JPH06307960A - 圧力センサ - Google Patents
圧力センサInfo
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- JPH06307960A JPH06307960A JP6082551A JP8255194A JPH06307960A JP H06307960 A JPH06307960 A JP H06307960A JP 6082551 A JP6082551 A JP 6082551A JP 8255194 A JP8255194 A JP 8255194A JP H06307960 A JPH06307960 A JP H06307960A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure sensor
- diaphragm
- diaphragms
- film
- substrate
- Prior art date
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- Withdrawn
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/02—Arrangements for preventing, or for compensating for, effects of inclination or acceleration of the measuring device; Zero-setting means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0007—Fluidic connecting means
- G01L19/0046—Fluidic connecting means using isolation membranes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
- G01L9/0073—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高い測定精度で測定可能でありかつ測定範囲
が同じ従来の圧力センサよりも何倍も大きい圧力センサ
を提供する。 【構成】 圧力センサは、マトリクス状に設けられ、圧
縮歪みに依存する可変電気容量を決定するためにシリコ
ン基板の上部における電気導体のパターン上に配置され
たポリシリコン製ダイヤフラム１１、１２、１３、１４
を備えている。これらのダイヤフラムは少なくとも２つ
の異なったサイズにて設けられ、同一サイズのダイヤフ
ラムの多数の容量が１つのサブユニットに纏められる。
その際、各サブユニットの基本容量はそれぞれ同じ大き
さとなるようにされる。
が同じ従来の圧力センサよりも何倍も大きい圧力センサ
を提供する。 【構成】 圧力センサは、マトリクス状に設けられ、圧
縮歪みに依存する可変電気容量を決定するためにシリコ
ン基板の上部における電気導体のパターン上に配置され
たポリシリコン製ダイヤフラム１１、１２、１３、１４
を備えている。これらのダイヤフラムは少なくとも２つ
の異なったサイズにて設けられ、同一サイズのダイヤフ
ラムの多数の容量が１つのサブユニットに纏められる。
その際、各サブユニットの基本容量はそれぞれ同じ大き
さとなるようにされる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は広い測定範囲に亘って圧
力を検出するための圧力センサに関する。
力を検出するための圧力センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば真空技術のような多くの技術分野
においては、圧力を高精度で非常に大きな広い測定範囲
に亘って検出することが必要である。それに対して、従
来の圧力センサはその設計技術のために圧力測定範囲が
非常に制限されている。そのために従来では互いに接す
る測定範囲を有する多数の個別圧力センサが同時に使用
されていた。
においては、圧力を高精度で非常に大きな広い測定範囲
に亘って検出することが必要である。それに対して、従
来の圧力センサはその設計技術のために圧力測定範囲が
非常に制限されている。そのために従来では互いに接す
る測定範囲を有する多数の個別圧力センサが同時に使用
されていた。
【０００３】しかしながら、このような圧力センサは次
の欠点を有する。即ち、多数のセンサを必要とするの
で、装置はそれに応じて高価となる。センサの出力信号
は一般的に互いに互換性がなく、従って、どのセンサが
丁度許容測定範囲内で動作しているのかを識別する補助
の外部電子回路内で評価されなければならない。従来の
圧力センサの過圧容量は僅少であるので、達成可能な測
定範囲は大きく制限されていた。
の欠点を有する。即ち、多数のセンサを必要とするの
で、装置はそれに応じて高価となる。センサの出力信号
は一般的に互いに互換性がなく、従って、どのセンサが
丁度許容測定範囲内で動作しているのかを識別する補助
の外部電子回路内で評価されなければならない。従来の
圧力センサの過圧容量は僅少であるので、達成可能な測
定範囲は大きく制限されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、高い
測定精度で測定可能でありかつ測定範囲が従来の圧力セ
ンサよりも何倍も大きいような圧力センサを提供するこ
とにある。
測定精度で測定可能でありかつ測定範囲が従来の圧力セ
ンサよりも何倍も大きいような圧力センサを提供するこ
とにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この課題は、本発明によ
れば、マトリクス状にダイヤフラムが配置され、ダイヤ
フラムが設けられている面積に対するそれらの可変電気
容量がこの面積のところの電気導体のパターンによって
測定され、ダイヤフラムは少なくとも２つの異なったサ
イズにて設けられ、同一サイズの多数のダイヤフラムは
電気導体のパターンによって１つのサブユニットに纏め
られ、その際その各サブユニットを構成するダイヤフラ
ムの容量的に有効な面積の和は同じ大きさであるように
することによって解決される。
れば、マトリクス状にダイヤフラムが配置され、ダイヤ
フラムが設けられている面積に対するそれらの可変電気
容量がこの面積のところの電気導体のパターンによって
測定され、ダイヤフラムは少なくとも２つの異なったサ
イズにて設けられ、同一サイズの多数のダイヤフラムは
電気導体のパターンによって１つのサブユニットに纏め
られ、その際その各サブユニットを構成するダイヤフラ
ムの容量的に有効な面積の和は同じ大きさであるように
することによって解決される。
【０００６】本発明の実施態様は請求項２以降に記載さ
れている。
れている。
【０００７】
【作用】本発明による圧力センサは異なったダイヤフラ
ムサイズを持ちマトリクス状に配置された圧力センサに
よって構成される。基台に対するダイヤフラムの電気容
量が測定され、この電気容量から圧力の大きさが求めら
れる。同一ダイヤフラムサイズ、従って所定の測定範囲
を有する多数の圧力センサが１つのサブユニットに纏め
られ、その際、全てのサブユニットにおいて（容量的に
有効な）ダイヤフラム面積の和が同じ大きさとなるよう
にされる。これらのサブユニット内のダイヤフラムはそ
れぞれ並列接続され、それによりこれらの容量が加算さ
れ、従って変位していない状態では、即ち、標準圧力の
場合には、全てのサブユニットは同じ大きさの容量とな
る。異なったサブユニットにおけるダイヤフラムサイズ
は、サブユニットの測定範囲が互いに連続し、それによ
り評価が簡単になるように選定される。個々のダイヤフ
ラムは例えばシリコン微細機械加工のようなＩＣ技術と
両立する工程で有利に製造される。
ムサイズを持ちマトリクス状に配置された圧力センサに
よって構成される。基台に対するダイヤフラムの電気容
量が測定され、この電気容量から圧力の大きさが求めら
れる。同一ダイヤフラムサイズ、従って所定の測定範囲
を有する多数の圧力センサが１つのサブユニットに纏め
られ、その際、全てのサブユニットにおいて（容量的に
有効な）ダイヤフラム面積の和が同じ大きさとなるよう
にされる。これらのサブユニット内のダイヤフラムはそ
れぞれ並列接続され、それによりこれらの容量が加算さ
れ、従って変位していない状態では、即ち、標準圧力の
場合には、全てのサブユニットは同じ大きさの容量とな
る。異なったサブユニットにおけるダイヤフラムサイズ
は、サブユニットの測定範囲が互いに連続し、それによ
り評価が簡単になるように選定される。個々のダイヤフ
ラムは例えばシリコン微細機械加工のようなＩＣ技術と
両立する工程で有利に製造される。
【０００８】
【実施例】次に本発明による圧力センサ及びその製造方
法を図面に基づいて説明する。
法を図面に基づいて説明する。
【０００９】個々のダイヤフラムのサイズ及び個数の選
定を図１に基づいて説明する。簡単化のために、基台に
固定されるダイヤフラム縁部は面積に比べて無視するこ
とができ、それゆえ容量は主としてダイヤフラムの面積
によって与えられるものとする。変位していない状態で
は並列接続されたダイヤフラムの全容量はそれらの全面
積に比例する。各サブユニットが基本面積の２-2i 倍の
面積を有する２2i個のダイヤフラムから構成される場
合、基本容量は例えば全てのサブユニットに対して同じ
値である。なおここでｉは負でない整数である。ｉ＝
０、１、２、３の場合に正方形に纏められた４個のこの
種のサブユニットが図１に平面図にて示されている。ダ
イヤフラム１１、１２、１３、１４は正方形であること
を必要とせず、基本的には容易に製造可能な形状を有す
ればよい。従って、ダイヤフラムは特に矩形状または円
形状であってもよい。個々のサブユニットに所属するダ
イヤフラムも同様に狭いスペースに纏められる必要はな
く、圧力センサ上に分散させることができる。かかるサ
ブユニットの基本容量がそれぞれ同じになるように同一
サイズの多数のダイヤフラムを適当に相互接続（並列接
続）することが重要である。例えば、特別な応力を有す
る測定範囲のための又は出力信号の大きさを調整するた
めのダイヤフラムサイズを有する多数のサブユニットを
設けることができる。従って、本発明による圧力センサ
の具体的な実施態様は個々のケースのその都度の要求、
特に使用された製造方法に適合させることができる。
定を図１に基づいて説明する。簡単化のために、基台に
固定されるダイヤフラム縁部は面積に比べて無視するこ
とができ、それゆえ容量は主としてダイヤフラムの面積
によって与えられるものとする。変位していない状態で
は並列接続されたダイヤフラムの全容量はそれらの全面
積に比例する。各サブユニットが基本面積の２-2i 倍の
面積を有する２2i個のダイヤフラムから構成される場
合、基本容量は例えば全てのサブユニットに対して同じ
値である。なおここでｉは負でない整数である。ｉ＝
０、１、２、３の場合に正方形に纏められた４個のこの
種のサブユニットが図１に平面図にて示されている。ダ
イヤフラム１１、１２、１３、１４は正方形であること
を必要とせず、基本的には容易に製造可能な形状を有す
ればよい。従って、ダイヤフラムは特に矩形状または円
形状であってもよい。個々のサブユニットに所属するダ
イヤフラムも同様に狭いスペースに纏められる必要はな
く、圧力センサ上に分散させることができる。かかるサ
ブユニットの基本容量がそれぞれ同じになるように同一
サイズの多数のダイヤフラムを適当に相互接続（並列接
続）することが重要である。例えば、特別な応力を有す
る測定範囲のための又は出力信号の大きさを調整するた
めのダイヤフラムサイズを有する多数のサブユニットを
設けることができる。従って、本発明による圧力センサ
の具体的な実施態様は個々のケースのその都度の要求、
特に使用された製造方法に適合させることができる。
【００１０】次にかかる製造方法を図面に基づいて説明
する。個々のダイヤフラムの制御と測定を行うための導
電性パターンが基板内に形成される場合、製造方法が特
に簡単になる。従って、半導体材料から成る基板が特に
適し、その半導体材料内に導電性パターンがマスク技術
を使用してドーピングによって作られる。基板は例えば
シリコンであり、ドーピングは例えばイオン注入によっ
て行われる。ドーピングされた領域９を有するこのよう
な基板１上に図２に示されているように絶縁膜２及び補
助膜３が析出される。絶縁膜２はコンデンサの誘電体と
同じように導電性基台からダイヤフラムを絶縁するため
に使われる。この絶縁膜２は例えば窒化物（Ｓｉ
3 Ｎ4 ）から構成することができる。補助膜３は例えば
酸化物（例えばＳｉＯ2 ）である。この補助膜３はパタ
ーン化され、残存部分が形成すべきダイヤフラムの寸法
にそれぞれほぼ一致するようにされる（図３参照）。
する。個々のダイヤフラムの制御と測定を行うための導
電性パターンが基板内に形成される場合、製造方法が特
に簡単になる。従って、半導体材料から成る基板が特に
適し、その半導体材料内に導電性パターンがマスク技術
を使用してドーピングによって作られる。基板は例えば
シリコンであり、ドーピングは例えばイオン注入によっ
て行われる。ドーピングされた領域９を有するこのよう
な基板１上に図２に示されているように絶縁膜２及び補
助膜３が析出される。絶縁膜２はコンデンサの誘電体と
同じように導電性基台からダイヤフラムを絶縁するため
に使われる。この絶縁膜２は例えば窒化物（Ｓｉ
3 Ｎ4 ）から構成することができる。補助膜３は例えば
酸化物（例えばＳｉＯ2 ）である。この補助膜３はパタ
ーン化され、残存部分が形成すべきダイヤフラムの寸法
にそれぞれほぼ一致するようにされる（図３参照）。
【００１１】その後場合によっては、例えば補助膜３と
同じ材料から成る第２補助膜４と、この補助膜の上にダ
イヤフラムとして設けられた例えばポリシリコンから成
る膜５とが設けられる。第２補助膜４は、補助膜３のそ
れぞれの残存部分の側部に条帯状分枝がパターン化によ
って形成され、この条帯状分枝が除去後にポリシリコン
の下方にエッチング路を形成し、このエッチング路を通
して補助膜３の材料が除去され、それによりポリシリコ
ン膜５によって形成されたダイヤフラムの下方に空所を
形成することができるようにするために設けられる。エ
ッチング路を形成するためのこの側部分枝はパターン化
を行う際に補助膜３から形成することもできる。その場
合には第２補助膜４は省略することができる。ポリシリ
コン膜５がパターン化され、その結果、このポリシリコ
ン膜５からは個々のダイヤフラムを形成する部分が残存
する。この残存部分は例えば図１のマトリクスに示され
ているように例えば正方形状又は網目状に配置されてい
る。ポリシリコン膜５のこの部分の縁部はそれぞれ絶縁
膜２上に位置し、その場合ポリシリコン膜５と絶縁膜２
との間のこの結合は補助膜３又は第２補助膜４の条帯状
分枝によってところどころが中断されている。エッチン
グ工程、例えばＨＦを使用した湿式化学法において、例
えばＳｉＯ2 から成るこの条帯状分枝は絶縁膜２の材料
（例えばＳｉ3 Ｎ4 ）及び膜５の材料（例えばポリシリ
コン）に対して選択的に除去される。その際にエッチン
グ路つまり通路状開口部が絶縁膜２とポリシリコン膜５
との間に形成され、このエッチング路を通してポリシリ
コン膜５の下方に存在する補助膜３のそれぞれの残存部
分に外部からアクセスすることができる。エッチング工
程を続けると、このエッチング路を通して補助膜３の材
料（ＳｉＯ2 ）へのエッチング侵食が生ずる。それによ
り補助膜３の残部は完全に除去される。その際にポリシ
リコン膜５の下方にはポリシリコン膜５によって覆われ
た空所７が形成される。エッチング路が例えば封止を行
う酸化によって閉鎖される場合、縁部は上述したように
それぞれ基台（絶縁膜２）に結合される。ポリシリコン
膜５は作業工程の一つにおいて例えばイオン注入によっ
て導電性にドーピングされ、それによりその下方に位置
する基板内電極（ドーピングされた領域９）に対する対
向電極をそれぞれ形成する。図４には第２補助膜４の側
部部分が破線で示されているが、図４はこの領域には第
２補助膜４のエッチング路として設けられた条帯状分枝
がまだ存在していることを表している。図５に示されて
いるように、ポリシリコン膜５の一部分によってそれぞ
れ形成されたダイヤフラム８はパッシベーション膜６に
よって覆われる。
同じ材料から成る第２補助膜４と、この補助膜の上にダ
イヤフラムとして設けられた例えばポリシリコンから成
る膜５とが設けられる。第２補助膜４は、補助膜３のそ
れぞれの残存部分の側部に条帯状分枝がパターン化によ
って形成され、この条帯状分枝が除去後にポリシリコン
の下方にエッチング路を形成し、このエッチング路を通
して補助膜３の材料が除去され、それによりポリシリコ
ン膜５によって形成されたダイヤフラムの下方に空所を
形成することができるようにするために設けられる。エ
ッチング路を形成するためのこの側部分枝はパターン化
を行う際に補助膜３から形成することもできる。その場
合には第２補助膜４は省略することができる。ポリシリ
コン膜５がパターン化され、その結果、このポリシリコ
ン膜５からは個々のダイヤフラムを形成する部分が残存
する。この残存部分は例えば図１のマトリクスに示され
ているように例えば正方形状又は網目状に配置されてい
る。ポリシリコン膜５のこの部分の縁部はそれぞれ絶縁
膜２上に位置し、その場合ポリシリコン膜５と絶縁膜２
との間のこの結合は補助膜３又は第２補助膜４の条帯状
分枝によってところどころが中断されている。エッチン
グ工程、例えばＨＦを使用した湿式化学法において、例
えばＳｉＯ2 から成るこの条帯状分枝は絶縁膜２の材料
（例えばＳｉ3 Ｎ4 ）及び膜５の材料（例えばポリシリ
コン）に対して選択的に除去される。その際にエッチン
グ路つまり通路状開口部が絶縁膜２とポリシリコン膜５
との間に形成され、このエッチング路を通してポリシリ
コン膜５の下方に存在する補助膜３のそれぞれの残存部
分に外部からアクセスすることができる。エッチング工
程を続けると、このエッチング路を通して補助膜３の材
料（ＳｉＯ2 ）へのエッチング侵食が生ずる。それによ
り補助膜３の残部は完全に除去される。その際にポリシ
リコン膜５の下方にはポリシリコン膜５によって覆われ
た空所７が形成される。エッチング路が例えば封止を行
う酸化によって閉鎖される場合、縁部は上述したように
それぞれ基台（絶縁膜２）に結合される。ポリシリコン
膜５は作業工程の一つにおいて例えばイオン注入によっ
て導電性にドーピングされ、それによりその下方に位置
する基板内電極（ドーピングされた領域９）に対する対
向電極をそれぞれ形成する。図４には第２補助膜４の側
部部分が破線で示されているが、図４はこの領域には第
２補助膜４のエッチング路として設けられた条帯状分枝
がまだ存在していることを表している。図５に示されて
いるように、ポリシリコン膜５の一部分によってそれぞ
れ形成されたダイヤフラム８はパッシベーション膜６に
よって覆われる。
【００１２】個々のダイヤフラムによって形成されたセ
ンサはシリコン基板内に内蔵形過圧保護機能を持ち、公
称測定範囲の数倍の大きさの過圧容量を有する。各個別
センサは当該ダイヤフラムが基板に向かって押圧される
圧縮歪みを与えられた後でも機械的ヒステリシス及び零
点変動を示さない。ダイヤフラムのこの特性と、半導体
技術によってシリコンチップ上に同時に多数の個別セン
サを評価回路と共に作ることとが本発明による圧力セン
サの簡単な製造を可能にする。異なった測定範囲に属す
る各サブユニットは出力信号を直線化する温度補償形増
幅器に接続される。これらの電子回路は上述したように
半導体デバイス、即ち例えばシリコン基板内に集積する
ことができる。各サブユニットの全容量はダイヤフラム
を並列接続することによってそれぞれ同じ大きさとなる
ので、全てのサブユニットに対して同一の増幅回路を使
用することができる。増幅及び直線化後に得られた信号
は評価回路に送給される。この評価回路はどのサブユニ
ットが現在その許容測定範囲内で動作し、このサブユニ
ットから生じた相応した出力信号を供給しているかを確
認する。なお、必要に応じて、この評価回路のアナログ
出力信号は後置接続されたＡＤ変換器によってディジタ
ル化することができる。本発明による圧力センサは１つ
の出力信号しか供給しないので、外部の回路費用は最小
限にすることができる。
ンサはシリコン基板内に内蔵形過圧保護機能を持ち、公
称測定範囲の数倍の大きさの過圧容量を有する。各個別
センサは当該ダイヤフラムが基板に向かって押圧される
圧縮歪みを与えられた後でも機械的ヒステリシス及び零
点変動を示さない。ダイヤフラムのこの特性と、半導体
技術によってシリコンチップ上に同時に多数の個別セン
サを評価回路と共に作ることとが本発明による圧力セン
サの簡単な製造を可能にする。異なった測定範囲に属す
る各サブユニットは出力信号を直線化する温度補償形増
幅器に接続される。これらの電子回路は上述したように
半導体デバイス、即ち例えばシリコン基板内に集積する
ことができる。各サブユニットの全容量はダイヤフラム
を並列接続することによってそれぞれ同じ大きさとなる
ので、全てのサブユニットに対して同一の増幅回路を使
用することができる。増幅及び直線化後に得られた信号
は評価回路に送給される。この評価回路はどのサブユニ
ットが現在その許容測定範囲内で動作し、このサブユニ
ットから生じた相応した出力信号を供給しているかを確
認する。なお、必要に応じて、この評価回路のアナログ
出力信号は後置接続されたＡＤ変換器によってディジタ
ル化することができる。本発明による圧力センサは１つ
の出力信号しか供給しないので、外部の回路費用は最小
限にすることができる。
【図１】本発明による圧力センサの平面図。
【図２】本発明による圧力センサの一製造工程を示す要
部断面図。
部断面図。
【図３】本発明による圧力センサの別の製造工程を示す
要部断面図。
要部断面図。
【図４】本発明による圧力センサの別の製造工程を示す
要部断面図。
要部断面図。
【図５】本発明による圧力センサのさらに別の製造工程
を示す要部断面図。
を示す要部断面図。
１ 基板 ２ 絶縁膜 ３ 補助膜 ４ 第２補助膜 ５ ポリシリコン膜 ６ パッシベーション膜 ７ 空所 ９ ドーピングされた領域 １１、１２、１３、１４ ダイヤフラム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヘルムート クローゼ ドイツ連邦共和国 81929 ミユンヘン シユテフアン−ゲオルゲ−リング ９
Claims (4)
- 【請求項１】 マトリクス状にダイヤフラム（１１、１
２、１３、１４）が配置され、ダイヤフラムが設けられ
ている面積に対するそれらの可変電気容量がこの面積の
ところの電気導体のパターンによって測定され、前記ダ
イヤフラムは少なくとも２つの異なったサイズにて設け
られ、同一サイズの多数のダイヤフラムは電気導体の前
記パターンによって１つのサブユニットに纏められ、そ
の際その各サブユニットを構成するダイヤフラムの容量
的に有効な面積の和は同じ大きさであることを特徴とす
る圧力センサ。 - 【請求項２】 ダイヤフラム（１１、１２、１３、１
４）はその縁部が基板（１）上の電気絶縁膜（２）上に
固定されて、各ダイヤフラムと前記絶縁膜との間に空所
（７）が形成されることを特徴とする請求項１記載の圧
力センサ。 - 【請求項３】 基板はダイヤフラム側上部が電気導体の
パターンを形成するためにドーピングされることを特徴
とする請求項２記載の圧力センサ。 - 【請求項４】 基板はシリコンであり、ダイヤフラムは
ポリシリコンであることを特徴とする請求項２又は３記
載の圧力センサ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4310244.1 | 1993-03-30 | ||
| DE4310244 | 1993-03-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06307960A true JPH06307960A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=6484179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6082551A Withdrawn JPH06307960A (ja) | 1993-03-30 | 1994-03-28 | 圧力センサ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5450754A (ja) |
| EP (1) | EP0618435A3 (ja) |
| JP (1) | JPH06307960A (ja) |
| KR (1) | KR940022070A (ja) |
| TW (1) | TW239188B (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11298011A (ja) * | 1998-04-13 | 1999-10-29 | Denso Corp | 半導体力学量センサ及びその製造方法 |
| JP2003509984A (ja) * | 1999-09-13 | 2003-03-11 | カーネギー−メロン ユニバーシティ | エラーキャンセレーションを有するｍｅｍｓデジタル−音響トランスデューサ |
| US6640642B1 (en) | 2000-02-23 | 2003-11-04 | Hitachi, Ltd. | Capacitance-type pressure sensor |
| WO2009131006A1 (ja) * | 2008-04-24 | 2009-10-29 | パナソニック電工株式会社 | 圧力センサ |
| JP2012501237A (ja) * | 2008-09-02 | 2012-01-19 | クリスチャン エム パットリッツ コンサルティング エルエルシー | バイオｍｅｍｓセンサ及び装置ならびにその方法 |
| JP2015219044A (ja) * | 2014-05-14 | 2015-12-07 | キヤノン株式会社 | 力覚センサおよび把持装置 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5450754A (en) | 1995-09-19 |
| EP0618435A2 (de) | 1994-10-05 |
| KR940022070A (ko) | 1994-10-20 |
| TW239188B (ja) | 1995-01-21 |
| EP0618435A3 (de) | 1995-02-01 |
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Legal Events
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