JPH06309925A - 誘電体組成物、その製造法、その薄膜の製造法および薄膜コンデンサ - Google Patents
誘電体組成物、その製造法、その薄膜の製造法および薄膜コンデンサInfo
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- JPH06309925A JPH06309925A JP5097698A JP9769893A JPH06309925A JP H06309925 A JPH06309925 A JP H06309925A JP 5097698 A JP5097698 A JP 5097698A JP 9769893 A JP9769893 A JP 9769893A JP H06309925 A JPH06309925 A JP H06309925A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】高誘電率結晶相をその特性を発揮させ、かつ結
晶相単独の場合よりも低温で緻密な組織を与え、絶縁性
の良好な誘電体組成物、その製造法、その薄膜の製造法
および薄膜コンデンサを提供する。 【構成】ｗ（Ｘ1-y-z Ｘ’y Ｘ”z ）ＭＯ3 −（１−
ｗ）〔ａ（１−ｙ−ｚ）ＸＯ−ｂｙＸ’Ｏv −ｃｚＸ”
2 Ｏ3 −ｄＺＯx 〕 上記一般式で表される誘電体組成物で、式中、ＸはＰ
ｂ、Ｂａから選ばれた１種または２種、Ｘ’はＬｉ Ｎ
ａ Ｋ Ｍｇ Ｃａ Ｓｒから選ばれた１種または２種
以上、Ｘ”はＬａ、Ｙから選ばれた１種または２種、Ｍ
はＴｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｗから選ばれた１種または２種以上、Ｚは
Ｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐから選ば
れた１種または２種以上を表す。
晶相単独の場合よりも低温で緻密な組織を与え、絶縁性
の良好な誘電体組成物、その製造法、その薄膜の製造法
および薄膜コンデンサを提供する。 【構成】ｗ（Ｘ1-y-z Ｘ’y Ｘ”z ）ＭＯ3 −（１−
ｗ）〔ａ（１−ｙ−ｚ）ＸＯ−ｂｙＸ’Ｏv −ｃｚＸ”
2 Ｏ3 −ｄＺＯx 〕 上記一般式で表される誘電体組成物で、式中、ＸはＰ
ｂ、Ｂａから選ばれた１種または２種、Ｘ’はＬｉ Ｎ
ａ Ｋ Ｍｇ Ｃａ Ｓｒから選ばれた１種または２種
以上、Ｘ”はＬａ、Ｙから選ばれた１種または２種、Ｍ
はＴｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｗから選ばれた１種または２種以上、Ｚは
Ｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐから選ば
れた１種または２種以上を表す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体組成物、その製
造法、その薄膜の製造法および薄膜コンデンサに関する
もので、特に絶縁特性が良好でかつ誘電損失が低く、低
温度焼成が可能な誘電体組成物に関するものである。具
体的には、薄膜コンデンサ、ＤＲＡＭメモリ用コンデン
サ、積層コンデンサ、誘電体ペースト等の誘電製品、ア
クチュエータ、共振子、フィルタ、超音波モータ等の圧
電部品等への応用が挙げられる。
造法、その薄膜の製造法および薄膜コンデンサに関する
もので、特に絶縁特性が良好でかつ誘電損失が低く、低
温度焼成が可能な誘電体組成物に関するものである。具
体的には、薄膜コンデンサ、ＤＲＡＭメモリ用コンデン
サ、積層コンデンサ、誘電体ペースト等の誘電製品、ア
クチュエータ、共振子、フィルタ、超音波モータ等の圧
電部品等への応用が挙げられる。
【０００２】
【従来の技術】従来より、チタン酸バリウム、チタン酸
鉛等の誘電体は、その誘電特性や圧電特性により磁器コ
ンデンサーやフィルターとして利用されてきた。磁器コ
ンデンサーでは、一般に容量を大きくするために積層型
にして用いられている。積層型コンデンサーの製造方法
においては固相反応や溶液反応で得られた０．５〜５μ
ｍの誘電体粉末をバインダーと溶剤とで混合してスラリ
ーを製造し、そのスラリーをドクターブレード法等で薄
板状に成形し、該薄板を１０〜数１０層積層して１２０
０〜１３００℃で焼成するという工程をとっている。
鉛等の誘電体は、その誘電特性や圧電特性により磁器コ
ンデンサーやフィルターとして利用されてきた。磁器コ
ンデンサーでは、一般に容量を大きくするために積層型
にして用いられている。積層型コンデンサーの製造方法
においては固相反応や溶液反応で得られた０．５〜５μ
ｍの誘電体粉末をバインダーと溶剤とで混合してスラリ
ーを製造し、そのスラリーをドクターブレード法等で薄
板状に成形し、該薄板を１０〜数１０層積層して１２０
０〜１３００℃で焼成するという工程をとっている。
【０００３】このような方法では焼成温度が高く、銀や
銅等の比較的安価で低抵抗の金属を電極として用いるこ
とができなかった。焼成温度を低くするために、ガラス
フリットを誘電体粉末と混合する方法も試みられてい
る。この方法で焼成温度を１０００℃程度にまで低下さ
せることは可能となったが、依然として銀の融点（９６
５℃）よりも高く、しかもガラスフリットを大量に加え
ることにより誘電体の割合が下がり、誘電特性が低下し
た。
銅等の比較的安価で低抵抗の金属を電極として用いるこ
とができなかった。焼成温度を低くするために、ガラス
フリットを誘電体粉末と混合する方法も試みられてい
る。この方法で焼成温度を１０００℃程度にまで低下さ
せることは可能となったが、依然として銀の融点（９６
５℃）よりも高く、しかもガラスフリットを大量に加え
ることにより誘電体の割合が下がり、誘電特性が低下し
た。
【０００４】また、誘電体粉末およびガラスフリットは
粉砕して製造されるために、１μｍ以下の粒径にするこ
とは極めて困難であり、緻密なグリーン体が得られず、
膜厚を薄くすることが難しかった。すなわち、固相法や
液相法により得られた誘電体の粉末を用いドクターブレ
ード法で薄膜状誘電体を形成する場合には、誘電体粉末
が大きいために誘電体の膜厚を２０μｍ以下にすること
は困難であった。
粉砕して製造されるために、１μｍ以下の粒径にするこ
とは極めて困難であり、緻密なグリーン体が得られず、
膜厚を薄くすることが難しかった。すなわち、固相法や
液相法により得られた誘電体の粉末を用いドクターブレ
ード法で薄膜状誘電体を形成する場合には、誘電体粉末
が大きいために誘電体の膜厚を２０μｍ以下にすること
は困難であった。
【０００５】ところで、積層型セラミックコンデンサー
の小型化、高容量化のためには面積、厚みには限界があ
るため積層数を増してやれば良いわけであるが、膜厚の
厚い上記方法では自ずと高容量化には限界を生ずる。こ
の解決策の一つとして誘電体層を薄膜化する方法があ
る。積層型コンデンサーの場合１層が約２０〜４０μｍ
であるが、１〜５μｍ程度に薄膜化できれば、大きな容
量が得られ、しかも小型化できる。薄膜化の方法として
は、ドクターブレード法、印刷法の他に、スパッタ法、
真空蒸着法、ＣＶＤ法等の気相法及びゾル−ゲル法、有
機金属化合物の塗布、熱分解により薄膜状誘電体を製造
する方法等が知られているが、膜厚が薄くなるために短
絡し易く、漏れ電流が大きい等の欠点があった。
の小型化、高容量化のためには面積、厚みには限界があ
るため積層数を増してやれば良いわけであるが、膜厚の
厚い上記方法では自ずと高容量化には限界を生ずる。こ
の解決策の一つとして誘電体層を薄膜化する方法があ
る。積層型コンデンサーの場合１層が約２０〜４０μｍ
であるが、１〜５μｍ程度に薄膜化できれば、大きな容
量が得られ、しかも小型化できる。薄膜化の方法として
は、ドクターブレード法、印刷法の他に、スパッタ法、
真空蒸着法、ＣＶＤ法等の気相法及びゾル−ゲル法、有
機金属化合物の塗布、熱分解により薄膜状誘電体を製造
する方法等が知られているが、膜厚が薄くなるために短
絡し易く、漏れ電流が大きい等の欠点があった。
【０００６】また、緻密な成形体を得るために強誘電体
結晶化ガラスを用いる方法も知られている。この方法で
は、まずガラスを形成できるような組成に化合物を配合
後、１４００℃程度の高温で溶融した後に急冷してガラ
スとし、次いでこれを６００〜８００℃で熱処理するこ
とにより結晶化させて結晶化ガラスを得る。この方法に
よれば、最初の粒子の大きさの制限を受けないために薄
膜化が可能であり、しかも緻密質の為に低誘電損失、高
耐電圧が実現できる。しかしながら、ガラス化し得る組
成は極めて限られていて、高誘電率結晶相の割合を３０
％よりも多くすることは極めて困難であり、このために
高誘電率を得ることはできなかった。
結晶化ガラスを用いる方法も知られている。この方法で
は、まずガラスを形成できるような組成に化合物を配合
後、１４００℃程度の高温で溶融した後に急冷してガラ
スとし、次いでこれを６００〜８００℃で熱処理するこ
とにより結晶化させて結晶化ガラスを得る。この方法に
よれば、最初の粒子の大きさの制限を受けないために薄
膜化が可能であり、しかも緻密質の為に低誘電損失、高
耐電圧が実現できる。しかしながら、ガラス化し得る組
成は極めて限られていて、高誘電率結晶相の割合を３０
％よりも多くすることは極めて困難であり、このために
高誘電率を得ることはできなかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の目的
は、高誘電率結晶相をその特性を発揮させ、かつ結晶相
単独の場合よりも低温で緻密な組織を与え、絶縁性の良
好な誘電体組成物、その製造法、その薄膜の製造法およ
び薄膜コンデンサを提供することにある。
は、高誘電率結晶相をその特性を発揮させ、かつ結晶相
単独の場合よりも低温で緻密な組織を与え、絶縁性の良
好な誘電体組成物、その製造法、その薄膜の製造法およ
び薄膜コンデンサを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】かかる事情に鑑み、本発
明者らはガラス−セラミックスについて鋭意検討を重ね
た結果、低誘電損失、高絶縁特性の誘電体組成物、その
製造法、その薄膜の製造法を見出し、更に該誘電体組成
物の薄膜コンデンサを得て本発明を完成させたものであ
る。
明者らはガラス−セラミックスについて鋭意検討を重ね
た結果、低誘電損失、高絶縁特性の誘電体組成物、その
製造法、その薄膜の製造法を見出し、更に該誘電体組成
物の薄膜コンデンサを得て本発明を完成させたものであ
る。
【０００９】すなわち、本発明は下記に示すものであ
る。 （１）下記一般式で表される誘電体組成物。 ｗ（Ｘ1-y-z Ｘ’y Ｘ”z ）ＭＯ3 −（１−ｗ）〔ａ
（１−ｙ−ｚ）ＸＯ−ｂｙＸ’Ｏv −ｃｚＸ”2 Ｏ3 −
ｄＺＯx 〕 （式中、ＸはＰｂ、Ｂａから選ばれた１種または２種、
Ｘ’はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒから選ばれた
１種または２種以上、Ｘ”はＬａ、Ｙから選ばれた１種
または２種、ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗから選ばれた１種また
は２種以上を表し、Ｘ、Ｘ’、Ｘ”およびＭの各イオン
の価数にモル分率を乗じた合計価数は６価である。Ｚは
Ｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐから選ばれた１
種または２種以上を表す。ｖは酸素数を表し、Ｘ’がＬ
ｉ、Ｎａ、Ｋのときはｖ＝０．５、Ｘ’がＭｇ、Ｃａ、
Ｓｒのときはｖ＝１である。ｘは酸素数を表し、Ｚが
Ｂ、Ａｓ、Ｓｂのときはｘ＝１．５、ＺがＳｉ、Ｇｅ、
Ｔｅのときはｘ＝２、ＺがＰのときはｘ＝２．５であ
る。ｗ、ｙ、ｚはモル数、ａ、ｂ、ｃは実数、ｄは酸化
物の元素基準のモル数で、０．３＜ｗ≦０．９５、０＜
ｙ≦１、０≦ｚ＜０．５、ａ／ｄ、ｂ／ｄ、ｃ／ｄはそ
れぞれ０．５以上１９以下、ａ（１−ｙ−ｚ）＋ｂｙ＋
ｃｚ＝１である。） （２）Ｘ（ＸはＰｂ、Ｂａから選ばれた１種または２
種）、Ｘ’（Ｘ’はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ
から選ばれた１種または２種以上）、Ｘ”（Ｘ”はＬ
ａ、Ｙから選ばれた１種または２種）、Ｍ（ＭはＴｉ、
Ｚｒ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｗから選ばれた１種または２種以上）、Ｚ（Ｚは
Ｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐから選ばれた１
種または２種以上）のそれぞれの酸化物、またはこれら
の酸化物に転換し得るそれぞれの化合物を、それぞれの
酸化物またはそれぞれの化合物の占める領域が直径０．
１μｍ未満であるように混合し、次いで該混合物を焼成
または酸化物に転換し得るような温度で加熱焼成するこ
とを特徴とする前記（１）記載の誘電体組成物の製造
法。 （３）有機溶媒に可溶なＸ化合物（ＸはＰｂ、Ｂａから
選ばれた１種または２種）、Ｘ’化合物（Ｘ’はＬｉ、
Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒから選ばれた１種または２
種以上）、Ｘ”化合物（Ｘ”はＬａ、Ｙから選ばれた１
種または２種）、Ｍ化合物（ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｍ
ｇ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗから選ば
れた１種または２種以上）、Ｚ化合物（ＺはＢ、Ａｓ、
Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐから選ばれた１種または２
種以上）からなる混合液から粉末を得、該粉末を成形、
焼成することを特徴とする前記（１）記載の誘電体組成
物の製造法。 （４）１次粒子の粒径が０．１μｍ未満のＸ化合物（Ｘ
はＰｂ、Ｂａから選ばれた１種または２種）、Ｘ’化合
物（Ｘ’はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒから選ば
れた１種または２種以上）、Ｘ”化合物（Ｘ”はＬａ、
Ｙから選ばれた１種または２種）、Ｍ化合物（ＭはＴ
ｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｗから選ばれた１種または２種以上）、Ｚ化
合物（ＺはＢ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐから
選ばれた１種または２種以上）の各化合物のコロイダル
ゾルを含有してなる混合液から粉末を得、該粉末を成
形、焼成することを特徴とする前記（１）記載の誘電体
組成物の製造法。 （５）水に可溶なＸ化合物（ＸはＰｂ、Ｂａから選ばれ
た１種または２種）、Ｘ’化合物（Ｘ’はＬｉ、Ｎａ、
Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒから選ばれた１種または２種以
上）、Ｘ”化合物（Ｘ”はＬａ、Ｙから選ばれた１種ま
たは２種）、Ｍ化合物（ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｍｇ、
Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗから選ばれた
１種または２種以上）、Ｚ化合物（ＺはＢ、Ａｓ、Ｓ
ｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐから選ばれた１種または２種
以上）を含有してなる混合液から粉末を得、該粉末を成
形、焼成することを特徴とする前記（１）記載の誘電体
組成物の製造法。 （６）Ｘ（ＸはＰｂ、Ｂａから選ばれた１種または２
種）、Ｘ’（Ｘ’はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ
から選ばれた１種または２種以上）、Ｘ”（Ｘ”はＬ
ａ、Ｙから選ばれた１種または２種）、Ｍ（ＭはＴｉ、
Ｚｒ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｗから選ばれた１種または２種以上）、Ｚ（Ｚは
Ｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐから選ばれた１
種または２種以上）のそれぞれの酸化物を含有してなる
酸化物焼結ターゲットを用いてスパッタリングにより前
記（１）記載の誘電体組成物の薄膜の製造法。 （７）金属箔上に前記（１）記載の誘電体組成物を薄膜
状で形成してなることを特徴とする薄膜コンデンサ。
る。 （１）下記一般式で表される誘電体組成物。 ｗ（Ｘ1-y-z Ｘ’y Ｘ”z ）ＭＯ3 −（１−ｗ）〔ａ
（１−ｙ−ｚ）ＸＯ−ｂｙＸ’Ｏv −ｃｚＸ”2 Ｏ3 −
ｄＺＯx 〕 （式中、ＸはＰｂ、Ｂａから選ばれた１種または２種、
Ｘ’はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒから選ばれた
１種または２種以上、Ｘ”はＬａ、Ｙから選ばれた１種
または２種、ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗから選ばれた１種また
は２種以上を表し、Ｘ、Ｘ’、Ｘ”およびＭの各イオン
の価数にモル分率を乗じた合計価数は６価である。Ｚは
Ｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐから選ばれた１
種または２種以上を表す。ｖは酸素数を表し、Ｘ’がＬ
ｉ、Ｎａ、Ｋのときはｖ＝０．５、Ｘ’がＭｇ、Ｃａ、
Ｓｒのときはｖ＝１である。ｘは酸素数を表し、Ｚが
Ｂ、Ａｓ、Ｓｂのときはｘ＝１．５、ＺがＳｉ、Ｇｅ、
Ｔｅのときはｘ＝２、ＺがＰのときはｘ＝２．５であ
る。ｗ、ｙ、ｚはモル数、ａ、ｂ、ｃは実数、ｄは酸化
物の元素基準のモル数で、０．３＜ｗ≦０．９５、０＜
ｙ≦１、０≦ｚ＜０．５、ａ／ｄ、ｂ／ｄ、ｃ／ｄはそ
れぞれ０．５以上１９以下、ａ（１−ｙ−ｚ）＋ｂｙ＋
ｃｚ＝１である。） （２）Ｘ（ＸはＰｂ、Ｂａから選ばれた１種または２
種）、Ｘ’（Ｘ’はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ
から選ばれた１種または２種以上）、Ｘ”（Ｘ”はＬ
ａ、Ｙから選ばれた１種または２種）、Ｍ（ＭはＴｉ、
Ｚｒ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｗから選ばれた１種または２種以上）、Ｚ（Ｚは
Ｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐから選ばれた１
種または２種以上）のそれぞれの酸化物、またはこれら
の酸化物に転換し得るそれぞれの化合物を、それぞれの
酸化物またはそれぞれの化合物の占める領域が直径０．
１μｍ未満であるように混合し、次いで該混合物を焼成
または酸化物に転換し得るような温度で加熱焼成するこ
とを特徴とする前記（１）記載の誘電体組成物の製造
法。 （３）有機溶媒に可溶なＸ化合物（ＸはＰｂ、Ｂａから
選ばれた１種または２種）、Ｘ’化合物（Ｘ’はＬｉ、
Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒから選ばれた１種または２
種以上）、Ｘ”化合物（Ｘ”はＬａ、Ｙから選ばれた１
種または２種）、Ｍ化合物（ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｍ
ｇ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗから選ば
れた１種または２種以上）、Ｚ化合物（ＺはＢ、Ａｓ、
Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐから選ばれた１種または２
種以上）からなる混合液から粉末を得、該粉末を成形、
焼成することを特徴とする前記（１）記載の誘電体組成
物の製造法。 （４）１次粒子の粒径が０．１μｍ未満のＸ化合物（Ｘ
はＰｂ、Ｂａから選ばれた１種または２種）、Ｘ’化合
物（Ｘ’はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒから選ば
れた１種または２種以上）、Ｘ”化合物（Ｘ”はＬａ、
Ｙから選ばれた１種または２種）、Ｍ化合物（ＭはＴ
ｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｗから選ばれた１種または２種以上）、Ｚ化
合物（ＺはＢ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐから
選ばれた１種または２種以上）の各化合物のコロイダル
ゾルを含有してなる混合液から粉末を得、該粉末を成
形、焼成することを特徴とする前記（１）記載の誘電体
組成物の製造法。 （５）水に可溶なＸ化合物（ＸはＰｂ、Ｂａから選ばれ
た１種または２種）、Ｘ’化合物（Ｘ’はＬｉ、Ｎａ、
Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒから選ばれた１種または２種以
上）、Ｘ”化合物（Ｘ”はＬａ、Ｙから選ばれた１種ま
たは２種）、Ｍ化合物（ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｍｇ、
Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗから選ばれた
１種または２種以上）、Ｚ化合物（ＺはＢ、Ａｓ、Ｓ
ｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐから選ばれた１種または２種
以上）を含有してなる混合液から粉末を得、該粉末を成
形、焼成することを特徴とする前記（１）記載の誘電体
組成物の製造法。 （６）Ｘ（ＸはＰｂ、Ｂａから選ばれた１種または２
種）、Ｘ’（Ｘ’はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ
から選ばれた１種または２種以上）、Ｘ”（Ｘ”はＬ
ａ、Ｙから選ばれた１種または２種）、Ｍ（ＭはＴｉ、
Ｚｒ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｗから選ばれた１種または２種以上）、Ｚ（Ｚは
Ｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐから選ばれた１
種または２種以上）のそれぞれの酸化物を含有してなる
酸化物焼結ターゲットを用いてスパッタリングにより前
記（１）記載の誘電体組成物の薄膜の製造法。 （７）金属箔上に前記（１）記載の誘電体組成物を薄膜
状で形成してなることを特徴とする薄膜コンデンサ。
【００１０】以下、本発明を更に詳細に説明する。本発
明の誘電体中のＸ〔ＸはＰｂ、Ｂａから選ばれた１種ま
たは２種（以下、Ｘと称する）〕、Ｘ’〔Ｘ’はＬｉ、
Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒから選ばれた１種または２
種以上（以下、Ｘ’と称する）〕、Ｘ”〔Ｘ”はＬａ、
Ｙから選ばれた１種または２種（以下、Ｘ”と称す
る）〕、Ｍ〔ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗから選ばれた１種また
は２種以上（以下、Ｍと称する）〕、Ｚ〔ＺはＢ、Ａ
ｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐから選ばれた１種また
は２種以上（以下、Ｚと称する）〕のそれぞれのモル比
は、下記一般式を満足するものである。 ｗ（Ｘ1-y-z Ｘ’y Ｘ”z ）ＭＯ3 −（１−ｗ）〔ａ
（１−ｙ−ｚ）ＸＯ−ｂｙＸ’Ｏv −ｃｚＸ”2 Ｏ3 −
ｄＺＯx 〕
明の誘電体中のＸ〔ＸはＰｂ、Ｂａから選ばれた１種ま
たは２種（以下、Ｘと称する）〕、Ｘ’〔Ｘ’はＬｉ、
Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒから選ばれた１種または２
種以上（以下、Ｘ’と称する）〕、Ｘ”〔Ｘ”はＬａ、
Ｙから選ばれた１種または２種（以下、Ｘ”と称す
る）〕、Ｍ〔ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗから選ばれた１種また
は２種以上（以下、Ｍと称する）〕、Ｚ〔ＺはＢ、Ａ
ｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐから選ばれた１種また
は２種以上（以下、Ｚと称する）〕のそれぞれのモル比
は、下記一般式を満足するものである。 ｗ（Ｘ1-y-z Ｘ’y Ｘ”z ）ＭＯ3 −（１−ｗ）〔ａ
（１−ｙ−ｚ）ＸＯ−ｂｙＸ’Ｏv −ｃｚＸ”2 Ｏ3 −
ｄＺＯx 〕
【００１１】ここでｗ、ｙ、ｚはモル数、ａ、ｂ、ｃは
実数、ｄは酸化物の元素基準のモル数で、０．３＜ｗ≦
０．９５、０＜ｙ≦１、０≦ｚ＜０．５、ａ／ｄ、ｂ／
ｄ、ｃ／ｄはそれぞれ０．５以上１９以下、ａ（１−ｙ
−ｚ）＋ｂｙ＋ｃｚ＝１である。また、Ｘ、Ｘ’、Ｘ”
およびＭの各イオンの価数にモル分率を乗じた合計価数
は６価である。Ｚはガラス形成性を与える元素を意味す
る。ｖは酸素数を表し、Ｘ’がＬｉ、Ｎａ、Ｋのときは
ｖ＝０．５、Ｘ’がＭｇ、Ｃａ、Ｓｒのときはｖ＝１で
ある。ｘは酸素数を表し、ＺがＢ、Ａｓ、Ｓｂのときは
ｘ＝１．５、ＺがＳｉ、Ｇｅ、Ｔｅのときはｘ＝２、Ｚ
がＰのときはｘ＝２．５である。
実数、ｄは酸化物の元素基準のモル数で、０．３＜ｗ≦
０．９５、０＜ｙ≦１、０≦ｚ＜０．５、ａ／ｄ、ｂ／
ｄ、ｃ／ｄはそれぞれ０．５以上１９以下、ａ（１−ｙ
−ｚ）＋ｂｙ＋ｃｚ＝１である。また、Ｘ、Ｘ’、Ｘ”
およびＭの各イオンの価数にモル分率を乗じた合計価数
は６価である。Ｚはガラス形成性を与える元素を意味す
る。ｖは酸素数を表し、Ｘ’がＬｉ、Ｎａ、Ｋのときは
ｖ＝０．５、Ｘ’がＭｇ、Ｃａ、Ｓｒのときはｖ＝１で
ある。ｘは酸素数を表し、ＺがＢ、Ａｓ、Ｓｂのときは
ｘ＝１．５、ＺがＳｉ、Ｇｅ、Ｔｅのときはｘ＝２、Ｚ
がＰのときはｘ＝２．５である。
【００１２】ここでｗは誘電体結晶相の割合を表し、こ
れが０．３以下の場合は望ましい誘電特性が得られな
い。０．９５を超えると絶縁率および絶縁抵抗の高いも
のが得られず、焼成温度も高温が必要となる。ｗの値は
用途に応じて望ましい誘電特性を得るために、０．３＜
ｗ≦０．９５の範囲で変え得る。
れが０．３以下の場合は望ましい誘電特性が得られな
い。０．９５を超えると絶縁率および絶縁抵抗の高いも
のが得られず、焼成温度も高温が必要となる。ｗの値は
用途に応じて望ましい誘電特性を得るために、０．３＜
ｗ≦０．９５の範囲で変え得る。
【００１３】ｙ、ｚは誘電体結晶相を形成する構成元素
のモル比を表し、Ｘ、Ｘ’、Ｘ”、Ｍの各イオンの価数
にモル分率を乗じた合計価数が６価になる範囲内におい
て、誘電特性の調整のために、０＜ｙ≦１，０≦ｚ＜
０．５の範囲で変え得る。ｚが０．５以上では誘電率が
小さくなり、実用的ではない。
のモル比を表し、Ｘ、Ｘ’、Ｘ”、Ｍの各イオンの価数
にモル分率を乗じた合計価数が６価になる範囲内におい
て、誘電特性の調整のために、０＜ｙ≦１，０≦ｚ＜
０．５の範囲で変え得る。ｚが０．５以上では誘電率が
小さくなり、実用的ではない。
【００１４】ｄはガラス相形成酸化物の元素基準のモル
数を表す。たとえば、Ｂ2 Ｏ3 の場合にはＢＯ1.5 を１
モル、Ｐ2 Ｏ5 の場合にはＰＯ2.5 を１モル、ＳｉＯ2
の場合にはＳｉＯ2 を１モルとする。
数を表す。たとえば、Ｂ2 Ｏ3 の場合にはＢＯ1.5 を１
モル、Ｐ2 Ｏ5 の場合にはＰＯ2.5 を１モル、ＳｉＯ2
の場合にはＳｉＯ2 を１モルとする。
【００１５】ａ／ｄはガラス相中に存在する元素Ｘを表
し、０．５から１９倍のモル比が好ましく、更に好まし
くは１から９倍のモル比である。ａ／ｄが０．５よりも
小さいと、結晶相中の化合物からのＸの逃散が生じて結
晶相量が減少し、１９を超えると、余分なＸＯが析出し
て結晶相が減少する。
し、０．５から１９倍のモル比が好ましく、更に好まし
くは１から９倍のモル比である。ａ／ｄが０．５よりも
小さいと、結晶相中の化合物からのＸの逃散が生じて結
晶相量が減少し、１９を超えると、余分なＸＯが析出し
て結晶相が減少する。
【００１６】ｂ／ｄはガラス相中に存在する元素Ｘ’を
表し、０．５から１９倍のモル比が好ましく、更に好ま
しくは１から９倍のモル比である。ｂ／ｄが０．５より
も小さいと、結晶相中の化合物からのＸ’の逃散が生じ
て結晶相量が減少し、１９を超えると、余分なＸ’Ｏが
析出して結晶相が減少する。
表し、０．５から１９倍のモル比が好ましく、更に好ま
しくは１から９倍のモル比である。ｂ／ｄが０．５より
も小さいと、結晶相中の化合物からのＸ’の逃散が生じ
て結晶相量が減少し、１９を超えると、余分なＸ’Ｏが
析出して結晶相が減少する。
【００１７】ｃ／ｄはガラス相中に存在する元素Ｘ”を
表し、０．５から１９倍のモル比が好ましく、更に好ま
しくは１から９倍のモル比である。ｃ／ｄが０．５より
も小さいと、結晶相中の化合物からのＸ”の逃散が生じ
て結晶相量が減少し、１９を超えると、余分なＸ”Ｏが
析出して結晶相が減少する。
表し、０．５から１９倍のモル比が好ましく、更に好ま
しくは１から９倍のモル比である。ｃ／ｄが０．５より
も小さいと、結晶相中の化合物からのＸ”の逃散が生じ
て結晶相量が減少し、１９を超えると、余分なＸ”Ｏが
析出して結晶相が減少する。
【００１８】また、誘電特性をコントロールするための
Ｂｉ、Ｔａ、Ｎｄ等の化合物や還元防止剤としてのＭ
ｎ、Ａｌ等の化合物を添加することもできる。
Ｂｉ、Ｔａ、Ｎｄ等の化合物や還元防止剤としてのＭ
ｎ、Ａｌ等の化合物を添加することもできる。
【００１９】本発明において、出発物質としての各化合
物を、各化合物の占める領域が直径約０．１μｍ未満
（以下、０．０１μm 以下のスケールと称する）となる
ように混合する方法としては、（イ）スパッタリング
法、ＣＶＤ法、蒸着法等の真空プロセス法、（ロ）有機
溶媒に可溶な金属化合物を用いる方法、（ハ）シリカコ
ロイド等のコロイダルゾルを用いる方法、（ニ）水に可
溶な金属化合物を用いる方法等が挙げられる。
物を、各化合物の占める領域が直径約０．１μｍ未満
（以下、０．０１μm 以下のスケールと称する）となる
ように混合する方法としては、（イ）スパッタリング
法、ＣＶＤ法、蒸着法等の真空プロセス法、（ロ）有機
溶媒に可溶な金属化合物を用いる方法、（ハ）シリカコ
ロイド等のコロイダルゾルを用いる方法、（ニ）水に可
溶な金属化合物を用いる方法等が挙げられる。
【００２０】上記（イ）のスパッタリング法の場合、出
発物質としての酸化物、即ちＰｂＯ、ＢａＯ、Ｌｉ
2 Ｏ、Ｎａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、Ｔ
ｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＳｎＯ2 、ＺｎＯ、ＦｅＯ、Ｃｏ
Ｏ、ＮｉＯ、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｔａ2 Ｏ 5 、Ｗ2 Ｏ5 、Ｌａ
2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｂ2 Ｏ3 、Ａｓ2 Ｏ3 、Ｓｂ
2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 ，ＧｅＯ2 ，ＴｅＯ2 、Ｐ2 Ｏ5 等の
各ターゲットを用い、各ターゲットのスパッタ時間によ
り組成および膜厚を制御するマルチターゲットスパッタ
リング法、または所望の組成に予め混合して焼結した前
記（１）記載の誘電体組成物のターゲットを用いる方法
等が挙げられる。
発物質としての酸化物、即ちＰｂＯ、ＢａＯ、Ｌｉ
2 Ｏ、Ｎａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、Ｔ
ｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＳｎＯ2 、ＺｎＯ、ＦｅＯ、Ｃｏ
Ｏ、ＮｉＯ、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｔａ2 Ｏ 5 、Ｗ2 Ｏ5 、Ｌａ
2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｂ2 Ｏ3 、Ａｓ2 Ｏ3 、Ｓｂ
2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 ，ＧｅＯ2 ，ＴｅＯ2 、Ｐ2 Ｏ5 等の
各ターゲットを用い、各ターゲットのスパッタ時間によ
り組成および膜厚を制御するマルチターゲットスパッタ
リング法、または所望の組成に予め混合して焼結した前
記（１）記載の誘電体組成物のターゲットを用いる方法
等が挙げられる。
【００２１】上記（イ）のＣＶＤ法の場合には、出発物
質として下記の化合物を挙げることができる。 ・４エチル鉛、ビスジピバロイルメタナト鉛等の有機鉛
化合物、塩化鉛等のハロゲン化物等の鉛化合物。 ・バリウムエトキシド、バリウムイソプロポキシド、ビ
スジピバロイルバリウム等の有機バリウム化合物、塩化
バリウム等のハロゲン化物等のバリウム化合物。
質として下記の化合物を挙げることができる。 ・４エチル鉛、ビスジピバロイルメタナト鉛等の有機鉛
化合物、塩化鉛等のハロゲン化物等の鉛化合物。 ・バリウムエトキシド、バリウムイソプロポキシド、ビ
スジピバロイルバリウム等の有機バリウム化合物、塩化
バリウム等のハロゲン化物等のバリウム化合物。
【００２２】・水素化リチウム、アルキルリチウム等の
リチウム化合物。 ・水素化ナトリウム、アルキルナトリウム等のナトリウ
ム化合物。 ・水素化カリウム、アルキルカリウム等のカリウム化合
物。 ・マグネシウムエトキシド、マグネシウムイソプロポキ
シド、ビスジピバロイルマグネシウム等の有機マグネシ
ウム化合物、塩化マグネシウム等のハロゲン化物等のマ
グネシウム化合物。 ・カルシウムエトキシド、カルシウムイソプロポキシ
ド、ビスジピバロイルカルシウム等の有機カルシウム化
合物、塩化カルシウム等のハロゲン化物等のカルシウム
化合物。 ・ストロンチウムエトキシド、ストロンチウムイソプロ
ポキシド、ビスジピバロイルストロンチウム等の有機ス
トロンチウム化合物、塩化ストロンチウム等のハロゲン
化物等のストロンチウム化合物。
リチウム化合物。 ・水素化ナトリウム、アルキルナトリウム等のナトリウ
ム化合物。 ・水素化カリウム、アルキルカリウム等のカリウム化合
物。 ・マグネシウムエトキシド、マグネシウムイソプロポキ
シド、ビスジピバロイルマグネシウム等の有機マグネシ
ウム化合物、塩化マグネシウム等のハロゲン化物等のマ
グネシウム化合物。 ・カルシウムエトキシド、カルシウムイソプロポキシ
ド、ビスジピバロイルカルシウム等の有機カルシウム化
合物、塩化カルシウム等のハロゲン化物等のカルシウム
化合物。 ・ストロンチウムエトキシド、ストロンチウムイソプロ
ポキシド、ビスジピバロイルストロンチウム等の有機ス
トロンチウム化合物、塩化ストロンチウム等のハロゲン
化物等のストロンチウム化合物。
【００２３】・ランタンエトキシド、ランタンアセチル
アセトナート、ビスジピバロイルランタン等の有機ラン
タン化合物、塩化ランタン等のハロゲン化物等のランタ
ン化合物。 ・イットリウムエトキシド、イットリウムアセチルアセ
トナート、ビスジピバロイルイットリウム等の有機イッ
トリウム化合物、塩化イットリウム等のハロゲン化物等
のイットリウム化合物。
アセトナート、ビスジピバロイルランタン等の有機ラン
タン化合物、塩化ランタン等のハロゲン化物等のランタ
ン化合物。 ・イットリウムエトキシド、イットリウムアセチルアセ
トナート、ビスジピバロイルイットリウム等の有機イッ
トリウム化合物、塩化イットリウム等のハロゲン化物等
のイットリウム化合物。
【００２４】・チタニウムエトキシド、チタニウムイソ
プロポキシド、チタニウムブトキシド、酢酸チタンのよ
うな有機チタニウム化合物、四塩化チタン等のハロゲン
化物等のチタニウム化合物。 ・ジルコニウムエトキシド、ジルコニウムイソプロポキ
シド、ジルコニウムブトキシドのような有機ジルコニウ
ム化合物、四塩化ジルコニウム等のハロゲン化物等のジ
ルコニウム化合物。 ・テトラエチルスズ、テトラブチルスズ、スズエトキシ
ド、スズイソプロポキシド、スズブトキシドのような有
機スズ化合物。 ・亜鉛エトキシド、亜鉛アセチルアセトナート、ビスジ
ピバロイル亜鉛等の有機亜鉛化合物、塩化亜鉛等のハロ
ゲン化物等の亜鉛化合物。 ・鉄エトキシド、鉄アセチルアセトナート、ビスジピバ
ロイル鉄等の有機鉄化合物、塩化鉄等のハロゲン化物等
の鉄化合物。 ・コバルトエトキシド、コバルトアセチルアセトナー
ト、ビスジピバロイルコバルト等の有機コバルト化合
物、塩化コバルト等のハロゲン化物等のコバルト化合
物。 ・ニッケルエトキシド、ニッケルアセチルアセトナー
ト、ビスジピバロイルニッケル等の有機ニッケル化合
物、塩化ニッケル等のハロゲン化物等のニッケル化合
物。 ・ニオビウムエトキシド、ニオビウムアセチルアセトナ
ート、ビスジピバロイルニオビウム等の有機ニオビウム
化合物、塩化ニオビウム等のハロゲン化物等のニオビウ
ム化合物。 ・タンタルエトキシド、タンタルアセチルアセトナー
ト、ビスジピバロイルタンタル等の有機タンタル化合
物、塩化タンタル等のハロゲン化物等のタンタル化合
物。 ・タングステンエトキシド、タングステンアセチルアセ
トナート、ビスジピバロイルタングステン等の有機タン
グステン化合物、塩化タングステン等のハロゲン化物等
のタングステン化合物。
プロポキシド、チタニウムブトキシド、酢酸チタンのよ
うな有機チタニウム化合物、四塩化チタン等のハロゲン
化物等のチタニウム化合物。 ・ジルコニウムエトキシド、ジルコニウムイソプロポキ
シド、ジルコニウムブトキシドのような有機ジルコニウ
ム化合物、四塩化ジルコニウム等のハロゲン化物等のジ
ルコニウム化合物。 ・テトラエチルスズ、テトラブチルスズ、スズエトキシ
ド、スズイソプロポキシド、スズブトキシドのような有
機スズ化合物。 ・亜鉛エトキシド、亜鉛アセチルアセトナート、ビスジ
ピバロイル亜鉛等の有機亜鉛化合物、塩化亜鉛等のハロ
ゲン化物等の亜鉛化合物。 ・鉄エトキシド、鉄アセチルアセトナート、ビスジピバ
ロイル鉄等の有機鉄化合物、塩化鉄等のハロゲン化物等
の鉄化合物。 ・コバルトエトキシド、コバルトアセチルアセトナー
ト、ビスジピバロイルコバルト等の有機コバルト化合
物、塩化コバルト等のハロゲン化物等のコバルト化合
物。 ・ニッケルエトキシド、ニッケルアセチルアセトナー
ト、ビスジピバロイルニッケル等の有機ニッケル化合
物、塩化ニッケル等のハロゲン化物等のニッケル化合
物。 ・ニオビウムエトキシド、ニオビウムアセチルアセトナ
ート、ビスジピバロイルニオビウム等の有機ニオビウム
化合物、塩化ニオビウム等のハロゲン化物等のニオビウ
ム化合物。 ・タンタルエトキシド、タンタルアセチルアセトナー
ト、ビスジピバロイルタンタル等の有機タンタル化合
物、塩化タンタル等のハロゲン化物等のタンタル化合
物。 ・タングステンエトキシド、タングステンアセチルアセ
トナート、ビスジピバロイルタングステン等の有機タン
グステン化合物、塩化タングステン等のハロゲン化物等
のタングステン化合物。
【００２５】・ボラン、トリエチルほう素、トリメチル
ほう素等のほう素化合物。 ・アルシン、トリエチル砒素、トリメチル砒素等の砒素
化合物。 ・トリエチルアンチモン、トリメチルアンチモン等のア
ンチモン化合物。 ・シラン、ジシラン、テトラメチルシラン、テトラエチ
ルシラン、四塩化珪素、テトラエトキシシラン、テトラ
メトキシシラン等の珪素化合物。 ・水素化ゲルマニウム、テトラメチルゲルマニウム、テ
トラエチルゲルマニウム、四塩化ゲルマニウム、テトラ
エトキシゲルマニウム、テトラメトキシゲルマニウム、
等のゲルマニウム化合物。 ・水素化テルル、テトラメチルテルル、テトラエチルテ
ルル、四塩化テルル、テトラエトキシテルル、テトラメ
トキシテルル、等のテルル化合物。 ・オキシ塩化リン等のリン化合物。
ほう素等のほう素化合物。 ・アルシン、トリエチル砒素、トリメチル砒素等の砒素
化合物。 ・トリエチルアンチモン、トリメチルアンチモン等のア
ンチモン化合物。 ・シラン、ジシラン、テトラメチルシラン、テトラエチ
ルシラン、四塩化珪素、テトラエトキシシラン、テトラ
メトキシシラン等の珪素化合物。 ・水素化ゲルマニウム、テトラメチルゲルマニウム、テ
トラエチルゲルマニウム、四塩化ゲルマニウム、テトラ
エトキシゲルマニウム、テトラメトキシゲルマニウム、
等のゲルマニウム化合物。 ・水素化テルル、テトラメチルテルル、テトラエチルテ
ルル、四塩化テルル、テトラエトキシテルル、テトラメ
トキシテルル、等のテルル化合物。 ・オキシ塩化リン等のリン化合物。
【００２６】これらの化合物を前記（１）記載の誘電体
組成物になるように、アルゴン、窒素、酸素等のガスと
ともに搬送し、基板上に析出させる。
組成物になるように、アルゴン、窒素、酸素等のガスと
ともに搬送し、基板上に析出させる。
【００２７】上記（イ）の蒸着法の場合には、Ｐｂ、Ｂ
ａ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｓｎ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｂ、Ａｓ、Ｓ
ｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅの単体元素、または前記（１）に
記載された範囲の組成物を与えるような所望の組成の合
金をタングステンボート、電子ビーム等により加熱して
基板に析出させる。
ａ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｓｎ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｂ、Ａｓ、Ｓ
ｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅの単体元素、または前記（１）に
記載された範囲の組成物を与えるような所望の組成の合
金をタングステンボート、電子ビーム等により加熱して
基板に析出させる。
【００２８】上記（ロ）の有機溶媒に可溶な金属化合物
を用いる方法においては、下記の化合物を用いることが
出来る。 ・鉛化合物としては、ジエトキシ鉛、ジイソプロポキシ
鉛、ジメトキシエトキシ鉛、鉛アセチルアセナート、蟻
酸鉛、酢酸鉛等。 ・バリウム化合物としては、ジメトキシバリウム、ジエ
トキシバリウム、ジイソプロポキシバリウム、ジブトキ
シバリウム、酢酸バリウム、バリウムアセチルアセトナ
ート等。
を用いる方法においては、下記の化合物を用いることが
出来る。 ・鉛化合物としては、ジエトキシ鉛、ジイソプロポキシ
鉛、ジメトキシエトキシ鉛、鉛アセチルアセナート、蟻
酸鉛、酢酸鉛等。 ・バリウム化合物としては、ジメトキシバリウム、ジエ
トキシバリウム、ジイソプロポキシバリウム、ジブトキ
シバリウム、酢酸バリウム、バリウムアセチルアセトナ
ート等。
【００２９】・リチウム化合物としては、エトキシリチ
ウム、イソプロポキシリチウム、ブトキシリチウム、酢
酸リチウム、リチウムアセチルアセトナート等。 ・ナトリウム化合物としては、メトキシナトリウム、ジ
エトキシナトリウム、ジイソプロポキシナトリウム、ジ
ブトキシナトリウム、酢酸ナトリウム、ナトリウムアセ
チルアセトナート等。 ・カリウム化合物としては、メトキシカリウム、エトキ
シカリウム、ジイソプロポキシカリウム、ブトキシカリ
ウム、酢酸カリウム、カリウムアセチルアセトナート
等。 ・マグネシウム化合物としては、ジメトキシマグネシウ
ム、ジエトキシマグネシウム、ジイソプロポキシマグネ
シウム、ジブトキシマグネシウム等。 ・カルシウム化合物としては、ジメトキシカルシウム、
ジエトキシカルシウム、ジイソプロポキシカルシウム、
ジブトキシカルシウム等。 ・ストロンチウム化合物としては、ジメトキシストロン
チウム、ジエトキシストロンチウム、ジイソプロポキシ
ストロンチウム、ジブトキシストロンチウム等。
ウム、イソプロポキシリチウム、ブトキシリチウム、酢
酸リチウム、リチウムアセチルアセトナート等。 ・ナトリウム化合物としては、メトキシナトリウム、ジ
エトキシナトリウム、ジイソプロポキシナトリウム、ジ
ブトキシナトリウム、酢酸ナトリウム、ナトリウムアセ
チルアセトナート等。 ・カリウム化合物としては、メトキシカリウム、エトキ
シカリウム、ジイソプロポキシカリウム、ブトキシカリ
ウム、酢酸カリウム、カリウムアセチルアセトナート
等。 ・マグネシウム化合物としては、ジメトキシマグネシウ
ム、ジエトキシマグネシウム、ジイソプロポキシマグネ
シウム、ジブトキシマグネシウム等。 ・カルシウム化合物としては、ジメトキシカルシウム、
ジエトキシカルシウム、ジイソプロポキシカルシウム、
ジブトキシカルシウム等。 ・ストロンチウム化合物としては、ジメトキシストロン
チウム、ジエトキシストロンチウム、ジイソプロポキシ
ストロンチウム、ジブトキシストロンチウム等。
【００３０】・ランタン化合物としては、トリメトキシ
ランタン、トリエトキシランタン、トリイソプロポキシ
ランタン、トリブトキシランタン、塩化ランタン等。 ・イットリウム化合物としては、トリメトキシイットリ
ウム、トリエトキシイットリウム、トリイソプロポキシ
イットリウム、トリブトキシイットリウム、塩化イット
リウム等。
ランタン、トリエトキシランタン、トリイソプロポキシ
ランタン、トリブトキシランタン、塩化ランタン等。 ・イットリウム化合物としては、トリメトキシイットリ
ウム、トリエトキシイットリウム、トリイソプロポキシ
イットリウム、トリブトキシイットリウム、塩化イット
リウム等。
【００３１】・チタニウム化合物としては、テトラメト
キシチタニウム、テトラエトキシチタニウム、テトライ
ソプロポキシチタニウム、テトラブトキシチタニウム、
四塩化チタン等。 ・ジルコニウム化合物としては、テトラメトキシジルコ
ニウム、テトラエトキシジルコニウム、テトライソプロ
ポキシジルコニウム、テトラブトキシジルコニウム、四
塩化ジルコニウム等。 ・スズ化合物としては、テトラメトキシスズ、テトラエ
トキシスズ、テトライソプロポキシスズ、テトラブトキ
シスズ、テトラオクチルスズ、スズアセチルアセトナー
ト、四塩化スズ等。 ・亜鉛化合物としては、ジメトキシ亜鉛、ジエトキシ亜
鉛、ジイソプロポキシ亜鉛、ジブトキシ亜鉛、亜鉛アセ
チルアセトナート、塩化亜鉛等。 ・鉄化合物としては、テトラエトキシ鉄、テトライソプ
ロポキシ鉄、テトラブトキシ鉄、鉄アセチルアセトナー
ト、塩化鉄等。 ・コバルト化合物としては、テトラエトキシコバルト、
テトライソプロポキシコバルト、テトラブトキシコバル
ト、コバルトアセチルアセトナート、塩化コバルト等。 ・ニッケル化合物としては、テトラエトキシニッケル、
テトライソプロポキシニッケル、テトラブトキシニッケ
ル、ニッケルアセチルアセトナート、塩化ニッケル等。 ・ニオビウム化合物としては、ペンタメトキシニオビウ
ム、ペンタエトキシニオビウム、ペンタイソプロポキシ
ニオビウム、ペンタブトキシニオビウム、塩化ニオビウ
ム等。 ・タンタル化合物としては、ペンタメトキシタンタル、
ペンタエトキシタンタル、ペンタイソプロポキシタンタ
ル、ペンタブトキシタンタル、塩化タンタル等。 ・タングステン化合物としては、ペンタメトキシタング
ステン、ペンタエトキシタングステン、ペンタイソプロ
ポキシタングステン、ペンタブトキシタングステン、塩
化タングステン等。
キシチタニウム、テトラエトキシチタニウム、テトライ
ソプロポキシチタニウム、テトラブトキシチタニウム、
四塩化チタン等。 ・ジルコニウム化合物としては、テトラメトキシジルコ
ニウム、テトラエトキシジルコニウム、テトライソプロ
ポキシジルコニウム、テトラブトキシジルコニウム、四
塩化ジルコニウム等。 ・スズ化合物としては、テトラメトキシスズ、テトラエ
トキシスズ、テトライソプロポキシスズ、テトラブトキ
シスズ、テトラオクチルスズ、スズアセチルアセトナー
ト、四塩化スズ等。 ・亜鉛化合物としては、ジメトキシ亜鉛、ジエトキシ亜
鉛、ジイソプロポキシ亜鉛、ジブトキシ亜鉛、亜鉛アセ
チルアセトナート、塩化亜鉛等。 ・鉄化合物としては、テトラエトキシ鉄、テトライソプ
ロポキシ鉄、テトラブトキシ鉄、鉄アセチルアセトナー
ト、塩化鉄等。 ・コバルト化合物としては、テトラエトキシコバルト、
テトライソプロポキシコバルト、テトラブトキシコバル
ト、コバルトアセチルアセトナート、塩化コバルト等。 ・ニッケル化合物としては、テトラエトキシニッケル、
テトライソプロポキシニッケル、テトラブトキシニッケ
ル、ニッケルアセチルアセトナート、塩化ニッケル等。 ・ニオビウム化合物としては、ペンタメトキシニオビウ
ム、ペンタエトキシニオビウム、ペンタイソプロポキシ
ニオビウム、ペンタブトキシニオビウム、塩化ニオビウ
ム等。 ・タンタル化合物としては、ペンタメトキシタンタル、
ペンタエトキシタンタル、ペンタイソプロポキシタンタ
ル、ペンタブトキシタンタル、塩化タンタル等。 ・タングステン化合物としては、ペンタメトキシタング
ステン、ペンタエトキシタングステン、ペンタイソプロ
ポキシタングステン、ペンタブトキシタングステン、塩
化タングステン等。
【００３２】・ほう素化合物としては、ほう酸トリエチ
ル、ほう酸トリメチル、トリメトキシエトキシほう素、
ほう酸トリフェニル、ほう酸等。 ・砒素化合物としては、砒酸トリエチル、砒酸トリメチ
ル、トリメトキシエトキシ砒素、砒酸トリフェニル等。 ・アンチモン化合物としては、アンチモン酸トリエチ
ル、アンチモン酸トリメチル、トリメトキシエトキシア
ンチモン、アンチモン酸トリフェニル等。 ・珪素化合物としては、テトラメトキシシラン、テトラ
エトキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラ
ブトキシシラン、四塩化珪素等。 ・ゲルマニウム化合物としては、テトラメトキシゲルマ
ニウム、テトラエトキシゲルマニウム、テトライソプロ
ポキシゲルマニウム、テトラブトキシゲルマニウム、四
塩化ゲルマニウム等。 ・テルル化合物としては、テトラメトキシテルル、テト
ラエトキシテルル、テトライソプロポキシテルル、テト
ラブトキシテルル、四塩化テルル等。 ・リン化合物としては、トリメトキシフォスフォニル、
オキシ塩化リン等。
ル、ほう酸トリメチル、トリメトキシエトキシほう素、
ほう酸トリフェニル、ほう酸等。 ・砒素化合物としては、砒酸トリエチル、砒酸トリメチ
ル、トリメトキシエトキシ砒素、砒酸トリフェニル等。 ・アンチモン化合物としては、アンチモン酸トリエチ
ル、アンチモン酸トリメチル、トリメトキシエトキシア
ンチモン、アンチモン酸トリフェニル等。 ・珪素化合物としては、テトラメトキシシラン、テトラ
エトキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラ
ブトキシシラン、四塩化珪素等。 ・ゲルマニウム化合物としては、テトラメトキシゲルマ
ニウム、テトラエトキシゲルマニウム、テトライソプロ
ポキシゲルマニウム、テトラブトキシゲルマニウム、四
塩化ゲルマニウム等。 ・テルル化合物としては、テトラメトキシテルル、テト
ラエトキシテルル、テトライソプロポキシテルル、テト
ラブトキシテルル、四塩化テルル等。 ・リン化合物としては、トリメトキシフォスフォニル、
オキシ塩化リン等。
【００３３】本発明を実施する際に用いられる有機溶媒
としては、前記鉛化合物、バリウム化合物、リチウム化
合物、ナトリウム化合物、カリウム化合物、マグネシウ
ム化合物、カルシウム化合物、ストロンチウム化合物、
ランタン化合物、イットリウム化合物、チタニウム化合
物、ジルコニウム化合物、スズ化合物、亜鉛化合物、鉄
化合物、コバルト化合物、ニッケル化合物・、ニオビウ
ム化合物、タンタル化合物、タングステン化合物、ほう
素化合物、砒素化合物、アンチモン化合物、珪素化合
物、ゲルマニウム化合物、テルル化合物、リン化合物等
を溶解するものならばどの様な物を用いてもよいが、好
ましくはメタノール、エタノール、プロパノール、ブタ
ノール、ペンタノール、メトキシエタノール、エトキシ
エタノール等のアルコール類、ベンゼン、トルエン、キ
シレン等の芳香族炭化水素類、ペンタン、ヘキサン、ヘ
プタン、オクタン等の脂肪族炭化水素類、ジオキサン、
テトラヒドロフラン等のエーテル類、アセトン、メチル
エチルケトン、ジエチルケトン等のケトン類、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、蟻酸エチル等のカルボン酸エステル
類、アセチルアセトン、ベンゾイルアセトン、ジベンゾ
イルアセトン等のβ−ジケトン類、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド等のアミド類等が挙げられ、
これら溶媒を単独、あるいは２種以上を併用することも
できる。
としては、前記鉛化合物、バリウム化合物、リチウム化
合物、ナトリウム化合物、カリウム化合物、マグネシウ
ム化合物、カルシウム化合物、ストロンチウム化合物、
ランタン化合物、イットリウム化合物、チタニウム化合
物、ジルコニウム化合物、スズ化合物、亜鉛化合物、鉄
化合物、コバルト化合物、ニッケル化合物・、ニオビウ
ム化合物、タンタル化合物、タングステン化合物、ほう
素化合物、砒素化合物、アンチモン化合物、珪素化合
物、ゲルマニウム化合物、テルル化合物、リン化合物等
を溶解するものならばどの様な物を用いてもよいが、好
ましくはメタノール、エタノール、プロパノール、ブタ
ノール、ペンタノール、メトキシエタノール、エトキシ
エタノール等のアルコール類、ベンゼン、トルエン、キ
シレン等の芳香族炭化水素類、ペンタン、ヘキサン、ヘ
プタン、オクタン等の脂肪族炭化水素類、ジオキサン、
テトラヒドロフラン等のエーテル類、アセトン、メチル
エチルケトン、ジエチルケトン等のケトン類、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、蟻酸エチル等のカルボン酸エステル
類、アセチルアセトン、ベンゾイルアセトン、ジベンゾ
イルアセトン等のβ−ジケトン類、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド等のアミド類等が挙げられ、
これら溶媒を単独、あるいは２種以上を併用することも
できる。
【００３４】化合物溶液の調製方法としては、前記Ｘ、
Ｘ’、Ｘ”、Ｍ、Ｚのそれぞれの化合物を有機溶媒中に
溶解して室温で混合するか、または有機溶媒中で加熱下
で反応せしめる方法が挙げられる。また薄膜を製膜する
場合、塗布膜の膜質を向上させるために塗布液の重合度
を高める必要がある場合がある。その場合は、混合もし
くは反応中に適当な量の水もしくは水を適当な比で前述
の有機溶媒中に希釈した溶液を添加してもよい。
Ｘ’、Ｘ”、Ｍ、Ｚのそれぞれの化合物を有機溶媒中に
溶解して室温で混合するか、または有機溶媒中で加熱下
で反応せしめる方法が挙げられる。また薄膜を製膜する
場合、塗布膜の膜質を向上させるために塗布液の重合度
を高める必要がある場合がある。その場合は、混合もし
くは反応中に適当な量の水もしくは水を適当な比で前述
の有機溶媒中に希釈した溶液を添加してもよい。
【００３５】本発明で用いられる誘電体形成用の溶液中
の前記各化合物の濃度はその種類によっても異なるが、
あまり希釈し過ぎると溶媒が多量に必要になって経済的
でないし、一方、濃すぎると作業性が低下することもあ
り、一般には酸化物に換算して２〜８０重量％、好まし
くは５〜５０重量％が適用される。
の前記各化合物の濃度はその種類によっても異なるが、
あまり希釈し過ぎると溶媒が多量に必要になって経済的
でないし、一方、濃すぎると作業性が低下することもあ
り、一般には酸化物に換算して２〜８０重量％、好まし
くは５〜５０重量％が適用される。
【００３６】本発明で用いられる誘電体形成用の溶液に
は、安定化のための炭素数６〜２０のカルボン酸、グリ
コール、アミン等を添加することが出来る。具体的には
カプロン酸、カプリル酸、カプリン酸、ラウリル酸、パ
ルミチン酸、ステアリン酸等の１価カルボン酸、アジピ
ン酸、ピメリン酸、フタル酸セバシン酸等の２価カルボ
ン酸、エチレングリコール、プロピレングリコールジエ
チレングリコール等のグリコール類、モノエタノールア
ミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等の
アミン類等が挙げられる。
は、安定化のための炭素数６〜２０のカルボン酸、グリ
コール、アミン等を添加することが出来る。具体的には
カプロン酸、カプリル酸、カプリン酸、ラウリル酸、パ
ルミチン酸、ステアリン酸等の１価カルボン酸、アジピ
ン酸、ピメリン酸、フタル酸セバシン酸等の２価カルボ
ン酸、エチレングリコール、プロピレングリコールジエ
チレングリコール等のグリコール類、モノエタノールア
ミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等の
アミン類等が挙げられる。
【００３７】また、誘電体形成用の溶液の作業性の向上
のために、ポリオールやエチルセルロース等の高分子物
質、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセチルア
セトン、グリセリンのような高沸点化合物、ノニオン系
またはアニオン系の界面活性剤等を添加することができ
る。
のために、ポリオールやエチルセルロース等の高分子物
質、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセチルア
セトン、グリセリンのような高沸点化合物、ノニオン系
またはアニオン系の界面活性剤等を添加することができ
る。
【００３８】このようにして得られる溶液もしくは該溶
液を部分加水分解して得られるコロイダルゾルを用いて
成形する方法としては、塗布液として基板上に製膜する
方法またはバルクに成形する方法が挙げられる。
液を部分加水分解して得られるコロイダルゾルを用いて
成形する方法としては、塗布液として基板上に製膜する
方法またはバルクに成形する方法が挙げられる。
【００３９】基板への製膜方法としては浸漬法、スプレ
ー法、スピンナー法、刷毛塗り法等の公知の塗布方法を
用いることができる。このようにして得た薄膜を更に必
要に応じて乾燥する。
ー法、スピンナー法、刷毛塗り法等の公知の塗布方法を
用いることができる。このようにして得た薄膜を更に必
要に応じて乾燥する。
【００４０】バルク成形体に成形するときは、前述で得
られた化合物溶液をスリップキャスティング、コロイダ
ルプレス、テープキャスト等の公知の方法で成形するこ
とができる。あるいは前述のようにして調整された化合
物溶液を更に過剰量の水で加水分解後、乾燥して得られ
たゲル粉末を必要に応じて粉砕、仮焼後、乾式プレス、
スリップキャスティング、テープキャスティング等の方
法で成形することもできる。
られた化合物溶液をスリップキャスティング、コロイダ
ルプレス、テープキャスト等の公知の方法で成形するこ
とができる。あるいは前述のようにして調整された化合
物溶液を更に過剰量の水で加水分解後、乾燥して得られ
たゲル粉末を必要に応じて粉砕、仮焼後、乾式プレス、
スリップキャスティング、テープキャスティング等の方
法で成形することもできる。
【００４１】加水分解は、該化合物溶液を溶液中に含ま
れる金属モル数の少なくとも２倍以上の過剰量の水、ま
たは水を含む溶液と反応させるか、単に空気中に放置し
て空気中の水分と反応させてもよい。
れる金属モル数の少なくとも２倍以上の過剰量の水、ま
たは水を含む溶液と反応させるか、単に空気中に放置し
て空気中の水分と反応させてもよい。
【００４２】乾燥は公知の定温乾燥機などを用いて１０
０〜３００℃の温度で行い、仮焼が必要であれば電気炉
やガス炉等で３００〜９００℃の温度で行われる。
０〜３００℃の温度で行い、仮焼が必要であれば電気炉
やガス炉等で３００〜９００℃の温度で行われる。
【００４３】このようにして得られた粉末は、ボールミ
ル、振動ミル、らいかい機、アトライター等公知の方法
で粉砕し、ペースト原料とされたり、乾式プレス、静水
圧プレス、スリップキャスティング等公知の方法で成形
されたりする。
ル、振動ミル、らいかい機、アトライター等公知の方法
で粉砕し、ペースト原料とされたり、乾式プレス、静水
圧プレス、スリップキャスティング等公知の方法で成形
されたりする。
【００４４】上記（ハ）のコロイダルゾルを用いる方法
において、Ｘ化合物、Ｘ’化合物、Ｘ”化合物、Ｍ化合
物、Ｚ化合物のコロイダルゾルは、例えば該金属の塩化
物、硝酸塩、硫酸塩、酢酸塩等の水溶性塩のアルカリに
よる沈澱、イオン交換等で調整される。また、シリカに
ついては市販のシリカゾル（デュポン社、日産化学工業
社、触媒化成工業社等で製造）も使用可能である。
において、Ｘ化合物、Ｘ’化合物、Ｘ”化合物、Ｍ化合
物、Ｚ化合物のコロイダルゾルは、例えば該金属の塩化
物、硝酸塩、硫酸塩、酢酸塩等の水溶性塩のアルカリに
よる沈澱、イオン交換等で調整される。また、シリカに
ついては市販のシリカゾル（デュポン社、日産化学工業
社、触媒化成工業社等で製造）も使用可能である。
【００４５】これらコロイダルゾルを所定の組成に混合
後、公知の方法で成形してもよい。あるいは前述のよう
にして調整されたコロイダルゾルを乾燥して、得られた
ゲル粉末を必要に応じて粉砕、仮焼後、ペースト原料と
したり、乾式プレス、スリップキャスティング、テープ
キャスティング等の方法で成形して焼結する。
後、公知の方法で成形してもよい。あるいは前述のよう
にして調整されたコロイダルゾルを乾燥して、得られた
ゲル粉末を必要に応じて粉砕、仮焼後、ペースト原料と
したり、乾式プレス、スリップキャスティング、テープ
キャスティング等の方法で成形して焼結する。
【００４６】乾燥は公知の定温乾燥機などを用いて、１
００〜２００℃の温度で行い、仮焼が必要であれば電気
炉、ガス炉等で３００〜９００℃の温度で行われる。
００〜２００℃の温度で行い、仮焼が必要であれば電気
炉、ガス炉等で３００〜９００℃の温度で行われる。
【００４７】粉砕は公知のボールミル、振動ミル、らい
かい機、アトライター等で行われる。成形は乾式プレ
ス、静水圧プレス、コロイダルプレス、スリップキャス
ティング等公知の方法が採用できる。
かい機、アトライター等で行われる。成形は乾式プレ
ス、静水圧プレス、コロイダルプレス、スリップキャス
ティング等公知の方法が採用できる。
【００４８】上記（ニ）の水に可溶な金属化合物を用い
て混合し、必要に応じて共沈させて混合物を得る方法に
於いて、下記の化合物を用いることができる。 ・鉛化合物として硝酸鉛、酢酸鉛、塩化鉛等。 ・バリウム化合物としては硝酸バリウム、酢酸バリウ
ム、塩化バリウム等。
て混合し、必要に応じて共沈させて混合物を得る方法に
於いて、下記の化合物を用いることができる。 ・鉛化合物として硝酸鉛、酢酸鉛、塩化鉛等。 ・バリウム化合物としては硝酸バリウム、酢酸バリウ
ム、塩化バリウム等。
【００４９】・リチウム化合物としては硝酸リチウム、
酢酸リチウム、塩化リチウム等。 ・ナトリウム化合物としては硝酸ナトリウム、酢酸ナト
リウム、塩化ナトリウム等。 ・カリウム化合物としては硝酸カリウム、酢酸カリウ
ム、塩化カリウム等。 ・マグネシウム化合物としては硝酸マグネシウム、酢酸
マグネシウム、塩化マグネシウム等。 ・カルシウム化合物としては硝酸カルシウム、酢酸カル
シウム、塩化カルシウム等。 ・ストロンチウム化合物としては硝酸ストロンチウム、
酢酸ストロンチウム、塩化ストロンチウム等。
酢酸リチウム、塩化リチウム等。 ・ナトリウム化合物としては硝酸ナトリウム、酢酸ナト
リウム、塩化ナトリウム等。 ・カリウム化合物としては硝酸カリウム、酢酸カリウ
ム、塩化カリウム等。 ・マグネシウム化合物としては硝酸マグネシウム、酢酸
マグネシウム、塩化マグネシウム等。 ・カルシウム化合物としては硝酸カルシウム、酢酸カル
シウム、塩化カルシウム等。 ・ストロンチウム化合物としては硝酸ストロンチウム、
酢酸ストロンチウム、塩化ストロンチウム等。
【００５０】・ランタン化合物としては硝酸ランタン、
酢酸ランタン、塩化ランタン等。 ・イットリウム化合物としては硝酸イットリウム、酢酸
イットリウム、塩化イットリウム。
酢酸ランタン、塩化ランタン等。 ・イットリウム化合物としては硝酸イットリウム、酢酸
イットリウム、塩化イットリウム。
【００５１】・チタニウム化合物としては硝酸チタニ
ル、酢酸チタニル、四塩化チタニウム、硫酸チタニル
等。 ・ジルコウム化合物としては硝酸ジルコニル、酢酸ジル
コニル、四塩化ジルコニウム、硫酸ジルコニル等。 ・スズ化合物としては硝酸スズ、酢酸スズ、四塩化ス
ズ、二塩化スズ等。 ・亜鉛化合物としては硝酸亜鉛、酢酸亜鉛、塩化亜鉛
等。 ・鉄化合物としては硝酸鉄、塩化第一鉄、塩化第二鉄、
硫酸第一鉄、酢酸鉄等。 ・コバルト化合物としては硝酸コバルト、塩化コバル
ト、硫酸コバルト、酢酸コバルト等。 ・ニッケル化合物としては硝酸ニッケル、塩化ニッケ
ル、硫酸ニッケル、酢酸ニッケル等。 ・ニオビウム化合物としては硝酸ニオビウム、塩化ニオ
ビウム、酢酸ニオビウム等。 ・タンタル化合物としては硝酸タンタル、塩化タンタル
等。 ・タングステン化合物としては硝酸タングステン、塩化
タングステン等。
ル、酢酸チタニル、四塩化チタニウム、硫酸チタニル
等。 ・ジルコウム化合物としては硝酸ジルコニル、酢酸ジル
コニル、四塩化ジルコニウム、硫酸ジルコニル等。 ・スズ化合物としては硝酸スズ、酢酸スズ、四塩化ス
ズ、二塩化スズ等。 ・亜鉛化合物としては硝酸亜鉛、酢酸亜鉛、塩化亜鉛
等。 ・鉄化合物としては硝酸鉄、塩化第一鉄、塩化第二鉄、
硫酸第一鉄、酢酸鉄等。 ・コバルト化合物としては硝酸コバルト、塩化コバル
ト、硫酸コバルト、酢酸コバルト等。 ・ニッケル化合物としては硝酸ニッケル、塩化ニッケ
ル、硫酸ニッケル、酢酸ニッケル等。 ・ニオビウム化合物としては硝酸ニオビウム、塩化ニオ
ビウム、酢酸ニオビウム等。 ・タンタル化合物としては硝酸タンタル、塩化タンタル
等。 ・タングステン化合物としては硝酸タングステン、塩化
タングステン等。
【００５２】・ほう素化合物としてはほう酸。 ・砒素化合物としては砒酸。 ・アンチモン化合物としてアンチモン酸、硝酸アンチモ
ン、酢酸アンチモン、塩化チモン、硫酸アンチモン等。 ・珪素化合物として四塩化珪素、珪酸等。 ・ゲルマニウム化合物として四塩化ゲルマニウム、硝酸
ゲルマニウム、酢酸ゲルマニウム等。 ・テルル化合物としては四塩化テルル、硝酸テルル等。 ・リン化合物としては燐酸等が挙げられる。
ン、酢酸アンチモン、塩化チモン、硫酸アンチモン等。 ・珪素化合物として四塩化珪素、珪酸等。 ・ゲルマニウム化合物として四塩化ゲルマニウム、硝酸
ゲルマニウム、酢酸ゲルマニウム等。 ・テルル化合物としては四塩化テルル、硝酸テルル等。 ・リン化合物としては燐酸等が挙げられる。
【００５３】必要に応じて上記化合物を混合し、ｐＨ調
整、難溶性塩の生成等により沈澱物を得、該沈澱物を乾
燥および／または仮焼してＸ、Ｘ’、Ｘ”、Ｍ、Ｚのそ
れぞれの化合物の領域が０．１μｍ以下であるような、
適度のサイズの粉末を得、これをペースト原料とした
り、あるいはスリップキャスティング、乾式プレス等で
所望の形状に成形することができる。
整、難溶性塩の生成等により沈澱物を得、該沈澱物を乾
燥および／または仮焼してＸ、Ｘ’、Ｘ”、Ｍ、Ｚのそ
れぞれの化合物の領域が０．１μｍ以下であるような、
適度のサイズの粉末を得、これをペースト原料とした
り、あるいはスリップキャスティング、乾式プレス等で
所望の形状に成形することができる。
【００５４】本発明に使用される基板は平滑性があり、
プロセス中の熱処理時の所要の耐熱性があればばどのよ
うなものでも用いることができるが、例えばガラス基
板、セラミック基板、金属薄膜あるいは導電性酸化物で
被覆されたガラスまたはセラミック基板、金属箔、半導
性基板等が挙げられる。
プロセス中の熱処理時の所要の耐熱性があればばどのよ
うなものでも用いることができるが、例えばガラス基
板、セラミック基板、金属薄膜あるいは導電性酸化物で
被覆されたガラスまたはセラミック基板、金属箔、半導
性基板等が挙げられる。
【００５５】具体的には石英ガラス、アルミナ、ジルコ
ニア、マイカ、シリコン等の基板、金、白金、パラジウ
ム、銀、銅、クロム、チタニウム、アルミニウム、タン
タル、金−クロム、パラジウム−銀、白金−タンタル、
白金−チタニウム、スズまたはアンチモンをドープした
酸化インジウム等薄膜で被覆された石英ガラス、アルミ
ナ、ジルコニア、マイカ、シリコン等の基板、金、白
金、パラジウム、銀、銅、ニッケル、ニッケル−クロ
ム、アルミニウム等の金属基板が挙げられる。
ニア、マイカ、シリコン等の基板、金、白金、パラジウ
ム、銀、銅、クロム、チタニウム、アルミニウム、タン
タル、金−クロム、パラジウム−銀、白金−タンタル、
白金−チタニウム、スズまたはアンチモンをドープした
酸化インジウム等薄膜で被覆された石英ガラス、アルミ
ナ、ジルコニア、マイカ、シリコン等の基板、金、白
金、パラジウム、銀、銅、ニッケル、ニッケル−クロ
ム、アルミニウム等の金属基板が挙げられる。
【００５６】更に好ましくは、熱膨張係数が１５０×１
０-7以下の金属で、例えば金、銅、ニッケル、チタニウ
ム、パラジウム、タンタル、鉄等が挙げられ、コストお
よび熱処理条件を考慮すれば、銅、ニッケル、チタニウ
ムが特に好ましい。
０-7以下の金属で、例えば金、銅、ニッケル、チタニウ
ム、パラジウム、タンタル、鉄等が挙げられ、コストお
よび熱処理条件を考慮すれば、銅、ニッケル、チタニウ
ムが特に好ましい。
【００５７】上述のように、基板へ塗布して得られた
膜、または成形品を焼結または酸化物に転換し得るよう
な温度での加熱方法としては、電気抵抗加熱、プラズ
マ、高周波、レーザー等既知の手段を用いることができ
る。加熱温度は製造方法によって異なるが、スパッタリ
ング法、ＣＶＤ法等の場合は基板を２００〜７００℃位
に加熱しながら製膜し、後の熱処理は不要の場合もある
し、更に５００〜９００℃程度の熱処理をしてもよい。
膜、または成形品を焼結または酸化物に転換し得るよう
な温度での加熱方法としては、電気抵抗加熱、プラズ
マ、高周波、レーザー等既知の手段を用いることができ
る。加熱温度は製造方法によって異なるが、スパッタリ
ング法、ＣＶＤ法等の場合は基板を２００〜７００℃位
に加熱しながら製膜し、後の熱処理は不要の場合もある
し、更に５００〜９００℃程度の熱処理をしてもよい。
【００５８】蒸着法の場合は一般に空気中もしくは酸化
雰囲気で５００〜９００℃程度の熱処理を行う。
雰囲気で５００〜９００℃程度の熱処理を行う。
【００５９】有機溶媒に可溶な金属化合物、水に可溶な
金属化合物、コロイダルゾルを用いる方法の場合は、溶
媒中の金属化合物の濃度、溶媒の種類、基板の種類等に
より異なるが、誘電体の結晶化以上の温度にする必要が
あり、通常約４００〜１２００℃、好ましくは約５００
〜１０００℃である。４００℃未満では有機物が分解し
なかったり、結晶化が進行せず、また１２００℃以上は
元素の蒸発等による組成の変動を来し、好ましくない。
金属化合物、コロイダルゾルを用いる方法の場合は、溶
媒中の金属化合物の濃度、溶媒の種類、基板の種類等に
より異なるが、誘電体の結晶化以上の温度にする必要が
あり、通常約４００〜１２００℃、好ましくは約５００
〜１０００℃である。４００℃未満では有機物が分解し
なかったり、結晶化が進行せず、また１２００℃以上は
元素の蒸発等による組成の変動を来し、好ましくない。
【００６０】バルク粉末、成形体においては緻密に焼結
させるために、組成にもよるが、５００〜１０００℃の
焼結が熱処理として行われる。
させるために、組成にもよるが、５００〜１０００℃の
焼結が熱処理として行われる。
【００６１】熱処理雰囲気は空気中、不活性ガス中、還
元雰囲気中、もしくは誘電体が還元され易い場合は酸素
雰囲気中でも焼成することができる。
元雰囲気中、もしくは誘電体が還元され易い場合は酸素
雰囲気中でも焼成することができる。
【００６２】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明は下記実施例により何ら限定されるもの
ではない。また誘電特性の測定には誘電体膜にＡｕ電極
をスパッターにより１００個形成した後、インピーダン
スアナライザ（ＹＨＰ４２７５Ａ：横河ヒューレットパ
ッカード社製）により測定した。絶縁率は１００個の電
極の内短絡していない電極の数とした。また、直流電圧
を印加して絶縁破壊電圧を超絶縁抵抗計（ＹＨＰ４３２
９Ａ：横川ヒューレットパッカード社製）にて測定し
た。
するが、本発明は下記実施例により何ら限定されるもの
ではない。また誘電特性の測定には誘電体膜にＡｕ電極
をスパッターにより１００個形成した後、インピーダン
スアナライザ（ＹＨＰ４２７５Ａ：横河ヒューレットパ
ッカード社製）により測定した。絶縁率は１００個の電
極の内短絡していない電極の数とした。また、直流電圧
を印加して絶縁破壊電圧を超絶縁抵抗計（ＹＨＰ４３２
９Ａ：横川ヒューレットパッカード社製）にて測定し
た。
【００６３】実施例１ 鉛ジエトキシドとストロンチウムメトキシエトキシドと
チタニウムテトライソプロポキシドとテトラエトキシシ
ランを、ｗ（Ｐｂ0.5 Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3 −（１−ｗ）
（０．５ＰｂＯ−０．５ＳｒＯ−ＳｉＯ2 ）に換算して
表１に示すような割合に調合し、イソプロパノールート
ルエンの１：１（重量比）混合溶媒中に溶解し、酸化物
換算で１５重量％の誘電体形成液を合成した。この液を
Ｐｔ／Ｔｉ（０．５μｍ／０．０５μｍ）膜で被覆され
たＳｉ基板上に２５００回転の条件でスピンナーにより
塗布後、４５０℃で３０分、酸素中での焼成を行い、上
記の塗布焼成を３回繰り返し、最終的に７００℃で５
分、大気中で焼成して膜厚が０．５μｍの緻密で透明な
薄膜状誘電体を得た。結晶相の生成はＸ線回折により確
認した。結果を表１に示す。
チタニウムテトライソプロポキシドとテトラエトキシシ
ランを、ｗ（Ｐｂ0.5 Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3 −（１−ｗ）
（０．５ＰｂＯ−０．５ＳｒＯ−ＳｉＯ2 ）に換算して
表１に示すような割合に調合し、イソプロパノールート
ルエンの１：１（重量比）混合溶媒中に溶解し、酸化物
換算で１５重量％の誘電体形成液を合成した。この液を
Ｐｔ／Ｔｉ（０．５μｍ／０．０５μｍ）膜で被覆され
たＳｉ基板上に２５００回転の条件でスピンナーにより
塗布後、４５０℃で３０分、酸素中での焼成を行い、上
記の塗布焼成を３回繰り返し、最終的に７００℃で５
分、大気中で焼成して膜厚が０．５μｍの緻密で透明な
薄膜状誘電体を得た。結晶相の生成はＸ線回折により確
認した。結果を表１に示す。
【００６４】
【表１】
【００６５】比較例１ 実施例１において、ｗの割合が１では絶縁率が低く、結
晶化および緻密化が充分でなかった。結果を表１に示
す。
晶化および緻密化が充分でなかった。結果を表１に示
す。
【００６６】比較例２ 実施例１において、ｗの割合が０．３０では誘電率の高
いものは得られなかった。
いものは得られなかった。
【００６７】実施例２ バリウム０．４モルをメトキシエタノール４モル中に２
５℃で混合反応させた後、１２０℃で２時間熟成した。
その後９０℃に冷却し、マグネシウムエトキシド０．２
５モル、チタニウムテトライソプロポキシド０．５モル
を添加して更に１２０℃に加熱してエステル交換を行っ
た後、ジエタノールアミン０．５モルを添加し、更にメ
トキシエタノールに溶解した水を０．４モル加えて部分
加水分解を行った後濃縮して、Ｂａ換算で０．５モル／
リットルの濃度の誘電体形成液を合成しＡ液とした。こ
の液に、別に用意したバリウムメトキシエトキシド、マ
グネシウムメトキシエトキシド、ほう酸トリメチル、お
よびテトラエトキシシランを、Ｂａ：Ｍｇ：Ｂ：Ｓｉ＝
０．８：０．２：ｄ：０．５ｄで、かつＢａ換算で０．
５モル／リットルの濃度となるようにメトキシエタノー
ルに溶解した液（Ｂ液）をＡ液に、表２のように添加し
た。混合後の液組成は、０．７（Ｂａ0.8 Ｍｇ0.2 ）Ｔ
ｉＯ3 −０．３〔０．８ＢａＯ−０．２ＭｇＯ−ｄ（Ｂ
2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ）〕と表される。この液をＡｕ／Ｔｉ
（０．５μｍ／０．０６μｍ）膜で被覆されたＳｉ基板
上に表２に示すような膜厚になるようにスピンナ−の回
転数および塗布回数を調節し、７００℃で３０分、空気
中で焼成して透明な薄膜状誘電体を得た。この膜の電気
的特性を実施例１と同様の方法で測定した。（電極面積
１ｍｍ2 ）。ペロブスカイト結晶相の生成はＸ線回折に
よって確認した。結果を表２に示す。
５℃で混合反応させた後、１２０℃で２時間熟成した。
その後９０℃に冷却し、マグネシウムエトキシド０．２
５モル、チタニウムテトライソプロポキシド０．５モル
を添加して更に１２０℃に加熱してエステル交換を行っ
た後、ジエタノールアミン０．５モルを添加し、更にメ
トキシエタノールに溶解した水を０．４モル加えて部分
加水分解を行った後濃縮して、Ｂａ換算で０．５モル／
リットルの濃度の誘電体形成液を合成しＡ液とした。こ
の液に、別に用意したバリウムメトキシエトキシド、マ
グネシウムメトキシエトキシド、ほう酸トリメチル、お
よびテトラエトキシシランを、Ｂａ：Ｍｇ：Ｂ：Ｓｉ＝
０．８：０．２：ｄ：０．５ｄで、かつＢａ換算で０．
５モル／リットルの濃度となるようにメトキシエタノー
ルに溶解した液（Ｂ液）をＡ液に、表２のように添加し
た。混合後の液組成は、０．７（Ｂａ0.8 Ｍｇ0.2 ）Ｔ
ｉＯ3 −０．３〔０．８ＢａＯ−０．２ＭｇＯ−ｄ（Ｂ
2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ）〕と表される。この液をＡｕ／Ｔｉ
（０．５μｍ／０．０６μｍ）膜で被覆されたＳｉ基板
上に表２に示すような膜厚になるようにスピンナ−の回
転数および塗布回数を調節し、７００℃で３０分、空気
中で焼成して透明な薄膜状誘電体を得た。この膜の電気
的特性を実施例１と同様の方法で測定した。（電極面積
１ｍｍ2 ）。ペロブスカイト結晶相の生成はＸ線回折に
よって確認した。結果を表２に示す。
【００６８】
【表２】
【００６９】比較例３ 実施例２において、１／ｄの値が０．３では結晶化が遅
れ、絶縁率も不十分であった。結果を表２に示す。
れ、絶縁率も不十分であった。結果を表２に示す。
【００７０】比較例４ 実施例２において、１／ｄの値が２０では絶縁抵抗が小
さく、誘電率も低かった。結果を表２に示す。
さく、誘電率も低かった。結果を表２に示す。
【００７１】実施例３ 銅箔（厚み５０μｍ、熱膨張係数１２１×１０-7／℃）
にマグネトロンスパッタリングにより、焼結した０．６
ＳｒＴｉＯ3 −０．４（ＳｒＯ−０．５Ｂ2 Ｏ 3 −０．
５ＳｉＯ2 ）の組成のターゲットを用いて厚み１μm の
膜を形成後、結晶性向上のために５００℃で５分間、酸
素中で熱処理をした。この後更にスパッタリングにより
１００ｎｍ厚みの金を上部電極として形成し、誘電率及
び誘電損失を実施例１と同様に測定したところ、誘電率
１５０、誘電損失０．２％、絶縁率１００％という結果
が得られ、低誘電損失および高絶縁率が確かめられた。
また、ＳｒＴｉＯ3 の生成がＸ線回折により確認され
た。
にマグネトロンスパッタリングにより、焼結した０．６
ＳｒＴｉＯ3 −０．４（ＳｒＯ−０．５Ｂ2 Ｏ 3 −０．
５ＳｉＯ2 ）の組成のターゲットを用いて厚み１μm の
膜を形成後、結晶性向上のために５００℃で５分間、酸
素中で熱処理をした。この後更にスパッタリングにより
１００ｎｍ厚みの金を上部電極として形成し、誘電率及
び誘電損失を実施例１と同様に測定したところ、誘電率
１５０、誘電損失０．２％、絶縁率１００％という結果
が得られ、低誘電損失および高絶縁率が確かめられた。
また、ＳｒＴｉＯ3 の生成がＸ線回折により確認され
た。
【００７２】実施例４ 実施例２において、１／ｄの値が４の条件で調整した溶
液を空気中１２０℃で加熱乾燥後、トルエン中でジルコ
ニアボールにて８時間ボールミルにかけて粉砕した後、
減圧乾燥して乾燥ゲルを得た。これを乾式プレスで、直
径１０ｍｍ厚み１ｍｍの円板状に成形後、８００℃で１
時間焼成した。この円板の電気特性を実施例１と同様の
方法で測定した。（電極面積６ｍｍ2 ）。その結果、誘
電率は６５０、誘電損失０．８％であった。また相対密
度は９９％であった。Ｘ線回折により結晶相の生成が確
認された。
液を空気中１２０℃で加熱乾燥後、トルエン中でジルコ
ニアボールにて８時間ボールミルにかけて粉砕した後、
減圧乾燥して乾燥ゲルを得た。これを乾式プレスで、直
径１０ｍｍ厚み１ｍｍの円板状に成形後、８００℃で１
時間焼成した。この円板の電気特性を実施例１と同様の
方法で測定した。（電極面積６ｍｍ2 ）。その結果、誘
電率は６５０、誘電損失０．８％であった。また相対密
度は９９％であった。Ｘ線回折により結晶相の生成が確
認された。
【００７３】比較例５ 実施例２におけるＡ液のみを用い、ガラス組成の無い場
合、実施例４と同様にして乾燥、粉砕、焼成したものの
相対密度は８０％であり、Ｘ線粉末回折では結晶相の生
成は確認されたが、試料が多孔質のため、信頼できる誘
電率の値は測定できなかった。
合、実施例４と同様にして乾燥、粉砕、焼成したものの
相対密度は８０％であり、Ｘ線粉末回折では結晶相の生
成は確認されたが、試料が多孔質のため、信頼できる誘
電率の値は測定できなかった。
【００７４】実施例５ ストロンチウムジイソプロポキシド、ほう酸トリメチ
ル、テトラエトキシシラン、チタニウムテトライソプロ
ポキシドのそれぞれを後述のモル比に調合し、イソプロ
パノールートルエンの１：１（重量比）混合溶媒中に溶
解し、イソステアリン酸をＳｒに対して０．１５モル添
加して酸化物換算で１５重量％の誘電体形成液を合成し
た。組成は０．８ＳｒＴｉＯ3 −０．２（ＳｒＯ−０．
５ＳｉＯ2）である。この液をＰｔ／Ｔａ（０．５μｍ
／０．０５μｍ）膜で被覆されたＳｉ基板上に２５００
回転の条件でスピンナーにより塗布後、４５０℃で３０
分、酸素中で焼成を行い、上記の塗布焼成を５回繰り返
し、最終的に８００℃で１時間、大気中で焼成して膜厚
が１．０μｍの緻密で透明な薄膜状誘電体を得た。この
膜の電気的特性を実施例１と同様な方法で測定した。そ
の結果、誘電率１８０、誘電損失０．２％、絶縁率１０
０％、絶縁抵抗１０10Ωを得た。結晶相の生成はＸ線に
より確認された。
ル、テトラエトキシシラン、チタニウムテトライソプロ
ポキシドのそれぞれを後述のモル比に調合し、イソプロ
パノールートルエンの１：１（重量比）混合溶媒中に溶
解し、イソステアリン酸をＳｒに対して０．１５モル添
加して酸化物換算で１５重量％の誘電体形成液を合成し
た。組成は０．８ＳｒＴｉＯ3 −０．２（ＳｒＯ−０．
５ＳｉＯ2）である。この液をＰｔ／Ｔａ（０．５μｍ
／０．０５μｍ）膜で被覆されたＳｉ基板上に２５００
回転の条件でスピンナーにより塗布後、４５０℃で３０
分、酸素中で焼成を行い、上記の塗布焼成を５回繰り返
し、最終的に８００℃で１時間、大気中で焼成して膜厚
が１．０μｍの緻密で透明な薄膜状誘電体を得た。この
膜の電気的特性を実施例１と同様な方法で測定した。そ
の結果、誘電率１８０、誘電損失０．２％、絶縁率１０
０％、絶縁抵抗１０10Ωを得た。結晶相の生成はＸ線に
より確認された。
【００７５】実施例６ 鉛ジエトキシドとバリウムメトキシエトキシドとチタニ
ウムテトライソプロポキシドとテトラエトキシゲルマニ
ウムを、０．７（Ｐｂ0.5 Ｂａ0.4 Ｓｒ0.1 ）ＴｉＯ3
−０．３（０．５ＰｂＯ−０．４ＢａＯ−０．１ＳｒＯ
−ＧｅＯ2 ）の組成になるように調合し、イソプロパノ
ールートルエンの１：１（重量比）混合溶媒中に溶解
し、酸化物換算で１５重量％の誘電体形成液を合成し
た。この液をＰｔ／Ｔｉ（０．５μｍ／０．０５μｍ）
膜で被覆されたＳｉ基板上に２５００回転の条件でスピ
ンナーにより塗布後、４５０℃で３０分、酸素中で焼成
を行い、上記の塗布焼成を３回繰り返し、最終的に７０
０℃で５分、大気中で焼成して膜厚が０．８μｍの緻密
で透明な薄膜状誘電体を得た。この膜の電気的特性を実
施例１と同様の方法で測定した結果、誘電率は１００
０、誘電損失１．５％、絶縁抵抗が２×１０10Ωの特性
が得られた。結晶相の生成はＸ線により確認された。
ウムテトライソプロポキシドとテトラエトキシゲルマニ
ウムを、０．７（Ｐｂ0.5 Ｂａ0.4 Ｓｒ0.1 ）ＴｉＯ3
−０．３（０．５ＰｂＯ−０．４ＢａＯ−０．１ＳｒＯ
−ＧｅＯ2 ）の組成になるように調合し、イソプロパノ
ールートルエンの１：１（重量比）混合溶媒中に溶解
し、酸化物換算で１５重量％の誘電体形成液を合成し
た。この液をＰｔ／Ｔｉ（０．５μｍ／０．０５μｍ）
膜で被覆されたＳｉ基板上に２５００回転の条件でスピ
ンナーにより塗布後、４５０℃で３０分、酸素中で焼成
を行い、上記の塗布焼成を３回繰り返し、最終的に７０
０℃で５分、大気中で焼成して膜厚が０．８μｍの緻密
で透明な薄膜状誘電体を得た。この膜の電気的特性を実
施例１と同様の方法で測定した結果、誘電率は１００
０、誘電損失１．５％、絶縁抵抗が２×１０10Ωの特性
が得られた。結晶相の生成はＸ線により確認された。
【００７６】比較例６ 粒径１μｍの酸化鉛粉末０．５モル、粒径０．３μｍの
酸化チタン粉末０．７モル、粒径１．１μｍの炭酸スト
ロンチウム粉末０．５モル、粒径２μｍのシリカ粉末
０．３モルをエタノール中でボールミル混合した後、乾
燥して粉末を得た。これを直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの
ペレットに成形した後、８００℃で焼成した。Ｘ線では
結晶相はわずかにしか認められず、組織も緻密化せず、
気孔率は４０％であった。信頼できる誘電率の値は得ら
れなかった。
酸化チタン粉末０．７モル、粒径１．１μｍの炭酸スト
ロンチウム粉末０．５モル、粒径２μｍのシリカ粉末
０．３モルをエタノール中でボールミル混合した後、乾
燥して粉末を得た。これを直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの
ペレットに成形した後、８００℃で焼成した。Ｘ線では
結晶相はわずかにしか認められず、組織も緻密化せず、
気孔率は４０％であった。信頼できる誘電率の値は得ら
れなかった。
【００７７】実施例７ ストロンチウムイソプロポキシド０．３５モルをメトキ
シエタノール４モル中に７０℃加熱下で溶解後、１２０
℃で２時間反応を行い、その後９０℃に冷却し、ジルコ
ニウムテトラブトキシド０．５モルとバリウムイソプロ
ポキシド０．１５モルを添加して更にジエタノールアミ
ン０．５モルを添加した。この溶液を、水を２モル溶解
したメトキシエタノール中に滴下して加水分解を行い、
コロイダルゾルを得てＡ液とした。この液に、別に用意
した酢酸鉛、酢酸バリウム、ほう酸、および酸性シリカ
ゾルを、Ｓｒ：Ｂａ：Ｂ：Ｓｉ＝２．１：０．９：２：
１となるようにメトキシエタノールに溶解した液（Ｂ
液）をＡ液に添加した。混合後の液組成は、０．６（Ｓ
ｒ0.7 Ｂａ0.3 ）ＺｒＯ3 −０．４（０．７ＳｒＯ−
０．３ＢａＯ−０．３３３Ｂ2 Ｏ3 −０．３３３ＳｉＯ
2 ）と表される。この液にエチルセルロースを０．５重
量％添加した液をＡｇ／Ｔｉ（０．５μｍ／０．０６μ
ｍ）膜で被覆された銅板上に、約１μｍの厚みになるよ
うにディップコーティングを５回繰り返して行った。次
いで６５０℃で３０分、空気中で焼成して透明な薄膜状
誘電体を得た。この薄膜の電気的特性を実施例１と同様
の方法で測定した。（電極面積１ｍｍ2 ）。結果は誘電
率６５０、誘電損失１．０％、絶縁率１００％であっ
た。Ｘ線回折により結晶相の生成が確認された。
シエタノール４モル中に７０℃加熱下で溶解後、１２０
℃で２時間反応を行い、その後９０℃に冷却し、ジルコ
ニウムテトラブトキシド０．５モルとバリウムイソプロ
ポキシド０．１５モルを添加して更にジエタノールアミ
ン０．５モルを添加した。この溶液を、水を２モル溶解
したメトキシエタノール中に滴下して加水分解を行い、
コロイダルゾルを得てＡ液とした。この液に、別に用意
した酢酸鉛、酢酸バリウム、ほう酸、および酸性シリカ
ゾルを、Ｓｒ：Ｂａ：Ｂ：Ｓｉ＝２．１：０．９：２：
１となるようにメトキシエタノールに溶解した液（Ｂ
液）をＡ液に添加した。混合後の液組成は、０．６（Ｓ
ｒ0.7 Ｂａ0.3 ）ＺｒＯ3 −０．４（０．７ＳｒＯ−
０．３ＢａＯ−０．３３３Ｂ2 Ｏ3 −０．３３３ＳｉＯ
2 ）と表される。この液にエチルセルロースを０．５重
量％添加した液をＡｇ／Ｔｉ（０．５μｍ／０．０６μ
ｍ）膜で被覆された銅板上に、約１μｍの厚みになるよ
うにディップコーティングを５回繰り返して行った。次
いで６５０℃で３０分、空気中で焼成して透明な薄膜状
誘電体を得た。この薄膜の電気的特性を実施例１と同様
の方法で測定した。（電極面積１ｍｍ2 ）。結果は誘電
率６５０、誘電損失１．０％、絶縁率１００％であっ
た。Ｘ線回折により結晶相の生成が確認された。
【００７８】実施例８ 塩化バリウム０．２モル、塩化マグネシウム０．０５モ
ル、四塩化チタン０．２モル、ほう酸０．０２モル、酸
性シリカゾル０．０１モルを混合した水溶液５００ｍｌ
を、撹拌しながらアンモニアでｐＨ８に調整して沈澱を
得た。該沈澱をろ過、乾燥して得た粉末の１次粒子の粒
径は１８ｎｍであった。この粉末を５００℃で３時間焼
成して得られた酸化物粉末を乳鉢で磨砕後、プレス機で
直径１０ｍｍ、厚み１ｍｍのペレットに成形した。この
ペレットを大気中で９００℃で３０分間焼成した。この
ペレットの電気的特性を実施例１と同様の方法で測定し
た。（電極面積１ｍｍ2 ）。結果は誘電率５８０、誘電
損失１．５％、絶縁率１００％、相対密度９９％であっ
た。Ｘ線回折により結晶相の生成が確認された。
ル、四塩化チタン０．２モル、ほう酸０．０２モル、酸
性シリカゾル０．０１モルを混合した水溶液５００ｍｌ
を、撹拌しながらアンモニアでｐＨ８に調整して沈澱を
得た。該沈澱をろ過、乾燥して得た粉末の１次粒子の粒
径は１８ｎｍであった。この粉末を５００℃で３時間焼
成して得られた酸化物粉末を乳鉢で磨砕後、プレス機で
直径１０ｍｍ、厚み１ｍｍのペレットに成形した。この
ペレットを大気中で９００℃で３０分間焼成した。この
ペレットの電気的特性を実施例１と同様の方法で測定し
た。（電極面積１ｍｍ2 ）。結果は誘電率５８０、誘電
損失１．５％、絶縁率１００％、相対密度９９％であっ
た。Ｘ線回折により結晶相の生成が確認された。
【００７９】比較例７ 塩化バリウム０．１６モル、塩化マグネシウム０．０４
モル、四塩化チタン０．２モルを混合した水溶液５００
ｍｌを、撹拌しながらアンモニアでｐＨ８に調整し、沈
澱を得た。この沈澱をろ過、乾燥して得た粉末の１次粒
子の粒径は１８ｎｍであった。この粉末を５００℃で３
時間焼成して、ガラス組成物を含まない酸化物粉末を得
た。得られたガラス組成物を含まない酸化物粉末を乳鉢
で磨砕後、プレス機で直径１０ｍｍ、厚み１ｍｍのペレ
ットに成形した。このペレットを大気中で９００℃で３
０分間焼成した。このペレットは、Ｘ線回折では結晶化
していたが、多孔質のため電気的特性の測定はできなか
った。
モル、四塩化チタン０．２モルを混合した水溶液５００
ｍｌを、撹拌しながらアンモニアでｐＨ８に調整し、沈
澱を得た。この沈澱をろ過、乾燥して得た粉末の１次粒
子の粒径は１８ｎｍであった。この粉末を５００℃で３
時間焼成して、ガラス組成物を含まない酸化物粉末を得
た。得られたガラス組成物を含まない酸化物粉末を乳鉢
で磨砕後、プレス機で直径１０ｍｍ、厚み１ｍｍのペレ
ットに成形した。このペレットを大気中で９００℃で３
０分間焼成した。このペレットは、Ｘ線回折では結晶化
していたが、多孔質のため電気的特性の測定はできなか
った。
【００８０】
【発明の効果】本発明の誘電体は、従来の誘電体粉末を
スラリー化しドクターブレード法等で得る方法に比較し
て製造コストが廉価であると共に絶縁性が高く、高い誘
電率で誘電損失の小さなものである。また、従来の溶融
を経由するガラス−セラミックスと比べて結晶相の割合
が高く、誘電率の高いものが溶融のような高温処理を経
ないで得られるために高容量化が可能である。この結
果、従来応用が進まなかった薄膜コンデンサに実用化の
道を開くもので、その工業的価値は大きい。
スラリー化しドクターブレード法等で得る方法に比較し
て製造コストが廉価であると共に絶縁性が高く、高い誘
電率で誘電損失の小さなものである。また、従来の溶融
を経由するガラス−セラミックスと比べて結晶相の割合
が高く、誘電率の高いものが溶融のような高温処理を経
ないで得られるために高容量化が可能である。この結
果、従来応用が進まなかった薄膜コンデンサに実用化の
道を開くもので、その工業的価値は大きい。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年５月１０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】・アルキルリチウム等のリチウム化合物。・ア ルキルナトリウム等のナトリウム化合物。・ア ルキルカリウム等のカリウム化合物。 ・マグネシウムエトキシド、マグネシウムイソプロポキ
シド、ビスジピバロイルマグネシウム等の有機マグネシ
ウム化合物、塩化マグネシウム等のハロゲン化物等のマ
グネシウム化合物。 ・カルシウムエトキシド、カルシウムイソプロポキシ
ド、ビスジピバロイルカルシウム等の有機カルシウム化
合物、塩化カルシウム等のハロゲン化物等のカルシウム
化合物。 ・ストロンチウムエトキシド、ストロンチウムイソプロ
ポキシド、ビスジピバロイルストロンチウム等の有機ス
トロンチウム化合物、塩化ストロンチウム等のハロゲン
化物等のストロンチウム化合物。
シド、ビスジピバロイルマグネシウム等の有機マグネシ
ウム化合物、塩化マグネシウム等のハロゲン化物等のマ
グネシウム化合物。 ・カルシウムエトキシド、カルシウムイソプロポキシ
ド、ビスジピバロイルカルシウム等の有機カルシウム化
合物、塩化カルシウム等のハロゲン化物等のカルシウム
化合物。 ・ストロンチウムエトキシド、ストロンチウムイソプロ
ポキシド、ビスジピバロイルストロンチウム等の有機ス
トロンチウム化合物、塩化ストロンチウム等のハロゲン
化物等のストロンチウム化合物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２３】・ランタンエトキシド、ランタンアセチル
アセトナート、トリスジピバロイルランタン等の有機ラ
ンタン化合物、塩化ランタン等のハロゲン化物等のラン
タン化合物。 ・イットリウムエトキシド、イットリウムアセチルアセ
トナート、トリスジピバロイルイットリウム等の有機イ
ットリウム化合物、塩化イットリウム等のハロゲン化物
等のイットリウム化合物。
アセトナート、トリスジピバロイルランタン等の有機ラ
ンタン化合物、塩化ランタン等のハロゲン化物等のラン
タン化合物。 ・イットリウムエトキシド、イットリウムアセチルアセ
トナート、トリスジピバロイルイットリウム等の有機イ
ットリウム化合物、塩化イットリウム等のハロゲン化物
等のイットリウム化合物。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】・チタニウムエトキシド、チタニウムイソ
プロポキシド、チタニウムブトキシド、酢酸チタンのよ
うな有機チタニウム化合物、四塩化チタン等のハロゲン
化物等のチタニウム化合物。 ・ジルコニウムエトキシド、ジルコニウムイソプロポキ
シド、ジルコニウムブトキシドのような有機ジルコニウ
ム化合物、四塩化ジルコニウム等のハロゲン化物等のジ
ルコニウム化合物。 ・テトラエチルスズ、テトラブチルスズ、スズエトキシ
ド、スズイソプロポキシド、スズブトキシドのような有
機スズ化合物。 ・亜鉛エトキシド、亜鉛アセチルアセトナート、ビスジ
ピバロイル亜鉛等の有機亜鉛化合物、塩化亜鉛等のハロ
ゲン化物等の亜鉛化合物。 ・鉄エトキシド、鉄アセチルアセトナート、ビスジピバ
ロイル鉄等の有機鉄化合物、塩化鉄等のハロゲン化物等
の鉄化合物。 ・コバルトエトキシド、コバルトアセチルアセトナー
ト、ビスジピバロイルコバルト等の有機コバルト化合
物、塩化コバルト等のハロゲン化物等のコバルト化合
物。 ・ニッケルエトキシド、ニッケルアセチルアセトナー
ト、ビスジピバロイルニッケル等の有機ニッケル化合
物、塩化ニッケル等のハロゲン化物等のニッケル化合
物。 ・ニオビウムエトキシド、ニオビウムアセチルアセトナ
ート等の有機ニオビウム化合物、塩化ニオビウム等のハ
ロゲン化物等のニオビウム化合物。 ・タンタルエトキシド、タンタルアセチルアセトナート
等の有機タンタル化合物、塩化タンタル等のハロゲン化
物等のタンタル化合物。 ・タングステンエトキシド、タングステンアセチルアセ
トナート等の有機タングステン化合物、塩化タングステ
ン等のハロゲン化物等のタングステン化合物。
プロポキシド、チタニウムブトキシド、酢酸チタンのよ
うな有機チタニウム化合物、四塩化チタン等のハロゲン
化物等のチタニウム化合物。 ・ジルコニウムエトキシド、ジルコニウムイソプロポキ
シド、ジルコニウムブトキシドのような有機ジルコニウ
ム化合物、四塩化ジルコニウム等のハロゲン化物等のジ
ルコニウム化合物。 ・テトラエチルスズ、テトラブチルスズ、スズエトキシ
ド、スズイソプロポキシド、スズブトキシドのような有
機スズ化合物。 ・亜鉛エトキシド、亜鉛アセチルアセトナート、ビスジ
ピバロイル亜鉛等の有機亜鉛化合物、塩化亜鉛等のハロ
ゲン化物等の亜鉛化合物。 ・鉄エトキシド、鉄アセチルアセトナート、ビスジピバ
ロイル鉄等の有機鉄化合物、塩化鉄等のハロゲン化物等
の鉄化合物。 ・コバルトエトキシド、コバルトアセチルアセトナー
ト、ビスジピバロイルコバルト等の有機コバルト化合
物、塩化コバルト等のハロゲン化物等のコバルト化合
物。 ・ニッケルエトキシド、ニッケルアセチルアセトナー
ト、ビスジピバロイルニッケル等の有機ニッケル化合
物、塩化ニッケル等のハロゲン化物等のニッケル化合
物。 ・ニオビウムエトキシド、ニオビウムアセチルアセトナ
ート等の有機ニオビウム化合物、塩化ニオビウム等のハ
ロゲン化物等のニオビウム化合物。 ・タンタルエトキシド、タンタルアセチルアセトナート
等の有機タンタル化合物、塩化タンタル等のハロゲン化
物等のタンタル化合物。 ・タングステンエトキシド、タングステンアセチルアセ
トナート等の有機タングステン化合物、塩化タングステ
ン等のハロゲン化物等のタングステン化合物。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２９】・リチウム化合物としては、エトキシリチ
ウム、イソプロポキシリチウム、ブトキシリチウム、酢
酸リチウム、リチウムアセチルアセトナート等。 ・ナトリウム化合物としては、メトキシナトリウム、エ
トキシナトリウム、イソプロポキシナトリウム、ブトキ
シナトリウム、酢酸ナトリウム、ナトリウムアセチルア
セトナート等。 ・カリウム化合物としては、メトキシカリウム、エトキ
シカリウム、イソプロポキシカリウム、ブトキシカリウ
ム、酢酸カリウム、カリウムアセチルアセトナート等。 ・マグネシウム化合物としては、ジメトキシマグネシウ
ム、ジエトキシマグネシウム、ジイソプロポキシマグネ
シウム、ジブトキシマグネシウム等。 ・カルシウム化合物としては、ジメトキシカルシウム、
ジエトキシカルシウム、ジイソプロポキシカルシウム、
ジブトキシカルシウム等。 ・ストロンチウム化合物としては、ジメトキシストロン
チウム、ジエトキシストロンチウム、ジイソプロポキシ
ストロンチウム、ジブトキシストロンチウム等。
ウム、イソプロポキシリチウム、ブトキシリチウム、酢
酸リチウム、リチウムアセチルアセトナート等。 ・ナトリウム化合物としては、メトキシナトリウム、エ
トキシナトリウム、イソプロポキシナトリウム、ブトキ
シナトリウム、酢酸ナトリウム、ナトリウムアセチルア
セトナート等。 ・カリウム化合物としては、メトキシカリウム、エトキ
シカリウム、イソプロポキシカリウム、ブトキシカリウ
ム、酢酸カリウム、カリウムアセチルアセトナート等。 ・マグネシウム化合物としては、ジメトキシマグネシウ
ム、ジエトキシマグネシウム、ジイソプロポキシマグネ
シウム、ジブトキシマグネシウム等。 ・カルシウム化合物としては、ジメトキシカルシウム、
ジエトキシカルシウム、ジイソプロポキシカルシウム、
ジブトキシカルシウム等。 ・ストロンチウム化合物としては、ジメトキシストロン
チウム、ジエトキシストロンチウム、ジイソプロポキシ
ストロンチウム、ジブトキシストロンチウム等。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３１】・チタニウム化合物としては、テトラメト
キシチタニウム、テトラエトキシチタニウム、テトライ
ソプロポキシチタニウム、テトラブトキシチタニウム、
四塩化チタン等。 ・ジルコニウム化合物としては、テトラメトキシジルコ
ニウム、テトラエトキシジルコニウム、テトライソプロ
ポキシジルコニウム、テトラブトキシジルコニウム、四
塩化ジルコニウム等。 ・スズ化合物としては、テトラメトキシスズ、テトラエ
トキシスズ、テトライソプロポキシスズ、テトラブトキ
シスズ、テトラオクチルスズ、スズアセチルアセトナー
ト、四塩化スズ等。 ・亜鉛化合物としては、ジメトキシ亜鉛、ジエトキシ亜
鉛、ジイソプロポキシ亜鉛、ジブトキシ亜鉛、亜鉛アセ
チルアセトナート、塩化亜鉛等。 ・鉄化合物としては、トリエトキシ鉄、ジイソプロポキ
シ鉄、ジブトキシ鉄、鉄アセチルアセトナート、塩化鉄
等。 ・コバルト化合物としては、ジエトキシコバルト、ジイ
ソプロポキシコバルト、ジブトキシコバルト、コバルト
アセチルアセトナート、塩化コバルト等。 ・ニッケル化合物としては、ジエトキシニッケル、ジイ
ソプロポキシニッケル、ジブトキシニッケル、ニッケル
アセチルアセトナート、塩化ニッケル等。 ・ニオビウム化合物としては、ペンタメトキシニオビウ
ム、ペンタエトキシニオビウム、ペンタイソプロポキシ
ニオビウム、ペンタブトキシニオビウム、塩化ニオビウ
ム等。 ・タンタル化合物としては、ペンタメトキシタンタル、
ペンタエトキシタンタル、ペンタイソプロポキシタンタ
ル、ペンタブトキシタンタル、塩化タンタル等。 ・タングステン化合物としては、ペンタメトキシタング
ステン、ペンタエトキシタングステン、ペンタイソプロ
ポキシタングステン、ペンタブトキシタングステン、塩
化タングステン等。
キシチタニウム、テトラエトキシチタニウム、テトライ
ソプロポキシチタニウム、テトラブトキシチタニウム、
四塩化チタン等。 ・ジルコニウム化合物としては、テトラメトキシジルコ
ニウム、テトラエトキシジルコニウム、テトライソプロ
ポキシジルコニウム、テトラブトキシジルコニウム、四
塩化ジルコニウム等。 ・スズ化合物としては、テトラメトキシスズ、テトラエ
トキシスズ、テトライソプロポキシスズ、テトラブトキ
シスズ、テトラオクチルスズ、スズアセチルアセトナー
ト、四塩化スズ等。 ・亜鉛化合物としては、ジメトキシ亜鉛、ジエトキシ亜
鉛、ジイソプロポキシ亜鉛、ジブトキシ亜鉛、亜鉛アセ
チルアセトナート、塩化亜鉛等。 ・鉄化合物としては、トリエトキシ鉄、ジイソプロポキ
シ鉄、ジブトキシ鉄、鉄アセチルアセトナート、塩化鉄
等。 ・コバルト化合物としては、ジエトキシコバルト、ジイ
ソプロポキシコバルト、ジブトキシコバルト、コバルト
アセチルアセトナート、塩化コバルト等。 ・ニッケル化合物としては、ジエトキシニッケル、ジイ
ソプロポキシニッケル、ジブトキシニッケル、ニッケル
アセチルアセトナート、塩化ニッケル等。 ・ニオビウム化合物としては、ペンタメトキシニオビウ
ム、ペンタエトキシニオビウム、ペンタイソプロポキシ
ニオビウム、ペンタブトキシニオビウム、塩化ニオビウ
ム等。 ・タンタル化合物としては、ペンタメトキシタンタル、
ペンタエトキシタンタル、ペンタイソプロポキシタンタ
ル、ペンタブトキシタンタル、塩化タンタル等。 ・タングステン化合物としては、ペンタメトキシタング
ステン、ペンタエトキシタングステン、ペンタイソプロ
ポキシタングステン、ペンタブトキシタングステン、塩
化タングステン等。
Claims (7)
- 【請求項１】下記一般式で表される誘電体組成物。 ｗ（Ｘ1-y-z Ｘ’y Ｘ”z ）ＭＯ3 −（１−ｗ）〔ａ
（１−ｙ−ｚ）ＸＯ−ｂｙＸ’Ｏv −ｃｚＸ”2 Ｏ3 −
ｄＺＯx 〕 （式中、ＸはＰｂ、Ｂａから選ばれた１種または２種、
Ｘ’はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒから選ばれた
１種または２種以上、Ｘ”はＬａ、Ｙから選ばれた１種
または２種、ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗから選ばれた１種また
は２種以上を表し、Ｘ、Ｘ’、Ｘ”およびＭの各イオン
の価数にモル分率を乗じた合計価数は６価である。Ｚは
Ｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐから選ばれた１
種または２種以上を表す。ｖは酸素数を表し、Ｘ’がＬ
ｉ、Ｎａ、Ｋのときはｖ＝０．５、Ｘ’がＭｇ、Ｃａ、
Ｓｒのときはｖ＝１である。ｘは酸素数を表し、Ｚが
Ｂ、Ａｓ、Ｓｂのときはｘ＝１．５、ＺがＳｉ、Ｇｅ、
Ｔｅのときはｘ＝２、ＺがＰのときはｘ＝２．５であ
る。ｗ、ｙ、ｚはモル数、ａ、ｂ、ｃは実数、ｄは酸化
物の元素基準のモル数で、０．３＜ｗ≦０．９５、０＜
ｙ≦１、０≦ｚ＜０．５、ａ／ｄ、ｂ／ｄ、ｃ／ｄはそ
れぞれ０．５以上１９以下、ａ（１−ｙ−ｚ）＋ｂｙ＋
ｃｚ＝１である。） - 【請求項２】Ｘ（ＸはＰｂ、Ｂａから選ばれた１種また
は２種）、Ｘ’（Ｘ’はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、
Ｓｒから選ばれた１種または２種以上）、Ｘ”（Ｘ”は
Ｌａ、Ｙから選ばれた１種または２種）、Ｍ（ＭはＴ
ｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｗから選ばれた１種または２種以上）、Ｚ
（ＺはＢ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐから選ば
れた１種または２種以上）のそれぞれの酸化物、または
これらの酸化物に転換し得るそれぞれの化合物を、それ
ぞれの酸化物またはそれぞれの化合物の占める領域が直
径０．１μｍ未満であるように混合し、次いで該混合物
を焼成または酸化物に転換し得るような温度で加熱焼成
することを特徴とする請求項１記載の誘電体組成物の製
造法。 - 【請求項３】有機溶媒に可溶なＸ化合物（ＸはＰｂ、Ｂ
ａから選ばれた１種または２種）、Ｘ’化合物（Ｘ’は
Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒから選ばれた１種ま
たは２種以上）、Ｘ”化合物（Ｘ”はＬａ、Ｙから選ば
れた１種または２種）、Ｍ化合物（ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｓ
ｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗか
ら選ばれた１種または２種以上）、Ｚ化合物（ＺはＢ、
Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐから選ばれた１種ま
たは２種以上）からなる混合液から粉末を得、該粉末を
成形、焼成することを特徴とする請求項１記載の誘電体
組成物の製造法。 - 【請求項４】１次粒子の粒径が０．１μｍ未満のＸ化合
物（ＸはＰｂ、Ｂａから選ばれた１種または２種）、
Ｘ’化合物（Ｘ’はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ
から選ばれた１種または２種以上）、Ｘ”化合物（Ｘ”
はＬａ、Ｙから選ばれた１種または２種）、Ｍ化合物
（ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎ
ｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗから選ばれた１種または２種以
上）、Ｚ化合物（ＺはＢ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔ
ｅ、Ｐから選ばれた１種または２種以上）の各化合物の
コロイダルゾルを含有してなる混合液から粉末を得、該
粉末を成形、焼成することを特徴とする請求項１記載の
誘電体組成物の製造法。 - 【請求項５】水に可溶なＸ化合物（ＸはＰｂ、Ｂａから
選ばれた１種または２種）、Ｘ’化合物（Ｘ’はＬｉ、
Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒから選ばれた１種または２
種以上）、Ｘ”化合物（Ｘ”はＬａ、Ｙから選ばれた１
種または２種）、Ｍ化合物（ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｍ
ｇ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗから選ば
れた１種または２種以上）、Ｚ化合物（ＺはＢ、Ａｓ、
Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐから選ばれた１種または２
種以上）を含有してなる混合液から粉末を得、該粉末を
成形、焼成することを特徴とする請求項１記載の誘電体
組成物の製造法。 - 【請求項６】Ｘ（ＸはＰｂ、Ｂａから選ばれた１種また
は２種）、Ｘ’（Ｘ’はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、
Ｓｒから選ばれた１種または２種以上）、Ｘ”（Ｘ”は
Ｌａ、Ｙから選ばれた１種または２種）、Ｍ（ＭはＴ
ｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｗから選ばれた１種または２種以上）、Ｚ
（ＺはＢ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐから選ば
れた１種または２種以上）のそれぞれの酸化物を含有し
てなる酸化物焼結ターゲットを用いてスパッタリング法
により請求項１記載の誘電体組成物の薄膜の製造法。 - 【請求項７】金属箔上に請求項１記載の誘電体組成物を
薄膜状で形成してなることを特徴とする薄膜コンデン
サ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5097698A JPH06309925A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 誘電体組成物、その製造法、その薄膜の製造法および薄膜コンデンサ |
| US08/590,680 US6126743A (en) | 1993-03-12 | 1996-01-29 | Process for producing dielectrics and fine single crystal powders and thin film capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5097698A JPH06309925A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 誘電体組成物、その製造法、その薄膜の製造法および薄膜コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06309925A true JPH06309925A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14199158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5097698A Pending JPH06309925A (ja) | 1993-03-12 | 1993-04-23 | 誘電体組成物、その製造法、その薄膜の製造法および薄膜コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06309925A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003063860A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-03-05 | Taiyo Yuden Co Ltd | 焼結体ターゲット，それを利用した誘電体薄膜及びその製造方法，それを利用した電子部品 |
| US6743714B2 (en) | 1995-11-21 | 2004-06-01 | Applied Materials, Inc. | Low temperature integrated metallization process and apparatus |
| JP2006324076A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Japan Pionics Co Ltd | ガラスパネル及びその製造方法、並びにそれを用いたプラズマディスプレイパネル |
| JP2007235024A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Tdk Corp | 酸化物誘電体膜の形成方法 |
| JP2007242880A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Tdk Corp | 成膜方法 |
| JP2007266432A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Tdk Corp | 誘電体素子およびその製造方法 |
| JP2014005197A (ja) * | 2013-08-05 | 2014-01-16 | Seiko Epson Corp | セラミックス組成物およびその製造方法、液体噴射ヘッドならびに液体噴射装置 |
| TWI453176B (zh) * | 2009-12-16 | 2014-09-21 | Skyworks Solutions Inc | 介電陶瓷材料及相關方法 |
-
1993
- 1993-04-23 JP JP5097698A patent/JPH06309925A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2007235024A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Tdk Corp | 酸化物誘電体膜の形成方法 |
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