JPH06314855A - 半導体発光素子とその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子とその製造方法Info
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- JPH06314855A JPH06314855A JP10340293A JP10340293A JPH06314855A JP H06314855 A JPH06314855 A JP H06314855A JP 10340293 A JP10340293 A JP 10340293A JP 10340293 A JP10340293 A JP 10340293A JP H06314855 A JPH06314855 A JP H06314855A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体発光素子とその製造方法に関し、平坦
で他の光機能素子と積層集積化が容易で、微小共振器を
容易に形成することができ、無しきい値動作が可能な高
信頼低消費電力の半導体発光素子を提供する。 【構成】 第１導電型半導体基板１上に第１導電型半導
体多層膜反射鏡２を形成し、その上に大きいハンドギャ
ップを有する半導体層からなるブロック層４を形成し、
このブロック層４の一部を除去して開口を形成し、開口
を有するブロック層４の上の全面に共振器構造１３を形
成し、この共振器構造１３のブロック層４の上に形成さ
れた部分を除去して平坦化し、その上に反対導電型半導
体多層膜反射鏡１４を形成し、光の非出射面に電極１６
を形成し、光の出射面に電極１７と無反射コーティング
１８を形成する。第１導電型半導体多層膜反射鏡２の上
に共振器メサを形成した後、その周囲にブロック層を形
成することもできる。
で他の光機能素子と積層集積化が容易で、微小共振器を
容易に形成することができ、無しきい値動作が可能な高
信頼低消費電力の半導体発光素子を提供する。 【構成】 第１導電型半導体基板１上に第１導電型半導
体多層膜反射鏡２を形成し、その上に大きいハンドギャ
ップを有する半導体層からなるブロック層４を形成し、
このブロック層４の一部を除去して開口を形成し、開口
を有するブロック層４の上の全面に共振器構造１３を形
成し、この共振器構造１３のブロック層４の上に形成さ
れた部分を除去して平坦化し、その上に反対導電型半導
体多層膜反射鏡１４を形成し、光の非出射面に電極１６
を形成し、光の出射面に電極１７と無反射コーティング
１８を形成する。第１導電型半導体多層膜反射鏡２の上
に共振器メサを形成した後、その周囲にブロック層を形
成することもできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、微小共振器を有する面
発光半導体レーザ等の半導体発光素子とその製造方法に
関する。近年、光インターコネクションのためのキーデ
バイスとして垂直共振器面発光レーザ（Ｖｅｒｔｉｃａ
ｌ Ｃａｖｉｔｙ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ
Ｌａｓｅｒｓ）の研究の進展が著しい。垂直共振器面発
光レーザは、 １．共振器体積が小さいため極低しきい値動作が可能で
ある ２．共振器長が短いため単一モード動作が容易である という利点を有している。
発光半導体レーザ等の半導体発光素子とその製造方法に
関する。近年、光インターコネクションのためのキーデ
バイスとして垂直共振器面発光レーザ（Ｖｅｒｔｉｃａ
ｌ Ｃａｖｉｔｙ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ
Ｌａｓｅｒｓ）の研究の進展が著しい。垂直共振器面発
光レーザは、 １．共振器体積が小さいため極低しきい値動作が可能で
ある ２．共振器長が短いため単一モード動作が容易である という利点を有している。
【０００２】さらに、共振器の大きさが光の波長のオー
ダーになると微小共振器（ｍｉｃｒｏｃａｖｉｔｙ）の
効果が顕在化する。理論によれば、微小共振器では自然
放出光が増強され、かつ、自然放出光からレーザモード
への変換効率がバルクの場合よりも大きくなる。したが
って、無しきい値動作も期待できる。
ダーになると微小共振器（ｍｉｃｒｏｃａｖｉｔｙ）の
効果が顕在化する。理論によれば、微小共振器では自然
放出光が増強され、かつ、自然放出光からレーザモード
への変換効率がバルクの場合よりも大きくなる。したが
って、無しきい値動作も期待できる。
【０００３】
【従来の技術】図６は、従来の典型的な垂直共振器面発
光レーザの構造説明図である。この図において、４１は
第１導電型半導体基板、４２は第１導電型半導体多層膜
反射鏡、４３は微小共振器、４４は第２導電型半導体多
層膜反射鏡、４５は無反射コーティング膜である。
光レーザの構造説明図である。この図において、４１は
第１導電型半導体基板、４２は第１導電型半導体多層膜
反射鏡、４３は微小共振器、４４は第２導電型半導体多
層膜反射鏡、４５は無反射コーティング膜である。
【０００４】この従来の典型的な垂直共振器面発光レー
ザにおいては、第１導電型半導体基板４１の上に、第１
導電型半導体多層膜反射鏡４２、メサ型の微小共振器４
３、第２導電型半導体多層膜反射鏡４４が積層して形成
され、第１導電型半導体基板４１と第２導電型半導体多
層膜反射鏡４４に電流を供給するための電極が形成さ
れ、光放出面に無反射コーティング膜４５が形成されて
いる。
ザにおいては、第１導電型半導体基板４１の上に、第１
導電型半導体多層膜反射鏡４２、メサ型の微小共振器４
３、第２導電型半導体多層膜反射鏡４４が積層して形成
され、第１導電型半導体基板４１と第２導電型半導体多
層膜反射鏡４４に電流を供給するための電極が形成さ
れ、光放出面に無反射コーティング膜４５が形成されて
いる。
【０００５】この垂直共振器面発光レーザは、共振器長
が短く、共振器損失が大きくなるため、第１導電型半導
体多層膜反射鏡４２と第２導電型半導体多層膜反射鏡４
４を、バンドギャップが大きい半導体をλ／４膜厚で交
互に積層して形成し、反射率が９９．９％を超えるよう
にする必要がある。
が短く、共振器損失が大きくなるため、第１導電型半導
体多層膜反射鏡４２と第２導電型半導体多層膜反射鏡４
４を、バンドギャップが大きい半導体をλ／４膜厚で交
互に積層して形成し、反射率が９９．９％を超えるよう
にする必要がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この従来の垂直共振器
面発光レーザにおいては、共振器を微小化するために、
図６のようにメサ加工する方法が最もよく用いられてい
るが、このままでは、素子の表面が平坦でないため、他
の光機能素子と積層集積化する場合等を考えると不利が
残る。また、メサの側面をポリイミド等の樹脂で埋め込
んで平坦化する手法も用いられるが、信頼性の点で難点
がある。本発明は、形状が平坦であるため他の光機能素
子との積層集積化が容易で、微小共振器を容易に形成す
ることができ、無しきい値動作が可能な高信頼低消費電
力面発光半導体レーザを提供することを目的とする。
面発光レーザにおいては、共振器を微小化するために、
図６のようにメサ加工する方法が最もよく用いられてい
るが、このままでは、素子の表面が平坦でないため、他
の光機能素子と積層集積化する場合等を考えると不利が
残る。また、メサの側面をポリイミド等の樹脂で埋め込
んで平坦化する手法も用いられるが、信頼性の点で難点
がある。本発明は、形状が平坦であるため他の光機能素
子との積層集積化が容易で、微小共振器を容易に形成す
ることができ、無しきい値動作が可能な高信頼低消費電
力面発光半導体レーザを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる半導体発
光素子においては、第１導電型半導体基板上に第１導電
型半導体多層膜反射鏡と半導体微小共振器と反対導電型
半導体多層膜反射鏡とコンタクト層が積層され、該半導
体微小共振器の側面が大きいバンドギャップの半導体に
よって覆われている構成を採用した。
光素子においては、第１導電型半導体基板上に第１導電
型半導体多層膜反射鏡と半導体微小共振器と反対導電型
半導体多層膜反射鏡とコンタクト層が積層され、該半導
体微小共振器の側面が大きいバンドギャップの半導体に
よって覆われている構成を採用した。
【０００８】本発明にかかる半導体発光素子の製造方法
においては、第１導電型半導体基板上に第１導電型半導
体多層膜反射鏡を形成する工程と、該第１導電型半導体
多層膜反射鏡の上に大きいバンドギャップを有する半導
体層を形成する工程と、該大きいバンドギャップを有す
る半導体層の一部をエッチング除去する工程と、該一部
エッチング除去された部分を含む大きいバンドギャップ
を有する半導体層の上に共振器構造を形成する工程と、
該共振器構造の上の大きいバンドギャップを有する半導
体層の一部をエッチング除去した領域の直上に耐蝕性マ
スクを形成する工程と、該耐蝕性マスクが形成されてい
ない部分の共振器構造をエッチング除去する工程と、該
マスクを除去する工程と、該大きいバンドギャップを有
する半導体層と共振器構造の上に反対導電型半導体多層
膜反射鏡を形成する工程と、光の非出射面に電極を形成
する工程と、光の出射面に無反射コーティングと電極を
形成する工程を採用した。
においては、第１導電型半導体基板上に第１導電型半導
体多層膜反射鏡を形成する工程と、該第１導電型半導体
多層膜反射鏡の上に大きいバンドギャップを有する半導
体層を形成する工程と、該大きいバンドギャップを有す
る半導体層の一部をエッチング除去する工程と、該一部
エッチング除去された部分を含む大きいバンドギャップ
を有する半導体層の上に共振器構造を形成する工程と、
該共振器構造の上の大きいバンドギャップを有する半導
体層の一部をエッチング除去した領域の直上に耐蝕性マ
スクを形成する工程と、該耐蝕性マスクが形成されてい
ない部分の共振器構造をエッチング除去する工程と、該
マスクを除去する工程と、該大きいバンドギャップを有
する半導体層と共振器構造の上に反対導電型半導体多層
膜反射鏡を形成する工程と、光の非出射面に電極を形成
する工程と、光の出射面に無反射コーティングと電極を
形成する工程を採用した。
【０００９】この場合、大きいバンドギャップを有する
半導体層の厚さと、共振器構造の厚さがほぼ等しくなる
ように形成し、該大きいバンドギャップを有する半導体
層の上に形成された共振器構造をエッチング除去する工
程によって、該共振器の上面とその側面を覆う大きいバ
ンドギャップを有する半導体層の上面を平坦化すること
ができる。
半導体層の厚さと、共振器構造の厚さがほぼ等しくなる
ように形成し、該大きいバンドギャップを有する半導体
層の上に形成された共振器構造をエッチング除去する工
程によって、該共振器の上面とその側面を覆う大きいバ
ンドギャップを有する半導体層の上面を平坦化すること
ができる。
【００１０】また、第１導電型半導体基板上に第１導電
型半導体多層膜反射鏡を形成する工程と、該第１導電型
半導体多層膜反射鏡の上に共振器構造を形成する工程
と、該共振器構造の上の共振器を形成する部分に耐蝕性
マスクを形成する工程と、該耐蝕性マスクを用いて共振
器を形成しない部分の共振器構造をエッチング除去して
共振器のメサを形成する工程と、該共振器のメサの周囲
に該耐蝕性マスクを用いて大きいバンドギャップを有す
る半導体層を選択成長して上面を平坦化する工程と、該
耐蝕性マスクを除去する工程と、該大きいバンドギャッ
プを有する半導体層と共振器のメサの上に反対導電型半
導体多層膜反射鏡を形成する工程と、光の非出射面に電
極を形成する工程と、光の出射面に無反射コーティング
と電極を形成する工程を採用した。
型半導体多層膜反射鏡を形成する工程と、該第１導電型
半導体多層膜反射鏡の上に共振器構造を形成する工程
と、該共振器構造の上の共振器を形成する部分に耐蝕性
マスクを形成する工程と、該耐蝕性マスクを用いて共振
器を形成しない部分の共振器構造をエッチング除去して
共振器のメサを形成する工程と、該共振器のメサの周囲
に該耐蝕性マスクを用いて大きいバンドギャップを有す
る半導体層を選択成長して上面を平坦化する工程と、該
耐蝕性マスクを除去する工程と、該大きいバンドギャッ
プを有する半導体層と共振器のメサの上に反対導電型半
導体多層膜反射鏡を形成する工程と、光の非出射面に電
極を形成する工程と、光の出射面に無反射コーティング
と電極を形成する工程を採用した。
【００１１】これらの場合、共振器の側面およびその周
囲を覆う大きいバンドギャップの半導体に代えて、高抵
抗半導体を用いることができる。
囲を覆う大きいバンドギャップの半導体に代えて、高抵
抗半導体を用いることができる。
【００１２】
【作用】本発明によると、微小共振器を容易に形成する
ことができるから、無しきい値動作が可能な半導体発光
素子を実現できる。また、装置の形状が平坦であるから
他の光機能素子と容易に積層集積化することができる。
さらに、微小共振器の側面が大きいバンドギャップを有
する高抵抗半導体によって覆われているため、絶縁膜等
による電流狭窄構造を形成する必要がなく、電極形成工
程を容易に行うことができる。
ことができるから、無しきい値動作が可能な半導体発光
素子を実現できる。また、装置の形状が平坦であるから
他の光機能素子と容易に積層集積化することができる。
さらに、微小共振器の側面が大きいバンドギャップを有
する高抵抗半導体によって覆われているため、絶縁膜等
による電流狭窄構造を形成する必要がなく、電極形成工
程を容易に行うことができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 （第１実施例）図１は、第１実施例の垂直共振面発光レ
ーザの構成説明図である。この図において、１はｎ型の
半導体基板、２はｎ型のＤＢＲミラー、２1 はｎ型の第
１半導体層、２2 はｎ型の第２半導体層、３はエッチン
グストップ層、４は半導体ブロック層、６はクラッド
層、７はバリア層、８は歪量子井戸活性層、９はバリア
層、１０はクラッド層、１１は保護層、１３は微小共振
器、１４はｐ型のＤＢＲミラー、１４1 はｐ型の第１半
導体層、１４2 はｐ型の第２半導体層、１５はコンタク
ト層、１６はＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極、１７はＡｕＧｅ／
Ａｕ電極、１８は無反射コーティングである。なお、こ
の符号は、第２実施例の符号に一致させたため欠番を生
じている。
ーザの構成説明図である。この図において、１はｎ型の
半導体基板、２はｎ型のＤＢＲミラー、２1 はｎ型の第
１半導体層、２2 はｎ型の第２半導体層、３はエッチン
グストップ層、４は半導体ブロック層、６はクラッド
層、７はバリア層、８は歪量子井戸活性層、９はバリア
層、１０はクラッド層、１１は保護層、１３は微小共振
器、１４はｐ型のＤＢＲミラー、１４1 はｐ型の第１半
導体層、１４2 はｐ型の第２半導体層、１５はコンタク
ト層、１６はＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極、１７はＡｕＧｅ／
Ａｕ電極、１８は無反射コーティングである。なお、こ
の符号は、第２実施例の符号に一致させたため欠番を生
じている。
【００１４】第１実施例の垂直共振面発光レーザにおい
ては、ｎ型ＧａＡｓからなるｎ型の半導体基板１の上
に、厚さが発振波長の１／４で、不純物濃度が２×１０
18ｃｍ -3のｎ−ＧａＡｓからなるｎ型の第１半導体層２
1 とｎ−ＡｌＡｓからなるｎ型の第２半導体層２2 を交
互に２８．５ペア積層したｎ型のＤＢＲミラー２が形成
されており、素子抵抗を低減するため、ｎ−ＧａＡｓか
らなるｎ型の第１半導体層２1 とｎ−ＡｌＡｓからなる
ｎ型の第２半導体層２2 の間に１８０Åのグレーデッド
層が挿入されている。また、このｎ型のＤＢＲミラー２
の上に、厚さ２００ÅのＧａＡｓからなるエッチングス
トップ層３が形成されている。
ては、ｎ型ＧａＡｓからなるｎ型の半導体基板１の上
に、厚さが発振波長の１／４で、不純物濃度が２×１０
18ｃｍ -3のｎ−ＧａＡｓからなるｎ型の第１半導体層２
1 とｎ−ＡｌＡｓからなるｎ型の第２半導体層２2 を交
互に２８．５ペア積層したｎ型のＤＢＲミラー２が形成
されており、素子抵抗を低減するため、ｎ−ＧａＡｓか
らなるｎ型の第１半導体層２1 とｎ−ＡｌＡｓからなる
ｎ型の第２半導体層２2 の間に１８０Åのグレーデッド
層が挿入されている。また、このｎ型のＤＢＲミラー２
の上に、厚さ２００ÅのＧａＡｓからなるエッチングス
トップ層３が形成されている。
【００１５】そして、ｎ型のＤＢＲミラー２の上の一部
に、厚さ１３４７．５ÅのＡｌＧａＡｓからなるクラッ
ド層６、厚さ１００ÅのＧａＡｓからなるバリア層７、
厚さ８０ÅのＩｎＧａＡｓからなる歪量子井戸活性層
８、厚さ１００ÅのＧａＡｓからなるバリア層９、厚さ
１３４７．５ÅのＡｌＧａＡｓからなるクラッド層１０
からなる微小共振器１３が形成され、微小共振器１３の
周囲は、相対的に大きいバンドギャップを有するノンド
ープＩｎＧａＰからなる半導体ブロック層４によって覆
われている。
に、厚さ１３４７．５ÅのＡｌＧａＡｓからなるクラッ
ド層６、厚さ１００ÅのＧａＡｓからなるバリア層７、
厚さ８０ÅのＩｎＧａＡｓからなる歪量子井戸活性層
８、厚さ１００ÅのＧａＡｓからなるバリア層９、厚さ
１３４７．５ÅのＡｌＧａＡｓからなるクラッド層１０
からなる微小共振器１３が形成され、微小共振器１３の
周囲は、相対的に大きいバンドギャップを有するノンド
ープＩｎＧａＰからなる半導体ブロック層４によって覆
われている。
【００１６】そして、その上に、厚さが発振波長の１／
４で、不純物濃度が２×１０18ｃｍ -3のｐ−ＧａＡｓか
らなるｐ型の第１半導体層１４1 とｐ−ＡｌＡｓからな
るｐ型の第２半導体層１４2 を交互に２３ペア積層され
たｐ型のＤＢＲミラー１４が形成されている。この場合
も、素子抵抗を低減するため、このｐ型のＤＢＲミラー
１４のｐ−ＧａＡｓからなるｐ型の第１半導体層１４1
とｐ−ＡｌＡｓからなるｐ型の第２の半導体層１４2 の
間にグレーデッド層が挿入されている。
４で、不純物濃度が２×１０18ｃｍ -3のｐ−ＧａＡｓか
らなるｐ型の第１半導体層１４1 とｐ−ＡｌＡｓからな
るｐ型の第２半導体層１４2 を交互に２３ペア積層され
たｐ型のＤＢＲミラー１４が形成されている。この場合
も、素子抵抗を低減するため、このｐ型のＤＢＲミラー
１４のｐ−ＧａＡｓからなるｐ型の第１半導体層１４1
とｐ−ＡｌＡｓからなるｐ型の第２の半導体層１４2 の
間にグレーデッド層が挿入されている。
【００１７】そして、ｐ型のＤＢＲミラー１４の上に厚
さが１５００Åで不純物濃度が１×１０19ｃｍ-3より大
きいＧａＡｓからなるコンタクト層１５が形成され、ｐ
側にはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極１６が、ｐ側にはＡｕＧｅ
／Ａｕ電極１７が形成され、光の出射端面に厚さが発振
波長の１／４のＳｉＮからなる無反射コーティング１８
が形成されている。
さが１５００Åで不純物濃度が１×１０19ｃｍ-3より大
きいＧａＡｓからなるコンタクト層１５が形成され、ｐ
側にはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極１６が、ｐ側にはＡｕＧｅ
／Ａｕ電極１７が形成され、光の出射端面に厚さが発振
波長の１／４のＳｉＮからなる無反射コーティング１８
が形成されている。
【００１８】この実施例のように、微小共振器１３の側
面が大きいハンドギャップを有するＩｎＧａＰからなる
半導体ブロック層４によって覆われ、素子抵抗が低減さ
れているため、絶縁体による電流狭窄構造を施す必要は
ない。この場合、ブロック層４を構成する大きいハンド
ギャップを有するＩｎＧａＰ等の半導体を、酸素ドープ
ＡｌＧａＡｓ等の高抵抗半導体によって置き換えること
ができる。
面が大きいハンドギャップを有するＩｎＧａＰからなる
半導体ブロック層４によって覆われ、素子抵抗が低減さ
れているため、絶縁体による電流狭窄構造を施す必要は
ない。この場合、ブロック層４を構成する大きいハンド
ギャップを有するＩｎＧａＰ等の半導体を、酸素ドープ
ＡｌＧａＡｓ等の高抵抗半導体によって置き換えること
ができる。
【００１９】（第２実施例）図２、図３は、第２実施例
の面発光レーザの製造工程説明図であり、（Ａ）〜
（Ｆ）は各工程を示している。この図において、１はｎ
型の半導体基板、２はｎ型のＤＢＲミラー、２1 はｎ型
の第１半導体層、２2 はｎ型の第２半導体層、３はエッ
チングストップ、４は半導体ブロック層、５はエッチン
グマスク層、６はクラッド層、７はバリア層、８は歪量
子井戸活性層、９はバリア層、１０はクラッド層、１１
は保護層、１２はレジストパターン、１３は微小共振
器、１４はｐ型のＤＢＲミラー、１４1 はｐ型の第１半
導体層、１４2 はｐ型の第２半導体層、１５はｐ型のコ
ンタクト層である。
の面発光レーザの製造工程説明図であり、（Ａ）〜
（Ｆ）は各工程を示している。この図において、１はｎ
型の半導体基板、２はｎ型のＤＢＲミラー、２1 はｎ型
の第１半導体層、２2 はｎ型の第２半導体層、３はエッ
チングストップ、４は半導体ブロック層、５はエッチン
グマスク層、６はクラッド層、７はバリア層、８は歪量
子井戸活性層、９はバリア層、１０はクラッド層、１１
は保護層、１２はレジストパターン、１３は微小共振
器、１４はｐ型のＤＢＲミラー、１４1 はｐ型の第１半
導体層、１４2 はｐ型の第２半導体層、１５はｐ型のコ
ンタクト層である。
【００２０】この製造工程説明図によって第２実施例の
微小共振器が半導体層によって埋め込まれた０．９８μ
ｍ帯の１波長共振器面発光レーザの製造方法を説明す
る。
微小共振器が半導体層によって埋め込まれた０．９８μ
ｍ帯の１波長共振器面発光レーザの製造方法を説明す
る。
【００２１】第１工程（図２（Ａ）参照） ｎ型ＧａＡｓからなるｎ型の半導体基板１の上に、厚さ
が発振波長の１／４で、不純物濃度が２×１０18ｃｍ-3
のｎ−ＧａＡｓからなるｎ型の第１半導体層２ 1 とｎ−
ＡｌＡｓからなるｎ型の第２半導体層２2 を交互に２
８．５ペア積層してｎ型のＤＢＲミラー２を形成する。
が発振波長の１／４で、不純物濃度が２×１０18ｃｍ-3
のｎ−ＧａＡｓからなるｎ型の第１半導体層２ 1 とｎ−
ＡｌＡｓからなるｎ型の第２半導体層２2 を交互に２
８．５ペア積層してｎ型のＤＢＲミラー２を形成する。
【００２２】素子抵抗を低減するため、このｎ型のＤＢ
Ｒミラー２のｎ−ＧａＡｓからなるｎ型の第１半導体層
２1 とｎ−ＡｌＡｓからなるｎ型の第２半導体層２2 の
間に１８０Åのグレーデッド層を挿入する。これは、Ｇ
ａＡｓからＡｌＡｓへ組成がリニアに変化する層、ある
いは、超格子で構成される。
Ｒミラー２のｎ−ＧａＡｓからなるｎ型の第１半導体層
２1 とｎ−ＡｌＡｓからなるｎ型の第２半導体層２2 の
間に１８０Åのグレーデッド層を挿入する。これは、Ｇ
ａＡｓからＡｌＡｓへ組成がリニアに変化する層、ある
いは、超格子で構成される。
【００２３】このｎ型のＤＢＲミラー２の上に、厚さ２
００ÅのＧａＡｓからなるエッチングストップ層３を形
成する。そして、さらにその上に、厚さ２９７５Åのノ
ンドープＩｎＧａＰからなる半導体ブロック層４を成長
する。この場合、半導体ブロック層４は、後の工程で成
長する共振器１３と同じ厚さにする。
００ÅのＧａＡｓからなるエッチングストップ層３を形
成する。そして、さらにその上に、厚さ２９７５Åのノ
ンドープＩｎＧａＰからなる半導体ブロック層４を成長
する。この場合、半導体ブロック層４は、後の工程で成
長する共振器１３と同じ厚さにする。
【００２４】第２工程（図２（Ｂ）参照） 第１工程で形成した半導体ブロック層４の上に、厚さ２
００ÅのＧａＡｓからなるエッチングマスク層５を形成
し、このエッチングマスク層５の微小共振器１３を形成
する予定の部分に、弗酸過酸化水素系エッチャントを用
いて選択的にウェットエッチして開口を形成する。この
開口を有するＧａＡｓからなるエッチングマスク層５を
マスクにして、塩酸を用いてＩｎＧａＰからなる半導体
ブロック層４をエッチング除去する。この際、ＤＢＲミ
ラー２の上に形成されたエッチングストップ層３によっ
てＤＢＲミラー２が保護される。なお、この微小共振器
１３を形成するための開口の平面形状は、円形、正方形
等任意である。
００ÅのＧａＡｓからなるエッチングマスク層５を形成
し、このエッチングマスク層５の微小共振器１３を形成
する予定の部分に、弗酸過酸化水素系エッチャントを用
いて選択的にウェットエッチして開口を形成する。この
開口を有するＧａＡｓからなるエッチングマスク層５を
マスクにして、塩酸を用いてＩｎＧａＰからなる半導体
ブロック層４をエッチング除去する。この際、ＤＢＲミ
ラー２の上に形成されたエッチングストップ層３によっ
てＤＢＲミラー２が保護される。なお、この微小共振器
１３を形成するための開口の平面形状は、円形、正方形
等任意である。
【００２５】第３工程（図２（Ｃ）、図３（Ｄ）参照） 図３（Ｄ）は図２（Ｃ）の１点鎖線内を拡大して示して
いる。共振器１３を形成する予定の部分をエッチング除
去したＩｎＧａＰからなる半導体ブロック層４の上に、
厚さ１３４７．５ÅのＡｌＧａＡｓからなるクラッド層
６、厚さ１００ÅのＧａＡｓからなるバリア層７、厚さ
８０ÅのＩｎＧａＡｓからなる歪量子井戸活性層８、厚
さ１００ÅのＧａＡｓからなるバリア層９、厚さ１３４
７．５ÅのＡｌＧａＡｓからなるクラッド層１０、厚さ
２００ÅのＧａＡｓからなる保護層１１をこの順に形成
する。次に、ＩｎＧａＰからなる半導体ブロック層４を
除去した直上の、ＧａＡｓからなる保護層１１の上にレ
ジストパターン１２を形成する。
いる。共振器１３を形成する予定の部分をエッチング除
去したＩｎＧａＰからなる半導体ブロック層４の上に、
厚さ１３４７．５ÅのＡｌＧａＡｓからなるクラッド層
６、厚さ１００ÅのＧａＡｓからなるバリア層７、厚さ
８０ÅのＩｎＧａＡｓからなる歪量子井戸活性層８、厚
さ１００ÅのＧａＡｓからなるバリア層９、厚さ１３４
７．５ÅのＡｌＧａＡｓからなるクラッド層１０、厚さ
２００ÅのＧａＡｓからなる保護層１１をこの順に形成
する。次に、ＩｎＧａＰからなる半導体ブロック層４を
除去した直上の、ＧａＡｓからなる保護層１１の上にレ
ジストパターン１２を形成する。
【００２６】第４工程（図３（Ｅ）参照） 第３工程で形成したレジストパターン１２をマスクにし
て、ＩｎＧａＰからなる半導体ブロック層４の上に形成
されている、ＧａＡｓからなる保護層１１、ＡｌＧａＡ
ｓからなるクラッド層１０、ＧａＡｓからなるバリア層
９、ＩｎＧａＡｓからなる歪量子井戸活性層８、ＧａＡ
ｓからなるバリア層７、ＡｌＧａＡｓからなるクラッド
層６を弗酸過酸化水素系エッチャントを用いてエッチン
グして除去して微小共振器１３を形成する。
て、ＩｎＧａＰからなる半導体ブロック層４の上に形成
されている、ＧａＡｓからなる保護層１１、ＡｌＧａＡ
ｓからなるクラッド層１０、ＧａＡｓからなるバリア層
９、ＩｎＧａＡｓからなる歪量子井戸活性層８、ＧａＡ
ｓからなるバリア層７、ＡｌＧａＡｓからなるクラッド
層６を弗酸過酸化水素系エッチャントを用いてエッチン
グして除去して微小共振器１３を形成する。
【００２７】第５工程（図３（Ｆ）参照） 第４工程において用いたレジストパターン１２を剥離し
た後、全面に、厚さが発振波長の１／４で、不純物濃度
が２×１０18ｃｍ-3のｐ−ＧａＡｓからなるｐ型の第１
半導体層１４1 とｐ−ＡｌＡｓからなるｐ型の第２半導
体層１４2 を交互に２３ペア積層してｐ型のＤＢＲミラ
ー１４を形成する。この場合も、素子抵抗を低減するた
め、ｐ型のこのＤＢＲミラー１４のｐ−ＧａＡｓからな
るｐ型の第１半導体層１４1 とｐ−ＡｌＡｓからなるｐ
型の第２の半導体層１４2 の間にグレーデッド層を挿入
する。
た後、全面に、厚さが発振波長の１／４で、不純物濃度
が２×１０18ｃｍ-3のｐ−ＧａＡｓからなるｐ型の第１
半導体層１４1 とｐ−ＡｌＡｓからなるｐ型の第２半導
体層１４2 を交互に２３ペア積層してｐ型のＤＢＲミラ
ー１４を形成する。この場合も、素子抵抗を低減するた
め、ｐ型のこのＤＢＲミラー１４のｐ−ＧａＡｓからな
るｐ型の第１半導体層１４1 とｐ−ＡｌＡｓからなるｐ
型の第２の半導体層１４2 の間にグレーデッド層を挿入
する。
【００２８】半導体ブロック層４の上の成長速度と、エ
ッチングされないで残ったＧａＡｓからなる保護層１
１、ＡｌＧａＡｓからなるクラッド層１０、ＧａＡｓか
らなるバリア層９、ＩｎＧａＡｓからなる歪量子井戸活
性層８、ＧａＡｓからなるバリア層７、ＡｌＧａＡｓか
らなるクラッド層６の上の成長速度が同じであるから、
平坦なｐ−ＧａＡｓからなるｐ型の第１半導体層１４1
とｐ−ＡｌＡｓからなるｐ型の第２半導体層１４2 の積
層構造のｐ型のＤＢＲミラー１４を形成することができ
る。その上に厚さが１５００Åで不純物濃度が１×１０
19ｃｍ-3より大きいＧａＡｓからなるｐ型のコンタクト
層１５を成長して素子の結晶構造が完成する。
ッチングされないで残ったＧａＡｓからなる保護層１
１、ＡｌＧａＡｓからなるクラッド層１０、ＧａＡｓか
らなるバリア層９、ＩｎＧａＡｓからなる歪量子井戸活
性層８、ＧａＡｓからなるバリア層７、ＡｌＧａＡｓか
らなるクラッド層６の上の成長速度が同じであるから、
平坦なｐ−ＧａＡｓからなるｐ型の第１半導体層１４1
とｐ−ＡｌＡｓからなるｐ型の第２半導体層１４2 の積
層構造のｐ型のＤＢＲミラー１４を形成することができ
る。その上に厚さが１５００Åで不純物濃度が１×１０
19ｃｍ-3より大きいＧａＡｓからなるｐ型のコンタクト
層１５を成長して素子の結晶構造が完成する。
【００２９】この後、図示されていないが、光の出射端
面に厚さが発振波長の１／４のＳｉＮからなる無反射コ
ーティングを形成し、ｐ側にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極、ｐ
側にＡｕＧｅ／Ａｕ電極を形成して素子が完成する。
面に厚さが発振波長の１／４のＳｉＮからなる無反射コ
ーティングを形成し、ｐ側にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極、ｐ
側にＡｕＧｅ／Ａｕ電極を形成して素子が完成する。
【００３０】この実施例のように、微小共振器１３がＩ
ｎＧａＰからなる半導体ブロック層４によって覆われて
いるためと、素子抵抗が低減されているために、従来の
素子に形成されていた絶縁体による電流狭窄構造は施さ
ない。
ｎＧａＰからなる半導体ブロック層４によって覆われて
いるためと、素子抵抗が低減されているために、従来の
素子に形成されていた絶縁体による電流狭窄構造は施さ
ない。
【００３１】（第３実施例）図４、図５は、第３実施例
の面発光レーザの製造工程説明図であり、（Ａ）〜
（Ｆ）は各工程を示している。この図において、 ２１
はｎ型の半導体基板、２２はｎ型のＤＢＲミラー、２２
1 はｎ型の第１半導体層、２２2 はｎ型の第２半導体
層、２３はクラッド層、２４はバリア層、２５は歪量子
井戸活性層、２６はバリア層、２７はクラッド層、２８
は保護層、２９は耐エッチング膜、３０は微小共振器、
３１はブロック層、３２はｐ型のＤＢＲミラー、３２1
はｐ型の第１半導体層、３２2 はｐ型の第２半導体層、
３３はｐ型のコンタクト層である。
の面発光レーザの製造工程説明図であり、（Ａ）〜
（Ｆ）は各工程を示している。この図において、 ２１
はｎ型の半導体基板、２２はｎ型のＤＢＲミラー、２２
1 はｎ型の第１半導体層、２２2 はｎ型の第２半導体
層、２３はクラッド層、２４はバリア層、２５は歪量子
井戸活性層、２６はバリア層、２７はクラッド層、２８
は保護層、２９は耐エッチング膜、３０は微小共振器、
３１はブロック層、３２はｐ型のＤＢＲミラー、３２1
はｐ型の第１半導体層、３２2 はｐ型の第２半導体層、
３３はｐ型のコンタクト層である。
【００３２】この製造工程説明図によって第３実施例の
微小共振器が半導体層によって埋め込まれた０．９８μ
ｍ帯の１波長共振器面発光レーザの製造方法を説明す
る。
微小共振器が半導体層によって埋め込まれた０．９８μ
ｍ帯の１波長共振器面発光レーザの製造方法を説明す
る。
【００３３】第１工程（図４（Ａ），（Ｂ）参照） 図４（Ｂ）は（Ａ）の１点鎖線内を拡大して示してい
る。ｎ型ＧａＡｓからなるｎ型の半導体基板２１の上
に、厚さが発振波長の１／４で、不純物濃度が２×１０
18ｃｍ-3のｎ−ＧａＡｓからなるｎ型の第１半導体層２
２1 とｎ−ＡｌＡｓからなるｎ型の第２半導体層２２2
を交互に２８．５ペア積層してｎ型のＤＢＲミラー２２
を形成する。
る。ｎ型ＧａＡｓからなるｎ型の半導体基板２１の上
に、厚さが発振波長の１／４で、不純物濃度が２×１０
18ｃｍ-3のｎ−ＧａＡｓからなるｎ型の第１半導体層２
２1 とｎ−ＡｌＡｓからなるｎ型の第２半導体層２２2
を交互に２８．５ペア積層してｎ型のＤＢＲミラー２２
を形成する。
【００３４】このｎ型のＤＢＲミラー２２の上に、厚さ
１３４７．５ÅのＡｌＧａＡｓからなるクラッド層２
３、厚さ１００ÅのＧａＡｓからなるバリア層２４、厚
さ８０ÅのＩｎＧａＡｓからなる歪量子井戸活性層２
５、厚さ１００ÅのＧａＡｓからなるバリア層２６、厚
さ１３４７．５ÅのＡｌＧａＡｓからなるクラッド層２
７、厚さ２００ÅのＧａＡｓからなる保護層２８をこの
順に形成する。
１３４７．５ÅのＡｌＧａＡｓからなるクラッド層２
３、厚さ１００ÅのＧａＡｓからなるバリア層２４、厚
さ８０ÅのＩｎＧａＡｓからなる歪量子井戸活性層２
５、厚さ１００ÅのＧａＡｓからなるバリア層２６、厚
さ１３４７．５ÅのＡｌＧａＡｓからなるクラッド層２
７、厚さ２００ÅのＧａＡｓからなる保護層２８をこの
順に形成する。
【００３５】第２工程（図４（Ｃ）参照） 第１工程で形成した積層体の最上層の保護層２８の上に
微小共振器３０を形成したい部分にＳｉＯ2 からなる耐
エッチング膜２９をパターニングする。
微小共振器３０を形成したい部分にＳｉＯ2 からなる耐
エッチング膜２９をパターニングする。
【００３６】第３工程（図５（Ｄ）参照） 第２工程で形成したＳｉＯ2 からなる耐エッチング膜２
９をマスクにして、ＲＩＥによって、ＧａＡｓからなる
保護層２８、ＡｌＧａＡｓからなるクラッド層２７、Ｇ
ａＡｓからなるバリア層２６、ＩｎＧａＡｓからなる歪
量子井戸活性層２５、ＧａＡｓからなるバリア層２４、
ＡｌＧａＡｓからなるクラッド層２３をエッチングして
微小共振器３０のメサを形成する。
９をマスクにして、ＲＩＥによって、ＧａＡｓからなる
保護層２８、ＡｌＧａＡｓからなるクラッド層２７、Ｇ
ａＡｓからなるバリア層２６、ＩｎＧａＡｓからなる歪
量子井戸活性層２５、ＧａＡｓからなるバリア層２４、
ＡｌＧａＡｓからなるクラッド層２３をエッチングして
微小共振器３０のメサを形成する。
【００３７】第４工程（図５（Ｅ）参照） 第３工程で形成した微小共振器３０のメサを有するｎ型
のＤＢＲミラー２２の上に、ＳｉＯ2 とＧａＡｓの成長
速度の差を利用して厚さ２９７５Åのｉ−ＩｎＧａＰか
らなるブロック層３１を選択成長する。ここまでの一連
の工程は、微小共振器３０の構造にＡｌＧａＡｓが入っ
ており、酸化されやすいため、外気に触れないようにロ
ードロックで接続された成長装置内で行う。
のＤＢＲミラー２２の上に、ＳｉＯ2 とＧａＡｓの成長
速度の差を利用して厚さ２９７５Åのｉ−ＩｎＧａＰか
らなるブロック層３１を選択成長する。ここまでの一連
の工程は、微小共振器３０の構造にＡｌＧａＡｓが入っ
ており、酸化されやすいため、外気に触れないようにロ
ードロックで接続された成長装置内で行う。
【００３８】第５工程（図５（Ｆ）参照） 第４工程で用いたＳｉＯ2 からなる耐エッチング膜２９
を除去した後、厚さが発振波長の１／４で不純物濃度が
２×１０18ｃｍ-3のｐ−ＧａＡｓからなるｐ型の第１半
導体層３２1 とｐ−ＡｌＡｓからなるｐ型の第２半導体
層３２2 を交互に２３ペア積層してｐ型のＤＢＲミラー
３２を形成する。そして、その上に厚さが１５００Åで
ｐ型不純物濃度が１×１０19ｃｍ-3より大きいＧａＡｓ
からなるｐ型のコンタクト層３３を成長して素子の結晶
構造を完成する。
を除去した後、厚さが発振波長の１／４で不純物濃度が
２×１０18ｃｍ-3のｐ−ＧａＡｓからなるｐ型の第１半
導体層３２1 とｐ−ＡｌＡｓからなるｐ型の第２半導体
層３２2 を交互に２３ペア積層してｐ型のＤＢＲミラー
３２を形成する。そして、その上に厚さが１５００Åで
ｐ型不純物濃度が１×１０19ｃｍ-3より大きいＧａＡｓ
からなるｐ型のコンタクト層３３を成長して素子の結晶
構造を完成する。
【００３９】その後、図示されていないが、光の出射端
面に厚さが発振波長の１／４のＳｉＮからなる無反射コ
ーティングを形成し、ｐ側にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極、ｐ
側にＡｕＧｅ／Ａｕ電極を形成して素子が完成する。
面に厚さが発振波長の１／４のＳｉＮからなる無反射コ
ーティングを形成し、ｐ側にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極、ｐ
側にＡｕＧｅ／Ａｕ電極を形成して素子が完成する。
【００４０】第１実施例と同様に、この実施例において
も、微小共振器３０がＩｎＧａＰからなるブロック層３
１によって覆われているため微小共振器３０の周囲に絶
縁体による電流狭窄構造を施す必要はない。
も、微小共振器３０がＩｎＧａＰからなるブロック層３
１によって覆われているため微小共振器３０の周囲に絶
縁体による電流狭窄構造を施す必要はない。
【００４１】上記の各実施例によると、微小共振器を容
易に実現できるため、無しきい値動作の半導体発光素子
を実現でき、形状が平坦であるため他の光機能素子との
積層集積化が容易に行われ、さらに、微小共振器がバン
ドギャップが大きい半導体によって覆われているため、
絶縁体の電流狭窄構造を施す必要がなく、電極形成工程
が容易になり、かつ、複雑な電極構造が不要で素子の高
信頼化につながる。
易に実現できるため、無しきい値動作の半導体発光素子
を実現でき、形状が平坦であるため他の光機能素子との
積層集積化が容易に行われ、さらに、微小共振器がバン
ドギャップが大きい半導体によって覆われているため、
絶縁体の電流狭窄構造を施す必要がなく、電極形成工程
が容易になり、かつ、複雑な電極構造が不要で素子の高
信頼化につながる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
従来実現困難であった微小共振器を容易に形成すること
ができるため、無しきい値動作が可能な低消費電力面発
光半導体レーザが実現でき、装置の形状が平坦であるた
め他の光機能素子との積層集積化が容易で装置のコンパ
クト化が可能になり、さらに、微小共振器がバンドギャ
ップが大きい半導体によって覆われているため、特に絶
縁体からなる電流狭窄構造を形成する必要がなく、複雑
な電極構造が不要であるため、素子を高信頼化すること
ができ、光を用いたインターコネクション等の技術分野
において寄与するところが大きい。
従来実現困難であった微小共振器を容易に形成すること
ができるため、無しきい値動作が可能な低消費電力面発
光半導体レーザが実現でき、装置の形状が平坦であるた
め他の光機能素子との積層集積化が容易で装置のコンパ
クト化が可能になり、さらに、微小共振器がバンドギャ
ップが大きい半導体によって覆われているため、特に絶
縁体からなる電流狭窄構造を形成する必要がなく、複雑
な電極構造が不要であるため、素子を高信頼化すること
ができ、光を用いたインターコネクション等の技術分野
において寄与するところが大きい。
【図１】第１実施例の垂直共振面発光レーザの構成説明
図である。
図である。
【図２】第２実施例の面発光レーザの製造工程説明図
（１）であり、（Ａ）〜（Ｃ）は各工程を示している。
（１）であり、（Ａ）〜（Ｃ）は各工程を示している。
【図３】第２実施例の面発光レーザの製造工程説明図
（２）であり、（Ｄ）〜（Ｆ）は各工程を示している。
（２）であり、（Ｄ）〜（Ｆ）は各工程を示している。
【図４】第３実施例の面発光レーザの製造工程説明図
（１）であり、（Ａ）〜（Ｃ）は各工程を示している。
（１）であり、（Ａ）〜（Ｃ）は各工程を示している。
【図５】第３実施例の面発光レーザの製造工程説明図
（２）であり、（Ｄ）〜（Ｆ）は各工程を示している。
（２）であり、（Ｄ）〜（Ｆ）は各工程を示している。
【図６】従来の典型的な垂直共振器面発光レーザの構造
説明図である。
説明図である。
１ ｎ型の半導体基板 ２ ｎ型のＤＢＲミラー ２1 ｎ型の第１半導体層 ２2 ｎ型の第２半導体層 ３ エッチングストップ層 ４ 半導体ブロック層 ５ エッチングマスク層 ６ クラッド層 ７ バリア層 ８ 歪量子井戸活性層 ９ バリア層 １０ クラッド層 １１ 保護層 １２ レジストパターン １３ 微小共振器 １４ ｐ型のＤＢＲミラー １４1 ｐ型の第１半導体層 １４2 ｐ型の第２半導体層 １５ コンタクト層 １６ Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極 １７ ＡｕＧｅ／Ａｕ電極 １８ 無反射コーティング ２１ ｎ型の半導体基板 ２２ ｎ型のＤＢＲミラー ２２1 ｎ型の第１半導体層 ２２2 ｎ型の第２半導体層 ２３ クラッド層 ２４ バリア層 ２５ 歪量子井戸活性層 ２６ バリア層 ２７ クラッド層 ２８ 保護層 ２９ 耐エッチング膜 ３０ 微小共振器 ３１ ブロック層 ３２ ｐ型のＤＢＲミラー ３２1 ｐ型の第１半導体層 ３２2 ｐ型の第２半導体層 ３３ ｐ型のコンタクト層 ４１ 第１導電型半導体基板 ４２ 第１導電型半導体多層膜反射鏡 ４３ 微小共振器 ４４ 第２導電型半導体多層膜反射鏡 ４５ 無反射コーティング膜
Claims (6)
- 【請求項１】 第１導電型半導体基板上に第１導電型半
導体多層膜反射鏡と半導体微小共振器と反対導電型半導
体多層膜反射鏡とコンタクト層が積層され、該半導体微
小共振器の側面が大きいバンドギャップの半導体によっ
て覆われていることを特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項２】 共振器の側面およびその周囲を覆う大き
いバンドギャップの半導体に代えて、高抵抗半導体を用
いたことを特徴とする請求項１に記載された半導体発光
素子。 - 【請求項３】 第１導電型半導体基板上に第１導電型半
導体多層膜反射鏡を形成する工程と、該第１導電型半導
体多層膜反射鏡の上に大きいバンドギャップを有する半
導体層を形成する工程と、該大きいバンドギャップを有
する半導体層の一部をエッチング除去する工程と、該一
部エッチング除去された部分を含む大きいバンドギャッ
プを有する半導体層の上に共振器構造を形成する工程
と、該共振器構造の上の大きいバンドギャップを有する
半導体層の一部をエッチング除去した領域の直上に耐蝕
性マスクを形成する工程と、該耐蝕性マスクが形成され
ていない部分の共振器構造をエッチング除去する工程
と、該マスクを除去する工程と、該大きいバンドギャッ
プを有する半導体層と共振器構造の上に反対導電型半導
体多層膜反射鏡を形成する工程と、光の非出射面に電極
を形成する工程と、光の出射面に無反射コーティングと
電極を形成する工程を含むことを特徴とする半導体発光
素子の製造方法。 - 【請求項４】 大きいバンドギャップを有する半導体層
の厚さと、共振器構造の厚さがほぼ等しくなるように形
成し、該大きいバンドギャップを有する半導体層の上に
形成された共振器構造をエッチング除去する工程によっ
て、該共振器の上面とそれを囲む大きいバンドギャップ
を有する半導体層の上面を平坦化することを特徴とする
請求項２に記載された半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項５】 第１導電型半導体基板上に第１導電型半
導体多層膜反射鏡を形成する工程と、該第１導電型半導
体多層膜反射鏡の上に共振器構造を形成する工程と、該
共振器構造の上の共振器を形成する部分に耐蝕性マスク
を形成する工程と、該耐蝕性マスクを用いて共振器を形
成しない部分の共振器構造をエッチング除去して共振器
のメサを形成する工程と、該共振器のメサの周囲に該耐
蝕性マスクを用いて大きいバンドギャップを有する半導
体層を選択成長して上面を平坦化する工程と、該耐蝕性
マスクを除去する工程と、該大きいバンドギャップを有
する半導体層と共振器のメサの上に反対導電型半導体多
層膜反射鏡を形成する工程と、光の非出射面に電極を形
成する工程と、光の出射面に無反射コーティングと電極
を形成する工程を含むことを特徴とする半導体発光素子
の製造方法。 - 【請求項６】 共振器の側面およびその周囲を覆う大き
いバンドギャップの半導体に代えて、高抵抗半導体を用
いることを特徴とする請求項３から請求項５までのいず
れか１項に記載された半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10340293A JPH06314855A (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 半導体発光素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10340293A JPH06314855A (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 半導体発光素子とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06314855A true JPH06314855A (ja) | 1994-11-08 |
Family
ID=14353063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10340293A Withdrawn JPH06314855A (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 半導体発光素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06314855A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002261388A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-13 | Ricoh Co Ltd | 面発光型半導体レーザ素子チップおよび光通信システム |
| JP2002261400A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-13 | Ricoh Co Ltd | レーザ、レーザ装置および光通信システム |
| JP2002329928A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-11-15 | Ricoh Co Ltd | 光通信システム |
| JP2008243954A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 面発光型半導体光デバイス |
| JP2009038310A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 面発光型半導体光デバイス |
| US7590159B2 (en) | 2001-02-26 | 2009-09-15 | Ricoh Company, Ltd. | Surface-emission laser diode operable in the wavelength band of 1.1-1.7 micrometers and optical telecommunication system using such a laser diode |
| CN111697114A (zh) * | 2020-07-29 | 2020-09-22 | 东南大学苏州研究院 | 一种垂直结构led芯片及其制备方法 |
-
1993
- 1993-04-30 JP JP10340293A patent/JPH06314855A/ja not_active Withdrawn
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