す模式的断面図である。図に示すレー
ザ装置はストライプ構造であり、ｎ−ＧａＡｓからなる
基板５１上にクラッド層５２，ＡｌＧａＡｓからなる活
性層５３，クラッド層５４及びコンタクト層５５が、こ
の順に積層され、コンタクト層５５上の中央には電極５
６が形成され、電極５６を挟んで両側に電極５７，５８
が形成されている。
【０００３】このようなストライプ構造のレーザ装置
は、電極５７，５８に電圧が印加され、電極５６に逆バ
イアス電圧が印加されており、適切な値の電流を流した
場合に、キャリアが活性層５３へ注入され、装置内での
光強度が次第に増加する。このとき、電極５６により逆
バイアス電圧が印加されている活性層５３の中央部、即
ち可飽和吸収領域ＳＡで光の一部が吸収される。このた
めに、装置内での光密度はレーザ光発振に十分な程度ま
で達しない。
は、電極５７，５８に電圧が印加され、電極５６に逆バ
イアス電圧が印加されており、適切な値の電流を流した
場合に、キャリアが活性層５３へ注入され、装置内での
光強度が次第に増加する。このとき、電極５６により逆
バイアス電圧が印加されている活性層５３の中央部、即
ち可飽和吸収領域ＳＡで光の一部が吸収される。このた
めに、装置内での光密度はレーザ光発振に十分な程度ま
で達しない。
【０００４】そして、可飽和吸収領域ＳＡが飽和状態に
なったときには、光が吸収されなくなり、装置内の光強
度が急に増加して、活性層５３にてキャリアの反転分布
が生じ、レーザ光が発振する。この瞬間にキャリア放出
により反転分布がなくなり、装置内で光強度が弱い状態
に戻る。そして、再び光強度が増加するに従って可飽和
吸収領域ＳＡで光の一部が吸収される。
なったときには、光が吸収されなくなり、装置内の光強
度が急に増加して、活性層５３にてキャリアの反転分布
が生じ、レーザ光が発振する。この瞬間にキャリア放出
により反転分布がなくなり、装置内で光強度が弱い状態
に戻る。そして、再び光強度が増加するに従って可飽和
吸収領域ＳＡで光の一部が吸収される。
【０００５】このようにして、上述のレーザ装置ではレ
ーザ光の発振と停止が交互に起こり、パルス光が出力さ
れる。このようにパルス光が出力されるレーザ装置は、
Appl.Phys.Lett.58 (12), 25 March 1991 に提案されて
いる。このようなレーザ装置に、過大な電流を流した場
合は、光発振したときにキャリアが放出されても反転分
布が消滅せず、この結果レーザ光の発振が停止しないの
で、光を発振した状態が続き、パルス光は出力されな
い。
ーザ光の発振と停止が交互に起こり、パルス光が出力さ
れる。このようにパルス光が出力されるレーザ装置は、
Appl.Phys.Lett.58 (12), 25 March 1991 に提案されて
いる。このようなレーザ装置に、過大な電流を流した場
合は、光発振したときにキャリアが放出されても反転分
布が消滅せず、この結果レーザ光の発振が停止しないの
で、光を発振した状態が続き、パルス光は出力されな
い。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、レーザ装置
は前記ストライプ型と垂直共振器型とに大別され、垂直
共振器型は、基板，活性層及び反射鏡等の構成層の積層
方向に光を発振させるレーザ装置である。上述したパル
ス光を出力するストライプ型のレーザ装置は、これを２
次元的に集積化する場合に、装置が大きくなるという問
題がある。これに対して、垂直共振器型のレーザ装置は
２次元で集積化しても小型化が可能である。このような
２次元でパルス光を出力する垂直共振器型のレーザ装置
は、例えば２次元で発振する光コンピュータ用のクロッ
クに応用することが考えられる。
は前記ストライプ型と垂直共振器型とに大別され、垂直
共振器型は、基板，活性層及び反射鏡等の構成層の積層
方向に光を発振させるレーザ装置である。上述したパル
ス光を出力するストライプ型のレーザ装置は、これを２
次元的に集積化する場合に、装置が大きくなるという問
題がある。これに対して、垂直共振器型のレーザ装置は
２次元で集積化しても小型化が可能である。このような
２次元でパルス光を出力する垂直共振器型のレーザ装置
は、例えば２次元で発振する光コンピュータ用のクロッ
クに応用することが考えられる。
【０００７】本発明は、吸収領域での光の吸収双安定特
性を利用することにより、光の発振，停止が繰り返され
ることに着目してなされたものであり、集積化及び小型
化が容易に行え、パルス光を出力する半導体光素子を提
供することを目的とする。
性を利用することにより、光の発振，停止が繰り返され
ることに着目してなされたものであり、集積化及び小型
化が容易に行え、パルス光を出力する半導体光素子を提
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】第１発明に係る半導体光
素子は、積層方向に活性層を挟んで両側に反射鏡を備
え、この両反射鏡間での吸収損失より大きな光利得で積
層方向に光を発振させる半導体光素子において、前記両
反射鏡間に、前記光に対して吸収係数の双安定性を有す
る吸収層を備えることを特徴とする。
素子は、積層方向に活性層を挟んで両側に反射鏡を備
え、この両反射鏡間での吸収損失より大きな光利得で積
層方向に光を発振させる半導体光素子において、前記両
反射鏡間に、前記光に対して吸収係数の双安定性を有す
る吸収層を備えることを特徴とする。
【０００９】第２発明に係る半導体光素子は、第１発明
において、前記吸収層が超格子構造であることを特徴と
する。
において、前記吸収層が超格子構造であることを特徴と
する。
【００１０】
【作用】本発明の半導体光素子では、両側に備える反射
鏡の間に吸収層を備えており、この吸収層は、吸収係数
の双安定性を有する、即ち発振すべき光に対して２通り
の吸収係数α1 ，α2 で安定状態を保つ。この２通りの
安定状態を以下に説明する。図９は、発振する光強度と
吸収係数との関係を示したグラフであり、縦軸は吸収係
数を、横軸は光強度を表している。図から、小さい吸収
係数α1 での安定状態で光強度は増加する。この結果、
大きい吸収係数α2 での安定状態へ遷移し、光強度はＬ
1 に達してから次第に減少する。この結果、小さい吸収
係数α1 での安定状態へ遷移し、光強度がＬ2 まで減少
してから次第に増加する。そして、再び大きい吸収係数
α2 での安定状態へ遷移する。このように、前記吸収層
は、光強度により２通りの吸収係数α1 ，α2 での安定
状態を繰り返す。
鏡の間に吸収層を備えており、この吸収層は、吸収係数
の双安定性を有する、即ち発振すべき光に対して２通り
の吸収係数α1 ，α2 で安定状態を保つ。この２通りの
安定状態を以下に説明する。図９は、発振する光強度と
吸収係数との関係を示したグラフであり、縦軸は吸収係
数を、横軸は光強度を表している。図から、小さい吸収
係数α1 での安定状態で光強度は増加する。この結果、
大きい吸収係数α2 での安定状態へ遷移し、光強度はＬ
1 に達してから次第に減少する。この結果、小さい吸収
係数α1 での安定状態へ遷移し、光強度がＬ2 まで減少
してから次第に増加する。そして、再び大きい吸収係数
α2 での安定状態へ遷移する。このように、前記吸収層
は、光強度により２通りの吸収係数α1 ，α2 での安定
状態を繰り返す。
【００１１】本発明では、以上のような吸収層に活性層
からの光が吸収される。図１０は、垂直共振器型の半導
体光素子の発振特性を示すグラフであり、縦軸は光強度
を横軸は電流値を表している。図中ａは、反射鏡間での
吸収損失が少ない場合の、即ち吸収係数が小さい場合の
発振光について示しており、ＩOPよりも小さい電流値で
Ｌ2 以上の光強度で発振する。また、ｂは吸収係数が大
きい場合の発振光について示しており、ＩOPよりも大き
い電流値でＬ2 以上の光強度で発振する。このような発
振特性を有する半導体光素子に上述の吸収層を形成する
ことによって、活性層に電流ＩOPを流すと、光が発振し
て（Ｌ1 ）大きい吸収係数α2 になり、吸収係数α2 に
なると光の発振が停止し（Ｌ2 ）、光の発振が停止する
と、小さい吸収係数α1 になって光を発振する。このよ
うに光の発振，停止を繰り返すことによって、パルス光
が出力する。
からの光が吸収される。図１０は、垂直共振器型の半導
体光素子の発振特性を示すグラフであり、縦軸は光強度
を横軸は電流値を表している。図中ａは、反射鏡間での
吸収損失が少ない場合の、即ち吸収係数が小さい場合の
発振光について示しており、ＩOPよりも小さい電流値で
Ｌ2 以上の光強度で発振する。また、ｂは吸収係数が大
きい場合の発振光について示しており、ＩOPよりも大き
い電流値でＬ2 以上の光強度で発振する。このような発
振特性を有する半導体光素子に上述の吸収層を形成する
ことによって、活性層に電流ＩOPを流すと、光が発振し
て（Ｌ1 ）大きい吸収係数α2 になり、吸収係数α2 に
なると光の発振が停止し（Ｌ2 ）、光の発振が停止する
と、小さい吸収係数α1 になって光を発振する。このよ
うに光の発振，停止を繰り返すことによって、パルス光
が出力する。
【００１２】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
き具体的に説明する。図１は、本発明の半導体光素子の
模式的斜視図である。図１に示すように、本発明の光半
導体素子Ｍは直方体形状の基板部Ａ上に吸収層を備える
吸収部Ｂが形成されており、吸収層Ｂは基板部Ａよりも
底面積を小さくして基板部Ａの一角領域上に積層されて
いる。そして、吸収部Ｂ上には活性層を備える略円柱形
状の利得部Ｃが、吸収部Ｂの一角領域上に積層されてい
る。そして、利得部Ｂ及び基板部Ａ表面に電極１７が、
吸収部Ｂ及び基板部Ａ表面に電極１６が、そして基板部
Ａ表面に電極１５が形成されている。
き具体的に説明する。図１は、本発明の半導体光素子の
模式的斜視図である。図１に示すように、本発明の光半
導体素子Ｍは直方体形状の基板部Ａ上に吸収層を備える
吸収部Ｂが形成されており、吸収層Ｂは基板部Ａよりも
底面積を小さくして基板部Ａの一角領域上に積層されて
いる。そして、吸収部Ｂ上には活性層を備える略円柱形
状の利得部Ｃが、吸収部Ｂの一角領域上に積層されてい
る。そして、利得部Ｂ及び基板部Ａ表面に電極１７が、
吸収部Ｂ及び基板部Ａ表面に電極１６が、そして基板部
Ａ表面に電極１５が形成されている。
【００１３】図２〜図５は、このような半導体光素子を
製造する過程を示す図１のII−II線から見た模式的断面
図である。半導体光素子Ｍの構造をさらに具体的に以下
に説明する。図２に示すように、ｎ−ＧａＡｓからなる
基板１上に、ＭＢＥ（分子線エピタキシャル）法によ
り、以下の層が順次積層される。 バッファ層２：ｎ−ＧａＡｓ ＤＢＲ３（ブラグ反射鏡）：ｎ−ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ
（59nm／73nm）20ペア 第１のクラッド層４：ｎ−Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ 第２のクラッド層５：Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ 吸収層６：ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ（８nm／0.49nm）５ペア
の超格子構造 第３のクラッド層７：Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ 第４のクラッド層８：ｐ−Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ 第１のコンタクト層９：ｐ−Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ（
0.5μｍ） 第５のクラッド層１０：Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ 活性層１１：Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ／ＧａＡｓ（７nm／
９nm）３ペア 第６のクラッド層１２：ｎ−Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ ＤＢＲ１３（ブラグ反射鏡）：ｎ−ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ
の20ペア 第２のコンタクト層１４：ｎ−ＧａＡｓ
製造する過程を示す図１のII−II線から見た模式的断面
図である。半導体光素子Ｍの構造をさらに具体的に以下
に説明する。図２に示すように、ｎ−ＧａＡｓからなる
基板１上に、ＭＢＥ（分子線エピタキシャル）法によ
り、以下の層が順次積層される。 バッファ層２：ｎ−ＧａＡｓ ＤＢＲ３（ブラグ反射鏡）：ｎ−ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ
（59nm／73nm）20ペア 第１のクラッド層４：ｎ−Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ 第２のクラッド層５：Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ 吸収層６：ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ（８nm／0.49nm）５ペア
の超格子構造 第３のクラッド層７：Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ 第４のクラッド層８：ｐ−Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ 第１のコンタクト層９：ｐ−Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ（
0.5μｍ） 第５のクラッド層１０：Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ 活性層１１：Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ／ＧａＡｓ（７nm／
９nm）３ペア 第６のクラッド層１２：ｎ−Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ ＤＢＲ１３（ブラグ反射鏡）：ｎ−ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ
の20ペア 第２のコンタクト層１４：ｎ−ＧａＡｓ
【００１４】このように積層された最上層の第２のコン
タクト層１４を、フォトリソグラフィ及びエッチングに
より、ＤＢＲ１３のほぼ中央にＤＢＲ１３よりも小さい
面積を残存させて除去する。そして、光を出射すべき直
径２μｍ程度の領域以外の領域に、第５のクラッド層１
０の深さまでのプロトン照射を行い、電流ブロック領域
Ｄ，Ｄを形成する。
タクト層１４を、フォトリソグラフィ及びエッチングに
より、ＤＢＲ１３のほぼ中央にＤＢＲ１３よりも小さい
面積を残存させて除去する。そして、光を出射すべき直
径２μｍ程度の領域以外の領域に、第５のクラッド層１
０の深さまでのプロトン照射を行い、電流ブロック領域
Ｄ，Ｄを形成する。
【００１５】次に、図３に示すように、フォトリソグラ
フィ及び第１のコンタクト層９に到達する深さまでのエ
ッチングにより、第２のコンタクト層１４を含めた直径
10μｍの円柱形状の利得部Ｃを残存させて、ＤＢＲ１
３，第６のクラッド層１２，活性層１１及び第５のクラ
ッド層１０を除去する。次に、図４に示すように、フォ
トリソグラフィ及びバッファ層２に到達する深さまでの
エッチングにより、利得部Ｃよりも底面積を大きくし
て、吸収部Ｂを形成する。そして、図５に示すように、
バッファ層２上に電極１５を、第１のコンタクト層９上
に電極１６を、第２のコンタクト層１４上に電極１７を
形成する。
フィ及び第１のコンタクト層９に到達する深さまでのエ
ッチングにより、第２のコンタクト層１４を含めた直径
10μｍの円柱形状の利得部Ｃを残存させて、ＤＢＲ１
３，第６のクラッド層１２，活性層１１及び第５のクラ
ッド層１０を除去する。次に、図４に示すように、フォ
トリソグラフィ及びバッファ層２に到達する深さまでの
エッチングにより、利得部Ｃよりも底面積を大きくし
て、吸収部Ｂを形成する。そして、図５に示すように、
バッファ層２上に電極１５を、第１のコンタクト層９上
に電極１６を、第２のコンタクト層１４上に電極１７を
形成する。
【００１６】このような構造の半導体光素子Ｍは、活性
層１１の組成が所望する発振光の波長によって設定され
る。また、超格子構造はワニエ・シュタルク局在性を有
し、電界印加時と無印加時とで２準位間エネルギーギャ
ップが大きく変化するので、超格子構造における光の吸
収係数は大きく変化する。このような超格子構造の吸収
層６の組成及び厚みは、前記発振光のエネルギーが、吸
収層６の印加電圧の大小による夫々の２準位間エネルギ
ーギャップの間となるように設定される。
層１１の組成が所望する発振光の波長によって設定され
る。また、超格子構造はワニエ・シュタルク局在性を有
し、電界印加時と無印加時とで２準位間エネルギーギャ
ップが大きく変化するので、超格子構造における光の吸
収係数は大きく変化する。このような超格子構造の吸収
層６の組成及び厚みは、前記発振光のエネルギーが、吸
収層６の印加電圧の大小による夫々の２準位間エネルギ
ーギャップの間となるように設定される。
【００１７】図６は、以上のように形成された半導体光
素子Ｍの電極に電源及び抵抗を接続した場合の模式的断
面図である。電極１７及び電極１６間に電源を設け、電
極１５側には電源を電極１６側には抵抗Ｒを、吸収部Ｂ
及び抵抗Ｒが直列接続されるように設ける。このような
構成の面発光レーザ装置においては、吸収部Ｂに電圧が
印加されて超格子構造の２準位間エネルギーギャップが
高くなり、発振される光に対する吸収係数が小さく（α
1 ）なる。このとき、電流が注入された利得部Ｃでは活
性層１１の利得が共振器内の損失を上回り、しきい値を
越えて光を発振させる。
素子Ｍの電極に電源及び抵抗を接続した場合の模式的断
面図である。電極１７及び電極１６間に電源を設け、電
極１５側には電源を電極１６側には抵抗Ｒを、吸収部Ｂ
及び抵抗Ｒが直列接続されるように設ける。このような
構成の面発光レーザ装置においては、吸収部Ｂに電圧が
印加されて超格子構造の２準位間エネルギーギャップが
高くなり、発振される光に対する吸収係数が小さく（α
1 ）なる。このとき、電流が注入された利得部Ｃでは活
性層１１の利得が共振器内の損失を上回り、しきい値を
越えて光を発振させる。
【００１８】光を発振している状態では、抵抗Ｒにかか
る電圧が増加して吸収部Ｂにかかる電圧は減少し、吸収
層６の発振する光に対する吸収係数は大きく（α2 ）な
る。このとき、吸収層６での光の吸収が大きくなり、活
性層１１の利得に比べ共振器内の損失が低くなって、光
の発振が停止される。光の発振が停止されると吸収部Ｂ
にかかる電圧が増加し、吸収層６の吸収係数が小さくな
って（α1 ）、再び活性層１１の利得が共振器内の損失
を上回り光を発振させる。以上のような動作を繰り返す
ことによって、パルス光が出力する。図７は、発振され
た光の動作特性を示す説明図であり、縦軸は光出力を横
軸は時間を表している。
る電圧が増加して吸収部Ｂにかかる電圧は減少し、吸収
層６の発振する光に対する吸収係数は大きく（α2 ）な
る。このとき、吸収層６での光の吸収が大きくなり、活
性層１１の利得に比べ共振器内の損失が低くなって、光
の発振が停止される。光の発振が停止されると吸収部Ｂ
にかかる電圧が増加し、吸収層６の吸収係数が小さくな
って（α1 ）、再び活性層１１の利得が共振器内の損失
を上回り光を発振させる。以上のような動作を繰り返す
ことによって、パルス光が出力する。図７は、発振され
た光の動作特性を示す説明図であり、縦軸は光出力を横
軸は時間を表している。
【００１９】このようにパルス光を出力する半導体光素
子は、発振する光のビームパターンが円形であり、ま
た、垂直共振器型であるので光の反射率が高く、利得部
Ｃと吸収部Ｂとの光の結合効率が良い。また上述のよう
に、吸収層６を超格子構造とすることにより、吸収係数
の変動差が大きくなり、発振光の動作特性を向上させ
る。
子は、発振する光のビームパターンが円形であり、ま
た、垂直共振器型であるので光の反射率が高く、利得部
Ｃと吸収部Ｂとの光の結合効率が良い。また上述のよう
に、吸収層６を超格子構造とすることにより、吸収係数
の変動差が大きくなり、発振光の動作特性を向上させ
る。
【００２０】なお、本実施例では半導体光素子はｎ型の
基板上に形成された場合を説明しているが、これに限る
ものではなく、ｐ型の基板上に形成されていても良い。
また、半導体光素子の積層構造及び組成は、上述に示さ
れた限りではなく、ＩｎＧａＡｓ系であっても良いし、
吸収層６での発振光に対して吸収係数が双安定性を保持
するものであれば良い。さらに、本実施例では吸収層６
を超格子構造で形成しているが、これに限るものではな
く、吸収係数の双安定特性を有する組成であれば良い。
基板上に形成された場合を説明しているが、これに限る
ものではなく、ｐ型の基板上に形成されていても良い。
また、半導体光素子の積層構造及び組成は、上述に示さ
れた限りではなく、ＩｎＧａＡｓ系であっても良いし、
吸収層６での発振光に対して吸収係数が双安定性を保持
するものであれば良い。さらに、本実施例では吸収層６
を超格子構造で形成しているが、これに限るものではな
く、吸収係数の双安定特性を有する組成であれば良い。
【００２１】また、本実施例では電流狭窄のためにプロ
トン照射を行った場合を説明しているが、これに限るも
のではなく、電流狭窄機能を有する電流ブロック層を形
成した構造のものであっても良い。また、上述の実施例
では吸収部Ｂに抵抗Ｒを接続しているが、これに限るも
のではなく、例えばダイオードのようなものでも良い。
トン照射を行った場合を説明しているが、これに限るも
のではなく、電流狭窄機能を有する電流ブロック層を形
成した構造のものであっても良い。また、上述の実施例
では吸収部Ｂに抵抗Ｒを接続しているが、これに限るも
のではなく、例えばダイオードのようなものでも良い。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、本発明においては、発振
すべき光に対して吸収係数の双安定性を有する吸収層
を、垂直共振器型の半導体光素子に備えることにより、
光の発振，停止が交互に行われてパルス光が出力し、２
次元集積で小型化できる等、本発明は優れた効果を奏す
るものである。
すべき光に対して吸収係数の双安定性を有する吸収層
を、垂直共振器型の半導体光素子に備えることにより、
光の発振，停止が交互に行われてパルス光が出力し、２
次元集積で小型化できる等、本発明は優れた効果を奏す
るものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体光素子の模式的斜視図である。
【図２】本発明の半導体光素子を製造する過程を示す図
１のII−II線から見た模式的断面図である。
１のII−II線から見た模式的断面図である。
【図３】本発明の半導体光素子を製造する過程を示す図
１のII−II線から見た模式的断面図である。
１のII−II線から見た模式的断面図である。
【図４】本発明の半導体光素子を製造する過程を示す図
１のII−II線から見た模式的断面図である。
１のII−II線から見た模式的断面図である。
【図５】本発明の半導体光素子を製造する過程を示す図
１のII−II線から見た模式的断面図である。
１のII−II線から見た模式的断面図である。
【図６】本発明の半導体光素子Ｍの電極に電源及び抵抗
を接続した場合の模式的断面図である。
を接続した場合の模式的断面図である。
【図７】発振された光の動作特性を示す説明図である。
【図８】パルス光を出力する従来のレーザ装置の構造を
示す模式的断面図である。
示す模式的断面図である。
【図９】発振する光強度と吸収係数との関係を示したグ
ラフである。
ラフである。
【図１０】垂直共振器型の半導体光素子の発振特性を示
すグラフである。
すグラフである。
１ 基板 ３，１３ 多層膜反射鏡 ６ 吸収層 １１ 活性層
Claims (2)
- 【請求項１】 積層方向に活性層を挟んで両側に反射鏡
を備え、この両反射鏡間での吸収損失より大きな光利得
で積層方向に光を発振させる半導体光素子において、 前記両反射鏡間に、前記光に対して吸収係数の双安定性
を有する吸収層を備えることを特徴とする半導体光素
子。 - 【請求項２】 前記吸収層が超格子構造であることを特
徴とする請求項１記載の半導体光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11222293A JPH06302916A (ja) | 1993-04-14 | 1993-04-14 | 半導体光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11222293A JPH06302916A (ja) | 1993-04-14 | 1993-04-14 | 半導体光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06302916A true JPH06302916A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=14581315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11222293A Pending JPH06302916A (ja) | 1993-04-14 | 1993-04-14 | 半導体光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06302916A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003523092A (ja) * | 2000-02-11 | 2003-07-29 | ギガテラ・アクチェンゲゼルシャフト | 受動モード同期光ポンピング半導体の外部空洞共振器面発光レーザ |
| KR100716645B1 (ko) * | 2005-10-31 | 2007-05-09 | 서울옵토디바이스주식회사 | 수직으로 적층된 발광 다이오드들을 갖는 발광 소자 |
-
1993
- 1993-04-14 JP JP11222293A patent/JPH06302916A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003523092A (ja) * | 2000-02-11 | 2003-07-29 | ギガテラ・アクチェンゲゼルシャフト | 受動モード同期光ポンピング半導体の外部空洞共振器面発光レーザ |
| KR100716645B1 (ko) * | 2005-10-31 | 2007-05-09 | 서울옵토디바이스주식회사 | 수직으로 적층된 발광 다이오드들을 갖는 발광 소자 |
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