JPH06324363A - 高消光比方向性結合器型光機能素子 - Google Patents
高消光比方向性結合器型光機能素子Info
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- JPH06324363A JPH06324363A JP11271493A JP11271493A JPH06324363A JP H06324363 A JPH06324363 A JP H06324363A JP 11271493 A JP11271493 A JP 11271493A JP 11271493 A JP11271493 A JP 11271493A JP H06324363 A JPH06324363 A JP H06324363A
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- coupling
- optical
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- incident
- electrode
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 多機能を発揮する高消光比方向性結合器型光
機能素子を提供する。 【構成】 完全結合長L0 の光導波路A,Bから成る全
長Lの結合部Cと、入射側リード部Ji と、出射側リー
ド部J0 とを有し、結合部Cでは、長さlの反転Δβ構
造の電極対fN が互いの間隔lC でN段(ただし、Nは
3以上の整数)連続して配置され、かつ、入射端A1 ,
B1 から第1段目電極対f1 の入射側端部までの距離は
li 、N段目電極対fN の出射側端部から出射端A2 ,
B2 までの距離はlo のとき、L/L0 ≧2、L=li
+N(l+lc )−lc +lo 、κli +Ci =κlo
+Co 、κli +Ci +κlo+Co =κlc (式中、
κは結合部における結合係数、Ci は、入射側リード導
波路における結合係数の変化関数の入射端までの積分
値、Co は、出射側リード導波路における結合係数の変
化関数の出射端を起点にした積分値)が成立している。
機能素子を提供する。 【構成】 完全結合長L0 の光導波路A,Bから成る全
長Lの結合部Cと、入射側リード部Ji と、出射側リー
ド部J0 とを有し、結合部Cでは、長さlの反転Δβ構
造の電極対fN が互いの間隔lC でN段(ただし、Nは
3以上の整数)連続して配置され、かつ、入射端A1 ,
B1 から第1段目電極対f1 の入射側端部までの距離は
li 、N段目電極対fN の出射側端部から出射端A2 ,
B2 までの距離はlo のとき、L/L0 ≧2、L=li
+N(l+lc )−lc +lo 、κli +Ci =κlo
+Co 、κli +Ci +κlo+Co =κlc (式中、
κは結合部における結合係数、Ci は、入射側リード導
波路における結合係数の変化関数の入射端までの積分
値、Co は、出射側リード導波路における結合係数の変
化関数の出射端を起点にした積分値)が成立している。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は新規構造の高消光比方向
性結合器型光機能素子に関し、更に詳しくは、極めて高
い消光比特性を示し、光スイッチ,光偏波スプリッタ,
光変調器,光合分波器などに用いて好適な高消光比方向
性結合器型光機能素子に関する。
性結合器型光機能素子に関し、更に詳しくは、極めて高
い消光比特性を示し、光スイッチ,光偏波スプリッタ,
光変調器,光合分波器などに用いて好適な高消光比方向
性結合器型光機能素子に関する。
【0002】
【従来の技術】最近、導波路型の方向性結合器構造を有
する各種の光機能素子が開発され、それを用いた光スイ
ッチ,光偏波スプリッタ,光変調器,光合分波器などが
提案されている。従来の方向性結合器型の光機能素子例
の平面パターンを図6に示す。図6で示した素子は2入
力・2出力の素子である。
する各種の光機能素子が開発され、それを用いた光スイ
ッチ,光偏波スプリッタ,光変調器,光合分波器などが
提案されている。従来の方向性結合器型の光機能素子例
の平面パターンを図6に示す。図6で示した素子は2入
力・2出力の素子である。
【0003】この素子においては、互いに等しい路幅W
を有する2本の光導波路A,Bをこれらが完全結合長L
0 でエバネッセント結合可能となるように近接した間隔
Gで平行配置することにより全長Lの結合部Cが構成さ
れている。そして、光導波路A,Bのそれぞれの入射端
A1 ,B1 には、路幅が同じくWであり曲率半径がRの
曲線光導波路D1 ,D2 が光接続されて入射側リード部
J i が形成され、また、光導波路A,Bのそれぞれの出
射端A2 ,B2 には、路幅が同じくWであり曲率半径が
Rの曲線光導波路D3 ,D4 が光接続されて出射側リー
ド部JO が形成されている。更に、曲線光導波路D1 ,
D2 ,D3 ,D4 には、それぞれ、路幅が同じくWであ
る直線光導波路E1 ,E2 ,E3 ,E4 が光接続されて
いる。直線光導波路E1 ,E2 における路幅中心間の距
離、および直線光導波路E3 ,E4 における路幅中心間
の距離は、いずれもGF になっている。
を有する2本の光導波路A,Bをこれらが完全結合長L
0 でエバネッセント結合可能となるように近接した間隔
Gで平行配置することにより全長Lの結合部Cが構成さ
れている。そして、光導波路A,Bのそれぞれの入射端
A1 ,B1 には、路幅が同じくWであり曲率半径がRの
曲線光導波路D1 ,D2 が光接続されて入射側リード部
J i が形成され、また、光導波路A,Bのそれぞれの出
射端A2 ,B2 には、路幅が同じくWであり曲率半径が
Rの曲線光導波路D3 ,D4 が光接続されて出射側リー
ド部JO が形成されている。更に、曲線光導波路D1 ,
D2 ,D3 ,D4 には、それぞれ、路幅が同じくWであ
る直線光導波路E1 ,E2 ,E3 ,E4 が光接続されて
いる。直線光導波路E1 ,E2 における路幅中心間の距
離、および直線光導波路E3 ,E4 における路幅中心間
の距離は、いずれもGF になっている。
【0004】そして、結合部Cにおける光導波路A,B
の上には、電極Q1 ,Q2 ,Q3 ,Q4 が装荷されて、
ここから光導波路へ電気信号を導入できるようになって
いる。なお、電極Q1 と電極Q3 ,電極Q2 と電極Q4
の間隔はほとんどゼロになっている。ここで、例えば直
線光導波路E1 を入射ポートとすると、直線光導波路E
3 ,E4 はそれぞれスルーポート,クロスポートにな
る。
の上には、電極Q1 ,Q2 ,Q3 ,Q4 が装荷されて、
ここから光導波路へ電気信号を導入できるようになって
いる。なお、電極Q1 と電極Q3 ,電極Q2 と電極Q4
の間隔はほとんどゼロになっている。ここで、例えば直
線光導波路E1 を入射ポートとすると、直線光導波路E
3 ,E4 はそれぞれスルーポート,クロスポートにな
る。
【0005】この光機能素子の場合、電極Q1 ,Q2 ,
Q3 ,Q4 から適当な電気信号を与えることにより、理
論的には完全なクロス状態を実現することができる。し
かし、スルー状態においては、完全なスルー状態を実現
することができず、消光比の低下が引き起こされる。こ
れは、結合部Cの入射端や出射端の近傍では、曲線光導
波路D1 ,D2 、曲線光導波路D3 ,D4 におけるそれ
ぞれの間隔が狭くなって間隔Gに近似してくるため、こ
の結合部近傍では、結局、わずかではあるが結合を生じ
てくるからである。
Q3 ,Q4 から適当な電気信号を与えることにより、理
論的には完全なクロス状態を実現することができる。し
かし、スルー状態においては、完全なスルー状態を実現
することができず、消光比の低下が引き起こされる。こ
れは、結合部Cの入射端や出射端の近傍では、曲線光導
波路D1 ,D2 、曲線光導波路D3 ,D4 におけるそれ
ぞれの間隔が狭くなって間隔Gに近似してくるため、こ
の結合部近傍では、結局、わずかではあるが結合を生じ
てくるからである。
【0006】このような問題を解決するために、本発明
者らは、入射側リード部Ji と出射側リード部JO にお
ける結合効果を補償し、もってスルー状態とクロス状態
のいずれにおいても消光比を高めることができる構造の
方向性結合器型光スイッチを開発し、それを既に特願平
3−268号として出願した。
者らは、入射側リード部Ji と出射側リード部JO にお
ける結合効果を補償し、もってスルー状態とクロス状態
のいずれにおいても消光比を高めることができる構造の
方向性結合器型光スイッチを開発し、それを既に特願平
3−268号として出願した。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記出
願の方向性結合器型光スイッチの場合、結合部に装荷す
る電極は2対である。そして、スイッチング速度の高速
化を目的として、結合部に装荷する電極対の数を増加さ
せると、入射側リード部と出射側リード部の結合に基づ
く消光比の劣化を補償することができなくなる。
願の方向性結合器型光スイッチの場合、結合部に装荷す
る電極は2対である。そして、スイッチング速度の高速
化を目的として、結合部に装荷する電極対の数を増加さ
せると、入射側リード部と出射側リード部の結合に基づ
く消光比の劣化を補償することができなくなる。
【0008】また、上記出願の方向性結合器型光スイッ
チは光偏波スイッチとして機能しないという問題があ
る。本発明は、特願平3−268号として提案した方向
性結合器型光スイッチにおける上記した問題を解決し、
優れた消光比特性を有すると同時に、駆動方法によって
は、各種の機能を発揮する高消光比方向性結合器型光機
能素子の提供を目的とする。
チは光偏波スイッチとして機能しないという問題があ
る。本発明は、特願平3−268号として提案した方向
性結合器型光スイッチにおける上記した問題を解決し、
優れた消光比特性を有すると同時に、駆動方法によって
は、各種の機能を発揮する高消光比方向性結合器型光機
能素子の提供を目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明においては、電気光学効果を発現する材
料または電気信号の導入による屈折率制御が可能な構造
を有する材料から成る等幅な2本の光導波路が完全結合
長L0 でエバネッセント結合して平行配置されている全
長L1 の結合部と、前記結合部の入射端で光接続する曲
線または直線の光導波路から成る入射側リード部と、前
記結合部の出射端で光接続する曲線の光導波路から成る
出射側リード部とを有し、前記結合部では、長さlの反
転Δβ構造の電極対が互いの間隔lC でN段(ただし、
Nは3以上の整数を表す)連続して配置され、かつ、前
記結合部の入射端から第1段目電極対の入射側端部まで
の距離はli 、N段目電極対の出射側端部から前記結合
部の出射端までの距離はl o になっている方向性結合器
型光機能素子であって、前記L,L0 ,N,l,lc ,
li ,lo の間では、次式: L/L0 ≧2 ……(1) L=li +N(l+lc )−lc +lo ……(2) κli +Ci =κlo +Co ……(3) κli +Ci +κlo +Co =κlc ……(4) (式中、κは結合部における結合係数を表し、Ci は、
入射側リード導波路における結合係数の変化の関数を光
の進行方向につき結合部の入射端まで積分した値を表
し、Co は、出射側リード導波路における結合係数の変
化の関数を光の進行方向につき結合部の出射端を起点に
して積分した値を表す。)が成立していることを特徴と
する高消光比方向性結合器型光機能素子が提供される。
ために、本発明においては、電気光学効果を発現する材
料または電気信号の導入による屈折率制御が可能な構造
を有する材料から成る等幅な2本の光導波路が完全結合
長L0 でエバネッセント結合して平行配置されている全
長L1 の結合部と、前記結合部の入射端で光接続する曲
線または直線の光導波路から成る入射側リード部と、前
記結合部の出射端で光接続する曲線の光導波路から成る
出射側リード部とを有し、前記結合部では、長さlの反
転Δβ構造の電極対が互いの間隔lC でN段(ただし、
Nは3以上の整数を表す)連続して配置され、かつ、前
記結合部の入射端から第1段目電極対の入射側端部まで
の距離はli 、N段目電極対の出射側端部から前記結合
部の出射端までの距離はl o になっている方向性結合器
型光機能素子であって、前記L,L0 ,N,l,lc ,
li ,lo の間では、次式: L/L0 ≧2 ……(1) L=li +N(l+lc )−lc +lo ……(2) κli +Ci =κlo +Co ……(3) κli +Ci +κlo +Co =κlc ……(4) (式中、κは結合部における結合係数を表し、Ci は、
入射側リード導波路における結合係数の変化の関数を光
の進行方向につき結合部の入射端まで積分した値を表
し、Co は、出射側リード導波路における結合係数の変
化の関数を光の進行方向につき結合部の出射端を起点に
して積分した値を表す。)が成立していることを特徴と
する高消光比方向性結合器型光機能素子が提供される。
【0010】以下に、2入力・2出力の光機能素子を例
にして添付図面に基づいて本発明の光機能素子を詳細に
説明する。ここで、図1は、本発明の光機能素子の基本
構成の概念を示す平面パターン図である。図から明らか
なように、本発明の光機能素子の平面パターンは、結合
部Cが後述するような構成をとることを除いては、図で
示した従来の2入力・2出力方向性結合器型と変わるこ
とはない。
にして添付図面に基づいて本発明の光機能素子を詳細に
説明する。ここで、図1は、本発明の光機能素子の基本
構成の概念を示す平面パターン図である。図から明らか
なように、本発明の光機能素子の平面パターンは、結合
部Cが後述するような構成をとることを除いては、図で
示した従来の2入力・2出力方向性結合器型と変わるこ
とはない。
【0011】まず、結合部Cは、等幅(路幅W)の2本
の光導波路A,Bを完全結合長L0でエバネッセント結
合が可能な間隔Gとなるように互いに近接して平行配置
されることにより形成され、その全長はLになってい
る。これら光導波路A,Bのそれぞれの入射端A1 ,B
1 には、曲率半径がR1 で路幅がWの曲線光導波路
D1 ,D2 が光接続されて入射側リード部Ji を構成
し、また光導波路A,Bのそれぞれの出射端A2 ,B2
には曲率半径がR2 で路幅Wの曲線光導波路D3 ,D4
が光接続されて出射側リード部J0 を構成している。更
にこれら曲線光導波路D1 ,D2 には、導波路の中心間
距離がG1 で路幅Wの直線光導波路E1 ,E2 がそれぞ
れ光接続され、また曲線光導波路D3 ,D4には、導波
路の中心間距離がG2 で路幅Wの直線光導波路E3 ,E
4 がそれぞれ光接続されている。ここで、直線光導波路
E1 を入射ポートにすると、直線光導波路E3 ,E4 は
それぞれスルーポート,クロスポートになる。
の光導波路A,Bを完全結合長L0でエバネッセント結
合が可能な間隔Gとなるように互いに近接して平行配置
されることにより形成され、その全長はLになってい
る。これら光導波路A,Bのそれぞれの入射端A1 ,B
1 には、曲率半径がR1 で路幅がWの曲線光導波路
D1 ,D2 が光接続されて入射側リード部Ji を構成
し、また光導波路A,Bのそれぞれの出射端A2 ,B2
には曲率半径がR2 で路幅Wの曲線光導波路D3 ,D4
が光接続されて出射側リード部J0 を構成している。更
にこれら曲線光導波路D1 ,D2 には、導波路の中心間
距離がG1 で路幅Wの直線光導波路E1 ,E2 がそれぞ
れ光接続され、また曲線光導波路D3 ,D4には、導波
路の中心間距離がG2 で路幅Wの直線光導波路E3 ,E
4 がそれぞれ光接続されている。ここで、直線光導波路
E1 を入射ポートにすると、直線光導波路E3 ,E4 は
それぞれスルーポート,クロスポートになる。
【0012】なお、本発明においては、入射側リード部
Ji と出射側リードJ0 は図のような曲線光導波路で構
成することに限定されるものではなく、例えば、入射端
A1と直線光導波路E1 ,入射端B1 と直線光導波路E
2 ,出射端A2 と直線光導波路E3 ,出射端B2 と直線
光導波路E4 の間を、それぞれ、微小テーパ角から成る
直線光導波路で光接続して構成してよい。
Ji と出射側リードJ0 は図のような曲線光導波路で構
成することに限定されるものではなく、例えば、入射端
A1と直線光導波路E1 ,入射端B1 と直線光導波路E
2 ,出射端A2 と直線光導波路E3 ,出射端B2 と直線
光導波路E4 の間を、それぞれ、微小テーパ角から成る
直線光導波路で光接続して構成してよい。
【0013】これら各光導波路は、いずれも電気光学効
果を発現する材料や電気信号を導入することによってそ
の屈折率を制御することができる構造の材料で構成され
ている。例えば、GaAs/AlGaAsのような半導
体材料をMOCVD法で多層に積層して形成することが
できる。この結合部Cにおいては、光導波路A,Bの長
手方向に、1段の長さがlである反転Δβ構造の電極対
fN が互いにlc の間隔を置いてN段連続して装荷され
ている。ただし、Nは3以上の整数、すなわち電極対f
N は3段以上装荷されている。それゆえ、図で示したよ
うに、第1段目電極対f1 を+Δβ型とすれば、第2段
目電極対f2 は−Δβ型となり、総じて、Nが奇数の場
合には、最終段電極対fN は+Δβ型になり、Nが偶数
の場合には最終段電極対fN は−Δβ型になる。
果を発現する材料や電気信号を導入することによってそ
の屈折率を制御することができる構造の材料で構成され
ている。例えば、GaAs/AlGaAsのような半導
体材料をMOCVD法で多層に積層して形成することが
できる。この結合部Cにおいては、光導波路A,Bの長
手方向に、1段の長さがlである反転Δβ構造の電極対
fN が互いにlc の間隔を置いてN段連続して装荷され
ている。ただし、Nは3以上の整数、すなわち電極対f
N は3段以上装荷されている。それゆえ、図で示したよ
うに、第1段目電極対f1 を+Δβ型とすれば、第2段
目電極対f2 は−Δβ型となり、総じて、Nが奇数の場
合には、最終段電極対fN は+Δβ型になり、Nが偶数
の場合には最終段電極対fN は−Δβ型になる。
【0014】このN段の電極対のうち、M段目とM+1
段目とM+2段目(ただし、Mは1,2,3,……,N
−1の整数である)における電極対fM ,fM+1 ,f
M+2 の構造と相互の接続状態は図2で示したようになっ
ている。すなわち、光導波路Aに長さlの電極F1 が間
隔lc で連続して装荷され、また光導波路Bには長手方
向で電極F1 と同じ位置に電極F1 と同じ長さlの電極
F2 が間隔lc で連続して装荷されている。ここで、電
極F1 と電極F2 で、それぞれ、M段目,M+1段目,
M+2段目の電極対fM ,fM+1 ,fM+2 が構成されて
いる。
段目とM+2段目(ただし、Mは1,2,3,……,N
−1の整数である)における電極対fM ,fM+1 ,f
M+2 の構造と相互の接続状態は図2で示したようになっ
ている。すなわち、光導波路Aに長さlの電極F1 が間
隔lc で連続して装荷され、また光導波路Bには長手方
向で電極F1 と同じ位置に電極F1 と同じ長さlの電極
F2 が間隔lc で連続して装荷されている。ここで、電
極F1 と電極F2 で、それぞれ、M段目,M+1段目,
M+2段目の電極対fM ,fM+1 ,fM+2 が構成されて
いる。
【0015】そして、電極対fM の電極F2 と電極対f
M+1 の電極F1 と電極対fM+2 の電極F2 とが交互にリ
ードによって接続され、また電極fM の電極F1 と電極
fM+ 1 の電極F2 と電極対fM+2 の電極F1 とが交互に
リードによって接続されている。このように、各電極対
の間では、光導波路Aに装荷された電極と光導波路Bに
装荷された電極を交互に電気的に接続することにより、
全体として反転Δβ構造の電極対がN段形成される。
M+1 の電極F1 と電極対fM+2 の電極F2 とが交互にリ
ードによって接続され、また電極fM の電極F1 と電極
fM+ 1 の電極F2 と電極対fM+2 の電極F1 とが交互に
リードによって接続されている。このように、各電極対
の間では、光導波路Aに装荷された電極と光導波路Bに
装荷された電極を交互に電気的に接続することにより、
全体として反転Δβ構造の電極対がN段形成される。
【0016】また、結合部Cにおいては、上記した構造
の電極対のうち第1段目の電極対f 1 の入射側端部と結
合部Cの入射端A1 ,B1 との距離はli であり、また
最終段の電極対fN の出射側端部と結合部Cの出射端A
2 ,B2 との距離はl0 になっている。本発明の光機能
素子では、以上説明した構成において、前記した各パラ
メータは前記した式(1)〜式(4)に基づき次のよう
にして決定される。
の電極対のうち第1段目の電極対f 1 の入射側端部と結
合部Cの入射端A1 ,B1 との距離はli であり、また
最終段の電極対fN の出射側端部と結合部Cの出射端A
2 ,B2 との距離はl0 になっている。本発明の光機能
素子では、以上説明した構成において、前記した各パラ
メータは前記した式(1)〜式(4)に基づき次のよう
にして決定される。
【0017】まず、結合部Cの全長Lは、この結合部C
における完全結合長L0 との関係で、大きくは、式
(1)を満足する長さとして設定されることが必要であ
る。例えば、H.Kogelnikが、IEEE,Journal of Q
uantum Electronics, vol.QE−12,No. 17,Jul
y, 1976, pp.396〜401 の論文で提案した反転Δβ構造
の電極対を2対備えている方向性結合器型光スイッチの
場合、クロス状態とスルー状態を実現するためには、L
とL0 の間では1≦L/L0 ≦3の関係を成立させるこ
とを必要としている。
における完全結合長L0 との関係で、大きくは、式
(1)を満足する長さとして設定されることが必要であ
る。例えば、H.Kogelnikが、IEEE,Journal of Q
uantum Electronics, vol.QE−12,No. 17,Jul
y, 1976, pp.396〜401 の論文で提案した反転Δβ構造
の電極対を2対備えている方向性結合器型光スイッチの
場合、クロス状態とスルー状態を実現するためには、L
とL0 の間では1≦L/L0 ≦3の関係を成立させるこ
とを必要としている。
【0018】また、一般には、結合部Cの光導波路に電
極対が3以上装荷される場合には、1≦L/L0 を満た
すことが必要になる。しかしながら、同一の素子で後述
するような多機能を発現させるためには、2≦L/L0
の関係が成立していなければならない。本発明の光機能
素子は、この式(1)で示される関係を満たすことによ
って、少なくとも光変調機能も可能な光スイッチ、モー
ドスプリッタあるいは光偏波スイッチとしての機能をも
発現できるようにしたものである。
極対が3以上装荷される場合には、1≦L/L0 を満た
すことが必要になる。しかしながら、同一の素子で後述
するような多機能を発現させるためには、2≦L/L0
の関係が成立していなければならない。本発明の光機能
素子は、この式(1)で示される関係を満たすことによ
って、少なくとも光変調機能も可能な光スイッチ、モー
ドスプリッタあるいは光偏波スイッチとしての機能をも
発現できるようにしたものである。
【0019】式(1)の成立を前提として結合部Cの全
長Lを決定したのち、本発明の光機能素子における結合
部Cにおける各構成部分の値は次のようにして決められ
る。その場合、入射側リード部Ji における曲線光導波
路D1 ,D2 の曲率半径R 1 ,出射側リード部J0 にお
ける曲線光導波路D3 ,D4 の曲率半径R2 ,結合部C
の光導波路に装荷する電極対fN の段数N,および結合
部Cにおける距離l i ,lo のいずれか一方はいずれも
独立変数であって、設計基準に基づいて一義的に設定す
ることができる。したがって、本発明の光機能素子の製
造に当たっては、電極対fN の長さl,電極対間の距離
lc ,及び結合部Cにおける距離li,lo のいずれか
一方が従属変数となる。
長Lを決定したのち、本発明の光機能素子における結合
部Cにおける各構成部分の値は次のようにして決められ
る。その場合、入射側リード部Ji における曲線光導波
路D1 ,D2 の曲率半径R 1 ,出射側リード部J0 にお
ける曲線光導波路D3 ,D4 の曲率半径R2 ,結合部C
の光導波路に装荷する電極対fN の段数N,および結合
部Cにおける距離l i ,lo のいずれか一方はいずれも
独立変数であって、設計基準に基づいて一義的に設定す
ることができる。したがって、本発明の光機能素子の製
造に当たっては、電極対fN の長さl,電極対間の距離
lc ,及び結合部Cにおける距離li,lo のいずれか
一方が従属変数となる。
【0020】まず、式(3),式(4)におけるCi ,
Co が次のようにして決められる。ここで、Ci は、入
射側リード導波路間の結合係数κを光の進行方向につき
結合部Cの入射端A1 ,B1 まで積分した値である。し
たがって、図1で示したように入射端A1 ,B1 を原点
とし、光の進行方向をZとして、入射端A1 ,B1 にま
で至るκの変化の関数をκRi(Z)とすると、Ci は次
式:
Co が次のようにして決められる。ここで、Ci は、入
射側リード導波路間の結合係数κを光の進行方向につき
結合部Cの入射端A1 ,B1 まで積分した値である。し
たがって、図1で示したように入射端A1 ,B1 を原点
とし、光の進行方向をZとして、入射端A1 ,B1 にま
で至るκの変化の関数をκRi(Z)とすると、Ci は次
式:
【0021】
【数1】
【0022】に基づいて計算することができる。また、
C0 は、出射側リード導波路間の結合係数κを光の進行
方向につき結合部Cの出射端A2 ,B2 を起点にして積
分した値である。したがって、図1で示したように入射
端A1 ,B1 を原点とし、光の進行方向をZとして、出
射端A2 ,B2 からのκの変化の関数をκR0(Z)とす
ると、C 0 は次式:
C0 は、出射側リード導波路間の結合係数κを光の進行
方向につき結合部Cの出射端A2 ,B2 を起点にして積
分した値である。したがって、図1で示したように入射
端A1 ,B1 を原点とし、光の進行方向をZとして、出
射端A2 ,B2 からのκの変化の関数をκR0(Z)とす
ると、C 0 は次式:
【0023】
【数2】
【0024】に基づいて計算することができる。さて、
入射側リード部Ji の曲率半径R1 を決めることによ
り、式(5)に基づいてCi を決定することができ、出
射側リード部J0 の曲率半径R2 を決めることにより、
式(6)に基づいてC0 を決定することができる。つい
で、li ,l0 のいずれかを決定すれば、式(3)に基
づいて他方の値が決定される。したがって、式(4)に
基づき電極対の間隔lc が決定される。
入射側リード部Ji の曲率半径R1 を決めることによ
り、式(5)に基づいてCi を決定することができ、出
射側リード部J0 の曲率半径R2 を決めることにより、
式(6)に基づいてC0 を決定することができる。つい
で、li ,l0 のいずれかを決定すれば、式(3)に基
づいて他方の値が決定される。したがって、式(4)に
基づき電極対の間隔lc が決定される。
【0025】最後に、設定した結合部Cの長さLの領域
に装荷する電極対の段数Nに対応して、式(2)に基づ
き電極対fN の長さlが決定される。かくして、結合部
Cにおける全ての構成部分の寸法が決定される。
に装荷する電極対の段数Nに対応して、式(2)に基づ
き電極対fN の長さlが決定される。かくして、結合部
Cにおける全ての構成部分の寸法が決定される。
【0026】
【作用】通常の2入力・2出力方向性結合器の入射側リ
ード部と出射側リードには曲線導波路が光接続される
が、その場合、両者の対称性を確保するために、曲線導
波路の曲率半径は同じ値に設定される。しかしながら、
1入力・2出力方向性結合器の場合や、k個の2入力・
2出力方向性結合器またはk個の1入力・2出力方向性
結合器を集積して多入力・多出力方向性結合器にした場
合には、各単位方向性結合器の接続時に、入射側リード
部と出射側リード部では必ずしも対称性が確保されると
は限らない。
ード部と出射側リードには曲線導波路が光接続される
が、その場合、両者の対称性を確保するために、曲線導
波路の曲率半径は同じ値に設定される。しかしながら、
1入力・2出力方向性結合器の場合や、k個の2入力・
2出力方向性結合器またはk個の1入力・2出力方向性
結合器を集積して多入力・多出力方向性結合器にした場
合には、各単位方向性結合器の接続時に、入射側リード
部と出射側リード部では必ずしも対称性が確保されると
は限らない。
【0027】そのため、入射側リード部と出射側リード
部における結合が異なり、その結果、クロス状態のスイ
ッチングにおける消光比は大幅に低下することがある。
本発明の光機能素子の場合は、式(3)が成立している
ので、入射側リード部Ji と距離li を合わせた部分が
新たに等価的な入射側リード部(Ji +li )になり、
また出射側リード部J0 と距離l0 を合わせた部分が新
たに等価的な出射側リード部(J0 +l0 )になる。し
たがって、入・出射側リード部Ji ,J 0 における曲率
半径R1 ,R2 が互いに異なってこれらリード部Ji ,
J0 の結合が対称でない場合であっても、前記した等価
的な入・出射側リード部の全体の作用で、クロス状態に
おける消光比劣化が防止される。
部における結合が異なり、その結果、クロス状態のスイ
ッチングにおける消光比は大幅に低下することがある。
本発明の光機能素子の場合は、式(3)が成立している
ので、入射側リード部Ji と距離li を合わせた部分が
新たに等価的な入射側リード部(Ji +li )になり、
また出射側リード部J0 と距離l0 を合わせた部分が新
たに等価的な出射側リード部(J0 +l0 )になる。し
たがって、入・出射側リード部Ji ,J 0 における曲率
半径R1 ,R2 が互いに異なってこれらリード部Ji ,
J0 の結合が対称でない場合であっても、前記した等価
的な入・出射側リード部の全体の作用で、クロス状態に
おける消光比劣化が防止される。
【0028】また、本発明の光機能素子においては、式
(2)〜式(6)に基づいて結合部Cにおける電極対の
長さlと電極対間の間隔lc を決めているので、入射側
リード部や出射側リード部における結合が生じている場
合であっても、スルー状態の消光比劣化が防止されるこ
とになる。
(2)〜式(6)に基づいて結合部Cにおける電極対の
長さlと電極対間の間隔lc を決めているので、入射側
リード部や出射側リード部における結合が生じている場
合であっても、スルー状態の消光比劣化が防止されるこ
とになる。
【0029】
実施例1 図3の平面パターン図で示すような本発明の光機能素子
を製造した。この素子は、図1で示した素子において、
結合部Cにおける電極対を3段設け、図2で示したよう
に相互を電気的に接続したものである。すなわち、N=
3の場合の光機能素子である。
を製造した。この素子は、図1で示した素子において、
結合部Cにおける電極対を3段設け、図2で示したよう
に相互を電気的に接続したものである。すなわち、N=
3の場合の光機能素子である。
【0030】図において、結合部Cの長さLは8.0mm
に設定されている。そして、光導波路A,Bの間隔Gは
3.0μm,スルーポートE3 とクロスポートE4 の間
隔および入射ポートE1 と入射ポートE2 の間隔はいず
れも同じでG1 μm,入射側リード部Ji におけ
る曲線光導波路D1 ,D2 の曲率半径R1 は50μm,
出射側リード部J0 における曲線光導波路D3 ,D4 の
曲率半径R2 は30μm,全ての光導波路の路幅Wは7
μmになっている。
に設定されている。そして、光導波路A,Bの間隔Gは
3.0μm,スルーポートE3 とクロスポートE4 の間
隔および入射ポートE1 と入射ポートE2 の間隔はいず
れも同じでG1 μm,入射側リード部Ji におけ
る曲線光導波路D1 ,D2 の曲率半径R1 は50μm,
出射側リード部J0 における曲線光導波路D3 ,D4 の
曲率半径R2 は30μm,全ての光導波路の路幅Wは7
μmになっている。
【0031】この素子は、素子全体の構成として上記し
た平面パターンと後述する断面構造を採用することによ
り、完全結合長L0 は3.036mmであり、結合係数κ
は、κ=π/(2L0 )からκ=0.51739( /mm)
になっている。この素子では、入射側リード部Ji と出
射側リード部J0 における曲線光導波路の曲率半径がR
1 >R2 の関係にあるため、入射側リード部Ji と出射
側リード部J0 では結合が異なり、しかも入射側リード
部Ji における結合強度は出射側リード部J0 における
結合強度よりも強くなる。
た平面パターンと後述する断面構造を採用することによ
り、完全結合長L0 は3.036mmであり、結合係数κ
は、κ=π/(2L0 )からκ=0.51739( /mm)
になっている。この素子では、入射側リード部Ji と出
射側リード部J0 における曲線光導波路の曲率半径がR
1 >R2 の関係にあるため、入射側リード部Ji と出射
側リード部J0 では結合が異なり、しかも入射側リード
部Ji における結合強度は出射側リード部J0 における
結合強度よりも強くなる。
【0032】したがって、この光機能素子の製造に当た
っては、図1におけるli をゼロに設計した。すなわ
ち、入射側リード部Ji の曲線光導波路D1 ,D2 を、
直接、結合部Cにおける光導波路A,Bの入射端A1 ,
B1 にそれぞれ光接続した。式(5),式(6)に基づ
いて、Ci ,C0 をそれぞれ計算し、その値を式(3)
に代入し、かつ、li =0を代入することによって、l
0 は、58.5μmに設定されている。
っては、図1におけるli をゼロに設計した。すなわ
ち、入射側リード部Ji の曲線光導波路D1 ,D2 を、
直接、結合部Cにおける光導波路A,Bの入射端A1 ,
B1 にそれぞれ光接続した。式(5),式(6)に基づ
いて、Ci ,C0 をそれぞれ計算し、その値を式(3)
に代入し、かつ、li =0を代入することによって、l
0 は、58.5μmに設定されている。
【0033】したがって、電極対の間隔lc は、式
(4)にl0 =58.5を代入した計算値に基づき65
3.5μmに設定されている。また、全ての電極対の長
さlは、式(2)から計算して2211.5μmに設定
されている。この結合部Cにおける電極対f1 ,f2 ,
f3 が装荷されている個所の断面構造は、いずれも、図
3のIV−IV線に沿う断面図である図4で示したよう
な構成になっている。
(4)にl0 =58.5を代入した計算値に基づき65
3.5μmに設定されている。また、全ての電極対の長
さlは、式(2)から計算して2211.5μmに設定
されている。この結合部Cにおける電極対f1 ,f2 ,
f3 が装荷されている個所の断面構造は、いずれも、図
3のIV−IV線に沿う断面図である図4で示したよう
な構成になっている。
【0034】すなわち、AuGeNi/Auから成る下
部電極1の上に、MOCVD法によってn+ GaAsか
ら成る基板2,n+ GaAsから成る厚み0.5μmの
バッファ層3,n+ Al0.1 Ga0.9 Asから成る厚み
3.0μmの部分クラッド層4,n- GaAsから成る
厚み1.0μmのコア層5がこの順序で積層されてい
る。更にこのコア層5の上には、n- Al0.1 Ga0.9
Asから成る厚み0.9μmのクラッド6a,p- Al
0.1 Ga0.9 Asから成る厚み0.6μmのクラッド6
b,p+ Al0.1 Ga0.9 Asから成るキャップ6cが
順次MOCVD法で積層されて上部クラッド層6を形成
し、その上面はSiO2 膜のような絶縁膜7で被覆され
ることにより、路幅がW(7μm)である2本の光導波
路A,Bが間隔G(3.0μm),路高1.0μmでリ
ッジ状に形成されている。
部電極1の上に、MOCVD法によってn+ GaAsか
ら成る基板2,n+ GaAsから成る厚み0.5μmの
バッファ層3,n+ Al0.1 Ga0.9 Asから成る厚み
3.0μmの部分クラッド層4,n- GaAsから成る
厚み1.0μmのコア層5がこの順序で積層されてい
る。更にこのコア層5の上には、n- Al0.1 Ga0.9
Asから成る厚み0.9μmのクラッド6a,p- Al
0.1 Ga0.9 Asから成る厚み0.6μmのクラッド6
b,p+ Al0.1 Ga0.9 Asから成るキャップ6cが
順次MOCVD法で積層されて上部クラッド層6を形成
し、その上面はSiO2 膜のような絶縁膜7で被覆され
ることにより、路幅がW(7μm)である2本の光導波
路A,Bが間隔G(3.0μm),路高1.0μmでリ
ッジ状に形成されている。
【0035】そして、電極対f2 (f1 ,f3 )が装荷
される個所では、それぞれの光導波路A,B表面の絶縁
膜7の一部をスリット状に除去して窓7a,7aを形成
し、ここからそれぞれのキャップ6cの上面にTi/P
t/Auを例えば蒸着して電極F1 ,F2 が形成されて
いる。次に、この光機能素子の動作と機能について説明
する。 (1)光スイッチとしての動作 曲線光導波路E1 から結合部Cにおける入射端A1 に波
長1.3μmのTEモード光を入射し、その状態で、第
1段目の電極対f1 の電極F1 ,第2段目の電極対f2
の電極F2 、および第3段目の電極対f3 の電極F
1 (または、第1段目の電極対f1 の電極F2 ,第2段
目の電極対f2 の電極F1 、および第3段目の電極対f
3 の電極F2 )に逆電圧を印加した。ある電圧値V1 で
スルー状態が得られた。
される個所では、それぞれの光導波路A,B表面の絶縁
膜7の一部をスリット状に除去して窓7a,7aを形成
し、ここからそれぞれのキャップ6cの上面にTi/P
t/Auを例えば蒸着して電極F1 ,F2 が形成されて
いる。次に、この光機能素子の動作と機能について説明
する。 (1)光スイッチとしての動作 曲線光導波路E1 から結合部Cにおける入射端A1 に波
長1.3μmのTEモード光を入射し、その状態で、第
1段目の電極対f1 の電極F1 ,第2段目の電極対f2
の電極F2 、および第3段目の電極対f3 の電極F
1 (または、第1段目の電極対f1 の電極F2 ,第2段
目の電極対f2 の電極F1 、および第3段目の電極対f
3 の電極F2 )に逆電圧を印加した。ある電圧値V1 で
スルー状態が得られた。
【0036】そして、上記電圧値V1 より高い電圧値V
2 を印加したところクロス状態が得られた。なお、両状
態における消光比はいずれも30数dB程度であって、
充分に光スイッチとして機能することができた。 (2)光偏波スプリッタとしての動作 曲線光導波路E1 から結合部Cにおける入射端A1 に波
長1.3μmのTEモードとTMモードが共存している
光を入射し、その状態で、第1段目の電極対f1 の電極
F1 ,第2段目の電極対f2 の電極F2 、および第3段
目の電極対f 3 の電極F1 (または、第1段目の電極対
f1 の電極F2 ,第2段目の電極対f 2 の電極F1 、お
よび第3段目の電極対f3 の電極F2 )から順バイアス
方向に電流を注入した。
2 を印加したところクロス状態が得られた。なお、両状
態における消光比はいずれも30数dB程度であって、
充分に光スイッチとして機能することができた。 (2)光偏波スプリッタとしての動作 曲線光導波路E1 から結合部Cにおける入射端A1 に波
長1.3μmのTEモードとTMモードが共存している
光を入射し、その状態で、第1段目の電極対f1 の電極
F1 ,第2段目の電極対f2 の電極F2 、および第3段
目の電極対f 3 の電極F1 (または、第1段目の電極対
f1 の電極F2 ,第2段目の電極対f 2 の電極F1 、お
よび第3段目の電極対f3 の電極F2 )から順バイアス
方向に電流を注入した。
【0037】ある電流値I0 で、TEモード光とTMモ
ード光の全てが直線光導波路E3 (スルーポート)から
出射し、スルー状態が得られた。この状態を保持したま
ま、つぎに、第1段目の電極対f1 の電極F2 ,第2段
目の電極対f2 の電極F1 ,および第3段目の電極対f
3 の電極F2 (または、第1段目の電極対f1 の電極F
1 ,第2段目の電極対f2 の電極F2 ,および第3段目
の電極対f3 の電極F1 )に逆バイアスの電圧を印加し
たところ、ある電圧値V10で直線光導波路E4 (クロス
ポート)からは全てのTEモード光が出射した。
ード光の全てが直線光導波路E3 (スルーポート)から
出射し、スルー状態が得られた。この状態を保持したま
ま、つぎに、第1段目の電極対f1 の電極F2 ,第2段
目の電極対f2 の電極F1 ,および第3段目の電極対f
3 の電極F2 (または、第1段目の電極対f1 の電極F
1 ,第2段目の電極対f2 の電極F2 ,および第3段目
の電極対f3 の電極F1 )に逆バイアスの電圧を印加し
たところ、ある電圧値V10で直線光導波路E4 (クロス
ポート)からは全てのTEモード光が出射した。
【0038】すなわち、TMモード光はスルー状態で、
TMモード光はクロス状態で出射し、入射した両モード
光は分離されたことになる。なお、両偏波の消光比はい
ずれも30数dB程度であって、充分に光偏波スプリッ
タとして機能することができた。 (3)偏波スイッチとしての動作 また、上記した動作において、電極対f1 ,f2 ,f3
への注入電流を、前記したI10より大きい電流値I20に
すると、TEモード光とTMモード光の全ては直線光導
波路E3 (クロスポート)から出射した。
TMモード光はクロス状態で出射し、入射した両モード
光は分離されたことになる。なお、両偏波の消光比はい
ずれも30数dB程度であって、充分に光偏波スプリッ
タとして機能することができた。 (3)偏波スイッチとしての動作 また、上記した動作において、電極対f1 ,f2 ,f3
への注入電流を、前記したI10より大きい電流値I20に
すると、TEモード光とTMモード光の全ては直線光導
波路E3 (クロスポート)から出射した。
【0039】そして、この状態を保持したまま、つぎに
電極対f1 ,f2 ,f3 に逆バイアス電圧を印加して、
その電圧値がある電圧値V20(V20≠V10)になると、
全てのTEモード光はスルーポートE3 から出射した。
すなわち、最初はスルーポートE3 からTMモード光
が、クロスポートE4 からTEモード光が出射していた
状態を、スルーポートE3 からTEモード光,クロスポ
ートE4 からTMモード光を出射させる状態に切替える
ことができ、偏波スイッチとして機能した。
電極対f1 ,f2 ,f3 に逆バイアス電圧を印加して、
その電圧値がある電圧値V20(V20≠V10)になると、
全てのTEモード光はスルーポートE3 から出射した。
すなわち、最初はスルーポートE3 からTMモード光
が、クロスポートE4 からTEモード光が出射していた
状態を、スルーポートE3 からTEモード光,クロスポ
ートE4 からTMモード光を出射させる状態に切替える
ことができ、偏波スイッチとして機能した。
【0040】なお、この場合も、両偏波の消光比はいず
れも30数dB程度であり、充分に光偏波スイッチとし
て機能することができた。 実施例2 図5の平面パターンで示すような本発明の光機能素子を
製造した。この素子は、1入力・2出力の光機能素子で
あり、入射側リード部Ji と出射側リード部J 0 は完全
に非対称な構造になっている。
れも30数dB程度であり、充分に光偏波スイッチとし
て機能することができた。 実施例2 図5の平面パターンで示すような本発明の光機能素子を
製造した。この素子は、1入力・2出力の光機能素子で
あり、入射側リード部Ji と出射側リード部J 0 は完全
に非対称な構造になっている。
【0041】この素子の断面構造は実施例1の素子の場
合と同じであり、また、出射側リード部J0 における曲
線光導波路D3 ,D4 の曲率半径はR2 =50μmにな
っている以外、路幅W,間隔G,電極対は実施例1の素
子と同じである。この機能素子の場合は、出射側リード
部J0 でのみ結合が生ずるので、図1におけるl0 をゼ
ロとした。
合と同じであり、また、出射側リード部J0 における曲
線光導波路D3 ,D4 の曲率半径はR2 =50μmにな
っている以外、路幅W,間隔G,電極対は実施例1の素
子と同じである。この機能素子の場合は、出射側リード
部J0 でのみ結合が生ずるので、図1におけるl0 をゼ
ロとした。
【0042】すなわち、出射側リード部J0 の曲線光導
波路D3 ,D4 を、直接、結合部Cにおける光導波路
A,Bの出射端A2 ,B2 にそれぞれ光接続した構造に
なっている。式(5),式(6)に基づいて、Ci ,C
0 をそれぞれ計算し、その値を式(3)に代入し、か
つ、l0 =0を代入することによって、li は、32
6.7μmに設定されている。
波路D3 ,D4 を、直接、結合部Cにおける光導波路
A,Bの出射端A2 ,B2 にそれぞれ光接続した構造に
なっている。式(5),式(6)に基づいて、Ci ,C
0 をそれぞれ計算し、その値を式(3)に代入し、か
つ、l0 =0を代入することによって、li は、32
6.7μmに設定されている。
【0043】したがって、電極対の間隔lc は、式
(4)にli =326.7を代入した計算値に基づき6
53.5μmに設定されている。また、全ての電極対の
長さは式(2)から計算して2122.1μmに設定さ
れている。この光機能素子も、実施例1の素子と同じよ
うに動作させることにより、各種の機能を発揮した。
(4)にli =326.7を代入した計算値に基づき6
53.5μmに設定されている。また、全ての電極対の
長さは式(2)から計算して2122.1μmに設定さ
れている。この光機能素子も、実施例1の素子と同じよ
うに動作させることにより、各種の機能を発揮した。
【0044】なお、その場合、消光比は同じく30数d
Bであって、充分に、光スイッチ,光偏波スプリッタ,
偏波スイッチとして機能することができた。
Bであって、充分に、光スイッチ,光偏波スプリッタ,
偏波スイッチとして機能することができた。
【0045】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
光機能素子は、駆動方法によっては、高速な光スイッチ
あるいは光変調器や光偏波スプリッタ,偏波スイッチと
して機能することができ、そのときの消光比は30数d
B程度と高い消光比特性を示している。
光機能素子は、駆動方法によっては、高速な光スイッチ
あるいは光変調器や光偏波スプリッタ,偏波スイッチと
して機能することができ、そのときの消光比は30数d
B程度と高い消光比特性を示している。
【0046】したがって、本発明の光機能素子は、光通
信において漏話による誤り信号を発生する心配がない高
消光比方向性結合器型光機能素子としてその工業的価値
は大である。
信において漏話による誤り信号を発生する心配がない高
消光比方向性結合器型光機能素子としてその工業的価値
は大である。
【図1】本発明の光機能素子の基本構成を示す概念的な
平面パターン図である。
平面パターン図である。
【図2】電極対の装荷と電極相互の接続状態を示す平面
図である。
図である。
【図3】実施例の光機能素子を示す平面図である。
【図4】図3のIV−IV線に沿う断面図である。
【図5】別の実施例の光機能素子を示す平面図である。
【図6】従来の2入力・2出力方向性結合器を示す平面
パターン図である。
パターン図である。
1 下部電極 2 基板 3 バッファ層 4 下部クラッド層 5 コア層 6 上部クラッド層 6a,6b クラッド 6c キャップ 7 絶縁膜 7a 窓 A 光導波路 A1 光導波路Aの入射端 A2 光導波路Aの出射端 B 光導波路 B1 光導波路Bの入射端 B2 光導波路Bの出射端 D1 ,D2 ,D3 ,D4 曲線光導波路 E1 ,E2 直線光導波路(入射ポート) E3 直線光導波路(スルーポート) E4 直線光導波路(クロスポート) C 結合部 Ji 入射側リード部 J0 出射側リード部 f1 ,f2 ,f3 ,fM ,fM+1 ,fN −1,fN 電
極対 F1 光導波路Aに装荷される電極 F2 光導波路Bに装荷される電極 L 結合部Cの全長 l 電極対の長さ lc 電極対間の距離 li 入射端A1 ,B1 と第1段目電極対f1 の出射側
端部との距離 l0 第N段目電極対fN の出射側端部と出射端A2 ,
B2 との距離 W 光導波路の路幅 G 光導波路A,B間の間隔 G1 直線光導波路E1 ,E2 間の路幅中心間の距離 G2 直線光導波路E3 ,E4 間の路幅中心間の距離 R1 曲線光導波路D1 ,D2 の曲率半径 R2 曲線光導波路D3 ,D4 の曲率半径
極対 F1 光導波路Aに装荷される電極 F2 光導波路Bに装荷される電極 L 結合部Cの全長 l 電極対の長さ lc 電極対間の距離 li 入射端A1 ,B1 と第1段目電極対f1 の出射側
端部との距離 l0 第N段目電極対fN の出射側端部と出射端A2 ,
B2 との距離 W 光導波路の路幅 G 光導波路A,B間の間隔 G1 直線光導波路E1 ,E2 間の路幅中心間の距離 G2 直線光導波路E3 ,E4 間の路幅中心間の距離 R1 曲線光導波路D1 ,D2 の曲率半径 R2 曲線光導波路D3 ,D4 の曲率半径
Claims (1)
- 【請求項1】 電気光学効果を発現する材料または電気
信号の導入による屈折率制御が可能な構造を有する材料
から成る等幅な2本の光導波路が完全結合長L0でエバ
ネッセント結合して平行配置されている全長L1 の結合
部と、前記結合部の入射端で光接続する曲線または直線
の光導波路から成る入射側リード部と、前記結合部の出
射端で光接続する曲線の光導波路から成る出射側リード
部とを有し、前記結合部では、長さlの反転Δβ構造の
電極対が互いの間隔lC でN段(ただし、Nは3以上の
整数を表す)連続して配置され、かつ、前記結合部の入
射端から第1段目電極対の入射側端部までの距離は
li 、N段目電極対の出射側端部から前記結合部の出射
端までの距離はlo になっている方向性結合器型光機能
素子であって、前記L,L0 ,N,l,lc ,li ,l
o の間では、次式: L/L0 ≧2 L=li +N(l+lc )−lc +lo κli +Ci =κlo +Co κli +Ci +κlo +Co =κlc (式中、κは結合部における結合係数を表し、Ci は、
入射側リード導波路における結合係数の変化の関数を光
の進行方向につき結合部の入射端まで積分した値を表
し、Co は、出射側リード導波路における結合係数の変
化の関数を光の進行方向につき結合部の出射端を起点に
して積分した値を表す。)が成立していることを特徴と
する高消光比方向性結合器型光機能素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11271493A JPH06324363A (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | 高消光比方向性結合器型光機能素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11271493A JPH06324363A (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | 高消光比方向性結合器型光機能素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06324363A true JPH06324363A (ja) | 1994-11-25 |
Family
ID=14593680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11271493A Pending JPH06324363A (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | 高消光比方向性結合器型光機能素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06324363A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105829933A (zh) * | 2013-12-25 | 2016-08-03 | 华为技术有限公司 | 波导偏振分离和偏振转换器 |
-
1993
- 1993-05-14 JP JP11271493A patent/JPH06324363A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105829933A (zh) * | 2013-12-25 | 2016-08-03 | 华为技术有限公司 | 波导偏振分离和偏振转换器 |
| JP2017504830A (ja) * | 2013-12-25 | 2017-02-09 | 華為技術有限公司Huawei Technologies Co.,Ltd. | 導波路偏光スプリッタ兼偏光回転子 |
| CN105829933B (zh) * | 2013-12-25 | 2019-04-12 | 华为技术有限公司 | 波导偏振分离和偏振转换器 |
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