JPH06320580A - モールドをパターニングする方法 - Google Patents
モールドをパターニングする方法Info
- Publication number
- JPH06320580A JPH06320580A JP6110337A JP11033794A JPH06320580A JP H06320580 A JPH06320580 A JP H06320580A JP 6110337 A JP6110337 A JP 6110337A JP 11033794 A JP11033794 A JP 11033794A JP H06320580 A JPH06320580 A JP H06320580A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- mold substrate
- major surface
- substrate
- exposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 82
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 84
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 56
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 47
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 36
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 28
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 description 25
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 10
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 7
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 7
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 6
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 6
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 229910000677 High-carbon steel Inorganic materials 0.000 description 5
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 3
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 3
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003637 basic solution Substances 0.000 description 2
- 150000001649 bromium compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002508 contact lithography Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 150000004694 iodide salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- QTJXVIKNLHZIKL-UHFFFAOYSA-N sulfur difluoride Chemical class FSF QTJXVIKNLHZIKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 2
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000002164 ion-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 oreest stripper) Substances 0.000 description 1
- 210000000056 organ Anatomy 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010399 physical interaction Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22C—FOUNDRY MOULDING
- B22C9/00—Moulds or cores; Moulding processes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/42—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the shape of the moulding surface, e.g. ribs or grooves
- B29C33/424—Moulding surfaces provided with means for marking or patterning
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 精細な分解能で種々の形状および側壁構造を
生成可能なモールドのパターニング方法を提供する。 【構成】 主要面（１０１）を有するモールド基板（１
０２）が準備される。パターニングされたマスキング層
（１０８，４０２）がモールド基板（１０２）の主要面
（１０１）上に形成されモールド基板（１０２）の主要
面（１０１）の一部（１０７）を露出し、いっぽう他の
部分（１０９）はパターニングされたマスキング層（１
０８，４０２）で覆われる。モールド基板（１０２）の
主要面（１０１）がエッチングされ、それによってモー
ルド基板（１０２）の主要面（１０１）の露出部分（１
０７）を除去し、したがってパターニングされたマスキ
ング層（１０８，４０２）からのパターンをモールド基
板（１０２）の主要面（１０１）に転写する。
生成可能なモールドのパターニング方法を提供する。 【構成】 主要面（１０１）を有するモールド基板（１
０２）が準備される。パターニングされたマスキング層
（１０８，４０２）がモールド基板（１０２）の主要面
（１０１）上に形成されモールド基板（１０２）の主要
面（１０１）の一部（１０７）を露出し、いっぽう他の
部分（１０９）はパターニングされたマスキング層（１
０８，４０２）で覆われる。モールド基板（１０２）の
主要面（１０１）がエッチングされ、それによってモー
ルド基板（１０２）の主要面（１０１）の露出部分（１
０７）を除去し、したがってパターニングされたマスキ
ング層（１０８，４０２）からのパターンをモールド基
板（１０２）の主要面（１０１）に転写する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、一般的には、型（モ
ールド：ｍｏｌｄ）の製造に関しかつ、より特定的に
は、前記型のパターンの発生およびモールド面へのパタ
ーンの転写（ｔｒａｎｓｆｅｒｒｉｎｇ）に関する。
ールド：ｍｏｌｄ）の製造に関しかつ、より特定的に
は、前記型のパターンの発生およびモールド面へのパタ
ーンの転写（ｔｒａｎｓｆｅｒｒｉｎｇ）に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、トランスファ成形（ｔｒａｎｓｆ
ｅｒ ｍｏｌｄｓ）のためのモールドおよび射出成形
（ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｍｏｌｄｓ）のためのモールド
を作製するために使用される材料は、典型的には、鋼
鉄、高炭素鋼（ｈｉｇｈ ｃａｒｂｏｎ ｓｔｅｅ
ｌ）、その他のような、非常に堅い耐久性のある金属で
ある。最終的にモールドされた物体の幾何学的形状を規
定する種々の幾何学的パターンへとこれらの材料をパタ
ーニングしあるいは成形することは非常に困難な仕事で
ある。
ｅｒ ｍｏｌｄｓ）のためのモールドおよび射出成形
（ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｍｏｌｄｓ）のためのモールド
を作製するために使用される材料は、典型的には、鋼
鉄、高炭素鋼（ｈｉｇｈ ｃａｒｂｏｎ ｓｔｅｅ
ｌ）、その他のような、非常に堅い耐久性のある金属で
ある。最終的にモールドされた物体の幾何学的形状を規
定する種々の幾何学的パターンへとこれらの材料をパタ
ーニングしあるいは成形することは非常に困難な仕事で
ある。
【０００３】一般に、モールドの成形またはパターニン
グは該モールドから材料を切除しあるいは除去するフラ
イス削り（ｍｉｌｌｉｎｇ）、研削（ｇｒｉｎｄｉｎ
ｇ）、およびワイヤ電子放電加工（ｗｉｒｅ ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎｉｃ ｄｉｓｃｈａｒｇｅ ｍａｃｈｉｎｉｎ
ｇ：ＥＤＭ）のような、幾つかの機械加工技術によって
行なわれ、したがってモールドを所望の形状にゆっくり
と成形する。しかしながら、これらの機械加工技術は光
学的な用途のために使用されるモールドのパターニング
に必要な充分な精度、正確さ、または分解能を提供しな
い。せいぜい、これらの技術はたった±２ミクロンの精
度、正確さおよび分解能を提供するのみであり、したが
ってこれらの限界を超えてモールドをパターニングする
ことは不可能である。
グは該モールドから材料を切除しあるいは除去するフラ
イス削り（ｍｉｌｌｉｎｇ）、研削（ｇｒｉｎｄｉｎ
ｇ）、およびワイヤ電子放電加工（ｗｉｒｅ ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎｉｃ ｄｉｓｃｈａｒｇｅ ｍａｃｈｉｎｉｎ
ｇ：ＥＤＭ）のような、幾つかの機械加工技術によって
行なわれ、したがってモールドを所望の形状にゆっくり
と成形する。しかしながら、これらの機械加工技術は光
学的な用途のために使用されるモールドのパターニング
に必要な充分な精度、正確さ、または分解能を提供しな
い。せいぜい、これらの技術はたった±２ミクロンの精
度、正確さおよび分解能を提供するのみであり、したが
ってこれらの限界を超えてモールドをパターニングする
ことは不可能である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】さらに、これらの機械
加工技術は一般に直線構造のみが可能であり、したがっ
てモールドのモールド面に種々の幾何学的形状またはパ
ターンを転写することはできず、したがってモールドを
作製するパターニングの可能性を大幅に制限する。この
パターニング能力の限界はモールドされ得る対象物を制
限する。さらに、これらの機械加工技術によって発生さ
れるパターンの輪郭は該パターンを発生するための各々
の特定の技術において使用されるツールの形状および大
きさによって規定される。しかしながら、今日のおよび
将来のモールド環境においてはより大きな形状の特異性
が必要とされている。
加工技術は一般に直線構造のみが可能であり、したがっ
てモールドのモールド面に種々の幾何学的形状またはパ
ターンを転写することはできず、したがってモールドを
作製するパターニングの可能性を大幅に制限する。この
パターニング能力の限界はモールドされ得る対象物を制
限する。さらに、これらの機械加工技術によって発生さ
れるパターンの輪郭は該パターンを発生するための各々
の特定の技術において使用されるツールの形状および大
きさによって規定される。しかしながら、今日のおよび
将来のモールド環境においてはより大きな形状の特異性
が必要とされている。
【０００５】モールドをパターニングする伝統的な除去
または切除方法は大きな制約を持っていることが容易に
分かる。また、これらのパターンを作製するために使用
される伝統的なプロセスは幾何学的な変形（ｖａｒｉａ
ｔｉｏｎｓ）を提供することができず、これはさらにモ
ールドされる物体を生成する能力を制限する。さらに、
モールドされる物体の形状が非常に重要になるに応じ
て、現在使用されている方法はモールド、したがってモ
ールドされる物体にとって必要な輪郭形状を提供するこ
とができなくなる。したがって、より大きな精度、正確
さ、形状寸法（ｆｅａｔｕｒｅ ｓｉｚｅ）、種々の幾
何学的パターンを提供しかつ精巧な形状決定を可能にす
るモールドをパターニングする方法が非常に望まれる。
または切除方法は大きな制約を持っていることが容易に
分かる。また、これらのパターンを作製するために使用
される伝統的なプロセスは幾何学的な変形（ｖａｒｉａ
ｔｉｏｎｓ）を提供することができず、これはさらにモ
ールドされる物体を生成する能力を制限する。さらに、
モールドされる物体の形状が非常に重要になるに応じ
て、現在使用されている方法はモールド、したがってモ
ールドされる物体にとって必要な輪郭形状を提供するこ
とができなくなる。したがって、より大きな精度、正確
さ、形状寸法（ｆｅａｔｕｒｅ ｓｉｚｅ）、種々の幾
何学的パターンを提供しかつ精巧な形状決定を可能にす
るモールドをパターニングする方法が非常に望まれる。
【０００６】したがって、本発明の目的は、上記従来例
の問題点に鑑み、モールドをパターニングする方法にお
いて、上述のようにより大きな精度、正確さ、形状寸
法、種々の幾何学的パターンを提供しかつ微細な形状決
定を可能にすることにある。
の問題点に鑑み、モールドをパターニングする方法にお
いて、上述のようにより大きな精度、正確さ、形状寸
法、種々の幾何学的パターンを提供しかつ微細な形状決
定を可能にすることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段および作用】簡単にいえ
ば、本発明によれば、あるパターンをモールドに転写す
るための装置および方法が提供される。主要面を有する
モールド構造が与えられる。モールド基板の主要面上に
パターンマスク層が形成され、該マスク層はモールド基
板の主要面の一部を露出し、一方他の部分はパターニン
グされたマスク層によって覆われる。前記モールド基板
の主要面はエッチングされ、それによって前記モールド
基板の主要面の露出部分が除去され、したがって前記パ
ターンマスク層からのパターンをモールド基板の主要面
に転写する。
ば、本発明によれば、あるパターンをモールドに転写す
るための装置および方法が提供される。主要面を有する
モールド構造が与えられる。モールド基板の主要面上に
パターンマスク層が形成され、該マスク層はモールド基
板の主要面の一部を露出し、一方他の部分はパターニン
グされたマスク層によって覆われる。前記モールド基板
の主要面はエッチングされ、それによって前記モールド
基板の主要面の露出部分が除去され、したがって前記パ
ターンマスク層からのパターンをモールド基板の主要面
に転写する。
【０００８】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につき
説明する。図１〜図３は、モールド１００を製造するた
めにモールド基板または基板１０２の主要面または面１
０１をパターニングするための一連のステップを示す高
度に拡大しかつ単純化した説明図である。モールド１０
０は大幅に単純化されており、したがって本発明をより
明瞭にしかつより良く理解できるようにするためモール
ド１００の関連部分のみが示されていることが理解され
るべきである。さらに、上記目的のため、図１〜図９に
おいてモールド１００を単純化することによってモール
ド１００の種々の部分が図１〜図９から除外されている
ことも理解されるべきである。
説明する。図１〜図３は、モールド１００を製造するた
めにモールド基板または基板１０２の主要面または面１
０１をパターニングするための一連のステップを示す高
度に拡大しかつ単純化した説明図である。モールド１０
０は大幅に単純化されており、したがって本発明をより
明瞭にしかつより良く理解できるようにするためモール
ド１００の関連部分のみが示されていることが理解され
るべきである。さらに、上記目的のため、図１〜図９に
おいてモールド１００を単純化することによってモール
ド１００の種々の部分が図１〜図９から除外されている
ことも理解されるべきである。
【０００９】図１を参照すると、モールド１００が部分
的に示されており、該モールド１００は面１０１を有す
るモールド基板または基板１０２を有しており、面１０
１は予め準備されかついまやパターニングの用意ができ
ているものとする。一般に、基板１０２は、ガラス材
料、半導体材料、金属材料、金属合金材料、その他のよ
うな、任意の適切な材料で造られる。さらに、基板１０
２のために使用される材料は、ダイヤモンド材料、２酸
化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン（ｓｉｌｉ
ｃｏｎ ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）のような誘電体材料、
たとえばタングステン、チタンのような金属および金属
合金材料、その他のような、他の材料によってコーティ
ングすることができる。
的に示されており、該モールド１００は面１０１を有す
るモールド基板または基板１０２を有しており、面１０
１は予め準備されかついまやパターニングの用意ができ
ているものとする。一般に、基板１０２は、ガラス材
料、半導体材料、金属材料、金属合金材料、その他のよ
うな、任意の適切な材料で造られる。さらに、基板１０
２のために使用される材料は、ダイヤモンド材料、２酸
化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン（ｓｉｌｉ
ｃｏｎ ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）のような誘電体材料、
たとえばタングステン、チタンのような金属および金属
合金材料、その他のような、他の材料によってコーティ
ングすることができる。
【００１０】典型的には、面１０１は、機械的なクリー
ニングまたは化学的なクリーニングのような、技術上良
く知られた任意の適切な方法によって引続く処理のため
クリーニングされあるいは準備され、それによって面１
０１から破片、粒子、有機材料その他を除去あるいは清
掃する。
ニングまたは化学的なクリーニングのような、技術上良
く知られた任意の適切な方法によって引続く処理のため
クリーニングされあるいは準備され、それによって面１
０１から破片、粒子、有機材料その他を除去あるいは清
掃する。
【００１１】面１０１が準備された後、面１０１に放射
感応（ｒａｄｉａｔｉｏｎ ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ）材料
が付加されて放射感応膜または放射感応層１０６が形成
される。典型的には、該放射感応層１０６は、光、電
子、イオン、その他のような、放射に反応するフォトレ
ジスト、ポリイミド、ポリメチルメタクリレート（ＰＭ
ＭＡ）のような、任意の適切な有機ポリマー（ｏｒｇａ
ｎｉｃ ｐｏｌｙｍｅｒ）である。面１０１上への放射
感応膜１０６の付加は、噴霧（ｓｐｒａｙ）コーティン
グ、スピンコーティング、ラミネーション、その他のよ
うな、任意の適切な良く知られた方法によって行なわれ
る。放射感応膜１０６の厚さは用途に応じて特定され、
すなわち、放射感応膜１０６の厚さ１０５は、規定され
るべき特徴形状（ｆｅａｔｕｒｅｓ）の分解能、規定さ
れるべき特徴形状間の間隔、および放射感応膜１０６そ
れ自体のエッチング特性のような、幾つかの要因によっ
て決定される。
感応（ｒａｄｉａｔｉｏｎ ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ）材料
が付加されて放射感応膜または放射感応層１０６が形成
される。典型的には、該放射感応層１０６は、光、電
子、イオン、その他のような、放射に反応するフォトレ
ジスト、ポリイミド、ポリメチルメタクリレート（ＰＭ
ＭＡ）のような、任意の適切な有機ポリマー（ｏｒｇａ
ｎｉｃ ｐｏｌｙｍｅｒ）である。面１０１上への放射
感応膜１０６の付加は、噴霧（ｓｐｒａｙ）コーティン
グ、スピンコーティング、ラミネーション、その他のよ
うな、任意の適切な良く知られた方法によって行なわれ
る。放射感応膜１０６の厚さは用途に応じて特定され、
すなわち、放射感応膜１０６の厚さ１０５は、規定され
るべき特徴形状（ｆｅａｔｕｒｅｓ）の分解能、規定さ
れるべき特徴形状間の間隔、および放射感応膜１０６そ
れ自体のエッチング特性のような、幾つかの要因によっ
て決定される。
【００１２】例えば、放射感応膜１０６がフォトレジス
トでありかつ特徴部分の分解能がほぼ０．４ミクロンか
ら１．０ミクロンに及ぶ寸法を有するものとして規定さ
れるべきであれば、規定されるべき特徴部分を解像する
（ｒｅｓｏｌｖｅ）ために使用されるフォトレジスト膜
の厚さ１０５はほぼ５，０００オングストロームから１
５，０００オングストロームの範囲を持つ。さらに、も
し規定されるべき特徴部分が１．０ミクロンより大きけ
れば、フォトレジスト膜の厚さ１０５はほぼ１５，００
０オングストロームから５００，０００オングストロー
ムの範囲とすることができる。しかしながら、特徴形状
部分の寸法は放射感応膜１０６の厚さ１０５を決定する
ために使用される唯一の考察事項ではなく、かつ、放射
感応材料の耐久性またはエッチング耐性、他のプロセス
との放射感応材料の材料の両立性、その他のような、他
の考察事項も層１０６の厚さ１０５を決定する上で重要
な役割を果たすことを理解すべきである。
トでありかつ特徴部分の分解能がほぼ０．４ミクロンか
ら１．０ミクロンに及ぶ寸法を有するものとして規定さ
れるべきであれば、規定されるべき特徴部分を解像する
（ｒｅｓｏｌｖｅ）ために使用されるフォトレジスト膜
の厚さ１０５はほぼ５，０００オングストロームから１
５，０００オングストロームの範囲を持つ。さらに、も
し規定されるべき特徴部分が１．０ミクロンより大きけ
れば、フォトレジスト膜の厚さ１０５はほぼ１５，００
０オングストロームから５００，０００オングストロー
ムの範囲とすることができる。しかしながら、特徴形状
部分の寸法は放射感応膜１０６の厚さ１０５を決定する
ために使用される唯一の考察事項ではなく、かつ、放射
感応材料の耐久性またはエッチング耐性、他のプロセス
との放射感応材料の材料の両立性、その他のような、他
の考察事項も層１０６の厚さ１０５を決定する上で重要
な役割を果たすことを理解すべきである。
【００１３】いったん放射感応層１０６が面１０１に付
加されると、放射感応層１０６は放射源（図示せず）に
露出されこれによって放射感応層１０６のある部分が露
出し、一方他の部分は露出されない。放射感応層１０６
の露出部分と非露出部分の発生は、コンタクトリソグラ
フィー、プロジェクションリソグラフィー、Ｅビームリ
ソグラフィー、イオンビームリソグラフィー、その他の
ような、任意の適切なリソグラフ方法によって行なわれ
る。放射感応層１０６を適切なリソグラフ方法によって
露出することにより、０．２５ミクロンの特徴形状部分
（単数または複数）の配置の精度または正確さが達成可
能である。さらに、放射感応層１０６を適切なリソグラ
フ方法によって露出することにより、０．４ミクロンの
特徴部分（単数または複数）の分解能が達成可能であ
る。
加されると、放射感応層１０６は放射源（図示せず）に
露出されこれによって放射感応層１０６のある部分が露
出し、一方他の部分は露出されない。放射感応層１０６
の露出部分と非露出部分の発生は、コンタクトリソグラ
フィー、プロジェクションリソグラフィー、Ｅビームリ
ソグラフィー、イオンビームリソグラフィー、その他の
ような、任意の適切なリソグラフ方法によって行なわれ
る。放射感応層１０６を適切なリソグラフ方法によって
露出することにより、０．２５ミクロンの特徴形状部分
（単数または複数）の配置の精度または正確さが達成可
能である。さらに、放射感応層１０６を適切なリソグラ
フ方法によって露出することにより、０．４ミクロンの
特徴部分（単数または複数）の分解能が達成可能であ
る。
【００１４】基板１０２の面１０１上の放射感応膜１０
６の露出が完了した後、放射感応膜１０６は現像され
（ｄｅｖｅｌｏｐｅｄ）、したがって面１０１の露出部
分１０７と面１０１の部分１０９を覆う放射感応層１０
６の島状部分（アイランド：ｉｓｌａｎｄｓ）１０８が
生成される。本発明のこの特定の実施例においては、島
状部分１０８は基板１０２をエッチングするために使用
されるパターニングされたマスキング層を形成すること
を理解すべきである。放射感応層１０６の島状部分また
はアイランド１０８は後に説明する引続くエッチング手
順の間に部分１０９を保護しまたは覆うために使用され
る。さらに、上記説明ではポジティブなフォトレジスト
機構が使用されているが、当業者はネガティブなフォト
レジスト機構も使用できることが理解されるべきであ
る。
６の露出が完了した後、放射感応膜１０６は現像され
（ｄｅｖｅｌｏｐｅｄ）、したがって面１０１の露出部
分１０７と面１０１の部分１０９を覆う放射感応層１０
６の島状部分（アイランド：ｉｓｌａｎｄｓ）１０８が
生成される。本発明のこの特定の実施例においては、島
状部分１０８は基板１０２をエッチングするために使用
されるパターニングされたマスキング層を形成すること
を理解すべきである。放射感応層１０６の島状部分また
はアイランド１０８は後に説明する引続くエッチング手
順の間に部分１０９を保護しまたは覆うために使用され
る。さらに、上記説明ではポジティブなフォトレジスト
機構が使用されているが、当業者はネガティブなフォト
レジスト機構も使用できることが理解されるべきであ
る。
【００１５】一例として、モールド基板１０２が高炭素
鋼で造られかつ基板１０２の面１０１が放射感応膜１０
６の付加のために準備され、放射感応膜１０６が基板１
０２の面１０１に付加される。本発明の好ましい実施例
においては、放射感応膜１０６はＨｏｅｃｈｓｔ Ｃｅ
ｌａｎｅｓｅ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎによって製造さ
れたＡＺ１３５０、その他のようなフォトレジスト材料
である。フォトレジスト膜の厚さ１０５は１０，０００
オングストロームから１８，０００オングストロームの
範囲におよび、フォトレジスト膜の正確な厚さ１０５は
用途に応じて特定される。この特定の例では、規定され
るべき最小の特徴形状部分はほぼ１．０ミクロンであ
り、したがってフォトレジスト膜の厚さ１０５は７，０
００オングストロームから１３，０００オングストロー
ムの範囲に及ぶ。しかしながら、より大きな最小特徴形
状部分の寸法およびより小さな最小特徴形状部分の寸法
によって、それぞれ、より厚いおよびより薄いフォトレ
ジスト膜１０６の厚さが使用されることを理解すべきで
ある。さらに、材料の両立性の事項も考慮される。
鋼で造られかつ基板１０２の面１０１が放射感応膜１０
６の付加のために準備され、放射感応膜１０６が基板１
０２の面１０１に付加される。本発明の好ましい実施例
においては、放射感応膜１０６はＨｏｅｃｈｓｔ Ｃｅ
ｌａｎｅｓｅ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎによって製造さ
れたＡＺ１３５０、その他のようなフォトレジスト材料
である。フォトレジスト膜の厚さ１０５は１０，０００
オングストロームから１８，０００オングストロームの
範囲におよび、フォトレジスト膜の正確な厚さ１０５は
用途に応じて特定される。この特定の例では、規定され
るべき最小の特徴形状部分はほぼ１．０ミクロンであ
り、したがってフォトレジスト膜の厚さ１０５は７，０
００オングストロームから１３，０００オングストロー
ムの範囲に及ぶ。しかしながら、より大きな最小特徴形
状部分の寸法およびより小さな最小特徴形状部分の寸法
によって、それぞれ、より厚いおよびより薄いフォトレ
ジスト膜１０６の厚さが使用されることを理解すべきで
ある。さらに、材料の両立性の事項も考慮される。
【００１６】フォトレジスト膜の露出は典型的には１対
１走査システム、縮小工程および反復システム、接触プ
リントシステム、その他のような、フォトリソグラフシ
ステムを使用して行なわれる。本発明の好ましい実施例
においては、フォトレジスト膜を面１０１上に露出する
ために１対１走査システムまたは縮小工程および反復シ
ステムが使用される。フォトレジスト膜を前記フォトリ
ソグラフシステムの１つによって露出することにより、
０．４ミクロンの最小特徴形状部分の寸法をもって画像
がフォトレジスト内に形成される。さらに、前記画像は
また、曲線、三角形、その他のような、数多くの異なる
形状を持つことができる。
１走査システム、縮小工程および反復システム、接触プ
リントシステム、その他のような、フォトリソグラフシ
ステムを使用して行なわれる。本発明の好ましい実施例
においては、フォトレジスト膜を面１０１上に露出する
ために１対１走査システムまたは縮小工程および反復シ
ステムが使用される。フォトレジスト膜を前記フォトリ
ソグラフシステムの１つによって露出することにより、
０．４ミクロンの最小特徴形状部分の寸法をもって画像
がフォトレジスト内に形成される。さらに、前記画像は
また、曲線、三角形、その他のような、数多くの異なる
形状を持つことができる。
【００１７】いったんフォトレジスト膜が露出される
と、該フォトレジスト膜は技術的に良く知られた任意の
適切な方法によって現像される。基本的には、塩基性の
溶液（ｂａｓｉｃ ｓｏｌｕｔｉｏｎ）がフォトレジス
ト膜に付加される。該塩基性溶液はフォトレジスト膜の
露出部分と反応しかつフォトレジスト膜の露出部分を洗
浄除去し、したがって部分１０７を開きあるいは露出す
る。
と、該フォトレジスト膜は技術的に良く知られた任意の
適切な方法によって現像される。基本的には、塩基性の
溶液（ｂａｓｉｃ ｓｏｌｕｔｉｏｎ）がフォトレジス
ト膜に付加される。該塩基性溶液はフォトレジスト膜の
露出部分と反応しかつフォトレジスト膜の露出部分を洗
浄除去し、したがって部分１０７を開きあるいは露出す
る。
【００１８】次に図１および図２の双方を参照すると、
基板１０２の面１０１の化学的エッチングが一般にウェ
ットエッチング方法またはドライエッチング方法のいず
れかを選択することにより行なわれる。一般に、ウェッ
トエッチング方法は露出部分１０７および非露出部分１
０９を有する面１０１に対し湿式の（ウェット：ｗｅ
ｔ）化学物質または湿式のエッチング液を付加すること
によって行なわれ、それによって露出部分１０７が化学
的にあるいは等方性を以て（ｉｓｏｔｒｏｐｉｃａｌｌ
ｙ）エッチングできるようになる。等方性エッチングの
間は、基板１０２の露出部分１０７は曲線状のセグメン
ト２０２を有する面２０１を発生するよう除去される。
さらに、等方性エッチングの結果としてアンダカット部
分２０３も発生する。より詳細には、アンダカット部分
２０３は特定の方向性成分を持たず、したがって、エッ
チング可能な全ての面を同じレートでエッチングする結
果として発生し、それによってアイランド１０８の下に
アンダカット部分２０３が発生する。
基板１０２の面１０１の化学的エッチングが一般にウェ
ットエッチング方法またはドライエッチング方法のいず
れかを選択することにより行なわれる。一般に、ウェッ
トエッチング方法は露出部分１０７および非露出部分１
０９を有する面１０１に対し湿式の（ウェット：ｗｅ
ｔ）化学物質または湿式のエッチング液を付加すること
によって行なわれ、それによって露出部分１０７が化学
的にあるいは等方性を以て（ｉｓｏｔｒｏｐｉｃａｌｌ
ｙ）エッチングできるようになる。等方性エッチングの
間は、基板１０２の露出部分１０７は曲線状のセグメン
ト２０２を有する面２０１を発生するよう除去される。
さらに、等方性エッチングの結果としてアンダカット部
分２０３も発生する。より詳細には、アンダカット部分
２０３は特定の方向性成分を持たず、したがって、エッ
チング可能な全ての面を同じレートでエッチングする結
果として発生し、それによってアイランド１０８の下に
アンダカット部分２０３が発生する。
【００１９】湿式エッチング方法に関しては、露出およ
び非露出部分１０７および１０９を有する面１０１をエ
ッチングするために使用される湿式エッチング溶液また
は湿式エッチング材の選択は含まれる材料に依存する。
例示に過ぎないが、もし基板１０２がガラスで作製され
ており、あるいはもし基板１０２が鋼鉄で作製されてい
れば、フッ化水素酸（ＨＦ）の溶液またはエッチング剤
がガラス基板１０２をエッチングするために使用され、
一方金属基板１０２をエッチングするために広範囲の割
合の硝酸（ＨＮＯ３）、ＨＦ、および硫酸（Ｈ２Ｓ
Ｏ４）が使用される。しかしながら、Ｈ２ＳＯ４の使用
はフォトレジストのような有機材料を除去することが可
能であり、したがって、湿式エッチング溶液においてＨ
２ＳＯ４を使用することは材料の両立性の事項を考慮に
入れて使用される必要があることを理解すべきである。
典型的には、露出および非露出部分１０７および１０９
を有する面１０１への湿式化学溶液の付加は、基板１０
１上への湿式エッチング剤を直接噴霧すること、モール
ド１００を湿式エッチング剤を含む溶液中に浸すこと、
その他のような、任意の適切な方法によって行なわれ、
それによって面１０１の露出部分１０７を等方性エッチ
ングする。
び非露出部分１０７および１０９を有する面１０１をエ
ッチングするために使用される湿式エッチング溶液また
は湿式エッチング材の選択は含まれる材料に依存する。
例示に過ぎないが、もし基板１０２がガラスで作製され
ており、あるいはもし基板１０２が鋼鉄で作製されてい
れば、フッ化水素酸（ＨＦ）の溶液またはエッチング剤
がガラス基板１０２をエッチングするために使用され、
一方金属基板１０２をエッチングするために広範囲の割
合の硝酸（ＨＮＯ３）、ＨＦ、および硫酸（Ｈ２Ｓ
Ｏ４）が使用される。しかしながら、Ｈ２ＳＯ４の使用
はフォトレジストのような有機材料を除去することが可
能であり、したがって、湿式エッチング溶液においてＨ
２ＳＯ４を使用することは材料の両立性の事項を考慮に
入れて使用される必要があることを理解すべきである。
典型的には、露出および非露出部分１０７および１０９
を有する面１０１への湿式化学溶液の付加は、基板１０
１上への湿式エッチング剤を直接噴霧すること、モール
ド１００を湿式エッチング剤を含む溶液中に浸すこと、
その他のような、任意の適切な方法によって行なわれ、
それによって面１０１の露出部分１０７を等方性エッチ
ングする。
【００２０】本発明の好ましい実施例においては、基板
１０２が高炭素鋼でありかつ図１に示されるように準備
され、基板１０２の露出および非露出部分１０７および
１０９を有する面１０１は湿式化学方法を使用してエッ
チングされる。一般に、ほぼ等しい量のＨＮＯ３および
ＨＦが混合されてエッチング液を提供する。このエッチ
ング液は次に、噴霧システム、カスケードシステム（ｃ
ａｓｃａｄｉｎｇ ｓｙｓｔｅｍ）、または浸漬タンク
（ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ ｔａｎｋ）のような、任意の適
切な方法によって基板１０２の面１０１に付加される。
一般に、基板１０２の面１０１のエッチングは所定の深
さ２０６に到達するまで続けられる。しかしながら、エ
ッチング剤に対するより長い露出時間は所定の深さ２０
６を増大する一方で、エッチング剤に対するより長い露
出時間はまたアンダカット部分２０３を増大させる。さ
らに、もし基板１０２の面１０１があまりにも長い期間
にわたりエッチングされあるいはオーバエッチングされ
れば、放射感応膜１０６のアイランドは下が全体的にエ
ッチングされあるいはアンダカットされ、それによって
面１０１からアイランド１０８が除去される。
１０２が高炭素鋼でありかつ図１に示されるように準備
され、基板１０２の露出および非露出部分１０７および
１０９を有する面１０１は湿式化学方法を使用してエッ
チングされる。一般に、ほぼ等しい量のＨＮＯ３および
ＨＦが混合されてエッチング液を提供する。このエッチ
ング液は次に、噴霧システム、カスケードシステム（ｃ
ａｓｃａｄｉｎｇ ｓｙｓｔｅｍ）、または浸漬タンク
（ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ ｔａｎｋ）のような、任意の適
切な方法によって基板１０２の面１０１に付加される。
一般に、基板１０２の面１０１のエッチングは所定の深
さ２０６に到達するまで続けられる。しかしながら、エ
ッチング剤に対するより長い露出時間は所定の深さ２０
６を増大する一方で、エッチング剤に対するより長い露
出時間はまたアンダカット部分２０３を増大させる。さ
らに、もし基板１０２の面１０１があまりにも長い期間
にわたりエッチングされあるいはオーバエッチングされ
れば、放射感応膜１０６のアイランドは下が全体的にエ
ッチングされあるいはアンダカットされ、それによって
面１０１からアイランド１０８が除去される。
【００２１】あるいは、基板１０２の露出および非露出
部分１０７および１０９を有する面１０１の等方性エッ
チングはまたドライエッチング方法によって行うことが
できる。基本的にはドライエッチング方法は基板１０２
の露出および非露出部分１０７および１０９を有する面
１０１の方向に向けられるエッチング種（ｅｔｃｈｓｐ
ｅｃｉｅｓ）を発生するために反応器（図示せず）にお
いて気体プラズマ（図示せず）を発生することにより行
なわれる。気体プラズマの発生は知られており、したが
ってここではあまり詳細には説明しない。しかしなが
ら、露出部分１０７をエッチングするために気体プラズ
マを使用することにより等方性である化学的エッチング
と異方性である物理的エッチングの間で気体プラズマを
動的にシフトできるようになることが理解されるべきで
ある。
部分１０７および１０９を有する面１０１の等方性エッ
チングはまたドライエッチング方法によって行うことが
できる。基本的にはドライエッチング方法は基板１０２
の露出および非露出部分１０７および１０９を有する面
１０１の方向に向けられるエッチング種（ｅｔｃｈｓｐ
ｅｃｉｅｓ）を発生するために反応器（図示せず）にお
いて気体プラズマ（図示せず）を発生することにより行
なわれる。気体プラズマの発生は知られており、したが
ってここではあまり詳細には説明しない。しかしなが
ら、露出部分１０７をエッチングするために気体プラズ
マを使用することにより等方性である化学的エッチング
と異方性である物理的エッチングの間で気体プラズマを
動的にシフトできるようになることが理解されるべきで
ある。
【００２２】一般に、気体プラズマにおける化学的また
は等方性エッチングは、高い圧力、低い電力、および低
いバイアスのような、プロセスのパラメータを選択する
ことにより達成され、したがって面１０１の露出部分１
０７とエッチング種との間でより化学的な相互作用が行
なわれるようになる。逆に、気体プラズマにおける異方
性エッチングは、低い圧力、高い電力、および高いバイ
アスのような、プロセスパラメータを選択することによ
り達成され、したがって面１０１の露出部分１０７とエ
ッチング種との間でより物理的な相互作用を行なうこと
ができるようになる。さらに、反応器の物理的形状また
は構造、並びにプラズマを発生するために使用されるプ
ロセスガスによってプロセスパラメータの絶対値を大幅
に変えることが可能なことを理解すべきである。
は等方性エッチングは、高い圧力、低い電力、および低
いバイアスのような、プロセスのパラメータを選択する
ことにより達成され、したがって面１０１の露出部分１
０７とエッチング種との間でより化学的な相互作用が行
なわれるようになる。逆に、気体プラズマにおける異方
性エッチングは、低い圧力、高い電力、および高いバイ
アスのような、プロセスパラメータを選択することによ
り達成され、したがって面１０１の露出部分１０７とエ
ッチング種との間でより物理的な相互作用を行なうこと
ができるようになる。さらに、反応器の物理的形状また
は構造、並びにプラズマを発生するために使用されるプ
ロセスガスによってプロセスパラメータの絶対値を大幅
に変えることが可能なことを理解すべきである。
【００２３】一般に、面１０１の露出部分１０７を化学
的にエッチングしあるいは等方性エッチングするために
ドライ化学エッチング方法を使用することは化学的エッ
チングまたは等方性エッチングのために選択されたプロ
セスパラメータによって気体プラズマによって発生され
たエッチング種を面１０１に付加することにより達成さ
れ、それによって露出部分１０７が化学的あるいは等方
性エッチングできるようになる。典型的には、図１に示
されるように、基板１０２のフォトリソグラフ的に準備
された面１０１が気体プラズマと緊密に関連するよう配
置されあるいは該気体プラズマに浸され、したがって露
出部分１０７が等方性エッチングできるようになる。気
体プラズマを発生しそれによってエッチング種を発生す
るために使用されるプロセスガスは、塩素、フッ素、臭
素、およびヨー素を含む気体のような、ハロゲン含有ガ
スである。より特定的には、一般に使用されるガスは塩
化水素（ＨＣｌ）、塩素（Ｃｌ２）、臭化水素（ＨＢ
ｒ）、三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）、六フッ化硫黄（ＳＦ
６）、その他である。さらに、他の硫黄フッ化物（ｓｕ
ｌｆｕｒ ｆｌｕｏｒｉｄｅｓ）、炭フッ化物（ｃａｒ
ｂｏｆｌｕｏｒｉｄｅｓ）、ホウ塩化物（ｂｏｒｏｃｈ
ｌｏｒｉｄｅｓ）、ヨー化物（ｉｏｄｉｄｅｓ）、およ
び臭化物（ｂｒｏｍｉｄｅｓ）も同様に使用できること
は明らかである。
的にエッチングしあるいは等方性エッチングするために
ドライ化学エッチング方法を使用することは化学的エッ
チングまたは等方性エッチングのために選択されたプロ
セスパラメータによって気体プラズマによって発生され
たエッチング種を面１０１に付加することにより達成さ
れ、それによって露出部分１０７が化学的あるいは等方
性エッチングできるようになる。典型的には、図１に示
されるように、基板１０２のフォトリソグラフ的に準備
された面１０１が気体プラズマと緊密に関連するよう配
置されあるいは該気体プラズマに浸され、したがって露
出部分１０７が等方性エッチングできるようになる。気
体プラズマを発生しそれによってエッチング種を発生す
るために使用されるプロセスガスは、塩素、フッ素、臭
素、およびヨー素を含む気体のような、ハロゲン含有ガ
スである。より特定的には、一般に使用されるガスは塩
化水素（ＨＣｌ）、塩素（Ｃｌ２）、臭化水素（ＨＢ
ｒ）、三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）、六フッ化硫黄（ＳＦ
６）、その他である。さらに、他の硫黄フッ化物（ｓｕ
ｌｆｕｒ ｆｌｕｏｒｉｄｅｓ）、炭フッ化物（ｃａｒ
ｂｏｆｌｕｏｒｉｄｅｓ）、ホウ塩化物（ｂｏｒｏｃｈ
ｌｏｒｉｄｅｓ）、ヨー化物（ｉｏｄｉｄｅｓ）、およ
び臭化物（ｂｒｏｍｉｄｅｓ）も同様に使用できること
は明らかである。
【００２４】基板１０２が高炭素鋼でありかつ図１に示
されるように準備された、本発明の好ましい実施例で
は、基板１０２の露出および非露出部分１０７および１
０９を有する面１０１はドライ化学的方法を使用してエ
ッチングされる。一般に、面１０１の露出部分１０７は
フッ素成分を有する等方性エッチングのために構築され
た気体プラズマに露出される。広範囲のフッ素含有気体
が気体プラズマを発生するために利用可能であり、並び
に気体プラズマがその中で発生可能なバレル反応器、ダ
ウンストリームマイクロ波反応器、平行板反応器のよう
な、広範囲のプラズマ反応器が利用可能なことが理解さ
れるべきである。さらに、気体プラズマの反応性を増大
するために、酸素（Ｏ２）、ヘリウム（Ｈｅ）、その他
のような、付加的な気体がしばしば加えられることが理
解されるべきである。
されるように準備された、本発明の好ましい実施例で
は、基板１０２の露出および非露出部分１０７および１
０９を有する面１０１はドライ化学的方法を使用してエ
ッチングされる。一般に、面１０１の露出部分１０７は
フッ素成分を有する等方性エッチングのために構築され
た気体プラズマに露出される。広範囲のフッ素含有気体
が気体プラズマを発生するために利用可能であり、並び
に気体プラズマがその中で発生可能なバレル反応器、ダ
ウンストリームマイクロ波反応器、平行板反応器のよう
な、広範囲のプラズマ反応器が利用可能なことが理解さ
れるべきである。さらに、気体プラズマの反応性を増大
するために、酸素（Ｏ２）、ヘリウム（Ｈｅ）、その他
のような、付加的な気体がしばしば加えられることが理
解されるべきである。
【００２５】典型的には、等方性エッチング特性を有す
る気体プラズマを発生するために使用されるプロセスパ
ラメータは５００ミリトールから２．０トールに至る圧
力、５０ワットから７００ワットに至る電力レベル範
囲、およびニュートラルから５００ボルトに至るバイア
スレベルを有する。しかしながら、特定のプロセスパラ
メータは特定の用途に応じて、並びに特定の反応器構造
にしたがって大幅に変わることが理解されるべきでき
る。
る気体プラズマを発生するために使用されるプロセスパ
ラメータは５００ミリトールから２．０トールに至る圧
力、５０ワットから７００ワットに至る電力レベル範
囲、およびニュートラルから５００ボルトに至るバイア
スレベルを有する。しかしながら、特定のプロセスパラ
メータは特定の用途に応じて、並びに特定の反応器構造
にしたがって大幅に変わることが理解されるべきでき
る。
【００２６】次に、図１および図３の双方を参照する
と、図３は異方性方法で準備されかつエッチングされた
後のモールド１００を示す断面図である。面１０１の露
出部分を異方性方法でエッチングすることにより面３０
１および側壁３０２が直接基板１０２に転写され、した
がってアイランド１０８および面３０１の間に寸法上の
完全性が維持される。モールド１００をエッチングする
ために異方性方法を使用することによって、アイランド
１０８からモールド１００の面１０１への直接的な転写
のような、幾つかの利点を提供することができ、それに
よってアイランド１０８によって規定される重要な寸法
のより優れた制御を達成できる。
と、図３は異方性方法で準備されかつエッチングされた
後のモールド１００を示す断面図である。面１０１の露
出部分を異方性方法でエッチングすることにより面３０
１および側壁３０２が直接基板１０２に転写され、した
がってアイランド１０８および面３０１の間に寸法上の
完全性が維持される。モールド１００をエッチングする
ために異方性方法を使用することによって、アイランド
１０８からモールド１００の面１０１への直接的な転写
のような、幾つかの利点を提供することができ、それに
よってアイランド１０８によって規定される重要な寸法
のより優れた制御を達成できる。
【００２７】一般に、面１０１の露出部分１０７の異方
性エッチングのためのドライエッチング方法は異方性エ
ッチングのために選択されたプロセスパラメータを有す
る気体プラズマによって発生されるエッチング種を付加
しかつ該エッチング種を面１０１に向けることによって
達成され、したがって露出部分１０７が物理的かつ化学
的にエッチングできるようになる。典型的には、図１に
示される、基板１０２のフォトリソグラフ的に準備され
た面１０１が気体プラズマを発生するために使用される
大きなＤＣバイアスを有する電極上に置かれ、したがっ
てエッチング種が面１０１の露出部分１０７に電気的に
引き付けられそれによって異方性エッチングされるよう
になる。気体プラズマを発生し、続いてエッチング種を
発生する、ために使用されるプロセスガスは塩素、フッ
素、臭素、およびヨー素を含むガスのような、ハロゲン
含有ガスである。より詳細には、典型的に使用されるガ
スは塩化水素（ＨＣｌ）、塩素（Ｃｌ２）、臭化水素
（ＨＢｒ）、三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）、六フッ化硫黄
（ＳＦ６）、その他を含む。さらに、他の硫黄フッ化
物、炭フッ化物、ホウ塩化物、ヨー化物、および臭化物
が同様に使用できる。
性エッチングのためのドライエッチング方法は異方性エ
ッチングのために選択されたプロセスパラメータを有す
る気体プラズマによって発生されるエッチング種を付加
しかつ該エッチング種を面１０１に向けることによって
達成され、したがって露出部分１０７が物理的かつ化学
的にエッチングできるようになる。典型的には、図１に
示される、基板１０２のフォトリソグラフ的に準備され
た面１０１が気体プラズマを発生するために使用される
大きなＤＣバイアスを有する電極上に置かれ、したがっ
てエッチング種が面１０１の露出部分１０７に電気的に
引き付けられそれによって異方性エッチングされるよう
になる。気体プラズマを発生し、続いてエッチング種を
発生する、ために使用されるプロセスガスは塩素、フッ
素、臭素、およびヨー素を含むガスのような、ハロゲン
含有ガスである。より詳細には、典型的に使用されるガ
スは塩化水素（ＨＣｌ）、塩素（Ｃｌ２）、臭化水素
（ＨＢｒ）、三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）、六フッ化硫黄
（ＳＦ６）、その他を含む。さらに、他の硫黄フッ化
物、炭フッ化物、ホウ塩化物、ヨー化物、および臭化物
が同様に使用できる。
【００２８】本発明の好ましい実施例では、基板１０２
は高炭素鋼でありかつ図１に示されたように準備され、
基板１０２の露出および非露出部分１０７および１０９
を有する面１０１はドライ異方性エッチング方法を使用
してエッチングされる。一般に、モールド１００は異方
性エッチングを行うことが可能なプラズマ反応器（図示
せず）内に置かれる。典型的には、これらの反応器はモ
ールド１００に接続されたＤＣバイアス電圧を使用し、
したがってモールド１００を反応器の電気的構成部分と
する。モールド１００にＤＣバイアス電圧を与えること
により、気体プラズマからのイオンは垂直様式でモール
ド１００の面１０１の露出部分１０７の方向に物理的に
向けられ、したがって露出部分１０７を垂直方法に方向
性を以てエッチングし面３０１および側壁３０２を提供
し、一方面１０９は層１０６のアイランド１０８によっ
て保護される。
は高炭素鋼でありかつ図１に示されたように準備され、
基板１０２の露出および非露出部分１０７および１０９
を有する面１０１はドライ異方性エッチング方法を使用
してエッチングされる。一般に、モールド１００は異方
性エッチングを行うことが可能なプラズマ反応器（図示
せず）内に置かれる。典型的には、これらの反応器はモ
ールド１００に接続されたＤＣバイアス電圧を使用し、
したがってモールド１００を反応器の電気的構成部分と
する。モールド１００にＤＣバイアス電圧を与えること
により、気体プラズマからのイオンは垂直様式でモール
ド１００の面１０１の露出部分１０７の方向に物理的に
向けられ、したがって露出部分１０７を垂直方法に方向
性を以てエッチングし面３０１および側壁３０２を提供
し、一方面１０９は層１０６のアイランド１０８によっ
て保護される。
【００２９】気体プラズマを発生するために使用される
気体は前に述べた気体と同様のものであるが、プロセス
パラメータはエッチングの物理的特性を増強するために
選択され、それによってモールド１００を異方性エッチ
ングする。より詳細には、ドライ異方性エッチング方法
は圧力、電力、およびＤＣバイアスが、それぞれ、５．
０ミリトールから５００ミリトール、５００ワットから
１，５００ワット、および２００ボルトから８００ボル
トに及ぶプロセスパラメータを使用する。しかしなが
ら、プロセスパラメータの特定のおよび絶対的な値は特
定の気体（単数または複数）および反応器の構成に応じ
て大幅に変動することを理解すべきである。
気体は前に述べた気体と同様のものであるが、プロセス
パラメータはエッチングの物理的特性を増強するために
選択され、それによってモールド１００を異方性エッチ
ングする。より詳細には、ドライ異方性エッチング方法
は圧力、電力、およびＤＣバイアスが、それぞれ、５．
０ミリトールから５００ミリトール、５００ワットから
１，５００ワット、および２００ボルトから８００ボル
トに及ぶプロセスパラメータを使用する。しかしなが
ら、プロセスパラメータの特定のおよび絶対的な値は特
定の気体（単数または複数）および反応器の構成に応じ
て大幅に変動することを理解すべきである。
【００３０】異方性エッチングを使用することにより、
エッチングされるべきアイランド１０８に構成された幾
何学的パターンをモールド１００の面１０１に直接転写
することが可能になり、したがって特定の寸法を有する
アイランド１０８によって発生される特徴形状部分が寸
法的に制御されて面１０１に転写できるようになる。さ
らに、フォトレジストのような放射感応層１０６は塩素
または臭素プラズマと共に使用されたとき何らかの非両
立性の問題を有し、すなわち、フォトレジストは露出部
分１０７と共にエッチングされ、したがって深さ３０６
に影響を与えることを理解すべきである。その結果、深
さ３０６はフォトレジストのエッチング速度および面１
０１の露出部分１０７のエッチング速度によって制限さ
れる。しかしながら、深さ３０６はフォトリソグラフお
よびエッチング工程を重ねかつ反復することにより増大
できることが理解されるべきである。
エッチングされるべきアイランド１０８に構成された幾
何学的パターンをモールド１００の面１０１に直接転写
することが可能になり、したがって特定の寸法を有する
アイランド１０８によって発生される特徴形状部分が寸
法的に制御されて面１０１に転写できるようになる。さ
らに、フォトレジストのような放射感応層１０６は塩素
または臭素プラズマと共に使用されたとき何らかの非両
立性の問題を有し、すなわち、フォトレジストは露出部
分１０７と共にエッチングされ、したがって深さ３０６
に影響を与えることを理解すべきである。その結果、深
さ３０６はフォトレジストのエッチング速度および面１
０１の露出部分１０７のエッチング速度によって制限さ
れる。しかしながら、深さ３０６はフォトリソグラフお
よびエッチング工程を重ねかつ反復することにより増大
できることが理解されるべきである。
【００３１】図４〜図６はモールド１００の面１０１の
パターニングのための別の方法を示す。同様のまたは同
じ機能を有する同様のまたは同じ特徴部分は図１〜図３
において見られる元の参照番号を保持している。
パターニングのための別の方法を示す。同様のまたは同
じ機能を有する同様のまたは同じ特徴部分は図１〜図３
において見られる元の参照番号を保持している。
【００３２】図４は、図１において概略的に説明されか
つ準備されたモールド１００の面１０１の断面図を示
す。しかしながら、放射感応層１０６を加える前に、モ
ールド１００の面１０１にハードマスク層４０１が付加
される。さらに、図４はハードマスク層４０１のパター
ニングおよび一部のエッチングまたは除去の後のモール
ド１００の断面図を示している。
つ準備されたモールド１００の面１０１の断面図を示
す。しかしながら、放射感応層１０６を加える前に、モ
ールド１００の面１０１にハードマスク層４０１が付加
される。さらに、図４はハードマスク層４０１のパター
ニングおよび一部のエッチングまたは除去の後のモール
ド１００の断面図を示している。
【００３３】典型的には、ハードマスク層４０１は二酸
化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（Ｓｉ
３Ｎ４）、酸窒化シリコン（Ｓｉ３ＯｘＮ４）、この場
合Ｏｘは材料中の酸素の量、その他のような任意の適切
な材料から作られる。ハードマスク層４０１の付加は典
型的には基板１０２の面１０１全体を覆う連続的な膜ま
たは層としてプラズマ増強化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）反応
器内で行なわれる。引き続き、放射感応層１０６がハー
ドマスク層４０１に付加される。放射感応層１０６がハ
ードマスク層４０１上に付加された後、放射感応層１０
６は図１〜図３において前に説明したように露出されか
つ現像される。しかしながら、放射感応層１０６を現像
することにより、ハードマスク層４０１の一部（図示せ
ず）が露出される。その後、ハードマスク層４０１の該
部分はエッチングにより除去され、それによって面１０
１の部分１０７を露出し、ならびにアイランド４０１を
発生する。ハードマスク層４０１のエッチングは典型的
には、ＨＦ水溶液のような、ウェットエッチング方法、
あるいは、フッ素を含む気体プラズマのような、ドライ
エッチング方法によって行なわれる。しかしながら、本
発明の好ましい実施例では、ハードマスク層４０１の前
記部分の重要な寸法を維持するように異方性のドライエ
ッチング方法が使用され、それによって部分１０７をア
イランド１０８によって規定されるのと同じ寸法で露出
する。
化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（Ｓｉ
３Ｎ４）、酸窒化シリコン（Ｓｉ３ＯｘＮ４）、この場
合Ｏｘは材料中の酸素の量、その他のような任意の適切
な材料から作られる。ハードマスク層４０１の付加は典
型的には基板１０２の面１０１全体を覆う連続的な膜ま
たは層としてプラズマ増強化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）反応
器内で行なわれる。引き続き、放射感応層１０６がハー
ドマスク層４０１に付加される。放射感応層１０６がハ
ードマスク層４０１上に付加された後、放射感応層１０
６は図１〜図３において前に説明したように露出されか
つ現像される。しかしながら、放射感応層１０６を現像
することにより、ハードマスク層４０１の一部（図示せ
ず）が露出される。その後、ハードマスク層４０１の該
部分はエッチングにより除去され、それによって面１０
１の部分１０７を露出し、ならびにアイランド４０１を
発生する。ハードマスク層４０１のエッチングは典型的
には、ＨＦ水溶液のような、ウェットエッチング方法、
あるいは、フッ素を含む気体プラズマのような、ドライ
エッチング方法によって行なわれる。しかしながら、本
発明の好ましい実施例では、ハードマスク層４０１の前
記部分の重要な寸法を維持するように異方性のドライエ
ッチング方法が使用され、それによって部分１０７をア
イランド１０８によって規定されるのと同じ寸法で露出
する。
【００３４】一般に、ハードマスク層４０１のエッチン
グは異方性エッチングのために設計されたプラズマ反応
器において行なわれる。典型的には、ハードマスク層４
０１の一部の除去を行なうためのエッチング作用はフッ
素含有プラズマによって達成される。前に述べたよう
に、異方性エッチングは圧力、ＤＣバイアス電圧、電
力、および反応器の物理的構成の関数である。
グは異方性エッチングのために設計されたプラズマ反応
器において行なわれる。典型的には、ハードマスク層４
０１の一部の除去を行なうためのエッチング作用はフッ
素含有プラズマによって達成される。前に述べたよう
に、異方性エッチングは圧力、ＤＣバイアス電圧、電
力、および反応器の物理的構成の関数である。
【００３５】いったんハードマスク層４０１の一部が除
去されると、露出部分１０７はエッチング可能であり、
したがってアイランド１０８の幾何学的パターンを図１
〜図３において前に説明したようにモールド１００の面
１０１に転写する。アイランド１０８およびアイランド
４０２は共に基板１０２をエッチングするために使用さ
れるパターニングされたマスキング層を形成する。さら
に、ハードマスク層４０１を作成するために使用される
材料はエッチング剤との材料の非両立性を避けるように
注意深く選択される必要があることを理解すべきであ
る。
去されると、露出部分１０７はエッチング可能であり、
したがってアイランド１０８の幾何学的パターンを図１
〜図３において前に説明したようにモールド１００の面
１０１に転写する。アイランド１０８およびアイランド
４０２は共に基板１０２をエッチングするために使用さ
れるパターニングされたマスキング層を形成する。さら
に、ハードマスク層４０１を作成するために使用される
材料はエッチング剤との材料の非両立性を避けるように
注意深く選択される必要があることを理解すべきであ
る。
【００３６】次に図４および図５の双方を参照すると、
図５は、面１０１の露出部分１０７の等方性エッチング
後のモールド１００の断面図を示しており、直線上のセ
グメント５０３を備えた面５０２が生じている。典型的
には、等方性エッチング工程は湿式化学エッチング工程
または乾式化学エッチング工程のいずれかを使用して図
２において前に述べたように行なわれる。
図５は、面１０１の露出部分１０７の等方性エッチング
後のモールド１００の断面図を示しており、直線上のセ
グメント５０３を備えた面５０２が生じている。典型的
には、等方性エッチング工程は湿式化学エッチング工程
または乾式化学エッチング工程のいずれかを使用して図
２において前に述べたように行なわれる。
【００３７】図４に示されるように準備されたモールド
１００の露出部分１０７の湿式化学エッチングに関して
は、ハードマスク層４０１のために使用される材料の選
択は注意深く行なう必要があり、すなわち、アイランド
４０２のために使用される材料は湿式化学エッチング剤
に対しエッチング耐性を持つ必要がある。例えば、成分
としてＨＦを有する湿式化学エッチングについては、層
４０１からアイランド４０２を作るために窒化シリコン
または酸窒化シリコンが好ましく、それは窒化シリコン
および酸窒化シリコンは共にＨＦ酸に対してエッチング
耐性を持つからである。
１００の露出部分１０７の湿式化学エッチングに関して
は、ハードマスク層４０１のために使用される材料の選
択は注意深く行なう必要があり、すなわち、アイランド
４０２のために使用される材料は湿式化学エッチング剤
に対しエッチング耐性を持つ必要がある。例えば、成分
としてＨＦを有する湿式化学エッチングについては、層
４０１からアイランド４０２を作るために窒化シリコン
または酸窒化シリコンが好ましく、それは窒化シリコン
および酸窒化シリコンは共にＨＦ酸に対してエッチング
耐性を持つからである。
【００３８】図４に示されるように準備されたモールド
１００の露出部分１０７のドライ化学エッチングに関し
ては、ハードマスク層４０１のために使用される材料の
選択は注意深く行なう必要があり、すなわち、アイラン
ド４０２のために使用される材料はドライ化学エッチン
グにおいてエッチング剤に対し耐性を有することが必要
である。例えば、Ｃｌを成分として持つドライ化学エッ
チングに対しては、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）がアイ
ランド４０２を作成するのに好ましく、それはＳｉＯ２
は塩素プラズマから生成されるＣｌエッチング剤に対し
耐性を持ち、したがってハードマスク層４０１のアイラ
ンド４０２に大きな影響を与えることなく露出部分１０
７の除去を可能にするからである。
１００の露出部分１０７のドライ化学エッチングに関し
ては、ハードマスク層４０１のために使用される材料の
選択は注意深く行なう必要があり、すなわち、アイラン
ド４０２のために使用される材料はドライ化学エッチン
グにおいてエッチング剤に対し耐性を有することが必要
である。例えば、Ｃｌを成分として持つドライ化学エッ
チングに対しては、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）がアイ
ランド４０２を作成するのに好ましく、それはＳｉＯ２
は塩素プラズマから生成されるＣｌエッチング剤に対し
耐性を持ち、したがってハードマスク層４０１のアイラ
ンド４０２に大きな影響を与えることなく露出部分１０
７の除去を可能にするからである。
【００３９】次に図４および図６の双方を参照すると、
図６は面１０１の露出部分１０７の異方性エッチングの
後のモールド１００の断面図を示し、図４に示されるモ
ールド１００の面６０１および側壁６０２が生成されて
いる。モールド１００を異方性エッチングするために使
用される化学材料は図３に関して前に説明した。さら
に、それぞれ、放射感応材料１０６およびハードマスク
層４０２のアイランド１０８およびアイランド４０２を
使用することにより、所望の深さ６０６を増大するよう
により強力な化学材料を使用することができ、したがっ
て面６０１がより深くまでエッチングされモールド１０
０をパターニングするためのより大きな融通性を与え
る。さらに、面１０１の露出部分１０７をエッチングす
るためにより強力な化学材料を使用することにより面１
０１の露出部分１０７の除去速度を増大し、それによっ
てより生産性の高い工程が達成される。
図６は面１０１の露出部分１０７の異方性エッチングの
後のモールド１００の断面図を示し、図４に示されるモ
ールド１００の面６０１および側壁６０２が生成されて
いる。モールド１００を異方性エッチングするために使
用される化学材料は図３に関して前に説明した。さら
に、それぞれ、放射感応材料１０６およびハードマスク
層４０２のアイランド１０８およびアイランド４０２を
使用することにより、所望の深さ６０６を増大するよう
により強力な化学材料を使用することができ、したがっ
て面６０１がより深くまでエッチングされモールド１０
０をパターニングするためのより大きな融通性を与え
る。さらに、面１０１の露出部分１０７をエッチングす
るためにより強力な化学材料を使用することにより面１
０１の露出部分１０７の除去速度を増大し、それによっ
てより生産性の高い工程が達成される。
【００４０】図７〜図９はモールド１００の面１０１を
パターニングするためのさらに他の方法を示す。モール
ド１００の面１０１をパターニングするためのこの特定
の方法を使用することにより投影されたイメージ（図示
せず）の反転イメージが生成できることを理解すべきで
ある。
パターニングするためのさらに他の方法を示す。モール
ド１００の面１０１をパターニングするためのこの特定
の方法を使用することにより投影されたイメージ（図示
せず）の反転イメージが生成できることを理解すべきで
ある。
【００４１】図７は、図１において前に述べたのと同様
にしてフォトリソグラフ的に準備されたモールド１００
の断面を示している。簡単にいえば、フォトレジストま
たはＰＭＭＡのような、放射感応層７０６がモールド１
００の主要面または面７０１に付加される。放射感応層
７０６は次に前に述べたように露出されかつ現像され、
したがって非露出部分７１５を覆う放射感応材料のアイ
ランド７０８、ならびに面７０１の露出部分７０７が形
成される。さらに、アイランド７０８の側壁７０９は、
アンダカットされた側壁、オーバカットされた側壁、お
よび垂直な側壁のような、種々の形状に形成できる。図
７に示されるようにかつ本発明の好ましい実施例におい
ては、アイランド７０８のアンダカットされた側壁７０
９が使用され、それによって金属材料の引き続く被着を
強化する。
にしてフォトリソグラフ的に準備されたモールド１００
の断面を示している。簡単にいえば、フォトレジストま
たはＰＭＭＡのような、放射感応層７０６がモールド１
００の主要面または面７０１に付加される。放射感応層
７０６は次に前に述べたように露出されかつ現像され、
したがって非露出部分７１５を覆う放射感応材料のアイ
ランド７０８、ならびに面７０１の露出部分７０７が形
成される。さらに、アイランド７０８の側壁７０９は、
アンダカットされた側壁、オーバカットされた側壁、お
よび垂直な側壁のような、種々の形状に形成できる。図
７に示されるようにかつ本発明の好ましい実施例におい
ては、アイランド７０８のアンダカットされた側壁７０
９が使用され、それによって金属材料の引き続く被着を
強化する。
【００４２】次に、図７および図８の双方を参照する
と、図８は部分８０３および８０４を含む不連続層８０
２を形成する引き続く金属または金属合金の被着後のモ
ールド１００の断面図を示す。
と、図８は部分８０３および８０４を含む不連続層８０
２を形成する引き続く金属または金属合金の被着後のモ
ールド１００の断面図を示す。
【００４３】一般に、不連続層８０２の被着は、アルミ
ニウム、チタン−タングステン合金（ｔｉｔｕｎｇｓｔ
ｅｎ）、ニッケルのような、任意の適切な金属または金
属合金を被着することによって行なわれる。不連続層８
０２の被着は、スパッタリング、蒸着、その他のよう
な、技術的に良く知られた任意の適切な方法によって行
なわれる。不連続層８０２の部分８０３および８０４
は、それぞれ、面７０４および部分７０７上に配置され
る。変位開口（ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ ｏｐｅｎｉ
ｎｇ）またはギャップ８０６が形成されるが、それは部
分８０３および８０４の間の相対的な高さの相違のため
であり、したがって不連続層８０２の金属部分８０３お
よび８０４を切り離しあるいは分離する。本発明の好ま
しい実施例においては、不連続層８０２の厚さ８１０は
アイランド７０８の厚さ８１１よりも１，０００オング
ストローム小さく、したがって一貫して（ｃｏｎｓｉｓ
ｔｅｎｔｌｙ）ギャップ８０６を発生する。
ニウム、チタン−タングステン合金（ｔｉｔｕｎｇｓｔ
ｅｎ）、ニッケルのような、任意の適切な金属または金
属合金を被着することによって行なわれる。不連続層８
０２の被着は、スパッタリング、蒸着、その他のよう
な、技術的に良く知られた任意の適切な方法によって行
なわれる。不連続層８０２の部分８０３および８０４
は、それぞれ、面７０４および部分７０７上に配置され
る。変位開口（ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ ｏｐｅｎｉ
ｎｇ）またはギャップ８０６が形成されるが、それは部
分８０３および８０４の間の相対的な高さの相違のため
であり、したがって不連続層８０２の金属部分８０３お
よび８０４を切り離しあるいは分離する。本発明の好ま
しい実施例においては、不連続層８０２の厚さ８１０は
アイランド７０８の厚さ８１１よりも１，０００オング
ストローム小さく、したがって一貫して（ｃｏｎｓｉｓ
ｔｅｎｔｌｙ）ギャップ８０６を発生する。
【００４４】本発明の好ましい実施例においては、ニッ
ケル金属材料が露出面７０７上にかつアイランド７０８
の頭部上に被着され、それによってアイランド７０８の
間に部分８０４を形成しかつアイランド７０８上に部分
８０３を形成する。さらに、放射感応アイランド７０８
は有機材料から作られるから、金属または金属合金の被
着は通常、低温蒸着（ｃｏｏｌ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏ
ｎ）工程または低温スパッタリング（ｃｏｏｌ ｓｐｕ
ｔｔｅｒｉｎｇ）工程のような、低温金属被着（ｃｏｏ
ｌ ｍｅｔａｌ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）工程を使用し
て行なわれる。
ケル金属材料が露出面７０７上にかつアイランド７０８
の頭部上に被着され、それによってアイランド７０８の
間に部分８０４を形成しかつアイランド７０８上に部分
８０３を形成する。さらに、放射感応アイランド７０８
は有機材料から作られるから、金属または金属合金の被
着は通常、低温蒸着（ｃｏｏｌ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏ
ｎ）工程または低温スパッタリング（ｃｏｏｌ ｓｐｕ
ｔｔｅｒｉｎｇ）工程のような、低温金属被着（ｃｏｏ
ｌ ｍｅｔａｌ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）工程を使用し
て行なわれる。
【００４５】金属部分８０３および８０４の被着が完了
した後、放射感応材料７０８および金属部分８０３はリ
フトオフ（ｌｉｆｔ−ｏｆｆ）法によって除去される。
典型的には、リフトオフ法は下の金属部分８０３から放
射感応部分７０８を溶解または洗浄除去することによっ
て行なわれ、それによって金属部分８０３のためのサポ
ート部分を除去しかつ金属部分８０３を主要面７０１か
ら取り上げる。さらに、部分８０４は面７０１上に保持
され、それによって引き続くエッチング工程のためのエ
ッチングマスクを提供する。一般に、アイランド７０８
の除去は典型的には、フォトレジスト除去剤（ｐｈｏｔ
ｏｒｅｓｉｓｔ ｓｔｒｉｐｐｅｒ）、アセトン、その
他のような溶剤を加えることによって行なわれる。
した後、放射感応材料７０８および金属部分８０３はリ
フトオフ（ｌｉｆｔ−ｏｆｆ）法によって除去される。
典型的には、リフトオフ法は下の金属部分８０３から放
射感応部分７０８を溶解または洗浄除去することによっ
て行なわれ、それによって金属部分８０３のためのサポ
ート部分を除去しかつ金属部分８０３を主要面７０１か
ら取り上げる。さらに、部分８０４は面７０１上に保持
され、それによって引き続くエッチング工程のためのエ
ッチングマスクを提供する。一般に、アイランド７０８
の除去は典型的には、フォトレジスト除去剤（ｐｈｏｔ
ｏｒｅｓｉｓｔ ｓｔｒｉｐｐｅｒ）、アセトン、その
他のような溶剤を加えることによって行なわれる。
【００４６】さらに、いったんアイランド７０８および
部分８０３がモールド１００から除去されると、モール
ド１００はいまや付加的な処理工程なしにモールド対象
物をモールドするために使用可能になる。
部分８０３がモールド１００から除去されると、モール
ド１００はいまや付加的な処理工程なしにモールド対象
物をモールドするために使用可能になる。
【００４７】図９は、前記リフトオフ法が完了し、それ
によって部分８０４および面７０１の露出部分９０１を
保持するモールド１００の断面図である。
によって部分８０４および面７０１の露出部分９０１を
保持するモールド１００の断面図である。
【００４８】いったん前記リフトオフ法が完了すると、
モールド１００は図２、図３、図５および図６において
前に説明した気体プラズマエッチング方法によってエッ
チング可能となる。しかしながら、図７〜図９に示され
た本発明の好ましい実施例では、部分９０１を所望の深
さ（図示せず）までエッチングするためにイオンミリン
グ（ｉｏｎ ｍｉｌｌｉｎｇ）が使用される。
モールド１００は図２、図３、図５および図６において
前に説明した気体プラズマエッチング方法によってエッ
チング可能となる。しかしながら、図７〜図９に示され
た本発明の好ましい実施例では、部分９０１を所望の深
さ（図示せず）までエッチングするためにイオンミリン
グ（ｉｏｎ ｍｉｌｌｉｎｇ）が使用される。
【００４９】簡単にいえば、イオンミリングは前に異方
性プロセスパラメータに関して説明したような気体プラ
ズマを使用する。しかしながら、選択される気体は化学
的に不活性なものであり、したがって物理的成分のみを
提供しかつ部分９０１のエッチングに対しなんらの化学
的成分を提供しない。さらに、イオンミリングにおいて
は物理的な反応のみが使用されるから、部分９０１およ
びアイランド８０４の双方がほぼ同じ速度で除去され
る。所望の深さに応じて、図７〜図９において説明され
たプロセスによる面７０１の処理を行なうことができ
る。
性プロセスパラメータに関して説明したような気体プラ
ズマを使用する。しかしながら、選択される気体は化学
的に不活性なものであり、したがって物理的成分のみを
提供しかつ部分９０１のエッチングに対しなんらの化学
的成分を提供しない。さらに、イオンミリングにおいて
は物理的な反応のみが使用されるから、部分９０１およ
びアイランド８０４の双方がほぼ同じ速度で除去され
る。所望の深さに応じて、図７〜図９において説明され
たプロセスによる面７０１の処理を行なうことができ
る。
【００５０】図１０は、光学部分、すなわち、クラッド
層１００１と該クラッド層１００１がモールド型導波路
を形成するために上に述べたようにして成形されるモー
ルド１００の単純化した断面図を示す。簡単にいえば、
基板１０２と上部分１００２を有するモールド１００は
一緒に強固に固定される。矢印１００３で示されるよう
に、モールド材料が空洞（図示せず）内に注入または圧
入され、前記空洞部分内のものはいまやクラッド層１０
０１となる。一般に、プラスチック、ポリイミド、エポ
キシ、その他のような、任意の適切なモールド材料が使
用可能である。モールド材料をモールド１００内に注入
することによって面１００４および１０４をクラッド層
１００１に転写することが可能になる。いったん、クラ
ッド層１００１のモールドが完了すると、クラッド層１
００１は前記モールドから除去されかつクラッド層１０
０１のみぞ１００６を満たすようにコア材料（図示せ
ず）がクラッド層１００１に付加され、それによって導
波路を形成する。一般に、コア材料は樹脂、プラスチッ
ク、エポキシ、ポリイミド、その他によって作成され
る。さらに、他のクラッド層をモールドしかつクラッド
層１００１の上に付加してクラッド層１００１のみぞ１
００６を覆うようにすることが可能である。以上の説明
はモールド１００を使用した簡単な説明にすぎずかつモ
ールド成形および導波路を作成するために使用される材
料のより詳細な説明は同時係属の米国特許出願第０７／
８８９，３３５号、発明の名称「モールド型導波路およ
びその製作方法（ＭＯＬＤＥＤ ＷＡＶＥＧＵＩＤＥ
ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤ ＯＦ ＭＡＫＩＮＧ ＳＡＭ
Ｅ）」、１９９２年５月２８日出願、にみることができ
る。
層１００１と該クラッド層１００１がモールド型導波路
を形成するために上に述べたようにして成形されるモー
ルド１００の単純化した断面図を示す。簡単にいえば、
基板１０２と上部分１００２を有するモールド１００は
一緒に強固に固定される。矢印１００３で示されるよう
に、モールド材料が空洞（図示せず）内に注入または圧
入され、前記空洞部分内のものはいまやクラッド層１０
０１となる。一般に、プラスチック、ポリイミド、エポ
キシ、その他のような、任意の適切なモールド材料が使
用可能である。モールド材料をモールド１００内に注入
することによって面１００４および１０４をクラッド層
１００１に転写することが可能になる。いったん、クラ
ッド層１００１のモールドが完了すると、クラッド層１
００１は前記モールドから除去されかつクラッド層１０
０１のみぞ１００６を満たすようにコア材料（図示せ
ず）がクラッド層１００１に付加され、それによって導
波路を形成する。一般に、コア材料は樹脂、プラスチッ
ク、エポキシ、ポリイミド、その他によって作成され
る。さらに、他のクラッド層をモールドしかつクラッド
層１００１の上に付加してクラッド層１００１のみぞ１
００６を覆うようにすることが可能である。以上の説明
はモールド１００を使用した簡単な説明にすぎずかつモ
ールド成形および導波路を作成するために使用される材
料のより詳細な説明は同時係属の米国特許出願第０７／
８８９，３３５号、発明の名称「モールド型導波路およ
びその製作方法（ＭＯＬＤＥＤ ＷＡＶＥＧＵＩＤＥ
ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤ ＯＦ ＭＡＫＩＮＧ ＳＡＭ
Ｅ）」、１９９２年５月２８日出願、にみることができ
る。
【００５１】さらに、モールドまたは型１００は同時係
属の米国特許出願第０８／０１９，７３１号、発明の名
称「単一クラッド領域を備えたモールド型導波路および
製作方法（ＭＯＬＤＥＤ ＷＡＶＥＧＵＩＤＥ ＷＩＴ
Ｈ Ａ ＵＮＩＴＡＲＹ ＣＬＡＤＤＩＮＧ ＲＥＳＩ
ＯＮ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤ ＯＦ ＭＡＫＩＮ
Ｇ）」、１９９３年２月１９日出願、に開示されている
ようにコア領域を作成するために使用できることを理解
すべきである。簡単にいえば、コア領域はまずモールド
１００において成形される。いったんコア領域の成形が
完了すると、該コア領域はモールド１００から取出され
かつ他のモールドに入れられて該コア領域をオーバモー
ルドしあるいはコーティングして導波路を形成する。
属の米国特許出願第０８／０１９，７３１号、発明の名
称「単一クラッド領域を備えたモールド型導波路および
製作方法（ＭＯＬＤＥＤ ＷＡＶＥＧＵＩＤＥ ＷＩＴ
Ｈ Ａ ＵＮＩＴＡＲＹ ＣＬＡＤＤＩＮＧ ＲＥＳＩ
ＯＮ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤ ＯＦ ＭＡＫＩＮ
Ｇ）」、１９９３年２月１９日出願、に開示されている
ようにコア領域を作成するために使用できることを理解
すべきである。簡単にいえば、コア領域はまずモールド
１００において成形される。いったんコア領域の成形が
完了すると、該コア領域はモールド１００から取出され
かつ他のモールドに入れられて該コア領域をオーバモー
ルドしあるいはコーティングして導波路を形成する。
【００５２】
【発明の効果】以上のように、モールドを作成しあるい
はパターニングするためにフォトリソグラフィーおよび
エッチングを使用した新規な方法が説明されたことが理
解されるべきである。該方法は特徴形状部分（ｆｅａｔ
ｕｒｅｓ）のより精細な分解能、ならびに種々の側壁構
造の形成を可能にする。さらに、種々の形状がフォトリ
ソグラフ的に製作できかつモールドに転写できる。
はパターニングするためにフォトリソグラフィーおよび
エッチングを使用した新規な方法が説明されたことが理
解されるべきである。該方法は特徴形状部分（ｆｅａｔ
ｕｒｅｓ）のより精細な分解能、ならびに種々の側壁構
造の形成を可能にする。さらに、種々の形状がフォトリ
ソグラフ的に製作できかつモールドに転写できる。
【図１】本発明にしたがってモールドを製作しかつパタ
ーニングするための方法を実施するために順次行なわれ
る工程の１つを示す断面的説明図である。
ーニングするための方法を実施するために順次行なわれ
る工程の１つを示す断面的説明図である。
【図２】本発明にしたがってモールドを製作しかつパタ
ーニングするための方法を実施するために順次行なわれ
る工程の１つを示す断面的説明図である。
ーニングするための方法を実施するために順次行なわれ
る工程の１つを示す断面的説明図である。
【図３】本発明にしたがってモールドを製作しかつパタ
ーニングするための方法を実施するために順次行なわれ
る工程の１つを示す断面的説明図である。
ーニングするための方法を実施するために順次行なわれ
る工程の１つを示す断面的説明図である。
【図４】本発明にしたがってモールドを製作しかつパタ
ーニングするための他の一連の処理工程におけるモール
ドの状態を示す断面的説明図である。
ーニングするための他の一連の処理工程におけるモール
ドの状態を示す断面的説明図である。
【図５】本発明にしたがってモールドを製作しかつパタ
ーニングするための他の一連の処理工程におけるモール
ドの状態を示す断面的説明図である。
ーニングするための他の一連の処理工程におけるモール
ドの状態を示す断面的説明図である。
【図６】本発明にしたがってモールドを製作しかつパタ
ーニングするための他の一連の処理工程におけるモール
ドの状態を示す断面的説明図である。
ーニングするための他の一連の処理工程におけるモール
ドの状態を示す断面的説明図である。
【図７】本発明にしたがってモールドをパターニングす
るためのさらに他の一連の処理工程におけるモールドの
状態を示す断面的説明図である。
るためのさらに他の一連の処理工程におけるモールドの
状態を示す断面的説明図である。
【図８】本発明にしたがってモールドをパターニングす
るためのさらに他の一連の処理工程におけるモールドの
状態を示す断面的説明図である。
るためのさらに他の一連の処理工程におけるモールドの
状態を示す断面的説明図である。
【図９】本発明にしたがってモールドをパターニングす
るためのさらに他の一連の処理工程におけるモールドの
状態を示す断面的説明図である。
るためのさらに他の一連の処理工程におけるモールドの
状態を示す断面的説明図である。
【図１０】本発明に係わる方法によって製作されたモー
ルドおよび成形されたクラッド層の単純化した拡大断面
図である。
ルドおよび成形されたクラッド層の単純化した拡大断面
図である。
【符号の説明】 １００ モールド １０１，７０１ 主要面 １０２ モールド基板 １０６ 放射感応膜 １０７，９０１ 露出部分 １０８，４０２，７０８ 島状部分またはアイランド １０９ 非露出部分 ２０１，３０１，５０２，６０１ エッチング面 ２０２ 直線部分 ２０３ アンダカット ３０２，６０２，７０９ 側壁 ４０１ ハードマスク層 ５０３ 曲線部分 ７０６ 放射感応層 ８０２ 不連続層 ８０３，８０４ 不連続層の一部 １００１ クラッド層 １００２ 上部分 １００６ みぞ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マイケル・エス・レビー アメリカ合衆国アリゾナ州85219、アパッ チ・ジャンクション、ノース・ラバージ・ ロード 30
Claims (5)
- 【請求項１】 モールド（１００）をパターニングする
方法であって、 主要面（１０１）を有するモールド基板（１０２）を提
供する段階、 放射感応膜（１０６）を前記モールド基板（１０２）の
主要面上に付加する段階、 前記モールド基板（１０２）上の放射感応膜（１０６）
を照射領域および非照射領域を有する光のパターンに露
出する段階であって、それによって前記放射感応膜（１
０６）が照射された露出領域を生成しかつ前記放射感応
膜が照射されていない非露出領域を生成する段階、 前記モールド基板（１０２）の主要面（１０１）上の放
射感応膜（１０６）を現像する段階であって、この現像
は前記放射感応膜（１０６）の露出領域を除去しかつ前
記放射感応膜の非露出領域は前記モールド基板（１０
２）の主要面（１０１）上に残し、それによってモール
ド基板（１０２）の主要面（１０１）上の開かれた部分
（１０７）および前記モールド基板（１０２）の前記主
要面（１０１）上の覆われた部分（１０９）を備えたパ
ターンを発生するもの、そして前記モールド基板（１０
２）の主要面（１０１）をエッチングする段階であっ
て、それによって前記主要面（１０１）の開かれた部分
（１０７）を除去しかつ前記パターンを前記モールド基
板（１０２）の主要面（１０１）に転写するもの、 を具備することを特徴とするモールド（１００）をパタ
ーニングする方法。 - 【請求項２】 モールド（１００）にパターンを転写す
る方法であって、 主要面（１０１）を有するモールド基板（１０２）を提
供する段階、 前記モールド基板（１０２）の主要面（１０１）上にパ
ターニングされたマスキング層（１０８）を形成する段
階であって、該パターニングされたマスキング層（１０
８）は前記モールド基板（１０２）の主要面（１０１）
の一部（１０７）を露出し、一方他の部分（１０９）は
前記パターニングされたマスキング層（１０８）で覆わ
れているもの、 前記パターニングされたマスキング層（１０２）を備え
たモールド基板（１０２）の主要面（１０１）をエッチ
ングする段階であって、それによって前記モールド基板
（１０２）の主要面（１０１）の露出部分（１０７）を
除去し、かつそれによって前記パターニングされたマス
キング層（１０８）からのパターンを前記モールド基板
（１０２）の主要面（１０１）へと転写するもの、 を具備することを特徴とするモールド（１００）にパタ
ーンを転写する方法。 - 【請求項３】 モールド（１００）を作成する方法であ
って、 主要面（１０１）を有するモールド基板（１０２）を提
供する段階、 前記モールド基板（１０２）の主要面（１０１）上に酸
化物層（４０１）を形成する段階、 前記モールド基板（１０２）の主要面（１０１）上の酸
化物層（４０１）上にマスクパターン（１０８）を形成
する段階であって、それによって前記酸化物層（４０
１）の一部を露出し、いっぽう前記酸化物層の他の部分
を露出しないようマスクパターン（１０８）を形成する
段階、 前記酸化物層（４０１）の露出部分をエッチングする段
階であって、それによって前記主要面（１０１）上の酸
化物層の露出部分を選択的に除去しかつ前記マスクパタ
ーンを前記酸化物層（４０１）に転写し、かつそれによ
って前記モールド基板（１０２）の主要面（１０１）の
一部を露出するもの、 前記モールド基板（１０２）の主要面（１０１）の露出
面（１０７）をエッチングする段階であって、それによ
って前記モールド（１００）をパターニングする段階、 を具備することを特徴とするモールド（１００）を作成
する方法。 - 【請求項４】 モールド（１００）にパターンを転写す
る方法であって、 主要面（１０１）を有するモールド基板（１０２）を提
供する段階、 前記モールド基板上に耐放射性パターンを形成する段階
であって、それによって前記モールド基板の一部（７０
７）を露出し、一方前記モールド基板の他の部分（７０
８）は前記耐放射性パターンによって覆われるもの、 前記モールド基板の露出部分（７０７）上にかつ前記耐
放射性パターン（７０８）上に金属層（８０２）を被着
する段階であって、それによって前記被着された金属層
の厚さ（８１０）が前記耐放射性パターン（７０８）の
厚さ（８１１）よりも小さくなるよう被着を行なう段
階、そして前記モールド基板から耐放射性パターンを除
去する段階であって、それによって前記耐放射性パター
ン上の前記金属層（８０３）を取り除き、それによって
前記モールド基板の一部をマスキングする前記モールド
基板上の金属層（８０４）を残し、それによってモール
ドを作成するもの、 を具備することを特徴とするモールド（１００）にパタ
ーンを転写する方法。 - 【請求項５】 モールド（１００）を使用した導波路の
作成方法であって、 主要面（１０１）を有するモールド基板（１０２）を提
供する段階、 前記モールド基板（１０２）の主要面（１０１）上にパ
ターニングされたマスキング層（１０８，４０２）を形
成する段階であって、それによって前記モールド基板
（１０２）の主要面（１０１）の一部（１０７）を露出
し、一方他の部分（１０９）は前記パターニングされた
マスキング層（１０８，４０２）によって覆われるも
の、 前記パターニングされたマスキング層（１０８，４０
２）を備えたモールド基板（１０２）の主要面（１０
１）をエッチングする段階であって、それによって前記
モールド基板（１０２）の主要面（１０１）の露出部分
（１０７）を除去し、かつそれによって前記パターニン
グされたマスキング層（１０８，４０２）からパターン
を前記モールド基板（１０２）の主要面（１０１）に転
写する段階、 前記モールド（１００）の上部分（１００２）を提供す
る段階、 前記モールド（１００）の上部分（１００２）を前記モ
ールド基板（１０２）に固定して前記上部分（１００
２）と前記モールド（１００）の基板（１０２）との間
にエッチングによって転写されたパターンを包含させる
もの、そして前記モールド（１００）内にモールド材料
（１００３）を注入する段階であって、それによって導
波路のための光学部分を形成するもの、 を具備することを特徴とするモールド（１００）を使用
した導波路の作成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US055,579 | 1987-05-29 | ||
| US08/055,579 US5348616A (en) | 1993-05-03 | 1993-05-03 | Method for patterning a mold |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06320580A true JPH06320580A (ja) | 1994-11-22 |
Family
ID=21998797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6110337A Pending JPH06320580A (ja) | 1993-05-03 | 1994-04-26 | モールドをパターニングする方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5348616A (ja) |
| JP (1) | JPH06320580A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014082413A (ja) * | 2012-10-18 | 2014-05-08 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートブランク、その製造方法、および、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法 |
Families Citing this family (79)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6027863A (en) * | 1991-09-05 | 2000-02-22 | Intratherapeutics, Inc. | Method for manufacturing a tubular medical device |
| US6107004A (en) * | 1991-09-05 | 2000-08-22 | Intra Therapeutics, Inc. | Method for making a tubular stent for use in medical applications |
| US5741429A (en) * | 1991-09-05 | 1998-04-21 | Cardia Catheter Company | Flexible tubular device for use in medical applications |
| DE4307869C2 (de) * | 1993-03-12 | 1996-04-04 | Microparts Gmbh | Mikrostrukturkörper und Verfahren zu deren Herstellung |
| US5575962A (en) * | 1994-12-02 | 1996-11-19 | Lucent Technologies Inc. | Method for fabricating optical quality molds with precision microfeatures |
| US5759457A (en) * | 1995-02-24 | 1998-06-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing an optical element |
| US5900350A (en) * | 1996-06-06 | 1999-05-04 | Velcro Industries B.V. | Molding methods, molds and products |
| FR2753115B1 (fr) * | 1996-09-10 | 1999-05-28 | Vetault Veronique | Procede de realisation de medailles, plaques, boucles gravees aux traits de portraits, decors ou d'objets d'apres photo personnalise ou non |
| DE19642088A1 (de) * | 1996-10-12 | 1998-04-16 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Körpers, eines Gußrahmens und eines integriert-optischen Bauteils |
| US6303045B1 (en) * | 1997-03-20 | 2001-10-16 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for etching a nitride layer in a variable-gap plasma processing chamber |
| US6156243A (en) * | 1997-04-25 | 2000-12-05 | Hoya Corporation | Mold and method of producing the same |
| US5891351A (en) * | 1997-08-13 | 1999-04-06 | National Science Council | Method for forming pattern on steel substrate by reactive ion etching |
| WO1999046070A1 (fr) * | 1998-03-11 | 1999-09-16 | Vetault Veronique | Procede de realisation de medailles, de plaques et de boucles utilisant la methode typogravure et la coulage |
| US6059769A (en) | 1998-10-02 | 2000-05-09 | Medtronic, Inc. | Medical catheter with grooved soft distal segment |
| CN1329663A (zh) | 1998-10-09 | 2002-01-02 | 吉尼西斯研究及发展有限公司 | 改变植物木质素含量的材料和方法 |
| JP2000203605A (ja) * | 1998-11-16 | 2000-07-25 | Waterfall Co Inc | 汚染のない分配送出システムのためのカ―トリッジ |
| US6022752A (en) * | 1998-12-18 | 2000-02-08 | Eastman Kodak Company | Mandrel for forming a nozzle plate having orifices of precise size and location and method of making the mandrel |
| US6361703B1 (en) | 1999-03-04 | 2002-03-26 | Caterpillar Inc. | Process for micro-texturing a mold |
| US6334960B1 (en) | 1999-03-11 | 2002-01-01 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Step and flash imprint lithography |
| US6352647B1 (en) * | 1999-05-05 | 2002-03-05 | Micron Technology, Inc. | Mask, and method and apparatus for making it |
| US6881358B1 (en) | 1999-07-06 | 2005-04-19 | Mems Optical Inc. | Mold apparatus and method |
| US6780001B2 (en) * | 1999-07-30 | 2004-08-24 | Formfactor, Inc. | Forming tool for forming a contoured microelectronic spring mold |
| US6873087B1 (en) | 1999-10-29 | 2005-03-29 | Board Of Regents, The University Of Texas System | High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes |
| SG142150A1 (en) * | 2000-07-16 | 2008-05-28 | Univ Texas | High-resolution overlay alignment systems for imprint lithography |
| KR100827741B1 (ko) | 2000-07-17 | 2008-05-07 | 보드 오브 리전츠, 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 | 임프린트 리소그래피 공정을 위한 자동 유체 분배 방법 및시스템 |
| US7211214B2 (en) * | 2000-07-18 | 2007-05-01 | Princeton University | Laser assisted direct imprint lithography |
| JP2004505273A (ja) | 2000-08-01 | 2004-02-19 | ボード・オブ・リージエンツ，ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム | 転写リソグラフィのための透明テンプレートと基板の間のギャップおよび配向を高精度でセンシングするための方法 |
| AU2001286573A1 (en) | 2000-08-21 | 2002-03-04 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Flexure based macro motion translation stage |
| CN100365507C (zh) * | 2000-10-12 | 2008-01-30 | 德克萨斯州大学系统董事会 | 用于室温下低压微刻痕和毫微刻痕光刻的模板 |
| US6964793B2 (en) | 2002-05-16 | 2005-11-15 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method for fabricating nanoscale patterns in light curable compositions using an electric field |
| US20050064344A1 (en) * | 2003-09-18 | 2005-03-24 | University Of Texas System Board Of Regents | Imprint lithography templates having alignment marks |
| US6716754B2 (en) * | 2002-03-12 | 2004-04-06 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming patterns and molds for semiconductor constructions |
| US7179079B2 (en) * | 2002-07-08 | 2007-02-20 | Molecular Imprints, Inc. | Conforming template for patterning liquids disposed on substrates |
| US20080160129A1 (en) * | 2006-05-11 | 2008-07-03 | Molecular Imprints, Inc. | Template Having a Varying Thickness to Facilitate Expelling a Gas Positioned Between a Substrate and the Template |
| US7077992B2 (en) | 2002-07-11 | 2006-07-18 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography processes |
| US6932934B2 (en) * | 2002-07-11 | 2005-08-23 | Molecular Imprints, Inc. | Formation of discontinuous films during an imprint lithography process |
| US6916584B2 (en) | 2002-08-01 | 2005-07-12 | Molecular Imprints, Inc. | Alignment methods for imprint lithography |
| US7071088B2 (en) | 2002-08-23 | 2006-07-04 | Molecular Imprints, Inc. | Method for fabricating bulbous-shaped vias |
| US6921490B1 (en) * | 2002-09-06 | 2005-07-26 | Kotura, Inc. | Optical component having waveguides extending from a common region |
| US6750073B2 (en) * | 2002-09-30 | 2004-06-15 | Minuta Technology Co., Ltd. | Method for forming a mask pattern |
| US8349241B2 (en) | 2002-10-04 | 2013-01-08 | Molecular Imprints, Inc. | Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability |
| US6929762B2 (en) | 2002-11-13 | 2005-08-16 | Molecular Imprints, Inc. | Method of reducing pattern distortions during imprint lithography processes |
| US6871558B2 (en) | 2002-12-12 | 2005-03-29 | Molecular Imprints, Inc. | Method for determining characteristics of substrate employing fluid geometries |
| US7452574B2 (en) | 2003-02-27 | 2008-11-18 | Molecular Imprints, Inc. | Method to reduce adhesion between a polymerizable layer and a substrate employing a fluorine-containing layer |
| US7186656B2 (en) * | 2004-05-21 | 2007-03-06 | Molecular Imprints, Inc. | Method of forming a recessed structure employing a reverse tone process |
| US7122079B2 (en) | 2004-02-27 | 2006-10-17 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material |
| US7157036B2 (en) | 2003-06-17 | 2007-01-02 | Molecular Imprints, Inc | Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold |
| US20050054169A1 (en) * | 2003-09-09 | 2005-03-10 | International Business Machines Corporation | Method of manufacture of raised source drain mosfet with top notched gate structure filled with dielectric plug in and device manufactured thereby |
| US7136150B2 (en) | 2003-09-25 | 2006-11-14 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography template having opaque alignment marks |
| US20050098534A1 (en) * | 2003-11-12 | 2005-05-12 | Molecular Imprints, Inc. | Formation of conductive templates employing indium tin oxide |
| US20050106321A1 (en) * | 2003-11-14 | 2005-05-19 | Molecular Imprints, Inc. | Dispense geometery to achieve high-speed filling and throughput |
| TWI298522B (en) * | 2004-01-13 | 2008-07-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | A manufacturing method of a cavity |
| TW200529371A (en) * | 2004-02-20 | 2005-09-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | A manufacturing method of a stamper |
| US8076386B2 (en) | 2004-02-23 | 2011-12-13 | Molecular Imprints, Inc. | Materials for imprint lithography |
| US7906180B2 (en) * | 2004-02-27 | 2011-03-15 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material |
| DE102004020363A1 (de) * | 2004-04-23 | 2005-11-17 | Schott Ag | Verfahren zur Herstellung eines Masters, Master und Verfahren zur Herstellung von optischen Elementen sowie optischen Element |
| US7140861B2 (en) * | 2004-04-27 | 2006-11-28 | Molecular Imprints, Inc. | Compliant hard template for UV imprinting |
| US20050244756A1 (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-03 | Clarner Mark A | Etch rate control |
| US7785526B2 (en) | 2004-07-20 | 2010-08-31 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint alignment method, system, and template |
| JP2008507368A (ja) * | 2004-07-22 | 2008-03-13 | デュスカ サイエンティフィック カンパニー | 肺疾患を診断、モニタリングおよび治療するための方法 |
| US7309225B2 (en) * | 2004-08-13 | 2007-12-18 | Molecular Imprints, Inc. | Moat system for an imprint lithography template |
| US20060115789A1 (en) * | 2004-11-26 | 2006-06-01 | Wishart Kenneth D | Self-approximating intraoral |
| US20060177535A1 (en) * | 2005-02-04 | 2006-08-10 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography template to facilitate control of liquid movement |
| US20060266916A1 (en) * | 2005-05-25 | 2006-11-30 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography template having a coating to reflect and/or absorb actinic energy |
| CN1962154A (zh) * | 2005-11-10 | 2007-05-16 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 模仁加工装置及加工方法 |
| PT2248673E (pt) * | 2006-01-19 | 2012-12-24 | Ikonics Corp | Métodos digitais de texturização de moldes, materiais, e substratos |
| JP4749174B2 (ja) * | 2006-02-13 | 2011-08-17 | パナソニック株式会社 | ドライエッチング方法、微細構造形成方法、モールド及びその製造方法 |
| US7802978B2 (en) * | 2006-04-03 | 2010-09-28 | Molecular Imprints, Inc. | Imprinting of partial fields at the edge of the wafer |
| US8012395B2 (en) | 2006-04-18 | 2011-09-06 | Molecular Imprints, Inc. | Template having alignment marks formed of contrast material |
| US7547398B2 (en) * | 2006-04-18 | 2009-06-16 | Molecular Imprints, Inc. | Self-aligned process for fabricating imprint templates containing variously etched features |
| US7858476B2 (en) * | 2006-10-30 | 2010-12-28 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for fabricating semiconductor device with recess gate |
| US7824270B2 (en) * | 2007-01-23 | 2010-11-02 | C-Flex Bearing Co., Inc. | Flexible coupling |
| US7906274B2 (en) * | 2007-11-21 | 2011-03-15 | Molecular Imprints, Inc. | Method of creating a template employing a lift-off process |
| US20100227697A1 (en) * | 2009-03-04 | 2010-09-09 | C-Flex Bearing Co., Inc. | Flexible coupling |
| WO2011081153A1 (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-07 | 株式会社フジクラ | 金型及びその製造方法 |
| EP3748437A1 (fr) * | 2019-06-07 | 2020-12-09 | Rolex Sa | Fabrication d'un composant horloger |
| US11798816B2 (en) * | 2020-06-25 | 2023-10-24 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Method for isolating a conductive via from a glass substrate |
| EP3964356A1 (en) * | 2020-09-03 | 2022-03-09 | Boegli-Gravures SA | A method and system for manufacturing an embossing device by using an etch mask |
| KR102414421B1 (ko) * | 2020-11-13 | 2022-06-29 | 한국타이어앤테크놀로지 주식회사 | 금형 및 그 금형의 제조 방법 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4321105A (en) * | 1978-07-03 | 1982-03-23 | Standex International Corporation | Method of producing embossed designs on surfaces |
| US4437924A (en) * | 1982-04-19 | 1984-03-20 | Jerobee Industries, Inc. | Method of making fine-line die |
| GB2145977B (en) * | 1983-08-30 | 1987-01-14 | Craigave Pty Ltd | Article die |
-
1993
- 1993-05-03 US US08/055,579 patent/US5348616A/en not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-04-26 JP JP6110337A patent/JPH06320580A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014082413A (ja) * | 2012-10-18 | 2014-05-08 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートブランク、その製造方法、および、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5348616A (en) | 1994-09-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06320580A (ja) | モールドをパターニングする方法 | |
| JP7384928B2 (ja) | 可変深さデバイス構造を形成する方法 | |
| KR20070013305A (ko) | 리버스 톤 공정을 사용하는 리세스형 구조물 형성 방법 | |
| JP5264237B2 (ja) | ナノ構造体およびナノ構造体の製造方法 | |
| JPS6339892B2 (ja) | ||
| US7124994B2 (en) | Silicon micro-mold | |
| EP0363547B1 (en) | Method for etching mirror facets of III-V semiconductor structures | |
| GB2189903A (en) | An etch technique for metal mask definition | |
| JPS6339893B2 (ja) | ||
| US20020028394A1 (en) | Method for manufacturing a membrane mask | |
| JPH11167037A (ja) | 誘導結合プラズマ装置を利用する光導波路素子製造方法 | |
| JPH07193044A (ja) | ＳｉＣのパターンエッチング方法 | |
| JPH11305023A (ja) | シリコン回折格子の製造方法 | |
| JP7535201B2 (ja) | エッチングマスクの製造方法、構造体を基板にエッチングする方法、テトレル（ｔｅｔｒｅｌ）層の使用及びマスクを製造するための構造体 | |
| KR100816210B1 (ko) | 반도체 장치 형성 방법 | |
| KR20200081544A (ko) | 플라즈마를 이용한 구조체 패턴의 형성 방법 | |
| US20030118948A1 (en) | Method of etching semiconductor material to achieve structure suitable for optics | |
| US6541387B1 (en) | Process for implementation of a hardmask | |
| JPH0319335A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS6212502B2 (ja) | ||
| JPH01119028A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100818387B1 (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 | |
| JPH02224240A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2009202352A (ja) | ナノインプリント用金型及びその製造方法 | |
| JPH06291090A (ja) | 酸化シリコン膜のドライ・エッチング方法 |