JPH06314856A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH06314856A JPH06314856A JP10432393A JP10432393A JPH06314856A JP H06314856 A JPH06314856 A JP H06314856A JP 10432393 A JP10432393 A JP 10432393A JP 10432393 A JP10432393 A JP 10432393A JP H06314856 A JPH06314856 A JP H06314856A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- semiconductor
- thin film
- layer
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はII−VI族半導体より構成される半導
体レーザを屈折率導波構造にすることによって、低閾電
流で動作するレーザを提供することを目的としている。 【構成】 ｐ型ＧａＡｓ基板上にｎ型ＧａＡｓ電流ブロ
ック層４を有し、凹形形状部２０の上に形成されたII−
VI族半導体から構成される活性層７を屈曲させるもので
ある。
体レーザを屈折率導波構造にすることによって、低閾電
流で動作するレーザを提供することを目的としている。 【構成】 ｐ型ＧａＡｓ基板上にｎ型ＧａＡｓ電流ブロ
ック層４を有し、凹形形状部２０の上に形成されたII−
VI族半導体から構成される活性層７を屈曲させるもので
ある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、II−VI族半導体を用い
た青色から黄色に至る領域で発振する青緑色半導体レー
ザの構造に関するものであり、特に、屈折率導波型レー
ザ構造に関するものである。
た青色から黄色に至る領域で発振する青緑色半導体レー
ザの構造に関するものであり、特に、屈折率導波型レー
ザ構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のII−VI族半導体を活性層に利用し
た半導体レーザは、例えばアフ゜ライト゛ フィシ゛ックス レタース゛第59
巻第1272頁（M.A.Haase et al. Applied Physics Lette
rs 59,1272 (1991))、または、アフ゜ライト゛ フィシ゛ックス レタース゛
第60巻第2045頁(H.Jeon et al.Applied Physics Letter
s 60, 2045 (1992))等に記載されているような、ヘテロ
接合面に平行な方向の光閉じ込めができていなかった。
た半導体レーザは、例えばアフ゜ライト゛ フィシ゛ックス レタース゛第59
巻第1272頁（M.A.Haase et al. Applied Physics Lette
rs 59,1272 (1991))、または、アフ゜ライト゛ フィシ゛ックス レタース゛
第60巻第2045頁(H.Jeon et al.Applied Physics Letter
s 60, 2045 (1992))等に記載されているような、ヘテロ
接合面に平行な方向の光閉じ込めができていなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような構造では光
閉じ込めをしていないため、ストライプ幅を小さくする
ことが困難であった。そのため、閾電流は７７Ｋで７４
ｍＡ程度と大きくなり、室温連続発振に必要な低閾電流
駆動ができないという課題があった。
閉じ込めをしていないため、ストライプ幅を小さくする
ことが困難であった。そのため、閾電流は７７Ｋで７４
ｍＡ程度と大きくなり、室温連続発振に必要な低閾電流
駆動ができないという課題があった。
【０００４】本発明は、上記の欠点を解消し、ヘテロ接
合面に平行な方向の光閉じ込めを行い、低閾電流で発振
する青緑色半導体レーザを提供することを目的とする。
合面に平行な方向の光閉じ込めを行い、低閾電流で発振
する青緑色半導体レーザを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明は、ｐ型II−VI族半導体が、幅１μｍ以上５０μ
ｍ以下のストライプ形状を有するｎ型半導体薄膜を介し
てｐ型III−V族半導体基板上に形成され、かつ、このス
トライプ形状部分の少なくとも一部ではｐ型II−VI族半
導体がｐ型III−V族半導体基板と直接接合し、しかも、
ｐ型II−VI族半導体を介してII−VI族半導体の活性層が
形成され、少なくともストライプ部分に対応する活性層
部分では、活性層を屈曲した半導体レ−ザによって、か
かる従来の課題を克服した。
本発明は、ｐ型II−VI族半導体が、幅１μｍ以上５０μ
ｍ以下のストライプ形状を有するｎ型半導体薄膜を介し
てｐ型III−V族半導体基板上に形成され、かつ、このス
トライプ形状部分の少なくとも一部ではｐ型II−VI族半
導体がｐ型III−V族半導体基板と直接接合し、しかも、
ｐ型II−VI族半導体を介してII−VI族半導体の活性層が
形成され、少なくともストライプ部分に対応する活性層
部分では、活性層を屈曲した半導体レ−ザによって、か
かる従来の課題を克服した。
【０００６】
【作用】本発明の半導体レ−ザの構成は、断面形状が凹
型に分断されたストライプ形状のｎ型半導体薄膜を介し
て、ｐ型II−VI族半導体とｐ型III−V族半導体基板とが
接合しているため、ｐ型基板から注入される電流は、ｎ
型半導体薄膜上のストライプ形状に電流狭窄される。従
って、本発明の半導体レ−ザは、従来のように、電流狭
窄部に、熱伝導度の小さいポリイミドやＳｉＯ2のよう
な樹脂や酸化物を用いていないため、活性層で生じた熱
の放散が優れている。
型に分断されたストライプ形状のｎ型半導体薄膜を介し
て、ｐ型II−VI族半導体とｐ型III−V族半導体基板とが
接合しているため、ｐ型基板から注入される電流は、ｎ
型半導体薄膜上のストライプ形状に電流狭窄される。従
って、本発明の半導体レ−ザは、従来のように、電流狭
窄部に、熱伝導度の小さいポリイミドやＳｉＯ2のよう
な樹脂や酸化物を用いていないため、活性層で生じた熱
の放散が優れている。
【０００７】また、ｎ型半導体薄膜がストライプ形状で
除去されて、得られたストライプ形状の段差のために、
その上に作製したII−VI族半導体から構成される半導体
レーザ積層構造は、前記段差部で屈曲させられる。その
結果、屈曲された活性層は屈折率導波構造としての機能
を有するようになるものである。
除去されて、得られたストライプ形状の段差のために、
その上に作製したII−VI族半導体から構成される半導体
レーザ積層構造は、前記段差部で屈曲させられる。その
結果、屈曲された活性層は屈折率導波構造としての機能
を有するようになるものである。
【０００８】
【実施例】本発明の半導体レ−ザは、ｐ型III−V族半導
体基板上に形成してあるｎ型半導体薄膜がストライプ形
状で除去されており、前記ストライプ部に露出したｐ型
III−V族半導体半導体基板の一部がｐ型II−VI族半導体
クラッド層と接合することにより電流狭窄部が形成さ
れ、かつストライプ部の段差上のII−VI族半導体活性層
を屈曲させることにより屈折率導波構造を形成するもの
である。
体基板上に形成してあるｎ型半導体薄膜がストライプ形
状で除去されており、前記ストライプ部に露出したｐ型
III−V族半導体半導体基板の一部がｐ型II−VI族半導体
クラッド層と接合することにより電流狭窄部が形成さ
れ、かつストライプ部の段差上のII−VI族半導体活性層
を屈曲させることにより屈折率導波構造を形成するもの
である。
【０００９】本発明に供されるｐ型III−V族半導体基板
材料としては、ＧａＡｓあるいはＩｎBＧａ1-BＡｓ（但
し、０.０３≦Ｂ≦０.０６）が、積層するII−VI族半導
体と格子定数が近いため好ましい。
材料としては、ＧａＡｓあるいはＩｎBＧａ1-BＡｓ（但
し、０.０３≦Ｂ≦０.０６）が、積層するII−VI族半導
体と格子定数が近いため好ましい。
【００１０】また、ｐ型III−V族半導体基板上に、ｐ型
ＧａＡｓ薄膜、ｐ型ＧａＩｎＰ薄膜、ｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐ薄膜、ｐ型ＡｌＩｎＰ薄膜のいずれか一つ以上を形成
すると、ｐ型ＧａＡｓ基板あるいはｐ型ＩｎＧａＡｓ基
板とｐ型II−VI族半導体の価電子帯の障壁を小さくする
ことができるため、低い電圧でｐ型基板からｐ型II−VI
族半導体クラッド層に電流注入することができる。
ＧａＡｓ薄膜、ｐ型ＧａＩｎＰ薄膜、ｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐ薄膜、ｐ型ＡｌＩｎＰ薄膜のいずれか一つ以上を形成
すると、ｐ型ＧａＡｓ基板あるいはｐ型ＩｎＧａＡｓ基
板とｐ型II−VI族半導体の価電子帯の障壁を小さくする
ことができるため、低い電圧でｐ型基板からｐ型II−VI
族半導体クラッド層に電流注入することができる。
【００１１】ｎ型半導体薄膜の材料として、ＺｎＳｅ、
ＺｎＳＳｅ、ＺｎＭｇＳＳｅ、ＺｎＭｎＳＳｅ、ＧａＡ
ｓ、ＧａＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓを用いると、ｐ型III−V
族半導体のＧａＡｓ基板あるいはＩｎＧａＡｓ基板とほ
ぼ格子整合するため、好ましい。
ＺｎＳＳｅ、ＺｎＭｇＳＳｅ、ＺｎＭｎＳＳｅ、ＧａＡ
ｓ、ＧａＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓを用いると、ｐ型III−V
族半導体のＧａＡｓ基板あるいはＩｎＧａＡｓ基板とほ
ぼ格子整合するため、好ましい。
【００１２】以下、具体例について詳細に述べる。図１
は本発明の一実施例の半導体レーザの構造断面図であ
る。
は本発明の一実施例の半導体レーザの構造断面図であ
る。
【００１３】有機金属化学気相エピタキシー（ＭＯＣＶ
Ｄ）法により、ｐ型ＧａＡｓ基板１上に、ｐ型ＧａＡｓ
薄膜２、ｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ（ＧａＩｎＰと略す）薄
膜３およびｎ型ＧａＡｓ薄膜４を順次積層した。ｐ型Ｇ
ａＡｓ薄膜２、ｐ型ＧａＩｎＰ薄膜３およびｎ型ＧａＡ
ｓ薄膜４の膜厚は、それぞれ０.３μｍ、０.１μｍ、
０.２μｍである。
Ｄ）法により、ｐ型ＧａＡｓ基板１上に、ｐ型ＧａＡｓ
薄膜２、ｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ（ＧａＩｎＰと略す）薄
膜３およびｎ型ＧａＡｓ薄膜４を順次積層した。ｐ型Ｇ
ａＡｓ薄膜２、ｐ型ＧａＩｎＰ薄膜３およびｎ型ＧａＡ
ｓ薄膜４の膜厚は、それぞれ０.３μｍ、０.１μｍ、
０.２μｍである。
【００１４】ホトリソグラフィー技術により、前記III
−V族半導体基板上のｎ型ＧａＡｓ薄膜４にホトレジス
トを塗布し、幅５μｍで長さ３０ｍｍのストライプのパ
ターンを形成した。そして、化学エッチング法により、
ｎ型ＧａＡｓ薄膜４を除去し、その結果、ストライプ形
状でｎ型ＧａＡｓ薄膜４のない凹部２０を図１の如く形
成した。
−V族半導体基板上のｎ型ＧａＡｓ薄膜４にホトレジス
トを塗布し、幅５μｍで長さ３０ｍｍのストライプのパ
ターンを形成した。そして、化学エッチング法により、
ｎ型ＧａＡｓ薄膜４を除去し、その結果、ストライプ形
状でｎ型ＧａＡｓ薄膜４のない凹部２０を図１の如く形
成した。
【００１５】ＧａＡｓとＧａＩｎＰの化学エッチングに
おけるエッチング速度は大きく異なるため、エッチング
はｎ型ＧａＡｓ薄膜４とｐ型ＧａＩｎＰ薄膜３の界面付
近で止まっている。得られた凹部２０の深さは０.２１
μｍである。
おけるエッチング速度は大きく異なるため、エッチング
はｎ型ＧａＡｓ薄膜４とｐ型ＧａＩｎＰ薄膜３の界面付
近で止まっている。得られた凹部２０の深さは０.２１
μｍである。
【００１６】エッチングした基板を分子線エピタキシー
装置に導入し、II−VI族半導体をエピタキシャル成長す
る。作製した構造は、図１の如くｐ型ＺｎＳｅ層５、ｐ
型ＺｎＳＳｅクラッド層６、ＺｎＣｄＳｅ活性層７、ｎ
型ＺｎＳＳｅクラッド層８、ｎ型ＺｎＳｅクラッド層
９、ｎ+型ＺｎＳｅコンタクト層１０を順次エピタキシ
ャル成長した。
装置に導入し、II−VI族半導体をエピタキシャル成長す
る。作製した構造は、図１の如くｐ型ＺｎＳｅ層５、ｐ
型ＺｎＳＳｅクラッド層６、ＺｎＣｄＳｅ活性層７、ｎ
型ＺｎＳＳｅクラッド層８、ｎ型ＺｎＳｅクラッド層
９、ｎ+型ＺｎＳｅコンタクト層１０を順次エピタキシ
ャル成長した。
【００１７】本実施例ではII−VI族半導体の成長温度は
３２５℃であったので、ＺｎＳＳｅクラッド層６および
８の組成はＺｎＳ0.07Ｓｅ0.93としてた。但し、成長温
度がより高い場合には、ＺｎＳＳｅクラッド層６および
８のＳ組成は大きくなる。また、成長温度が低い場合に
は、Ｓ組成は小さくなる。
３２５℃であったので、ＺｎＳＳｅクラッド層６および
８の組成はＺｎＳ0.07Ｓｅ0.93としてた。但し、成長温
度がより高い場合には、ＺｎＳＳｅクラッド層６および
８のＳ組成は大きくなる。また、成長温度が低い場合に
は、Ｓ組成は小さくなる。
【００１８】ＺｎＣｄＳｅ活性層７の組成は、Ｚｎ0.7
Ｃｄ0.3Ｓｅとした。また、ｎ型不純物にはＺｎＣｌ2を
用いたＣｌを採用した。さらに、ｐ型不純物には窒素プ
ラズマからの活性窒素を用いた。
Ｃｄ0.3Ｓｅとした。また、ｎ型不純物にはＺｎＣｌ2を
用いたＣｌを採用した。さらに、ｐ型不純物には窒素プ
ラズマからの活性窒素を用いた。
【００１９】ｐ型層とｎ型層のキャリヤ密度は、ともに
２×１０17ｃｍ-3〜８×１０17ｃｍ -3であった。また、
ｎ+型ＺｎＳｅコンタクト層１０のキャリヤ密度は、１
０19ｃｍ-3にした。
２×１０17ｃｍ-3〜８×１０17ｃｍ -3であった。また、
ｎ+型ＺｎＳｅコンタクト層１０のキャリヤ密度は、１
０19ｃｍ-3にした。
【００２０】さらに、ｐ型ＺｎＳｅ層５、ｐ型ＺｎＳＳ
ｅクラッド層６、ＺｎＣｄＳｅ活性層７、ｎ型ＺｎＳＳ
ｅクラッド層８、ｎ型ＺｎＳｅクラッド層９、ｎ+型Ｚ
ｎＳｅコンタクト層１０の膜厚は、順に０.０３μｍ、
２μｍ、０.０１５μｍ、１μｍ、３μｍ、０.１μｍで
ある。
ｅクラッド層６、ＺｎＣｄＳｅ活性層７、ｎ型ＺｎＳＳ
ｅクラッド層８、ｎ型ＺｎＳｅクラッド層９、ｎ+型Ｚ
ｎＳｅコンタクト層１０の膜厚は、順に０.０３μｍ、
２μｍ、０.０１５μｍ、１μｍ、３μｍ、０.１μｍで
ある。
【００２１】凹部２０上にエピタキシャル成長したII−
VI族半導体薄膜は、凹部によって屈曲される。活性層７
も凹部２０によって図１の如く屈曲しているため、凹部
２０の上部の活性層７で生じたレーザ光は、横方向に閉
じ込められる。すなわち、屈折率導波構造が達成されて
いる。
VI族半導体薄膜は、凹部によって屈曲される。活性層７
も凹部２０によって図１の如く屈曲しているため、凹部
２０の上部の活性層７で生じたレーザ光は、横方向に閉
じ込められる。すなわち、屈折率導波構造が達成されて
いる。
【００２２】ｐ型ＧａＡｓ基板１にＡｕ−Ｚｎ電極を、
ｎ+型ＺｎＳｅコンタクト層１０にＡｕ／Ｔｉ電極を用
いた。共振器長約１ｍｍのレーザチップにし、コンタク
ト層１０の側をヒートシンクにハンダで貼付けた。
ｎ+型ＺｎＳｅコンタクト層１０にＡｕ／Ｔｉ電極を用
いた。共振器長約１ｍｍのレーザチップにし、コンタク
ト層１０の側をヒートシンクにハンダで貼付けた。
【００２３】このようにして作製した半導体レ−ザを、
７７Ｋのパルス動作で特性を評価した。その結果、図２
の如く約５２０ｎｍでレーザ発振することが確認され
た。またこのレーザ素子の光出力−電流特性は図３の如
くであり、閾電流は１５ｍＡと低閾値を示し、動作電圧
は約１３Ｖであった。
７７Ｋのパルス動作で特性を評価した。その結果、図２
の如く約５２０ｎｍでレーザ発振することが確認され
た。またこのレーザ素子の光出力−電流特性は図３の如
くであり、閾電流は１５ｍＡと低閾値を示し、動作電圧
は約１３Ｖであった。
【００２４】また、７７Ｋでは連続動作が可能であっ
た。そして室温においても、閾電流２２５ｍＡでレーザ
発振した。
た。そして室温においても、閾電流２２５ｍＡでレーザ
発振した。
【００２５】なお、本実施例では基板にＧａＡｓを用い
たが、ＺｎＳｅと格子定数の近いＩｎBＧａ1-BＡｓ（Ｉ
ｎＧａＡｓと略す）基板（ただし、０.０３≦Ｂ≦０.０
６）を用いても、本発明のレーザ構造は有効である。但
し、ＩｎＧａＡｓ基板の場合は、格子定数が小さくなる
分、ＺｎＳＳｅ混晶の組成Ｓは減少する。
たが、ＺｎＳｅと格子定数の近いＩｎBＧａ1-BＡｓ（Ｉ
ｎＧａＡｓと略す）基板（ただし、０.０３≦Ｂ≦０.０
６）を用いても、本発明のレーザ構造は有効である。但
し、ＩｎＧａＡｓ基板の場合は、格子定数が小さくなる
分、ＺｎＳＳｅ混晶の組成Ｓは減少する。
【００２６】動作電圧は、ｐ型ＺｎＳｅ層５と接するｐ
型III−V族半導体薄膜の材料によって変化する。例え
ば、ｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（ＡｌＧａＩ
ｎＰと略す）薄膜を、図１のｐ型ＧａＩｎＰ薄膜３とｎ
型ＧａＡｓ薄膜４との間に挿入し、凹部２０においてｐ
型ＺｎＳｅ層５とｐ型ＡｌＧａＩｎＰ薄膜とが接触する
ようにすると、動作電圧は約１０％から３０％減少す
る。また、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ薄膜ではなく、ｐ型Ａｌ
0.5Ｉｎ0.5Ｐ薄膜を用いると、動作電圧はさらに１０％
減少することが観測された。なお、ＧａＩｎＰ薄膜、Ａ
ｌＧａＩｎＰ薄膜やＡｌＩｎＰ薄膜の組成は、基板１に
格子定数がほぼ同じになるように、ＧａAＩｎ1-AＰ（た
だし、０.４≦Ａ≦０.６）、（ＡｌCＧａ1-C）EＩｎ1-E
Ｐ（ただし、０.５≦Ｃ≦０.７、０.４≦Ｅ≦０.６）あ
るいはＡｌFＩｎ1-FＰ薄膜（ただし、０.４≦Ｆ≦０.
６）の範囲にすることが好ましい。
型III−V族半導体薄膜の材料によって変化する。例え
ば、ｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（ＡｌＧａＩ
ｎＰと略す）薄膜を、図１のｐ型ＧａＩｎＰ薄膜３とｎ
型ＧａＡｓ薄膜４との間に挿入し、凹部２０においてｐ
型ＺｎＳｅ層５とｐ型ＡｌＧａＩｎＰ薄膜とが接触する
ようにすると、動作電圧は約１０％から３０％減少す
る。また、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ薄膜ではなく、ｐ型Ａｌ
0.5Ｉｎ0.5Ｐ薄膜を用いると、動作電圧はさらに１０％
減少することが観測された。なお、ＧａＩｎＰ薄膜、Ａ
ｌＧａＩｎＰ薄膜やＡｌＩｎＰ薄膜の組成は、基板１に
格子定数がほぼ同じになるように、ＧａAＩｎ1-AＰ（た
だし、０.４≦Ａ≦０.６）、（ＡｌCＧａ1-C）EＩｎ1-E
Ｐ（ただし、０.５≦Ｃ≦０.７、０.４≦Ｅ≦０.６）あ
るいはＡｌFＩｎ1-FＰ薄膜（ただし、０.４≦Ｆ≦０.
６）の範囲にすることが好ましい。
【００２７】また、ｎ型電流狭窄層４の材料としては、
ＧａＡｓ基板１あるいはＩｎＧａＡｓ基板に格子定数が
ほぼ一致するＺｎＳXＳｅ1-X（ただし、０≦Ｘ≦０.
１）、ＺｎYＭｇ1-YＳZＳｅ1-Z（ただし、０.７≦Ｙ≦
０.９、０.２≦Ｚ≦０.３）、ＺｎVＭｎ1-VＳWＳｅ1-W
（ただし、０.７≦Ｖ≦０.９、０.２≦Ｗ≦０.３）、Ｇ
ａ AＩｎ1-AＰ（ただし、０.４≦Ａ≦０.６）あるいはＩ
ｎBＧａ1-BＡｓ（ただし、０.０３≦Ｂ≦０.０６）が有
効である。
ＧａＡｓ基板１あるいはＩｎＧａＡｓ基板に格子定数が
ほぼ一致するＺｎＳXＳｅ1-X（ただし、０≦Ｘ≦０.
１）、ＺｎYＭｇ1-YＳZＳｅ1-Z（ただし、０.７≦Ｙ≦
０.９、０.２≦Ｚ≦０.３）、ＺｎVＭｎ1-VＳWＳｅ1-W
（ただし、０.７≦Ｖ≦０.９、０.２≦Ｗ≦０.３）、Ｇ
ａ AＩｎ1-AＰ（ただし、０.４≦Ａ≦０.６）あるいはＩ
ｎBＧａ1-BＡｓ（ただし、０.０３≦Ｂ≦０.０６）が有
効である。
【００２８】そして本発明の半導体レ−ザは屈折率導波
構造であるため、ストライプ幅は小さくすることが可能
であり、最小１μｍ程度でレーザ発振した。それよりも
狭いストライプ幅においても、エッチング面の平坦さ、
もしくはｐ型クラッド層６の厚み等を最適化することに
よって可能であると考えられる。また、ストライプ幅を
大きくする方は、すべてレーザ発振可能であるが、注入
電流が大きくなるため、実用的には５０μｍ以下にする
ことが好ましい。
構造であるため、ストライプ幅は小さくすることが可能
であり、最小１μｍ程度でレーザ発振した。それよりも
狭いストライプ幅においても、エッチング面の平坦さ、
もしくはｐ型クラッド層６の厚み等を最適化することに
よって可能であると考えられる。また、ストライプ幅を
大きくする方は、すべてレーザ発振可能であるが、注入
電流が大きくなるため、実用的には５０μｍ以下にする
ことが好ましい。
【００２９】
【発明の効果】以上のように、本発明はｐ型II−VI族半
導体が、幅１μｍ以上５０μｍ以下のストライプ形状を
有するｎ型半導体薄膜を介してｐ型III−V族半導体基板
上に形成され、かつ、ストライプ形状部分の少なくとも
一部ではｐ型II−VI族半導体がｐ型III−V族半導体基板
と直接接合し、ｐ型II−VI族半導体を介してII−VI族半
導体の活性層が形成され、少なくともストライプ部分に
対応する活性層部分で、活性層を屈曲させた半導体レ−
ザであるため、II−VI族半導体より構成される半導体レ
ーザの閾電流を小さくすることができる効果がある。
導体が、幅１μｍ以上５０μｍ以下のストライプ形状を
有するｎ型半導体薄膜を介してｐ型III−V族半導体基板
上に形成され、かつ、ストライプ形状部分の少なくとも
一部ではｐ型II−VI族半導体がｐ型III−V族半導体基板
と直接接合し、ｐ型II−VI族半導体を介してII−VI族半
導体の活性層が形成され、少なくともストライプ部分に
対応する活性層部分で、活性層を屈曲させた半導体レ−
ザであるため、II−VI族半導体より構成される半導体レ
ーザの閾電流を小さくすることができる効果がある。
【図１】本発明の実施例の半導体レーザの構造断面図
【図２】本発明の実施例の半導体レーザの７７Ｋにおけ
るレーザスペクトル
るレーザスペクトル
【図３】本発明の実施例の半導体レーザの７７Ｋにおけ
る光出力−電流特性
る光出力−電流特性
１ ｐ型ＧａＡｓ基板 ２ ｐ型ＧａＡｓ薄膜 ３ ｐ型ＧａＩｎＰ薄膜 ４ ｎ型ＧａＡｓ薄膜 ５ ｐ型ＺｎＳｅ層 ６ ｐ型ＺｎＳＳｅクラッド層 ７ ＺｎＣｄＳｅ活性層 ８ ｎ型ＺｎＳＳｅクラッド層 ９ ｎ型ＺｎＳｅクラッド層 １０ ｎ+型ＺｎＳｅコンタクト層 ２０ 凹部
Claims (4)
- 【請求項１】ｐ型II−VI族半導体が、幅１μｍ以上５０
μｍ以下のストライプ形状を有するｎ型半導体薄膜を介
してｐ型III−V族半導体基板上に形成され、かつ、前記
ストライプ形状部分の少なくとも一部では前記ｐ型II−
VI族半導体が前記ｐ型III−V族半導体基板と直接接合
し、前記ｐ型II−VI族半導体を介してII−VI族半導体の
活性層が形成され、少なくとも前記ストライプ部分に対
応する前記活性層部分で、前記活性層を屈曲させたこと
を特徴とする半導体レ−ザ。 - 【請求項２】ｐ型III−V族半導体基板材料が、ＧａＡｓ
あるいはＩｎBＧａ1-BＡｓ（ただし、０.０３≦Ｂ≦０.
０６）であることを特徴とする、請求項１記載の半導体
レーザ。 - 【請求項３】ｐ型III−V族半導体基板が、ｐ型ＧａＡｓ
薄膜、ｐ型ＧａAＩｎ1 -AＰ薄膜（ただし、０.４≦Ａ≦
０.６）、ｐ型（ＡｌCＧａ1-C）EＩｎ1-EＰ薄膜（ただ
し、０.５≦Ｃ≦０.７、０.４≦Ｅ≦０.６）あるいはｐ
型ＡｌFＩｎ1-FＰ薄膜（ただし、０.４≦Ｆ≦０.６）の
いずれか一つ以上を具備することを特徴とする、請求項
１もしくは２何れかに記載の半導体レーザ。 - 【請求項４】ｎ型半導体薄膜の材料が、ＺｎＳｅ、Ｚｎ
ＳXＳｅ1-X（ただし、０≦Ｘ≦０.１）、ＺｎYＭｇ1-Y
ＳZＳｅ1-Z（ただし、０.７≦Ｙ≦０.９、０.２≦Ｚ≦
０.３）、ＺｎVＭｎ1-VＳWＳｅ1-W（ただし、０.７≦Ｖ
≦０.９、０.２≦Ｗ≦０.３）、ＧａＡｓ、ＧａAＩｎ
1-AＰ（ただし、０.４≦Ａ≦０.６）あるいはＩｎBＧａ
1-BＡｓ（ただし、０.０３≦Ｂ≦０.０６）のいずれか
であることを特徴とする、請求項１記載の半導体レー
ザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10432393A JPH06314856A (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10432393A JPH06314856A (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06314856A true JPH06314856A (ja) | 1994-11-08 |
Family
ID=14377731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10432393A Pending JPH06314856A (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06314856A (ja) |
-
1993
- 1993-04-30 JP JP10432393A patent/JPH06314856A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3116675B2 (ja) | 半導体レーザー | |
| Haase et al. | Low‐threshold buried‐ridge II‐VI laser diodes | |
| US5488233A (en) | Semiconductor light-emitting device with compound semiconductor layer | |
| EP0605051B1 (en) | Blue-green injection laser structure | |
| US5556804A (en) | Method of manufacturing semiconductor laser | |
| JPH05235470A (ja) | レーザダイオード | |
| JP2002374040A (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JPH06237039A (ja) | 半導体レーザ | |
| US5742629A (en) | Semiconductor laser and production method thereof | |
| JPH07202340A (ja) | 可視光半導体レーザ | |
| JP2001148540A (ja) | 半導体発光素子 | |
| US5567646A (en) | Method of making a stripe-geometry II/VI semiconductor gain-guided injection laser structure using ion implantation | |
| JP2512223B2 (ja) | 半導体レ―ザおよびその製造方法 | |
| JPH06314856A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH06334272A (ja) | 半導体レーザー | |
| JPH09181398A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH07202346A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
| JP3410959B2 (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JP3505780B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP3222652B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP3138503B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH06204599A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPH07162087A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH11168256A (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
| JPH07154035A (ja) | 半導体発光素子 |