JPH06315683A - 混床式イオン交換装置並びにこの混床式イオン交換装置を使用した純水及び超純水の製造方法 - Google Patents
混床式イオン交換装置並びにこの混床式イオン交換装置を使用した純水及び超純水の製造方法Info
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- JPH06315683A JPH06315683A JP12784793A JP12784793A JPH06315683A JP H06315683 A JPH06315683 A JP H06315683A JP 12784793 A JP12784793 A JP 12784793A JP 12784793 A JP12784793 A JP 12784793A JP H06315683 A JPH06315683 A JP H06315683A
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- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 221
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 title claims abstract description 107
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 title claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 50
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 50
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- 239000003729 cation exchange resin Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000003957 anion exchange resin Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 15
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 4
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 12
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 12
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 11
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 9
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 6
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 5
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003570 air Substances 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 229940023913 cation exchange resins Drugs 0.000 description 2
- 238000002242 deionisation method Methods 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- HNSDLXPSAYFUHK-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(2-ethylhexyl) sulfosuccinate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)CC(S(O)(=O)=O)C(=O)OCC(CC)CCCC HNSDLXPSAYFUHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010054404 Adenylyl-sulfate kinase Proteins 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100039024 Sphingosine kinase 1 Human genes 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000004931 aggregating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 238000011001 backwashing Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000003673 groundwater Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004255 ion exchange chromatography Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 1
- 238000001223 reverse osmosis Methods 0.000 description 1
- 239000008399 tap water Substances 0.000 description 1
- 235000020679 tap water Nutrition 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- Treatment Of Water By Ion Exchange (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 前段工程からの処理水を混床式イオン交換装
置（１）の上部より下降流で通水させるとともに、得ら
れた処理水を該混床式イオン交換装置の下層部に設けた
上段と下段との二段の集水部（４）によってそれぞれ集
水し、上段の集水部（４１）によって得られた処理水
（Ｈ1 ）は次工程へと移行させ、下段の集水部（４２）
より得られた処理水（Ｈ2 ）は前段工程へと戻してな
る。 【効果】 充填されている樹脂からのイオンの溶出がほ
とんどなく、高集積化、高密度化される半導体工業の洗
浄用水として好適に使用される極めて純度の高い処理水
を得ることができる。
置（１）の上部より下降流で通水させるとともに、得ら
れた処理水を該混床式イオン交換装置の下層部に設けた
上段と下段との二段の集水部（４）によってそれぞれ集
水し、上段の集水部（４１）によって得られた処理水
（Ｈ1 ）は次工程へと移行させ、下段の集水部（４２）
より得られた処理水（Ｈ2 ）は前段工程へと戻してな
る。 【効果】 充填されている樹脂からのイオンの溶出がほ
とんどなく、高集積化、高密度化される半導体工業の洗
浄用水として好適に使用される極めて純度の高い処理水
を得ることができる。
Description
【０００１】この発明は混床式イオン交換装置並びにこ
の混床式イオン交換装置を使用した純水及び超純水の製
造方法に係り、その目的は、一次純水装置の後段に用い
られる混床塔、又は二次純水装置として使用される混床
ポリッシャーにおいて、処理水中に充填樹脂からのイオ
ンリークをほとんど生じさせず、高度化されてきた半導
体工業において好適に使用される極めて純度の高い処理
水を得ることのできる混床式イオン交換装置並びに純水
及び超純水の製造方法の提供にある。
の混床式イオン交換装置を使用した純水及び超純水の製
造方法に係り、その目的は、一次純水装置の後段に用い
られる混床塔、又は二次純水装置として使用される混床
ポリッシャーにおいて、処理水中に充填樹脂からのイオ
ンリークをほとんど生じさせず、高度化されてきた半導
体工業において好適に使用される極めて純度の高い処理
水を得ることのできる混床式イオン交換装置並びに純水
及び超純水の製造方法の提供にある。
【０００２】
【発明の背景】ＬＳＩ製造プロセスの洗浄工程において
は、使用する洗浄水中にイオンや微粒子、有機物等がご
く微量でも存在していると、ウエハーに組み込まれる酸
化膜や多結晶膜、配線などに悪影響を及ぼし、結果とし
てＬＳＩの電気特性の不良を起こしてしまう。従って、
半導体工業が要求する洗浄水には高純度の水質が要求さ
れ、含有される各イオンは数ｐｐｔ〜数十ｐｐｔ、有機
炭素ですら５ｐｐｂ以下とされる超純水が要求されてい
る。しかしながら、近年、半導体デバイスの高集積化、
微細化が進むにつれて、要求される水質レベルがｐｐｂ
からｐｐｔのレベルへと向かっており、さらに高純度化
された超純水が要求されるようになってきている。
は、使用する洗浄水中にイオンや微粒子、有機物等がご
く微量でも存在していると、ウエハーに組み込まれる酸
化膜や多結晶膜、配線などに悪影響を及ぼし、結果とし
てＬＳＩの電気特性の不良を起こしてしまう。従って、
半導体工業が要求する洗浄水には高純度の水質が要求さ
れ、含有される各イオンは数ｐｐｔ〜数十ｐｐｔ、有機
炭素ですら５ｐｐｂ以下とされる超純水が要求されてい
る。しかしながら、近年、半導体デバイスの高集積化、
微細化が進むにつれて、要求される水質レベルがｐｐｂ
からｐｐｔのレベルへと向かっており、さらに高純度化
された超純水が要求されるようになってきている。
【０００３】
【従来の技術】一般に半導体工業において使用される超
純水は、前処理装置、一次純水装置、二次純水装置及び
配管等によって構成される超純水製造装置によって得ら
れる。前処理装置では、上水、地下水などの原水を凝
集、沈殿、濾過し、懸濁物質などが除去され、次いでイ
オン交換装置や逆浸透膜から構成される一次純水装置に
よって原水成分の９９〜９９．９９％が除去されて一次
純水とされる。このように精製処理された一次純水は、
さらに二次純水装置によって、残留するごく微量のイオ
ンやコロイド成分が除去され、超純水とされる。
純水は、前処理装置、一次純水装置、二次純水装置及び
配管等によって構成される超純水製造装置によって得ら
れる。前処理装置では、上水、地下水などの原水を凝
集、沈殿、濾過し、懸濁物質などが除去され、次いでイ
オン交換装置や逆浸透膜から構成される一次純水装置に
よって原水成分の９９〜９９．９９％が除去されて一次
純水とされる。このように精製処理された一次純水は、
さらに二次純水装置によって、残留するごく微量のイオ
ンやコロイド成分が除去され、超純水とされる。
【０００４】このような超純水の製造工程においては、
原水中のイオンの除去は、主としてイオン交換装置によ
り行なわれている。イオン交換装置としては、カチオン
交換樹脂、アニオン交換樹脂をそれぞれ単床として用い
る多床式のイオン交換装置や、カチオン、アニオンの両
樹脂を混合状態で用いる混床式のイオン交換装置が用い
られている。特に混床式イオン交換装置は、被処理水中
のカチオン、アニオンとを同一塔内で繰り返し交換させ
ることができるため、被処理水を高度に精製する目的で
使用されている。この混床式のイオン交換装置は、被処
理水の通水後にイオン交換樹脂の再生処理を行なう必要
のある再生型混床塔、或いはカチオン樹脂、アニオン樹
脂をそれぞれ再生処理した後、特別に精製し、一定割合
で混合充填した非再生型のカートリッジポリッシャーが
それぞれ存在する。再生型の混床塔は、２床３塔型等の
多床式イオン交換装置の後段工程として一次純水装置に
使用され、またカートリッジポリッシャーは二次純水装
置の一つとして、超純水の水質維持を目的として使用さ
れている。
原水中のイオンの除去は、主としてイオン交換装置によ
り行なわれている。イオン交換装置としては、カチオン
交換樹脂、アニオン交換樹脂をそれぞれ単床として用い
る多床式のイオン交換装置や、カチオン、アニオンの両
樹脂を混合状態で用いる混床式のイオン交換装置が用い
られている。特に混床式イオン交換装置は、被処理水中
のカチオン、アニオンとを同一塔内で繰り返し交換させ
ることができるため、被処理水を高度に精製する目的で
使用されている。この混床式のイオン交換装置は、被処
理水の通水後にイオン交換樹脂の再生処理を行なう必要
のある再生型混床塔、或いはカチオン樹脂、アニオン樹
脂をそれぞれ再生処理した後、特別に精製し、一定割合
で混合充填した非再生型のカートリッジポリッシャーが
それぞれ存在する。再生型の混床塔は、２床３塔型等の
多床式イオン交換装置の後段工程として一次純水装置に
使用され、またカートリッジポリッシャーは二次純水装
置の一つとして、超純水の水質維持を目的として使用さ
れている。
【０００５】以上のような再生型、非再生型の混床式イ
オン交換装置（Ｍ）は、一般に図１０に示すように、内
部にカチオン交換樹脂とアニオン交換樹脂との混合樹脂
（Ｒ）を充填させ、上部に被処理水（Ｈ0 ）を供給する
供給部（Ｓ）を備え、被処理水（Ｈ0 ）を下向流で混合
樹脂（Ｒ）中に通水させるとともに、得られる処理水を
イオン交換装置（Ｍ）の最下部に設けた集水部（Ｇ）に
より集水する構成とされていた。また、このような混床
式イオン交換装置（Ｍ）を用いて、純水を製造する場合
には、図１１乃至図１２に示すように、前工程（Ａ）か
ら供給される被処理水（Ｈ0 ）を、イオン交換装置
（Ｍ）の上部の供給部（Ｓ）より下向流で通水し、カチ
オン、アニオンの混合樹脂（Ｒ）中を通過させてイオン
交換処理を行い、脱塩された処理水（Ｈ1 ）を最下部の
集水部（Ｇ）にて集水し、一本の集水管（Ｐ）を通じて
流出させ、次工程へと移行させる方法で製造されてい
た。
オン交換装置（Ｍ）は、一般に図１０に示すように、内
部にカチオン交換樹脂とアニオン交換樹脂との混合樹脂
（Ｒ）を充填させ、上部に被処理水（Ｈ0 ）を供給する
供給部（Ｓ）を備え、被処理水（Ｈ0 ）を下向流で混合
樹脂（Ｒ）中に通水させるとともに、得られる処理水を
イオン交換装置（Ｍ）の最下部に設けた集水部（Ｇ）に
より集水する構成とされていた。また、このような混床
式イオン交換装置（Ｍ）を用いて、純水を製造する場合
には、図１１乃至図１２に示すように、前工程（Ａ）か
ら供給される被処理水（Ｈ0 ）を、イオン交換装置
（Ｍ）の上部の供給部（Ｓ）より下向流で通水し、カチ
オン、アニオンの混合樹脂（Ｒ）中を通過させてイオン
交換処理を行い、脱塩された処理水（Ｈ1 ）を最下部の
集水部（Ｇ）にて集水し、一本の集水管（Ｐ）を通じて
流出させ、次工程へと移行させる方法で製造されてい
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
たような混床式イオン交換装置（Ｍ）や製造方法では、
イオン交換装置（Ｍ）よりＳＯ4 - イオンがリークして
処理水中に混入し、そのまま次工程へと移行されてしま
うため、高純度の処理水を得ることができないという課
題が存在した。すなわち、再生型イオン交換装置におい
ては混合樹脂（Ｒ）の再生処理に際して、混合されてい
るカチオン、アニオン両樹脂を分離させる必要がある。
通常、この分離、再生作業は、図１３に示すように、イ
オン交換装置の下部（Ｕ）より洗浄水を上昇流で注入し
て、内部の混合樹脂（Ｒ）を逆洗した後、図１４に示す
ように樹脂の比重によって、上層部にアニオン交換樹脂
（Ｒ1 ）、下層部にカチオン交換樹脂（Ｒ2 ）をそれぞ
れ分離させ、この状態で下部から酸を、上部からアルカ
リといった再生剤を注入して再生処理を行なう。再生処
理終了後は樹脂を水洗し、エアー又は窒素ガス等を樹脂
層内に注入して、分離されたカチオン、アニオンの両交
換樹脂を再び混合させる。ところが、この再生処理に際
して、カチオン、アニオンの両樹脂の混合を、水洗やエ
アー又は窒素ガスによって充分に行なった場合でも、比
重の重いカチオン交換樹脂は沈降してしまい、イオン交
換装置の最下部に集積してしまいやすい傾向にあった。
このため、混床式イオン交換装置の最下部においては、
カチオン樹脂より分離して生じるＳＯ4 - イオンが、ア
ニオン樹脂によって捕捉されない状態となるため、樹脂
層よりリークされて溶出してしまうといった問題が生じ
ていた。従って、このような下層部分より処理水の集水
を行なうと、リークされたＳＯ4 - イオンが処理水とと
もに流出されて次工程へ移行されてしまうという問題が
存在した。
たような混床式イオン交換装置（Ｍ）や製造方法では、
イオン交換装置（Ｍ）よりＳＯ4 - イオンがリークして
処理水中に混入し、そのまま次工程へと移行されてしま
うため、高純度の処理水を得ることができないという課
題が存在した。すなわち、再生型イオン交換装置におい
ては混合樹脂（Ｒ）の再生処理に際して、混合されてい
るカチオン、アニオン両樹脂を分離させる必要がある。
通常、この分離、再生作業は、図１３に示すように、イ
オン交換装置の下部（Ｕ）より洗浄水を上昇流で注入し
て、内部の混合樹脂（Ｒ）を逆洗した後、図１４に示す
ように樹脂の比重によって、上層部にアニオン交換樹脂
（Ｒ1 ）、下層部にカチオン交換樹脂（Ｒ2 ）をそれぞ
れ分離させ、この状態で下部から酸を、上部からアルカ
リといった再生剤を注入して再生処理を行なう。再生処
理終了後は樹脂を水洗し、エアー又は窒素ガス等を樹脂
層内に注入して、分離されたカチオン、アニオンの両交
換樹脂を再び混合させる。ところが、この再生処理に際
して、カチオン、アニオンの両樹脂の混合を、水洗やエ
アー又は窒素ガスによって充分に行なった場合でも、比
重の重いカチオン交換樹脂は沈降してしまい、イオン交
換装置の最下部に集積してしまいやすい傾向にあった。
このため、混床式イオン交換装置の最下部においては、
カチオン樹脂より分離して生じるＳＯ4 - イオンが、ア
ニオン樹脂によって捕捉されない状態となるため、樹脂
層よりリークされて溶出してしまうといった問題が生じ
ていた。従って、このような下層部分より処理水の集水
を行なうと、リークされたＳＯ4 - イオンが処理水とと
もに流出されて次工程へ移行されてしまうという問題が
存在した。
【０００７】一方、非再生型のカートリッジポリッシャ
ーの場合においては、再生処理したアニオン、カチオン
の両交換樹脂を一定割合でイオン交換装置に混合、充填
する際、或いは再生処理したイオン交換樹脂を混合、充
填して使用場所まで運搬し、配管に接続させる際の振動
等により、やはり比重の重いカチオン交換樹脂がイオン
交換装置の最下部に集まりやすい傾向にあった。このた
め、前記再生型イオン交換装置と同様に、最下部に集ま
ったカチオン交換樹脂より分離して生じるＳＯ4 - イオ
ンが、アニオン交換樹脂によって除去されずに、わずか
にリークされて溶出し、処理水とともに集水部から流出
して次工程へ移行されてしまう結果となっていた。
ーの場合においては、再生処理したアニオン、カチオン
の両交換樹脂を一定割合でイオン交換装置に混合、充填
する際、或いは再生処理したイオン交換樹脂を混合、充
填して使用場所まで運搬し、配管に接続させる際の振動
等により、やはり比重の重いカチオン交換樹脂がイオン
交換装置の最下部に集まりやすい傾向にあった。このた
め、前記再生型イオン交換装置と同様に、最下部に集ま
ったカチオン交換樹脂より分離して生じるＳＯ4 - イオ
ンが、アニオン交換樹脂によって除去されずに、わずか
にリークされて溶出し、処理水とともに集水部から流出
して次工程へ移行されてしまう結果となっていた。
【０００８】このように混床式イオン交換装置を経て流
出されたＳＯ4 - イオンは、そのまま除去されずに次工
程へと移行されるため、得られる純水又は超純水中に微
量のＳＯ4 - イオンが存在してしまい、ｐｐｔレベルと
いう半導体工業が要求するような極めて高純度の処理水
を得ることはできないという課題が存在した。そこで業
界では、高集積化、高密度化されている半導体工業の要
望に応じるべく、極めて純度の高い処理水を得るため
に、被処理水中の微量イオンを除去する際に、充填樹脂
からのイオンリークが極めて少ない再生、非再生型の混
床式イオン交換装置並びに純水及び超純水の優れた製造
方法の創出が望まれていた。
出されたＳＯ4 - イオンは、そのまま除去されずに次工
程へと移行されるため、得られる純水又は超純水中に微
量のＳＯ4 - イオンが存在してしまい、ｐｐｔレベルと
いう半導体工業が要求するような極めて高純度の処理水
を得ることはできないという課題が存在した。そこで業
界では、高集積化、高密度化されている半導体工業の要
望に応じるべく、極めて純度の高い処理水を得るため
に、被処理水中の微量イオンを除去する際に、充填樹脂
からのイオンリークが極めて少ない再生、非再生型の混
床式イオン交換装置並びに純水及び超純水の優れた製造
方法の創出が望まれていた。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明では内部にカチ
オン交換樹脂とアニオン交換樹脂との混合樹脂を充填し
てなる混床式イオン交換装置において、上部に被処理水
を通水する供給部が設けられてなるとともに、下部のカ
チオン交換樹脂が沈降集積する部分の直上方に処理水の
第一集水部が設けられてなることを特徴とする混床式イ
オン交換装置及び前段工程からの処理水を混床式イオン
交換装置の上部より下向流で通水させるとともに、得ら
れた処理水を該混床式イオン交換装置の下層部に設けた
上段と下段との二段の集水部によってそれぞれ集水し、
上段の集水部によって得られた処理水は次工程へと移行
させ、下段の集水部より得られた処理水は前段工程へと
戻してなることを特徴とする純水及び超純水の製造方法
を提供することにより、前記従来の課題を悉く解消す
る。
オン交換樹脂とアニオン交換樹脂との混合樹脂を充填し
てなる混床式イオン交換装置において、上部に被処理水
を通水する供給部が設けられてなるとともに、下部のカ
チオン交換樹脂が沈降集積する部分の直上方に処理水の
第一集水部が設けられてなることを特徴とする混床式イ
オン交換装置及び前段工程からの処理水を混床式イオン
交換装置の上部より下向流で通水させるとともに、得ら
れた処理水を該混床式イオン交換装置の下層部に設けた
上段と下段との二段の集水部によってそれぞれ集水し、
上段の集水部によって得られた処理水は次工程へと移行
させ、下段の集水部より得られた処理水は前段工程へと
戻してなることを特徴とする純水及び超純水の製造方法
を提供することにより、前記従来の課題を悉く解消す
る。
【００１０】
【作用】混床式イオン交換装置においては、内部に充填
されている混床樹脂を充分に攪拌、混合しても、比重の
重いカチオン樹脂は樹脂塔の最下部に集まりやすくなっ
ている。しかし、混床式イオン交換装置によって処理さ
れた処理水の集水部を、イオン交換装置の下部のカチオ
ン交換樹脂が沈降集積している部分の直上方に設けるこ
とによって、樹脂層下部より溶出されるＳＯ4 - イオン
を処理水中に混入させることなく、処理水を集水させる
ことができる。さらに、純水及び超純水の製造工程にお
いて、混床式イオン交換装置に通水された処理水を、イ
オン交換装置の下層部の、上段と下段とに設けた二段集
水部によってそれぞれ集水し、上段の集水部より得られ
た処理水のみを次工程へと移行させ、下段の集水部より
得られた処理水は、前段工程へとリターンさせる製造方
法を採用することにより、カチオン樹脂より分離された
ＳＯ4 - イオンを処理水中に溶出させてしまうことな
く、極めて純度の高い純水及び超純水を製造することが
できる。
されている混床樹脂を充分に攪拌、混合しても、比重の
重いカチオン樹脂は樹脂塔の最下部に集まりやすくなっ
ている。しかし、混床式イオン交換装置によって処理さ
れた処理水の集水部を、イオン交換装置の下部のカチオ
ン交換樹脂が沈降集積している部分の直上方に設けるこ
とによって、樹脂層下部より溶出されるＳＯ4 - イオン
を処理水中に混入させることなく、処理水を集水させる
ことができる。さらに、純水及び超純水の製造工程にお
いて、混床式イオン交換装置に通水された処理水を、イ
オン交換装置の下層部の、上段と下段とに設けた二段集
水部によってそれぞれ集水し、上段の集水部より得られ
た処理水のみを次工程へと移行させ、下段の集水部より
得られた処理水は、前段工程へとリターンさせる製造方
法を採用することにより、カチオン樹脂より分離された
ＳＯ4 - イオンを処理水中に溶出させてしまうことな
く、極めて純度の高い純水及び超純水を製造することが
できる。
【００１１】
【発明の構成】以下、この発明に係る混床式イオン交換
装置並びにこの混床式イオン交換装置を使用した純水及
び超純水の製造方法の構成について詳述する。図１はこ
の発明に係る混床式イオン交換装置の一実施例を示す模
式説明図であり、図中（１）は混床式イオン交換装置、
（２）はカチオン交換樹脂とアニオン交換樹脂の混合樹
脂、（３）は被処理水（Ｈ0 ）を通水させる供給部、
（４）は集水部である。
装置並びにこの混床式イオン交換装置を使用した純水及
び超純水の製造方法の構成について詳述する。図１はこ
の発明に係る混床式イオン交換装置の一実施例を示す模
式説明図であり、図中（１）は混床式イオン交換装置、
（２）はカチオン交換樹脂とアニオン交換樹脂の混合樹
脂、（３）は被処理水（Ｈ0 ）を通水させる供給部、
（４）は集水部である。
【００１２】図１に示す実施例では、混床式イオン交換
装置（１）上部に設けられた供給部（３）から被処理水
（Ｈ0 ）を混合樹脂（２）中に通水させ、得られる処理
水（Ｈ1 ）を、イオン交換装置（１）の下部のカチオン
交換樹脂が沈降集積している部分の直上方に設けられた
集水部（４）で集水させる構成とされている。図示する
ような混床式イオン交換装置（１）においては、内部に
充填されている混合樹脂（２）が充分に混合され、アニ
オン交換樹脂及びカチオン交換樹脂が分散されていて
も、比重の大きいカチオン交換樹脂はややもすると最下
部に沈降することがあり、特に長時間通水するとその傾
向が強くなる。従って、この発明では、このカチオン交
換樹脂が沈降集積する部分の直上方に集水部（４）を設
ける構成を採用した。カチオン交換樹脂が沈降集積する
位置は、充填されているアニオン交換樹脂とカチオン交
換樹脂との混合比や、使用されるイオン交換装置（１）
の内径、樹脂の充填高さ等によって異なってくるが、よ
り望ましくは内径１２０ｃｍのイオン交換装置の場合、
最下部より１〜３０ｃｍ上方部分にカチオン交換樹脂が
沈降集積しやすい傾向にあるため、集積部（４）は最下
部より２〜３５ｃｍ上方部分に設けることが好ましい。
装置（１）上部に設けられた供給部（３）から被処理水
（Ｈ0 ）を混合樹脂（２）中に通水させ、得られる処理
水（Ｈ1 ）を、イオン交換装置（１）の下部のカチオン
交換樹脂が沈降集積している部分の直上方に設けられた
集水部（４）で集水させる構成とされている。図示する
ような混床式イオン交換装置（１）においては、内部に
充填されている混合樹脂（２）が充分に混合され、アニ
オン交換樹脂及びカチオン交換樹脂が分散されていて
も、比重の大きいカチオン交換樹脂はややもすると最下
部に沈降することがあり、特に長時間通水するとその傾
向が強くなる。従って、この発明では、このカチオン交
換樹脂が沈降集積する部分の直上方に集水部（４）を設
ける構成を採用した。カチオン交換樹脂が沈降集積する
位置は、充填されているアニオン交換樹脂とカチオン交
換樹脂との混合比や、使用されるイオン交換装置（１）
の内径、樹脂の充填高さ等によって異なってくるが、よ
り望ましくは内径１２０ｃｍのイオン交換装置の場合、
最下部より１〜３０ｃｍ上方部分にカチオン交換樹脂が
沈降集積しやすい傾向にあるため、集積部（４）は最下
部より２〜３５ｃｍ上方部分に設けることが好ましい。
【００１３】図２は、この発明に係る混床式イオン交換
装置（１）の第二実施例を示す模式説明図であり、この
第二実施例においては、イオン交換装置（１）の下層部
に上段と下段との二段集水部（４）が設けられている。
上段を第一集水部（４１）とし、下段を第二集水部（４
２）として、混合樹脂（２）によって処理された処理水
をそれぞれ異なる位置で集水する構成とされており、上
段の第一集水部（４１）で得られた処理水（Ｈ1 ）のみ
を精製処理水として次工程へと移行させ、下段の第二集
水部（４２）で得られた処理水（Ｈ2 ）は、再びこのイ
オン交換装置（１）に通水させる構成が好適に採用でき
る。この発明においては、混床式イオン交換装置（１）
の下層部に以上のような集水部（４）を設ける構成が採
用されるが、集水部（４）としては特に限定はされず、
適宜任意の集水装置が使用されればよい。
装置（１）の第二実施例を示す模式説明図であり、この
第二実施例においては、イオン交換装置（１）の下層部
に上段と下段との二段集水部（４）が設けられている。
上段を第一集水部（４１）とし、下段を第二集水部（４
２）として、混合樹脂（２）によって処理された処理水
をそれぞれ異なる位置で集水する構成とされており、上
段の第一集水部（４１）で得られた処理水（Ｈ1 ）のみ
を精製処理水として次工程へと移行させ、下段の第二集
水部（４２）で得られた処理水（Ｈ2 ）は、再びこのイ
オン交換装置（１）に通水させる構成が好適に採用でき
る。この発明においては、混床式イオン交換装置（１）
の下層部に以上のような集水部（４）を設ける構成が採
用されるが、集水部（４）としては特に限定はされず、
適宜任意の集水装置が使用されればよい。
【００１４】図３は、この発明に係る混床式イオン交換
装置（１）の第三実施例を示す模式説明図である。図示
する実施例では、上段に第一集水部（４１）及び下段に
第二集水部（４２）を配設した二重集水管（４）が取り
付けられている。この実施例では、イオン交換装置
（１）の上部に、供給水（被処理水）（Ｈ0)を下向流で
通水させる供給部（３）が設けられ、混合樹脂によって
処理された処理水（Ｈ1)（Ｈ2)を二重集水管（４）によ
ってそれぞれ異なる位置で集水し、上昇流で流出させる
構成となっている。
装置（１）の第三実施例を示す模式説明図である。図示
する実施例では、上段に第一集水部（４１）及び下段に
第二集水部（４２）を配設した二重集水管（４）が取り
付けられている。この実施例では、イオン交換装置
（１）の上部に、供給水（被処理水）（Ｈ0)を下向流で
通水させる供給部（３）が設けられ、混合樹脂によって
処理された処理水（Ｈ1)（Ｈ2)を二重集水管（４）によ
ってそれぞれ異なる位置で集水し、上昇流で流出させる
構成となっている。
【００１５】次に、この発明に係る純水及び超純水の製
造方法について説明する。図４乃至図５はこの発明に係
る純水及び超純水の製造方法の一実施例を示す模式説明
図である。図中（Ａ）は前段工程によって得られた一次
純水を充填した一次純水タンク、（１）は混床式イオン
交換装置、（２）はカチオン交換樹脂とアニオン交換樹
脂の混合樹脂、（３）は被処理水（Ｈ0 ）を通水させる
供給部、（４）は集水部であり、この集水部はイオン交
換装置（１）下層部に、上段の第一集水部（４１）と下
段の第二集水部（４２）との二段に分かれて設けられて
いる。この実施例において、一次純水タンク（Ａ）より
被処理水（Ｈ0）が混床式イオン交換装置（１）の上部
より供給されて、内部の混合樹脂（２）に下向流で通水
される。この混合樹脂（２）に通水させることによっ
て、被処理水中のアニオン、カチオン両樹脂がそれぞれ
吸着・除去される。
造方法について説明する。図４乃至図５はこの発明に係
る純水及び超純水の製造方法の一実施例を示す模式説明
図である。図中（Ａ）は前段工程によって得られた一次
純水を充填した一次純水タンク、（１）は混床式イオン
交換装置、（２）はカチオン交換樹脂とアニオン交換樹
脂の混合樹脂、（３）は被処理水（Ｈ0 ）を通水させる
供給部、（４）は集水部であり、この集水部はイオン交
換装置（１）下層部に、上段の第一集水部（４１）と下
段の第二集水部（４２）との二段に分かれて設けられて
いる。この実施例において、一次純水タンク（Ａ）より
被処理水（Ｈ0）が混床式イオン交換装置（１）の上部
より供給されて、内部の混合樹脂（２）に下向流で通水
される。この混合樹脂（２）に通水させることによっ
て、被処理水中のアニオン、カチオン両樹脂がそれぞれ
吸着・除去される。
【００１６】イオン交換処理がなされた処理水は、それ
ぞれイオン交換装置（１）下層部に設けられた第一集水
部（４１）と第二集水部（４２）との集水部によってそ
れぞれ集水される。第一集水部（４１）によって集水さ
れた処理水（Ｈ1）は、次いでさらに高度精製される次
工程（図示せず）へと送られる。一方、第二集水部（４
２）によって集水された処理水（Ｈ2）は、前段工程、
図示する実施例においては、一次純水タンク（Ａ）へと
戻される構成とされている。この発明において、集水部
（４）としては特に限定はされず、適宜任意のコレクタ
ー等を用い、それぞれ所定のラインへ接続する構成が適
宜採用できる。また、処理水を移行させる工程について
も、第一集水部（４１）によって集水された処理水（Ｈ
1）のみを次の高度精製ラインへと接続し、第二集水部
（４２）によって集水された処理水（Ｈ2）は前段工
程、つまり一次純水タンク（Ａ）又はイオン交換装置
（１）前段の任意のポンプ入口（図示せず）へ戻される
構成とされればよく、特に限定されるものではない。
ぞれイオン交換装置（１）下層部に設けられた第一集水
部（４１）と第二集水部（４２）との集水部によってそ
れぞれ集水される。第一集水部（４１）によって集水さ
れた処理水（Ｈ1）は、次いでさらに高度精製される次
工程（図示せず）へと送られる。一方、第二集水部（４
２）によって集水された処理水（Ｈ2）は、前段工程、
図示する実施例においては、一次純水タンク（Ａ）へと
戻される構成とされている。この発明において、集水部
（４）としては特に限定はされず、適宜任意のコレクタ
ー等を用い、それぞれ所定のラインへ接続する構成が適
宜採用できる。また、処理水を移行させる工程について
も、第一集水部（４１）によって集水された処理水（Ｈ
1）のみを次の高度精製ラインへと接続し、第二集水部
（４２）によって集水された処理水（Ｈ2）は前段工
程、つまり一次純水タンク（Ａ）又はイオン交換装置
（１）前段の任意のポンプ入口（図示せず）へ戻される
構成とされればよく、特に限定されるものではない。
【００１７】上記したように、混床式イオン交換装置
（１）に通水させた処理水のうち、上段の第一集水部
（４１）により集水した処理水のみを次工程へと移行さ
せる方法を採用することにより、カチオン交換樹脂より
リークされやすいＳＯ4 - イオンの次工程への流出を防
ぐことが可能となる。すなわち、混床式イオン交換装置
（１）においては、その最下部に比重の大きいカチオン
交換樹脂が集まりやすくなっている。このようにカチオ
ン交換樹脂が最下部に集まってしまうと、カチオン交換
樹脂より分離されたＳＯ4 - イオンが、アニオン交換樹
脂によって捕捉されずに溶出してしまうが、次工程へと
移行させる処理水を、イオン交換装置（１）下層部のう
ち、カチオン交換樹脂とアニオン交換樹脂との割合が良
好な状態にある上段の第一集水部（４１）により集水し
た処理水に限定してしまうことによって、リークされた
ＳＯ4 - イオンを含まない処理水のみを次工程へと移行
させることができる。つまり、上段集水部（４１）付近
では、逆洗や空気又は窒素ガス等の流入によって混合さ
れたカチオン交換樹脂とアニオン交換樹脂とが良好な状
態で存在しており、カチオン交換樹脂より分離されたＳ
Ｏ4 - イオンがアニオン樹脂によって捕捉されてしまう
ため、処理水中にイオンをリークさせてしまうことなく
集水させることができる。また、ＳＯ4 - イオンがリー
クされやすい下段の第二集水部（４２）により集水され
た処理水は、前段工程へと戻される構成とされるため、
再び混床式イオン交換装置（１）へ通水され、ＳＯ4 -
イオンが除去され、次工程へと移行される。
（１）に通水させた処理水のうち、上段の第一集水部
（４１）により集水した処理水のみを次工程へと移行さ
せる方法を採用することにより、カチオン交換樹脂より
リークされやすいＳＯ4 - イオンの次工程への流出を防
ぐことが可能となる。すなわち、混床式イオン交換装置
（１）においては、その最下部に比重の大きいカチオン
交換樹脂が集まりやすくなっている。このようにカチオ
ン交換樹脂が最下部に集まってしまうと、カチオン交換
樹脂より分離されたＳＯ4 - イオンが、アニオン交換樹
脂によって捕捉されずに溶出してしまうが、次工程へと
移行させる処理水を、イオン交換装置（１）下層部のう
ち、カチオン交換樹脂とアニオン交換樹脂との割合が良
好な状態にある上段の第一集水部（４１）により集水し
た処理水に限定してしまうことによって、リークされた
ＳＯ4 - イオンを含まない処理水のみを次工程へと移行
させることができる。つまり、上段集水部（４１）付近
では、逆洗や空気又は窒素ガス等の流入によって混合さ
れたカチオン交換樹脂とアニオン交換樹脂とが良好な状
態で存在しており、カチオン交換樹脂より分離されたＳ
Ｏ4 - イオンがアニオン樹脂によって捕捉されてしまう
ため、処理水中にイオンをリークさせてしまうことなく
集水させることができる。また、ＳＯ4 - イオンがリー
クされやすい下段の第二集水部（４２）により集水され
た処理水は、前段工程へと戻される構成とされるため、
再び混床式イオン交換装置（１）へ通水され、ＳＯ4 -
イオンが除去され、次工程へと移行される。
【００１８】この発明において、混床式イオン交換装置
（１）の下層部に設けられる集水部（４）の位置として
は、イオン交換樹脂の充填高さや、イオン交換装置の内
径、混合されるカチオン交換樹脂及びアニオン交換樹脂
の割合によって適宜任意に設定されればよいが、少なく
とも下段の第二集水部（４２）は、混合樹脂（２）の最
下部付近に、上段の第一集水部（４１）は、カチオン交
換樹脂が沈降集積する部分の直上方に設けられる。具体
的にはイオン交換装置最下部から５〜３０ｃｍ上方に第
一集水部（４１）が設けられ、この第一集水部（４１）
から３〜１０ｃｍ下方位置に下段の第二集水部（４２）
を設けられることが、純度の高い処理水を得る観点から
ましいが特に限定されるものではない。尚、この発明に
おいて、混床式イオン交換装置（１）としては、特に限
定はされず、一次純水装置として使用される再生型の混
床塔、二次純水装置として使用される非再生型のカート
リッジポリッシャー等、カチオン交換樹脂とアニオン交
換樹脂を混合して充填した混床式のイオン交換装置全て
を指す。充填されるイオン交換樹脂の割合についても特
に限定はされず、被処理水の成分や使用目的等に応じて
適宜任意の割合の混合樹脂が好適に使用される。また、
この混床式イオン交換装置の前段工程としても、特に限
定はされずに、原水を濾過、沈殿、凝集させる工程、或
いは一次純水工程等任意の工程が全て含まれる。
（１）の下層部に設けられる集水部（４）の位置として
は、イオン交換樹脂の充填高さや、イオン交換装置の内
径、混合されるカチオン交換樹脂及びアニオン交換樹脂
の割合によって適宜任意に設定されればよいが、少なく
とも下段の第二集水部（４２）は、混合樹脂（２）の最
下部付近に、上段の第一集水部（４１）は、カチオン交
換樹脂が沈降集積する部分の直上方に設けられる。具体
的にはイオン交換装置最下部から５〜３０ｃｍ上方に第
一集水部（４１）が設けられ、この第一集水部（４１）
から３〜１０ｃｍ下方位置に下段の第二集水部（４２）
を設けられることが、純度の高い処理水を得る観点から
ましいが特に限定されるものではない。尚、この発明に
おいて、混床式イオン交換装置（１）としては、特に限
定はされず、一次純水装置として使用される再生型の混
床塔、二次純水装置として使用される非再生型のカート
リッジポリッシャー等、カチオン交換樹脂とアニオン交
換樹脂を混合して充填した混床式のイオン交換装置全て
を指す。充填されるイオン交換樹脂の割合についても特
に限定はされず、被処理水の成分や使用目的等に応じて
適宜任意の割合の混合樹脂が好適に使用される。また、
この混床式イオン交換装置の前段工程としても、特に限
定はされずに、原水を濾過、沈殿、凝集させる工程、或
いは一次純水工程等任意の工程が全て含まれる。
【００１９】
【実施例】以下、この発明に係る混床式イオン交換装置
並びにこの混床式イオン交換装置を使用した純水及び超
純水の製造方法の効果を、実施例、比較例を挙げること
により、一層明確にする。但し、この発明は以下の実施
例により何ら限定されるものではない。
並びにこの混床式イオン交換装置を使用した純水及び超
純水の製造方法の効果を、実施例、比較例を挙げること
により、一層明確にする。但し、この発明は以下の実施
例により何ら限定されるものではない。
【００２０】（実施例１）図６に示すように、２５．５
ｃｍの内径を有する非再生型混床式イオン交換装置
（１）内に、底部より１５ｃｍ高さ（ａ）まで、強酸性
カチオン交換樹脂と強塩基性アニオン交換樹脂との混合
物（混合比１：１０）（商品名：ダイヤイオンＳＫ−１
Ｂ、三菱化成（株）製、商品名：ダイヤイオンＳＡ−１
１Ａ、三菱化成（株）製）（２１）を充填し、さらにそ
の上部に前記同様の強酸性カチオン交換樹脂と強塩基性
アニオン交換樹脂との混合物（混合比１：２）（２２）
を９５ｃｍ高さ（ｂ）迄充填した。この混床式イオン交
換装置（１）の上部に被処理水を下向流で通水する供給
部（３）を設けるとともに、前記混合比１：１０の樹脂
混合物（２１）と、混合比１：２（２２）の樹脂混合物
との境界部分より６ｃｍ上部位置（ｃ）に集水管（４）
を取り付けて実施例１の混床式イオン交換装置とした。 （実施例２）前記実施例１と同様の非再生型混床式イオ
ン交換装置（１）に図７に示すように混合比１：１０の
樹脂混合物（２１）と、混合比１：２の樹脂混合物（２
２）との境界部分より６ｃｍ上部位置（ｃ）に第一集水
管（４１）を取り付け、且つ前記境界部分より１０ｃｍ
下部位置（ｄ）に第二集水管（４２）をそれぞれ取り付
けて実施例２の混床式イオン交換装置とした。
ｃｍの内径を有する非再生型混床式イオン交換装置
（１）内に、底部より１５ｃｍ高さ（ａ）まで、強酸性
カチオン交換樹脂と強塩基性アニオン交換樹脂との混合
物（混合比１：１０）（商品名：ダイヤイオンＳＫ−１
Ｂ、三菱化成（株）製、商品名：ダイヤイオンＳＡ−１
１Ａ、三菱化成（株）製）（２１）を充填し、さらにそ
の上部に前記同様の強酸性カチオン交換樹脂と強塩基性
アニオン交換樹脂との混合物（混合比１：２）（２２）
を９５ｃｍ高さ（ｂ）迄充填した。この混床式イオン交
換装置（１）の上部に被処理水を下向流で通水する供給
部（３）を設けるとともに、前記混合比１：１０の樹脂
混合物（２１）と、混合比１：２（２２）の樹脂混合物
との境界部分より６ｃｍ上部位置（ｃ）に集水管（４）
を取り付けて実施例１の混床式イオン交換装置とした。 （実施例２）前記実施例１と同様の非再生型混床式イオ
ン交換装置（１）に図７に示すように混合比１：１０の
樹脂混合物（２１）と、混合比１：２の樹脂混合物（２
２）との境界部分より６ｃｍ上部位置（ｃ）に第一集水
管（４１）を取り付け、且つ前記境界部分より１０ｃｍ
下部位置（ｄ）に第二集水管（４２）をそれぞれ取り付
けて実施例２の混床式イオン交換装置とした。
【００２１】（比較例）前記実施例１と同様の非再生型
混床式イオン交換装置（１）において、図８に示すよう
に混合比１：１０の樹脂混合物（２１）と、混合比１：
２の樹脂混合物（２２）との境界部分より１０ｃｍ下部
位置（ｃ）に集水管（４）を取り付けて比較例の混床式
イオン交換装置とした。
混床式イオン交換装置（１）において、図８に示すよう
に混合比１：１０の樹脂混合物（２１）と、混合比１：
２の樹脂混合物（２２）との境界部分より１０ｃｍ下部
位置（ｃ）に集水管（４）を取り付けて比較例の混床式
イオン交換装置とした。
【００２２】（試験例）前記実施例１〜２及び比較例の
混床式イオン交換装置を、図９に示すような純水製造ラ
インに接続した。タンク（Ｔ）より粗純水を各イオン交
換装置へ同時に３ｍ3 ／Ｈの流量で、上部から下部へ供
給し、各イオン交換装置の集水部より得られた処理水
を、実施例１及び比較例については３ｍ3 ／Ｈの流量で
上昇流により流出させた。得られた処理水中の硫酸イオ
ン（ＳＯ4 - ）濃度を、濃縮カラム付きイオンクロマト
グラフィーオフライン分析装置（ダイオネックスＤＸ３
００）により測定した。尚、実施例２のイオン交換装置
については、第一集水管から２．８ｍ3 ／Ｈの流量で処
理水を流出させ、第二集水部からは０．２ｍ3 ／Ｈの流
量で処理水を流出させた。処理水中のイオン濃度の測定
については、第一集水部から得られたものにのみ行い、
第二集水部から得られた処理水は、タンク（Ｔ）にリタ
ーンするよう配管した。実施例及び比較例で得られた処
理水中の硫酸イオン（ＳＯ4 - ）濃度をそれぞれ表１に
示した。
混床式イオン交換装置を、図９に示すような純水製造ラ
インに接続した。タンク（Ｔ）より粗純水を各イオン交
換装置へ同時に３ｍ3 ／Ｈの流量で、上部から下部へ供
給し、各イオン交換装置の集水部より得られた処理水
を、実施例１及び比較例については３ｍ3 ／Ｈの流量で
上昇流により流出させた。得られた処理水中の硫酸イオ
ン（ＳＯ4 - ）濃度を、濃縮カラム付きイオンクロマト
グラフィーオフライン分析装置（ダイオネックスＤＸ３
００）により測定した。尚、実施例２のイオン交換装置
については、第一集水管から２．８ｍ3 ／Ｈの流量で処
理水を流出させ、第二集水部からは０．２ｍ3 ／Ｈの流
量で処理水を流出させた。処理水中のイオン濃度の測定
については、第一集水部から得られたものにのみ行い、
第二集水部から得られた処理水は、タンク（Ｔ）にリタ
ーンするよう配管した。実施例及び比較例で得られた処
理水中の硫酸イオン（ＳＯ4 - ）濃度をそれぞれ表１に
示した。
【表１】
【００２３】表１から明らかな如く、実施例の混床式イ
オン交換装置によって得られた処理水は、比較例のイオ
ン交換装置と比べると、測定された硫酸イオン濃度が低
いことが明らかであり、実施例の混床式イオン交換装置
においても、第一集水部と第二集水部とによってそれぞ
れ集水し、第二集水部によって得られた処理水を前段工
程へとリターンさせる実施例２の混床式イオン交換装置
の方が得られる処理水中のイオン濃度が極めて低いこと
が判る。
オン交換装置によって得られた処理水は、比較例のイオ
ン交換装置と比べると、測定された硫酸イオン濃度が低
いことが明らかであり、実施例の混床式イオン交換装置
においても、第一集水部と第二集水部とによってそれぞ
れ集水し、第二集水部によって得られた処理水を前段工
程へとリターンさせる実施例２の混床式イオン交換装置
の方が得られる処理水中のイオン濃度が極めて低いこと
が判る。
【００２４】
【発明の効果】以上詳述した如く、この発明は内部にカ
チオン交換樹脂とアニオン交換樹脂との混合樹脂を充填
してなる混床式イオン交換装置において、上部に被処理
水を通水する供給部が設けられてなるとともに、下部の
カチオン交換樹脂が沈降集積する部分の直上方に処理水
の第一集水部が設けられてなることを特徴とする混床式
イオン交換装置及び前段工程からの処理水を混床式イオ
ン交換装置の上部より下向流で通水させるとともに、得
られた処理水を該混床式イオン交換装置の下層部に設け
た上段と下段との二段の集水部によってそれぞれ集水
し、上段の集水部によって得られた処理水は次工程へと
移行させ、下段の集水部より得られた処理水は前段工程
へと戻してなることを特徴とする純水及び超純水の製造
方法であるから、前記試験例の結果より明らかな如く、
樹脂からのイオンリークがほとんどなく、高集積化、高
密度化されている半導体工業の洗浄用水として利用可能
な極めて純度の高い処理水を得ることができるという優
れた効果を奏する。
チオン交換樹脂とアニオン交換樹脂との混合樹脂を充填
してなる混床式イオン交換装置において、上部に被処理
水を通水する供給部が設けられてなるとともに、下部の
カチオン交換樹脂が沈降集積する部分の直上方に処理水
の第一集水部が設けられてなることを特徴とする混床式
イオン交換装置及び前段工程からの処理水を混床式イオ
ン交換装置の上部より下向流で通水させるとともに、得
られた処理水を該混床式イオン交換装置の下層部に設け
た上段と下段との二段の集水部によってそれぞれ集水
し、上段の集水部によって得られた処理水は次工程へと
移行させ、下段の集水部より得られた処理水は前段工程
へと戻してなることを特徴とする純水及び超純水の製造
方法であるから、前記試験例の結果より明らかな如く、
樹脂からのイオンリークがほとんどなく、高集積化、高
密度化されている半導体工業の洗浄用水として利用可能
な極めて純度の高い処理水を得ることができるという優
れた効果を奏する。
【図１】この発明に係る混床式イオン交換装置の第一実
施例を示した模式図である。
施例を示した模式図である。
【図２】この発明に係る混床式イオン交換装置の第二実
施例を示した模式図である。
施例を示した模式図である。
【図３】この発明に係る混床式イオン交換装置の第三実
施例を示した模式図である。
施例を示した模式図である。
【図４】この発明に係る純水及び超純水の製造方法の一
実施例の概要を示す模式図である。
実施例の概要を示す模式図である。
【図５】この発明に係る純水及び超純水の製造方法の一
実施例の概要を示す模式図である。
実施例の概要を示す模式図である。
【図６】この発明の実施例１に係る混床式イオン交換装
置の断面模式図である。
置の断面模式図である。
【図７】この発明の実施例２に係る混床式イオン交換装
置の断面模式図である。
置の断面模式図である。
【図８】この発明の比較例に係る混床式イオン交換装置
の断面模式図である。
の断面模式図である。
【図９】この発明の試験例における純水の製造方法の概
要を示す模式図である。
要を示す模式図である。
【図１０】従来の混床式イオン交換装置の一実施例を示
す模式図である。
す模式図である。
【図１１】従来の混床式イオン交換装置を用いた純水の
製造方法の概要を示す模式図である。
製造方法の概要を示す模式図である。
【図１２】従来の混床式イオン交換装置を用いた純水の
製造方法の概要を示す模式図である。
製造方法の概要を示す模式図である。
【図１３】混床式イオン交換装置の再生処理での逆洗工
程の概要を示す模式図である。
程の概要を示す模式図である。
【図１４】混床式イオン交換装置の再生処理におけるア
ニオン、カチオン両イオン交換樹脂の分離状態を示す模
式図である。
ニオン、カチオン両イオン交換樹脂の分離状態を示す模
式図である。
１ 混床式イオン交換装置 ２ 混合樹脂 ３ 供給部 ４ 集水部 ４１第一集水部 ４２第二集水部
Claims (3)
- 【請求項１】 内部にカチオン交換樹脂とアニオン交換
樹脂との混合樹脂を充填してなる混床式イオン交換装置
において、上部に被処理水を通水する供給部が設けられ
てなるとともに、下部のカチオン交換樹脂が沈降集積す
る部分の直上方に処理水の第一集水部が設けられてなる
ことを特徴とする混床式イオン交換装置。 - 【請求項２】 前記第一集水部の下部位置に第二集水部
が設けられてなることを特徴とする請求項１に記載の混
床式イオン交換装置。 - 【請求項３】 前段工程からの処理水を混床式イオン交
換装置の上部より下向流で通水させるとともに、得られ
た処理水を該混床式イオン交換装置の下層部に設けた上
段と下段との二段の集水部によってそれぞれ集水し、上
段の集水部によって得られた処理水は次工程へと移行さ
せ、下段の集水部より得られた処理水は前段工程へと戻
してなることを特徴とする純水及び超純水の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5127847A JP2742976B2 (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 混床式イオン交換装置並びにこの混床式イオン交換装置を使用した純水及び超純水の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5127847A JP2742976B2 (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 混床式イオン交換装置並びにこの混床式イオン交換装置を使用した純水及び超純水の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06315683A true JPH06315683A (ja) | 1994-11-15 |
| JP2742976B2 JP2742976B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=14970144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5127847A Expired - Lifetime JP2742976B2 (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 混床式イオン交換装置並びにこの混床式イオン交換装置を使用した純水及び超純水の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2742976B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006116086A (ja) * | 2004-10-21 | 2006-05-11 | Tokuyama Corp | イオントフォレーシス装置用作用極構造体及びイオントフォレーシス装置 |
| WO2007023796A1 (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-01 | Miura Co., Ltd. | イオン交換装置 |
| JP2011041878A (ja) * | 2009-08-19 | 2011-03-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 加工廃液処理装置 |
| JP2016131954A (ja) * | 2015-01-21 | 2016-07-25 | 株式会社ディスコ | 純水精製装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5969187A (ja) * | 1982-10-14 | 1984-04-19 | Kansai Electric Power Co Inc:The | 復水処理方法 |
| JPS63315189A (ja) * | 1988-06-03 | 1988-12-22 | Ebara Infilco Co Ltd | 復水処理方法 |
-
1993
- 1993-04-30 JP JP5127847A patent/JP2742976B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
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| JP2016131954A (ja) * | 2015-01-21 | 2016-07-25 | 株式会社ディスコ | 純水精製装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2742976B2 (ja) | 1998-04-22 |
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