JPH06311008A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPH06311008A JPH06311008A JP9973693A JP9973693A JPH06311008A JP H06311008 A JPH06311008 A JP H06311008A JP 9973693 A JP9973693 A JP 9973693A JP 9973693 A JP9973693 A JP 9973693A JP H06311008 A JPH06311008 A JP H06311008A
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- JP
- Japan
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- circuit
- voltage
- power supply
- high voltage
- booster
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高電圧電源回路からの電流消費の少ない高電
圧伝達スイッチ回路を得ることにより、チップ面積の小
さい低電圧動作可能な半導体集積回路装置を得る。 【構成】 高電圧を出力するための昇圧回路Ａ、高電圧
電源回路Ｅから昇圧回路Ａへの電流を遮断するスイッチ
ング回路Ｂ、スイッチング回路Ｂの出力とゲートとの間
のインピーダンスを可変する制御回路Ｇ、低電圧系回路
Ｄに高電圧がかからないようにするクランプ回路Ｃで構
成する。スイッチング回路Ｂがオフした場合、制御回路
Ｇがスイッチング回路Ｂの出力とゲートとの間のインピ
ーダンスを下げるように作動して、クロック信号Ｚが送
られることで昇圧回路Ａの入力インピーダンスが変化し
ても、スイッチング回路Ｂの出力とゲートとの間に電位
差が生じることを防ぎ、高電圧電源回路Ｅから昇圧回路
Ａに流れる電流を完全に遮断することで電流消費を減少
させる。
圧伝達スイッチ回路を得ることにより、チップ面積の小
さい低電圧動作可能な半導体集積回路装置を得る。 【構成】 高電圧を出力するための昇圧回路Ａ、高電圧
電源回路Ｅから昇圧回路Ａへの電流を遮断するスイッチ
ング回路Ｂ、スイッチング回路Ｂの出力とゲートとの間
のインピーダンスを可変する制御回路Ｇ、低電圧系回路
Ｄに高電圧がかからないようにするクランプ回路Ｃで構
成する。スイッチング回路Ｂがオフした場合、制御回路
Ｇがスイッチング回路Ｂの出力とゲートとの間のインピ
ーダンスを下げるように作動して、クロック信号Ｚが送
られることで昇圧回路Ａの入力インピーダンスが変化し
ても、スイッチング回路Ｂの出力とゲートとの間に電位
差が生じることを防ぎ、高電圧電源回路Ｅから昇圧回路
Ａに流れる電流を完全に遮断することで電流消費を減少
させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、低電圧系回路の振幅
を高電圧系回路の振幅に変換し伝達するための高電圧伝
達スイッチ回路を有する半導体集積回路装置に関する。
具体的には、高電圧電源回路からの電流消費を減少させ
るための手段を備えたことを特徴とする高電圧伝達スイ
ッチ回路装置に関する。
を高電圧系回路の振幅に変換し伝達するための高電圧伝
達スイッチ回路を有する半導体集積回路装置に関する。
具体的には、高電圧電源回路からの電流消費を減少させ
るための手段を備えたことを特徴とする高電圧伝達スイ
ッチ回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、ＥＥＰＲＯＭでメモリセルに高
電圧をかける場合に、図２に示される如き高電圧伝達ス
イッチ回路装置が従来から用いられている。この高電圧
伝達スイッチ回路装置は、電源電圧より高い電圧で動作
する高電圧電源回路Ｅから電流の供給を受けクロック信
号Ｚを使用し高電圧を発生する昇圧回路Ａと、スイッチ
ング信号Ｙに応じて高電圧電源回路Ｅから昇圧回路Ａへ
の電流を遮断するスイッチング回路Ｂと、端子２を低電
圧系回路の「Ｈ」レベルとすることで低電圧系回路に高
電圧がかからないようにするクランプ回路Ｃを有し、電
源電圧範囲内で動作する低電圧系回路Ｄからの信号によ
り端子１が「Ｈ」レベルの場合、スイッチング信号Ｙに
より端子５を「Ｈ」レベルとするとスイッチング回路Ｂ
がオンし、昇圧回路Ａは高電圧電源回路Ｅから電流の供
給を受けて昇圧を行い端子３に高電圧を発生し、高電圧
系回路Ｆに高電圧が伝達される。又、低電圧系回路Ｄか
らの信号により端子１が「Ｌ」レベルの場合、スイッチ
ング信号Ｙにより端子５を「Ｌ」レベルにするとスイッ
チング回路Ｂがオフし、昇圧回路Ａは高電圧電源回路Ｅ
からの電流の供給が受けられなくなり、クロック信号Ｚ
が送られていても昇圧が行われず、端子３には高電圧は
発生せず、高電圧系回路Ｆには「Ｌ」レベルが伝達され
る。
電圧をかける場合に、図２に示される如き高電圧伝達ス
イッチ回路装置が従来から用いられている。この高電圧
伝達スイッチ回路装置は、電源電圧より高い電圧で動作
する高電圧電源回路Ｅから電流の供給を受けクロック信
号Ｚを使用し高電圧を発生する昇圧回路Ａと、スイッチ
ング信号Ｙに応じて高電圧電源回路Ｅから昇圧回路Ａへ
の電流を遮断するスイッチング回路Ｂと、端子２を低電
圧系回路の「Ｈ」レベルとすることで低電圧系回路に高
電圧がかからないようにするクランプ回路Ｃを有し、電
源電圧範囲内で動作する低電圧系回路Ｄからの信号によ
り端子１が「Ｈ」レベルの場合、スイッチング信号Ｙに
より端子５を「Ｈ」レベルとするとスイッチング回路Ｂ
がオンし、昇圧回路Ａは高電圧電源回路Ｅから電流の供
給を受けて昇圧を行い端子３に高電圧を発生し、高電圧
系回路Ｆに高電圧が伝達される。又、低電圧系回路Ｄか
らの信号により端子１が「Ｌ」レベルの場合、スイッチ
ング信号Ｙにより端子５を「Ｌ」レベルにするとスイッ
チング回路Ｂがオフし、昇圧回路Ａは高電圧電源回路Ｅ
からの電流の供給が受けられなくなり、クロック信号Ｚ
が送られていても昇圧が行われず、端子３には高電圧は
発生せず、高電圧系回路Ｆには「Ｌ」レベルが伝達され
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図２に基づい
て説明した従来の回路装置においては、「Ｌ」レベルを
伝達する場合にスイッチング回路Ｂがオフすると、端子
４は高インピーダンス状態となる。この時、昇圧回路Ａ
にクロック信号Ｚが送られていると、昇圧回路Ａの入力
インピーダンスはクロック信号Ｚに同期して変化するた
め、端子４の電位が変化し端子５との間に電位差が生
じ、スイッチング回路Ｂがオンしてしまうため高電圧電
源回路Ｅからの電流を完全に遮断することができず、昇
圧回路Ａへの漏れ電流が発生し、昇圧回路Ａからクラン
プ回路Ｃを通り低電圧系回路Ｄに電流が流れてしまうと
いう課題があった。その結果、昇圧回路の能力を大きく
するために昇圧回路のチップ内面面積が非常に大きかっ
た。また、昇圧レベルを大きくできないために電源電圧
が低いと動作しなかった。
て説明した従来の回路装置においては、「Ｌ」レベルを
伝達する場合にスイッチング回路Ｂがオフすると、端子
４は高インピーダンス状態となる。この時、昇圧回路Ａ
にクロック信号Ｚが送られていると、昇圧回路Ａの入力
インピーダンスはクロック信号Ｚに同期して変化するた
め、端子４の電位が変化し端子５との間に電位差が生
じ、スイッチング回路Ｂがオンしてしまうため高電圧電
源回路Ｅからの電流を完全に遮断することができず、昇
圧回路Ａへの漏れ電流が発生し、昇圧回路Ａからクラン
プ回路Ｃを通り低電圧系回路Ｄに電流が流れてしまうと
いう課題があった。その結果、昇圧回路の能力を大きく
するために昇圧回路のチップ内面面積が非常に大きかっ
た。また、昇圧レベルを大きくできないために電源電圧
が低いと動作しなかった。
【０００４】そこで、この発明の目的は、従来技術にお
ける上述の課題を解決することができる改善された高電
圧伝達スイッチ回路を有する半導体集積回路装置を提供
することにある。
ける上述の課題を解決することができる改善された高電
圧伝達スイッチ回路を有する半導体集積回路装置を提供
することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は高電圧を発生するための昇圧回路と、ス
イッチング信号に応じて高電圧電源回路から昇圧回路へ
の電流を遮断するスイッチング回路と、制御信号により
スイッチング回路の出力とゲートとの間のインピーダン
スを可変する制御回路と、低電圧系回路に高電圧がかか
らないようにするクランプ回路を有し、低電圧系回路の
信号の振幅を高電圧に変換し伝達する高電圧伝達スイッ
チ回路を有する半導体集積回路装置とした。さらに、制
御信号によって高電圧電源回路からの電流消費を減少さ
せるための手段を設けた。
に、この発明は高電圧を発生するための昇圧回路と、ス
イッチング信号に応じて高電圧電源回路から昇圧回路へ
の電流を遮断するスイッチング回路と、制御信号により
スイッチング回路の出力とゲートとの間のインピーダン
スを可変する制御回路と、低電圧系回路に高電圧がかか
らないようにするクランプ回路を有し、低電圧系回路の
信号の振幅を高電圧に変換し伝達する高電圧伝達スイッ
チ回路を有する半導体集積回路装置とした。さらに、制
御信号によって高電圧電源回路からの電流消費を減少さ
せるための手段を設けた。
【０００６】
【作用】上記のように構成された高電圧伝達スイッチ回
路を有する半導体集積回路装置においては、高電圧電源
回路から昇圧回路への電流を遮断するスイッチング回路
がオフした場合、制御信号によりスイッチング回路の出
力とゲートとの間のインピーダンスを可変する制御回路
が、スイッチング回路の出力とゲートとの間のインピー
ダンスを下げるように作動して、昇圧回路の入力インピ
ーダンスの変化により、スイッチング回路の出力電位が
変化しスイッチング回路のゲートとの間に電位差が生じ
ることを防ぎ、高電圧電源回路からの電流を完全に遮断
することで電流消費を減少させることができることとな
る。
路を有する半導体集積回路装置においては、高電圧電源
回路から昇圧回路への電流を遮断するスイッチング回路
がオフした場合、制御信号によりスイッチング回路の出
力とゲートとの間のインピーダンスを可変する制御回路
が、スイッチング回路の出力とゲートとの間のインピー
ダンスを下げるように作動して、昇圧回路の入力インピ
ーダンスの変化により、スイッチング回路の出力電位が
変化しスイッチング回路のゲートとの間に電位差が生じ
ることを防ぎ、高電圧電源回路からの電流を完全に遮断
することで電流消費を減少させることができることとな
る。
【０００７】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図に基づいて説
明する。図１において、低電圧系回路Ｄからの信号によ
り端子１が「Ｌ」レベルの場合、スイッチング信号Ｙに
より端子５を「Ｌ」レベルとしスイッチング回路Ｂがオ
フすると、端子４は高インピーダンス状態となる。この
時、制御信号Ｘにより制御回路Ｇは、端子４と端子５の
間のインピーダンスを下げるように動作する。この時、
昇圧回路Ａにクロック信号Ｚが送られると、昇圧回路Ａ
の入力インピーダンスはクロック信号Ｚに同期して変化
し端子４の電位が変化するが、端子４と端子５の間のイ
ンピーダンスが低いため端子５は端子４と同電位に変化
する。このため、スイッチング回路Ｂは高電圧電源回路
Ｅからの電流を完全に遮断することができ、昇圧回路Ａ
への漏れ電流は発生しない。昇圧回路Ａは高電圧電源回
路Ｅからの電流の供給が受けられなくなり、クロック信
号Ｚが送られていても昇圧が行われず、端子３には高電
圧は発生せず、高電圧系回路Ｆには「Ｌ」レベルが伝達
される。
明する。図１において、低電圧系回路Ｄからの信号によ
り端子１が「Ｌ」レベルの場合、スイッチング信号Ｙに
より端子５を「Ｌ」レベルとしスイッチング回路Ｂがオ
フすると、端子４は高インピーダンス状態となる。この
時、制御信号Ｘにより制御回路Ｇは、端子４と端子５の
間のインピーダンスを下げるように動作する。この時、
昇圧回路Ａにクロック信号Ｚが送られると、昇圧回路Ａ
の入力インピーダンスはクロック信号Ｚに同期して変化
し端子４の電位が変化するが、端子４と端子５の間のイ
ンピーダンスが低いため端子５は端子４と同電位に変化
する。このため、スイッチング回路Ｂは高電圧電源回路
Ｅからの電流を完全に遮断することができ、昇圧回路Ａ
への漏れ電流は発生しない。昇圧回路Ａは高電圧電源回
路Ｅからの電流の供給が受けられなくなり、クロック信
号Ｚが送られていても昇圧が行われず、端子３には高電
圧は発生せず、高電圧系回路Ｆには「Ｌ」レベルが伝達
される。
【０００８】低電圧系回路Ｄからの信号により端子１が
「Ｈ」レベルの場合、スイッチング信号Ｙにより端子５
を「Ｈ」レベルとするとスイッチング回路Ｂがオンす
る。この時、制御信号Ｘにより制御回路Ｇは、端子４と
端子５の間のインピーダンスを高くするように動作す
る。昇圧回路Ａは高電圧電源回路Ｅから電流の供給を受
け昇圧を行い端子３に高電圧を発生し、高電圧系回路Ｆ
に高電圧が伝達される。
「Ｈ」レベルの場合、スイッチング信号Ｙにより端子５
を「Ｈ」レベルとするとスイッチング回路Ｂがオンす
る。この時、制御信号Ｘにより制御回路Ｇは、端子４と
端子５の間のインピーダンスを高くするように動作す
る。昇圧回路Ａは高電圧電源回路Ｅから電流の供給を受
け昇圧を行い端子３に高電圧を発生し、高電圧系回路Ｆ
に高電圧が伝達される。
【０００９】図３には、図１に示した高電圧伝達スイッ
チ回路の変型例が示されている。図３に示される高電圧
伝達スイッチ回路は、図１にある制御信号Ｘを端子１と
接続し、図１にあるスイッチング信号Ｙを端子３と接続
したものである。回路図中で動作が対応するものは同一
の記号で示されており、図３に示す回路の動作は図１の
回路の場合と同様である。
チ回路の変型例が示されている。図３に示される高電圧
伝達スイッチ回路は、図１にある制御信号Ｘを端子１と
接続し、図１にあるスイッチング信号Ｙを端子３と接続
したものである。回路図中で動作が対応するものは同一
の記号で示されており、図３に示す回路の動作は図１の
回路の場合と同様である。
【００１０】
【発明の効果】この発明は、以上説明したように、制御
信号によりスイッチング回路の出力とゲートとの間のイ
ンピーダンスを可変するという構成としたので、高電圧
電源回路からの電流を完全に遮断することで電流消費を
減少させる効果がある。その結果、昇圧回路の面積を小
さくして安価な半導体集積回路装置を実現できる。
信号によりスイッチング回路の出力とゲートとの間のイ
ンピーダンスを可変するという構成としたので、高電圧
電源回路からの電流を完全に遮断することで電流消費を
減少させる効果がある。その結果、昇圧回路の面積を小
さくして安価な半導体集積回路装置を実現できる。
【００１１】さらに、低電圧電源でも高電圧を発生する
ことができるために、２Ｖ以下の低電圧の電源電圧動作
の半導体集積回路が可能になる。
ことができるために、２Ｖ以下の低電圧の電源電圧動作
の半導体集積回路が可能になる。
【図１】本発明の半導体集積回路装置の高電圧伝達スイ
ッチ回路の一実施例を示した回路図である。
ッチ回路の一実施例を示した回路図である。
【図２】従来の半導体集積回路装置の高電圧伝達スイッ
チ回路の回路図である。
チ回路の回路図である。
【図３】図１に示す回路の変型例を示す回路図である。
Ａ 昇圧回路 Ｂ スイッチング回路 Ｃ クランプ回路 Ｄ 低電圧系回路 Ｅ 高電圧電源回路 Ｆ 高電圧系回路 Ｇ 制御回路
Claims (1)
- 【請求項１】 電源電圧より大きな高電圧を出力するた
めの昇圧回路と、スイッチング信号に応じて高電圧電源
回路から前記昇圧回路への電流を遮断するために前記昇
圧回路と前記高電圧電源回路の間に設けられたスイッチ
ング回路と、制御信号により前記スイッチング回路の出
力とゲートとの間のインピーダンスを可変する制御回路
と、電源電圧範囲で動作する低電圧系回路に前記昇圧回
路からの高電圧がかからないようにするために前記昇圧
回路と前記低電圧系回路との間に設けられたクランプ回
路からなることを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9973693A JPH06311008A (ja) | 1993-04-26 | 1993-04-26 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9973693A JPH06311008A (ja) | 1993-04-26 | 1993-04-26 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06311008A true JPH06311008A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14255329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9973693A Pending JPH06311008A (ja) | 1993-04-26 | 1993-04-26 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06311008A (ja) |
-
1993
- 1993-04-26 JP JP9973693A patent/JPH06311008A/ja active Pending
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