JPH0632208B2 - 不揮発性高記録密度ランダムアクセスメモリー - Google Patents
不揮発性高記録密度ランダムアクセスメモリーInfo
- Publication number
- JPH0632208B2 JPH0632208B2 JP59001255A JP125584A JPH0632208B2 JP H0632208 B2 JPH0632208 B2 JP H0632208B2 JP 59001255 A JP59001255 A JP 59001255A JP 125584 A JP125584 A JP 125584A JP H0632208 B2 JPH0632208 B2 JP H0632208B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- random access
- access memory
- high recording
- recording density
- lattice points
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は強磁性体を用いた不揮発性高記録密度ランダム
アクセスメモリーに関する。
アクセスメモリーに関する。
本発明は、従来の磁気記録装置あるいは半導体を用いた
記録装置に対して、前者に比べては記録密度の点で、後
者に比べては不揮発性と言う点で、それぞれ優位に立つ
記録装置を提供することを目的とする。
記録装置に対して、前者に比べては記録密度の点で、後
者に比べては不揮発性と言う点で、それぞれ優位に立つ
記録装置を提供することを目的とする。
以上の様な目的を達成するために、本発明によって、強
磁性体超微粒子を非磁性体中の定められた格子点上に規
則的正しく着床・固定し、この格子点を通る随時書き込
み・読み出し用の線を設けた不揮発性高記録密度ランダ
ムアクセスメモリーが提供される。
磁性体超微粒子を非磁性体中の定められた格子点上に規
則的正しく着床・固定し、この格子点を通る随時書き込
み・読み出し用の線を設けた不揮発性高記録密度ランダ
ムアクセスメモリーが提供される。
望ましくは、非磁性体は基板状のものであり、格子点は
この基板の平面上の格子点である。そして、強磁性体超
微粒子は基板平面上の格子点に規則的にあけられた穴に
着床・固定する。格子点は例えば正方格子の格子点であ
る。また、強磁性体超微粒子はＳｉ又はSiO2等の第１の
絶縁体膜によって固定する。随時書き込み・読み出し用
の線は相互にＳｉ又はSiO2等の第２の絶縁体膜を介して
第１の絶縁体膜上に設ける。随時書き込み線は格子点に
おいて相互に接触しないで交叉する２群の線からなって
いる。随時読み出し線は１本のラインからなっている。
そして、書き込みたい格子点を通る相互に交叉する２本
の随時書き込み線には、強磁性体超微粒子の磁化の反転
に必要な臨界電流以下の電流を送り込むように構成す
る。また、読み出したい格子点を通る随時書き込み線に
は、読み出し時及び読み出し後にも電流を送り込むよう
に構成する。さらに、強磁性体超微粒子は非磁性体基板
平面上の格子点に規則的にあけられた穴に着床・固定
し、この格子点を通る随時書き込み・読み出し用の線を
設け、このように構成したものを複数枚重ね合わせて一
体とする。
この基板の平面上の格子点である。そして、強磁性体超
微粒子は基板平面上の格子点に規則的にあけられた穴に
着床・固定する。格子点は例えば正方格子の格子点であ
る。また、強磁性体超微粒子はＳｉ又はSiO2等の第１の
絶縁体膜によって固定する。随時書き込み・読み出し用
の線は相互にＳｉ又はSiO2等の第２の絶縁体膜を介して
第１の絶縁体膜上に設ける。随時書き込み線は格子点に
おいて相互に接触しないで交叉する２群の線からなって
いる。随時読み出し線は１本のラインからなっている。
そして、書き込みたい格子点を通る相互に交叉する２本
の随時書き込み線には、強磁性体超微粒子の磁化の反転
に必要な臨界電流以下の電流を送り込むように構成す
る。また、読み出したい格子点を通る随時書き込み線に
は、読み出し時及び読み出し後にも電流を送り込むよう
に構成する。さらに、強磁性体超微粒子は非磁性体基板
平面上の格子点に規則的にあけられた穴に着床・固定
し、この格子点を通る随時書き込み・読み出し用の線を
設け、このように構成したものを複数枚重ね合わせて一
体とする。
次に、本発明の１実施例を第１図から第４図を参照にし
ながら説明する。
ながら説明する。
第１図は、この実施例の不揮発性高記録密度ランダムア
クセスメモリーの分解斜視図を示すもので、この図にお
いて符号１はSi又はSiO2の非磁性体基板である。符号１
ｂはこの基板１上にあけられた、強磁性体超微粒子たと
えば鉄、ニツケル、コバルトなどを着床させるための穴
であり、光、電子線あるいはＸ線を用いた通常のリソグ
ララフィーの技術によつて、基板１上に予め決められた
形状、深さ、位置でこの穴１ｂは形成される。第１図に
おいては、立体的に見えるようにするために穴１ｂの断
面１ａを示したある。穴１ｂは定まつた格子点上に規則
的にあけられており、その格子点の配置の対称性は正方
格子を例として示してあるが、他の対称性の場合も可能
である。穴１ｂをあけた後、基板１に垂直に強い磁場を
かけながら強磁性体超微粒子をキヤリアーガス（N2又は
H2）に乗せて吹きつけ、穴１ｂにこの超微粒子を着床さ
せる。その際、穴１ｂ以外の基板１の表面はレジスト膜
でおおつておき、超微粒子の着床後このレジスト膜を除
去する。その後、基板１の表面に符号２で示すSi又はSi
O2等の絶縁性膜を蒸着して、着床した超微粒子を固定す
る膜を作る。その上に読み出し用の線２ａを、やはり前
記したリソグラフィーの技術を用いて作成する。読み出
し線２ａの配置は、第２図に示すように例えば正方格子
の対角線を通る平行な線の群であり、点線２ｂで示すよ
うにそれらは１本のラインに連結されている。読み出し
線２ａは必ずしも正方格子の対角線を通る必要はなく、
種々の変形が可能である。また、当然のことながら穴１
ｂの格子点の対称性によつても異なる。なお、第２図中
にSi又はSiO2膜２の下面に接する穴１ｂの上面の形を点
線で示してある。読み出し線２ａを作製した後、その上
にSi又はSiO2等の絶縁体膜３を蒸着し、その上に第１の
書き込み線３ａを同様に作製する（第３図）。更に、そ
の上に別のSi又はSiO2等の絶縁体膜４を蒸着し、第２の
書き込み線４ａを同様に作製する（第４図）。第１の書
き込み線３ａは正方格子の場合横方向に平行に伸びてお
り、第２の書き込み線４ａはこれと交叉する縦方向に平
行に伸びている。そして、第１及び第２の書き込み線の
交叉点は各格子点に一致している。以上の実施例におい
ては、読み出し線２ａの上に書き込み線３ａ、４ａが配
置されているが、基板１の上にまず書き込み線３ａ、４
ａを配置し、その上に読み出し線２ａを設ける等の変形
が可能であることは明らかであろう。なお、穴あけの寸
法、線の幅等は現リソグラフィー技術で到達可能な限り
微細なものとする。
クセスメモリーの分解斜視図を示すもので、この図にお
いて符号１はSi又はSiO2の非磁性体基板である。符号１
ｂはこの基板１上にあけられた、強磁性体超微粒子たと
えば鉄、ニツケル、コバルトなどを着床させるための穴
であり、光、電子線あるいはＸ線を用いた通常のリソグ
ララフィーの技術によつて、基板１上に予め決められた
形状、深さ、位置でこの穴１ｂは形成される。第１図に
おいては、立体的に見えるようにするために穴１ｂの断
面１ａを示したある。穴１ｂは定まつた格子点上に規則
的にあけられており、その格子点の配置の対称性は正方
格子を例として示してあるが、他の対称性の場合も可能
である。穴１ｂをあけた後、基板１に垂直に強い磁場を
かけながら強磁性体超微粒子をキヤリアーガス（N2又は
H2）に乗せて吹きつけ、穴１ｂにこの超微粒子を着床さ
せる。その際、穴１ｂ以外の基板１の表面はレジスト膜
でおおつておき、超微粒子の着床後このレジスト膜を除
去する。その後、基板１の表面に符号２で示すSi又はSi
O2等の絶縁性膜を蒸着して、着床した超微粒子を固定す
る膜を作る。その上に読み出し用の線２ａを、やはり前
記したリソグラフィーの技術を用いて作成する。読み出
し線２ａの配置は、第２図に示すように例えば正方格子
の対角線を通る平行な線の群であり、点線２ｂで示すよ
うにそれらは１本のラインに連結されている。読み出し
線２ａは必ずしも正方格子の対角線を通る必要はなく、
種々の変形が可能である。また、当然のことながら穴１
ｂの格子点の対称性によつても異なる。なお、第２図中
にSi又はSiO2膜２の下面に接する穴１ｂの上面の形を点
線で示してある。読み出し線２ａを作製した後、その上
にSi又はSiO2等の絶縁体膜３を蒸着し、その上に第１の
書き込み線３ａを同様に作製する（第３図）。更に、そ
の上に別のSi又はSiO2等の絶縁体膜４を蒸着し、第２の
書き込み線４ａを同様に作製する（第４図）。第１の書
き込み線３ａは正方格子の場合横方向に平行に伸びてお
り、第２の書き込み線４ａはこれと交叉する縦方向に平
行に伸びている。そして、第１及び第２の書き込み線の
交叉点は各格子点に一致している。以上の実施例におい
ては、読み出し線２ａの上に書き込み線３ａ、４ａが配
置されているが、基板１の上にまず書き込み線３ａ、４
ａを配置し、その上に読み出し線２ａを設ける等の変形
が可能であることは明らかであろう。なお、穴あけの寸
法、線の幅等は現リソグラフィー技術で到達可能な限り
微細なものとする。
以上の実施例のメモリーは次のように動作する。まず、
書き込む前には全ての超微粒子は各格子点で例えば上向
きの磁化方向を持つていたとする。このとき第１の書き
込み線３ａ及び第２の書き込み線４ａのうち、書き込み
たい格子点を通るラインを決めて、それらに同時に、強
磁性体超微粒子の磁化の反転に必要な臨界海電流以下の
電流を送り込むと、他の格子点を通る電流は全て臨界電
流以下であるため磁化は反転しないが、選ばれたライン
３ａと４ａの交叉する点の格子点のみ、両者の電流の和
が臨界電流以上に達し、その格子点の超微粒子のみの磁
化が反転する。すなわち、反転前が０、反転後が１に対
応する記録ができる。読み出しは、書き込み線３ａ、４
ａに全く同様な操作を行つた時に、その選ばれた格子点
が０の状態にあるか、又は１の状態にあるかによつて、
磁化の反転が起るか、又は起らないかであり、読み出し
線２ａに誘起される電流が異なることになるので、その
格子点の超微粒子の記憶内容（０か１か）を知ることが
できることによる。ただし、その時に読んだことによつ
て起きた磁化の反転は再びもとに戻しておくことが必要
であり、これは書き込み線３ａ、４ａに必要な電流を送
り込むことによつて行う。
書き込む前には全ての超微粒子は各格子点で例えば上向
きの磁化方向を持つていたとする。このとき第１の書き
込み線３ａ及び第２の書き込み線４ａのうち、書き込み
たい格子点を通るラインを決めて、それらに同時に、強
磁性体超微粒子の磁化の反転に必要な臨界海電流以下の
電流を送り込むと、他の格子点を通る電流は全て臨界電
流以下であるため磁化は反転しないが、選ばれたライン
３ａと４ａの交叉する点の格子点のみ、両者の電流の和
が臨界電流以上に達し、その格子点の超微粒子のみの磁
化が反転する。すなわち、反転前が０、反転後が１に対
応する記録ができる。読み出しは、書き込み線３ａ、４
ａに全く同様な操作を行つた時に、その選ばれた格子点
が０の状態にあるか、又は１の状態にあるかによつて、
磁化の反転が起るか、又は起らないかであり、読み出し
線２ａに誘起される電流が異なることになるので、その
格子点の超微粒子の記憶内容（０か１か）を知ることが
できることによる。ただし、その時に読んだことによつ
て起きた磁化の反転は再びもとに戻しておくことが必要
であり、これは書き込み線３ａ、４ａに必要な電流を送
り込むことによつて行う。
本発明の効果は、この発明により、従来半導体のＬＳＩ
に用いられて来た技術をそのまま利用することによつて
比較的簡単に製作することができ、従来のテープあるい
はディスク等のメモリーより１桁以上大きな記録密度を
得ることができることにある。また、微細加工の技術が
発展するのに伴い、本発明のメモリーの記録密度は必然
的に増大することが見込まれる。さらに、半導体を用い
たＲＡＭに比べて、本発明のメモリーは不揮発性であ
り、メモリー内容の保存ができることが、半導体メモリ
ーに比べての著しい利点である。
に用いられて来た技術をそのまま利用することによつて
比較的簡単に製作することができ、従来のテープあるい
はディスク等のメモリーより１桁以上大きな記録密度を
得ることができることにある。また、微細加工の技術が
発展するのに伴い、本発明のメモリーの記録密度は必然
的に増大することが見込まれる。さらに、半導体を用い
たＲＡＭに比べて、本発明のメモリーは不揮発性であ
り、メモリー内容の保存ができることが、半導体メモリ
ーに比べての著しい利点である。
なお、以上のようにして構成された単層のメモリーを複
数枚重ね合わせて一体として、立体構造のメモリーを構
成することができる等の変形が可能であることは明らか
であろう。その場合、書き込み線は、方向の異なる３群
以上の線で構成することも可能である。
数枚重ね合わせて一体として、立体構造のメモリーを構
成することができる等の変形が可能であることは明らか
であろう。その場合、書き込み線は、方向の異なる３群
以上の線で構成することも可能である。
第１図は本発明の１実施例の不揮発性高記録密度ランダ
ムアクセスメモリーの分解斜視図、第２図は第１図のメ
モリーの読み出し線に関する部分の詳細図、第３図及び
第４図は第１図のメモリーの第１及び第２の書き込み線
に関する部分の詳細図である。 １：非磁性体基板、１ｂ：穴、２、３、４：絶縁体膜、
２ａ：読み出し線、３ａ、４ａ：書き込み線
ムアクセスメモリーの分解斜視図、第２図は第１図のメ
モリーの読み出し線に関する部分の詳細図、第３図及び
第４図は第１図のメモリーの第１及び第２の書き込み線
に関する部分の詳細図である。 １：非磁性体基板、１ｂ：穴、２、３、４：絶縁体膜、
２ａ：読み出し線、３ａ、４ａ：書き込み線
Claims (13)
- 【請求項１】リソグラフィー技術によって作られ、格子
点上に穴を有する非磁性体基板、前述格子点上の穴に埋
設された強磁性体の超微粒子、およびリソグラフィー技
術によって作られ、前記格子点を通る随時書き込みおよ
び読み出し用の互いに絶縁された配線を備えたことを特
徴とする不揮発性高記録密度ランダムアクセスメモリー - 【請求項２】前記強磁性体の超微粒子は、ガス中蒸発法
とリソグラフィー技術を用いて作られたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の不揮発性高記録密度ラン
ダムアクセスメモリー - 【請求項３】前記強磁性体の超微粒子を前記ガス中蒸発
法によって作る際に、磁場を加えることを特徴とする特
許請求の範囲第２項記載の不揮発性高記録密度ランダム
アクセスメモリー - 【請求項４】前記非磁性体基板上の格子点は、該基板の
平面上の格子点であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の不揮発性高記録密度ランダムアクセスメモ
リー - 【請求項５】前記強磁性体超微粒子は、基板平面上の格
子点に規則的にあけられた穴に着床・固定されることを
特徴とする特許請求の範囲第４項記載の不揮発性高記録
密度ランダムアクセスメモリー - 【請求項６】格子点は、正方格子又は平行四辺形又は蜂
の巣状又は三角格子状の格子点であることを特徴とする
特許請求の範囲第４項又は第５項記載の不揮発性高記録
密度ランダムアクセスメモリー - 【請求項７】強磁性体微粒子はＳｉ又はＳｉＯ2等の第
１の絶縁体膜によって固定されることを特徴とする特許
請求の範囲第４項から第６項の何れかの不揮発性高記録
密度ランダムアクセスメモリー - 【請求項８】随時書き込み・読み出し用の線は、相互に
Ｓｉ又はＳｉＯ2等の第２の絶縁体膜を介して第１の絶
縁体膜の上に設けることを特徴とする特許請求の範囲第
７項記載の不揮発性高記録密度ランダムアクセスメモリ
ー - 【請求項９】随時書き込み線は格子点において相互に接
触しないで交差する２群の線からなることを特徴とする
特許請求の範囲第４項から第８項の何れかの不揮発性高
記録密度ランダムアクセスメモリー - 【請求項１０】随時読み出し線は１本のラインからなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第４項から第９項の何
れかの不揮発性高記録密度ランダムアクセスメモリー - 【請求項１１】書き込みたい格子点を通る相互に交差す
る２本の随時書き込み線には、それぞれ強磁性体超微粒
子の磁化の反転に必要な臨界電流以下の電流を送りこむ
ように構成したことを特徴とする特許請求の範囲第８項
または第９項の何れかの不揮発性高記録密度ランダムア
クセスメモリー - 【請求項１２】読み出したい格子点を通る随時書き込み
線には、読み出し時および読み出し後にも電流を送りこ
むように構成したことを特徴とする特許請求の範囲第８
項、第９項又は第１１項の何れかの不揮発性高記録密度
ランダムアクセスメモリー - 【請求項１３】強磁性体超微粒子は非磁性体基板表面上
の格子点に規則的にあけられた穴に着床・固定し、この
格子点を通る随時書き込み・読み出し用の線を設け、こ
のように構成したものを複数枚重ね合わせて一体とする
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の不揮発性
高記録密度ランダムアクセスメモリー
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59001255A JPH0632208B2 (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | 不揮発性高記録密度ランダムアクセスメモリー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59001255A JPH0632208B2 (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | 不揮発性高記録密度ランダムアクセスメモリー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60145589A JPS60145589A (ja) | 1985-08-01 |
| JPH0632208B2 true JPH0632208B2 (ja) | 1994-04-27 |
Family
ID=11496344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59001255A Expired - Lifetime JPH0632208B2 (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | 不揮発性高記録密度ランダムアクセスメモリー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0632208B2 (ja) |
-
1984
- 1984-01-10 JP JP59001255A patent/JPH0632208B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60145589A (ja) | 1985-08-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6509621B2 (en) | Magnetic random access memory capable of writing information with reduced electric current | |
| US3967002A (en) | Method for making high density magnetic bubble domain system | |
| US6970379B2 (en) | System and method for storing data in an unpatterned, continuous magnetic layer | |
| US6005800A (en) | Magnetic memory array with paired asymmetric memory cells for improved write margin | |
| US6929957B2 (en) | Magnetic random access memory designs with patterned and stabilized magnetic shields | |
| JPH03102699A (ja) | 磁区クリープ除去用超伝導体保護装置を有する薄膜メモリ装置 | |
| JP2006041537A (ja) | 磁気トンネル接合、磁気ランダムアクセスメモリ、渦磁化状態の形成方法および渦磁化状態の切り換え方法 | |
| KR20080059044A (ko) | 3차원 자기 메모리 | |
| KR100526280B1 (ko) | 자성 메모리 어레이, 자성 메모리 어레이에 기록하는방법, 및 자성 메모리 어레이로부터 판독하는 방법 | |
| CN100442384C (zh) | 一种制备数据存储器件的方法 | |
| JPH0632208B2 (ja) | 不揮発性高記録密度ランダムアクセスメモリー | |
| US6865107B2 (en) | Magnetic memory device | |
| US6579625B1 (en) | Magnetoelectronics element having a magnetic layer formed of multiple sub-element layers | |
| CA1071760A (en) | Single sided, high density bubble domain propagation device | |
| EP0081215B1 (en) | Magnetic bubble memory | |
| US4122538A (en) | Single wall domain, stripe domain memory plane | |
| JPH0313673B2 (ja) | ||
| JPS6059669B2 (ja) | 高密度バブルメモリ素子 | |
| US3432817A (en) | Apparatus for information storage with thin magnetic films | |
| US4316263A (en) | Transfer and replication arrangement for magnetic bubble memory devices | |
| US3466635A (en) | Magnetic film storage device with nondestructive readout | |
| US3510855A (en) | Magnetic storage devices | |
| US4962477A (en) | Enhanced crossite random access memory element and a process for the fabrication thereof | |
| Lin et al. | Computer: Contiguous-element memories increase storage tenfold: An overlapping-triangle configuration for bubble memories may displace permalloy-chevron types | |
| JPS5916192A (ja) | 磁気バブル素子 |