JPH06325907A - サーミスタ用磁器組成物 - Google Patents
サーミスタ用磁器組成物Info
- Publication number
- JPH06325907A JPH06325907A JP5132737A JP13273793A JPH06325907A JP H06325907 A JPH06325907 A JP H06325907A JP 5132737 A JP5132737 A JP 5132737A JP 13273793 A JP13273793 A JP 13273793A JP H06325907 A JPH06325907 A JP H06325907A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- thermistor
- temperature
- resistance value
- atmosphere
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 広い温度範囲で使用ができて、高温とか、還
元雰囲気中で安定な抵抗値を示すサーミスタ素子を提供
する。 【構成】 M1はLaを除く３ａ族に属する元素から選ばれ
た元素を示し、P2およびN2は各々４a 族、５a 族、６a
族、７a 族及び８族に属する元素の内該元素の酸化物が
Ｐ型およびＮ型の特性を示す元素としたとき、M1(P2 1-X
・N2 X )O3 と表わされる組成物において、Ｘを 0.1≦Ｘ
≦0.9 とすることにより、高温で安定な、また、酸化雰
囲気および還元雰囲気の何れの雰囲気においても安定な
抵抗値特性と使い易い温度勾配定数を有するサーミスタ
素子を提供することができた。
元雰囲気中で安定な抵抗値を示すサーミスタ素子を提供
する。 【構成】 M1はLaを除く３ａ族に属する元素から選ばれ
た元素を示し、P2およびN2は各々４a 族、５a 族、６a
族、７a 族及び８族に属する元素の内該元素の酸化物が
Ｐ型およびＮ型の特性を示す元素としたとき、M1(P2 1-X
・N2 X )O3 と表わされる組成物において、Ｘを 0.1≦Ｘ
≦0.9 とすることにより、高温で安定な、また、酸化雰
囲気および還元雰囲気の何れの雰囲気においても安定な
抵抗値特性と使い易い温度勾配定数を有するサーミスタ
素子を提供することができた。
Description
【０００１】
【産業上の技術分野】本発明は特に高温における安定性
の高い負の温度係数を持つサーミスタ用材料に関するも
のである。
の高い負の温度係数を持つサーミスタ用材料に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】高温で使用できるサーミスタ用材料とし
て従来から、(a) Al2O3 、Cr2O3 を主成分とするコラン
ダム型結晶構造を主体とする材料（例えば特開昭50-118
294 号公報、「ファインセラミックハンドブック」浜野
健也著、朝倉書店1984年発行）、(b) MgAl2O4 、MgCr2O
4 、MgFe2O4 等よりなるスピネル型結晶構造化合物を主
体とした材料（例えば特開昭49-63995号公報）、(c) Y2
O3等で安定化させたZrO2を主体とする材料（例えば「内
燃機関」第30巻第８号第98頁）、(d) 高融点で導電性を
もつペロブスカイト型結晶構造化合物を主体とした材
料、例えばLa(Al1-XCrX )O3 系の組成をもつ材料（例え
ば特開昭51-108298 号公報）、絶縁基板上にLaCrO3を薄
膜化して用いる材料（例えば特開昭61-161701 号公
報）、LaCrO3とMgAl2O4 とを混合した材料（例えば特開
昭51-95297号公報、特開昭51-23691号公報）等が使用さ
れてきた。
て従来から、(a) Al2O3 、Cr2O3 を主成分とするコラン
ダム型結晶構造を主体とする材料（例えば特開昭50-118
294 号公報、「ファインセラミックハンドブック」浜野
健也著、朝倉書店1984年発行）、(b) MgAl2O4 、MgCr2O
4 、MgFe2O4 等よりなるスピネル型結晶構造化合物を主
体とした材料（例えば特開昭49-63995号公報）、(c) Y2
O3等で安定化させたZrO2を主体とする材料（例えば「内
燃機関」第30巻第８号第98頁）、(d) 高融点で導電性を
もつペロブスカイト型結晶構造化合物を主体とした材
料、例えばLa(Al1-XCrX )O3 系の組成をもつ材料（例え
ば特開昭51-108298 号公報）、絶縁基板上にLaCrO3を薄
膜化して用いる材料（例えば特開昭61-161701 号公
報）、LaCrO3とMgAl2O4 とを混合した材料（例えば特開
昭51-95297号公報、特開昭51-23691号公報）等が使用さ
れてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、(a) コラン
ダム型結晶構造を主体とする材料の焼結には1650℃以上
の高い温度が必要であることや、他元素を添加すること
により抵抗−温度特性に僅かなバリエーションをもたせ
ることはできるが、大幅に抵抗−温度特性を調整するこ
とができない。例えば、添加剤を多く加えると安定なコ
ランダム構造でなくなり、熱安定性が劣化する等の問題
があった。 (b) スピネル型結晶構造化合物を主体とした材料は1600
℃以上の温度で焼結する必要があるため、リード線の劣
化という問題があると共に、温度勾配定数βが大きいた
め広い温度域で使用できない等の問題があった。また、
NiAl2O4 を主体とした材料（特開昭49-29493号公報
等）、CoAl2O4 を主体とした材料（特開昭48-705号公報
等）があるが、いずれも耐熱性が低くて、高温で使用で
きないという問題があった。
ダム型結晶構造を主体とする材料の焼結には1650℃以上
の高い温度が必要であることや、他元素を添加すること
により抵抗−温度特性に僅かなバリエーションをもたせ
ることはできるが、大幅に抵抗−温度特性を調整するこ
とができない。例えば、添加剤を多く加えると安定なコ
ランダム構造でなくなり、熱安定性が劣化する等の問題
があった。 (b) スピネル型結晶構造化合物を主体とした材料は1600
℃以上の温度で焼結する必要があるため、リード線の劣
化という問題があると共に、温度勾配定数βが大きいた
め広い温度域で使用できない等の問題があった。また、
NiAl2O4 を主体とした材料（特開昭49-29493号公報
等）、CoAl2O4 を主体とした材料（特開昭48-705号公報
等）があるが、いずれも耐熱性が低くて、高温で使用で
きないという問題があった。
【０００４】(c) ジルコニア系を主体とする材料は酸素
イオン導電性であるため、雰囲気の状態とくに還元性雰
囲気では抵抗値が不安定であるとか、低い温度域では抵
抗値が大きくなり実用上使用できないという問題があっ
た。 (d) ペロブスカイト型結晶構造化合物を主体とした材料
は1600℃以上の温度で焼結する必要があるためリード線
の劣化という問題があるとか、僅かでもLaの酸化物が未
反応のまま残った場合には、その未反応物が大気中の水
分と反応して不安定なLa(OH)3 となり、素子が崩壊して
しまうとか、抵抗値が不安定である等の問題があった。
イオン導電性であるため、雰囲気の状態とくに還元性雰
囲気では抵抗値が不安定であるとか、低い温度域では抵
抗値が大きくなり実用上使用できないという問題があっ
た。 (d) ペロブスカイト型結晶構造化合物を主体とした材料
は1600℃以上の温度で焼結する必要があるためリード線
の劣化という問題があるとか、僅かでもLaの酸化物が未
反応のまま残った場合には、その未反応物が大気中の水
分と反応して不安定なLa(OH)3 となり、素子が崩壊して
しまうとか、抵抗値が不安定である等の問題があった。
【０００５】本発明の課題は、これらの問題を解消し、
材料の組成を調整することにより広い範囲の抵抗値を得
ることができ、1600℃以下の温度で焼結することができ
ることにより、リード線の劣化を防ぎ、吸湿性の物質を
含まず、雰囲気の湿度とか熱履歴による特性の劣化が少
なく、室温から1100℃までの広い温度域で使用可能なサ
ーミスタ用磁器組成物を提供することにある。
材料の組成を調整することにより広い範囲の抵抗値を得
ることができ、1600℃以下の温度で焼結することができ
ることにより、リード線の劣化を防ぎ、吸湿性の物質を
含まず、雰囲気の湿度とか熱履歴による特性の劣化が少
なく、室温から1100℃までの広い温度域で使用可能なサ
ーミスタ用磁器組成物を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意研究の
結果、M1はLaを除く３ａ族に属する元素から選ばれた１
種または２種以上の元素を示し、P2は４a 、５a 、６a
、７a 及び８族に属する元素の酸化物がＰ型の特性を
示す元素から選ばれた１種または２種以上の元素とし、
N2は４a 、５a 、６a 、７a 及び８族に属する元素の酸
化物がＮ型の特性を示す元素から選ばれた１種または２
種以上の元素としたとき、M1(P2 1-X・N2 X )O3 と表わさ
れる組成物において、Ｘが、0.1 ≦Ｘ≦0.9 である磁器
組成物がサーミスタ用磁器組成物として好適であること
が分かった。
結果、M1はLaを除く３ａ族に属する元素から選ばれた１
種または２種以上の元素を示し、P2は４a 、５a 、６a
、７a 及び８族に属する元素の酸化物がＰ型の特性を
示す元素から選ばれた１種または２種以上の元素とし、
N2は４a 、５a 、６a 、７a 及び８族に属する元素の酸
化物がＮ型の特性を示す元素から選ばれた１種または２
種以上の元素としたとき、M1(P2 1-X・N2 X )O3 と表わさ
れる組成物において、Ｘが、0.1 ≦Ｘ≦0.9 である磁器
組成物がサーミスタ用磁器組成物として好適であること
が分かった。
【０００７】特に、より好ましくはM1をY 、Sm、Pr、N
d、Dy、Ho、Er、Gd及びYbの内から選ばれた１種または
２種以上の元素とし、P2をCr、Mn、Co及びNiの内から選
ばれた１種または２種以上の元素とし、N2をTi、V 、Fe
及びAlの内から選ばれた１種または２種以上の元素とし
たとき、M1(P2 1-X・N2 X )O3 と表わされる組成物におい
て、Ｘが 0.1≦Ｘ≦0.9 であることを特徴とするサーミ
スタ用磁器組成物とするとよい。本発明によるサーミス
タ用磁器組成物からなるサーミスタ素子は高温における
抵抗値の安定性がよく、雰囲気の酸素分圧による影響を
受けることが少なくなり、金属チューブ内にサーミスタ
素子を組み込んで使用する自動車用センサとして金属チ
ューブの格別の熱処理等を行うことなく広く使用するこ
とができる。
d、Dy、Ho、Er、Gd及びYbの内から選ばれた１種または
２種以上の元素とし、P2をCr、Mn、Co及びNiの内から選
ばれた１種または２種以上の元素とし、N2をTi、V 、Fe
及びAlの内から選ばれた１種または２種以上の元素とし
たとき、M1(P2 1-X・N2 X )O3 と表わされる組成物におい
て、Ｘが 0.1≦Ｘ≦0.9 であることを特徴とするサーミ
スタ用磁器組成物とするとよい。本発明によるサーミス
タ用磁器組成物からなるサーミスタ素子は高温における
抵抗値の安定性がよく、雰囲気の酸素分圧による影響を
受けることが少なくなり、金属チューブ内にサーミスタ
素子を組み込んで使用する自動車用センサとして金属チ
ューブの格別の熱処理等を行うことなく広く使用するこ
とができる。
【０００８】また、このサーミスタ用磁器組成物に焼結
助剤を混合して焼結性を向上させることにより低温で焼
成することができ、強度が高く耐熱性に優れた特性が得
られる。ここで、焼結助剤としては、シリカ、ムライト
等粒界に液相を形成し、マトリックスをなして磁器の焼
結性を高めるものを指す。更に、Ｘを0.15以上かつ0.5
以下としたサーミスタ用磁器組成物からなるサーミスタ
素子は吸湿することがなく、耐久試験による変化が少な
く、耐熱性が優れ、容易に実用上の最適な抵抗値に調整
することができて有用である。
助剤を混合して焼結性を向上させることにより低温で焼
成することができ、強度が高く耐熱性に優れた特性が得
られる。ここで、焼結助剤としては、シリカ、ムライト
等粒界に液相を形成し、マトリックスをなして磁器の焼
結性を高めるものを指す。更に、Ｘを0.15以上かつ0.5
以下としたサーミスタ用磁器組成物からなるサーミスタ
素子は吸湿することがなく、耐久試験による変化が少な
く、耐熱性が優れ、容易に実用上の最適な抵抗値に調整
することができて有用である。
【０００９】
【発明の作用】本発明による材料は、ペロブスカイト構
造であり、イオン半径が近い原子同志で互いに容易に置
換できるため、その置換された組成が安定に存在するた
め広い範囲で任意に組成を調整することができるもので
ある。また、Laを含んでいないため雰囲気の湿度等の影
響を受けることがなく、高温における安定性も優れてい
る。その理由は、本発明の化合物は高温においても安定
である、例えば、YCrO3 の融点は約2300℃と極めて高温
であることによるものと考えられる。
造であり、イオン半径が近い原子同志で互いに容易に置
換できるため、その置換された組成が安定に存在するた
め広い範囲で任意に組成を調整することができるもので
ある。また、Laを含んでいないため雰囲気の湿度等の影
響を受けることがなく、高温における安定性も優れてい
る。その理由は、本発明の化合物は高温においても安定
である、例えば、YCrO3 の融点は約2300℃と極めて高温
であることによるものと考えられる。
【００１０】ｐ型半導体とｎ型半導体の酸素分圧に対す
る依存性が逆であり、この両者を混合することにより、
お互いにその特性が相殺されて酸素分圧に対して安定な
特性をなすこととなる。また、熱に対して不安定な酸素
イオンまたは金属イオンの格子欠陥が少なくなって熱履
歴を受けても抵抗値の安定性が保たれる。
る依存性が逆であり、この両者を混合することにより、
お互いにその特性が相殺されて酸素分圧に対して安定な
特性をなすこととなる。また、熱に対して不安定な酸素
イオンまたは金属イオンの格子欠陥が少なくなって熱履
歴を受けても抵抗値の安定性が保たれる。
【００１０】また、本発明による材料は、広い範囲で連
続的に組成に調整することにより広い範囲で抵抗値を変
えることができるため、抵抗値や温度勾配定数（以下こ
れをβという）を自由に選ぶことができる利点もある。
本発明による材料は、1600℃以下の温度で焼結すること
ができて、リード線の劣化を防ぐことができ、しかも焼
結したサーミスタ素子は 300℃から1100℃以上の広い温
度範囲で使用することができるものである。
続的に組成に調整することにより広い範囲で抵抗値を変
えることができるため、抵抗値や温度勾配定数（以下こ
れをβという）を自由に選ぶことができる利点もある。
本発明による材料は、1600℃以下の温度で焼結すること
ができて、リード線の劣化を防ぐことができ、しかも焼
結したサーミスタ素子は 300℃から1100℃以上の広い温
度範囲で使用することができるものである。
【００１１】
【実施例１】本発明の第１の実施例を説明する。まず、
純度が99.9％以上で平均粒径が１μm のY2O3と、純度が
98.5％以上で平均粒径が１μm のCr2O3 と、純度が98.5
％以上で平均粒径が１μm のFe2O3 を表１に示す組成に
なるように秤量し、湿式により混合し、乾燥し、その
後、1400℃で２時間保持することにより仮焼する。仮焼
された粉末に平均粒径 0.6μm のSiO2粉末を１重量％加
えて湿式により混合する。混合したスラリーを 200メッ
シュの篩を通してから乾燥する。乾燥後PVB が15重量
％、DBP が10重量％、MEK が50重量％及びトルエンが25
重量％よりなるバインダーを添加して、プレス成形用粉
末を造粒する。
純度が99.9％以上で平均粒径が１μm のY2O3と、純度が
98.5％以上で平均粒径が１μm のCr2O3 と、純度が98.5
％以上で平均粒径が１μm のFe2O3 を表１に示す組成に
なるように秤量し、湿式により混合し、乾燥し、その
後、1400℃で２時間保持することにより仮焼する。仮焼
された粉末に平均粒径 0.6μm のSiO2粉末を１重量％加
えて湿式により混合する。混合したスラリーを 200メッ
シュの篩を通してから乾燥する。乾燥後PVB が15重量
％、DBP が10重量％、MEK が50重量％及びトルエンが25
重量％よりなるバインダーを添加して、プレス成形用粉
末を造粒する。
【表１】
【００１２】この粉末をリード線となる直径が0.4mm で
ある白金線を1.2mm の間隙を空けて２本平行に配置した
金型に充填して1000Kg/cm2の圧力でプレスすることによ
り、直径が３mm、厚みが２mmで２本のリード線を有する
図１に示す形状に成形する。その成形品を1550℃の大気
中で焼成することによりサーミスタ素子を得る。このよ
うにして得たサーミスタ素子について、 300℃、 600℃
及び 900℃の大気中における抵抗値を測定した。次に、
耐久試験として、各試料を1000℃の大気中で 300時間保
持し、その保持前後の 300℃、 600℃及び 900℃におけ
る抵抗値を測定することにより耐久性能を調べた。その
結果を表１に示す。また、環境試験として各試料を 900
℃で酸素分圧が10-7気圧の試験室に保持し、そのときの
抵抗値を測定することにより雰囲気の酸素分圧に対する
安定性の評価を行った。その結果を表１に併せ示す。
ある白金線を1.2mm の間隙を空けて２本平行に配置した
金型に充填して1000Kg/cm2の圧力でプレスすることによ
り、直径が３mm、厚みが２mmで２本のリード線を有する
図１に示す形状に成形する。その成形品を1550℃の大気
中で焼成することによりサーミスタ素子を得る。このよ
うにして得たサーミスタ素子について、 300℃、 600℃
及び 900℃の大気中における抵抗値を測定した。次に、
耐久試験として、各試料を1000℃の大気中で 300時間保
持し、その保持前後の 300℃、 600℃及び 900℃におけ
る抵抗値を測定することにより耐久性能を調べた。その
結果を表１に示す。また、環境試験として各試料を 900
℃で酸素分圧が10-7気圧の試験室に保持し、そのときの
抵抗値を測定することにより雰囲気の酸素分圧に対する
安定性の評価を行った。その結果を表１に併せ示す。
【００１３】なお、β、抵抗変化率（以下ΔＲ率とい
う）およびΔＲ率の温度換算値は次式により定義された
ものである。 β＝ln（Ｒ／Ｒ0)／（１／Ｋ−１／Ｋ0) ΔＲ率＝（Ｒt −Ｒ0 ）／Ｒ0 ×100 ％ ここで、lnは常用対数を示し、Ｒ及びＲ0 は各々大気中
で絶対温度Ｋ及びＫ0 における抵抗値を示す。300-650
及び650-900 とあるは各々 300℃と 650℃、及び650℃
と 900℃間におけるβを示す。また、Ｒt は耐久試験に
おいては耐久試験後の大気中の、環境試験においては酸
素分圧減圧室における各々絶対温度Ｋt （耐久試験にお
いてはｔ＝ 300℃又は、900℃、環境試験においてはｔ
＝ 900℃) における抵抗値を示す。ΔＲ率の温度換算値
はΔＲ率の欄で[ ]内に示し、次の式で定義される。 温度換算値＝β×Ｋ0 ／（ln（Ｒt ／Ｒ0)×Ｋ0 ＋β）
−Ｋ0
う）およびΔＲ率の温度換算値は次式により定義された
ものである。 β＝ln（Ｒ／Ｒ0)／（１／Ｋ−１／Ｋ0) ΔＲ率＝（Ｒt −Ｒ0 ）／Ｒ0 ×100 ％ ここで、lnは常用対数を示し、Ｒ及びＲ0 は各々大気中
で絶対温度Ｋ及びＫ0 における抵抗値を示す。300-650
及び650-900 とあるは各々 300℃と 650℃、及び650℃
と 900℃間におけるβを示す。また、Ｒt は耐久試験に
おいては耐久試験後の大気中の、環境試験においては酸
素分圧減圧室における各々絶対温度Ｋt （耐久試験にお
いてはｔ＝ 300℃又は、900℃、環境試験においてはｔ
＝ 900℃) における抵抗値を示す。ΔＲ率の温度換算値
はΔＲ率の欄で[ ]内に示し、次の式で定義される。 温度換算値＝β×Ｋ0 ／（ln（Ｒt ／Ｒ0)×Ｋ0 ＋β）
−Ｋ0
【００１４】表１から明らかな通り、M1(P2 1-X・N2 X )O
3 と一般式で表される組成において、P2とN2の混合比を
連続的に変えてその固容体を得ることができ、それによ
り抵抗値の調整を容易に行うことができる。例えばYCrO
3 のCrサイトをFeで置換することにより他の特性を損な
うことなく抵抗値やβを増加させることができるからで
ある。従って実用上必要とする抵抗値やβのサーミスタ
素子を容易に供給することができる。
3 と一般式で表される組成において、P2とN2の混合比を
連続的に変えてその固容体を得ることができ、それによ
り抵抗値の調整を容易に行うことができる。例えばYCrO
3 のCrサイトをFeで置換することにより他の特性を損な
うことなく抵抗値やβを増加させることができるからで
ある。従って実用上必要とする抵抗値やβのサーミスタ
素子を容易に供給することができる。
【００１５】これは、この反応系は単純な置換固溶であ
るため副生成物が無く、抵抗値の調整を容易に行うこと
ができるからであると考えられる。また耐久試験および
耐環境試験の結果からわかる通り、熱履歴とか雰囲気の
酸素分圧に対して非常に安定な特性を示していることが
わかる。これは、ｐ型半導体材であるYCrO3 とｎ型半導
体材であるFe2O3 の混合により、熱履歴に対して不安定
な金属イオン欠陥や酸素イオン欠陥の量が減少するため
であると考えられる。また、ｐ型半導体とｎ型半導体は
酸素分圧に対して逆の依存性を示すため両成分の混合に
より酸素分圧依存性が相殺されるものと考えられる。
るため副生成物が無く、抵抗値の調整を容易に行うこと
ができるからであると考えられる。また耐久試験および
耐環境試験の結果からわかる通り、熱履歴とか雰囲気の
酸素分圧に対して非常に安定な特性を示していることが
わかる。これは、ｐ型半導体材であるYCrO3 とｎ型半導
体材であるFe2O3 の混合により、熱履歴に対して不安定
な金属イオン欠陥や酸素イオン欠陥の量が減少するため
であると考えられる。また、ｐ型半導体とｎ型半導体は
酸素分圧に対して逆の依存性を示すため両成分の混合に
より酸素分圧依存性が相殺されるものと考えられる。
【００１６】特に、Ｘ＝0.2 ないし0.3 で格子欠陥が最
も少なくなっており、その結果、耐久試験を行った前後
の抵抗変化が小さいとか、環境試験を行ったときの抵抗
変化が小さくなっており、検出精度の高いことを要する
向きとか、酸素分圧が変化する雰囲気で使用するにも最
適である。
も少なくなっており、その結果、耐久試験を行った前後
の抵抗変化が小さいとか、環境試験を行ったときの抵抗
変化が小さくなっており、検出精度の高いことを要する
向きとか、酸素分圧が変化する雰囲気で使用するにも最
適である。
【００１７】
【発明の効果】本発明により、 300℃から1100℃の広い
温度範囲で使用可能で、酸化または還元のいずれの雰囲
気に対しても抵抗値の安定したサーミスタ素子を提供す
ることができたものである。また、リード線の劣化を防
止することができたため、高温における安定性が優れ、
広い温度範囲で使用可能で、機械的強度が強く、例えば
自動車の排気ガスの浄化用触媒の過熱検知装置とか、排
気ガス還流装置の還流ガス温の検知装置等高温のガス温
の測定装置又は振動の激しい場所での測定装置、その他
各種の炉の温度検出装置として使用できるサーミスタ用
磁器組成物を提供することができた。
温度範囲で使用可能で、酸化または還元のいずれの雰囲
気に対しても抵抗値の安定したサーミスタ素子を提供す
ることができたものである。また、リード線の劣化を防
止することができたため、高温における安定性が優れ、
広い温度範囲で使用可能で、機械的強度が強く、例えば
自動車の排気ガスの浄化用触媒の過熱検知装置とか、排
気ガス還流装置の還流ガス温の検知装置等高温のガス温
の測定装置又は振動の激しい場所での測定装置、その他
各種の炉の温度検出装置として使用できるサーミスタ用
磁器組成物を提供することができた。
【図１】本発明の実施例を示す図
１ サーミスタ素子 ２ リード線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 末松 義朗 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 M1はLaを除く３ａ族に属する元素から選
ばれた１種または２種以上の元素を示し、P2は４a 族、
５a 族、６a 族、７a 族及び８族に属する元素の酸化物
がｐ型の特性を示す元素から選ばれた１種または２種以
上の元素を示し、N2は４a 族、５a 族、６a 族、７a 族
及び８族に属する元素の酸化物がｎ型の特性を示す元素
から選ばれた１種または２種以上の元素を示すとしたと
き、 M1(P2 1-X・N2 X )O3 と表わされる組成物において、Ｘが
0.1 ≦Ｘ≦0.9 であることを特徴とするサーミスタ用磁
器組成物。 - 【請求項２】 M1をY 、Sm、Pr、Nd、Dy、Ho、Er、Gd及
びYbの内から選ばれた１種または２種以上の元素を示
し、P2をCr、Mn、Co及びNiの内から選ばれた１種または
２種以上の元素を示し、N2をTi、V 、Fe及びAlの内から
選ばれた１種または２種以上の元素を示すとしたとき、
M1(P2 1-X・N2 X )O3 と表わされる組成物において、Ｘが
0.1 ≦Ｘ≦0.9 であることを特徴とするサーミスタ用磁
器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5132737A JPH06325907A (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | サーミスタ用磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5132737A JPH06325907A (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | サーミスタ用磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06325907A true JPH06325907A (ja) | 1994-11-25 |
Family
ID=15088423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5132737A Pending JPH06325907A (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | サーミスタ用磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06325907A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0866472A2 (en) | 1997-03-19 | 1998-09-23 | Denso Corporation | Wide-range type thermistor element and method of producing the same |
| US6261480B1 (en) | 1997-03-19 | 2001-07-17 | Denso Corporation | Wide-range type thermistor element and method of producing the same |
| US6306315B1 (en) | 1998-02-27 | 2001-10-23 | Denso Corporation | Thermistor device thermistor device manufacturing method and temperature sensor |
| JP2003183075A (ja) * | 2001-10-11 | 2003-07-03 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 導電性酸化物焼結体 |
| US6663794B2 (en) | 2000-08-10 | 2003-12-16 | Nippon Soken, Inc. | Reducing-atmosphere-resistant thermistor element, production method thereof and temperature sensor |
| US6740261B1 (en) | 1997-03-19 | 2004-05-25 | Denso Corporation | Wide-range type thermistor element and method of producing the same |
| US6878304B2 (en) | 2000-08-10 | 2005-04-12 | Nippon Soken Inc. | Reduction resistant thermistor, method of production thereof, and temperature sensor |
| JP4754652B1 (ja) * | 2010-09-08 | 2011-08-24 | 立山科学工業株式会社 | 接触燃焼式ガスセンサの制御回路 |
| KR101304939B1 (ko) * | 2012-02-09 | 2013-09-06 | 조선대학교산학협력단 | 온도센서용 조성물, 이를 이용하여 제조된 온도센서 및 이의 제조방법 |
-
1993
- 1993-05-10 JP JP5132737A patent/JPH06325907A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0866472A2 (en) | 1997-03-19 | 1998-09-23 | Denso Corporation | Wide-range type thermistor element and method of producing the same |
| US6261480B1 (en) | 1997-03-19 | 2001-07-17 | Denso Corporation | Wide-range type thermistor element and method of producing the same |
| US6740261B1 (en) | 1997-03-19 | 2004-05-25 | Denso Corporation | Wide-range type thermistor element and method of producing the same |
| US6306315B1 (en) | 1998-02-27 | 2001-10-23 | Denso Corporation | Thermistor device thermistor device manufacturing method and temperature sensor |
| US7056453B2 (en) | 1998-02-27 | 2006-06-06 | Denso Corporation | Thermistor device, thermistor device manufacturing method and temperature sensor |
| US6663794B2 (en) | 2000-08-10 | 2003-12-16 | Nippon Soken, Inc. | Reducing-atmosphere-resistant thermistor element, production method thereof and temperature sensor |
| US6878304B2 (en) | 2000-08-10 | 2005-04-12 | Nippon Soken Inc. | Reduction resistant thermistor, method of production thereof, and temperature sensor |
| JP2003183075A (ja) * | 2001-10-11 | 2003-07-03 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 導電性酸化物焼結体 |
| JP4754652B1 (ja) * | 2010-09-08 | 2011-08-24 | 立山科学工業株式会社 | 接触燃焼式ガスセンサの制御回路 |
| WO2012033054A1 (ja) * | 2010-09-08 | 2012-03-15 | 立山科学工業株式会社 | 接触燃焼式ガスセンサ、その製造方法及びその制御回路 |
| KR101304939B1 (ko) * | 2012-02-09 | 2013-09-06 | 조선대학교산학협력단 | 온도센서용 조성물, 이를 이용하여 제조된 온도센서 및 이의 제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3254594B2 (ja) | サーミスタ用磁器組成物およびサーミスタ素子 | |
| US4454494A (en) | Oxygen sensors | |
| JP3254595B2 (ja) | サーミスタ用磁器組成物 | |
| JPH0799102A (ja) | サーミスタ用磁器組成物およびサーミスタ素子 | |
| EP0703438B1 (en) | A temperature sensor and its manufacturing method | |
| KR100427900B1 (ko) | 희토류금속원소함유의고온서미스터 | |
| EP0180646B1 (en) | Composition | |
| CA1123117A (en) | Rare earth or yttrium, transition metal oxide thermistors | |
| JP3331447B2 (ja) | サーミスタ用磁器組成物の製造方法 | |
| JP3393261B2 (ja) | サーミスタ用磁器組成物 | |
| JP2985561B2 (ja) | 温度センサ | |
| JPS6161344B2 (ja) | ||
| JP3569810B2 (ja) | 高温用サーミスタ | |
| JP2904007B2 (ja) | 温度センサ | |
| KR20160061457A (ko) | La 산화물을 주성분으로 하는 온도센서용 서미스터 세라믹 조성물 | |
| JP2904002B2 (ja) | 温度センサ | |
| JP3121967B2 (ja) | セラミック製発熱素子 | |
| KR0140493B1 (ko) | 온도센서와 그 제조방법 | |
| JP5072760B2 (ja) | 圧電磁器およびそれを用いた圧電素子 | |
| JP2985562B2 (ja) | 温度センサ | |
| JPS6161684B2 (ja) | ||
| JPS5811082B2 (ja) | 温度湿度検出素子 | |
| JPH0737704A (ja) | 温度センサ | |
| JPH0543161B2 (ja) | ||
| JPS5919310B2 (ja) | ガス成分検出素子 |