JPH06310617A - 半導体レーザ素子用サブマウント - Google Patents
半導体レーザ素子用サブマウントInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザ素子を電気的短絡が生ずること
なく、位置精度よくダイボンドできるサブマウントを得
る。 【構成】 サブマウント２のレーザ接着部２ａ1 〜２ａ
4 の各々を、その最上面の横幅がレーザの接着面の横幅
よりも小さくなるよう形成された，その断面形状が台形
状の凸部でもって形成し、この凸部の最上面及びこれに
続く傾斜面の上端部にそれぞれ電極パターン１６ａ〜１
６ｄとハンダ材１７ａ〜１７ｄをこの順に形成する。
なく、位置精度よくダイボンドできるサブマウントを得
る。 【構成】 サブマウント２のレーザ接着部２ａ1 〜２ａ
4 の各々を、その最上面の横幅がレーザの接着面の横幅
よりも小さくなるよう形成された，その断面形状が台形
状の凸部でもって形成し、この凸部の最上面及びこれに
続く傾斜面の上端部にそれぞれ電極パターン１６ａ〜１
６ｄとハンダ材１７ａ〜１７ｄをこの順に形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、発光点が複数個の半
導体レーザアレイ素子または発光点が一個の半導体レー
ザ素子のダイボンディングに使用されるサブマウントに
関し、特に、半導体レーザアレイ素子または半導体レー
ザ素子を位置精度よく、しかも、その際に不要な短絡を
生ずることなく接着することができるサブマウントに関
するものである。
導体レーザアレイ素子または発光点が一個の半導体レー
ザ素子のダイボンディングに使用されるサブマウントに
関し、特に、半導体レーザアレイ素子または半導体レー
ザ素子を位置精度よく、しかも、その際に不要な短絡を
生ずることなく接着することができるサブマウントに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】図８は、従来の複数のレーザを分離溝を
介して複数並設してなる半導体レーザアレイ素子を放熱
体にダイボンディングする際に用いられるサブマウント
の構成を示す斜視図であり、図において、８は例えばＳ
ｉＣからなるサブマウント、６ａ〜６ｄはサブマウント
上に形成された電極パターン、７ａ〜７ｄは電極パター
ン６ａ〜６ｄ上にそれぞれ形成されたハンダ材である。
尚、図中のＷS10 ，ＷS40 はそれぞれ両端の電極パター
ン６ａ，６ｄの横幅を示し、ＷS1，ＷS4はそれぞれハン
ダ材７ａ，７ｄの横幅を示し、ＷS2は電極パターン６ｂ
とハンダ材７ｂの横幅を示し、ＷS3は電極パターン６ｃ
とハンダ材７ｃの横幅を示している。
介して複数並設してなる半導体レーザアレイ素子を放熱
体にダイボンディングする際に用いられるサブマウント
の構成を示す斜視図であり、図において、８は例えばＳ
ｉＣからなるサブマウント、６ａ〜６ｄはサブマウント
上に形成された電極パターン、７ａ〜７ｄは電極パター
ン６ａ〜６ｄ上にそれぞれ形成されたハンダ材である。
尚、図中のＷS10 ，ＷS40 はそれぞれ両端の電極パター
ン６ａ，６ｄの横幅を示し、ＷS1，ＷS4はそれぞれハン
ダ材７ａ，７ｄの横幅を示し、ＷS2は電極パターン６ｂ
とハンダ材７ｂの横幅を示し、ＷS3は電極パターン６ｃ
とハンダ材７ｃの横幅を示している。
【０００３】また、図９は図８に示した従来のサブマウ
ントを用いて放熱体に半導体レーザアレイ素子をダイボ
ンディングした状態を示す斜視図であり、図において、
図８と同一符号は同一または相当する部分を示し、ここ
で半導体レーザアレイ素子３を構成する各レーザはハン
ダ材７ａ〜７ｄによってサブマウント８の上面に形成さ
れた電極パターン６ａ〜６ｄ上にハンダ付けされ、サブ
マウント８はさらに放熱体としての金属ブロック１に接
着される。そして、この後、半導体レーザアレイ素子３
と各電極パターン６ａ〜６ｄ上に金ワイヤ５ａ〜５ｅが
それぞれワイヤボンディングされる。尚、図中４ａ〜４
ｄは半導体レーザアレイ素子を構成する各レーザの活性
領域（発光点）を示している。
ントを用いて放熱体に半導体レーザアレイ素子をダイボ
ンディングした状態を示す斜視図であり、図において、
図８と同一符号は同一または相当する部分を示し、ここ
で半導体レーザアレイ素子３を構成する各レーザはハン
ダ材７ａ〜７ｄによってサブマウント８の上面に形成さ
れた電極パターン６ａ〜６ｄ上にハンダ付けされ、サブ
マウント８はさらに放熱体としての金属ブロック１に接
着される。そして、この後、半導体レーザアレイ素子３
と各電極パターン６ａ〜６ｄ上に金ワイヤ５ａ〜５ｅが
それぞれワイヤボンディングされる。尚、図中４ａ〜４
ｄは半導体レーザアレイ素子を構成する各レーザの活性
領域（発光点）を示している。
【０００４】ところで、図８，図９において、従来のサ
ブマウント８は平坦な板状の部材からなり、また、サブ
マウント８の上面に形成される電極パターン６ａ〜６ｄ
は、互いに所定間隔を空けて、各々の横幅ＷS10 ，ＷS
2，ＷS3，ＷS40 が半導体レーザアレイ素子３の対応す
るレーザの接着面の横幅ＷL1，ＷL2，ＷL3，ＷL4よりも
広くなるよう形成され、同様に、ハンダ材７ａ，７ｂ，
７ｃ，７ｄも、各々の横幅ＷS1，ＷS2，ＷS3，ＷS4が半
導体レーザアレイ素子３の対応するレーザの接着面の横
幅ＷL1，ＷL2，ＷL3，ＷL4よりも広くなるよう形成され
ている。これは、半導体レーザアレイ素子３のサブマウ
ント上への載置作業において、その載置位置が所定とす
る位置から多少ずれたとしても、半導体レーザアレイ素
子３の各レーザが接着すべき電極パターン上に確実に接
着できるようにするためである。
ブマウント８は平坦な板状の部材からなり、また、サブ
マウント８の上面に形成される電極パターン６ａ〜６ｄ
は、互いに所定間隔を空けて、各々の横幅ＷS10 ，ＷS
2，ＷS3，ＷS40 が半導体レーザアレイ素子３の対応す
るレーザの接着面の横幅ＷL1，ＷL2，ＷL3，ＷL4よりも
広くなるよう形成され、同様に、ハンダ材７ａ，７ｂ，
７ｃ，７ｄも、各々の横幅ＷS1，ＷS2，ＷS3，ＷS4が半
導体レーザアレイ素子３の対応するレーザの接着面の横
幅ＷL1，ＷL2，ＷL3，ＷL4よりも広くなるよう形成され
ている。これは、半導体レーザアレイ素子３のサブマウ
ント上への載置作業において、その載置位置が所定とす
る位置から多少ずれたとしても、半導体レーザアレイ素
子３の各レーザが接着すべき電極パターン上に確実に接
着できるようにするためである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
半導体レーザアレイ素子用のサブマウントは、その上面
が平坦な板状部材により構成されており、そして、ダイ
ボンディング時における半導体レーザアレイ素子の載置
作業時における載置位置の位置ずれを見込んで、その上
面に形成する電極パターンの横幅とハンダ材の横幅を、
半導体レーザアレイ素子の各レーザの接着面の横幅より
も大きくしている。
半導体レーザアレイ素子用のサブマウントは、その上面
が平坦な板状部材により構成されており、そして、ダイ
ボンディング時における半導体レーザアレイ素子の載置
作業時における載置位置の位置ずれを見込んで、その上
面に形成する電極パターンの横幅とハンダ材の横幅を、
半導体レーザアレイ素子の各レーザの接着面の横幅より
も大きくしている。
【０００６】しかしながら、このような構成からなるサ
ブマウントに、半導体レーザアレイ素子をダイボンディ
ングする際、その圧接力やハンダ材の量，載置位置等の
影響により、図１０に示すように、ハンダが半導体レー
ザアレイ素子３の各レーザの側部に盛り上がり、その側
壁面３ａにハンダ材７ｂが付着して、この間に電気的短
絡が生じてしまうという問題点があった。また、図１１
に示すように、隣接する電極パターン６ｂ，６ｃ上のハ
ンダ材７ｂ，７ｃが横方向に広がって接触し、この間に
電気的短絡を生じてしまうという問題点があった。ま
た、図１２に示すように、半導体レーザアレイ素子３が
所定の載置位置から大きく外れてしまった場合は、半導
体レーザアレイ素子３の各レーザ（例えば、図中の活性
領域４ｂを有するレーザ）が、本来は接合すべきでな
い，接合すべきハンダ材（図中の電極パターン６ｂ上の
ハンダ材７ｂ）に隣接するハンダ材（図中の電極パター
ン６ｃ上のハンダ材７ｃ）にも接合し、この間に短絡が
生じ、また、その接合強度も低下してしまうという問題
点があった。
ブマウントに、半導体レーザアレイ素子をダイボンディ
ングする際、その圧接力やハンダ材の量，載置位置等の
影響により、図１０に示すように、ハンダが半導体レー
ザアレイ素子３の各レーザの側部に盛り上がり、その側
壁面３ａにハンダ材７ｂが付着して、この間に電気的短
絡が生じてしまうという問題点があった。また、図１１
に示すように、隣接する電極パターン６ｂ，６ｃ上のハ
ンダ材７ｂ，７ｃが横方向に広がって接触し、この間に
電気的短絡を生じてしまうという問題点があった。ま
た、図１２に示すように、半導体レーザアレイ素子３が
所定の載置位置から大きく外れてしまった場合は、半導
体レーザアレイ素子３の各レーザ（例えば、図中の活性
領域４ｂを有するレーザ）が、本来は接合すべきでな
い，接合すべきハンダ材（図中の電極パターン６ｂ上の
ハンダ材７ｂ）に隣接するハンダ材（図中の電極パター
ン６ｃ上のハンダ材７ｃ）にも接合し、この間に短絡が
生じ、また、その接合強度も低下してしまうという問題
点があった。
【０００７】尚、ここでは半導体レーザアレイ素子につ
いて説明したが、活性領域（発光点）が一個の半導体レ
ーザ素子をダイボンドする時にも同様の問題点が生ず
る。
いて説明したが、活性領域（発光点）が一個の半導体レ
ーザ素子をダイボンドする時にも同様の問題点が生ず
る。
【０００８】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、半導体レーザアレイ素子または
半導体レーザ素子を位置精度よくダイボンディングで
き、このダイボンディング時に不要な電気的短絡が生ず
ることがないサブマウントを得ることを目的としてい
る。
ためになされたもので、半導体レーザアレイ素子または
半導体レーザ素子を位置精度よくダイボンディングで
き、このダイボンディング時に不要な電気的短絡が生ず
ることがないサブマウントを得ることを目的としてい
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる半導体
レーザ素子用サブマウントは、半導体レーザアレイ素子
を構成する個々のレーザ、或いは、発光点が一個の半導
体レーザが載置される平坦面の横幅をレーザの横幅より
小さくするとともに、この隣に下方に傾斜する傾斜面を
形成し、上記平坦面及びこれに続く傾斜面上に電極パタ
ーンとハンダ材とを形成したものである。
レーザ素子用サブマウントは、半導体レーザアレイ素子
を構成する個々のレーザ、或いは、発光点が一個の半導
体レーザが載置される平坦面の横幅をレーザの横幅より
小さくするとともに、この隣に下方に傾斜する傾斜面を
形成し、上記平坦面及びこれに続く傾斜面上に電極パタ
ーンとハンダ材とを形成したものである。
【００１０】更に、この発明にかかる半導体レーザ素子
用サブマウントは、半導体レーザアレイ素子を構成する
個々のレーザ、或いは、発光点が一個の半導体レーザが
載置される平坦面の隣に下方に傾斜する傾斜面を形成
し、これら平坦面及びこれに続く傾斜面上に、平坦面上
における横幅がレーザの接着面の横幅より小さくなるよ
うに電極パターン及びハンダ材とを形成したものであ
る。
用サブマウントは、半導体レーザアレイ素子を構成する
個々のレーザ、或いは、発光点が一個の半導体レーザが
載置される平坦面の隣に下方に傾斜する傾斜面を形成
し、これら平坦面及びこれに続く傾斜面上に、平坦面上
における横幅がレーザの接着面の横幅より小さくなるよ
うに電極パターン及びハンダ材とを形成したものであ
る。
【００１１】
【作用】この発明においては、電極パターンのレーザが
接着される部分の横幅をレーザの接着面の横幅より小さ
くし、電極パターンの他の部分はレーザが接着される部
分から下方に傾斜するようにしたから、ダイボンディン
グ時、電極パターン上に溶融したハンダ材にレーザを圧
接しても、溶融したハンダ材はレーザの側壁に盛り上が
ることがなく、この部分におけるハンダ材とレーザとの
短絡を防止することができ、しかも、この溶融したハン
ダ材のうち、レーザの接着面の直下以外の部分にはみ出
したものは、電極パターンの傾斜面に沿って下方向に流
れ、ハンダ材が電極パターンに対して濡れがよく、サブ
マウント本体に対して濡れが悪いことから、電極パター
ンの終端部でもって保持されることになり、隣接するレ
ーザの接着部間でのハンダの接触によって生ずる短絡も
防止することができる。
接着される部分の横幅をレーザの接着面の横幅より小さ
くし、電極パターンの他の部分はレーザが接着される部
分から下方に傾斜するようにしたから、ダイボンディン
グ時、電極パターン上に溶融したハンダ材にレーザを圧
接しても、溶融したハンダ材はレーザの側壁に盛り上が
ることがなく、この部分におけるハンダ材とレーザとの
短絡を防止することができ、しかも、この溶融したハン
ダ材のうち、レーザの接着面の直下以外の部分にはみ出
したものは、電極パターンの傾斜面に沿って下方向に流
れ、ハンダ材が電極パターンに対して濡れがよく、サブ
マウント本体に対して濡れが悪いことから、電極パター
ンの終端部でもって保持されることになり、隣接するレ
ーザの接着部間でのハンダの接触によって生ずる短絡も
防止することができる。
【００１２】更に、電極パターンのレーザが接着される
部分の横幅を、レーザの接着面の横幅よりも小さくして
いることから、電極パターンのこの部分で溶融して液状
になったハンダ材の表面張力によって、このハンダ材に
接触するレーザがハンダ材の中心位置に移動することに
なり、レーザの載置する位置が所定の位置から多少ずれ
たとしても、所定位置に、即ち、ハンダ材の中心とレー
ザの中心が重なるようにハンダ付けすることができる。
部分の横幅を、レーザの接着面の横幅よりも小さくして
いることから、電極パターンのこの部分で溶融して液状
になったハンダ材の表面張力によって、このハンダ材に
接触するレーザがハンダ材の中心位置に移動することに
なり、レーザの載置する位置が所定の位置から多少ずれ
たとしても、所定位置に、即ち、ハンダ材の中心とレー
ザの中心が重なるようにハンダ付けすることができる。
【００１３】
【実施例】実施例１．図１は、この発明の実施例１によ
るサブマウントの構成を示す斜視図、図５は図１に示し
たサブマウントを用いて半導体レーザアレイ素子を放熱
体にダイボンディングした状態を示す斜視図であり、こ
れらの図において、図８と同一符号は同一または相当す
る部分を示し、２はサブマウント、２ａ1 〜２ａ4 はレ
ーザ接着部、２ｂ1 〜２ｂ4 はワイヤボンディング部、
１６ａ〜１６ｄは電極パターン、１７ａ〜１７ｄはハン
ダ材、２１は断面形状がＶ字状の溝（以下、単にＶ字溝
と称す。）、２１ａは溝（凹部）である。
るサブマウントの構成を示す斜視図、図５は図１に示し
たサブマウントを用いて半導体レーザアレイ素子を放熱
体にダイボンディングした状態を示す斜視図であり、こ
れらの図において、図８と同一符号は同一または相当す
る部分を示し、２はサブマウント、２ａ1 〜２ａ4 はレ
ーザ接着部、２ｂ1 〜２ｂ4 はワイヤボンディング部、
１６ａ〜１６ｄは電極パターン、１７ａ〜１７ｄはハン
ダ材、２１は断面形状がＶ字状の溝（以下、単にＶ字溝
と称す。）、２１ａは溝（凹部）である。
【００１４】これらの図に示すように、この実施例のサ
ブマウント２は、半導体レーザアレイ素子３の各レーザ
毎のレーザ接着部２ａ1 〜２ａ4 とこれに続くワイヤボ
ンディング部２ｂ1 〜２ｂ4 が、Ｖ字溝２１、溝（凹
部）２１ａによって互いに分離され、その断面形状が台
形状となるように形成されている。尚、図中、両サイド
のワイヤボンディング部２ｂ1 ，２ｂ4 はその外側に隣
接するワイヤボンディング部がないため、その一方の側
には溝（凹部）は形成されていない。ここで、半導体レ
ーザアレイ素子３の各レーザに対応するその断面形状が
台形状の凸部からなるレーザ接着部２ａ1 〜２ａ4 の頂
上、即ち、接着されるべきレーザとの接着面の横幅Ｗs
a，Ｗsb，Ｗsc，Ｗsdは、半導体レーザアレイ素子３の
各レーザの接着面の横幅ＷLa，ＷLb，ＷLc，ＷLdよりも
小さくなるよう形成されている。そして、サブマウント
２のその断面形状が台形状の凸部からなるレーザ接着部
２ａ1〜２ａ4 の頂上とこれに続く斜面の一部、及び、
ワイヤボンディング部２ｂ1 〜２ｂ4 の上面に電極パタ
ーン１６ａ〜１６ｄが形成され、この電極パターン１６
ａ〜１６ｄ上に各々ハンダ材１７ａ〜１７ｄが形成され
ている。
ブマウント２は、半導体レーザアレイ素子３の各レーザ
毎のレーザ接着部２ａ1 〜２ａ4 とこれに続くワイヤボ
ンディング部２ｂ1 〜２ｂ4 が、Ｖ字溝２１、溝（凹
部）２１ａによって互いに分離され、その断面形状が台
形状となるように形成されている。尚、図中、両サイド
のワイヤボンディング部２ｂ1 ，２ｂ4 はその外側に隣
接するワイヤボンディング部がないため、その一方の側
には溝（凹部）は形成されていない。ここで、半導体レ
ーザアレイ素子３の各レーザに対応するその断面形状が
台形状の凸部からなるレーザ接着部２ａ1 〜２ａ4 の頂
上、即ち、接着されるべきレーザとの接着面の横幅Ｗs
a，Ｗsb，Ｗsc，Ｗsdは、半導体レーザアレイ素子３の
各レーザの接着面の横幅ＷLa，ＷLb，ＷLc，ＷLdよりも
小さくなるよう形成されている。そして、サブマウント
２のその断面形状が台形状の凸部からなるレーザ接着部
２ａ1〜２ａ4 の頂上とこれに続く斜面の一部、及び、
ワイヤボンディング部２ｂ1 〜２ｂ4 の上面に電極パタ
ーン１６ａ〜１６ｄが形成され、この電極パターン１６
ａ〜１６ｄ上に各々ハンダ材１７ａ〜１７ｄが形成され
ている。
【００１５】以下、サブマウント２への半導体レーザア
レイ素子のダイボンド工程を説明する。先ず、サブマウ
ント２のその断面形状が台形状の凸部からなるレーザ接
着部２ａ1 〜２ａ4 に、それぞれ電極パターン１６ａ〜
１６ｄを形成し、続いて、ハンダ材１７ａ〜１７ｄを形
成した後、各レーザの活性領域（発光点）４ａ〜４ｄが
下になり、各レーザの接着面が対応する電極パターン１
６ａ〜１６ｄ上に位置するよう、半導体レーザアレイ素
子３をサブマウント２上に載置し、この状態で昇温し、
ハンダ材１７ａ〜１７ｄを溶融させる。この時、凸状の
レーザ接着部２ａ1 〜２ａ4 の上面の横幅Ｗsa，Ｗsb，
Ｗsc，Ｗsd（電極パターン１６ａ〜１６ｄの横幅）がそ
れぞれ半導体レーザアレイ素子３の対応するレーザの接
着面の横幅ＷLa，ＷLb，ＷLc，ＷLdよりも小さくなって
おり、溶融して液状になったハンダ材１７ａ〜１７ｄの
表面張力により、半導体レーザアレイ素子３は、各レー
ザが凸状のレーザ接着部２ａ1 〜２ａ4 に対して最も安
定な載置位置となるように移動する。即ち、各レーザ
は、その中心に位置づけられて形成された活性領域（発
光点）４ａ〜４ｄの各々が対応するその断面形状が台形
状の凸部からなるレーザ接着部２ａ1 〜２ａ4 の上面の
横幅方向における中心に位置するように移動する。そし
て、この状態で素子３の上から圧力をかけて素子３をサ
ブマウント２に押しつけると、凸部からなるレーザ接着
部２ａ1 〜２ａ4 の上面の横幅Ｗsa，Ｗsb，Ｗsc，Ｗsd
は、半導体レーザアレイ素子３の各レーザの接着面の横
幅ＷLa，ＷLb，ＷLc，ＷLdよりも狭いので、溶融して液
状になったハンダ材１７ａ〜１７ｄは従来のように盛り
上がって素子３の側面に付着することはなく、図６に示
すように、凸部からなるレーザ接着部２ａ1 〜２ａ4 の
傾斜面に形成された，電極パターン１６ａ〜１６ｄに沿
って、この傾斜面方向に広がる。ここで、Ｖ字溝２１
の、即ち、凸状のレーザ接着部２ａ1 〜２ａ4 の斜面の
サブマウント材がそのまま露出している部分は、ハンダ
材に対して濡れが悪いので、ハンダ材１７ａ〜１７ｄは
サブマウント表面まで広がらず、電極パターン１６ａ〜
１６ｄの終端部分で保持される。従って、Ｖ字溝２１内
において隣接するレーザ接着部のハンダが接触すること
もない。
レイ素子のダイボンド工程を説明する。先ず、サブマウ
ント２のその断面形状が台形状の凸部からなるレーザ接
着部２ａ1 〜２ａ4 に、それぞれ電極パターン１６ａ〜
１６ｄを形成し、続いて、ハンダ材１７ａ〜１７ｄを形
成した後、各レーザの活性領域（発光点）４ａ〜４ｄが
下になり、各レーザの接着面が対応する電極パターン１
６ａ〜１６ｄ上に位置するよう、半導体レーザアレイ素
子３をサブマウント２上に載置し、この状態で昇温し、
ハンダ材１７ａ〜１７ｄを溶融させる。この時、凸状の
レーザ接着部２ａ1 〜２ａ4 の上面の横幅Ｗsa，Ｗsb，
Ｗsc，Ｗsd（電極パターン１６ａ〜１６ｄの横幅）がそ
れぞれ半導体レーザアレイ素子３の対応するレーザの接
着面の横幅ＷLa，ＷLb，ＷLc，ＷLdよりも小さくなって
おり、溶融して液状になったハンダ材１７ａ〜１７ｄの
表面張力により、半導体レーザアレイ素子３は、各レー
ザが凸状のレーザ接着部２ａ1 〜２ａ4 に対して最も安
定な載置位置となるように移動する。即ち、各レーザ
は、その中心に位置づけられて形成された活性領域（発
光点）４ａ〜４ｄの各々が対応するその断面形状が台形
状の凸部からなるレーザ接着部２ａ1 〜２ａ4 の上面の
横幅方向における中心に位置するように移動する。そし
て、この状態で素子３の上から圧力をかけて素子３をサ
ブマウント２に押しつけると、凸部からなるレーザ接着
部２ａ1 〜２ａ4 の上面の横幅Ｗsa，Ｗsb，Ｗsc，Ｗsd
は、半導体レーザアレイ素子３の各レーザの接着面の横
幅ＷLa，ＷLb，ＷLc，ＷLdよりも狭いので、溶融して液
状になったハンダ材１７ａ〜１７ｄは従来のように盛り
上がって素子３の側面に付着することはなく、図６に示
すように、凸部からなるレーザ接着部２ａ1 〜２ａ4 の
傾斜面に形成された，電極パターン１６ａ〜１６ｄに沿
って、この傾斜面方向に広がる。ここで、Ｖ字溝２１
の、即ち、凸状のレーザ接着部２ａ1 〜２ａ4 の斜面の
サブマウント材がそのまま露出している部分は、ハンダ
材に対して濡れが悪いので、ハンダ材１７ａ〜１７ｄは
サブマウント表面まで広がらず、電極パターン１６ａ〜
１６ｄの終端部分で保持される。従って、Ｖ字溝２１内
において隣接するレーザ接着部のハンダが接触すること
もない。
【００１６】このように本実施例のサブマウントでは、
半導体レーザアレイ素子３の各レーザが接着されるレー
ザ接着部が、Ｖ字溝２１によって分離された，その断面
形状が台形状の凸部によって形成されており、このレー
ザ接着部２ａ1 〜２ａ4 の上面の横幅Ｗsa，Ｗsb，Ｗs
c，Ｗsdが、半導体レーザアレイ素子３の各レーザの接
着面の横幅ＷLa，ＷLb，ＷLc，ＷLdよりも小さく形成さ
れているので、このレーザ接着部２ａ1 〜２ａ4 の上面
とこれに続く傾斜面の一部に形成された電極金属パター
ン１６ａ〜１６ｄの上に形成されたハンダ材１７ａ〜１
７ｄを溶融し、半導体レーザアレイ素子３を圧接して
も、ハンダ材１７ａ〜１７ｄは半導体レーザアレイ素子
３の各レーザの側面まで盛り上がることなく、レーザ接
着部２ａ1 〜２ａ4 の斜面に沿って下方に広がり、電極
金属パターンを１６ａ〜１６ｄの終端で保持される。従
って、ダイボンド時、ハンダ材が半導体レーザアレイ素
子の各レーザの側面に接触することも、隣接する電極パ
ターン上に形成されたハンダ材が接触することも無くな
り、従来のような不要な短絡を無くすことができる。
半導体レーザアレイ素子３の各レーザが接着されるレー
ザ接着部が、Ｖ字溝２１によって分離された，その断面
形状が台形状の凸部によって形成されており、このレー
ザ接着部２ａ1 〜２ａ4 の上面の横幅Ｗsa，Ｗsb，Ｗs
c，Ｗsdが、半導体レーザアレイ素子３の各レーザの接
着面の横幅ＷLa，ＷLb，ＷLc，ＷLdよりも小さく形成さ
れているので、このレーザ接着部２ａ1 〜２ａ4 の上面
とこれに続く傾斜面の一部に形成された電極金属パター
ン１６ａ〜１６ｄの上に形成されたハンダ材１７ａ〜１
７ｄを溶融し、半導体レーザアレイ素子３を圧接して
も、ハンダ材１７ａ〜１７ｄは半導体レーザアレイ素子
３の各レーザの側面まで盛り上がることなく、レーザ接
着部２ａ1 〜２ａ4 の斜面に沿って下方に広がり、電極
金属パターンを１６ａ〜１６ｄの終端で保持される。従
って、ダイボンド時、ハンダ材が半導体レーザアレイ素
子の各レーザの側面に接触することも、隣接する電極パ
ターン上に形成されたハンダ材が接触することも無くな
り、従来のような不要な短絡を無くすことができる。
【００１７】また、半導体レーザアレイ素子３の各レー
ザの接着面の横幅よりもレーザ接着部２ａ1 〜２ａ4 の
上面の横幅が小さいため、溶融して液状になったハンダ
材はその表面張力により、このハンダ材上に接合した半
導体レーザアレイ素子３の各レーザを、レーザ接着部２
ａ1 〜２ａ4 の上面上に形成された対応する電極パター
ン１６ａ〜１６ｄ上の最も安定な位置となるよう移動さ
せる。従って、半導体レーザアレイ素子３の載置位置が
所定の位置から多少ずれたとしても、半導体レーザアレ
イ素子３は、所定位置に、即ち、各レーザの幅方向の中
心が凸状のレーザ接着部の横幅方向の中心に一致するよ
うに位置決めされてハンダ付けされることになる。
ザの接着面の横幅よりもレーザ接着部２ａ1 〜２ａ4 の
上面の横幅が小さいため、溶融して液状になったハンダ
材はその表面張力により、このハンダ材上に接合した半
導体レーザアレイ素子３の各レーザを、レーザ接着部２
ａ1 〜２ａ4 の上面上に形成された対応する電極パター
ン１６ａ〜１６ｄ上の最も安定な位置となるよう移動さ
せる。従って、半導体レーザアレイ素子３の載置位置が
所定の位置から多少ずれたとしても、半導体レーザアレ
イ素子３は、所定位置に、即ち、各レーザの幅方向の中
心が凸状のレーザ接着部の横幅方向の中心に一致するよ
うに位置決めされてハンダ付けされることになる。
【００１８】実施例２．図２は、この発明の実施例２に
よるサブマウントの構成を示す斜視図であり、図におい
て、図１と同一符号は同一または相当する部分を示し、
２Ａはサブマウント、１７ａ′，１７ｄ′はハンダ材、
２６ａ，２６ｄは電極パターンである。即ち、図１に示
した実施例１のサブマウントでは、レーザの接着部を全
てその両脇に溝を形成して凸状に形成したが、このサブ
マウント２Ａでは、最外側にあるレーザ接着部２ａ1 ，
２ａ4 がその両側に溝を形成することなく、その片側の
みにＶ字溝２１を形成して他のレーザ接着部２ａ2 ，２
ａ3 から分離されている。ここで、レーザの接着部２ａ
2 ，２ａ3 は図１と同様にその横幅Ｗsb，Ｗscが、半導
体レーザアレイ素子の対応するレーザの接着面の横幅Ｗ
Lb，ＷLcよりも小さくなっており、レーザの接着部２ａ
1 ，２ａ4 においては、その平坦面上に形成される電極
パターン２６ａ，２６ｄの横幅Ｗsa1 ，Ｗsd1 が半導体
レーザアレイ素子３の接着面の横幅ＷLa，ＷLdよりも小
さくなっている。
よるサブマウントの構成を示す斜視図であり、図におい
て、図１と同一符号は同一または相当する部分を示し、
２Ａはサブマウント、１７ａ′，１７ｄ′はハンダ材、
２６ａ，２６ｄは電極パターンである。即ち、図１に示
した実施例１のサブマウントでは、レーザの接着部を全
てその両脇に溝を形成して凸状に形成したが、このサブ
マウント２Ａでは、最外側にあるレーザ接着部２ａ1 ，
２ａ4 がその両側に溝を形成することなく、その片側の
みにＶ字溝２１を形成して他のレーザ接着部２ａ2 ，２
ａ3 から分離されている。ここで、レーザの接着部２ａ
2 ，２ａ3 は図１と同様にその横幅Ｗsb，Ｗscが、半導
体レーザアレイ素子の対応するレーザの接着面の横幅Ｗ
Lb，ＷLcよりも小さくなっており、レーザの接着部２ａ
1 ，２ａ4 においては、その平坦面上に形成される電極
パターン２６ａ，２６ｄの横幅Ｗsa1 ，Ｗsd1 が半導体
レーザアレイ素子３の接着面の横幅ＷLa，ＷLdよりも小
さくなっている。
【００１９】尚、ここでは図示しないが、このサブマウ
ント２Ａを用いて図５と同様にして半導体レーザアレイ
素子３が放熱体としての金属ブロック１にダイボンディ
ングされる。
ント２Ａを用いて図５と同様にして半導体レーザアレイ
素子３が放熱体としての金属ブロック１にダイボンディ
ングされる。
【００２０】このような本実施例のサブマウントにおい
ても、その最外側のレーザ接着部２ａ1 ，２ａ4 が平坦
状に形成されているが、この上面に形成される電極パタ
ーン２６ａ，２６ｄの横幅Ｗsa1 ，Ｗsd1 が、半導体レ
ーザアレイ素子の接着すべきレーザの接着面の横幅ＷL
a，ＷLdよりも小さくなっているので、何れのレーザ接
着部２ａ1 〜２ａ4 においても、上記実施例１のサブマ
ウントと同様の作用により、上記実施例１と同様の効果
を得ることができる。
ても、その最外側のレーザ接着部２ａ1 ，２ａ4 が平坦
状に形成されているが、この上面に形成される電極パタ
ーン２６ａ，２６ｄの横幅Ｗsa1 ，Ｗsd1 が、半導体レ
ーザアレイ素子の接着すべきレーザの接着面の横幅ＷL
a，ＷLdよりも小さくなっているので、何れのレーザ接
着部２ａ1 〜２ａ4 においても、上記実施例１のサブマ
ウントと同様の作用により、上記実施例１と同様の効果
を得ることができる。
【００２１】実施例３．図３は、この発明の実施例３に
よるサブマウントの構成を示す斜視図であり、図におい
て、図１と同一符号は同一または相当する部分を示し、
２Ｂはサブマウント、２７ａ〜２７ｄはハンダ材であ
る。即ち、図１に示した実施例１のサブマウントでは、
レーザ接着部２ａ1 〜２ａ4 に形成された電極パターン
１６ａ〜１６ｄの全域にハンダ材１７ａ〜１７ｄが形成
されているが、この実施例のサブマウント２Ｂは、電極
パターン１６ａ〜１６ｄの最上部の平坦面にのみハンダ
材２７ａ〜２７ｄを形成している。
よるサブマウントの構成を示す斜視図であり、図におい
て、図１と同一符号は同一または相当する部分を示し、
２Ｂはサブマウント、２７ａ〜２７ｄはハンダ材であ
る。即ち、図１に示した実施例１のサブマウントでは、
レーザ接着部２ａ1 〜２ａ4 に形成された電極パターン
１６ａ〜１６ｄの全域にハンダ材１７ａ〜１７ｄが形成
されているが、この実施例のサブマウント２Ｂは、電極
パターン１６ａ〜１６ｄの最上部の平坦面にのみハンダ
材２７ａ〜２７ｄを形成している。
【００２２】尚、ここでは図示しないが、このサブマウ
ント２Ｂを用いて図５と同様にして半導体レーザアレイ
素子３が放熱体としての金属ブロック１にダイボンディ
ングされる。
ント２Ｂを用いて図５と同様にして半導体レーザアレイ
素子３が放熱体としての金属ブロック１にダイボンディ
ングされる。
【００２３】このような本実施例のサブマウントにおい
ても、ハンダ材１７ａ〜１７ｄを溶融し、半導体レーザ
アレイ素子３を圧接した場合、実施例１のサブマウント
と同じように、溶融したハンダ材１７ａ〜１７ｄが電極
パターン１６ａ〜１６ｄの終端部で保持されることにな
り、何れのレーザ接着部２ａ1 〜２ａ4 においても、上
記実施例１のサブマウントと同様の作用により、上記実
施例１と同様の効果を得ることができる。
ても、ハンダ材１７ａ〜１７ｄを溶融し、半導体レーザ
アレイ素子３を圧接した場合、実施例１のサブマウント
と同じように、溶融したハンダ材１７ａ〜１７ｄが電極
パターン１６ａ〜１６ｄの終端部で保持されることにな
り、何れのレーザ接着部２ａ1 〜２ａ4 においても、上
記実施例１のサブマウントと同様の作用により、上記実
施例１と同様の効果を得ることができる。
【００２４】尚、この実施例のサブマウントでは、最外
側のレーザ接着部２ａ1 ，２ａ4 の外側に溝（凹部）２
１ａを形成したが、実施例２のサブマウントと同様にこ
の溝を設けず、平坦面上に形成される電極パターン１６
ａ，１６ｄとハンダ材２７ａ，２７ｄの横幅をレーザの
接着面の横幅より小さく形成するようにしてもよい。
側のレーザ接着部２ａ1 ，２ａ4 の外側に溝（凹部）２
１ａを形成したが、実施例２のサブマウントと同様にこ
の溝を設けず、平坦面上に形成される電極パターン１６
ａ，１６ｄとハンダ材２７ａ，２７ｄの横幅をレーザの
接着面の横幅より小さく形成するようにしてもよい。
【００２５】実施例４．図４は、この発明の実施例４に
よるサブマウントの構成を示す斜視図であり、図におい
て、図１と同一符号は同一または相当する部分を示し、
２Ｃはサブマウント、２ｂは鋸歯状の溝、３６ａ〜３６
ｄは電極パターン、３７ａ〜３７ｄはハンダ材である。
即ち、図１に示した実施例１のサブマウントでは、Ｖ字
溝２１によって各レーザ接着部２ａ1 〜２ａ4 を分離し
たが、この実施例のサブマウント２Ｃは、各レーザ接着
部２ａ1 〜２ａ4 をその断面形状が鋸歯状の溝２１ｂに
よって分離し、その平坦面上とこれに続く傾斜面の上端
部を覆うように電極パターン３６ａ〜３６ｄとハンダ材
３７ａ〜２７ｄを形成したものである。ここで、一方の
最外側のレーザ接着部２ａ4 に形成された電極パターン
３６ｄ，ハンダ材３７ｄはその終端が溝（凹部）２１ａ
の底面まで延ばされて形成されているが、これはその外
側にレーザ接着部が形成されないためである。ここで、
本実施例のサブマウントでは、ダイボンディング時、半
導体レーザアレイ素子３の圧接により、鋸歯状の溝２１
ｂの垂直に切り立った部分の端部で溶融したハンダ材３
７ａ〜３７ｄが半導体レーザアレイ素子３のレーザの側
壁に多少盛り上がる傾向にあるが、ハンダ材３７ａ〜３
７ｄの傾斜面にそって形成される部分を長くすることに
より、溶融したハンダ材には傾斜面に沿って下方へ流れ
る力が多く働くため、上記のハンダ材の盛り上がりによ
るレーザの側壁面での短絡は生じない。
よるサブマウントの構成を示す斜視図であり、図におい
て、図１と同一符号は同一または相当する部分を示し、
２Ｃはサブマウント、２ｂは鋸歯状の溝、３６ａ〜３６
ｄは電極パターン、３７ａ〜３７ｄはハンダ材である。
即ち、図１に示した実施例１のサブマウントでは、Ｖ字
溝２１によって各レーザ接着部２ａ1 〜２ａ4 を分離し
たが、この実施例のサブマウント２Ｃは、各レーザ接着
部２ａ1 〜２ａ4 をその断面形状が鋸歯状の溝２１ｂに
よって分離し、その平坦面上とこれに続く傾斜面の上端
部を覆うように電極パターン３６ａ〜３６ｄとハンダ材
３７ａ〜２７ｄを形成したものである。ここで、一方の
最外側のレーザ接着部２ａ4 に形成された電極パターン
３６ｄ，ハンダ材３７ｄはその終端が溝（凹部）２１ａ
の底面まで延ばされて形成されているが、これはその外
側にレーザ接着部が形成されないためである。ここで、
本実施例のサブマウントでは、ダイボンディング時、半
導体レーザアレイ素子３の圧接により、鋸歯状の溝２１
ｂの垂直に切り立った部分の端部で溶融したハンダ材３
７ａ〜３７ｄが半導体レーザアレイ素子３のレーザの側
壁に多少盛り上がる傾向にあるが、ハンダ材３７ａ〜３
７ｄの傾斜面にそって形成される部分を長くすることに
より、溶融したハンダ材には傾斜面に沿って下方へ流れ
る力が多く働くため、上記のハンダ材の盛り上がりによ
るレーザの側壁面での短絡は生じない。
【００２６】尚、ここでは図示しないが、このサブマウ
ント２Ｃを用いて図５と同様にして半導体レーザアレイ
素子３が放熱体としての金属ブロック１にダイボンディ
ングされる。
ント２Ｃを用いて図５と同様にして半導体レーザアレイ
素子３が放熱体としての金属ブロック１にダイボンディ
ングされる。
【００２７】このように本実施例のサブマウントにおい
ても、何れのレーザ接着部２ａ1 〜２ａ4 でも、上記実
施例１のサブマウントと同様の作用により、上記実施例
１と同様の効果を得ることができる。また、上記実施例
１〜４においては、電極パターンとハンダ材の形成は、
電極金属とハンダを全面に蒸着した後、得られた金属膜
をパターニングすることにより得ていたが、本実施例の
サブマウントでは、分離溝を鋸歯状の溝２１ｂにしてい
るため、鋸歯状の溝２１ｂの傾斜面に対して垂直方向か
ら電極金属とハンダをこの順に蒸着することにより、パ
ターニング工程を必要とすることなく、鋸歯状の溝２１
ｂの傾斜面の深い部分と垂直に切り立った壁面には電極
金属とハンダを付着させることなく、電極パターン３６
ａ〜３６ｄとハンダ材３７ａ〜３７ｄを形成することが
できる。
ても、何れのレーザ接着部２ａ1 〜２ａ4 でも、上記実
施例１のサブマウントと同様の作用により、上記実施例
１と同様の効果を得ることができる。また、上記実施例
１〜４においては、電極パターンとハンダ材の形成は、
電極金属とハンダを全面に蒸着した後、得られた金属膜
をパターニングすることにより得ていたが、本実施例の
サブマウントでは、分離溝を鋸歯状の溝２１ｂにしてい
るため、鋸歯状の溝２１ｂの傾斜面に対して垂直方向か
ら電極金属とハンダをこの順に蒸着することにより、パ
ターニング工程を必要とすることなく、鋸歯状の溝２１
ｂの傾斜面の深い部分と垂直に切り立った壁面には電極
金属とハンダを付着させることなく、電極パターン３６
ａ〜３６ｄとハンダ材３７ａ〜３７ｄを形成することが
できる。
【００２８】尚、この実施例のサブマウントでは、一方
の最外側のレーザ接着部２ａ1 の上面の横幅Ｗsaをレー
ザの接着面の横幅より小さくしたが、図２に示した実施
例２のサブマウント２Ａと同様に、レーザ接着部２ａ1
の外側に溝２１ａを形成することなく、この上面の横幅
をレーザの接着面の横幅よりも大きくし、この上面に形
成する電極パターンとハンダ材の横幅をレーザの接着面
の横幅よりも小さくしても、同様の効果を得ることがで
きる。
の最外側のレーザ接着部２ａ1 の上面の横幅Ｗsaをレー
ザの接着面の横幅より小さくしたが、図２に示した実施
例２のサブマウント２Ａと同様に、レーザ接着部２ａ1
の外側に溝２１ａを形成することなく、この上面の横幅
をレーザの接着面の横幅よりも大きくし、この上面に形
成する電極パターンとハンダ材の横幅をレーザの接着面
の横幅よりも小さくしても、同様の効果を得ることがで
きる。
【００２９】実施例５．図７は、この発明の実施例５に
よるサブマウントを用いて発光点が１個の半導体レーザ
素子を放熱体にダイボンディングした状態を示す斜視図
であり、図において、図５と同一符号は同一または相当
する部分を示し、２Ｄはサブマウント、２ａはレーザ接
着部、２ｂはワイヤボンディング部、３ｂは半導体レー
ザ素子である。即ち、本実施例のサブマウントは、発光
点が一個の半導体レーザ素子３ｂ用に形成されたもの
で、上記実施例１〜４のサブマウントと同様に、サブマ
ウント２Ｄのレーザ接着部２ａはその断面形状が台形状
の凸部によって形成されており、その上面の横幅も半導
体レーザ素子３ｂの接着面の横幅より小さくなってい
る。そして、この上面とこれに続く傾斜面の上端部を覆
うように電極パターン１６ａとハンダ材１７ａとがこの
順に形成されている。
よるサブマウントを用いて発光点が１個の半導体レーザ
素子を放熱体にダイボンディングした状態を示す斜視図
であり、図において、図５と同一符号は同一または相当
する部分を示し、２Ｄはサブマウント、２ａはレーザ接
着部、２ｂはワイヤボンディング部、３ｂは半導体レー
ザ素子である。即ち、本実施例のサブマウントは、発光
点が一個の半導体レーザ素子３ｂ用に形成されたもの
で、上記実施例１〜４のサブマウントと同様に、サブマ
ウント２Ｄのレーザ接着部２ａはその断面形状が台形状
の凸部によって形成されており、その上面の横幅も半導
体レーザ素子３ｂの接着面の横幅より小さくなってい
る。そして、この上面とこれに続く傾斜面の上端部を覆
うように電極パターン１６ａとハンダ材１７ａとがこの
順に形成されている。
【００３０】このような本実施例のサブマウントにおい
ても、上記実施例１〜４と同様に、発光点が一個の半導
体レーザ素子３ｂの側壁面に溶融したハンダ材１７ａが
盛り上がることはなく、また、半導体レーザ素子３ｂ
が、溶融したハンダ材１７ａの表面張力によって、その
中心、即ち、発光点４ａがハンダ材の中心と重なるよう
に位置決めされるため、位置ずれを起こすことなく正確
にダイボンディングすることができる。
ても、上記実施例１〜４と同様に、発光点が一個の半導
体レーザ素子３ｂの側壁面に溶融したハンダ材１７ａが
盛り上がることはなく、また、半導体レーザ素子３ｂ
が、溶融したハンダ材１７ａの表面張力によって、その
中心、即ち、発光点４ａがハンダ材の中心と重なるよう
に位置決めされるため、位置ずれを起こすことなく正確
にダイボンディングすることができる。
【００３１】尚、この実施例では、レーザ接着部２ａを
その上面の横幅がレーザの接着面の横幅より小さく、か
つ、その２つの側壁面の何れもが傾斜面状に形成された
凸部でもって構成したが、このレーザ接着部２ａを、図
４に示したような一方の側壁面が垂直に切り立ち、他方
の側壁面を傾斜面状に形成した凸部であっても、同様の
効果を得ることができる。また、この際、必ずしもレー
ザ接着部の上面の横幅をレーザの接着面の横幅より小さ
くする必要はなく、この上面の横幅をレーザの接着面の
横幅より大きくし、図２に示すレーザ接着部２ａ1 と同
様にこの上面に形成される電極パターン及びハンダ材の
横幅をレーザの接着面の横幅より小さくすれば、同様の
効果を得ることができる。
その上面の横幅がレーザの接着面の横幅より小さく、か
つ、その２つの側壁面の何れもが傾斜面状に形成された
凸部でもって構成したが、このレーザ接着部２ａを、図
４に示したような一方の側壁面が垂直に切り立ち、他方
の側壁面を傾斜面状に形成した凸部であっても、同様の
効果を得ることができる。また、この際、必ずしもレー
ザ接着部の上面の横幅をレーザの接着面の横幅より小さ
くする必要はなく、この上面の横幅をレーザの接着面の
横幅より大きくし、図２に示すレーザ接着部２ａ1 と同
様にこの上面に形成される電極パターン及びハンダ材の
横幅をレーザの接着面の横幅より小さくすれば、同様の
効果を得ることができる。
【００３２】
【発明の効果】以上のように、この発明にかかる半導体
レーザ素子用サブマウントによれば、レーザ接着部にお
けるレーザが直接接合される部分の電極パターンの横幅
を、レーザの接着面の横幅よりも小さくしたので、ダイ
ボンディング時、レーザを圧接しても電極パターン上で
溶融したハンダ材はレーザの側壁に盛り上がることがな
く、この部分におけるハンダ材とレーザとの短絡を防止
することができ、しかも、この部分で溶融して液状にな
ったハンダ材の表面張力により、このハンダ材に接合す
るレーザはハンダ材の中心位置に移動することになり、
レーザの載置位置が所定の位置から多少ずれたとして
も、ハンダ材の中心位置にレーザの中心が重なるよう、
精度良く位置決めできる効果がある。
レーザ素子用サブマウントによれば、レーザ接着部にお
けるレーザが直接接合される部分の電極パターンの横幅
を、レーザの接着面の横幅よりも小さくしたので、ダイ
ボンディング時、レーザを圧接しても電極パターン上で
溶融したハンダ材はレーザの側壁に盛り上がることがな
く、この部分におけるハンダ材とレーザとの短絡を防止
することができ、しかも、この部分で溶融して液状にな
ったハンダ材の表面張力により、このハンダ材に接合す
るレーザはハンダ材の中心位置に移動することになり、
レーザの載置位置が所定の位置から多少ずれたとして
も、ハンダ材の中心位置にレーザの中心が重なるよう、
精度良く位置決めできる効果がある。
【００３３】また、上記電極パターンを、サブマウント
本体のその断面形状が台形状の凸部の最上面とこれに続
く傾斜面の上端部を覆うように形成したので、溶融した
ハンダ材のうち、レーザの接着面の直下以外の部分には
み出したものは、台形状の凸部の傾斜面からなる側壁に
沿って下方向に流れて、電極パターンの終端部で保持さ
れることになり、隣接するレーザの接着部間でのハンダ
の接触による短絡を防止できる効果がある。
本体のその断面形状が台形状の凸部の最上面とこれに続
く傾斜面の上端部を覆うように形成したので、溶融した
ハンダ材のうち、レーザの接着面の直下以外の部分には
み出したものは、台形状の凸部の傾斜面からなる側壁に
沿って下方向に流れて、電極パターンの終端部で保持さ
れることになり、隣接するレーザの接着部間でのハンダ
の接触による短絡を防止できる効果がある。
【図１】この発明の実施例１による半導体レーザアレイ
素子用のサブマウントの構成を示す斜視図である。
素子用のサブマウントの構成を示す斜視図である。
【図２】この発明の実施例２による半導体レーザアレイ
素子用のサブマウントの構成を示す斜視図である。
素子用のサブマウントの構成を示す斜視図である。
【図３】この発明の実施例３による半導体レーザアレイ
素子用のサブマウントの構成を示す斜視図である。
素子用のサブマウントの構成を示す斜視図である。
【図４】この発明の実施例４による半導体レーザアレイ
素子用のサブマウントの構成を示す斜視図である。
素子用のサブマウントの構成を示す斜視図である。
【図５】図１に示したサブマウントを用いて半導体レー
ザアレイ素子を放熱体にダイボンディングした状態を示
す斜視図である。
ザアレイ素子を放熱体にダイボンディングした状態を示
す斜視図である。
【図６】図５における半導体レーザアレイ素子とサブマ
ウントの接着部を拡大して示した図である。
ウントの接着部を拡大して示した図である。
【図７】この発明の実施例５によるサブマウントを用い
て発光点が一個の半導体レーザ素子を放熱体にダイボン
ディングした状態を示す斜視図である。
て発光点が一個の半導体レーザ素子を放熱体にダイボン
ディングした状態を示す斜視図である。
【図８】従来の半導体レーザアレイ素子用のサブマウン
トの構成を示す斜視図である。
トの構成を示す斜視図である。
【図９】従来のサブマウントを用いて半導体レーザアレ
イ素子を放熱体にダイボンディングした状態を示す斜視
図である。
イ素子を放熱体にダイボンディングした状態を示す斜視
図である。
【図１０】図９における半導体レーザアレイ素子とサブ
マウントの接着部を拡大して示した図である。
マウントの接着部を拡大して示した図である。
【図１１】図９における半導体レーザアレイ素子とサブ
マウントの接着部を拡大して示した図である。
マウントの接着部を拡大して示した図である。
【図１２】図９における半導体レーザアレイ素子とサブ
マウントの接着部を拡大して示した図である。
マウントの接着部を拡大して示した図である。
１ 金属ブロック ２，２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄ サブマウント ２ａ，２ａ1 〜２ａ4 レーザ接着部 ２ｂ，２ｂ1 〜２ｂ4 レーザ接着部 ３ 半導体レーザアレイ素子 ３ａ レーザの側面 ３ｂ 発光点が一個の半導体レーザ素子 ４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ 活性領域（発光点） ５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ 金ワイヤ ６ａ〜６ｄ，１６ａ〜１６ｄ，２６ａ，２６ｄ，３６ａ
〜３６ｄ 電極パターン ７ａ〜７ｄ，１７ａ〜１７ｄ，１７ａ′，１７ｄ′，２
７ａ〜２７ｄ，３７ａ〜３７ｄ ハンダ材 ２１ 断面形状がＶ字状の溝 ２１ａ 溝（凹部） ２１ｂ 断面形状が鋸歯状の溝
〜３６ｄ 電極パターン ７ａ〜７ｄ，１７ａ〜１７ｄ，１７ａ′，１７ｄ′，２
７ａ〜２７ｄ，３７ａ〜３７ｄ ハンダ材 ２１ 断面形状がＶ字状の溝 ２１ａ 溝（凹部） ２１ｂ 断面形状が鋸歯状の溝
Claims (8)
- 【請求項１】 複数のレーザを分離溝を介して並設して
なる半導体レーザアレイ素子を放熱体にダイボンディン
グするためのサブマウントであって、 その上面の横幅がレーザの接着面の横幅よりも小さく、
かつ、その側壁面の少なくとも一方が傾斜面となるよう
形成された，その断面形状が台形形状のレーザマウント
部が、上記複数のレーザの各レーザに対応して複数形成
され、 上記複数のレーザマウント部の各々には、その上面及び
これに続く傾斜面上に電極パターン及びハンダ材が形成
されていることを特徴とする半導体レーザ素子用サブマ
ウント。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体レーザ素子用サ
ブマウントにおいて、 上記複数のレーザマウント部の各々は、その両側の側壁
面が何れも傾斜面によって形成され、 上記電極パターン及びハンダ材は、隣接する上記レーザ
マウント部間において接触しないよう、上記各レーザマ
ウント部の上面及びこれに続く上記両傾斜面の一部上に
形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子用サ
ブマウント。 - 【請求項３】 請求項２に記載の半導体レーザ素子用サ
ブマウントにおいて、 上記複数のレーザマウント部の内の最外側に位置するマ
ウント部は、その上面の幅がレーザの接着面より大き
く、かつ、その上面に続く内側のみに傾斜面が形成さ
れ、 上記最外側に位置するマウント部の上面に形成される上
記電極パターン及びハンダ材の横幅がレーザの接着面の
横幅よりも小さいことを特徴とする半導体レーザ素子用
サブマウント。 - 【請求項４】 請求項１に記載の半導体レーザ素子用サ
ブマウントにおいて、 上記複数のレーザマウント部の各々は、その一方の側の
側壁面が垂直に切り立ち、他方の側の側壁面が傾斜面と
なるよう形成され、 上記電極パターン及びハンダ材は、上記レーザマウント
部の上面及びこれに続く傾斜面の一部上に形成されてい
ることを特徴とする半導体レーザ素子用サブマウント。 - 【請求項５】 請求項４に記載の半導体レーザ素子用サ
ブマウントにおいて、 上記複数のレーザマウント部の内の一方の最外側に位置
するマウント部は、その上面の幅がレーザの接着面より
大きく形成され、 上記最外側のマウント部の上面に形成される上記電極パ
ターン及びハンダ材の横幅がレーザの接着面の横幅より
も小さいことを特徴とする半導体レーザ素子用サブマウ
ント。 - 【請求項６】 発光点が１個の半導体レーザ素子を放熱
体にダイボンドするためのサブマウントであって、 その上面の横幅が上記レーザ素子の接着面の横幅よりも
小さく、かつ、その両側壁面が傾斜面となるよう形成さ
れた，その断面形状が台形形状のレーザマウント部を有
し、 上記レーザマウント部は、その上面及びこれに続く上記
両傾斜面上に電極パターン及びハンダ材が形成されてい
ることを特徴とする半導体レーザ素子用サブマウント。 - 【請求項７】 発光点が１個の半導体レーザ素子を放熱
体にダイボンドするためのサブマウントであって、 その上面の横幅が上記レーザ素子の接着面の横幅よりも
小さく、かつ、その側壁面の一方が垂直に切り立ち、他
方が傾斜面となるよう形成された，その断面形状が台形
形状のレーザマウント部を有し、 上記レーザマウント部は、その上面及びこれに続く上記
傾斜面上に電極パターン及びハンダ材が形成されている
ことを特徴とする半導体レーザ素子用サブマウント。 - 【請求項８】 発光点が１個の半導体レーザ素子を放熱
体にダイボンドするためのサブマウントであって、 上記レーザ素子の載置領域となる平坦面とその一方の側
にてこれに続いて下方に傾斜する傾斜面が形成され、 上記平坦面及びこれに続く傾斜面上に電極パターン及び
ハンダ材が形成され、 上記平坦面上に形成される電極パターン及びハンダ材の
横幅がレーザ素子の横幅よりも小さいことを特徴とする
半導体レーザ素子用サブマウント。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5095728A JPH06310617A (ja) | 1993-04-22 | 1993-04-22 | 半導体レーザ素子用サブマウント |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5095728A JPH06310617A (ja) | 1993-04-22 | 1993-04-22 | 半導体レーザ素子用サブマウント |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310617A true JPH06310617A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14145543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5095728A Pending JPH06310617A (ja) | 1993-04-22 | 1993-04-22 | 半導体レーザ素子用サブマウント |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06310617A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08153932A (ja) * | 1994-11-28 | 1996-06-11 | Nec Corp | 半導体レ−ザの製造方法 |
| JPH11330617A (ja) * | 1998-05-15 | 1999-11-30 | Nec Corp | 光半導体素子の実装構造 |
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| JP2018078135A (ja) * | 2016-11-07 | 2018-05-17 | スタンレー電気株式会社 | 半導体装置 |
| JP2018085442A (ja) * | 2016-11-24 | 2018-05-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| WO2021010034A1 (ja) * | 2019-07-12 | 2021-01-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Ｌｅｄモジュール及びｌｅｄモジュールを含む表示装置 |
-
1993
- 1993-04-22 JP JP5095728A patent/JPH06310617A/ja active Pending
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| JP2021015901A (ja) * | 2019-07-12 | 2021-02-12 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Ｌｅｄモジュール及びｌｅｄモジュールを含む表示装置 |
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