JPH06310784A - 半導体レーザの駆動装置 - Google Patents

半導体レーザの駆動装置

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JPH06310784A
JPH06310784A JP9590193A JP9590193A JPH06310784A JP H06310784 A JPH06310784 A JP H06310784A JP 9590193 A JP9590193 A JP 9590193A JP 9590193 A JP9590193 A JP 9590193A JP H06310784 A JPH06310784 A JP H06310784A
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JP
Japan
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laser diode
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feedback loop
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JP9590193A
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Inventor
Yoshihisa Miyazaki
佳久 宮崎
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Olympus Corp
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Olympus Optical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明は、目標出力に対する光出力の制御を短
時間で行うことができるとともに、精度の高い光出力の
制御を実現できる半導体レーザの駆動装置を提供する。 【構成】光出力を発生するレーザダイオード21の駆動
電流を粗調整するフィードバックループAと微調整する
のフィードバックループBを設け、周囲温度の変化によ
りレーザダイオード21のI−P特性が変化した際に、
レーザダイオード21を目標出力に設定するためのレー
ザダイオードの駆動電流の調整を、信号処理回路29に
よりフィードバックループAとフィードバックループB
を同時制御しながら行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザの光出力
の精度を高めた半導体レーザの駆動装置に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】半導体レーザは、例えば、光ディスクの
データ記録部に対するデータの記録・再生を行う光学ヘ
ッドの光源として使用されている。しかして、このよう
な光学ヘッドの光源として使用され半導体レーザは、目
標出力に対する光出力を常に一定にすることが安定した
データの記録・再生を行う上で重要であり、従来、この
種の半導体レーザの駆動装置として、特公平1−302
788号公報に開示されたものが知られている。
【0003】図4は、同公報に開示された従来例を示す
もので、1はレーザダイオード、2は光出力モニタ用フ
ォトダイオード、3、14はコンパレータ、4、13は
それぞれA/D変換器10、15で制御される電流源、
5は抵抗、6は高速電流スイッチ、11、16はアップ
/ダウン・カウンタ、12は発振器を示している。
【0004】そして、レーザダイオード1、光出力モニ
タ用フォトダイオード2、コンパレータ3、アップ/ダ
ウン・カウンタ11、A/D変換器10、電流源4、高
速電流スイッチ6、レーザダイオード1からなるフィー
ドバックループAとレーザダイオード1、光出力モニタ
用フォトダイオード2、コンパレータ14、アップ/ダ
ウン・カウンタ16、A/D変換器15、電流源13、
高速電流スイッチ6、レーザダイオード1からなるフィ
ードバックループBの2系統の負帰還ループを構成し、
このうちフィードバックループAでレーザダイオード1
の光出力の粗調整(大まかな調整)を行い、フィードバ
ックBでレーザダイオード1の光出力の微調整を行うこ
とで、最終的にレーザダイオード1の光出力が一定にな
るように制御している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の半導
体レーザの駆動装置によると、一般に、レーザダイオー
ド1は、図5(a)に示すように順方向電流IF と光出
力PO の関係を表すI−P特性に温度特性を持っている
ため、周囲温度の変化によって同一光出力を得るために
必要な順方向電流IF が大きく変化する。
【0006】そこで、周囲温度の変化にともなう順方向
電流IF の変動を微調整可能なフィードバックループB
で吸収しようとすると、D/A変換器15による分解能
を上げるのが難しくなる。
【0007】このことを図5(a)(b)により説明す
ると、いま、レーザダイオード1のI−P特性をaとす
ると、期間T1 で示すように、まずフィードバックルー
プAによる粗調整により光出力P0 は、P01まで制御さ
れ、その後は、フィードバックループBによる微調整に
より目標出力P02まで制御するようになる。この状態か
ら、周囲温度の上昇によりI−P特性がbのように変化
すると、期間T2 に示すように、フィードバックループ
Bは、目標出力P02を保つようにさらに微調整を行うよ
うになり、一方、周囲温度の下降によりI−P特性がc
のように変化すると、期間T3 に示すように、フィード
バックループBは、目標出力P02を保つように微調整を
行うようになる。
【0008】この結果、同図からもわかるように、周囲
温度の変化によりI−P特性が変化すると、これらI−
P特性の変化にも目標出力P02を保つようにフィードバ
ックループBによる微調整が行われるため、フィードバ
ックループBで受け持つ順方向電流IF の調整範囲は極
めて広いものになる。このことは、周囲温度によりI−
P特性が変化した場合に、目標出力P02まで制御するの
に時間がかかることになる。このため、目標出力P02ま
で速やかに制御するには、微調整の際の1回当たりの調
整幅を大きくしなければならないが、このようにすると
D/A変換器15による分解能を上げるのが難しく、精
度の高い光出力の制御が難しくなるという問題点があっ
た。
【0009】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、目標出力に対する光出力の制御を短時間で行うこと
ができるとともに、精度の高い光出力の制御を実現でき
る半導体レーザの駆動装置を提供することを目的とす
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、光出力を発生
するレーザダイオードと、前記レーザダイオードの駆動
電流を粗調整する第1のフィードバックループと、前記
レーザダイオードの駆動電流を微調整する第2のフィー
ドバックループと、前記レーザダイオードの特性変化の
際に該レーザダイオードを目標出力に設定するための該
レーザダイオードの駆動電流の調整を前記第1のフィー
ドバックループと前記第2のフィードバックループを同
時制御しながら行う制御手段により構成されている。
【0011】
【作用】この結果、本発明によれば、レーザダイオード
の特性変化の際の目標出力への設定の動作を第2のフィ
ードバックループによる微調整だけでなく第1のフィー
ドバックループによる粗調整も用いるようにできるの
で、目標出力へのレーザダイオードの光出力の制御を短
時間で行うことができ、また、第2のフィードバックル
ープが受け持つ調整範囲を狭くすることができるので、
微調整の際の1回当たりの調整幅を小さくすることもで
き、分解能を上げることが可能になる。り、精度の高い
光出力の制御が実現できる。
【0012】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に従い説明す
る。図1は同実施例の概略構成を示している。図におい
て、21はレーザダイオード、22はレーザダイオード
21の光出力をモニタするためのフォトダイオードで、
レーザダイオード21には、フォトダイオード22を介
して光出力の粗調整(大まかな調整)を行うフィードバ
ックループAと光出力の微調整(細かな調整)を行うフ
ィードバックループBの2系統の負帰還ループを接続し
ている。
【0013】フィードバックループAは、粗動用D/A
変換器23、粗動用V−I変換器24、I−V変換器2
5およびA/D変換器26を有し、また、フィードバッ
クループBは、微動用D/A変換器27、微動用V−I
変換器28、上述のI−V変換器25およびA/D変換
器26を有している。この場合、粗動用V−I変換器2
4は、抵抗R241〜R243とオペアンプOP241
とトランジスタQ241で構成し、V−I変換器28
は、抵抗R281〜R283とオペアンプOP281と
トランジスタQ281で構成し、I−V変換器25は、
抵抗R251とオペアンプOP251で構成している。
【0014】そして、これら光出力の粗調整を行うフィ
ードバックループAおよび光出力の微調整を行うフィー
ドバックループBは、信号処理回路29により以下述べ
るように制御されるようになる。
【0015】図2は、信号処理回路29による制御の処
理フローを示すものである。この場合、kは粗動用D/
A変換器23の指示値、lは微動用D/A変換器27の
指示値、mはA/D変換器26の出力値、m1 はレーザ
ダイオード21の光出力がP01(図3参照)時のA/D
変換器26の出力値、m2 はレーザダイオード21の光
出力が目標出力P02(図3参照)時のA/D変換器26
の出力値、mu は目標出力P02のバラツキの許容範囲の
上限、mD は目標出力P02のバラツキの許容範囲の下
限、およびnはフィードバックループAの分解能とフィ
ードバックループBの分解能の比(例えば3)である。
【0016】まず、始動時の動作について説明する。こ
の場合、図3(a)に示すようにレーザダイオード1の
I−P特性をaとすると、同図(b)の期間T1 で示す
動作が実行される。まず、信号処理回路29は、D/A
変換器23の指示値k、D/A変換器27の指示値lを
ゼロにする(ステップ201)。そして、A/D変換器
26の出力値mとレーザダイオード21の光出力がP01
(図3参照)時のA/D変換器26の出力値m1 の関係
がm>m1 であるか判断する(ステップ202)。ここ
でNOならばフィードバックループAによる粗調整を行
う。この場合、粗動用D/A変換器23の指示値kを+
1しながらm>m1 の関係を判断する動作を繰り返す
(ステップ203)。その後、m>m1 の関係が成立す
ると、レーザダイオード21光出力をP01に設定したこ
とになる。そして、この時の粗動用D/A変換器6の指
示値kをホールドする。
【0017】次に、A/D変換器26の出力値mとレー
ザダイオード21の光出力が目標出力P02(図3参照)
時のA/D変換器26の出力値m2 の関係がm>m2 で
あるか判断する(ステップ204)。ここでNOならば
フィードバックループBによる微調整を行う。この場
合、微動用D/A変換器27の指示値lを+1しながら
m>m2 の関係を判断する動作を繰り返す(ステップ2
05)。その後、m>m2 の関係が成立すると、レーザ
ダイオード21光出力を目標出力P02に設定したことに
なる。そして、この時の微動用D/A変換器27の指示
値lをl0 として記憶する(ステップ206)。
【0018】次に、周囲温度の変化にともないレーザダ
イオード21のI−P特性が変化する場合のAPC(オ
ート・パワー・コントロール)動作について説明する。
この場合、信号処理回路29は、レーザダイオード21
のI−P特性が図3(a)のb、cのように変化するも
のとすると、A/D変換器26の出力を目標出力P02の
バラツキの許容範囲の下限mD と上限mU の間に治まる
ように制御する。
【0019】まず、周囲温度の上昇によりI−P特性が
図3(a)のaからbに変化したものとすると、この時
の順方向電流IF02 によるレーザダイオード21の光出
力PO は、目標出力P02からP02´に大幅に減少する。
この場合、A/D変換器26の出力値mと目標出力P02
のバラツキの許容範囲の下限mD の関係がm≧mD であ
るか判断する(ステップ207)。ここで、光出力のP
02´への落ち込みが大きく、A/D変換器26の出力が
目標値の下限mD より小さく、NOならば、図3(b)
の期間T2 で示す動作が実行される。この場合、まず微
動用D/A変換器27の指示値lを+1し(ステップ2
08)、この指示値lと上述したステップ206で記憶
したl0 との差(l−l0 )がn(フィードバックルー
プAの分解能/フィードバックループBの分解能)(=
3)であるか判断する(ステップ209)。
【0020】ここで、NOならばステップ207に戻る
とともに、ステップ208の微動用D/A変換器27の
指示値lを+1しながら、ステップ209の(l−l0
=n)の関係を判断する動作を繰り返す。その後、(l
−l0 =n)の関係が成立すると、微動用D/A変換器
27の指示値lからn(=3)を引いて、その値をl0
とするとともに、粗動用D/A変換器23の指示値kに
1を加える(ステップ210)。そして、ステップ20
7に戻るとともに、以下、(l−l0 =n)の関係を判
断する動作を繰り返し、微動用D/A変換器27の指示
値lが(l−l0 =n)の関係になるごとに、指示値l
からn(=3)を引くとともに、指示値kに1を加える
ようにしてA/D変換器26の出力値mを目標出力P02
の下限mD に近付けていき、その後、m≧mD の関係が
成立すると、レーザダイオード21の光出力は目標出力
P02のバラツキの許容範囲に制御される。
【0021】一方、周囲温度の下降によりI−P特性が
図3(a)のaからcに変化したものとすると、この時
の順方向電流IF02 によるレーザダイオード21の光出
力PO は、目標出力P02からP02´´に大幅に増加す
る。この場合、A/D変換器26の出力値mと目標出力
P02のバラツキの許容範囲の上限mU の関係がm≦mU
であるか判断する(ステップ211)。ここで、光出力
のP02´´への増加が大きく、A/D変換器26の出力
が目標値の下限mU より大きくNOならば、図3(b)
の期間T3 で示す動作が実行される。この場合、まず微
動用D/A変換器27の指示値lを−1し(ステップ2
12)、この指示値lと上述したステップ206で記憶
したl0 との差(l−l0 )がn(=フィードバックル
ープAの分解能/フィードバックループBの分解能)で
あるか判断する(ステップ213)。
【0022】ここで、NOならばステップ211に戻る
とともに、ステップ212の微動用D/A変換器27の
指示値lを−1しながら、ステップ213の(l0 −l
=n)の関係を判断する動作を繰り返す。その後、(l
0 −l=n)の関係が成立すると、微動用D/A変換器
27の指示値lにnを加えて、その値をl0 とするとと
もに、粗動用D/A変換器23の指示値kより1を引く
(ステップ214)。そして、ステップ211に戻ると
ともに、以下、(l0 −l=n)の関係を判断する動作
を繰り返し、微動用D/A変換器27の指示値lが(l
0 −l=n)の関係になるごとに、指示値lにn(=
3)を加えるとともに、指示値kより1を引くようにし
てA/D変換器26の出力値mを目標出力P02の上限m
U に近付けていき、その後、ステップ211でm≦mU
の関係が成立すると、レーザダイオード21の光出力は
目標出力P02のバラツキの許容範囲に制御される。
【0023】そして、ステップ215のタイマー動作に
進み、ここで所定時間の経過を確認した後、ステップ2
07に戻り、上述の動作を繰り返すようになる。以上の
ような動作を信号処理回路29により実行することで、
レーザダイオード21の光出力が目標出力P02の下限と
上限の間に治まるようにAPCがかけられることになる
が、この場合のAPCは、フィードバックループBによ
る微調整だけでなく、フィードバックループAの分解能
とフィードバックループBの分解能の比nに基づいてフ
ィードバックループAによる粗調整をも行うようになる
ので、目標出力P02への光出力の制御を短時間で行うこ
とができる。また、図3(b)からも明らかなように、
フィードバックループBによる微調整とフィードバック
ループAによる粗調整が同時に行われることは、フィー
ドバックループBが受け持つ順方向電流IF の調整範囲
を狭くすることができるので、微調整の際の1回当たり
の調整幅を小さくすることもでき、これによりD/A変
換器27による分解能を上げることが可能になり、精度
の高い光出力の制御が実現できる。
【0024】なお、本発明は上記実施例にのみ限定され
ず、要旨を変更しない範囲で適宜変形して実施できる。
例えば、上述した実施例では、図2のステップ210〜
ステップ206の始動時の動作の後に、APC動作を行
うようにしたが、始動時の動作を省略して、いきなりA
PC動作からスタートするようにしても良い。また、上
述の実施例では、光ディスクの光学ヘッドの光源として
用いられる半導体レーザについて述べたが、レーザプリ
ンタや光通信の光源として用いられる半導体レーザにも
適用することができる。
【0025】
【発明の効果】本発明によれば、レーザダイオードの特
性変化の際の目標出力への設定の動作を第2のフィード
バックループによる微調整だけでなく第1のフィードバ
ックループによる粗調整も用いるようにできるので、目
標出力へのレーザダイオードの光出力の制御を短時間で
行うことができる。
【0026】また、第2のフィードバックループが受け
持つ調整範囲を狭くすることができることで、微調整の
際の1回当たりの調整幅を小さくすることもできるの
で、分解能を上げることが可能になり、精度の高い光出
力の制御が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の概略構成を示す図。
【図2】一実施例の動作を説明するためのフローチャー
ト。
【図3】一実施例の動作を説明するための図。
【図4】従来の半導体レーザの駆動装置の一例の概略構
成を示す図。
【図5】同半導体レーザの駆動装置の動作を説明するた
めの図。
【符号の説明】
21…レーザダイオード、22…フォトダイオード、2
3…粗動用D/A変換器、24…粗動用V−I変換器、
25…I−V変換器、26…A/D変換器、27…微動
用D/A変換器、28…微動用V−I変換器、29…信
号処理回路。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光出力を発生するレーザダイオードと、 前記レーザダイオードの駆動電流を粗調整する第1のフ
    ィードバックループと、 前記レーザダイオードの駆動電流を微調整する第2のフ
    ィードバックループと、 前記レーザダイオードの特性変化の際に該レーザダイオ
    ードを目標出力に設定するための該レーザダイオードの
    駆動電流の調整を前記第1のフィードバックループと前
    記第2のフィードバックループを同時制御しながら行う
    制御手段とを具備したことを特徴とする半導体レーザの
    駆動装置。
  2. 【請求項2】 制御手段は、第1のフィードバックルー
    プによるレーザダイオードの駆動電流の粗調整を行うに
    次いで第2のフィードバックループによる前記レーザダ
    イオードの駆動電流の微調整を行うことで初期の目標出
    力を設定する機能を有することを特徴とする請求項1記
    載の半導体レーザの駆動装置。
JP9590193A 1993-04-22 1993-04-22 半導体レーザの駆動装置 Pending JPH06310784A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5568464A (en) * 1993-11-18 1996-10-22 Olympus Optical Co., Ltd. Semiconductor laser driving apparatus utilizing three current sources to control read and write light power
JP2001308450A (ja) * 2000-04-24 2001-11-02 Fujitsu Ltd 光出力制御回路
WO2010013805A1 (ja) 2008-08-01 2010-02-04 日本臓器製薬株式会社 アミノプロピリデン誘導体
JP2010087416A (ja) * 2008-10-02 2010-04-15 Sumitomo Electric Ind Ltd 光送信モジュール
JP2018041938A (ja) * 2016-09-09 2018-03-15 株式会社リコー 光源駆動装置、画像形成装置、光量制御方法

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Effective date: 20020507