JPH06310461A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH06310461A JPH06310461A JP9639393A JP9639393A JPH06310461A JP H06310461 A JPH06310461 A JP H06310461A JP 9639393 A JP9639393 A JP 9639393A JP 9639393 A JP9639393 A JP 9639393A JP H06310461 A JPH06310461 A JP H06310461A
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 歩留が向上できると共に保守が容易な半導体
製造装置を提供する。 【構成】 保持治具２１の治具基板２２と支持板２３と
が挟持する半導体ウェハ２５に、電極部３２のコンタク
トピン３５がパッキング２８を貫通して半導体ウェハ２
５のチップ形成領域外の周縁部位で電極尖端部３４が液
密に接触するように設けられている。このため半導体ウ
ェハ２５の主面のチップ形成領域にめっき加工を施すに
あたり保持治具２１で半導体ウェハ２５を挟持すると、
両者の間に介在するパッキング２８は両方に密着する。
それ故、パッキング２８内を貫通して半導体ウェハ２５
に接触している電極尖端部３４及び半導体ウェハ２５の
電極接触部位はめっき液に接触することなく、また電極
尖端部３４は半導体ウェハ２５のチップ形成領域外の周
縁部位に接触しているので、チップ形成領域を傷付ける
ことがない。その結果、不良チップが発生せず、装置の
保守が容易になる。
製造装置を提供する。 【構成】 保持治具２１の治具基板２２と支持板２３と
が挟持する半導体ウェハ２５に、電極部３２のコンタク
トピン３５がパッキング２８を貫通して半導体ウェハ２
５のチップ形成領域外の周縁部位で電極尖端部３４が液
密に接触するように設けられている。このため半導体ウ
ェハ２５の主面のチップ形成領域にめっき加工を施すに
あたり保持治具２１で半導体ウェハ２５を挟持すると、
両者の間に介在するパッキング２８は両方に密着する。
それ故、パッキング２８内を貫通して半導体ウェハ２５
に接触している電極尖端部３４及び半導体ウェハ２５の
電極接触部位はめっき液に接触することなく、また電極
尖端部３４は半導体ウェハ２５のチップ形成領域外の周
縁部位に接触しているので、チップ形成領域を傷付ける
ことがない。その結果、不良チップが発生せず、装置の
保守が容易になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハの面にめ
っき加工を施す半導体製造装置に関する。
っき加工を施す半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】周知の通り、半導体ウェハの主面に金め
っき加工を施す半導体製造装置では、半導体ウェハを保
持した複数の保持治具をラック内に吊持させてめっき槽
内に収納し、半導体ウェハに接触させた電極に所定時間
通電して所望する厚さの金めっき層を半導体ウェハの主
面に形成する。
っき加工を施す半導体製造装置では、半導体ウェハを保
持した複数の保持治具をラック内に吊持させてめっき槽
内に収納し、半導体ウェハに接触させた電極に所定時間
通電して所望する厚さの金めっき層を半導体ウェハの主
面に形成する。
【０００３】以下、このような装置の保持治具について
図４乃至図７を参照して説明する。図４は斜視図であ
り、図５は正面図であり、図６は断面図であり、図７は
電極針接触部分を示す部分拡大図である。
図４乃至図７を参照して説明する。図４は斜視図であ
り、図５は正面図であり、図６は断面図であり、図７は
電極針接触部分を示す部分拡大図である。
【０００４】図４乃至図７において、保持治具１は治具
基板２と支持板３とがヒンジ部４によって下部が連結さ
れ、治具基板２と支持板３との間に半導体ウェハ５を挟
持するように構成されている。半導体ウェハ５は支持板
３に刻設された支持凹部６に装着されるようになってい
る。
基板２と支持板３とがヒンジ部４によって下部が連結さ
れ、治具基板２と支持板３との間に半導体ウェハ５を挟
持するように構成されている。半導体ウェハ５は支持板
３に刻設された支持凹部６に装着されるようになってい
る。
【０００５】また、治具基板２には支持板３に支持され
た半導体ウェハ５の主面に対向する位置に半導体ウェハ
５の形状より小さ目の開口７が形成されている。そして
開口７の支持板３側の面の周囲には半導体ウェハ５の周
縁部分を押さえるパッキング８が設けられている。さら
に、治具基板２には上部に図示しないラックに吊持させ
るための吊持部９が設けられ、この吊持部９には集電板
１０が設けられている。
た半導体ウェハ５の主面に対向する位置に半導体ウェハ
５の形状より小さ目の開口７が形成されている。そして
開口７の支持板３側の面の周囲には半導体ウェハ５の周
縁部分を押さえるパッキング８が設けられている。さら
に、治具基板２には上部に図示しないラックに吊持させ
るための吊持部９が設けられ、この吊持部９には集電板
１０が設けられている。
【０００６】一方、１１は導電部材で形成されたコンタ
クトピンで、その中間軸部１２はふっ素樹脂コートが施
されており、先端部分は導電部が露出するようにして接
触電極針１３が形成されている。そしてコンタクトピン
１１は後端部で集電板１０に接続され、また後端部及び
中間部が治具基板２に設けられた支持部材１４，１５に
よって支持され、電極針１３が開口７に臨むようになっ
ている。
クトピンで、その中間軸部１２はふっ素樹脂コートが施
されており、先端部分は導電部が露出するようにして接
触電極針１３が形成されている。そしてコンタクトピン
１１は後端部で集電板１０に接続され、また後端部及び
中間部が治具基板２に設けられた支持部材１４，１５に
よって支持され、電極針１３が開口７に臨むようになっ
ている。
【０００７】そして金めっき加工を施すにあたって、上
記ように構成された保持治具１に半導体ウェハ５を支持
させるには、先ず主面に所定の感光性塗布材料膜１６が
設けられた半導体ウェハ５を主面を表側にして支持板３
の支持凹部６に装着する。続いて治具基板２を支持板３
側に回動させてパッキング８が支持凹部６に装着された
半導体ウェハ５の周縁部分に密着するようにする。そし
て両板２，３が開かないようにクリップ１７を嵌めるこ
とで半導体ウェハ５は保持治具に挟持される。
記ように構成された保持治具１に半導体ウェハ５を支持
させるには、先ず主面に所定の感光性塗布材料膜１６が
設けられた半導体ウェハ５を主面を表側にして支持板３
の支持凹部６に装着する。続いて治具基板２を支持板３
側に回動させてパッキング８が支持凹部６に装着された
半導体ウェハ５の周縁部分に密着するようにする。そし
て両板２，３が開かないようにクリップ１７を嵌めるこ
とで半導体ウェハ５は保持治具に挟持される。
【０００８】なお、保持治具に挟持されることによって
半導体ウェハ５の主面には電極針１３の先端部位が、感
光性塗布材料膜１６を突き通すよう所定の接触圧を持っ
て接触し、集電板１０と半導体ウェハ５とがコンタクト
ピン１１を介して導通する。
半導体ウェハ５の主面には電極針１３の先端部位が、感
光性塗布材料膜１６を突き通すよう所定の接触圧を持っ
て接触し、集電板１０と半導体ウェハ５とがコンタクト
ピン１１を介して導通する。
【０００９】こうして半導体ウェハ５を挟持した保持治
具１は、集電板１０が図示しないラックの電極部に導通
するようにして吊持部９によってラック内に複数吊持さ
れる。そしてラックは同じく図示しない金めっき槽に収
納され、半導体ウェハ５の主面がめっき液中に浸るよう
にして所定時間保持して所望の金めっき層を主面に形成
する。
具１は、集電板１０が図示しないラックの電極部に導通
するようにして吊持部９によってラック内に複数吊持さ
れる。そしてラックは同じく図示しない金めっき槽に収
納され、半導体ウェハ５の主面がめっき液中に浸るよう
にして所定時間保持して所望の金めっき層を主面に形成
する。
【００１０】しかしながら上記の従来技術においては、
コンタクトピン１１の電極針１３が半導体ウェハ５の主
面を押圧するように接触する。このため接触した箇所に
傷１８が付き、その部分のチップ１９は不良となってし
まう。まためき加工中、コンタクトピン１１の電極針１
３はめっき液中に導電部が露出した状態になるため、電
極針１３に金析出物２０が付着し、例えば１日１回は付
着した金析出物２０を約３時間かけて除去しなけらえば
ならず、めっき加工の処理能力を向上させることが難し
い状況にあると共に保守作業に時間を要するものとなっ
ていた。
コンタクトピン１１の電極針１３が半導体ウェハ５の主
面を押圧するように接触する。このため接触した箇所に
傷１８が付き、その部分のチップ１９は不良となってし
まう。まためき加工中、コンタクトピン１１の電極針１
３はめっき液中に導電部が露出した状態になるため、電
極針１３に金析出物２０が付着し、例えば１日１回は付
着した金析出物２０を約３時間かけて除去しなけらえば
ならず、めっき加工の処理能力を向上させることが難し
い状況にあると共に保守作業に時間を要するものとなっ
ていた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記のようにコンタク
トピンの電極針が半導体ウェハの主面を傷付け歩留を低
下させると共に電極針への金析出物の付着によって処理
能力の向上や保守作業時間の短縮が難しいものとなって
いた。このような状況に鑑みて本発明はなされたもの
で、その目的とするところは歩留を向上させることがで
きると共にめっき加工の処理能力の向上や保守作業時間
の短縮が行えるようにした半導体製造装置を提供するこ
とにある。
トピンの電極針が半導体ウェハの主面を傷付け歩留を低
下させると共に電極針への金析出物の付着によって処理
能力の向上や保守作業時間の短縮が難しいものとなって
いた。このような状況に鑑みて本発明はなされたもの
で、その目的とするところは歩留を向上させることがで
きると共にめっき加工の処理能力の向上や保守作業時間
の短縮が行えるようにした半導体製造装置を提供するこ
とにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造装置
は、保持治具が半導体ウェハを周縁部にパッキングを圧
接するようにして挟持すると共に、半導体ウェハに電極
を接触させて該半導体ウェハの主面のチップ形成領域に
めっき加工を施すようにした半導体製造装置において、
電極が、パッキングを貫通して半導体ウェハのチップ形
成領域外の周縁部位に液密に接触するように設けられて
いることを特徴とするものである。
は、保持治具が半導体ウェハを周縁部にパッキングを圧
接するようにして挟持すると共に、半導体ウェハに電極
を接触させて該半導体ウェハの主面のチップ形成領域に
めっき加工を施すようにした半導体製造装置において、
電極が、パッキングを貫通して半導体ウェハのチップ形
成領域外の周縁部位に液密に接触するように設けられて
いることを特徴とするものである。
【００１３】
【作用】上記のように構成された半導体製造装置は、保
持治具が挟持する半導体ウェハに、電極がパッキングを
貫通して半導体ウェハのチップ形成領域外の周縁部位で
液密に接触するように設けられている。このため半導体
ウェハの主面のチップ形成領域にめっき加工を施すにあ
たり保持治具で半導体ウェハを挟持すると、両者の間に
介在するパッキングは両方に密着する。それ故、パッキ
ング内を貫通して半導体ウェハに接触している電極及び
半導体ウェハの電極接触部位はめっき液に接触すること
がなく、めっき加工中に電極に析出物が付着することが
ない。また電極は半導体ウェハのチップ形成領域外の周
縁部位に接触しているので、チップ形成領域を傷付ける
ことがない。その結果、不良チップを発生することがな
く、また装置の保守が容易なものとなる。
持治具が挟持する半導体ウェハに、電極がパッキングを
貫通して半導体ウェハのチップ形成領域外の周縁部位で
液密に接触するように設けられている。このため半導体
ウェハの主面のチップ形成領域にめっき加工を施すにあ
たり保持治具で半導体ウェハを挟持すると、両者の間に
介在するパッキングは両方に密着する。それ故、パッキ
ング内を貫通して半導体ウェハに接触している電極及び
半導体ウェハの電極接触部位はめっき液に接触すること
がなく、めっき加工中に電極に析出物が付着することが
ない。また電極は半導体ウェハのチップ形成領域外の周
縁部位に接触しているので、チップ形成領域を傷付ける
ことがない。その結果、不良チップを発生することがな
く、また装置の保守が容易なものとなる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の一実施例に係る保持治具を図
１及び図２を参照して説明する。図１は保持治具を示す
図であって、図１（ａ）は正面図で、図１（ｂ）は縦断
面図であり、図２は支持板が固定されていない時の図１
（ａ）におけるＡ−Ａ矢方向視の部分拡大断面図であ
り、図３は支持板が固定された時の図１（ａ）における
Ａ−Ａ矢方向視の部分拡大断面図である。
１及び図２を参照して説明する。図１は保持治具を示す
図であって、図１（ａ）は正面図で、図１（ｂ）は縦断
面図であり、図２は支持板が固定されていない時の図１
（ａ）におけるＡ−Ａ矢方向視の部分拡大断面図であ
り、図３は支持板が固定された時の図１（ａ）における
Ａ−Ａ矢方向視の部分拡大断面図である。
【００１５】図１及び図３において、保持治具２１は硬
質ポリ塩化ビニールなどの絶縁材料、あるいはアルマイ
ト処理による絶縁表面を有するアルミニウムによって形
成された治具基板２２と支持板２３とが下部に設けられ
たヒンジ部２４によって連結され、治具基板２２と支持
板２３は矢印Ｂのように回動するように構成されてい
る。
質ポリ塩化ビニールなどの絶縁材料、あるいはアルマイ
ト処理による絶縁表面を有するアルミニウムによって形
成された治具基板２２と支持板２３とが下部に設けられ
たヒンジ部２４によって連結され、治具基板２２と支持
板２３は矢印Ｂのように回動するように構成されてい
る。
【００１６】支持板２３には、その治具基板２２に対面
する側の面に、主面が治具基板２２に対面するように半
導体ウェハ２５を装着可能とする略同形状の支持凹部２
６が刻設されている。そして、この支持凹部２６に半導
体ウェハ２５を装着した場合には、半導体ウェハ２５の
主面と支持板２３の表面とが略同一面を形成するように
なっている。
する側の面に、主面が治具基板２２に対面するように半
導体ウェハ２５を装着可能とする略同形状の支持凹部２
６が刻設されている。そして、この支持凹部２６に半導
体ウェハ２５を装着した場合には、半導体ウェハ２５の
主面と支持板２３の表面とが略同一面を形成するように
なっている。
【００１７】また治具基板２２には、支持板２３に装着
された半導体ウェハ２５の主面に対向する位置に、半導
体ウェハ２５の外形形状より小さ目で半導体ウェハ２５
のチップ形成領域に対応する開口２７が形成されてい
る。そして開口２７の支持板２３に面する側の縁部に沿
った全周の面には、半導体ウェハ２５のチップ形成領域
外である周縁部分に密着し、この部分を押さえるシリコ
ンゴム等でなるパッキング２８が設けられている。
された半導体ウェハ２５の主面に対向する位置に、半導
体ウェハ２５の外形形状より小さ目で半導体ウェハ２５
のチップ形成領域に対応する開口２７が形成されてい
る。そして開口２７の支持板２３に面する側の縁部に沿
った全周の面には、半導体ウェハ２５のチップ形成領域
外である周縁部分に密着し、この部分を押さえるシリコ
ンゴム等でなるパッキング２８が設けられている。
【００１８】このため半導体ウェハ２５を装着し支持す
る支持板２３をヒンジ部２４で治具基板２２側に矢印Ｂ
のように回動させることによって半導体ウェハ２５は、
その周縁部分にパッキング２８が密着し開口２７からチ
ップ形成領域が覗くような状態で、治具基板２２と支持
板２３の間に挟持される。
る支持板２３をヒンジ部２４で治具基板２２側に矢印Ｂ
のように回動させることによって半導体ウェハ２５は、
その周縁部分にパッキング２８が密着し開口２７からチ
ップ形成領域が覗くような状態で、治具基板２２と支持
板２３の間に挟持される。
【００１９】さらに治具基板２２には上部に図示しない
ラックに吊持させるための吊持部２９が設けられ、この
吊持部２９には集電板３０が設けられている。そして集
電板３０には治具基板２２に刻設された溝内に、溝開口
をシール材で覆うわれるようにして液密に埋め込まれた
導電線３１の片端が接続されている。
ラックに吊持させるための吊持部２９が設けられ、この
吊持部２９には集電板３０が設けられている。そして集
電板３０には治具基板２２に刻設された溝内に、溝開口
をシール材で覆うわれるようにして液密に埋め込まれた
導電線３１の片端が接続されている。
【００２０】また３２は治具基板２２に設けられた電極
部で、これはそれぞれ導電部材で形成されたスリーブ３
３と、このスリーブ３３に内蔵されたスプリングによっ
て付勢されてスリーブ３３の一端側から電極尖端部３４
が延出するコンタクトピン３５と、スリーブ３３の他端
側に被せたステンレス等でなるキャップ３６を備えてい
る。
部で、これはそれぞれ導電部材で形成されたスリーブ３
３と、このスリーブ３３に内蔵されたスプリングによっ
て付勢されてスリーブ３３の一端側から電極尖端部３４
が延出するコンタクトピン３５と、スリーブ３３の他端
側に被せたステンレス等でなるキャップ３６を備えてい
る。
【００２１】そして電極部３２は、治具基板２２の開口
２７の縁部に形成された段付孔３７と、この段付孔３７
に連通するようにパッキング２８に形成された貫通孔３
８に、コンタクトピン３５が進退可能となるような状態
で取着されている。なおコンタクトピン３５の電極尖端
部３４は、半導体ウェハ２５を挟持していない状態では
パッキング２８の面から外方に突出している。
２７の縁部に形成された段付孔３７と、この段付孔３７
に連通するようにパッキング２８に形成された貫通孔３
８に、コンタクトピン３５が進退可能となるような状態
で取着されている。なおコンタクトピン３５の電極尖端
部３４は、半導体ウェハ２５を挟持していない状態では
パッキング２８の面から外方に突出している。
【００２２】一方、電極部３２のキャップ３６には導電
線３１の他端が接続されており、コンタクトピン３５の
電極尖端部３４と集電板３０とが導通するようになって
いる。そしてキャップ３６には、治具基板２２と同材料
で形成されたカバー３９がこれを覆うように取り付けら
れている。これによって電極部３２は電極尖端部３４が
パッキング２８の面で露出するのみで、他の部分は治具
基板２２等の中に密封される。
線３１の他端が接続されており、コンタクトピン３５の
電極尖端部３４と集電板３０とが導通するようになって
いる。そしてキャップ３６には、治具基板２２と同材料
で形成されたカバー３９がこれを覆うように取り付けら
れている。これによって電極部３２は電極尖端部３４が
パッキング２８の面で露出するのみで、他の部分は治具
基板２２等の中に密封される。
【００２３】さらに治具基板２２には長角孔４０が形成
されていて、この長角孔４０にはロック機構４１が設け
られており、これによって治具基板２２側に回動された
支持板２３が治具基板２２に密着するように固定され
る。例えばロック機構４１は取付けレバー４２と取外し
レバー４３、ロック爪４４を有するもので、取付けレバ
ー４２を操作することでロック爪４４が閉じ、支持板２
３が治具基板２２に密着した状態で固定される。そして
取外しレバー４３を操作しロック爪４４を開くことによ
って支持板２３の密着状態を解除することができる。
されていて、この長角孔４０にはロック機構４１が設け
られており、これによって治具基板２２側に回動された
支持板２３が治具基板２２に密着するように固定され
る。例えばロック機構４１は取付けレバー４２と取外し
レバー４３、ロック爪４４を有するもので、取付けレバ
ー４２を操作することでロック爪４４が閉じ、支持板２
３が治具基板２２に密着した状態で固定される。そして
取外しレバー４３を操作しロック爪４４を開くことによ
って支持板２３の密着状態を解除することができる。
【００２４】そして半導体ウェハ２５に金めっき加工を
施すには、上記ように構成された保持治具２１に半導体
ウェハ２５を挟持させ、さらに図示しないラック内に複
数吊持し、このラックを同じく図示しない金めっき槽に
収納して行なわれる。
施すには、上記ように構成された保持治具２１に半導体
ウェハ２５を挟持させ、さらに図示しないラック内に複
数吊持し、このラックを同じく図示しない金めっき槽に
収納して行なわれる。
【００２５】このため、先ず主面に所定の感光性塗布材
料膜４５が設けられた半導体ウェハ２５を主面を表側に
して支持板２３の支持凹部２６に装着する。続いて治具
基板２２を支持板２３側に回動させてパッキング２８が
支持凹部２６に装着された半導体ウェハ２５の周縁部分
に密着するようにする。そしてロック機構４１を操作す
ることで支持板２３を開かないように治具基板２２に固
定する。
料膜４５が設けられた半導体ウェハ２５を主面を表側に
して支持板２３の支持凹部２６に装着する。続いて治具
基板２２を支持板２３側に回動させてパッキング２８が
支持凹部２６に装着された半導体ウェハ２５の周縁部分
に密着するようにする。そしてロック機構４１を操作す
ることで支持板２３を開かないように治具基板２２に固
定する。
【００２６】こうすることで半導体ウェハ２５のチップ
形成領域が開口２７から除いた状態になり、パッキング
２８の面が半導体ウェハ２５の周縁面に圧接する。同時
に、パッキング２８の面から外方にスプリングによって
付勢され突出していたコンタクトピン３５の電極尖端部
３４が、半導体ウェハ２５の周縁部分、例えば外周から
２ｍｍ程度内側の部分に所定の押圧でもって接触する。
こうして電極尖端部３４が設けられているパッキング２
８の貫通孔３８が、半導体ウェハ２５の周縁面によって
閉塞された状態になり、電極部３２は全て治具基板２２
等の中に密封される。
形成領域が開口２７から除いた状態になり、パッキング
２８の面が半導体ウェハ２５の周縁面に圧接する。同時
に、パッキング２８の面から外方にスプリングによって
付勢され突出していたコンタクトピン３５の電極尖端部
３４が、半導体ウェハ２５の周縁部分、例えば外周から
２ｍｍ程度内側の部分に所定の押圧でもって接触する。
こうして電極尖端部３４が設けられているパッキング２
８の貫通孔３８が、半導体ウェハ２５の周縁面によって
閉塞された状態になり、電極部３２は全て治具基板２２
等の中に密封される。
【００２７】この後に、半導体ウェハ２５を挟持した保
持治具２１は、集電板３０が図示しないラックの電極部
に導通するようにして吊持部２９によってラック内に複
数吊持され、ラックを金めっき槽に収納される。そして
半導体ウェハ２５の主面がめっき液中に浸るようにす
る。そして所定時間保持して該主面に所望の金めっき層
を形成する。
持治具２１は、集電板３０が図示しないラックの電極部
に導通するようにして吊持部２９によってラック内に複
数吊持され、ラックを金めっき槽に収納される。そして
半導体ウェハ２５の主面がめっき液中に浸るようにす
る。そして所定時間保持して該主面に所望の金めっき層
を形成する。
【００２８】この際、パッキング２８が半導体ウェハ２
５の周縁面に圧接するため、段付孔３７と貫通孔３８の
内部が略液密状態に保持され、この内部に設けられた電
極部３２及び半導体ウェハ２５の電極尖端部３４の接触
部位がめっき液にほとんど接触することがない。このた
め電極尖端部３４は半導体ウェハ２５のチップ形成領域
には接触せずにめっき加工が行なえ、また電極尖端部３
４には金析出物が付着することがない。
５の周縁面に圧接するため、段付孔３７と貫通孔３８の
内部が略液密状態に保持され、この内部に設けられた電
極部３２及び半導体ウェハ２５の電極尖端部３４の接触
部位がめっき液にほとんど接触することがない。このた
め電極尖端部３４は半導体ウェハ２５のチップ形成領域
には接触せずにめっき加工が行なえ、また電極尖端部３
４には金析出物が付着することがない。
【００２９】そして、半導体ウェハ２５の主面に所望の
金めっき層を形成してから、保持治具２１は金めっき槽
から出されラックから外される。外された後保持治具２
１は、ロック機構４１の取外しレバー４３が操作される
ことでロック爪４４が開かれ治具基板２２と支持板２３
の密着状態が解除され、所望の金めっき層が形成された
半導体ウェハ２５が取り外される。
金めっき層を形成してから、保持治具２１は金めっき槽
から出されラックから外される。外された後保持治具２
１は、ロック機構４１の取外しレバー４３が操作される
ことでロック爪４４が開かれ治具基板２２と支持板２３
の密着状態が解除され、所望の金めっき層が形成された
半導体ウェハ２５が取り外される。
【００３０】以上説明したように本実施例は構成されて
いるので、コンタクトピン３５の電極尖端部３４は半導
体ウェハ２５の周縁部分に圧接して通電し、チップ形成
領域には接触しない。このためチップ形成領域に電極尖
端部３４による傷がつくことがなく、それによって不良
チップを生み出すことがなくなり、歩留が向上したもの
となる。
いるので、コンタクトピン３５の電極尖端部３４は半導
体ウェハ２５の周縁部分に圧接して通電し、チップ形成
領域には接触しない。このためチップ形成領域に電極尖
端部３４による傷がつくことがなく、それによって不良
チップを生み出すことがなくなり、歩留が向上したもの
となる。
【００３１】また、半導体ウェハ２５の電極尖端部３４
はめっき液にほとんど接触することがないことから、電
極尖端部３４には金析出物が付着することがない。この
ため、例えば付着した金析出物を約３時間かけて１日１
回除去していた保守作業がなくなり、２週間に１回の１
０〜２０分の電極部３２の点検を行なう程度の保守作業
でよいことになる。さらに保守作業による途中停止がな
いので装置としての稼動時間が増し、めっき加工の処理
能力を、例えば従来が２５０ロット／月であったもの
を、３００ロット／月と向上させることができる。
はめっき液にほとんど接触することがないことから、電
極尖端部３４には金析出物が付着することがない。この
ため、例えば付着した金析出物を約３時間かけて１日１
回除去していた保守作業がなくなり、２週間に１回の１
０〜２０分の電極部３２の点検を行なう程度の保守作業
でよいことになる。さらに保守作業による途中停止がな
いので装置としての稼動時間が増し、めっき加工の処理
能力を、例えば従来が２５０ロット／月であったもの
を、３００ロット／月と向上させることができる。
【００３２】尚、本発明は上記の実施例のみに限定され
るものではなく、要旨を逸脱しない範囲内で適宜変更し
て実施し得るものである。
るものではなく、要旨を逸脱しない範囲内で適宜変更し
て実施し得るものである。
【００３３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明
は、保持治具が挟持する半導体ウェハに、電極がパッキ
ングを貫通して半導体ウェハのチップ形成領域外の周縁
部位で液密に接触する構成としたことにより、歩留を向
上させることができると共にめっき加工の処理能力の向
上や保守作業時間の短縮が行える等の効果を奏する。
は、保持治具が挟持する半導体ウェハに、電極がパッキ
ングを貫通して半導体ウェハのチップ形成領域外の周縁
部位で液密に接触する構成としたことにより、歩留を向
上させることができると共にめっき加工の処理能力の向
上や保守作業時間の短縮が行える等の効果を奏する。
【図１】本発明の一実施例に係る保持治具を示す図であ
って、図１（ａ）は正面図で、図１（ｂ）は縦断面図で
ある。
って、図１（ａ）は正面図で、図１（ｂ）は縦断面図で
ある。
【図２】本発明の一実施例における支持板が固定されて
いない時の図１（ａ）のＡ−Ａ矢方向視の部分拡大断面
図である。
いない時の図１（ａ）のＡ−Ａ矢方向視の部分拡大断面
図である。
【図３】本発明の一実施例における支持板が固定された
時の図１（ａ）のＡ−Ａ矢方向視の部分拡大断面図であ
る。
時の図１（ａ）のＡ−Ａ矢方向視の部分拡大断面図であ
る。
【図４】従来例に係る保持治具を示す斜視図である。
【図５】従来例の保持治具の正面図である。
【図６】従来例の保持治具の断面図である。
【図７】従来例の保持治具の電極針接触部分を示す部分
拡大図である。
拡大図である。
２１…保持治具 ２２…治具基板 ２３…支持基板 ２５…半導体ウェハ ２８…パッキング ３２…電極部 ３４…電極尖端部 ３５…コンタクトピン ３８…貫通孔
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｎ 8418−4Ｍ
Claims (1)
- 【請求項１】 保持治具が半導体ウェハを周縁部にパッ
キングを圧接するようにして挟持すると共に、前記半導
体ウェハに電極を接触させて該半導体ウェハの主面のチ
ップ形成領域にめっき加工を施すようにした半導体製造
装置において、前記電極が、前記パッキングを貫通して
前記半導体ウェハのチップ形成領域外の周縁部位に液密
に接触するように設けられていることを特徴とする半導
体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9639393A JPH06310461A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9639393A JPH06310461A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310461A true JPH06310461A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14163719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9639393A Pending JPH06310461A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06310461A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000070128A1 (en) * | 1999-05-18 | 2000-11-23 | Ebara Corporation | Plating jig and device for semiconductor wafer |
| EP1195454A3 (en) * | 2000-10-06 | 2003-02-12 | Yamamoto-Ms Co, Ltd. | Cathode cartridge and anode cartridge of testing device for electroplating |
| EP1164209A3 (en) * | 2000-05-24 | 2003-02-12 | Yamamoto-Ms Co, Ltd. | Cathode cartridge of testing device for electroplating and testing device for electroplating |
| EP1386984A1 (en) * | 2002-04-12 | 2004-02-04 | Yamamoto-Ms Co, Ltd. | Cathode cartridge for electroplating tester |
| US7601248B2 (en) * | 2002-06-21 | 2009-10-13 | Ebara Corporation | Substrate holder and plating apparatus |
| US7833393B2 (en) | 1999-05-18 | 2010-11-16 | Ebara Corporation | Semiconductor wafer holder and electroplating system for plating a semiconductor wafer |
| CN103344794A (zh) * | 2013-06-24 | 2013-10-09 | 上海华力微电子有限公司 | 一种多功能半导体样品夹具 |
| KR101406669B1 (ko) * | 2012-07-31 | 2014-06-11 | 주식회사 오킨스전자 | 웨이퍼 캐리어 및 그 시스템 |
| US9593430B2 (en) | 2002-07-22 | 2017-03-14 | Ebara Corporation | Electrochemical deposition method |
| CN108022869A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-05-11 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 晶圆挂具 |
| US11129624B2 (en) | 2009-12-22 | 2021-09-28 | Cook Medical Technologies Llc | Medical devices with detachable pivotable jaws |
| US12070224B2 (en) | 2009-12-22 | 2024-08-27 | Cook Medical Technologies Llc | Medical devices with detachable pivotable jaws |
-
1993
- 1993-04-23 JP JP9639393A patent/JPH06310461A/ja active Pending
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8961755B2 (en) | 1999-05-18 | 2015-02-24 | Ebara Corporation | Semiconductor wafer holder and electroplating system for plating a semiconductor wafer |
| US9714476B2 (en) | 1999-05-18 | 2017-07-25 | Ebara Corporation | Semiconductor wafer holder and electroplating system for plating a semiconductor wafer |
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| US6811661B2 (en) * | 2000-05-24 | 2004-11-02 | Yamamoto-Ms Co., Ltd. | Cathode cartridge of testing device for electroplating and testing device for electroplating |
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| US9506162B2 (en) | 2002-06-21 | 2016-11-29 | Ebara Corporation | Electrochemical deposition method |
| US8936705B2 (en) | 2002-06-21 | 2015-01-20 | Ebara Corporation | Electrochemical deposition apparatus |
| US8337680B2 (en) | 2002-06-21 | 2012-12-25 | Ebara Corporation | Substrate holder and plating apparatus |
| US9388505B2 (en) | 2002-06-21 | 2016-07-12 | Ebara Corporation | Electrochemical deposition method |
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