JPH06316422A - ガラス母材の製造装置 - Google Patents
ガラス母材の製造装置Info
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- JPH06316422A JPH06316422A JP12827493A JP12827493A JPH06316422A JP H06316422 A JPH06316422 A JP H06316422A JP 12827493 A JP12827493 A JP 12827493A JP 12827493 A JP12827493 A JP 12827493A JP H06316422 A JPH06316422 A JP H06316422A
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- preform
- chamber
- cylinder
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/0144—Means for after-treatment or catching of worked reactant gases
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＶＡＤ法によりチャンバー内でバーナからの
スートをターゲット棒の下端に堆積させてプリフォーム
を成長させていく場合に、プリフォームの引き上げ位置
にかかわらずチャンバー内のスートの流れを安定化して
スートを均一に堆積させる。 【構成】 チャンバー１０内で、回転するターゲット棒
２１の下端に、バーナ２２、２３からのスートを堆積さ
せてスートプリフォーム２０を形成する。プリフォーム
２０の成長に伴ってターゲット棒２１を上方に引き上
げ、その引き上げ量をコンピュータ３３に送る。コンピ
ュータ３３は入力された引き上げ量に基づき最適開口を
求め、これに応じてシャッター駆動装置３２を制御し、
シャッター３１の開口がデポジションの開始時から終了
時までつねに最適の大きさとなるようにする。
スートをターゲット棒の下端に堆積させてプリフォーム
を成長させていく場合に、プリフォームの引き上げ位置
にかかわらずチャンバー内のスートの流れを安定化して
スートを均一に堆積させる。 【構成】 チャンバー１０内で、回転するターゲット棒
２１の下端に、バーナ２２、２３からのスートを堆積さ
せてスートプリフォーム２０を形成する。プリフォーム
２０の成長に伴ってターゲット棒２１を上方に引き上
げ、その引き上げ量をコンピュータ３３に送る。コンピ
ュータ３３は入力された引き上げ量に基づき最適開口を
求め、これに応じてシャッター駆動装置３２を制御し、
シャッター３１の開口がデポジションの開始時から終了
時までつねに最適の大きさとなるようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＶＡＤ法によりガラ
ス母材を製造する装置に関し、とくにスート（ガラス微
粒子）の堆積工程を行なう装置の改良に関する。
ス母材を製造する装置に関し、とくにスート（ガラス微
粒子）の堆積工程を行なう装置の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＶＡＤ法では、バーナより酸水素火炎を
生じさせてその中に四塩化珪素などのガラスの原料ガス
を送り込み、加水分解反応によってガラス微粒子（二酸
化珪素の微粒子）を生成し、これをターゲット棒の下端
に堆積させる。このスートの堆積によって形成されたプ
リフォームの成長に応じてターゲット棒を引き上げるこ
とにより、円柱状の多孔質のスートプリフォームを形成
する。そして、この多孔質のスートプリフォームを加熱
することによって、透明ガラス化（焼結）処理する。光
ファイバ用のガラス母材の場合、バーナに原料ガスとと
もに屈折率制御用のドーパント材のガスを送り込んでガ
ラス微粒子を生成し、これを堆積した多孔質スートプリ
フォームを焼結行程で透明ガラス化とともにＯＨ基除去
（脱水）を行なう。この光ファイバ用の透明なガラス母
材を溶融して線引き紡糸することによって細い光ファイ
バを作る。
生じさせてその中に四塩化珪素などのガラスの原料ガス
を送り込み、加水分解反応によってガラス微粒子（二酸
化珪素の微粒子）を生成し、これをターゲット棒の下端
に堆積させる。このスートの堆積によって形成されたプ
リフォームの成長に応じてターゲット棒を引き上げるこ
とにより、円柱状の多孔質のスートプリフォームを形成
する。そして、この多孔質のスートプリフォームを加熱
することによって、透明ガラス化（焼結）処理する。光
ファイバ用のガラス母材の場合、バーナに原料ガスとと
もに屈折率制御用のドーパント材のガスを送り込んでガ
ラス微粒子を生成し、これを堆積した多孔質スートプリ
フォームを焼結行程で透明ガラス化とともにＯＨ基除去
（脱水）を行なう。この光ファイバ用の透明なガラス母
材を溶融して線引き紡糸することによって細い光ファイ
バを作る。
【０００３】ＶＡＤ法によるスートの堆積工程は、外気
に晒されることによりＯＨ基や不純物が混入することを
避けるため、外気から遮断されたチャンバー内で行なっ
ている。すなわち、図４に示すように、バーナ２２、２
３の火炎中で生成されたスートをターゲット棒２１の下
端に付着させ、そのときターゲット棒２１をその軸の周
囲に回転させ、スート付着によってプリフォーム２０が
成長していくことに応じてターゲット棒２１を上方に引
き上げる。これによりターゲット棒２１の下端周囲に均
一にスートが付着してプリフォーム２０が円柱状に堆積
成長していくようにしている。このようなターゲット棒
２１、スートプリフォーム２０及びバーナ２２、２３の
周囲を覆うようにチャンバー１０が配置される。なお、
バーナ２２はコア部分を堆積させるためのものであり、
バーナ２３はクラッド部分を堆積させるためのものであ
る。スートプリフォーム２０が引き上げられるため、こ
れを収納する引き上げ用円筒１３がチャンバー１０の上
方に設けられる。
に晒されることによりＯＨ基や不純物が混入することを
避けるため、外気から遮断されたチャンバー内で行なっ
ている。すなわち、図４に示すように、バーナ２２、２
３の火炎中で生成されたスートをターゲット棒２１の下
端に付着させ、そのときターゲット棒２１をその軸の周
囲に回転させ、スート付着によってプリフォーム２０が
成長していくことに応じてターゲット棒２１を上方に引
き上げる。これによりターゲット棒２１の下端周囲に均
一にスートが付着してプリフォーム２０が円柱状に堆積
成長していくようにしている。このようなターゲット棒
２１、スートプリフォーム２０及びバーナ２２、２３の
周囲を覆うようにチャンバー１０が配置される。なお、
バーナ２２はコア部分を堆積させるためのものであり、
バーナ２３はクラッド部分を堆積させるためのものであ
る。スートプリフォーム２０が引き上げられるため、こ
れを収納する引き上げ用円筒１３がチャンバー１０の上
方に設けられる。
【０００４】このチャンバー１０は強制的に排気されて
おり、ターゲット棒２１の下端に付着しなかった余剰の
スートを強制的に外部に排出するとともにチャンバー１
０内の空気の流れを整えて安定なデポジションが行われ
るようにしている。すなわち、図４に示すように排気処
理装置（図示しない）に接続された排気管１１が複数の
分岐管を通じてチャンバー１０に連結されており、その
分岐管の各々に排気調整器（調節弁）１２を取り付け、
それらを別々に設定することにより、各分岐管での排気
ガス流量を適当なものとしている。
おり、ターゲット棒２１の下端に付着しなかった余剰の
スートを強制的に外部に排出するとともにチャンバー１
０内の空気の流れを整えて安定なデポジションが行われ
るようにしている。すなわち、図４に示すように排気処
理装置（図示しない）に接続された排気管１１が複数の
分岐管を通じてチャンバー１０に連結されており、その
分岐管の各々に排気調整器（調節弁）１２を取り付け、
それらを別々に設定することにより、各分岐管での排気
ガス流量を適当なものとしている。
【０００５】チャンバー１０には、上方に引き上げられ
たスートプリフォーム２０を収納するための引き上げ用
円筒１３が設けられている。すなわち、デポジションの
初期の段階では図５に示すように、スートプリフォーム
２０はまだそれほど引き上げられていず、チャンバー１
０内に位置しているが、デポジションが進んでスートプ
リフォーム２０が大きくなると、図６に示すように、そ
れだけ引き上げ量も大きくなって、スートプリフォーム
２０はチャンバー１０内にとどまらず引き上げ用円筒１
３にまで入った状態になる。そのため、この引き上げ用
円筒１３の大きさは、製造するスートプリフォーム２０
の大きさに応じて、ある程度のマージンを見込んで決定
されることになる。
たスートプリフォーム２０を収納するための引き上げ用
円筒１３が設けられている。すなわち、デポジションの
初期の段階では図５に示すように、スートプリフォーム
２０はまだそれほど引き上げられていず、チャンバー１
０内に位置しているが、デポジションが進んでスートプ
リフォーム２０が大きくなると、図６に示すように、そ
れだけ引き上げ量も大きくなって、スートプリフォーム
２０はチャンバー１０内にとどまらず引き上げ用円筒１
３にまで入った状態になる。そのため、この引き上げ用
円筒１３の大きさは、製造するスートプリフォーム２０
の大きさに応じて、ある程度のマージンを見込んで決定
されることになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ガラス母材の製造装置では、スートプリフォームの引き
上げに伴ってチャンバー内の条件が大きく変動したり、
引き上げ用円筒内に付着するスートが落下するなどの問
題がある。
ガラス母材の製造装置では、スートプリフォームの引き
上げに伴ってチャンバー内の条件が大きく変動したり、
引き上げ用円筒内に付着するスートが落下するなどの問
題がある。
【０００７】すなわち、スートプリフォーム２０の大型
化の結果引き上げ用円筒１３も大型化せざるを得ない
が、そうすると、スートプリフォーム２０がまだ引き上
げ用円筒１３内に入っていない状態（図５）と、入って
いる状態（図６）とで、スートプリフォーム２０（およ
びターゲット棒２１）と円筒１３との間の間隔Ｗが大き
く変化する。つまり、円筒１３における実質的な開口面
積が、デポジション開始時からスートプリフォーム２０
が円筒１３に入り込んでしまうまでの間に、非常に大き
く変化することになる。これがチャンバー１０内のスー
トの流れが変化する一因となっており、その結果、ガラ
ス母材の長手方向の特性を安定化できない。
化の結果引き上げ用円筒１３も大型化せざるを得ない
が、そうすると、スートプリフォーム２０がまだ引き上
げ用円筒１３内に入っていない状態（図５）と、入って
いる状態（図６）とで、スートプリフォーム２０（およ
びターゲット棒２１）と円筒１３との間の間隔Ｗが大き
く変化する。つまり、円筒１３における実質的な開口面
積が、デポジション開始時からスートプリフォーム２０
が円筒１３に入り込んでしまうまでの間に、非常に大き
く変化することになる。これがチャンバー１０内のスー
トの流れが変化する一因となっており、その結果、ガラ
ス母材の長手方向の特性を安定化できない。
【０００８】また、引き上げ用円筒１３を大きなものと
した場合、図５に示すような、デポジションの初期の段
階では、円筒１３への開口が大きなものとなるので、そ
の分、円筒１３内に向かうスートの量も増加し、その結
果、円筒１３の内壁に付着するスート量が増加する傾向
がある。このように円筒１３の内壁に付着するスート
は、デポジション後のチャンバー１０や円筒１３の清掃
の際の手間になるばかりでなく、デポジション中に円筒
１３の内壁から剥離して落下することもあり、得られる
ガラス母材の特性に悪影響を与える。
した場合、図５に示すような、デポジションの初期の段
階では、円筒１３への開口が大きなものとなるので、そ
の分、円筒１３内に向かうスートの量も増加し、その結
果、円筒１３の内壁に付着するスート量が増加する傾向
がある。このように円筒１３の内壁に付着するスート
は、デポジション後のチャンバー１０や円筒１３の清掃
の際の手間になるばかりでなく、デポジション中に円筒
１３の内壁から剥離して落下することもあり、得られる
ガラス母材の特性に悪影響を与える。
【０００９】この発明は、上記に鑑み、スートプリフォ
ームの引き上げ用円筒における実質的な開口面積をスー
トプリフォームの引き上げ位置によらずつねに一定なも
のに保ち、チャンバー内のスートの流れを安定化して均
一なスートを安定して堆積できるようにするとともに、
引き上げ用円筒の内壁に付着するスートを減少させてそ
れが落下して特性に悪影響を与えることがないように改
善した、ガラス母材の製造装置を提供することを目的と
する。
ームの引き上げ用円筒における実質的な開口面積をスー
トプリフォームの引き上げ位置によらずつねに一定なも
のに保ち、チャンバー内のスートの流れを安定化して均
一なスートを安定して堆積できるようにするとともに、
引き上げ用円筒の内壁に付着するスートを減少させてそ
れが落下して特性に悪影響を与えることがないように改
善した、ガラス母材の製造装置を提供することを目的と
する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明によるガラス母材の製造装置では、スート
の生成用バーナと、該スートの付着によるプリフォーム
の成長に応じて引き上げられていくターゲット棒と、該
バーナの炎及びプリフォームを覆うチャンバーと、この
チャンバーに設けられた排気管と、該チャンバーに上方
に設けられたプリフォームの引き上げ用筒体と、該筒体
とチャンバーとの接合部付近に設けられた開口調整器
と、プリフォームの引き上げ量に応じて該開口調整器を
制御する制御装置とを備えることが特徴となっている。
め、この発明によるガラス母材の製造装置では、スート
の生成用バーナと、該スートの付着によるプリフォーム
の成長に応じて引き上げられていくターゲット棒と、該
バーナの炎及びプリフォームを覆うチャンバーと、この
チャンバーに設けられた排気管と、該チャンバーに上方
に設けられたプリフォームの引き上げ用筒体と、該筒体
とチャンバーとの接合部付近に設けられた開口調整器
と、プリフォームの引き上げ量に応じて該開口調整器を
制御する制御装置とを備えることが特徴となっている。
【００１１】
【作用】プリフォームがその成長に伴って徐々に引き上
げられていくと、チャバーの上方に設けられた筒体中に
プリフォームが入り込んでいくことになる。この筒体と
チャンバーとの接合部付近には開口調整器が設けられて
おり、その開口が引き上げ量に応じて制御されている。
このとき、形成するプリフォームの大きさ、筒体の大き
さ（内部の）、どれだけ引き上げたらどれだけプリフォ
ームが筒体内に入るか、はあらかじめ分かるので、引き
上げ量に応じて開口の大きさを制御すれば、ターゲット
棒の直径とプリフォームの直径が大きく変わるような場
合でも、この開口調整器における隙間をつねに一定なも
のとして、筒体への実質的な開口面積が変わらないよう
にすることができる。そのため、スートの流れ等のチャ
ンバー内の条件を安定化させることができる。また、デ
ポジションの初期の段階でプリフォームが筒体に入り込
んでいない状態では、開口調整器の開口は小さなものと
なっているので、筒体への実質的な開口面積を小さくで
き、筒体内に向かうスート量を減少させて筒体内壁に付
着するスート量を減らすことができる。その結果、筒体
内壁に付着したスートが剥離して落下し、プリフォーム
の特性に悪影響を与えるようなことを防止できる。
げられていくと、チャバーの上方に設けられた筒体中に
プリフォームが入り込んでいくことになる。この筒体と
チャンバーとの接合部付近には開口調整器が設けられて
おり、その開口が引き上げ量に応じて制御されている。
このとき、形成するプリフォームの大きさ、筒体の大き
さ（内部の）、どれだけ引き上げたらどれだけプリフォ
ームが筒体内に入るか、はあらかじめ分かるので、引き
上げ量に応じて開口の大きさを制御すれば、ターゲット
棒の直径とプリフォームの直径が大きく変わるような場
合でも、この開口調整器における隙間をつねに一定なも
のとして、筒体への実質的な開口面積が変わらないよう
にすることができる。そのため、スートの流れ等のチャ
ンバー内の条件を安定化させることができる。また、デ
ポジションの初期の段階でプリフォームが筒体に入り込
んでいない状態では、開口調整器の開口は小さなものと
なっているので、筒体への実質的な開口面積を小さくで
き、筒体内に向かうスート量を減少させて筒体内壁に付
着するスート量を減らすことができる。その結果、筒体
内壁に付着したスートが剥離して落下し、プリフォーム
の特性に悪影響を与えるようなことを防止できる。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の好ましい一実施例について
図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、この発明
を光ファイバの母材となるスートプリフォームを堆積す
る装置に適用した一実施例を示すもので、この図１に示
すように、チャンバー１０内にはターゲット棒２１がつ
り下げられて回転しており、その下端にスートプリフォ
ーム２０が堆積している。バーナ２２、２３はガラス微
粒子生成用で、バーナ２２はコア部分を、バーナ２３は
クラッド部分をそれぞれ堆積させるためのものである。
ターゲット棒２１は引き上げ装置３４によってつり下げ
られており、スートプリフォーム２０の成長に伴って順
次引き上げられるようになっている。
図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、この発明
を光ファイバの母材となるスートプリフォームを堆積す
る装置に適用した一実施例を示すもので、この図１に示
すように、チャンバー１０内にはターゲット棒２１がつ
り下げられて回転しており、その下端にスートプリフォ
ーム２０が堆積している。バーナ２２、２３はガラス微
粒子生成用で、バーナ２２はコア部分を、バーナ２３は
クラッド部分をそれぞれ堆積させるためのものである。
ターゲット棒２１は引き上げ装置３４によってつり下げ
られており、スートプリフォーム２０の成長に伴って順
次引き上げられるようになっている。
【００１３】チャンバー１０の上方には、スートプリフ
ォーム２０を引き上げるための引き上げ用円筒１３が連
結されている。さらにチャンバー１０のバーナ２２、２
３と対向する側には、排気管１１が複数の分岐管を介し
て接続されている。各分岐管には排気調整器（制御弁と
その駆動装置）１２が配置されている。排気管１１には
図示しない排気処理装置が接続されていて、チャンバー
１０内を強制的に排気している。排気調整器１２の各々
が調整されることによって、排気管１１の各分岐管での
排気量が最適なものとされる。
ォーム２０を引き上げるための引き上げ用円筒１３が連
結されている。さらにチャンバー１０のバーナ２２、２
３と対向する側には、排気管１１が複数の分岐管を介し
て接続されている。各分岐管には排気調整器（制御弁と
その駆動装置）１２が配置されている。排気管１１には
図示しない排気処理装置が接続されていて、チャンバー
１０内を強制的に排気している。排気調整器１２の各々
が調整されることによって、排気管１１の各分岐管での
排気量が最適なものとされる。
【００１４】チャンバー１０と、その上方に取り付けら
れた引き上げ用円筒１３との接合部付近には、可変開口
の蓋機構であるシャッター３１が取り付けられている。
そしてこのシャッター３１はシャッター駆動装置３２に
よって開閉駆動されるようになっており、コンピュータ
３３によりその開口の大きさが制御される。引き上げ装
置３４はスートプリフォーム２０（ターゲット棒２１）
の引き上げ量に関する情報をコンピュータ３３に送る。
コンピュータ３３はこの入力された引き上げ量に基づ
き、スートプリフォーム２０がどの位置にあり、シャッ
ター３１の開口がどれほどのものであれば最適かを計算
して、これによって開口の大きさを決定する。すなわ
ち、引き上げ量とシャッター３１付近に位置しているス
ートプリフォーム２０（およびターゲット棒２１）との
対応関係はあらかじめ求められており、そのデータを用
いて上記の計算を行なう。
れた引き上げ用円筒１３との接合部付近には、可変開口
の蓋機構であるシャッター３１が取り付けられている。
そしてこのシャッター３１はシャッター駆動装置３２に
よって開閉駆動されるようになっており、コンピュータ
３３によりその開口の大きさが制御される。引き上げ装
置３４はスートプリフォーム２０（ターゲット棒２１）
の引き上げ量に関する情報をコンピュータ３３に送る。
コンピュータ３３はこの入力された引き上げ量に基づ
き、スートプリフォーム２０がどの位置にあり、シャッ
ター３１の開口がどれほどのものであれば最適かを計算
して、これによって開口の大きさを決定する。すなわ
ち、引き上げ量とシャッター３１付近に位置しているス
ートプリフォーム２０（およびターゲット棒２１）との
対応関係はあらかじめ求められており、そのデータを用
いて上記の計算を行なう。
【００１５】ターゲット棒２１の下端へのデポジション
がまだ初期の段階にあるときは、スートプリフォーム２
０が大きくなくて、ターゲット棒２１は引き上げられて
いない。そこでこのときは、図２に示すように、チャン
バー１０から引き上げ用円筒１３への開口部付近には、
細いターゲット棒２１の部分が位置している。このこと
は引き上げ装置３４によるターゲット棒２１の引き上げ
量によって分かる。そこでコンピュータ３３はこの細い
ターゲット棒２１の部分に最適な開口の大きさを決定す
ることができ、これによりシャッター３１とターゲット
棒２１との間の隙間が最適値Ｗとなるようにシャッター
３１の開口が定められる。
がまだ初期の段階にあるときは、スートプリフォーム２
０が大きくなくて、ターゲット棒２１は引き上げられて
いない。そこでこのときは、図２に示すように、チャン
バー１０から引き上げ用円筒１３への開口部付近には、
細いターゲット棒２１の部分が位置している。このこと
は引き上げ装置３４によるターゲット棒２１の引き上げ
量によって分かる。そこでコンピュータ３３はこの細い
ターゲット棒２１の部分に最適な開口の大きさを決定す
ることができ、これによりシャッター３１とターゲット
棒２１との間の隙間が最適値Ｗとなるようにシャッター
３１の開口が定められる。
【００１６】ターゲット棒２１の下端へのデポジション
が進み、スートプリフォーム２０が大きく成長し、ター
ゲット棒２１が大きく引き上げられた場合は、図３に示
すようにシャッター３１付近には大きなスートプリフォ
ーム２０の部分が位置している。このことは、引き上げ
量をモニターしているコンピュータ３３により判定で
き、そこでコンピュータ３３によりこのときの最適開口
を定める。その結果、この場合も、シャッター３１とス
ートプリフォーム２０との間の隙間が最適値Ｗとなるよ
うにシャッター３１の開口が定めることができる。
が進み、スートプリフォーム２０が大きく成長し、ター
ゲット棒２１が大きく引き上げられた場合は、図３に示
すようにシャッター３１付近には大きなスートプリフォ
ーム２０の部分が位置している。このことは、引き上げ
量をモニターしているコンピュータ３３により判定で
き、そこでコンピュータ３３によりこのときの最適開口
を定める。その結果、この場合も、シャッター３１とス
ートプリフォーム２０との間の隙間が最適値Ｗとなるよ
うにシャッター３１の開口が定めることができる。
【００１７】こうして、ターゲット棒２１およびスート
プリフォーム２０の引き上げ位置がどのようなもので
も、シャッター３１の開口の大きさを最適なものとする
ことができる。その結果、チャンバー１０から引き上げ
用円筒１３への実質的な開口面積をつねに一定なものと
して、デポジションの開始時から終了時までチャンバー
１０内のスートの流れをほとんど一定のものに保つこと
が可能となる。
プリフォーム２０の引き上げ位置がどのようなもので
も、シャッター３１の開口の大きさを最適なものとする
ことができる。その結果、チャンバー１０から引き上げ
用円筒１３への実質的な開口面積をつねに一定なものと
して、デポジションの開始時から終了時までチャンバー
１０内のスートの流れをほとんど一定のものに保つこと
が可能となる。
【００１８】また、このようなシャッター３１の開閉制
御のため、結果的にシャッター３１とスートプリフォー
ム２０（およびターゲット棒２１）との隙間は小さなも
のとされるので、円筒１３内に向かうスート量を少なく
でき、円筒１３の内壁に付着するスートを減少させるこ
とができる。そのため、円筒１３の内壁に付着したスー
トが剥離して落下することもなくなり、スートプリフォ
ーム２０の特性に悪影響を与えることを防止できる。
御のため、結果的にシャッター３１とスートプリフォー
ム２０（およびターゲット棒２１）との隙間は小さなも
のとされるので、円筒１３内に向かうスート量を少なく
でき、円筒１３の内壁に付着するスートを減少させるこ
とができる。そのため、円筒１３の内壁に付着したスー
トが剥離して落下することもなくなり、スートプリフォ
ーム２０の特性に悪影響を与えることを防止できる。
【００１９】これらにより、スートプリフォーム２０は
その長手方向に特性が安定したものとなり、このスート
プリフォーム２０を燒結（透明ガラス化）し、さらに線
引き紡糸して光ファイバを作製すれば、その長さ方向に
特性の安定した光ファイバを得ることができる。
その長手方向に特性が安定したものとなり、このスート
プリフォーム２０を燒結（透明ガラス化）し、さらに線
引き紡糸して光ファイバを作製すれば、その長さ方向に
特性の安定した光ファイバを得ることができる。
【００２０】なお、上記ではスートプリフォーム２０
（およびターゲット棒２１）の引き上げ量は引き上げ装
置３４から得ているが、引き上げ量を検出する検出器を
別個に設けるようにしてもよい。また、引き上げ用の筒
体として円筒１３を用いているが、かならずしも円筒の
形状に限定されない。
（およびターゲット棒２１）の引き上げ量は引き上げ装
置３４から得ているが、引き上げ量を検出する検出器を
別個に設けるようにしてもよい。また、引き上げ用の筒
体として円筒１３を用いているが、かならずしも円筒の
形状に限定されない。
【００２１】
【発明の効果】以上、実施例について説明したように、
この発明のガラス母材の製造装置によれば、ＶＡＤ法に
よってスートプリフォームをデポジションする場合に、
スートプリフォームがどのように引き上げられても、チ
ャンバーからその上方に設けられた引き上げ用筒体への
開口面積をつねに一定に保つことができる。その結果、
デポジションの開始時から終了時までチャンバー内のス
ートの流れを安定化でき、特性が長手方向に安定したガ
ラス母材を容易に得ることができる。そのため、光ファ
イバ用ガラス母材を作製すると、長さ方向に特性の安定
な光ファイバを容易に作ることができる。
この発明のガラス母材の製造装置によれば、ＶＡＤ法に
よってスートプリフォームをデポジションする場合に、
スートプリフォームがどのように引き上げられても、チ
ャンバーからその上方に設けられた引き上げ用筒体への
開口面積をつねに一定に保つことができる。その結果、
デポジションの開始時から終了時までチャンバー内のス
ートの流れを安定化でき、特性が長手方向に安定したガ
ラス母材を容易に得ることができる。そのため、光ファ
イバ用ガラス母材を作製すると、長さ方向に特性の安定
な光ファイバを容易に作ることができる。
【図１】この発明の一実施例の模式図。
【図２】同実施例における堆積の初期の段階でのシャッ
ターの状態を示す模式図。
ターの状態を示す模式図。
【図３】同実施例における堆積が進んだ段階でのシャッ
ターの状態を示す模式図。
ターの状態を示す模式図。
【図４】従来例の模式図。
【図５】堆積の初期の段階でのスートプリフォームとチ
ャンバーとの関係を示す模式図。
ャンバーとの関係を示す模式図。
【図６】堆積が進んだ状態でのスートプリフォームとチ
ャンバーとの関係を示す模式図。
ャンバーとの関係を示す模式図。
１０ チャンバー １１ 排気管 １２ 排気調整器 １３ 引き上げ用円筒 ２０ スートプリフォーム ２１ ターゲット棒 ２２ コア用バーナ ２３ クラッド用バーナ ３１ シャッター ３２ シャッター駆動装置 ３３ コンピュータ ３４ 引き上げ装置
Claims (1)
- 【請求項１】 ガラス微粒子を生成するバーナと、該ガ
ラス微粒子がその下端に付着させられ、その付着によっ
て形成されたプリフォームの成長に応じて引き上げられ
ていくターゲット棒と、該バーナの炎及びプリフォーム
を覆うチャンバーと、このチャンバーに設けられた排気
管と、該チャンバーに上方に設けられたプリフォームの
引き上げ用筒体と、該筒体とチャンバーとの接合部付近
に設けられた開口調整器と、プリフォームの引き上げ量
に応じて該開口調整器を制御する制御装置とを備えるこ
とを特徴とするガラス母材の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12827493A JPH06316422A (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | ガラス母材の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12827493A JPH06316422A (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | ガラス母材の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06316422A true JPH06316422A (ja) | 1994-11-15 |
Family
ID=14980780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12827493A Pending JPH06316422A (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | ガラス母材の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06316422A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5879428A (en) * | 1995-11-07 | 1999-03-09 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Apparatus for manufacturing optical fiber preform |
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| US8656743B2 (en) * | 2007-02-28 | 2014-02-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Porous glass preform production apparatus |
| JP2014062006A (ja) * | 2012-09-20 | 2014-04-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 多孔質ガラス母材の製造装置 |
| JP2021175695A (ja) * | 2020-05-01 | 2021-11-04 | 住友電気工業株式会社 | ガラス母材の製造装置 |
-
1993
- 1993-04-30 JP JP12827493A patent/JPH06316422A/ja active Pending
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