JPH06310580A - 半導体ウエーハの温度測定方法及び温度測定手段を備える半導体ウエーハ - Google Patents
半導体ウエーハの温度測定方法及び温度測定手段を備える半導体ウエーハInfo
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- JPH06310580A JPH06310580A JP11777993A JP11777993A JPH06310580A JP H06310580 A JPH06310580 A JP H06310580A JP 11777993 A JP11777993 A JP 11777993A JP 11777993 A JP11777993 A JP 11777993A JP H06310580 A JPH06310580 A JP H06310580A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜形成、微細加工を繰り返して、熱電対を
半導体ウエーハ上に作り込むことより、半導体製造装置
内におけるウエーハの温度測定の応答性及び信頼性を高
める方法を提供することにある。 【構成】 ウエーハ上にて金属薄膜の形成、微細加工を
繰り返し複数個の熱電対５を形成し、データ取り出し用
のパッド７をウエーハの端部に設ける。そしてそのパッ
ドよりデータを外部に取り出すことを可能にしている。
ウエーハと熱電対を一体化することにより、半導体製造
装置内におけるウエーハの温度測定の応答性及び信頼性
を高めることが可能となった。 【効果】 半導体製造装置内で処理中のウエーハの、面
内温度マップの作製や、温度変化のモニタリングの信頼
性向上が可能になる。
半導体ウエーハ上に作り込むことより、半導体製造装置
内におけるウエーハの温度測定の応答性及び信頼性を高
める方法を提供することにある。 【構成】 ウエーハ上にて金属薄膜の形成、微細加工を
繰り返し複数個の熱電対５を形成し、データ取り出し用
のパッド７をウエーハの端部に設ける。そしてそのパッ
ドよりデータを外部に取り出すことを可能にしている。
ウエーハと熱電対を一体化することにより、半導体製造
装置内におけるウエーハの温度測定の応答性及び信頼性
を高めることが可能となった。 【効果】 半導体製造装置内で処理中のウエーハの、面
内温度マップの作製や、温度変化のモニタリングの信頼
性向上が可能になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置内での半
導体ウエーハの温度測定方法に係わり、特に、薄膜形
成、微細加工を繰り返して、熱電対をウエーハ上に作り
込み、半導体製造装置内で処理中のウエーハの温度を測
定する方法に関する。
導体ウエーハの温度測定方法に係わり、特に、薄膜形
成、微細加工を繰り返して、熱電対をウエーハ上に作り
込み、半導体製造装置内で処理中のウエーハの温度を測
定する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来は、熱電対を製造する時、異種金属
を線状または薄膜状にしたものを熱融着して接続してい
た。この方式では、ウエーハの温度を知るために、熱電
対を接着剤または、テープでウエーハ上に貼り付けなけ
ればならず、接触抵抗のための応答性低下、高温雰囲気
での使用時の信頼性低下などの問題点があった。
を線状または薄膜状にしたものを熱融着して接続してい
た。この方式では、ウエーハの温度を知るために、熱電
対を接着剤または、テープでウエーハ上に貼り付けなけ
ればならず、接触抵抗のための応答性低下、高温雰囲気
での使用時の信頼性低下などの問題点があった。
【０００３】従って、薄膜形成、微細加工を繰り返し
て、熱電対をウエーハ上に作り込むことは応答性の良い
温度測定を行う上で重要である。
て、熱電対をウエーハ上に作り込むことは応答性の良い
温度測定を行う上で重要である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の目的
は、薄膜形成、微細加工を繰り返して、熱電対をウエー
ハ上に作り込むことにより、半導体製造装置内における
ウエーハの温度測定の応答性及び信頼性を高める方法を
提供することにある。
は、薄膜形成、微細加工を繰り返して、熱電対をウエー
ハ上に作り込むことにより、半導体製造装置内における
ウエーハの温度測定の応答性及び信頼性を高める方法を
提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の温度測定方法においては、ウエーハ上に形
成された第１の金属層と、第１の金属層と接し第１の金
属層の金属とは異なる第２の金属よりなる第２の金属層
と、第１の金属層及び第２の金属層からの信号取り出し
パッドからなる熱電対を用いて温度測定を行う。
に、本発明の温度測定方法においては、ウエーハ上に形
成された第１の金属層と、第１の金属層と接し第１の金
属層の金属とは異なる第２の金属よりなる第２の金属層
と、第１の金属層及び第２の金属層からの信号取り出し
パッドからなる熱電対を用いて温度測定を行う。
【０００６】
【作用】ウエーハ上にて金属薄膜の形成、微細加工を繰
り返し複数個の熱電対を形成し、データ取り出し用のパ
ッドをウエーハの端部に設ける。そしてそのパッドより
データを外部に取り出す。
り返し複数個の熱電対を形成し、データ取り出し用のパ
ッドをウエーハの端部に設ける。そしてそのパッドより
データを外部に取り出す。
【０００７】ウエーハと熱電対を一体化することによ
り、半導体製造装置内におけるウエーハの温度測定の応
答性及び信頼性を高めることが可能となった。
り、半導体製造装置内におけるウエーハの温度測定の応
答性及び信頼性を高めることが可能となった。
【０００８】
【実施例】図１及び図２は、本発明の実施例における熱
電対作製方法を示す図である。熱電対部５の基板をエッ
チングし（図１（ａ））、全面に酸化膜１を成膜する
（図１（ｂ））。次に、金属層Ａ２を形成し（図１
（ｃ））、熱電対部５、配線部６、パッド部７を残して
エッチングする（図１（ｄ））。同様に金属層Ｂ３を形
成し（図２（ａ））、熱電対部５、配線部６、パッド部
７を残してエッチングする（図２（ｂ））。この時、金
属層Ａ２と金属層Ｂ３が接触するように微細加工を行
う。場合によっては、金属層Ｂ３をエッチングした後に
熱処理工程を加えても良い。ウエーハ表面の汚染及び温
度測定中に測定対象装置の汚染を防ぐため、最後にパッ
ド部７を残して全面に保護膜４を成膜する（図２
（ｃ））。
電対作製方法を示す図である。熱電対部５の基板をエッ
チングし（図１（ａ））、全面に酸化膜１を成膜する
（図１（ｂ））。次に、金属層Ａ２を形成し（図１
（ｃ））、熱電対部５、配線部６、パッド部７を残して
エッチングする（図１（ｄ））。同様に金属層Ｂ３を形
成し（図２（ａ））、熱電対部５、配線部６、パッド部
７を残してエッチングする（図２（ｂ））。この時、金
属層Ａ２と金属層Ｂ３が接触するように微細加工を行
う。場合によっては、金属層Ｂ３をエッチングした後に
熱処理工程を加えても良い。ウエーハ表面の汚染及び温
度測定中に測定対象装置の汚染を防ぐため、最後にパッ
ド部７を残して全面に保護膜４を成膜する（図２
（ｃ））。
【０００９】図３は、本発明にて製造された熱電対ウエ
ーハによる温度測定法を示す図である。ウエーハ上に複
数個作られた熱電対部５よりデータ取り出し用のパッド
部７まで配線され、全ての熱電対のデータを取り出せる
ようになっている。このパッド部７はウエーハ端部に複
数個設けても良い。パッド部７から記録装置９までは、
耐熱の被覆配線８にて配線される。半導体製造装置にて
ウエーハを処理中に、ウエーハ各部の温度変化が分か
り、記録装置９にてウエーハ上の経時的な温度変化マッ
プを作製することができる。
ーハによる温度測定法を示す図である。ウエーハ上に複
数個作られた熱電対部５よりデータ取り出し用のパッド
部７まで配線され、全ての熱電対のデータを取り出せる
ようになっている。このパッド部７はウエーハ端部に複
数個設けても良い。パッド部７から記録装置９までは、
耐熱の被覆配線８にて配線される。半導体製造装置にて
ウエーハを処理中に、ウエーハ各部の温度変化が分か
り、記録装置９にてウエーハ上の経時的な温度変化マッ
プを作製することができる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体製造装置内で処理中のウエーハの、面内温度マップ
の作製や、温度変化のモニタリングの信頼性の向上が可
能になる。
導体製造装置内で処理中のウエーハの、面内温度マップ
の作製や、温度変化のモニタリングの信頼性の向上が可
能になる。
【図１】本発明の実施例における熱電対作製方法を示す
図である。
図である。
【図２】本発明の実施例における熱電対作製方法を示す
図である。
図である。
【図３】本発明にて製造された熱電対を備える半導体ウ
エーハによる温度測定法を示す図である。
エーハによる温度測定法を示す図である。
１ 酸化膜 ２ 金属層Ａ ３ 金属層Ｂ ４ 保護膜 ５ 熱電対部 ６ 配線部 ７ パッド部 ８ 被覆配線 ９ 記録装置
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１０月１２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】
【実施例】図１及び図２は、本発明の実施例における熱
電対作製方法を示す図であり、図３は熱電対の平面図で
ある。熱電対部５の基板をエッチングし（図１
（ａ））、全面に酸化膜１を成膜する（図１（ｂ））。
次に、金属層Ａ２を形成し（図１（ｃ））、熱電対部
５、配線部６、パッド部７を残してエッチングする（図
１（ｄ））。同様に金属層Ｂ３を形成し（図２
（ａ））、熱電対部５、配線部６、パッド部７を残して
エッチングする（図２（ｂ））。この時、金属層Ａ２と
金属層Ｂ３が接触するように微細加工を行う。場合によ
っては、金属層Ｂ３をエッチングした後に熱処理工程を
加えても良い。ウエーハ表面の汚染及び温度測定中に測
定対象装置の汚染を防ぐため、最後にパッド部７を残し
て全面に保護膜４を成膜する（図２（ｃ））。
電対作製方法を示す図であり、図３は熱電対の平面図で
ある。熱電対部５の基板をエッチングし（図１
（ａ））、全面に酸化膜１を成膜する（図１（ｂ））。
次に、金属層Ａ２を形成し（図１（ｃ））、熱電対部
５、配線部６、パッド部７を残してエッチングする（図
１（ｄ））。同様に金属層Ｂ３を形成し（図２
（ａ））、熱電対部５、配線部６、パッド部７を残して
エッチングする（図２（ｂ））。この時、金属層Ａ２と
金属層Ｂ３が接触するように微細加工を行う。場合によ
っては、金属層Ｂ３をエッチングした後に熱処理工程を
加えても良い。ウエーハ表面の汚染及び温度測定中に測
定対象装置の汚染を防ぐため、最後にパッド部７を残し
て全面に保護膜４を成膜する（図２（ｃ））。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例における熱電対作製方法を示す
図である。
図である。
【図２】本発明の実施例における熱電対作製方法を示す
図である。
図である。
【図３】本発明の実施例における熱電対の平面図であ
る 。
る 。
【図４】本発明にて製造された熱電対を備える半導体ウ
エーハによる温度測定法を示す図である。
エーハによる温度測定法を示す図である。
【符号の説明】 １ 酸化膜 ２ 金属層Ａ ３ 金属層Ｂ ４ 保護膜 ５ 熱電対部 ６ 配線部 ７ パッド部 ８ 被覆配線 ９ 記録装置
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体製造装置内で処理中の半導体ウ
エーハの温度を測定する方法において、半導体ウエーハ
上に形成された第１の金属層と、前記第１の金属層と接
し前記第１の金属層の金属とは異なる第２の金属よりな
る第２の金属層と、前記第１の金属層及び第２の金属層
からの信号取り出しパッドからなる熱電対を用い、前記
信号取り出しパッドからの電流によって温度測定を行う
ことを特徴とする半導体ウエーハの温度測定方法。 - 【請求項２】 第１の金属層と、前記第１の金属層と
接し前記第１の金属層の金属とは異なる第２の金属より
なる第２の金属層とからなる熱電対がウエーハ全面の複
数箇所に形成され、前記複数の熱電対からの信号取り出
しパッドを備えた半導体ウエーハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11777993A JPH06310580A (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | 半導体ウエーハの温度測定方法及び温度測定手段を備える半導体ウエーハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11777993A JPH06310580A (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | 半導体ウエーハの温度測定方法及び温度測定手段を備える半導体ウエーハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310580A true JPH06310580A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14720116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11777993A Pending JPH06310580A (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | 半導体ウエーハの温度測定方法及び温度測定手段を備える半導体ウエーハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06310580A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001090710A1 (en) * | 2000-05-25 | 2001-11-29 | Kamel Fauzi Razali | Thermocouple passing through encapsulant of integrated circuit |
| JP2006513583A (ja) * | 2002-12-03 | 2006-04-20 | センサレー コーポレイション | 統合化されたプロセス条件検知用ウェハおよびデータ解析システム |
| US7245136B2 (en) | 1998-08-21 | 2007-07-17 | Micron Technology, Inc. | Methods of processing a workpiece, methods of communicating signals with respect to a wafer, and methods of communicating signals within a workpiece processing apparatus |
| US7419299B2 (en) * | 1998-02-27 | 2008-09-02 | Micron Technology, Inc. | Methods of sensing temperature of an electronic device workpiece |
| JP2009123744A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Kelk Ltd | 測定用基板及び温度測定用基板 |
| KR100901649B1 (ko) * | 2002-06-29 | 2009-06-09 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 온도 측정용 웨이퍼 및 그 제조방법 |
| JP2013058760A (ja) * | 2004-07-10 | 2013-03-28 | Kla-Encor Corp | パラメータ測定の歪みを小さくする方法 |
| KR101971117B1 (ko) * | 2018-06-14 | 2019-08-13 | 에이에스티엔지니어링(주) | 마이크로 웰이 적용된 써모커플 웨이퍼 |
| WO2021237602A1 (zh) * | 2020-05-28 | 2021-12-02 | 南昌欧菲显示科技有限公司 | 薄膜式热电偶、温度传感器及智能穿戴设备 |
-
1993
- 1993-04-20 JP JP11777993A patent/JPH06310580A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7419299B2 (en) * | 1998-02-27 | 2008-09-02 | Micron Technology, Inc. | Methods of sensing temperature of an electronic device workpiece |
| US7245136B2 (en) | 1998-08-21 | 2007-07-17 | Micron Technology, Inc. | Methods of processing a workpiece, methods of communicating signals with respect to a wafer, and methods of communicating signals within a workpiece processing apparatus |
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| JP2006513583A (ja) * | 2002-12-03 | 2006-04-20 | センサレー コーポレイション | 統合化されたプロセス条件検知用ウェハおよびデータ解析システム |
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| JP2009123744A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Kelk Ltd | 測定用基板及び温度測定用基板 |
| KR101971117B1 (ko) * | 2018-06-14 | 2019-08-13 | 에이에스티엔지니어링(주) | 마이크로 웰이 적용된 써모커플 웨이퍼 |
| WO2021237602A1 (zh) * | 2020-05-28 | 2021-12-02 | 南昌欧菲显示科技有限公司 | 薄膜式热电偶、温度传感器及智能穿戴设备 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020730 |