JPH06306590A - スパッタリング装置用金属ターゲット - Google Patents
スパッタリング装置用金属ターゲットInfo
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- JPH06306590A JPH06306590A JP10321793A JP10321793A JPH06306590A JP H06306590 A JPH06306590 A JP H06306590A JP 10321793 A JP10321793 A JP 10321793A JP 10321793 A JP10321793 A JP 10321793A JP H06306590 A JPH06306590 A JP H06306590A
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- sputter
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 スパッター時にスパッターダストの発生を抑
制する金属ターゲットを得ること。 【構成】 本体１１の表面の平均面粗度Ｒａ＝０．５μ
ｍ、最大面粗度Ｒｍａｘ＝４．８μｍである場合の、非
スパッタ領域であるセンターキャップ１３Ａの表面の面
粗度を、例えば、平均面粗度Ｒａ＝１．１μｍ、最大面
粗度Ｒｍａｘ＝５．１μｍと粗くして、その粗いセンタ
ーキャップ１３Ａと堆積物との密着力を向上させた金属
（例えば、アルミ）ターゲットである。 【効果】 被処理物が半導体ウエハの場合、スパッター
ダストに起因する半導体素子の欠陥を低減することがで
き、歩留りの向上、安定生産に寄与することができる。
制する金属ターゲットを得ること。 【構成】 本体１１の表面の平均面粗度Ｒａ＝０．５μ
ｍ、最大面粗度Ｒｍａｘ＝４．８μｍである場合の、非
スパッタ領域であるセンターキャップ１３Ａの表面の面
粗度を、例えば、平均面粗度Ｒａ＝１．１μｍ、最大面
粗度Ｒｍａｘ＝５．１μｍと粗くして、その粗いセンタ
ーキャップ１３Ａと堆積物との密着力を向上させた金属
（例えば、アルミ）ターゲットである。 【効果】 被処理物が半導体ウエハの場合、スパッター
ダストに起因する半導体素子の欠陥を低減することがで
き、歩留りの向上、安定生産に寄与することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエハなどの
表面処理に用いられるスパッタリング装置用金属ターゲ
ットに関するものである。
表面処理に用いられるスパッタリング装置用金属ターゲ
ットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の従来技術を図４乃至図６を用い
て説明する。図４は従来技術の一般的なスパッタリング
装置の概念的断面斜視図であり、図５は図４のスパッタ
リング装置に一般的に用いられている金属ターゲットで
あって、同図Ａは第１の構造の金属ターゲットの斜視
図、同図Ｂは同図ＡのＡーＡ線上における断面図であ
り、図６は第２の構造の金属ターゲットの斜視図であ
り、そして図７は図５Ａに示した金属ターゲットを用い
てスパッタリングした場合における半導体ウエハ処理枚
数に対するスパッタダストの発生を示したグラフであ
る。
て説明する。図４は従来技術の一般的なスパッタリング
装置の概念的断面斜視図であり、図５は図４のスパッタ
リング装置に一般的に用いられている金属ターゲットで
あって、同図Ａは第１の構造の金属ターゲットの斜視
図、同図Ｂは同図ＡのＡーＡ線上における断面図であ
り、図６は第２の構造の金属ターゲットの斜視図であ
り、そして図７は図５Ａに示した金属ターゲットを用い
てスパッタリングした場合における半導体ウエハ処理枚
数に対するスパッタダストの発生を示したグラフであ
る。
【０００３】先ず、図４を用いて従来技術のスパッタリ
ング装置１の概略を説明する。このスパッタリング装置
１はマグネット２Ａで構成されたカソード電極２と、チ
ャンバー５に収容され、カソード電極２の内部表面に固
定された銅製のバッキングプレート３とアノード電極４
などから構成されている。
ング装置１の概略を説明する。このスパッタリング装置
１はマグネット２Ａで構成されたカソード電極２と、チ
ャンバー５に収容され、カソード電極２の内部表面に固
定された銅製のバッキングプレート３とアノード電極４
などから構成されている。
【０００４】このような構成の前記バッキングプレート
３の表面に、例えば、アルミなどの金属ターゲット１０
を固定し、またアノード電極４に、例えば、半導体ウエ
ハのような被処理物６を取り付けた後、前記チャンバー
５内を真空にした状態で放電ガスを導入し、前記両電極
間に電圧を印加して、グロー放電を発生させている。
３の表面に、例えば、アルミなどの金属ターゲット１０
を固定し、またアノード電極４に、例えば、半導体ウエ
ハのような被処理物６を取り付けた後、前記チャンバー
５内を真空にした状態で放電ガスを導入し、前記両電極
間に電圧を印加して、グロー放電を発生させている。
【０００５】こうすることによりプラズマ中の正イオン
がカソード電極２上の金属ターゲット１０の表面に衝突
し、金属ターゲット１０の原子をはじき出し、被処理物
６の表面にその金属の薄膜を形成させることができる。
がカソード電極２上の金属ターゲット１０の表面に衝突
し、金属ターゲット１０の原子をはじき出し、被処理物
６の表面にその金属の薄膜を形成させることができる。
【０００６】前記金属ターゲット１０は一般に図５に示
したような構造をしている。即ち、同図Ａに示した金属
ターゲット１０は、例えば、直径約２５０ｍｍ、厚さ約
１５ｍｍ、中央部に直径約１８ｍｍの貫通孔１２があけ
られた円盤状をしている本体１１とセンターキャップ１
３とから構成されている。
したような構造をしている。即ち、同図Ａに示した金属
ターゲット１０は、例えば、直径約２５０ｍｍ、厚さ約
１５ｍｍ、中央部に直径約１８ｍｍの貫通孔１２があけ
られた円盤状をしている本体１１とセンターキャップ１
３とから構成されている。
【０００７】この本体１１を前記スパッタリング装置１
のバッキングプレート３に固定するに当たっては、図４
に示したように、この本体１１と同材質で周辺に雌ネジ
が形成されたセンターキャップ１３を本体１１の貫通孔
１２に挿入し、ねじ込んで固定するようにしている。
のバッキングプレート３に固定するに当たっては、図４
に示したように、この本体１１と同材質で周辺に雌ネジ
が形成されたセンターキャップ１３を本体１１の貫通孔
１２に挿入し、ねじ込んで固定するようにしている。
【０００８】金属ターゲットのこの他の構造としては、
図６に示したように、単純な円盤状をした金属ターゲッ
ト２０があり、この構造のものは接着剤で直接バッキン
グプレート３に接着される。
図６に示したように、単純な円盤状をした金属ターゲッ
ト２０があり、この構造のものは接着剤で直接バッキン
グプレート３に接着される。
【０００９】いずれの構造の金属ターゲットも、通常
は、スパッター時に小突起に起因するスプラッシュを抑
えるために、前記センターキャップ１３を含む金属ター
ゲット１０または２０の全表面はできる限り平滑に加工
されているものである。
は、スパッター時に小突起に起因するスプラッシュを抑
えるために、前記センターキャップ１３を含む金属ター
ゲット１０または２０の全表面はできる限り平滑に加工
されているものである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、スパッター中
のプラズマが金属ターゲットの中央部（センターキャッ
プ１２の全部またはその中央部も含む、以下の説明で
「中央部」と記した場合は同様の部分を指す）に届か
ず、この中央部は、所謂、非スパッター領域になる。こ
の非スパッター領域が金属ターゲットの表面に存在する
と、前記被処理物６の表面に到達しなかった金属ターゲ
ット材がその非スパッター領域へ堆積し、堆積物が生じ
る。この堆積物は金属ターゲットの表面が前記のように
平滑に仕上げられているために密着力が不足し、剥離し
易い。これはスパッター中に生じた熱ストレスに起因す
ると思慮され、突発的なダスト（以下、「スパッターダ
スト」と記す）として発生する。
のプラズマが金属ターゲットの中央部（センターキャッ
プ１２の全部またはその中央部も含む、以下の説明で
「中央部」と記した場合は同様の部分を指す）に届か
ず、この中央部は、所謂、非スパッター領域になる。こ
の非スパッター領域が金属ターゲットの表面に存在する
と、前記被処理物６の表面に到達しなかった金属ターゲ
ット材がその非スパッター領域へ堆積し、堆積物が生じ
る。この堆積物は金属ターゲットの表面が前記のように
平滑に仕上げられているために密着力が不足し、剥離し
易い。これはスパッター中に生じた熱ストレスに起因す
ると思慮され、突発的なダスト（以下、「スパッターダ
スト」と記す）として発生する。
【００１１】図７は、図５のセンターキャップ１３付き
の金属ターゲット１０としてアルミ材を用い、その表面
の平均粗さＲａが０．５μｍ、最大粗さＲｍａｘが４．
８μｍであって、シリコンの半導体ウエハを被処理物６
とし、その表面に厚さ６００ｎｍのアルミ薄膜（無加
熱）を形成する場合に、その半導体ウエハ処理枚数に対
してどれ位のスパッターダストが発生したかを示したグ
ラフである。このグラフが示すように、スパッターダス
ト、中でも半導体素子欠陥に大きな影響を与える２μｍ
以上のスパッターダスト（小カッコ内の数字）が多く発
生していることが判る。
の金属ターゲット１０としてアルミ材を用い、その表面
の平均粗さＲａが０．５μｍ、最大粗さＲｍａｘが４．
８μｍであって、シリコンの半導体ウエハを被処理物６
とし、その表面に厚さ６００ｎｍのアルミ薄膜（無加
熱）を形成する場合に、その半導体ウエハ処理枚数に対
してどれ位のスパッターダストが発生したかを示したグ
ラフである。このグラフが示すように、スパッターダス
ト、中でも半導体素子欠陥に大きな影響を与える２μｍ
以上のスパッターダスト（小カッコ内の数字）が多く発
生していることが判る。
【００１２】従って、この発明では従来技術のこのよう
なスパッターダストの発生を抑制することを課題とし
た。
なスパッターダストの発生を抑制することを課題とし
た。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明のスパッタリン
グ装置用金属ターゲットは、その非スパッタ領域の面粗
度を粗くすることにより前記課題を解決した。
グ装置用金属ターゲットは、その非スパッタ領域の面粗
度を粗くすることにより前記課題を解決した。
【００１４】
【作用】従って、金属ターゲットの非スパッター領域と
堆積物との密着力を向上させることができる。
堆積物との密着力を向上させることができる。
【００１５】
【実施例】以下、この発明のスパッタリング装置用金属
ターゲットの実施例を図１乃至図３を用いて説明する。
図１はこの発明の第１の実施例であるスパッタリング装
置用金属ターゲットの実施例であって、同図Ａはその斜
視図、同図Ｂは同図ＡのＡーＡ線上における断面図であ
り、図２はこの発明の第２の実施例であるスパッタリン
グ装置用金属ターゲットの斜視図であり、図３は図１に
示した実施例の金属ターゲットを用いてスパッタリング
した場合における半導体ウエハ処理枚数に対するスパッ
ターダストの発生を示したグラフである。
ターゲットの実施例を図１乃至図３を用いて説明する。
図１はこの発明の第１の実施例であるスパッタリング装
置用金属ターゲットの実施例であって、同図Ａはその斜
視図、同図Ｂは同図ＡのＡーＡ線上における断面図であ
り、図２はこの発明の第２の実施例であるスパッタリン
グ装置用金属ターゲットの斜視図であり、図３は図１に
示した実施例の金属ターゲットを用いてスパッタリング
した場合における半導体ウエハ処理枚数に対するスパッ
ターダストの発生を示したグラフである。
【００１６】先ず、図１に示した金属ターゲット１０Ａ
を説明する。この金属ターゲット１０Ａの構造及び外形
寸法は図５に示した従来技術の金属ターゲット１０の構
造及び外形寸法と同様としたので、同一の部分には同一
の符号を付し、その説明は省略する。
を説明する。この金属ターゲット１０Ａの構造及び外形
寸法は図５に示した従来技術の金属ターゲット１０の構
造及び外形寸法と同様としたので、同一の部分には同一
の符号を付し、その説明は省略する。
【００１７】この実施例の金属ターゲット１０Ａでは、
これをその非スパッター領域である中央部Ｃでバッキン
グプレート３に固定するためのセンターキャップ１３Ａ
の表面をその他の部分Ｓ、即ち、本体１１の表面より粗
くした。そのセンターキャップ１３Ａの表面の平均粗さ
Ｒａを１〜２μｍ、本体１１の表面の平均粗さＲａを
０．５μｍとした。材質は本体１１、センターキャップ
１２Ａ共に全て同材質のアルミを用いた。
これをその非スパッター領域である中央部Ｃでバッキン
グプレート３に固定するためのセンターキャップ１３Ａ
の表面をその他の部分Ｓ、即ち、本体１１の表面より粗
くした。そのセンターキャップ１３Ａの表面の平均粗さ
Ｒａを１〜２μｍ、本体１１の表面の平均粗さＲａを
０．５μｍとした。材質は本体１１、センターキャップ
１２Ａ共に全て同材質のアルミを用いた。
【００１８】図２に示した第２の実施例である金属ター
ゲット２０Ａも、その構造及び外形寸法は図６に示した
従来技術の金属ターゲット２０の構造及び外形寸法と同
様としたので、その説明は省略する。そして、その非ス
パッター領域である中央部Ｃの表面をその他の部分Ｓの
表面より粗くした。その表面の平均粗さ及び材質は第１
の実施例と同様とした。前記中央部Ｃの直径は１０〜２
０ｍｍの範囲がよい。
ゲット２０Ａも、その構造及び外形寸法は図６に示した
従来技術の金属ターゲット２０の構造及び外形寸法と同
様としたので、その説明は省略する。そして、その非ス
パッター領域である中央部Ｃの表面をその他の部分Ｓの
表面より粗くした。その表面の平均粗さ及び材質は第１
の実施例と同様とした。前記中央部Ｃの直径は１０〜２
０ｍｍの範囲がよい。
【００１９】図３は、図１に示したセンターキャップ１
３Ａ付きの金属ターゲット１０Ａを図４のスパッタリン
グ装置１に装着して、半導体ウエハ６の表面に成膜した
場合、その半導体ウエハ処理枚数に対してどれ位のスパ
ッターダストが発生したかを示したグラフである。
３Ａ付きの金属ターゲット１０Ａを図４のスパッタリン
グ装置１に装着して、半導体ウエハ６の表面に成膜した
場合、その半導体ウエハ処理枚数に対してどれ位のスパ
ッターダストが発生したかを示したグラフである。
【００２０】その場合の測定条件は、表面の平均粗さＲ
ａが１．１μｍ、最大粗さＲｍａｘが５．１μｍのアル
ミ材からなるセンターキャップ１３Ａを用い、シリコン
の半導体ウエハを被処理物６とし、その表面に厚さ６０
０ｎｍのアルミ薄膜（無加熱）を形成した。その他の条
件は、図７のデータを測定した時と同様の測定条件の基
に行った。
ａが１．１μｍ、最大粗さＲｍａｘが５．１μｍのアル
ミ材からなるセンターキャップ１３Ａを用い、シリコン
の半導体ウエハを被処理物６とし、その表面に厚さ６０
０ｎｍのアルミ薄膜（無加熱）を形成した。その他の条
件は、図７のデータを測定した時と同様の測定条件の基
に行った。
【００２１】このグラフが示すように、スパッター処理
枚数が少ない初期の段階におけるスパッターダスト数は
非常に少なく、スパッターダストのサイズ毎にその数を
平均すると、この発明の金属ターゲット１０Ａを用いた
方が、図７に示した従来技術の金属ターゲット１０を用
いた場合よりも、そのスパッターダストの発生数が約半
分になっていることが判る。しかも、金属ターゲット１
０Ａは金属ターゲット１０に比べてスパッターダストの
発生数の変動が小さく、半導体ウエハ６の処理枚数が１
０００枚を越すと増加傾向が見られるものの、比較的低
いレベルで落ち着いていることが判る。
枚数が少ない初期の段階におけるスパッターダスト数は
非常に少なく、スパッターダストのサイズ毎にその数を
平均すると、この発明の金属ターゲット１０Ａを用いた
方が、図７に示した従来技術の金属ターゲット１０を用
いた場合よりも、そのスパッターダストの発生数が約半
分になっていることが判る。しかも、金属ターゲット１
０Ａは金属ターゲット１０に比べてスパッターダストの
発生数の変動が小さく、半導体ウエハ６の処理枚数が１
０００枚を越すと増加傾向が見られるものの、比較的低
いレベルで落ち着いていることが判る。
【００２２】このようにこの発明では、金属ターゲット
１０Ａのセンターキャップ１３Ａの面粗度を粗くするこ
とにより、スパッターダストの低減、安定化を計れるこ
とが確認できた。更に、この発明者はセンターキャップ
１３Ａの面粗度をＲａ＝２．０μｍ、３．０μｍとして
同様の評価を行い、ほぼ同様の効果が得られることを確
認した。
１０Ａのセンターキャップ１３Ａの面粗度を粗くするこ
とにより、スパッターダストの低減、安定化を計れるこ
とが確認できた。更に、この発明者はセンターキャップ
１３Ａの面粗度をＲａ＝２．０μｍ、３．０μｍとして
同様の評価を行い、ほぼ同様の効果が得られることを確
認した。
【００２３】なお、前記実施例では、金属ターゲットと
してアルミの例を挙げたが、金属としてはインジューム
合金、タングステン、チタン、シリコンなどの材質の金
属ターゲットにも、この発明を適用することができる。
してアルミの例を挙げたが、金属としてはインジューム
合金、タングステン、チタン、シリコンなどの材質の金
属ターゲットにも、この発明を適用することができる。
【００２４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明のスパッタリング装置用金属ターゲットは、スパッタ
ーダストに起因する半導体素子の欠陥を低減することが
でき、歩留りの向上、安定生産に寄与することができ
る。
明のスパッタリング装置用金属ターゲットは、スパッタ
ーダストに起因する半導体素子の欠陥を低減することが
でき、歩留りの向上、安定生産に寄与することができ
る。
【図１】 この発明の第１の実施例であるスパッタリン
グ装置用金属ターゲットの実施例であって、同図Ａはそ
の斜視図、同図Ｂは同図ＡのＡーＡ線上における断面図
である。
グ装置用金属ターゲットの実施例であって、同図Ａはそ
の斜視図、同図Ｂは同図ＡのＡーＡ線上における断面図
である。
【図２】 この発明の第２の実施例であるスパッタリン
グ装置用金属ターゲットの斜視図である。
グ装置用金属ターゲットの斜視図である。
【図３】 図１に示した実施例の金属ターゲットを用い
てスパッタリングした場合における半導体ウエハ処理枚
数に対するスパッターダストの発生を示したグラフであ
る。
てスパッタリングした場合における半導体ウエハ処理枚
数に対するスパッターダストの発生を示したグラフであ
る。
【図４】 従来技術の一般的なスパッタリング装置の概
念的断面斜視図である。
念的断面斜視図である。
【図５】 図４のスパッタリング装置に一般的に用いら
れる第１の構造の金属ターゲットであって、同図Ａはそ
の斜視図、同図Ｂは同図ＡのＡーＡ線上における断面図
である。
れる第１の構造の金属ターゲットであって、同図Ａはそ
の斜視図、同図Ｂは同図ＡのＡーＡ線上における断面図
である。
【図６】 図４のスパッタリング装置に一般的に用いら
れる第２の構造の金属ターゲットの斜視図である。
れる第２の構造の金属ターゲットの斜視図である。
【図７】 図５Ａに示した金属ターゲットを用いてスパ
ッタリングした場合における半導体ウエハ処理枚数に対
するスパッタダストの発生を示したグラフである。
ッタリングした場合における半導体ウエハ処理枚数に対
するスパッタダストの発生を示したグラフである。
１ スパッタリング装置 ２ カソード電極 ２Ａ マグネット ３ バッキングプレート ４ アノード電極 ５ チャンバー ６ 被処理物（半導体ウエハ） １０Ａ 金属ターゲット １１ 本体 １２ 貫通孔 １３Ａ センターキャップ ２０Ａ 金属ターゲット
Claims (1)
- 【請求項１】 非スパッタ領域の面粗度を粗くしたこと
を特徴とするスパッタリング装置用金属ターゲット
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10321793A JPH06306590A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | スパッタリング装置用金属ターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10321793A JPH06306590A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | スパッタリング装置用金属ターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06306590A true JPH06306590A (ja) | 1994-11-01 |
Family
ID=14348339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10321793A Pending JPH06306590A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | スパッタリング装置用金属ターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06306590A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003100114A1 (en) * | 2002-05-20 | 2003-12-04 | Tosoh Smd,Inc. | Replaceable target sidewall insert with texturing |
| JP2010189768A (ja) * | 1997-05-02 | 2010-09-02 | Materials Research Corp | スパッタリングのバーンインに要する時間を短縮してスパッタリングの際に発生するパーティクルを最小限に抑える方法、及びこのときに用いられるターゲットアセンブリ |
-
1993
- 1993-04-28 JP JP10321793A patent/JPH06306590A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010189768A (ja) * | 1997-05-02 | 2010-09-02 | Materials Research Corp | スパッタリングのバーンインに要する時間を短縮してスパッタリングの際に発生するパーティクルを最小限に抑える方法、及びこのときに用いられるターゲットアセンブリ |
| WO2003100114A1 (en) * | 2002-05-20 | 2003-12-04 | Tosoh Smd,Inc. | Replaceable target sidewall insert with texturing |
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