JPH06310703A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JPH06310703A JPH06310703A JP5101044A JP10104493A JPH06310703A JP H06310703 A JPH06310703 A JP H06310703A JP 5101044 A JP5101044 A JP 5101044A JP 10104493 A JP10104493 A JP 10104493A JP H06310703 A JPH06310703 A JP H06310703A
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 撮像部から蓄積部への情報電荷の転送を円滑
にする。 【構成】 シリコン基板２０の一面には、蓄積部で撮像
部より高濃度の拡散層２１が形成され、この拡散層２１
に分離領域２２を隔てて複数のチャネル領域２３が撮像
部から蓄積部に連続するように形成される。このチャネ
ル領域２３上には、チャネル領域２３と交差する複数の
転送電極２６、２７が配置され、さらにこの転送電極２
６、２７の間隙を覆うように２層目の転送電極２８、２
９が配置される。撮像部と蓄積部との境界部分に隣接す
る転送電極２７、２９は、他の転送電極２６、２８と比
較して幅が広く形成される。これにより、撮像部の出力
端部での転送能力が確保される。
にする。 【構成】 シリコン基板２０の一面には、蓄積部で撮像
部より高濃度の拡散層２１が形成され、この拡散層２１
に分離領域２２を隔てて複数のチャネル領域２３が撮像
部から蓄積部に連続するように形成される。このチャネ
ル領域２３上には、チャネル領域２３と交差する複数の
転送電極２６、２７が配置され、さらにこの転送電極２
６、２７の間隙を覆うように２層目の転送電極２８、２
９が配置される。撮像部と蓄積部との境界部分に隣接す
る転送電極２７、２９は、他の転送電極２６、２８と比
較して幅が広く形成される。これにより、撮像部の出力
端部での転送能力が確保される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、撮像部に発生する情報
電荷を撮像部に隣接する蓄積部に一旦転送して蓄積する
固体撮像素子に関する。
電荷を撮像部に隣接する蓄積部に一旦転送して蓄積する
固体撮像素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】フレームトランスファ型の固体撮像素子
において、被写体からの光を受ける撮像部は、照射され
た光に応答して発生する情報電荷を蓄積すると同時に、
所定の期間蓄積した情報電荷を蓄積部へ転送出力する構
成となっている。このため、撮像部にも蓄積部と同様に
情報電荷を転送駆動するための転送電極が設けられる。
において、被写体からの光を受ける撮像部は、照射され
た光に応答して発生する情報電荷を蓄積すると同時に、
所定の期間蓄積した情報電荷を蓄積部へ転送出力する構
成となっている。このため、撮像部にも蓄積部と同様に
情報電荷を転送駆動するための転送電極が設けられる。
【０００３】図４は、フレームトランスファ型の固体撮
像素子の概略を示す平面図である。撮像部１は、垂直方
向に連続する複数のＣＣＤシフトレジスタからなり、入
射する光の量に応じて発生する情報電荷を受光期間に各
受光画素に蓄積し、その情報電荷を転送期間に垂直転送
クロックφVに従って転送出力する。蓄積部２は、撮像
部１のシフトレジスタに連続するＣＣＤシフトレジスタ
からなり、蓄積転送クロックφSを受けて転送期間に撮
像部１から出力される情報電荷を取り込んで蓄積する。
水平転送部３は、水平方向に連続する１列のＣＣＤシフ
トレジスタ（場合によっては２列以上となる）で構成さ
れ、各ビットに蓄積部２のシフトレジスタの出力を受
け、水平転送クロックφHに従って情報電荷を水平ライ
ン単位で出力する。出力部４は、電荷量を電圧値に変換
するフローティングディフュージョン（電気的に独立し
た拡散領域）及びそのフローティングディフュージョン
の電位変動を取り出すアンプを備え、水平転送部４から
１ビット単位で出力される情報電荷を逐次電圧値に変換
し、映像信号として出力する。
像素子の概略を示す平面図である。撮像部１は、垂直方
向に連続する複数のＣＣＤシフトレジスタからなり、入
射する光の量に応じて発生する情報電荷を受光期間に各
受光画素に蓄積し、その情報電荷を転送期間に垂直転送
クロックφVに従って転送出力する。蓄積部２は、撮像
部１のシフトレジスタに連続するＣＣＤシフトレジスタ
からなり、蓄積転送クロックφSを受けて転送期間に撮
像部１から出力される情報電荷を取り込んで蓄積する。
水平転送部３は、水平方向に連続する１列のＣＣＤシフ
トレジスタ（場合によっては２列以上となる）で構成さ
れ、各ビットに蓄積部２のシフトレジスタの出力を受
け、水平転送クロックφHに従って情報電荷を水平ライ
ン単位で出力する。出力部４は、電荷量を電圧値に変換
するフローティングディフュージョン（電気的に独立し
た拡散領域）及びそのフローティングディフュージョン
の電位変動を取り出すアンプを備え、水平転送部４から
１ビット単位で出力される情報電荷を逐次電圧値に変換
し、映像信号として出力する。
【０００４】図５は、固体撮像素子の撮像部１と蓄積部
２との接続部分の構造を示す平面図で、図６は、そのＸ
−Ｘ線の断面図である。この図面では、過剰な電荷を基
板側に吸収させる縦型オーバーフロードレイン構造のも
のを示している。Ｎ型のシリコン基板１０の一面には、
撮像部１では過剰な情報電荷をシリコン基板１０に吸収
させると共に、蓄積部２ではシリコン基板１０への情報
電荷の流出を防止するように、蓄積部２で撮像部１より
も高濃度となるＰ型の拡散層１１が形成される。この拡
散層１１内には、高濃度のＰ型領域や厚い酸化膜（ＬＯ
ＣＯＳ）等からなる複数の分離領域１２を隔てて複数の
チャネル領域１３が互いに平行となるように形成され
る。これらのチャネル領域１３には、基板表面部分にＮ
型の埋め込み層１４が形成され、埋め込みチャネル構造
が構成される。そして、絶縁膜１５を介して１層目の転
送電極１６がチャネル領域１３と交差するようにして互
いに平行に配列され、さらに２層目の転送電極１７が１
層目の転送電極１６の間隙を覆うようにして配列され
る。これらの転送電極１６、１７には、撮像部１で垂直
転送クロックφV1〜φV4、蓄積部で蓄積転送クロックφ
S1〜φS4がそれぞれ印加され、シリコン基板１０内の情
報電荷がチャネル領域１３に沿って撮像部１から蓄積部
２側へ転送される。垂直転送クロックφV1〜φV4と蓄積
転送クロックφS1〜φS4とは、情報電荷の転送期間に同
一クロックとなり、撮像部１から転送出力される情報電
荷を順次蓄積部２へ取り込むようにしている。
２との接続部分の構造を示す平面図で、図６は、そのＸ
−Ｘ線の断面図である。この図面では、過剰な電荷を基
板側に吸収させる縦型オーバーフロードレイン構造のも
のを示している。Ｎ型のシリコン基板１０の一面には、
撮像部１では過剰な情報電荷をシリコン基板１０に吸収
させると共に、蓄積部２ではシリコン基板１０への情報
電荷の流出を防止するように、蓄積部２で撮像部１より
も高濃度となるＰ型の拡散層１１が形成される。この拡
散層１１内には、高濃度のＰ型領域や厚い酸化膜（ＬＯ
ＣＯＳ）等からなる複数の分離領域１２を隔てて複数の
チャネル領域１３が互いに平行となるように形成され
る。これらのチャネル領域１３には、基板表面部分にＮ
型の埋め込み層１４が形成され、埋め込みチャネル構造
が構成される。そして、絶縁膜１５を介して１層目の転
送電極１６がチャネル領域１３と交差するようにして互
いに平行に配列され、さらに２層目の転送電極１７が１
層目の転送電極１６の間隙を覆うようにして配列され
る。これらの転送電極１６、１７には、撮像部１で垂直
転送クロックφV1〜φV4、蓄積部で蓄積転送クロックφ
S1〜φS4がそれぞれ印加され、シリコン基板１０内の情
報電荷がチャネル領域１３に沿って撮像部１から蓄積部
２側へ転送される。垂直転送クロックφV1〜φV4と蓄積
転送クロックφS1〜φS4とは、情報電荷の転送期間に同
一クロックとなり、撮像部１から転送出力される情報電
荷を順次蓄積部２へ取り込むようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、チャネル領
域１３のポテンシャルは、その領域の不純物濃度が高く
なるほど深く形成されにくくなるため、蓄積部２では、
図７に示すように、撮像部１と比較して浅く形成される
ことになる。この場合、撮像部１と蓄積部２との境界部
分で撮像部１側のポテンシャルが、蓄積部２側のポテン
シャルの影響で浅くなり、撮像部１の出力端部で転送能
力が低下することになる。このため、撮像部１と蓄積部
２とで転送電極１６、１７に異なる電位を印加する、具
体的には、蓄積転送クロックφS1〜φS4の電位を垂直転
送クロックφV1〜φV4の電位より高く設定してそれぞれ
の転送能力を同等にする等の対策が必要となる。この場
合には、各転送電極１６、１７に与えられる転送クロッ
クが複雑になり、駆動回路の回路構成の増大によるコス
トアップが問題となる。
域１３のポテンシャルは、その領域の不純物濃度が高く
なるほど深く形成されにくくなるため、蓄積部２では、
図７に示すように、撮像部１と比較して浅く形成される
ことになる。この場合、撮像部１と蓄積部２との境界部
分で撮像部１側のポテンシャルが、蓄積部２側のポテン
シャルの影響で浅くなり、撮像部１の出力端部で転送能
力が低下することになる。このため、撮像部１と蓄積部
２とで転送電極１６、１７に異なる電位を印加する、具
体的には、蓄積転送クロックφS1〜φS4の電位を垂直転
送クロックφV1〜φV4の電位より高く設定してそれぞれ
の転送能力を同等にする等の対策が必要となる。この場
合には、各転送電極１６、１７に与えられる転送クロッ
クが複雑になり、駆動回路の回路構成の増大によるコス
トアップが問題となる。
【０００６】また、微細化によって転送電極１６、１７
が細くなると、拡散層１１と転送電極１６、１７との間
で僅かな位置ずれが生じても、撮像部１から蓄積部２へ
の情報電荷の受け渡しに大きな影響を及ぼすことにな
り、不純物濃度の差による影響と併せて、転送効率の劣
化の原因となっている。そこで本発明は、濃度の異なる
拡散層に連続して設けられるチャネル領域内を円滑に情
報電荷を転送できるようにすることを目的とする。
が細くなると、拡散層１１と転送電極１６、１７との間
で僅かな位置ずれが生じても、撮像部１から蓄積部２へ
の情報電荷の受け渡しに大きな影響を及ぼすことにな
り、不純物濃度の差による影響と併せて、転送効率の劣
化の原因となっている。そこで本発明は、濃度の異なる
拡散層に連続して設けられるチャネル領域内を円滑に情
報電荷を転送できるようにすることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の課題を
解決するために成されたもので、一導電型の半導体基板
と、この半導体基板の表面領域に設けられる逆導電型の
第１の半導体層と、上記半導体基板の表面領域で上記第
１の半導体層に接して設けられ、上記第１の半導体層と
は不純物濃度の異なる逆導電型の第２の半導体層と、上
記第１の半導体層から上記第２の半導体層まで連続し、
分離領域を隔てて互いに平行に配列される複数のチャネ
ル領域と、このチャネル領域と交差して上記第１及び第
２の半導体層上に互いに平行に配列される複数の転送電
極と、を備えた固体撮像素子であって、複数の上記転送
電極のうち、少なくとも、上記第１の半導体層と上記第
２の半導体層との境界領域に隣接する２本が、他の転送
電極と比較して上記チャネル領域の延在する方向に広く
形成されることを特徴とする。
解決するために成されたもので、一導電型の半導体基板
と、この半導体基板の表面領域に設けられる逆導電型の
第１の半導体層と、上記半導体基板の表面領域で上記第
１の半導体層に接して設けられ、上記第１の半導体層と
は不純物濃度の異なる逆導電型の第２の半導体層と、上
記第１の半導体層から上記第２の半導体層まで連続し、
分離領域を隔てて互いに平行に配列される複数のチャネ
ル領域と、このチャネル領域と交差して上記第１及び第
２の半導体層上に互いに平行に配列される複数の転送電
極と、を備えた固体撮像素子であって、複数の上記転送
電極のうち、少なくとも、上記第１の半導体層と上記第
２の半導体層との境界領域に隣接する２本が、他の転送
電極と比較して上記チャネル領域の延在する方向に広く
形成されることを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明によれば、濃度の異なる半導体層の境界
部分で転送電極の幅を広く形成することにより、境界部
分の転送電極の下で情報電荷を蓄積する領域が広がり、
半導体層の濃度の影響でポテンシャルが浅くなった場合
でも、境界部分以外の領域に比べて十分な量の情報電荷
を蓄積できる。従って、濃度の異なる半導体層の境界部
分で転送能力が低下することがなくなる。
部分で転送電極の幅を広く形成することにより、境界部
分の転送電極の下で情報電荷を蓄積する領域が広がり、
半導体層の濃度の影響でポテンシャルが浅くなった場合
でも、境界部分以外の領域に比べて十分な量の情報電荷
を蓄積できる。従って、濃度の異なる半導体層の境界部
分で転送能力が低下することがなくなる。
【０００９】
【実施例】図１は、本発明の固体撮像素子の撮像部の構
造を示す平面図で、第２図は、そのＸ−Ｘ線断面図であ
る。Ｎ型のシリコン基板２０の一面には、Ｐ型の拡散層
２１が形成される。この拡散層２１は、図６の拡散層１
１と同様に、撮像部で過剰な情報電荷をシリコン基板２
０に吸収させ、蓄積部でシリコン基板２０への情報電荷
の流出を防止するように、蓄積部の濃度が撮像部の濃度
より高く形成される。拡散層２１内には、分離領域２２
を隔てて複数のチャネル領域２３が互いに平行に、撮像
部から蓄積部まで連続するように設けられる。これらの
チャネル領域２３は、基板表面部分にＮ型の埋め込み層
２４が設けられ、埋め込みチャネル構造を成している。
このような分離領域２２及びチャネル領域２３が形成さ
れたシリコン基板２０上には、絶縁膜２５を介して多結
晶シリコンからなる複数の転送電極２６、２７が、チャ
ネル領域２３と交差する方向に配置される。また、撮像
部と蓄積部との境界部分に最も近い位置に配置される２
本の転送電極２７については、その他の転送電極２６と
比較して、電極の幅及び電極どうしの間隔が広く形成さ
れる。これらの転送電極２６、２７上には、同じく多結
晶シリコンからなる２層目の転送電極２８、２９が、１
層目の転送電極２６、２７の間隙を覆うように配置され
る。この２層目の転送電極２８、２９についても、撮像
部と蓄積部との境界部分に最も近い位置に配置される２
本の転送電極２９が、その他の転送電極２８と比較し
て、幅が広く形成される。
造を示す平面図で、第２図は、そのＸ−Ｘ線断面図であ
る。Ｎ型のシリコン基板２０の一面には、Ｐ型の拡散層
２１が形成される。この拡散層２１は、図６の拡散層１
１と同様に、撮像部で過剰な情報電荷をシリコン基板２
０に吸収させ、蓄積部でシリコン基板２０への情報電荷
の流出を防止するように、蓄積部の濃度が撮像部の濃度
より高く形成される。拡散層２１内には、分離領域２２
を隔てて複数のチャネル領域２３が互いに平行に、撮像
部から蓄積部まで連続するように設けられる。これらの
チャネル領域２３は、基板表面部分にＮ型の埋め込み層
２４が設けられ、埋め込みチャネル構造を成している。
このような分離領域２２及びチャネル領域２３が形成さ
れたシリコン基板２０上には、絶縁膜２５を介して多結
晶シリコンからなる複数の転送電極２６、２７が、チャ
ネル領域２３と交差する方向に配置される。また、撮像
部と蓄積部との境界部分に最も近い位置に配置される２
本の転送電極２７については、その他の転送電極２６と
比較して、電極の幅及び電極どうしの間隔が広く形成さ
れる。これらの転送電極２６、２７上には、同じく多結
晶シリコンからなる２層目の転送電極２８、２９が、１
層目の転送電極２６、２７の間隙を覆うように配置され
る。この２層目の転送電極２８、２９についても、撮像
部と蓄積部との境界部分に最も近い位置に配置される２
本の転送電極２９が、その他の転送電極２８と比較し
て、幅が広く形成される。
【００１０】これらの転送電極２６〜２９には、撮像部
及び蓄積部でそれぞれ４相の垂直転送クロックφV1〜φ
V4及び蓄積転送クロックφS1〜φS4が印加される。これ
らの垂直転送クロックφV1〜φV4及び蓄積転送クロック
φS1〜φS4については、図６と同一で、情報電荷の転送
期間に両転送クロックが同期して撮像部から転送出力さ
れる情報電荷を蓄積部に取り込むようにしている。この
とき、幅が広く形成される転送電極２７、２９の下のチ
ャネル領域２３では、図３に示すように、１つの転送電
極２７（あるいは２９）により形成されるポテンシャル
がチャネル領域２３の転送方向に広がっているため、ポ
テンシャルが浅くなったとしても、十分な転送能力が確
保されている。従って、撮像部と蓄積部とで同一レベル
の転送クロックを用いたとしても、撮像部から蓄積部へ
円滑に情報電荷を転送することができる。
及び蓄積部でそれぞれ４相の垂直転送クロックφV1〜φ
V4及び蓄積転送クロックφS1〜φS4が印加される。これ
らの垂直転送クロックφV1〜φV4及び蓄積転送クロック
φS1〜φS4については、図６と同一で、情報電荷の転送
期間に両転送クロックが同期して撮像部から転送出力さ
れる情報電荷を蓄積部に取り込むようにしている。この
とき、幅が広く形成される転送電極２７、２９の下のチ
ャネル領域２３では、図３に示すように、１つの転送電
極２７（あるいは２９）により形成されるポテンシャル
がチャネル領域２３の転送方向に広がっているため、ポ
テンシャルが浅くなったとしても、十分な転送能力が確
保されている。従って、撮像部と蓄積部とで同一レベル
の転送クロックを用いたとしても、撮像部から蓄積部へ
円滑に情報電荷を転送することができる。
【００１１】ところで、蓄積部のチャネル領域２３につ
いては、情報電荷を蓄積する部分（ポテンシャル井戸）
が浅くなると同時に、画素を分離する部分（ポテンシャ
ル障壁）が高くなるため、撮像部から離れて幅の狭い転
送電極２８が配置される部分でも、情報電荷の転送能力
自体は所望レベルを維持する。このため、撮像部から蓄
積部に受け渡された情報電荷が、幅の広い転送電極２
７、２９の下のチャネル領域２３から幅の狭い転送電極
２６、２８の下のチャネル領域２３に移っても、その情
報電荷を確実に転送することができる。
いては、情報電荷を蓄積する部分（ポテンシャル井戸）
が浅くなると同時に、画素を分離する部分（ポテンシャ
ル障壁）が高くなるため、撮像部から離れて幅の狭い転
送電極２８が配置される部分でも、情報電荷の転送能力
自体は所望レベルを維持する。このため、撮像部から蓄
積部に受け渡された情報電荷が、幅の広い転送電極２
７、２９の下のチャネル領域２３から幅の狭い転送電極
２６、２８の下のチャネル領域２３に移っても、その情
報電荷を確実に転送することができる。
【００１２】また、撮像部と蓄積部との境界部分の転送
電極２７、２９の幅を広く形成することにより、拡散層
２１に対する転送電極２７、２９の位置合わせ精度が緩
和されるため、製造工程が容易になる。なお、以上の実
施例においては、フレームトランスファ型の固体撮像素
子について例示したが、受光素子の情報電荷を一旦垂直
転送部に読み出し、この垂直転送部から蓄積部へ転送す
る所謂フレームインタライントランスファ方式の固体撮
像素子の垂直転送部と蓄積部との接続部分の構造にも採
用可能である。
電極２７、２９の幅を広く形成することにより、拡散層
２１に対する転送電極２７、２９の位置合わせ精度が緩
和されるため、製造工程が容易になる。なお、以上の実
施例においては、フレームトランスファ型の固体撮像素
子について例示したが、受光素子の情報電荷を一旦垂直
転送部に読み出し、この垂直転送部から蓄積部へ転送す
る所謂フレームインタライントランスファ方式の固体撮
像素子の垂直転送部と蓄積部との接続部分の構造にも採
用可能である。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、撮像部から蓄積部（垂
直転送部から蓄積部）へ情報電荷を円滑に転送させるこ
とができ、転送効率の劣化を防止することができる。ま
た、位置合わせ精度の緩和による製造工程の容易化によ
って、製造歩留まりの向上が望めるため、転送効率が良
好で且つ低コストの固体撮像素子を提供することができ
る。
直転送部から蓄積部）へ情報電荷を円滑に転送させるこ
とができ、転送効率の劣化を防止することができる。ま
た、位置合わせ精度の緩和による製造工程の容易化によ
って、製造歩留まりの向上が望めるため、転送効率が良
好で且つ低コストの固体撮像素子を提供することができ
る。
【図１】本発明の固体撮像素子の撮像部と蓄積部との接
続部分を示す平面図である。
続部分を示す平面図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ線の断面図である。
【図３】本発明の固体撮像素子のポテンシャルの状態を
示す図である。
示す図である。
【図４】フレームトランスファ型の固体撮像素子の模式
的平面図である。
的平面図である。
【図５】従来の固体撮像素子の撮像部と蓄積部との接続
部分を示す平面図である。
部分を示す平面図である。
【図６】図５のＸ−Ｘ線の断面図である。
【図７】従来の固体撮像素子のポテンシャルの状態を示
す図である。
す図である。
１ 撮像部 ２ 蓄積部 ３ 水平転送部 ４ 出力部 １０、２０ シリコン基板 １１、２１ 拡散層 １２、２２ 分離領域 １３、２３ チャネル領域 １４、２４ 埋め込み層 １５、２５ 絶縁膜 １６、１７、２６、２７、２８、２９ 転送電極
Claims (1)
- 【請求項１】 一導電型の半導体基板と、この半導体基
板の表面領域に設けられる逆導電型の第１の半導体層
と、上記半導体基板の表面領域で上記第１の半導体層に
接して設けられ、上記第１の半導体層とは不純物濃度の
異なる逆導電型の第２の半導体層と、上記第１の半導体
層から上記第２の半導体層まで連続し、分離領域を隔て
て互いに平行に配列される複数のチャネル領域と、この
チャネル領域と交差して上記第１及び第２の半導体層上
に互いに平行に配列される複数の転送電極と、を備え、
複数の上記転送電極のうち、少なくとも、上記第１の半
導体層と上記第２の半導体層との境界領域に隣接する２
本が、他の転送電極と比較して上記チャネル領域の延在
する方向に広く形成されることを特徴とする固体撮像素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10104493A JP3263476B2 (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10104493A JP3263476B2 (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | 固体撮像素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310703A true JPH06310703A (ja) | 1994-11-04 |
| JP3263476B2 JP3263476B2 (ja) | 2002-03-04 |
Family
ID=14290144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10104493A Expired - Fee Related JP3263476B2 (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3263476B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006100366A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 電荷転送素子及び固体撮像素子 |
| JP2006222237A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像素子 |
-
1993
- 1993-04-27 JP JP10104493A patent/JP3263476B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006100366A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 電荷転送素子及び固体撮像素子 |
| JP2006222237A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3263476B2 (ja) | 2002-03-04 |
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