JPH0631229U - Semiconductor switch - Google Patents
Semiconductor switchInfo
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- JPH0631229U JPH0631229U JP6658592U JP6658592U JPH0631229U JP H0631229 U JPH0631229 U JP H0631229U JP 6658592 U JP6658592 U JP 6658592U JP 6658592 U JP6658592 U JP 6658592U JP H0631229 U JPH0631229 U JP H0631229U
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 制御機能を持つデバイスを少なくし且つ安定
したしゃ断動作が行える半導体スイッチを提供する。
【構成】 ダイオード３ａ〜３ｄをブリッジ接続して成
るダイオード整流器３の正負極端子間にゲートターンオ
フサイリスタ４を接続する。ゲートターンオフサイリス
タ４に流れる電流がほぼ零になったときにオフゲート信
号を供給してしゃ断せしめる。
(57) [Abstract] [Purpose] To provide a semiconductor switch in which the number of devices having a control function is reduced and stable interruption operation is possible. A gate turn-off thyristor 4 is connected between the positive and negative terminals of a diode rectifier 3 formed by bridge-connecting diodes 3a to 3d. When the current flowing through the gate turn-off thyristor 4 becomes almost zero, an off-gate signal is supplied to cut off the signal.
Description
【０００１】[0001]
本考案は電力変換回路等に用いられ、スイッチ数を減らした簡易形の半導体ス イッチに関する。 The present invention relates to a simple semiconductor switch used in a power conversion circuit or the like and having a reduced number of switches.
【０００２】[0002]
従来の半導体スイッチには例えば図３のように２個のサイリスタ１，２を逆並 列接続する方式がある。またスイッチ数を減らす簡易形としては、図４のように ダイオード３ａ〜３ｄをブリッジ接続して成るダイオード整流器３とサイリスタ １を組み合わせる方式がある。 As a conventional semiconductor switch, for example, there is a method of connecting two thyristors 1 and 2 in reverse parallel as shown in FIG. Further, as a simple type in which the number of switches is reduced, there is a method of combining a thyristor 1 with a diode rectifier 3 formed by connecting diodes 3a to 3d in a bridge as shown in FIG.
【０００３】[0003]
しかしながら図４の方式は、負荷電流をダイオード整流器３により整流してお り、サイリスタのラッチング電流（保持電流）領域でしゃ断動作が行われるため 動作が不安定であった。 However, the method of FIG. 4 is unstable because the load current is rectified by the diode rectifier 3 and the blocking operation is performed in the latching current (holding current) region of the thyristor.
【０００４】 本考案は上記の点に鑑みてなされたものでその目的は、制御機能を持つデバイ スを少なくし且つ安定したしゃ断動作が行える半導体スイッチを提供することに ある。The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a semiconductor switch which can reduce the number of devices having a control function and can perform a stable breaking operation.
【０００５】[0005]
本考案は、ダイオードをブリッジ接続して成るダイオード整流器と、前記ダイ オード整流器の正負極端子間に接続されたゲートターンオフサイリスタと、前記 ゲートターンオフサイリスタに流れる電流がほぼ零になったとき該ゲートターン オフサイリスタにオフゲート信号を供給するオフ制御回路とを備えたことを特徴 としている。 The present invention provides a diode rectifier formed by connecting diodes in a bridge structure, a gate turn-off thyristor connected between the positive and negative terminals of the diode rectifier, and a gate turn-off thyristor when the current flowing through the gate turn-off thyristor becomes almost zero. An off control circuit for supplying an off gate signal to the off thyristor is provided.
【０００６】[0006]
【作用】 ダイオード整流器の出力電流、即ちゲートターンオフサイリスタに流れる電流 は単相全波整流波形となる。オフ制御回路は前記単相全波整流波形の零近辺でオ フゲート信号を供給する。このためゲートターンオフサイリスタのしゃ断時にお けるサージ電圧の発生は少ない。これによって安定したしゃ断動作が行われる。The output current of the diode rectifier, that is, the current flowing through the gate turn-off thyristor has a single-phase full-wave rectification waveform. The off control circuit supplies an off-gate signal near zero of the single-phase full-wave rectified waveform. Therefore, surge voltage is less likely to occur when the gate turn-off thyristor is cut off. As a result, a stable shutoff operation is performed.
【０００７】[0007]
以下図面を参照しながら本考案の一実施例を説明する。図１において図４と同 一部分は同一符号を以て示している。ダイオード整流器３の正負極端子間には図 示極性のゲートターンオフサイリスタ４が接続されている。このゲートターンオ フサイリスタ４のしゃ断は、しゃ断してもサージ電圧の発生が少ない、小電流領 域で行うものとする。即ちゲートターンオフサイリスタ４に流れる電流は図２に 示すように単相全波整流波形となるが、零電流に近いところでオフゲート信号を 与え、しゃ断動作を確実に行う。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In FIG. 1, the same parts as those in FIG. 4 are designated by the same reference numerals. A gate turn-off thyristor 4 of the polarity shown is connected between the positive and negative terminals of the diode rectifier 3. The gate turn-off thyristor 4 is cut off in a small current region where surge voltage is small even if cut off. That is, the current flowing through the gate turn-off thyristor 4 has a single-phase full-wave rectification waveform as shown in FIG. 2, but an off-gate signal is given near zero current to ensure the interruption operation.
【０００８】 したがってゲートターンオフサイリスタ４のオフ制御回路としては、ゲートタ ーンオフサイリスタ４の通電電流を検出し、該検出電流と十分に零に近い設定値 を持つ設定器の出力とを比較し、検出電流が設定値以下になったことと、しゃ断 指令とのアンド条件成立時にオフゲート信号を出力するように構成するものであ る。Therefore, as the OFF control circuit of the gate turn-off thyristor 4, the conduction current of the gate turn-off thyristor 4 is detected, and the detected current is compared with the output of the setter having a set value sufficiently close to zero. It is configured to output an off-gate signal when the detected current falls below the set value and when the AND condition with the cutoff command is satisfied.
【０００９】[0009]
以上のように本考案によれば、ダイオードをブリッジ接続して成るダイオード 整流器と、前記ダイオード整流器の正負極端子間に接続されたゲートターンオフ サイリスタと、前記ゲートターンオフサイリスタに流れる電流がほぼ零になった とき該ゲートターンオフサイリスタにオフゲート信号を供給するオフ制御回路と を備えたので、次のような優れた効果が得られる。 As described above, according to the present invention, the diode rectifier formed by connecting diodes in a bridge structure, the gate turn-off thyristor connected between the positive and negative terminals of the diode rectifier, and the current flowing through the gate turn-off thyristor become substantially zero. In addition, since an off control circuit for supplying an off gate signal to the gate turn off thyristor is provided, the following excellent effects can be obtained.
【００１０】 （１）簡易型のスイッチが構成され、制御機能を持つデバイスを少なくすること ができる。 （２）しゃ断時のサージ電圧発生が少なく、しゃ断動作を確実に行うことができ る。(1) A simple switch is configured, and the number of devices having a control function can be reduced. (2) Surge voltage is not generated at the time of interruption, and the interruption operation can be performed reliably.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】本考案の一実施例を示す回路図。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.
【図２】実施例の回路動作を説明する電流波形図。FIG. 2 is a current waveform chart for explaining the circuit operation of the embodiment.
【図３】従来の半導体スイッチの一例を示す回路図。FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of a conventional semiconductor switch.
【図４】従来の半導体スイッチの他の例を示す回路図。FIG. 4 is a circuit diagram showing another example of a conventional semiconductor switch.
３…ダイオード整流器 ３ａ〜３ｄ…ダイオード ４…ゲートターンオフサイリスタ 3 ... Diode rectifier 3a-3d ... Diode 4 ... Gate turn-off thyristor
Claims (1)
オード整流器と、前記ダイオード整流器の正負極端子間
に接続されたゲートターンオフサイリスタと、前記ゲー
トターンオフサイリスタに流れる電流がほぼ零になった
とき該ゲートターンオフサイリスタにオフゲート信号を
供給するオフ制御回路とを備えたことを特徴とする半導
体スイッチ。1. A diode rectifier formed by connecting diodes in a bridge connection, a gate turn-off thyristor connected between positive and negative terminals of the diode rectifier, and a gate turn-off when a current flowing through the gate turn-off thyristor becomes substantially zero. A semiconductor switch comprising an off control circuit for supplying an off gate signal to a thyristor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6658592U JPH0631229U (en) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | Semiconductor switch |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6658592U JPH0631229U (en) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | Semiconductor switch |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0631229U true JPH0631229U (en) | 1994-04-22 |
Family
ID=13320175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6658592U Pending JPH0631229U (en) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | Semiconductor switch |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0631229U (en) |
-
1992
- 1992-09-25 JP JP6658592U patent/JPH0631229U/en active Pending
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