JPH06308154A - 検査装置及びそれを用いた検査方法 - Google Patents
検査装置及びそれを用いた検査方法Info
- Publication number
- JPH06308154A JPH06308154A JP5100898A JP10089893A JPH06308154A JP H06308154 A JPH06308154 A JP H06308154A JP 5100898 A JP5100898 A JP 5100898A JP 10089893 A JP10089893 A JP 10089893A JP H06308154 A JPH06308154 A JP H06308154A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- detection electrode
- conductive material
- high frequency
- electrode
- inspection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高周波用半導体装置の正確な測定を行うため
の検査装置を提供する。 【構成】 絶縁体基板１５の上面に導電性材料からなる
信号伝送路１２と接地電極１１を形成する。絶縁性基板
１５の下面に導電性材料からなる検知電極１４を形成
し、信号伝送路１２と検知電極１４を貫通孔１３を通じ
て接続する。検知電極１４を半導体基板上に形成された
高周波用半導体装置の配線上の絶縁体保護膜上に、近接
もしくは接触させ、高周波信号を入出力することにより
高周波特性の検査を行う。これにより、高周波半導体装
置の正確な測定を行うこてができる。
の検査装置を提供する。 【構成】 絶縁体基板１５の上面に導電性材料からなる
信号伝送路１２と接地電極１１を形成する。絶縁性基板
１５の下面に導電性材料からなる検知電極１４を形成
し、信号伝送路１２と検知電極１４を貫通孔１３を通じ
て接続する。検知電極１４を半導体基板上に形成された
高周波用半導体装置の配線上の絶縁体保護膜上に、近接
もしくは接触させ、高周波信号を入出力することにより
高周波特性の検査を行う。これにより、高周波半導体装
置の正確な測定を行うこてができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波用半導体装置の検
査装置およびそれを用いた検査方法に関するものであ
る。
査装置およびそれを用いた検査方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】高周波機器類の一般への普及に伴い、高
周波機器に使用される高周波用半導体装置に対する需要
が高まってきており、それと共に高周波用半導体装置の
検査方法の確立が急務となっている。
周波機器に使用される高周波用半導体装置に対する需要
が高まってきており、それと共に高周波用半導体装置の
検査方法の確立が急務となっている。
【０００３】以下図面を参照しながら、上記した従来の
高周波用半導体装置の検査装置および検査方法の一例に
ついて説明する。
高周波用半導体装置の検査装置および検査方法の一例に
ついて説明する。
【０００４】図１は従来の高周波増幅回路の一例を示す
ものである。１０１及び１０２は電界効果トランジスタ
（以後ＦＥＴとする）であり、１１１及び１１２は抵抗
器であり、１２１及び１２２はキャパシタであり、１３
１及び１３２はインダクタであり、１４１はＲＦ信号入
力端子（以後入力端子とする）、１４２はＲＦ信号出力
端子（以後出力端子とする）、１５１及び１５２は電源
端子、１６１は接地である。
ものである。１０１及び１０２は電界効果トランジスタ
（以後ＦＥＴとする）であり、１１１及び１１２は抵抗
器であり、１２１及び１２２はキャパシタであり、１３
１及び１３２はインダクタであり、１４１はＲＦ信号入
力端子（以後入力端子とする）、１４２はＲＦ信号出力
端子（以後出力端子とする）、１５１及び１５２は電源
端子、１６１は接地である。
【０００５】まず、直流バイアスについて説明する。電
源端子１５１及び１５２には５Ｖの電圧が与えられ、イ
ンダクタ１３１及び１３２を介してＦＥＴ１０１及び１
０２に電流を供給している。また、ＦＥＴ１０１及び１
０２のソースは接地され、ゲートは抵抗器１１１及び１
１２によって接地されているためゲート−ソース間電圧
は０Ｖに設定されている。一方ＦＥＴ１０１と１０２は
キャパシタ１２１によってＤＣ的に分離されている。
源端子１５１及び１５２には５Ｖの電圧が与えられ、イ
ンダクタ１３１及び１３２を介してＦＥＴ１０１及び１
０２に電流を供給している。また、ＦＥＴ１０１及び１
０２のソースは接地され、ゲートは抵抗器１１１及び１
１２によって接地されているためゲート−ソース間電圧
は０Ｖに設定されている。一方ＦＥＴ１０１と１０２は
キャパシタ１２１によってＤＣ的に分離されている。
【０００６】次に高周波特性について説明する。高周波
的にはキャパシタ１２１及び１２２は低インピーダンス
であり、インダクタ１３１及び１３２は高インピーダン
スであるため、ＲＦ信号入力端子１４１からＲＦ信号を
入力すると、この信号はＦＥＴ１０１により増幅され、
キャパシタ１２１を通って次段のＦＥＴ１０２に伝えら
れる。さらにこの信号はＦＥＴ１０２で増幅され、キャ
パシタ１２２を通って出力端子１４２から出力される。
的にはキャパシタ１２１及び１２２は低インピーダンス
であり、インダクタ１３１及び１３２は高インピーダン
スであるため、ＲＦ信号入力端子１４１からＲＦ信号を
入力すると、この信号はＦＥＴ１０１により増幅され、
キャパシタ１２１を通って次段のＦＥＴ１０２に伝えら
れる。さらにこの信号はＦＥＴ１０２で増幅され、キャ
パシタ１２２を通って出力端子１４２から出力される。
【０００７】図２に、図１の回路を半導体基板上に形成
した例を示す。図２において、２０１は図１のＦＥＴ１
０１に、２０２はＦＥＴ１０２に、２１１は抵抗器１１
１に、２１２は抵抗器１１２に、２２１はキャパシタ１
２１に、２２２はキャパシタ１２２に、２３１はインダ
クタ１３１に、２３２はインダクタ１３２に、それぞれ
対応する。２４１は入力端子１４１に対応する入力パッ
ド、２４２は出力端子１４２に対応する出力パッド、２
５１は電源端子１５１に対応する電源パッド、２５２は
電源端子１５２に対応する電源パッド、２６１は接地１
６１に対応する接地パッドである。キャパシタ２２１及
び２２２はＭＩＭ構造であり、第２層金属を上側電極と
して用いている。
した例を示す。図２において、２０１は図１のＦＥＴ１
０１に、２０２はＦＥＴ１０２に、２１１は抵抗器１１
１に、２１２は抵抗器１１２に、２２１はキャパシタ１
２１に、２２２はキャパシタ１２２に、２３１はインダ
クタ１３１に、２３２はインダクタ１３２に、それぞれ
対応する。２４１は入力端子１４１に対応する入力パッ
ド、２４２は出力端子１４２に対応する出力パッド、２
５１は電源端子１５１に対応する電源パッド、２５２は
電源端子１５２に対応する電源パッド、２６１は接地１
６１に対応する接地パッドである。キャパシタ２２１及
び２２２はＭＩＭ構造であり、第２層金属を上側電極と
して用いている。
【０００８】図３に、図２の半導体装置のＲＦ検査方法
の従来例を示す。図３において、３０１、３０２はカス
ケードマイクロ社製高周波測定プローブ（以後、高周波
プローブとする）、３１１は入力用接点電極、３１２は
出力用接点電極、３１３、３１４は接地用接点電極であ
る。高周波プローブはその先端部まで５０Ωの特性イン
ピーダンスを保持するように設計されている。この高周
波プローブを半導体チップ上の対応するパッドに接触さ
せ、入力パッドから信号を入力し、出力パッドからの信
号を測定することにより、回路全体の入出力特性を正確
に評価することができる。
の従来例を示す。図３において、３０１、３０２はカス
ケードマイクロ社製高周波測定プローブ（以後、高周波
プローブとする）、３１１は入力用接点電極、３１２は
出力用接点電極、３１３、３１４は接地用接点電極であ
る。高周波プローブはその先端部まで５０Ωの特性イン
ピーダンスを保持するように設計されている。この高周
波プローブを半導体チップ上の対応するパッドに接触さ
せ、入力パッドから信号を入力し、出力パッドからの信
号を測定することにより、回路全体の入出力特性を正確
に評価することができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、回路全体の特性は評価できるが、各ブロッ
クあるいは各ＦＥＴの特性を評価することができない。
この問題の解決策として、図１のＡ点に電極パッドを接
続し、そのパッドに電極を接触させることにより各ブロ
ックの特性を評価する方法が取られることがあるが、パ
ッド自体が大きな浮遊容量を持つため回路全体の特性に
影響を与え、正確な測定が困難であり、また専用のパッ
ドの半導体チップに内蔵することでチップ面積が拡大し
コストが増加するという問題点を有していた。
の構成では、回路全体の特性は評価できるが、各ブロッ
クあるいは各ＦＥＴの特性を評価することができない。
この問題の解決策として、図１のＡ点に電極パッドを接
続し、そのパッドに電極を接触させることにより各ブロ
ックの特性を評価する方法が取られることがあるが、パ
ッド自体が大きな浮遊容量を持つため回路全体の特性に
影響を与え、正確な測定が困難であり、また専用のパッ
ドの半導体チップに内蔵することでチップ面積が拡大し
コストが増加するという問題点を有していた。
【００１０】本発明は上記問題点に鑑み、回路パターン
を変更することなく半導体回路の正確な特性を容易に測
定可能にする検査装置及びそれを用いた検査方法を提供
するものである。
を変更することなく半導体回路の正確な特性を容易に測
定可能にする検査装置及びそれを用いた検査方法を提供
するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明の検査装置及び検査方法は、以下に示す構成
を有している。
めに本発明の検査装置及び検査方法は、以下に示す構成
を有している。
【００１２】（１）絶縁体基板の上面に導電性材料から
なる信号伝送路と接地電極を形成し、前記絶縁性基板の
下面に導電性材料からなる検知電極を形成し、前記信号
伝送路と前記検知電極を貫通孔を通じて接続し、前記接
地電極と前記検知電極を貫通孔を通じて導電性材料によ
り接続する。
なる信号伝送路と接地電極を形成し、前記絶縁性基板の
下面に導電性材料からなる検知電極を形成し、前記信号
伝送路と前記検知電極を貫通孔を通じて接続し、前記接
地電極と前記検知電極を貫通孔を通じて導電性材料によ
り接続する。
【００１３】（２）絶縁体基板の上面に導電性材料から
なる信号伝送路と接地電極を形成し、前記絶縁性基板の
下面に導電性材料からなるスパイラル状の検知電極を形
成し、前記信号伝送路と前記検知電極を貫通孔を通じて
接続し、前記接地電極と前記検知電極とを貫通孔を通じ
て導電性材料により接続する。
なる信号伝送路と接地電極を形成し、前記絶縁性基板の
下面に導電性材料からなるスパイラル状の検知電極を形
成し、前記信号伝送路と前記検知電極を貫通孔を通じて
接続し、前記接地電極と前記検知電極とを貫通孔を通じ
て導電性材料により接続する。
【００１４】（３）絶縁体基板の内部に導電性材料から
なる信号伝送路を形成し、前記絶縁体基板の下面に導電
性材料からなる検知電極を形成し、前記信号伝送路と前
記検知電極を貫通孔を通じて導電性材料により接続し、
前記絶縁体基板の前記検知電極以外の全面を導電性材料
で覆い、前記検地電極と前記接地電極とを接続する。
なる信号伝送路を形成し、前記絶縁体基板の下面に導電
性材料からなる検知電極を形成し、前記信号伝送路と前
記検知電極を貫通孔を通じて導電性材料により接続し、
前記絶縁体基板の前記検知電極以外の全面を導電性材料
で覆い、前記検地電極と前記接地電極とを接続する。
【００１５】（４）半導体基板上に形成された高周波用
半導体装置の配線上の絶縁体保護膜上に、請求項１〜３
記載の検査装置の検知電極を近接もしくは接触させ、前
記検査装置の前記検知電極から高周波信号を入出力する
ことにより高周波特性の検査を行う。
半導体装置の配線上の絶縁体保護膜上に、請求項１〜３
記載の検査装置の検知電極を近接もしくは接触させ、前
記検査装置の前記検知電極から高周波信号を入出力する
ことにより高周波特性の検査を行う。
【００１６】
【作用】本発明は上記した構成によって、以下の作用を
示す。
示す。
【００１７】（１）検査装置の検知電極を、半導体装置
の配線上の保護膜上に近接もしくは接触させることで、
回路中のＲＦ信号を安定に測定することができ、高周波
用半導体装置の検査精度を高めることができる（請求項
１、４に対応）。
の配線上の保護膜上に近接もしくは接触させることで、
回路中のＲＦ信号を安定に測定することができ、高周波
用半導体装置の検査精度を高めることができる（請求項
１、４に対応）。
【００１８】（２）検知電極をスパイラル状にすること
で測定された信号の純度を高めることができ、高周波用
半導体装置の検査精度を高めることができる（請求項
２、４に対応）。
で測定された信号の純度を高めることができ、高周波用
半導体装置の検査精度を高めることができる（請求項
２、４に対応）。
【００１９】（３）絶縁体基板の検知電極以外の全面を
接地電極にて覆うことにより外部からの雑音信号が遮蔽
されるため、検知電極によって測定された信号の純度を
高めることができ、高周波用半導体装置の検査精度を高
めることができる（請求項３、４に対応）。
接地電極にて覆うことにより外部からの雑音信号が遮蔽
されるため、検知電極によって測定された信号の純度を
高めることができ、高周波用半導体装置の検査精度を高
めることができる（請求項３、４に対応）。
【００２０】
【実施例】以下本発明の実施例の検査装置及び検査方法
について、図面を参照しながら説明する。
について、図面を参照しながら説明する。
【００２１】（実施例１）図４は本発明の請求項１、２
及び４に対応する第１の実施例における検査装置の(a)
上面図、(b)図１のＡ−Ａ’における断面図、(c)下面図
をそれぞれ示すものである。
及び４に対応する第１の実施例における検査装置の(a)
上面図、(b)図１のＡ−Ａ’における断面図、(c)下面図
をそれぞれ示すものである。
【００２２】図４(a)(b)(c)において、１１は接地電
極、１２は信号伝送路、１３は貫通孔、１４は検知電
極、１５はセラミック製支持基板である。接地電極１
１、信号伝送路１２、貫通孔１３、検知電極１４はいず
れも金を９０％以上含む合金でできており、検知電極１
４は表面に２０μｍ厚のタングステン合金を接合するこ
とにより耐摩耗性を高めている。
極、１２は信号伝送路、１３は貫通孔、１４は検知電
極、１５はセラミック製支持基板である。接地電極１
１、信号伝送路１２、貫通孔１３、検知電極１４はいず
れも金を９０％以上含む合金でできており、検知電極１
４は表面に２０μｍ厚のタングステン合金を接合するこ
とにより耐摩耗性を高めている。
【００２３】図５は高周波プローブを入出力パッドに接
触させた状態で、図４の検査装置の検知電極を図２のＭ
ＩＭキャパシタ２２１の上層金属上の保護膜に接触させ
た状態を示す。
触させた状態で、図４の検査装置の検知電極を図２のＭ
ＩＭキャパシタ２２１の上層金属上の保護膜に接触させ
た状態を示す。
【００２４】以上のように構成された検査装置につい
て、以下図４、図５を用いてその動作を説明する。
て、以下図４、図５を用いてその動作を説明する。
【００２５】図５において、４０１は請求項１の検査装
置、３０１、３０２は高周波プローブ、３１１は入力用
接点電極、３１２は出力用接点電極、３１３、３１４は
接地用接点電極であり、電源用パッド２５１、２５２に
はワイヤーボンド等で別途電源が供給される。
置、３０１、３０２は高周波プローブ、３１１は入力用
接点電極、３１２は出力用接点電極、３１３、３１４は
接地用接点電極であり、電源用パッド２５１、２５２に
はワイヤーボンド等で別途電源が供給される。
【００２６】図５に示すように、半導体チップの金属配
線上に保護膜を介してＭＩＭキャパシタ２２１上に検査
装置４０１の検知電極１４を接触させることにより、磁
気的に検地電極１４と金属配線（キャパシタ）が結合す
る。すなわち、金属配線（キャパシタ）から出た磁束を
検知電極１４が検知することにより、図１のＡ点におけ
るＲＦ信号電力の一部が検知電極１４側に供給される。
このとき検知電極１４側に伝送されるＲＦ信号電力を測
定すれば、前段回路ブロックの特性を知ることができ
る。
線上に保護膜を介してＭＩＭキャパシタ２２１上に検査
装置４０１の検知電極１４を接触させることにより、磁
気的に検地電極１４と金属配線（キャパシタ）が結合す
る。すなわち、金属配線（キャパシタ）から出た磁束を
検知電極１４が検知することにより、図１のＡ点におけ
るＲＦ信号電力の一部が検知電極１４側に供給される。
このとき検知電極１４側に伝送されるＲＦ信号電力を測
定すれば、前段回路ブロックの特性を知ることができ
る。
【００２７】またこれとは逆に、検査装置４０１の検知
電極１４から金属配線（キャパシタ）を通してＲＦ信号
を入力し、前段の回路ブロックの動作を停止させた状態
で出力パッド２４２におけるＲＦ信号電力を測定すれ
ば、後段の回路ブロックの特性を知ることができる。
電極１４から金属配線（キャパシタ）を通してＲＦ信号
を入力し、前段の回路ブロックの動作を停止させた状態
で出力パッド２４２におけるＲＦ信号電力を測定すれ
ば、後段の回路ブロックの特性を知ることができる。
【００２８】このように本発明を用いれば、多段構成の
回路内の各回路ブロックごとの特性を知ることができ
る。特に実施例１においては、検知電極１４をスパイラ
ル状としたことによりストリップ線路のみの場合に比べ
より大きい信号が取り出せるため測定の精度が高まる。
しかし検知電極１４をスパイラルにしなくても、単に直
線状にしても、スパイラルにしたのと同様の効果が得ら
れる。
回路内の各回路ブロックごとの特性を知ることができ
る。特に実施例１においては、検知電極１４をスパイラ
ル状としたことによりストリップ線路のみの場合に比べ
より大きい信号が取り出せるため測定の精度が高まる。
しかし検知電極１４をスパイラルにしなくても、単に直
線状にしても、スパイラルにしたのと同様の効果が得ら
れる。
【００２９】（実施例２）図６は本発明の請求項１、
２、３及び４に対応する第２の実施例における検査装置
の(a)上面図、(b)図１のＢ−Ｂ’における断面図、(c)
下面図をそれぞれ示すものである。図６(a)(b)(c)にお
いて、２１は接地電極、２２は信号伝送路、２３は貫通
孔、２４は検知電極、２５はセラミック製支持基板であ
る。接地電極２１、信号伝送路２２、貫通孔２３、検知
電極２４はいずれも金を９０％以上含む合金でできてお
り、検知電極２４は表面に２０μｍ厚のタングステン合
金を接合することにより耐摩耗性を高めている。
２、３及び４に対応する第２の実施例における検査装置
の(a)上面図、(b)図１のＢ−Ｂ’における断面図、(c)
下面図をそれぞれ示すものである。図６(a)(b)(c)にお
いて、２１は接地電極、２２は信号伝送路、２３は貫通
孔、２４は検知電極、２５はセラミック製支持基板であ
る。接地電極２１、信号伝送路２２、貫通孔２３、検知
電極２４はいずれも金を９０％以上含む合金でできてお
り、検知電極２４は表面に２０μｍ厚のタングステン合
金を接合することにより耐摩耗性を高めている。
【００３０】以上のように構成された検査装置におい
て、検査方法、動作については実施例１と同様である
が、セラミック製支持基板２５の検知電極２４以外の全
面を導電性材料で覆い接地したため導電性材料で覆わな
い場合に比べて信号の精度が高められている。
て、検査方法、動作については実施例１と同様である
が、セラミック製支持基板２５の検知電極２４以外の全
面を導電性材料で覆い接地したため導電性材料で覆わな
い場合に比べて信号の精度が高められている。
【００３１】この場合も検知電極２４をスパイラルにし
ているが直線状にしてもよい。
ているが直線状にしてもよい。
【００３２】
【発明の効果】以上のように本発明は、上記した構成に
より以下の効果を有している。
より以下の効果を有している。
【００３３】（１）本発明の検査装置の検知電極を、半
導体装置の配線上の保護膜上に近接もしくは接触させる
ことで、回路中のＲＦ信号を安定に測定することがで
き、高周波用半導体装置の検査精度を高めることができ
る。
導体装置の配線上の保護膜上に近接もしくは接触させる
ことで、回路中のＲＦ信号を安定に測定することがで
き、高周波用半導体装置の検査精度を高めることができ
る。
【００３４】（２）絶縁体基板の検知電極以外の全面を
接地電極にて覆うことにより外部からの雑音信号が遮蔽
されるため、検知電極によって測定された信号の純度を
高めることができ、高周波用半導体装置の検査精度を高
めることができる。
接地電極にて覆うことにより外部からの雑音信号が遮蔽
されるため、検知電極によって測定された信号の純度を
高めることができ、高周波用半導体装置の検査精度を高
めることができる。
【００３５】（３）検知電極をスパイラル状にすること
で測定された信号の純度を高めることができ、高周波用
半導体装置の検査精度を高めることができる。
で測定された信号の純度を高めることができ、高周波用
半導体装置の検査精度を高めることができる。
【図１】従来の半導体装置の回路図
【図２】従来の半導体装置の上面図
【図３】従来の半導体装置の検査方法を示す上面図
【図４】(a)は本発明の第１の実施例における検査装置
の上面図 (b)は本発明の第１の実施例における検査装置の断面図 (c)は本発明の第１の実施例における検査装置の下面図
の上面図 (b)は本発明の第１の実施例における検査装置の断面図 (c)は本発明の第１の実施例における検査装置の下面図
【図５】本発明の第１の実施例を用いた検査方法の説明
図
図
【図６】(a)は本発明の第２の実施例における検査装置
の上面図 (b)は本発明の第２の実施例における検査装置の断面図 (c)は本発明の第２の実施例における検査装置の下面図
の上面図 (b)は本発明の第２の実施例における検査装置の断面図 (c)は本発明の第２の実施例における検査装置の下面図
【符号の説明】 １１ 接地電極 １２ 信号伝送路 １３ 貫通孔 １４ 検知電極 １５ セラミック製支持基板 ２１ 接地電極 ２２ 信号伝送路 ２３ 貫通孔 ２４ 検知電極 ２５ セラミック製支持基板 １０１ ＦＥＴ １０２ ＦＥＴ １１１ 抵抗器 １１２ 抵抗器 １２１ キャパシタ １２２ キャパシタ １３１ インダクタ １３２ インダクタ １４１ ＲＦ信号入力端子 １４２ ＲＦ信号出力端子 １５１ 電源端子 １５２ 電源端子 １６１ 接地 ２０１ ＦＥＴ ２０２ ＦＥＴ ２１１ 抵抗器 ２１２ 抵抗器 ２２１ キャパシタ ２２２ キャパシタ ２３１ インダクタ ２３２ インダクタ ２４１ 入力パッド ２４２ 出力パッド ２５１ 電源パッド ２５２ 電源パッド ２６１ 接地パッド ３０１ カスケードマイクロ社製高周波測定プローブ ３０２ カスケードマイクロ社製高周波測定プローブ ３１１ 入力用接点電極 ３１２ 出力用接点電極３１３ 接地用接点電極 ３１４ 接地用接点電極 ４０１ 検査装置
Claims (4)
- 【請求項１】絶縁体基板の上面に導電性材料からなる信
号伝送路と接地電極を形成し、前記絶縁性基板の下面に
導電性材料からなる検知電極を形成し、前記信号伝送路
と前記検知電極を貫通孔を通じて接続し、前記接地電極
と前記検知電極を貫通孔を通じて導電性材料により接続
したことを特徴とする検査装置。 - 【請求項２】絶縁体基板の上面に導電性材料からなる信
号伝送路と接地電極を形成し、前記絶縁性基板の下面に
導電性材料からなるスパイラル状の検知電極を形成し、
前記信号伝送路と前記検知電極を貫通孔を通じて接続
し、前記接地電極と前記検知電極とを貫通孔を通じて導
電性材料により接続したことを特徴とする検査装置。 - 【請求項３】絶縁体基板の内部に導電性材料からなる信
号伝送路を形成し、前記絶縁体基板の下面に導電性材料
からなる検知電極を形成し、前記信号伝送路と前記検知
電極を貫通孔を通じて導電性材料により接続し、前記絶
縁体基板の前記検知電極以外の全面を導電性材料で覆
い、前記検知電極と前記接地電極とを接続したことを特
徴とする検査装置。 - 【請求項４】半導体基板上に形成された高周波用半導体
装置の配線上の絶縁体保護膜上に、請求項１〜３記載の
の検査装置の検知電極を近接もしくは接触させ、前記検
査装置の前記検知電極から高周波信号を入出力すること
により高周波特性の検査を行うことを特徴とする半導体
装置の検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5100898A JPH06308154A (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | 検査装置及びそれを用いた検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5100898A JPH06308154A (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | 検査装置及びそれを用いた検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06308154A true JPH06308154A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14286166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5100898A Pending JPH06308154A (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | 検査装置及びそれを用いた検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06308154A (ja) |
-
1993
- 1993-04-27 JP JP5100898A patent/JPH06308154A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0702797B1 (en) | Integrated circuit probing apparatus including a capacitor bypass structure | |
| US7292022B2 (en) | Current detection resistor, mounting structure thereof and method of measuring effective inductance | |
| US20040008043A1 (en) | Current probe device having an integrated amplifier | |
| JPH06295949A (ja) | 検査装置、検査方法及び半導体装置 | |
| JPH06160457A (ja) | 回路板試験装置 | |
| US20030218168A1 (en) | Semiconductor substrate and test pattern for the same | |
| JPH06140484A (ja) | プローブカード | |
| US20050264306A1 (en) | Apparatus for detecting defect in circuit pattern and defect detecting system having the same | |
| JP3479061B2 (ja) | 電流検出用抵抗器の実装構造および方法 | |
| JPH06308154A (ja) | 検査装置及びそれを用いた検査方法 | |
| JPH09218222A (ja) | プローブカード | |
| JP3597162B2 (ja) | 電流検出用低抵抗器のインダクタンス測定装置および方法 | |
| JP3276389B2 (ja) | 電圧測定装置 | |
| JP4784158B2 (ja) | プローブカード、およびこれを用いた直流特性測定方法 | |
| JP2847309B2 (ja) | プローブ装置 | |
| US6181147B1 (en) | Device evaluation circuit | |
| JP3249865B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JP2568495B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH09102521A (ja) | プローブカード | |
| JP2007187604A (ja) | 検査装置 | |
| JP3039807B2 (ja) | キャパシタバイパス構造を有する集積回路プローブ装置 | |
| JP2000214200A (ja) | 高空間分解能の近磁界プロ―ブまたは近磁界プロ―ブシステム | |
| JP2884780B2 (ja) | Ｔａｂ型半導体装置 | |
| JPS6349727Y2 (ja) | ||
| JPH07151818A (ja) | 半導体集積回路装置 |