JPH06324122A - 電子回路基板の非接触テスト装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 適切に動作している電子回路基板と、適切に
動作していない電子回路基板とを正確に識別する。 【構成】 電磁放射検出プローブがテスト中の電子回路
基板から近い距離に配置され、この電子回路基板はプロ
ーブの近くの電子回路基板の領域から電磁放射を検出す
る間に動作し、検出された電磁放射の時間領域表示が行
われる。検出された電磁放射の時間領域表示は、適切に
動作する既知の電子回路基板の電磁放射の時間領域表示
と比較される。好ましくは、電界検出プローブの配置が
電子回路基板のいくつかの領域からの放射を検出するた
めに同時に使用され、検出される電磁放射の時間領域表
示は同時に行われ、適切に動作する既知の電子回路基板
からの電磁放射の各時間領域表示と比較される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子回路基板の自動化
された非接触テスト用の電子回路基板テスト装置に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】電子回路基板は、従来、電子プローブを
用いて電子回路基板上のテストポイントに物理的に接触
することによってテストされ、これらのポイントの電圧
が検出されている。テスト中の電子回路基板で検出され
た電圧は、計算された電圧または正しく動作している既
知の電子回路基板から検出される電圧と比較され、テス
ト中の電子回路基板が正しく動作しているかどうかを決
定する。

【０００３】高性能テスト装置は、電子回路基板の自動
化接触テストのために開発された。そのような自動化テ
スト装置は、「ネイルベッド（釘のベッド）」構成に配
列されたプローブ配列を有し、テスト中する電子回路基
板上の複数の異なるテストポイントに同時に接触する。
しかしながら、そのような高性能性にかかわらず、接触
テストの速度は、電圧が接触プローブで検出されるレー
トによって制限され、遠隔テスト装置に送出される。最
大テスト速度は、現在の高速回路に使用されるデータレ
ートよりもしばしば遅く、そのため接触テストは通常の
動作速度においてテスト中の回路の動作をアクセスする
ことができない。そのうえ、テストポイント対して電子
回路基板上でスペースが与えられなければならず、また
「ネイルベッド」は、テストポイントと整列するように
正しく配置されなければならない。また、この「ネイル
ベッド」は、自動化接触ポイントのテストを成功させる
ためには、テスト中の電子回路基板に損害を与えない
で、各テストポイントと良好なオーム接触をしなければ
ならない。したがって、高速度、非接触テスト方法及び
装置が望ましい。

【０００４】米国特許５，００６，７８８は電子回路基
板の自動非接触テストのための装置を開示する。この開
示された装置はワイヤ・ループプローブの長方形の配列
と、同調受信機と、各プローブを受信機に接続するため
のアドレス回路を含む。その装置はさらに、プローブに
よって検出された信号を処理するための信号プロセッサ
と、受信された信号を二次元マップとして表示するため
のディスプレイを含む。

【０００５】米国特許５，００６，７８８によって開示
される装置はワイヤ・ループプローブ配列を電子回路基
板に隣接して配置し、電子回路基板を動作させ、プロー
ブ配列の個々のプローブを同調受信機に連続して接続す
るすることにより動作させる。動作中の電子回路基板か
らの電磁放射による局部磁界は、ワイヤ・ループプロー
ブに電流を誘起し、これらの電流は同調受信機によって
連続して検出される。信号プロセッサは、連続してサン
プルされた電流を、受信機が同調している周波数の電磁
放射の二次元マップとして表示されるデータファイルに
集める。

【０００６】表示された電磁放射の二次元マップは、過
度の電磁放射を行う電子回路基板上の構成要素の位置を
検出するのに元来有益である。そのような構成要素の位
置が検出されると、国の基準（例えば、米連邦通信委員
会によって規定された電磁放射基準）を遵守するように
電磁放射を減少させるために、再設計あるいは再配置が
できる。

【０００７】米国特許５、００６、７８８によれば、開
示された発明は適切に動作している電子回路基板と適切
に動作していない電子回路基板とを識別するためにも使
うことができる。適切に動作していない電子回路基板
は、適切に動作している電子回路基板と比べて異なるパ
ターンの電磁放射パターンを有するはずである。全ての
適切に動作している電子回路基板は十分に類似の電磁放
射パターンを有するが、適切に動作していない電子回路
基板は、適切に動作している電子回路基板の特性を有す
る電磁放射パターンの電子回路基板と異なるパターンと
なる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】残念ながら、米国特許
５，００６，７８８で開示された装置によって測定する
場合に、適切に動作している電子回路基板の電磁放射は
適切に動作している回路と適切に動作していない回路を
信頼して識別できる程度に十分異なる電磁放射のパター
ンを常に有するわけではない。実際、適切に動作してい
る特定の周波数における二つの電子回路基板の電磁放射
マップの差は（米国特許の５，００６，７８８において
開示された装置で測定されるように）時として適切に動
作している電子回路基板と適切に動作していない電子回
路基板との放射マップにおける差よりも大きい。そのよ
うな場合には、適切に動作していない電子回路基板は適
切に動作している電子回路基板と容易に識別できない。

【０００９】本発明は適切に動作している回路と適切に
動作していない回路を完全に識別する電子回路基板テス
ト装置を供給する。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の電子回路基板の
非接触テスト装置は電子回路基板を動作させるためのコ
ントローラと、電子回路基板が動作している間にプロー
ブの近くで電子回路基板領域からの電磁放射を検出する
ための少なくとも一つの非接触電磁放射検出プローブ
と、検出された電磁放射の時間領域表示を行い、検出さ
れた電磁放射の時間領域表示と、適切に動作する既知の
電子回路基板からの電磁放射の時間領域表示とを比較す
るための信号アナライザとによって構成される。

【００１１】

【作用】テスト装置を使用する場合において、電磁放射
検出プローブは、テスト中の電子回路基板から近い距離
に配置され、その電子回路基板はプローブの近くの電子
回路基板の領域からの電磁放射を検出している間動作
し、検出された電磁放射の時間領域表示が行われる。検
出された電磁放射の時間領域表示は、適切に動作してい
る既知の電子回路基板の電磁放射の時間領域表示と比較
される。

【００１２】一つの電磁放射検出プローブは、電子回路
基板に対応する領域から近い距離にある異なる位置に連
続して配置できる。電子回路基板は、プローブの各位置
において連続して電磁放射を検出する間動作し、検出さ
れた電磁放射の時間領域表示は連続して行われ、適切に
動作している既知の電子回路基板の電磁放射の時間領域
表示と連続して比較される。

【００１３】これに対して、複数の電磁放射検出プロー
ブは、電子回路基板から近い距離を配置され、電子回路
基板の複数の領域からの電磁放射を検出する。電磁放射
は、各プローブで同時に検出でき、各プローブで同時に
検出され、各プローブで検出された電磁放射の時間領域
表示は同時に行われ、検出された電磁放射の時間領域表
示は適切に動作している既知の電子回路基板の電磁放射
のそれぞれの時間領域表示と比較される。そのような同
時の検出及び処理によってさらに高速の電子回路基板の
テストが可能になる。

【００１４】これに対して、連続及び同時処理方法は、
複数の同時動作可能なプローブを供給し、複数のプロー
ブを異なる位置で連続して動作させることを組合わせる
ことによって、より大きな領域からの電磁放射を測定
し、一つの位置の複数のプローブによってサンプルされ
るよりも高い解像度で電磁放射を測定できる。このよう
に、複数のプローブは、この電子回路基板の対応する領
域から近い距離にある異なる位置に連続して配置され、
この電子回路基板は、各連続位置の複数の各プローブに
より電磁放射を検出する間動作する。各プローブにより
検出された電磁放射の時間領域表示は、複数のプローブ
の各連続位置で同時に行われる。各プローブによって検
出された電磁放射の時間領域表示は複数のプローブの各
連続する位置で適切に動作する既知の電子回路基板の電
磁放射の時間領域表示と同時に比較される。所定のテス
ト装置に対するプローブの数及び同時処理の量は、テス
ト時間対テスト・ハードウェアの費用を考慮して決めら
れる。

【００１５】

【実施例】図１は、電子回路基板２００を非接触でテス
トするためのテスタ１００の概略ブロック図である。テ
スタ１００は、コントローラ１１０と、電磁放射検出プ
ローブ１２０と、信号アナライザ１３０、及びモータ制
御回路１４０から構成される。電磁放射検出プローブ１
２０は通常千以上供給されるけれども便宜上３つのみが
示される。

【００１６】図２は、コントローラ１１０の拡大された
ブロック図である。コントローラ１１０は、マスタクロ
ック・ジェネレータ１１２、ボードクロック・ジェネレ
ータ１１４、マスタプロセッサ１１６及びタイミング回
路１１８から構成される。マスタクロック・ジェネレー
タ１１２は、ボードクロック・ジェネレータ１１４、マ
スタプロセッサ１１６及びタイミング回路１１８を動作
させるためにマスタクロック・バス１１３上にマスタク
ロック信号を提供する。マスタクロック信号は典型的に
は約１ＭＨｚのマスタクロックレートを有している。

【００１７】ボードクロック・ジェネレータ１１４は、
位相ロックループであり、ボードクロック信号を生成す
る。そのボードクロック信号はマスタクロック信号の立
ち上がり端で同期し、マスタクロックレートの倍数であ
るボードクロックレートを有している。ボードクロック
信号は、ボードクロックリード１１５を介して電子回路
基板２００に印加され、電子回路基板２００を動作させ
る。好ましくは、ボードクロックレートは、テスト条件
下での電子回路基板２００の動作が通常の動作条件下の
動作とできるだけ近くなるようなクロックレートに設定
される。マスタプロセッサ１１６は一以上のテスト入力
リード１１７を介してテスタ１００の動作に同期してテ
スト入力信号を電子回路基板２００に印加し、電子回路
基板２００の動作を開始させ、電子回路基板２００の所
定の要素についてテストを実行する。

【００１８】タイミング回路１１８は、タイミングリー
ド１１９を介して信号アナライザ１３０に印加するため
のサンプリングパルスを生成する。このサンプリングパ
ルスは電磁放射検出プローブ１２０により検出される電
磁放射のサンプリングをトリガし、マスタクロック信号
に同期される。しかし、このタイミングパルスの正確な
タイミングは、以下に詳細に記述されるように、マスタ
プロセッサ１１６によって制御される。

【００１９】図３は、タイミング回路１１８を拡大した
ブロック概略図である。タイミング回路１１８は、微細
遅延要素１８２とサンプリング・パルスジェネレータ１
８４及びＲＳフリップフロップ１８６を含む。微細遅延
要素１８２はランプジェネレータ８２１を含む。それは
マスタクロック信号ＭＣＬＫに同期されたのこぎり歯信
号Ｓを生成する。微細遅延要素１８２は、さらに比較器
８２２を含み、のこぎり歯信号Ｓをフィードバック信号
ＩＮＴと比較しマスタクロックレートの修正マスタクロ
ック信号ＭＭＣＬＫを生成する。その修正マスタクロッ
ク信号ＭＭＣＬＫは、微細遅延選択バス１６２上でメイ
ンプロセッサ１１６によって供給された微細遅延選択コ
ードに対応するデューティサイクルを有する。

【００２０】フィードバック信号ＩＮＴは、フィードバ
ック回路８２３によって、修正マスタクロック信号ＭＭ
ＣＬＫ及び微細遅延選択コードから生成される。フィー
ドバック回路８２３は、図３において示されるように、
一対のカウンタ２３１及び２３２、一対の組合わせネッ
トワーク２３３、２３４、ＲＳフリップフロップ２３
５、ＯＲゲート２３６、差動バッファ２３７及び差動積
分器２３８を含む。カウンタ２３１は、イネーブルされ
た場合、修正マスタクロック信号ＭＭＣＬＫのパルスを
カウントし、組合わせネットワーク２３３は、現在のカ
ウントを微細遅延選択コードと比較し、現在のカウント
が微細遅延選択コードと一致するときはＲＳフリップフ
ロップ２３５をセットする。

【００２１】フリップフロップ２３５の出力は、カウン
タ２３１、２３２の入力をイネーブルにするためにフィ
ードバックされ、一方のカウンタ２３１をディスエイブ
ルにし、他方、カウンタ２３２をイネーブルにするよう
にフリップフロップ２３５がセットされる。他方のカウ
ンタ２３２は、修正マスタクロック信号ＭＭＣＬＫのパ
ルスをカウントし、組合わせネットワーク２３４は、現
在のカウントと固定カウントを比較し、現在のカウント
と固定カウントが一致すると、ＲＳフリップフロップ２
３５をリセットする。フリップフロップ２３５をセット
すると、一方のカウンタ２３１がイネーブルにされ、他
方のカウンタ２３２はディスエイブルにされ、サイクル
を再開させる。

【００２２】したがって、フリップフロップ２３５の出
力は、微細遅延選択コードに対応する多くのマスタクロ
ック・サイクルをハイに保持し、固定カウントに対応す
る多くのマスタクロック・サイクルをローに保持する。
ＯＲゲート２３６はフリップフロップ２３５の出力を修
正マスタクロック信号ＭＭＣＬＫと結合し、その結果、
差動バッファ２３７は非反転出力Ａ及び反転出力Ｂを供
給し、差動積分器２３８はがこれらの信号間の差を積分
してフィードバック信号ＩＮＴを生成する。

【００２３】図４は、微細遅延要素１８２の動作を図示
しているタイミング・ダイアグラムである。例えば、遅
延選択コードが３にセットされ、固定カウントが４にセ
ットされている場合は、差動バッファ２３７の非反転出
力Ａは修正マスタクロック信号ＭＭＣＬＫの３サイクル
の間ハイに保持され、その後、修正マスタクロック信号
ＭＭＣＬＫが４サイクル間これに続く。フィードバック
信号ＩＮＴは、非反転出力Ａとその反転出力Ｂの間の集
積された差であり、安定状態においては、その反転出力
Ｂは、比較器８２２は修正マスタクロック信号ＭＭＣＬ
Ｋのデューティサイクルをセットさせ、その結果、非反
転出力Ａ及び反転出力Ｂの直流成分は等しい。

【００２４】もし遅延選択コードが、３から１に切り換
えられた場合は、非反転出力Ａ’は、修正マスタクロッ
ク信号ＭＭＣＬＫの１サイクルの間だけハイに保持さ
れ、その後、修正マスタクロック信号は４サイクルの間
ローになる。したがって、非反転及び反転出力Ａ’、
Ｂ’の直流成分は同じでなくなり、フィードバック信号
ＩＮＴは、上昇し始め、修正マスタクロック信号ＭＭＣ
ＬＫのデューティサイクルを増加させる。この回路は、
フィードバック信号の新しい値ＩＮＴ”において安定す
る。その信号は修正マスタクロック信号ＭＭＣＬＫを供
給する。そのＭＭＣＬＫ”信号は非反転及び反転入力
Ａ”、Ｂ”の直流成分が再びバランス状態に戻るのに十
分に大きなデューティサイクルを有する。したがって、
修正マスタクロック信号ＭＭＣＬＫのデューティサイク
ルは、マスタプロセッサ１１６により供給された微細遅
延選択コードによって決定された増分において制御され
る。

【００２５】図４において示されるタイミング・ダイア
グラムは、微細遅延要素１８２の動作を簡単に説明する
ためのものである。テスター１００において、微細遅延
要素１８２は、マスタクロック信号の周期の５％又はそ
れより少ない増加によって、修正マスタクロック信号の
デューティサイクルを調節するために使われる。そのよ
うな調節は、組合わせネットワーク２３４の一つにプロ
グラムされるより高い固定カウント値を必要とするが、
その値は小さすぎてタイミングダイアグラムにおいては
容易に識別することはできない。しかし、そのような調
整をするために使われる方法は、基本的には図示された
ように必須のものである。さらに、よりフレキシブルな
微細遅延要素１８２の構成において、固定カウントを決
定する組合わせネットワーク２３４は、プログラム可能
な要素を含み、デューティサイクルの調整によって増分
サイズが調節されるように固定カウントが調整される。

【００２６】サンプリング・パルスジェネレータ１８４
は、位相ロックループ８４２を含み、それは修正メイン
クロック信号ＭＭＣＬＫの立下り端に同期したサンプリ
ングパルスを供給するように構成され、マスタクロック
レートの倍数のレートを有し、そのレートは典型的には
約２０ＭＨｚである。サンプリング・パルスジェネレー
タ１８４は、さらにカウンタ８４４及び組合わせネット
ワーク８４６の形のサンプリングパルス・ゲート及びフ
リップフロップ８４８を含む。

【００２７】カウンタ８４４は、マスタプロセッサ１１
６によって供給されたリセットリード８４５上の信号に
よってリセットされ、位相ロックループ８４２によって
供給されたサンプリングパルスをカウントする。組合わ
せネットワーク８４６は、そのカウント値を粗遅延選択
バス１６４上に供給されるマスタプロセッサ１１６によ
って供給されるディジタル粗遅延選択コードと比較し、
このカウント値が、粗遅延選択コードと一致するときの
み、論理”１”を供給する。このカウントが粗遅延選択
コードと一致するときだけ、フリップフロップ８４８
は、遅延クロック信号の立下り端に同期されたサンプリ
ングパルスを通過させる。

【００２８】微細遅延要素１８２によって供給される遅
延は、各粗遅延間隔を整数の微細遅延間隔に分割するた
めに選択される。組合わせネットワーク８４６とフリッ
プフロップ８４８を通過した所定のサンプリングパルス
に対する粗遅延間隔の数及び微細遅延間隔の数は、後に
詳しく記述されるようなサンプリングアルゴリズムに従
って、マスタプロセッサ１１６によって選択される。電
子回路基板２００の動作は、マスタクロック信号ＭＣＬ
Ｋの立上り端に同期し、サンプリングパルスは、修正マ
スタクロック信号ＭＭＣＬＫの立下り端に同期するの
で、このサンプリングパルスは、電子回路基板動作のス
タートに関して可変遅延を有する。可変の遅延は、粗及
び微細遅延選択コードによって決定される。

【００２９】タイミング回路１１８のＲＳフリップフロ
ップ１８６は、カウンタ８４４のリセットリード８４５
に接続されるリセット・インプット、及びタイミングリ
ード１１９に接続されるセット入力を有する。したがっ
て、ＲＳフリップフロップ１８６は、カウンタ８４４と
ともにリセットされ、サンプリングパルスがサンプリン
グ・パルスジェネレータ１８４によって生成される度に
セットされる。

【００３０】信号アナライザ１３０は、複数の信号解析
要素１３２を含む。各信号解析要素１３２は、複数の電
磁放射検出プローブ１２０に接続されて、その関連する
電磁放射検出プローブ１２０によって検出された電磁放
射を解析する。

【００３１】図５は、信号アナライザ１３０の一つの信
号解析要素１３２の概略ブロック図である。信号解析要
素１３２は、複数のバッファ３２１、マルチプレクサ３
２２、増幅器３２４、比較回路３２６及びメモリを含む
プローブプロセッサ３２８を含む。マルチプレクサ３２
２は、プローブ選択リード１６６上のマスタプロセッサ
１１６によって供給される信号に応答し、各バッファ３
２１を介してマルチプレクサ３２２に接続されるプロー
ブリード１２２上の信号を選択する。増幅器３２４は、
選択された信号を増幅する。比較回路３２６は、図５に
示すように接続された、上限Ｄ／Ａコンバータ２６２、
下限Ｄ／Ａコンバータ２６３、上限Ｄ／Ａ比較器２６
４、下限Ｄ／Ａ比較器２６５、上限フリップフロップ２
６６、下限フリップフロップ２６７を含む。

【００３２】信号解析要素１３２は、データ符号化モー
ド及びデータ比較モードで動作可能である。データ符号
化モードにおいては、下限Ｄ／Ａコンバータ２６３はプ
ローブプロセッサ３２８によって供給されたディジタル
コードを増幅された信号と下限比較器２６５によって比
較するためにアナログ基準信号に変換する。この比較の
結果は、下限フリップフロップ２６７に供給され、それ
はタイミング回路１１８によって供給されるサンプリン
グパルスによってタイミングされる。

【００３３】ＲＳフリップフロップ１８６がサンプリン
グパルスによってセットされる時に、プローブプロセッ
サ３２８は、タイミング回路１１８のＲＳフリップフロ
ップ１８６をポーリングし、下限フリップフロップ２６
７の出力をサンプリングする。データ符号化モードにお
いては、任意のディジタル・コードが、プローブプロセ
ッサ３２８によって上限Ｄ／Ａコンバータ２６２に供給
され、上限フリップフロップ２６６の出力は、プローブ
プロセッサ３２８によって無視される。これに対して、
上限Ｄ／Ａコンバータ２６２、比較器２６４及び下限フ
リップフロップ２６７はデータ符号化モードにおける信
号解析要素１３２の動作の間にディスエイブルにされ
る。

【００３４】データ符号化モードにおける信号解析要素
１３２の動作の間に、プローブプロセッサ３２８及びマ
スタプロセッサ１１６は、ディジタル的に増幅信号を符
号化する連続近似アルゴリズムに従って、比較回路３２
６を制御する。

【００３５】この増幅信号の各サンプルは、各サンプリ
ング点における増幅信号を示すｎビット・ディジタル・
コードの１ビットを決定するために使われる。したがっ
て、サンプリング点を移動するために、各サンプリング
点において遅延選択コードを増加する前にｎ個の連続サ
ンプルが取られる。

【００３６】微細遅延要素１８２は微細遅延選択コード
を各々変更した後、設定するための時間が多少必要であ
るので、粗遅延選択コードは微細遅延選択コードより頻
繁に変更される。これによって、データ符号化レート上
の遅延ロック・ループ設定時間の影響を最小にする。

【００３７】信号解析要素１３２が、データ比較モード
で動作しているとき、プローブプロセッサ３２８は、ス
トアされたディジタル・コードを上限Ｄ／Ａコンバータ
２６２及び下限Ｄ／Ａコンバータ２６３の両方に供給す
る。Ｄ／Ａコンバータ２６２及び２６３は、上限Ｄ／Ａ
比較器２６４及び下限Ｄ／Ａ比較器２６５によって増幅
信号とそれぞれ比較するために、ディジタル・コードを
上限及び下限アナログ信号に変換する。この比較の結果
は、フリップフロップ２６６及び２６７に供給され、そ
のフリップフロップはタイミング回路１１８によって供
給されるサンプリングパルスによってタイミングされ、
その結果をプローブプロセッサ３２８に結合する。この
比較の結果は、サンプリング点でプローブプロセッサ３
２８によって指定された上限及び下限の間に増幅信号が
存在するか否かを表示する。

【００３８】図７は、本発明の一実施例である図１のテ
スタで使用される電磁放射のサンプルを比較するアルゴ
リズムを示すフローチャートである。電子回路基板２０
０は、もしあるサンプルがこれらのサンプルに対して指
定された上限及び下限の外にある場合は除去される。電
子回路基板２００は、全てのサンプルが指定された限度
内にある場合のみ受け入れる。マスタプロセッサ１１６
及びプローブプロセッサ３２８間の通信は、バス１６８
及び１６９を介して行われる。

【００３９】図８は、テスタ１００の物理的な構造を示
す側面図である。テスタ１００はベース１０と、ベース
に固定された第１支柱１２、第２支柱（第１支柱の後ろ
に隠れている）及び第３支柱１４を含む。第１電動機１
６は、第１支柱１２に固定され、第１ブロック２０のネ
ジ穴を貫通する第１ネジ軸１８を駆動し、第２支柱に回
転可能に支持される。第１モータ１６はｘ座標に沿って
第１ブロック２０を回転させる。

【００４０】第１ブロック２０は第２電動機２２を有
し、その第２電動機２２は第１ネジ軸１８と直角に取り
付けられた第２ネジ軸２４を駆動する。第２ネジ軸２４
は第２ブロック２６のネジ穴を貫通し、第３支柱１４の
水平スロットにおいて摺動可能に支持される。第２電動
機２２はｙ座標に沿って第２ブロック２２を回転させ
る。

【００４１】第２ブロック２６は、垂直ネジ軸３０を駆
動する第３電動機２８を取り付けている。垂直ネジ軸３
０は、水平支持部材３２中のネジ穴を貫通し、その水平
支持部材３２の片端は、第３支柱１４の垂直スロットに
摺動可能に支持される。第３電動機２８は水平支持部材
３２を上下させる。

【００４２】水平回路キャリヤ３４は、垂直部材３６を
介して水平支持部材３２に装着される。水平回路キャリ
ヤ３４は、コントローラ１１０及びテスタ１００のモー
タ制御回路１４０を有する。モータ制御回路１４０は、
伸縮可能なワイヤ３８を介して電動機１６、２２、２６
に接続され、この伸縮可能なワイヤ３８は水平回路キャ
リヤ３４の動作をさせるのに破損しない十分な長さを有
する。

【００４３】垂直回路キャリヤ４０の配列は水平回路キ
ャリヤ３４に装着される。各垂直回路キャリヤ４０は、
信号アナライザ１３０の信号解析要素１３２を有する。
各信号解析要素１３２と関連するプローブ１２０は、各
垂直回路キャリヤ４０の端に装着され、垂直回路キャリ
ヤ４０から垂れ下がる。この位置で、電子回路基板２０
０がベース１０上に配置されるときに、プローブ１２０
はその電子回路基板２００の表面の近くに電動機１６、
２２、２６によって配置される。

【００４４】図９はプローブ１２０の装着をさらに詳細
に示す。誘電体スペーサ要素４２は、「ネイルベッド」
テスタで使われる接触プローブの装着に従来使われてい
たのと類似した「シリンダピストンバネ」機構４４を用
いることによって各垂直回路キャリヤ４０の端に装着さ
れる。プローブ１２０は、スペーサ要素４２と空間的な
関連をもってスペーサ要素４２にしっかり固定される。
その結果、スペーサ要素４２が電子回路基板２００と接
触するとき、プローブ１２０は電子回路基板２００の近
い距離に配置される。プローブ１２０は対応のフレキシ
ブル線（図示されない）を介して信号解析要素１３２に
接続される。プローブ１２０を柔軟に装着することによ
って、プローブ１２０は相対的な動きをし、プローブ配
列は図８に示されるように電子回路基板２００の表面形
状に適合できる。

【００４５】次の過程は、テスタ１００を用いて同じ設
計の電子回路基板を大量にテストするために使用され
る。プローブ１２０の配列が上昇すると、適切に動作す
ることが既知である電子回路基板２００はテスタ１００
のベース１０上に正確に位置づけされる。プローブ１２
０の配列が電子回路基板２００上に下げられると、信号
アナライザ１３０の各信号解析要素１３２は、データ符
号化モードに構成される。

【００４６】コントローラ１１０は、図６のサンプリン
グ・アルゴリズムがランしている間、電子回路基板２０
０のテストを実行する。このアルゴリズムによれば、信
号解析要素１３２は所定のサンプリング間隔で電子回路
基板２００からの電磁放射をサンプリングする。各サン
プリング点において各プローブ１２０でいくつかのサン
プルが取られ、各サンプリング点において各プローブ１
２０上で検出された電磁放射に対応するマルチビット・
ディジタルコードを発生し、そのマルチビット・コード
はプローブプロセッサ３２８によってストアされる。す
べてのプローブ１２０から電磁放射をサンプルするため
に、コントローラ１１０は、各信号解析要素１３２に対
してマルチプレクサ３２２を設定し、マルチプレクサ３
２２の各セットごとに図６のアルゴリズムを繰返す。

【００４７】もしプローブ１２０の配列が全電子回路基
板２００をカバーしないか、又はプローブ１２０の間隔
が適切な解像度にを得るために対して大きすぎるなら
ば、電動機１６、２２、２６を用いて電子回路基板２０
０上のプローブ１２０の配列のいくつかの異なる位置で
サンプルを取り、電子回路基板２００上にプローブ１２
０の配列を正確に再配置することが必要であろう。この
場合、サンプリングの手順は、電子回路基板２００上の
プローブ１２０の配列の各配列と同様である。

【００４８】全てが適切に動作しているいくつかの電子
回路基板２００は、上述のようにサンプルされ、各サン
プリング点において各プローブ１２０からのサンプルさ
れた電磁放射に対する上限及び下限を決定する。プロー
ブプロセッサ３２７は、ソフトウェアによって、サンプ
ルデータからの上限及び下限を計算しそれをストアし、
又は、サンプルデータは、上限及び下限の計算のため
に、外部プロセッサにダウンロードされ、その後プロー
ブプロセッサ３２７によって記憶されるためにアップロ
ードされる。

【００４９】プローブ１２０の各位置の各サンプリング
点においてサンプルされた電磁放射に対して、上限及び
下限がいったんセットされると、テスタ１００は他の電
子回路基板２００が適切に動作しているかどうかをアク
セスするために使われる。

【００５０】そのような電子回路基板２００をアクセス
するために、電子回路基板２００はテスタ１００のベー
ス１０上に、適切に動作している電子回路基板２００の
上限及び下限の間に配置される位置と全く同じ位置に配
置される。プローブ１２０は、上限及び下限の間で使用
される位置と全く同じ位置の電子回路基板２００上に配
置され、信号アナライザ１３０の各信号解析要素１３２
は、比較モードに構成される。

【００５１】コントローラ１１０は、図７の比較アルゴ
リズムがランしている間、上限及び下限をセットする間
に使われる信号と同じ信号で電子回路基板２００のテス
トを実行する。このアルゴリズムによると、信号解析要
素１３２は所定のサンプリング間隔において電子回路基
板２００からの電磁放射をサンプルし、サンプルされた
電磁放射と規定の上限及び下限とを比較する。もしサン
プルのうちどれかが、上限及び下限のリミットから外れ
れば、ミスマッチを検出するプローブプロセッサ３２８
は、そのことをコントローラ１１０に知らせ、コントロ
ーラ１１０は警告を発する。

【００５２】全てのプローブ１２０から電磁放射をサン
プルするために、コントローラ１１０は、各信号解析要
素１３２のマルチプレクサ３２２を繰り返し動作させ、
マルチプレクサ３２２を各々セットし、図７のアルゴリ
ズムを繰返す。プローブ１２０は上限及び下限を設定す
るために使用されるのと比順序と同じ順序でサンプルさ
れ、サンプルされた電磁放射が対応の上限及び下限と比
較される。

【００５３】電子回路基板２００上のプローブ１２０の
配列のいくつかの異なる位置で上限及び下限をセットす
るためにサンプルが取られた場合は、電子回路基板２０
０は、上限及び下限をセットするためにサンプルが取ら
れた電子回路基板２００上のプローブ１２０と全く同じ
位置でテストされなければならない。この場合、比較の
手順は、上限及び下限をセットするためにサンプルが取
られた電子回路基板２００上のプローブ１２０と同じ手
順である。

【００５４】比較手順によって除去された電子回路基板
２００は、その後他の手段によってテストされ、正しく
動作していると判断されることがある。その場合、除去
された基板２００に対しては、データ符号化モード中の
信号解析要素１３２を用いてサンプルされ、サンプルさ
れた電磁放射に対する新たな、より緩やかな上限及び下
限が設定される。

【００５５】次に、本発明の種々の他の変形された実施
例が列挙される。例えば、各信号解析要素１３２を各プ
ローブ１２０に供給することによって、すべてのプロー
ブ１２０からの電磁放射のサンプリングを同時に行い、
すべての時間領域表示を同時に発生させ、又はすべての
時間領域表示を同時に比較することができる。この場
合、信号解析要素１３２のマルチプレクサ３２２は不要
となる。極端な他の構造では、ただ一つの信号解析要素
１３２がすべてのプローブ１２０に供給され多重化され
る。この構造においては、電磁放射は、各プローブ１２
０によってサンプルされ、対応の時間領域表示が行わ
れ、その後比較が行われる。多重化の程度及びある応用
に対して望ましい並列処理の程度は、テスタのハードウ
ェアの費用と好ましいテスト速度またはスループットの
間のトレードオフによる。

【００５６】同様に、あるテストの応用に対するプロー
ブ１２０の数と構造はテスタ費用と、好ましいテスト速
度の間のトレードオフによる。一つの極端な例において
は、最も大きいと予想される電子回路基板２００を適当
な解像度でテストするのに十分なサイズと密度を有する
プローブ１２０の長方形配列が供給され、それによって
各電子回路基板２００がプローブ１２０の一つの位置で
十分にストされる。他の極端な例では、一つのプローブ
１２０が供給され、このプローブ１２０が連続してサン
プルのために電子回路基板２００上の異なる位置へ連続
して動かされる。これらの中間においては、より小さい
又はより低密度のプローブ１２０の長方形の配列、又は
直線配列のプローブ１２０によって、電子回路基板２０
０上の小さい数の位置を用いて適切なテスト解像度及び
十分な領域を包含できる。

【００５７】上述の実施例において、電子回路基板２０
０の位置は固定され、プローブ１２０の配列がプローブ
位置を決めるために動かされる。又は、プローブ１２０
の配列が固定され、電子回路基板２００がプローブ位置
を決めるために動かされる。コントローラ１１０のいく
つかの機能は、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）のよう
な一般的なプロセッサ上で実行される。この場合、いく
つかの又は全てのコントローラ１１０はプローブ１２０
の配置及びその関連回路から遠く離れて設けられ、コン
トローラ１１０はプローブ１２０と共に動く必要がなく
なる。

【００５８】信号解析要素１３２の符号化モード及び比
較モードが、連続テスト動作で使用される場合は、分離
された特殊の信号解析要素が各連続動作のそれぞれに対
して供給される。この場合、データ符号化のためだけに
使われる信号解析要素は、上限Ｄ／Ａ変換器２６２、比
較器２６４及びフリップフロップ２６６を必要としな
い。大量生産の動作中においては、いくつかのテスタが
データ比較動作のために使われ、一方、ただ一つのテス
タ１１０がデータ符号化の動作のために必要とされる。
符号化動作の結果は、データの符号化動作を実行してい
るテスタから、データの比較動作を実行しているテスタ
にダウンロードされる。テスタにおいては、テスタを意
図的に使用するに必要な信号解析機能のみを供給するほ
うが費用が安くなる。特に、各タイプのテスタは、特定
の応用に必要とされる特定のハードウエア及びソフトウ
エアだけを必要とする。

【００５９】テスト中に電子回路基板２００に供給され
たテスト入力は、各サンプルに対して電子回路基板２０
０を再開させるために使用されるボードクロック入力及
び同期信号に制限される。一方、テスト入力は、電子回
路基板２００又は疑似ランダムテストパターンの所定の
要素を動作するために設計されたテストパターンを含む
ように拡張できる。そのように拡張されたテスト入力は
マスタプロセッサ１１６又は外部プロセッサによって発
生される。もし電子回路基板が組込み自己テスト（ＢＩ
ＳＴ）要素を含むならば、テスト入力は電子回路基板２
００上にテストパターンを発生させるこれらの要素を実
行するための信号を含むことができる。

【００６０】上述の実施例において使われるプローブ１
２０は、直線ワイヤ電界検出プローブである。電界検出
プローブが好まれる理由は、検出された電界が所定のプ
ローブ１２０により検出される電子回路基板２００の領
域の電圧に直接関連するためである。また、そのような
電圧は、ワイヤ・ループ磁界検出プローブによって検出
される電流よりも、電子回路基板２００の動作特性によ
り直接的に関係している。それにもかかわらず、磁界検
出プローブは、少なくとも本発明の見地から逸脱しない
で使用できる。電界検出プローブは、テスト中の電子回
路基板に対する改善された容量性カップリングによっ
て、おそらく小さなプレートの形状の拡大されたチップ
で供給できる。

【００６１】図の実施例は、プローブを柔軟にマウント
することによって、プローブ配列はテスト中の電子回路
基板の表面形状に適合でき、テスト中の電子回路基板と
プローブ配列の間の結合を最大にする。もしテスト中の
電子回路基板の表面形状が装置のサイズ及び位置によっ
てかなり変化する場合は、プローブ配列の柔軟な動作は
電子回路基板ごとに異なり、このため電子回路基板の動
作とほとんど相関がない検出電磁放射に差を生じるであ
ろう。したがって、ある応用に対しては、柔軟性のない
プローブの装着が望ましいであろう。

【００６２】上述の実施例において、サンプルされた電
磁放射をディジタル的に符号化するために使用されるＡ
／Ｄ変換技術は、高速繰返し波形を安価に符号化する場
合は特に有利である。もし多くの信号解析要素が高速
度、高解像度のテストを達成する必要がある場合は、特
に安価な符号化が重要となる。

【００６３】例えば、図６及び図７で示された以外のサ
ンプリング・アルゴリズムを使用することができる。図
６及び図７のアルゴリズムにおいて、電子回路基板２０
０の動作は、連続する再開時間で周期的に再開され、電
磁放射は連続する再開時間の間の一つのサンプリング時
間で電子回路基板２００からサンプルされる。このサン
プリング点は、再開時間に関して所定の遅れがあり、こ
れらのサンプリング遅延は、一連の粗遅延増加の間一連
の各微細遅延が増加される。連続の再開時間の間に一つ
のサンプルをとる代わりに、複数のサンプルを連続する
再開時間の間にとることができる。そのようなサンプリ
ング・アルゴリズムは、図６及び図７に示されるアルゴ
リズムより潜在的に速い。

【００６４】上述の実施例において比較処理をスピード
アップするためにウィンドウ比較が使われる。同様に、
動作が不明な電子回路基板２００からサンプルされる電
磁放射をディジタル的に符号化し、そのディジタル的に
符号化されたサンプルをディジタル的に符号化された上
限及び下限と比較することは可能である。ただし、この
場合、比較の速度に影響がでるかもしれない。

【００６５】比較のために使われる上限及び下限は、適
切に動作し又は動作していない電子回路基板の動作のシ
ミュレーションから計算され、一以上のより適切に動作
し又は動作していない電子回路基板から測定され、又は
これらの計算及び測定の組合わせによって得られる。受
け入れ基準は、上限及び下限を有する各電磁放射サンプ
ルの単純な比較よりももっと複雑である。例えば、受け
入れ基準は、いくつかの所定の電磁放射サンプル間の関
係に依存する。

【００６６】なお、本発明においては、次のような実施
の態様が可能である。 （１） テスト中の電子回路基板から近い距離に少なく
とも一つの電磁放射検出プローブを配置し、プローブの
近くの電子回路基板の領域から電磁放射を検出する間、
電子回路基板を動作させ、検出された電磁放射の時間領
域表示を行い、検出された電磁放射の時間領域表示を適
切に動作する既知の電子回路基板の電磁放射の時間領域
表示と比較することを特徴とする電子回路基板の非接触
テスト方法。

【００６７】（２） 上記（１）の方法において：電子
回路基板から近い距離に複数の電磁放射検出プローブを
配置し、電子回路基板の複数の領域からの電磁放射を検
出することを特徴とする電子回路基板の非接触テスト方
法。

【００６８】（３） 上記（２）の方法において：各プ
ローブで電磁放射を同時に検出し、各プローブによって
検出された電磁放射の時間領域表示を同時に行い、検出
された電磁放射の時間領域表示を、適切に動作している
既知の電子回路基板の電磁放射の各時間領域表示と比較
することを特徴とする電子回路基板の非接触テスト方
法。

【００６９】（４） 上記（１）の方法において：電子
回路基板の対応する領域から近い距離にあるそれぞれ異
なった位置にプローブを連続して配置し、プローブの各
位置で電磁放射を連続して検出する間、電子回路基板を
動作させ、検出された電磁放射の時間領域表示を連続し
て行い、検出された電磁放射の時間領域表示を、適切に
動作する既知の電子回路基板の電磁放射の時間領域表示
と比較することを特徴とする電子回路基板の非接触テス
ト方法。

【００７０】（５） 上記（２）の方法において：電子
回路基板の対応する領域から近い距離の異なる位置に複
数のプローブを連続して配置し、複数のプローブのそれ
ぞれの連続する位置にあるプローブで電磁放射を同時に
検出する間、電子回路基板を動作させ、複数のプローブ
のそれぞれ連続する位置にある各プローブで検出された
電磁放射の時間領域表示を同時に行い、各プローブによ
って検出された電磁放射の時間領域表示を、複数のプロ
ーブの各連続位置で適切に動作する既知の電子回路基板
の電磁放射の時間領域表示と比較することを特徴とする
電子回路基板の非接触テスト方法。

【００７１】（６） 上記（１）の方法において：電子
回路基板からの電磁放射を検出している間、テスト入力
を電子回路基板に供給することを特徴とする電子回路基
板の非接触テスト方法。

【００７２】（７） 上記（６）の方法において：テス
ト入力は、電子回路基板の動作と、検出された電磁放射
の時間領域表示を行うために使用される装置の動作とを
同期させるためのタイミング信号を含むことを特徴とす
る電子回路基板の非接触テスト方法。

【００７３】（８） 上記（７）の方法において：テス
ト入力は、タイミング信号の他に、電子回路基板の所定
の要素を実行する追加の信号を含むことを特徴とする電
子回路基板の非接触テスト方法。

【００７４】（９） 上記（８）の方法において：追加
の信号は、電子回路基板の組込み自己テスト要素を実行
することを特徴とする電子回路基板の非接触テスト方
法。

【００７５】（１０） 上記（１）の方法において：プ
ローブを用いて電子回路基板の電磁放射の電界を検出す
ることを特徴とする電子回路基板の非接触テスト方法。

【００７６】（１１） 上記（１）の方法において：時
間領域表示を行うステップは、検出された電磁放射を増
幅することを特徴とする電子回路基板の非接触テスト方
法。

【００７７】（１２） 上記（１）の方法において：時
間領域表示を発生するステップは、検出された電磁放射
をサンプリングし及びディジタル的に符号化することを
特徴とする電子回路基板の非接触テスト方法。

【００７８】（１３） 上記（１２）の方法において：
連続する近似値によって、検出された電磁放射をディジ
タル的に符号化することを含むことを特徴とする方法。

【００７９】（１４） 上記（１３）の方法において：
検出された電磁放射のサンプルごとに一つのビットをデ
ィジタル的に符号化することを特徴とする電子回路基板
の非接触テスト方法。

【００８０】（１５） 上記（７）の方法において：連
続する再開時間で電子回路基板の動作を周期的に再開
し、連続する再開時間の間のサンプリング時間で所定数
で電子回路基板からの電磁放射をサンプルし、このサン
プリングタイムは再開時間に関するサンプリング遅延を
有し、このサンプリング遅延はサンプリングアルゴリズ
ムに従って変化することを特徴とする電子回路基板の非
接触テスト方法。

【００８１】（１６） 上記（１５）の方法において：
再開時間の間のサンプリング遅延を増加することを特徴
とする電子回路基板の非接触テスト方法。

【００８２】（１７） 上記（１６）の方法において：
連続する再開時間の間の１サンプリング時間で電子回路
基板からの電磁放射をサンプルし、一連の微細遅延増加
を介してサンプリング遅延を増加し、各微細遅延増加に
対する一連の粗遅延増加を介してサンプリング遅延を増
加することを特徴とする電子回路基板の非接触テスト方
法。

【００８３】（１８） 上記（１）の方法において：時
間領域表示を比較するステップは、検出された電磁放射
のサンプルを、適切に動作する少なくとも一つの既知の
電子回路基板のサンプルされた電磁放射の上限及び下限
と比較し、検出された電磁放射が上限及び下限のリミッ
トから外れているかどうかを決定することを特徴とする
電子回路基板の非接触テスト方法。

【００８４】（１９） 上記（１）の方法において：検
出された電磁放射の時間領域表示は、適切に動作する少
なくとも１つの既知の電子回路基板から以前に測定され
た電磁放射の時間領域表示と比較されることを特徴とす
る電子回路基板の非接触テスト方法。

【００８５】（２０） 上記（１）の方法において：検
出された電磁放射の時間領域表示は、適切に動作する電
子回路基板からの電磁放射をシミュレートする計算され
た時間領域表示と比較されることを特徴とする電子回路
基板の非接触テスト方法。

【００８６】（２１） 電子回路基板を動作させるため
のコントローラと、電子回路基板の動作中に、プローブ
の近くの電子回路基板の領域からの電磁放射を検出する
ための少なくとも一つの非接触電磁放射検出プローブ
と、検出された電磁放射の時間領域表示を行い、検出さ
れた電磁放射の時間領域表示を、適切に動作している既
知の電子回路基板の電磁放射の時間領域表示と比較する
ための信号アナライザを含むことを特徴とする電子回路
基板の非接触テスト装置。

【００８７】（２２） 上記（２１）の装置において：
そのコントローラは、マスタクロック信号を発生するた
めのマスタクロック・ジェネレータと、テスト中の電子
回路基板を動作させるために、マスタクロック信号に同
期したボードクロック信号を発生するボードクロック・
ジェネレータと、マスタクロック信号に同期し、信号ア
ナライザに印加するためのサンプリングパルスを発生
し、プローブによって検出される電磁放射のサンプリン
グをトリガするタイミング回路と、サンプリング・アル
ゴリズムに従ってタイミング回路を制御するためのマス
タプロセッサとを含むことを特徴とする電子回路基板の
非接触テスト装置。

【００８８】（２３） 上記（２２）の装置において：
マスタクロック信号はマスタクロックレートを有し、ボ
ードクロック・ジェネレータは、マスタクロック信号に
応答する位相ロックループであり、マスタクロックレー
トの倍数のボードクロックレートを有するボードクロッ
ク信号を発生することを特徴とする電子回路基板の非接
触テスト装置。

【００８９】（２４） 上記（２２）の装置において：
マスタプロセッサは、少なくとも一つのテスト入力信号
をテスト中の電子回路基板に供給し、テスト中の電子回
路基板を動作させ、各テスト入力信号はマスタクロック
に同期することを特徴とする電子回路基板の非接触テス
ト装置。

【００９０】（２５） 上記（２２）の装置において：
タイミング回路は、マスタクロック信号からサンプリン
グパルスを得るためのサンプリング・パルスジェネレー
タと、微細遅延選択コードに応答して、微細遅延選択コ
ードに対応する微細遅延によって、マスタクロック信号
に関するサンプリングパルスを遅延させる微細遅延要素
を含み、マスタプロセッサは微細遅延選択コードを繰り
返し、サンプリング・アルゴリズムに従ってプローブに
よって検出された電磁放射をサンプルするように動作す
ることを特徴とする電子回路基板の非接触テスト装置。

【００９１】（２６） 上記（２５）の装置において：
微細遅延要素は微細遅延選択コード及びマスタクロック
信号に応答し、マスタクロックレートの修正マスタクロ
ック信号を発生し、その修正マスタクロック信号は、微
細遅延選択コードに対応するデューティサイクルを有
し、サンプリングパルス・ジェネレータはマスタクロッ
クレートの倍数でサンプリングパルスを発生するように
動作する位相ロックループを含み、サンプリング・パル
スはその修正マスタクロックの立下り端に同期すること
を特徴とする電子回路基板の非接触テスト装置。

【００９２】（２７） 上記（２６）の装置において：
サンプリングパルスジェネレータは、さらに：サンプリ
ングパルスをカウントするためのカウンタと、カウンタ
の出力と粗遅延選択コードに応答し、カウンタの出力を
粗遅延選択コードと較し、カウンタの出力と粗遅延選択
コードが一致するときのみサンプリングパルスを通過さ
せるサンプリングパルスゲートを含み、マスタプロセッ
サはサンプリング・アルゴリズムに従って、粗遅延選択
コードを繰返すように動作することを特徴とする電子回
路基板の非接触テスト装置。

【００９３】（２８） 上記（２７）の装置において：
微細遅延選択コードを変更する前に、マスタプロセッサ
は、微細遅延選択コードの各値の全範囲を通じて、粗遅
延選択コードを繰返すように動作することを特徴とする
電子回路基板の非接触テスト装置。

【００９４】（２９） 上記（２１）の装置において：
一つの電磁放射検出プローブと、さらに、プローブの相
対動作を行わせる駆動機構と、電子回路基板の異なる領
域からの電磁放射をサンプリングする電子回路基板とを
含むことを特徴とする電子回路基板の非接触テスト装
置。

【００９５】（３０） 上記（２１）の装置において：
電磁放射検出プローブの配置を含むことを特徴とする電
子回路基板の非接触テスト装置。

【００９６】（３１） 上記（３０）の装置において：
プローブの配列は、直線配列であり、この装置は、さら
に、プローブの配置の相対動作を行わせるための駆動機
構と、電子回路基板の異なる領域からの電磁放射をサン
プリングするための電子回路基板とを含むことを特徴と
する電子回路基板の非接触テスト装置。

【００９７】（３２） 上記（３０）の装置において：
プローブの配列は、長方形の配列であることを特徴とす
る電子回路基板の非接触テスト装置。

【００９８】（３３） 上記（３０）の装置において：
その装置は、さらに、プローブ配列の相対動作を行わせ
るための駆動機能と、電子回路基板の異なる領域からの
電磁放射をサンプリングするための電子回路基板とを含
むことを特徴とする電子回路基板の非接触テスト装置。

【００９９】（３４） 上記（２１）の装置において：
電磁放射検出プローブは電界検出プローブであることを
特徴とする電子回路基板の非接触テスト装置。

【０１００】（３５） 上記（３０）の装置において：
配列の各プローブは、電界検出プローブであることを特
徴とする電子回路基板の非接触テスト装置。

【０１０１】（３６） 上記（２１）の装置において：
スペーサ要素が電子回路基板と接触するとき、スペーサ
要素はプローブと固定された空間的な関係を有し、その
プローブは電子回路基板から近い距離に配置されること
を特徴とする電子回路基板の非接触テスト装置。

【０１０２】（３７） 上記（３０）の装置において：
スペーサ要素が電子回路基板に接触するときに、プロー
ブが電子回路基板から近い距離に配置されるように各プ
ローブ配列と固定された空間的な関係を有する複数のス
ペーサ要素を有し、このスペーサ要素はプローブ配列が
電子回路基板の表面形状に一致するように、電子回路基
板と接触して相対的に動くように柔軟にマウントされる
ことを特徴とする電子回路基板の非接触テスト装置。

【０１０３】（３８） 上記（２１）の装置において：
信号アナライザは、少なくとも一つの信号解析要素を含
み、その信号解析要素は、プローブによって検出された
信号と、ストアされた信号とを比較するための比較回路
と、その比較回路を制御して、検出された信号のＡ／Ｄ
変換、ディジタル信号の蓄積、ディジタル信号の呼び戻
し、及び呼び戻された信号と検出された信号との比較を
行うためのプローブプロセッサを含むことを特徴とする
電子回路基板の非接触テスト装置。

【０１０４】（３９） 上記（３８）の装置において：
比較回路は：プローブプロセッサによって供給されたデ
ィジタル信号をアナログ基準信号に変換するためのＤ／
Ａ変換器と、プローブによって検出された信号をアナロ
グ基準信号と比較するための比較器と、サンプリングパ
ルスに応答し、信号比較の結果をプローブプロセッサへ
供給するフリップフロップを含むことを特徴とする電子
回路基板の非接触テスト装置。

【０１０５】（４０） 上記（３９）の装置において：
プローブプロセッサは、Ｄ／Ａ変換器及び比較器と共動
し、連続する近似値によってプローブにより検出された
信号をディジタル的に符号化することを特徴とする電子
回路基板の非接触テスト装置。

【０１０６】（４１） 上記（４０）の装置において：
プローブプロセッサは比較器と共動し、各プローブによ
って検出された信号を連続サンプル上のアナログ基準信
号と連続して比較し、各サンプルからディジタル情報の
１ビットを生成することを特徴とする電子回路基板の非
接触テスト装置。

【０１０７】（４２） 上記（３８）の装置において：
比較回路は、プローブプロセッサによって供給されたデ
ィジタル上限信号をアナログ上限基準信号に変換するた
めの上限Ｄ／Ａ変換器と、プローブプロセッサによって
供給されたディジタル下限信号をアナログ下限基準信号
に変換するための下限Ｄ／Ａ変換器と、プローブによっ
て検出された信号を上限基準信号と比較するための上限
比較器と、プローブによって検出された信号を下限基準
信号と比較するための下限比較器と、サンプリングパル
スに応答し、上限信号比較の結果をプローブプロセッサ
へ供給する上限フリップフロップと、サンプリングパル
スに応答し、下限信号比較の結果をプローブプロセッサ
へ供給する下限フリップフロップを含むことを特徴とす
る電子回路基板の非接触テスト装置。

【０１０８】（４３） 上記（３０）の装置において：
プローブは、各プローブの近くの電子回路基板の各領域
からの電磁放射が同時に検出されるように動作可能であ
り、信号アナライザは、複数の領域から検出された電磁
放射の時間領域表示が同時に行われ、適切に動作する既
知の電子回路基板の電磁放射の時間領域表示と同時に比
較されるように動作可能であることを特徴とする電子回
路基板の非接触テスト装置。

【０１０９】（４４） 上記（４３）の装置において：
信号アナライザは複数の信号解析要素を含み、各信号解
析要素は各プローブに接続され、そのプローブによって
検出された信号を解析することを特徴とする電子回路基
板の非接触テスト装置。

【０１１０】（４５） 上記（４３）の装置において：
信号アナライザは、複数の信号解析要素を含み、各信号
解析要素はマルチプレクサを介してプローブの各グルー
プに接続され、そのマルチプレクサは、コントローラに
よって、プローブの各グループ中の各プローブ上の信号
を連続して検出しかつ処理するように動作可能であるこ
とを特徴とする電子回路基板の非接触テスト装置。

【０１１１】（４６） 上記（３０）の装置において：
信号アナライザは、マルチプレクサを介して全てのプロ
ーブに接続された一つの信号解析要素を含み、そのマル
チプレクサはコントローラによって、各プローブ上の信
号を連続して検出しかつ処理するように動作可能である
ことを特徴とする電子回路基板の非接触テスト装置。

【０１１２】（４７） 上記（４４）の装置において：
各信号解析要素とその各プローブは、それぞれキャリヤ
を有し、そのキャリヤはプローブの密度を大きくするた
めに非常に近くに装着可能であることを特徴とする電子
回路基板の非接触テスト装置。

【０１１３】（４８） 上記（４５）の装置において：
各解析要素とプローブの各グループは、それぞれキャリ
ヤを有し、そのキャリヤはプローブの密度を大きくする
ために非常に近くに装着可能であることを特徴とする電
子回路基板の非接触テスト装置。

【０１１４】

【発明の効果】本発明の検出された電磁放射の時間領域
表示は、ＵＳ特許の５，００６，７８８において開示さ
れた方法によって供給される限定された周波数領域表示
よりも、多くの情報を含む。特に、時間領域表示は、周
波数領域表示において利用できない位相情報を含む。そ
のような位相情報は、電子回路基板動作の適当な評価及
び診断にしばしば重要なものである。さらに、個々の信
号の影響は、周波数領域表示中よりも、時間領域表示中
において検出する方が容易である。なぜならば、時間領
域表示は、周波数領域表示よりも、クロック信号及び他
の繰返し信号の高調波によって影響されないからであ
る。実際、一般に、２つのうち一つしか適切に動作して
いない２つの電子回路基板からの電磁放射中における時
間領域表示よりも、両方とも適切に動作している２つの
電子回路基板からの電磁放射中の時間領域表示の方がよ
り近似性を示す。従って、本発明のテスト装置は、適切
に動作している電子回路基板と、適切に動作していない
電子回路基板とを、より正確に識別することが可能であ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】電子回路基板を非接触テストするためのテスタ
の概略ブロック図である。

【図２】コントローラの拡大されたブロック図である。

【図３】タイミング回路を示す拡大されたブロック概略
図である。

【図４】動作遅延要素の動作を簡単に説明するための図
である。

【図５】信号アナライザの一つの信号解析要素の概略ブ
ロック図である。

【図６】本発明の一実施例である図１のテスタで使用さ
れる電磁放射のサンプルを符号化するアルゴリズムを示
すフローチャートである。

【図７】本発明の一実施例である図１のテスタで使用さ
れる電磁放射のサンプルを比較するアルゴリズムを示す
フローチャートである。

【図８】テスタの物理的な構造を示す側面図である。

【図９】拡大されたプローブの装着状態を示す図であ
る。

【符号の説明】

１０ ベース １２ 第１支柱 １４ 第３支柱 １６ 第１電動機 １８ 第１ネジ軸 ２０ 第１ブロック ２２ 第２電動機 ２４ 第２ネジ軸 ２６ 第２ブロック ２８ 第３電動機 ３０ 垂直ネジ軸 ３２ 水平支持部材 ３４ 水平回路キャリヤ ３６ 垂直部材 ３８ ワイヤ ４０ 垂直回路キャリヤ ４２ スペーサ要素 ４４ シリンダピストンバネ機構 １００ テスタ １１０ コントローラ １１２ マスタクロック・ジェネレータ １１４ ボードクロック・ジェネレータ １１６ マスタプロセッサ １１７ テスト入力リード １１８ タイミング回路 １１９ タイミングリード １２０ 電磁放射検出プローブ １３０ 信号アナライザ １３２ 信号解析要素 １４０ モータ制御回路 １６２ 微細遅延選択バス １６４ 粗遅延選択バス １８２ 微細遅延要素 １８４ サンプリング・パルスジェネレータ ２００ 電子回路基板 ２３１，２３２ カウンタ ２３３，２３４ 組合わせネットワーク ２３５ ＲＳフリップフロップ ２３６ ＯＲゲート ２３７ 差動バッファ ２３８ 差動積分器 ２６２ 上限Ｄ／Ａコンバータ ２６３ 下限Ｄ／Ａコンバータ ２６４ 上限Ｄ／Ａ比較器 ２６５ 下限Ｄ／Ａ比較器 ２６６ 上限フリップフロップ ２６７ 下限フリップフロップ ８２１ ランプジェネレータ ８２２ 比較器 ８２３ フィードバック回路 ３２８ プローブプロセッサ ８４２ 位相ロックループ ８４４ カウンタ ８４６ ネットワーク ８４８ フリップフロップ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ナイジェル・ポール・ジョンソン カナダ国，ケイ２エイ，０ジェイ６，オン タリオ，オタワ，レイベンヒル アベニュ ー 391 (72)発明者 ダン・レオニダ カナダ国，ケイ２エイチ，９エイ９，オン タリオ，オタワ，ドラパー アベニュー ＃1706−2600 (72)発明者 リチャード・ラルフ・ゴウレッテ カナダ国，ケイ７エス，１エイチ７，オン タリオ，アルンプリオール，アリシア ス トリート 305 (72)発明者 スタニスラス・キシト・ザビエル カナダ国，ケイ２ケイ，１ティー１，オン タリオ，カナタ，リーコック ウェイ 35

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子回路基板を動作させるためのコント
   ローラと、 電子回路基板が動作している間にプローブの近くで電子
   回路基板領域からの電磁放射を検出するための少なくと
   も一つの非接触電磁放射検出プローブと、 検出された電磁放射の時間領域表示を行い、検出された
   電磁放射の時間領域表示と、適切に動作する既知の電子
   回路基板からの電磁放射の時間領域表示とを比較するた
   めの信号アナライザとを含むことを特徴とする電子回路
   基板の非接触テスト装置。