JPH06313886A - 液晶分子の配向法 - Google Patents
液晶分子の配向法Info
- Publication number
- JPH06313886A JPH06313886A JP5103845A JP10384593A JPH06313886A JP H06313886 A JPH06313886 A JP H06313886A JP 5103845 A JP5103845 A JP 5103845A JP 10384593 A JP10384593 A JP 10384593A JP H06313886 A JPH06313886 A JP H06313886A
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- Japan
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- liquid crystal
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- chain type
- type polymer
- crystal film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、液晶表示装置における表示品位を
向上させるための方法を提案するものである。 【構成】 基板１の主面上に側鎖型高分子液晶膜３を形
成し、この側鎖型高分子液晶膜３をガラス化温度以上、
ネマティック一等方光学媒体状態の転移温度以下の所望
の温度に加温し、所望の方向の磁力線５にこの側鎖型高
分子液晶膜磁場を晒す。
向上させるための方法を提案するものである。 【構成】 基板１の主面上に側鎖型高分子液晶膜３を形
成し、この側鎖型高分子液晶膜３をガラス化温度以上、
ネマティック一等方光学媒体状態の転移温度以下の所望
の温度に加温し、所望の方向の磁力線５にこの側鎖型高
分子液晶膜磁場を晒す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶パネルの製法に関
し、特に、表示品位と均一性を一段と向上させることに
関する。
し、特に、表示品位と均一性を一段と向上させることに
関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置等、表示装置は、マン・マ
シーン・インターフェースとしては、是非必要となる装
置である。特に、最近、コンピューター端末等におい
て、ダウン・サイジングの意味からも、液晶表示装置は
必須となってきており、特に表示の均一性のために、液
晶分子の配向の均一性が重要となっている。
シーン・インターフェースとしては、是非必要となる装
置である。特に、最近、コンピューター端末等におい
て、ダウン・サイジングの意味からも、液晶表示装置は
必須となってきており、特に表示の均一性のために、液
晶分子の配向の均一性が重要となっている。
【０００３】最近、コンピューター端末等に使われる液
晶表示装置において、高品位表示の要求が現実のものと
なってきた。これらの液晶表示装置においては、ＳＴＮ
等、単純モードの液晶表示装置が主に使われている。こ
れらの液晶表示装置には、表示において、近年、階調表
示が要求され、この点で、より均一な表示が要求され
る。換言すれば、均一な液晶分子の配向が要求される。
晶表示装置において、高品位表示の要求が現実のものと
なってきた。これらの液晶表示装置においては、ＳＴＮ
等、単純モードの液晶表示装置が主に使われている。こ
れらの液晶表示装置には、表示において、近年、階調表
示が要求され、この点で、より均一な表示が要求され
る。換言すれば、均一な液晶分子の配向が要求される。
【０００４】従来、液晶分子の配向のために、ポリイミ
ド等の樹脂の極薄膜を主面上に形成し、その後、極薄膜
を摩擦等のプロセスにより延伸させる、いわゆる、ラビ
ング操作し、さらに、主面を所定の間隙をもって対向さ
せ、この間隙に液晶を充填している。
ド等の樹脂の極薄膜を主面上に形成し、その後、極薄膜
を摩擦等のプロセスにより延伸させる、いわゆる、ラビ
ング操作し、さらに、主面を所定の間隙をもって対向さ
せ、この間隙に液晶を充填している。
【０００５】なおこの技術内容は、「液晶・応用編」
岡野光治、小林駿介 共編、培風館刊にに詳しい。
岡野光治、小林駿介 共編、培風館刊にに詳しい。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の液晶
パネルの生産においては、前述のように液晶分子の配向
のためのいわゆる配向膜は、樹脂膜の機械的摩擦によっ
てなされており、これは分子レベルで見れば、非常にム
ラのあるものであった。
パネルの生産においては、前述のように液晶分子の配向
のためのいわゆる配向膜は、樹脂膜の機械的摩擦によっ
てなされており、これは分子レベルで見れば、非常にム
ラのあるものであった。
【０００７】本発明は前記従来の問題に留意し、均一な
液晶分子の配向ができる液晶分子の配向法を提供するこ
とを目的とする。
液晶分子の配向ができる液晶分子の配向法を提供するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は前記目的を達成
するために、基板主面上に側鎖型高分子液晶膜を形成
し、次に、この側鎖型高分子液晶膜をガラス化温度以
上、ネマティック−等方光学媒体状態の転移温度以下の
所望の温度に加温し、同時に所望の方向の磁力線にこの
側鎖型高分子液晶膜磁場を晒し、次に、このような１対
の基板を用意し、主面を所定の間隙になるように対向さ
せ、前記間隙に液晶を充填する液晶分子の配向法とす
る。
するために、基板主面上に側鎖型高分子液晶膜を形成
し、次に、この側鎖型高分子液晶膜をガラス化温度以
上、ネマティック−等方光学媒体状態の転移温度以下の
所望の温度に加温し、同時に所望の方向の磁力線にこの
側鎖型高分子液晶膜磁場を晒し、次に、このような１対
の基板を用意し、主面を所定の間隙になるように対向さ
せ、前記間隙に液晶を充填する液晶分子の配向法とす
る。
【０００９】
【作用】前記の手段によれば、側鎖型高分子液晶膜の主
鎖の配向性は、公知の摩擦法（ラビング法）に比較して
分子レベルでもより均一となり、いわゆるラビング操作
を省略できることとなる。
鎖の配向性は、公知の摩擦法（ラビング法）に比較して
分子レベルでもより均一となり、いわゆるラビング操作
を省略できることとなる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。ここで
は、単純型のマトリクス表示装置について述べる。
は、単純型のマトリクス表示装置について述べる。
【００１１】図１に従って説明する。図１は構成断面図
である。図面における構成要素として１は無アルカリの
ホウ珪酸ガラス基板、２は透明電極（ＩＴＯ）、３は側
鎖型高分子液晶膜、４は磁場発生装置のポールピース、
５は磁力線、６は液晶層である。
である。図面における構成要素として１は無アルカリの
ホウ珪酸ガラス基板、２は透明電極（ＩＴＯ）、３は側
鎖型高分子液晶膜、４は磁場発生装置のポールピース、
５は磁力線、６は液晶層である。
【００１２】図１（ａ）のように、基板１の透明電極２
上に極薄の側鎖型高分子液晶膜３を、塗布、形成する。
なお、基板１は非磁性であり、たとえばガラス等からな
る。また高分子液晶はクロロフォルム溶剤で希釈し、塗
布後、溶剤を揮発させた。
上に極薄の側鎖型高分子液晶膜３を、塗布、形成する。
なお、基板１は非磁性であり、たとえばガラス等からな
る。また高分子液晶はクロロフォルム溶剤で希釈し、塗
布後、溶剤を揮発させた。
【００１３】側鎖型高分子液晶としては、ポリアクリレ
ートの１種（化１）を合成した。
ートの１種（化１）を合成した。
【００１４】
【化１】
【００１５】これのガラス化温度は約７０℃強、転移温
度は約１０５℃であった。次に図１（ｂ）のように、磁
場発生装置のポールピース４による磁場の強さ約１００
キロガウス程度の磁力線５を基板１に対して所定の角度
で印加するとともに基板１を加熱する。ここで基板１の
温度は、ガラス化温度以上、ネマティック一等方光学媒
体状態の転移温度以下の温度に設定する。そして磁場に
側鎖型高分子液晶膜３をもつ基板１を晒した。前記状態
を保持したまま、基板１を９０℃強に加温した。かくし
て高分子の液晶性を示す側鎖基は、磁場の方向に配向す
る。そして重合膜を赤外吸収測定等により複屈折評価し
たところ、主鎖が平均的に配向しているのが確認し得
た。
度は約１０５℃であった。次に図１（ｂ）のように、磁
場発生装置のポールピース４による磁場の強さ約１００
キロガウス程度の磁力線５を基板１に対して所定の角度
で印加するとともに基板１を加熱する。ここで基板１の
温度は、ガラス化温度以上、ネマティック一等方光学媒
体状態の転移温度以下の温度に設定する。そして磁場に
側鎖型高分子液晶膜３をもつ基板１を晒した。前記状態
を保持したまま、基板１を９０℃強に加温した。かくし
て高分子の液晶性を示す側鎖基は、磁場の方向に配向す
る。そして重合膜を赤外吸収測定等により複屈折評価し
たところ、主鎖が平均的に配向しているのが確認し得
た。
【００１６】さらに図１（ｃ）のように、このような側
鎖型高分子液晶膜３をもつ２枚の基板１を、透明電極２
が対向するように、かつ間隙が７．０ミクロンとなるよ
うに貼り合わせ、この間隙にＴＮ用ネマティック液晶組
成物を充填して液晶層６を形成した。
鎖型高分子液晶膜３をもつ２枚の基板１を、透明電極２
が対向するように、かつ間隙が７．０ミクロンとなるよ
うに貼り合わせ、この間隙にＴＮ用ネマティック液晶組
成物を充填して液晶層６を形成した。
【００１７】前述の論旨から、側鎖型高分子液晶膜の主
鎖の配向性は、公知の摩擦法（ラビング法）に比較して
分子レベルでも、より均一であると理解される。この発
明は、いわゆるラビング操作を省き得ることになる。ま
た、前記磁場の方向を基板平面に対して、所定の角度に
設定することにより、ガラス表面で、液晶分子のなす角
度、すなわち、プレティルトを制御することも可能であ
った。前述の液晶状態としては、種々の液晶状態が知ら
れているが、ネマティック状態が望ましい。通常、ガラ
ス化温度より、前記転移温度は高い。また、この発明に
より実現し得た液晶パネルが現実的であるためには、ガ
ラス化温度は、液晶パネルの使用温度以上であることが
必須である。通常、約７０℃以上が望ましい。
鎖の配向性は、公知の摩擦法（ラビング法）に比較して
分子レベルでも、より均一であると理解される。この発
明は、いわゆるラビング操作を省き得ることになる。ま
た、前記磁場の方向を基板平面に対して、所定の角度に
設定することにより、ガラス表面で、液晶分子のなす角
度、すなわち、プレティルトを制御することも可能であ
った。前述の液晶状態としては、種々の液晶状態が知ら
れているが、ネマティック状態が望ましい。通常、ガラ
ス化温度より、前記転移温度は高い。また、この発明に
より実現し得た液晶パネルが現実的であるためには、ガ
ラス化温度は、液晶パネルの使用温度以上であることが
必須である。通常、約７０℃以上が望ましい。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、表示装置
の表示品位の向上を実現するに有力な方法を提供するも
のであり、産業に貢献するところ大である。
の表示品位の向上を実現するに有力な方法を提供するも
のであり、産業に貢献するところ大である。
【図１】ａは本発明の実施例における側鎖型高分子液晶
膜をもつ基板の断面図 ｂは基板を磁場に晒している状態の説明図 ｃは２枚の基板を張り合せたものの断面図
膜をもつ基板の断面図 ｂは基板を磁場に晒している状態の説明図 ｃは２枚の基板を張り合せたものの断面図
１ 基板 ２ 透明電極（ＩＴＯ） ３ 側鎖型高分子液晶膜 ４ 磁場発生装置のポールピース ５ 磁力線 ６ 液晶層
Claims (1)
- 【請求項１】 基板主面上に側鎖型高分子液晶膜を形成
し、この側鎖型高分子液晶膜をガラス化温度以上、ネマ
ティック−等方光学媒体状態の転移温度以下の所望の温
度に加温し、同時に所望の方向の磁力線にこの側鎖型高
分子液晶膜磁場を晒し、次に、この１対の基板をその主
面を所定の間隙になるように対向させ、前記間隙に液晶
を充填することを特徴とする液晶分子の配向法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5103845A JPH06313886A (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 液晶分子の配向法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5103845A JPH06313886A (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 液晶分子の配向法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06313886A true JPH06313886A (ja) | 1994-11-08 |
Family
ID=14364776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5103845A Pending JPH06313886A (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 液晶分子の配向法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06313886A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5742370A (en) * | 1996-09-12 | 1998-04-21 | Korea Institute Of Science And Technology | Fabrication method for liquid crystal alignment layer by magnetic field treatment |
-
1993
- 1993-04-30 JP JP5103845A patent/JPH06313886A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5742370A (en) * | 1996-09-12 | 1998-04-21 | Korea Institute Of Science And Technology | Fabrication method for liquid crystal alignment layer by magnetic field treatment |
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