JPH06325979A - 複合電子部品 - Google Patents
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
-
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 一体焼結されるＰｂ系の誘電体材料からなる
誘電体セラミック部分とＮｉ−Ｚｎ系のフェライト材料
からなる磁性体セラミック部分との接合性が向上され、
それらの間の相互拡散が防止され、電気的特性の劣化が
少ない、複合電子部品を提供する。 【構成】 複合電子部品１０の誘電体セラミック部分１
２の内部には、コンデンサの一部を構成する内部電極１
４ａおよび１４ｂが形成されている。誘電体セラミック
部分１２は、Ｐｂ，Ｎｉ，ＦｅおよびＮｂを主成分とす
るセラミック材料からなる中間層１６によって、Ｎｉ−
Ｚｎ系のフェライト材料からなる磁性体セラミック部分
１８に接合される。磁性体セラミック部分１８の内部に
は、インダクタの一部を内部電極が形成されている。さ
らに、誘電体セラミック部分１２，中間層１６および磁
性体セラミック部分１８の端部には、複数の外部電極が
形成され、所定の内部電極にそれぞれ接続される。
誘電体セラミック部分とＮｉ−Ｚｎ系のフェライト材料
からなる磁性体セラミック部分との接合性が向上され、
それらの間の相互拡散が防止され、電気的特性の劣化が
少ない、複合電子部品を提供する。 【構成】 複合電子部品１０の誘電体セラミック部分１
２の内部には、コンデンサの一部を構成する内部電極１
４ａおよび１４ｂが形成されている。誘電体セラミック
部分１２は、Ｐｂ，Ｎｉ，ＦｅおよびＮｂを主成分とす
るセラミック材料からなる中間層１６によって、Ｎｉ−
Ｚｎ系のフェライト材料からなる磁性体セラミック部分
１８に接合される。磁性体セラミック部分１８の内部に
は、インダクタの一部を内部電極が形成されている。さ
らに、誘電体セラミック部分１２，中間層１６および磁
性体セラミック部分１８の端部には、複数の外部電極が
形成され、所定の内部電極にそれぞれ接続される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は複合電子部品に関し、
特に一体焼結される誘電体セラミック部分および磁性体
セラミック部分を有するたとえば積層ＬＣフィルタなど
の複合電子部品に関する。
特に一体焼結される誘電体セラミック部分および磁性体
セラミック部分を有するたとえば積層ＬＣフィルタなど
の複合電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】この発明の背景となる従来の積層ＬＣフ
ィルタには、誘電体グリーンシートと磁性体グリーンシ
ートとを焼成前に圧着接合し、それらを焼成することに
よって、誘電体セラミック部分と磁性体セラミック部分
とを直接接合したものがあった。
ィルタには、誘電体グリーンシートと磁性体グリーンシ
ートとを焼成前に圧着接合し、それらを焼成することに
よって、誘電体セラミック部分と磁性体セラミック部分
とを直接接合したものがあった。
【０００３】さらに、従来の積層ＬＣフィルタには、た
とえば特開昭５９−９０９１５号，特開昭５８−１７２
８０４号あるいは特公昭５９−３３２４７号などに開示
されているように、誘電体グリーンシートと磁性体グリ
ーンシートとの間に、誘電体材料，磁性体材料，ガラス
および金属などの混合物からなる層を形成し、それらを
焼成することによって、誘電体セラミック部分と磁性体
セラミック部分との間に中間層を形成したものがあっ
た。
とえば特開昭５９−９０９１５号，特開昭５８−１７２
８０４号あるいは特公昭５９−３３２４７号などに開示
されているように、誘電体グリーンシートと磁性体グリ
ーンシートとの間に、誘電体材料，磁性体材料，ガラス
および金属などの混合物からなる層を形成し、それらを
焼成することによって、誘電体セラミック部分と磁性体
セラミック部分との間に中間層を形成したものがあっ
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、誘電体セラ
ミック部分と磁性体セラミック部分とを直接接合した従
来の積層ＬＣフィルタでは、焼成時に誘電体セラミック
部分と磁性体セラミック部分との間に生じる相互拡散に
よって、絶縁抵抗が低下したり、焼成時に誘電体セラミ
ック部分と磁性体セラミック部分との間に集中して発生
する応力によって、誘電体セラミック部分と磁性体セラ
ミック部分との接合界面において剥離が生じたりする。
ミック部分と磁性体セラミック部分とを直接接合した従
来の積層ＬＣフィルタでは、焼成時に誘電体セラミック
部分と磁性体セラミック部分との間に生じる相互拡散に
よって、絶縁抵抗が低下したり、焼成時に誘電体セラミ
ック部分と磁性体セラミック部分との間に集中して発生
する応力によって、誘電体セラミック部分と磁性体セラ
ミック部分との接合界面において剥離が生じたりする。
【０００５】一方、誘電体セラミック部分と磁性体セラ
ミック部分との間に中間層を形成した従来の積層ＬＣフ
ィルタでは、焼成によって発生する誘電体セラミック部
分と磁性体セラミック部分との間の応力が緩和される。
しかしながら、このような従来の中間層を形成した複合
電子部品では、誘電体セラミック部分および磁性体セラ
ミック部分を１０００℃以下の低温で一体焼結するため
に、誘電体セラミック部分の材料としてＰｂ系の誘電体
材料を用いかつ磁性体セラミック部分の材料としてＮｉ
−Ｚｎ系のフェライト材料を用いた場合、誘電体セラミ
ック部分と磁性体セラミック部分との間の相互拡散が防
止されず、中間層としての効果がなく、また、中間層に
ガラスを混合すると、ガラス成分が拡散し、かえって電
気的特性が劣化する場合がある。
ミック部分との間に中間層を形成した従来の積層ＬＣフ
ィルタでは、焼成によって発生する誘電体セラミック部
分と磁性体セラミック部分との間の応力が緩和される。
しかしながら、このような従来の中間層を形成した複合
電子部品では、誘電体セラミック部分および磁性体セラ
ミック部分を１０００℃以下の低温で一体焼結するため
に、誘電体セラミック部分の材料としてＰｂ系の誘電体
材料を用いかつ磁性体セラミック部分の材料としてＮｉ
−Ｚｎ系のフェライト材料を用いた場合、誘電体セラミ
ック部分と磁性体セラミック部分との間の相互拡散が防
止されず、中間層としての効果がなく、また、中間層に
ガラスを混合すると、ガラス成分が拡散し、かえって電
気的特性が劣化する場合がある。
【０００６】このように、誘電体セラミック部分と磁性
体セラミック部分との間の中間層の性質は、誘電体セラ
ミック部分の材料および磁性体セラミック部分の材料の
組成に大きく依存する。そのため、中間層の材料とし
て、誘電体セラミック部分の材料と磁性体セラミック部
分の材料とに適合した材料を見出す必要がある。なぜな
ら、中間層の材料として誘電体セラミック部分の材料お
よび磁性体セラミック部分の材料に適合しない材料を用
いれば、中間層としての機能が発揮されず、複合電子部
品として使用することができないからである。
体セラミック部分との間の中間層の性質は、誘電体セラ
ミック部分の材料および磁性体セラミック部分の材料の
組成に大きく依存する。そのため、中間層の材料とし
て、誘電体セラミック部分の材料と磁性体セラミック部
分の材料とに適合した材料を見出す必要がある。なぜな
ら、中間層の材料として誘電体セラミック部分の材料お
よび磁性体セラミック部分の材料に適合しない材料を用
いれば、中間層としての機能が発揮されず、複合電子部
品として使用することができないからである。
【０００７】それゆえに、この発明の主たる目的は、一
体焼結されるＰｂ系の誘電体材料からなる誘電体セラミ
ック部分とＮｉ−Ｚｎ系のフェライト材料からなる磁性
体セラミック部分との接合性が向上され、それらの間の
相互拡散が防止され、電気的特性の劣化が少ない、複合
電子部品を提供することである。
体焼結されるＰｂ系の誘電体材料からなる誘電体セラミ
ック部分とＮｉ−Ｚｎ系のフェライト材料からなる磁性
体セラミック部分との接合性が向上され、それらの間の
相互拡散が防止され、電気的特性の劣化が少ない、複合
電子部品を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、一体焼結さ
れるＰｂ系の誘電体材料からなる誘電体セラミック部分
およびＮｉ−Ｚｎ系のフェライト材料からなる磁性体セ
ラミック部分を有する複合電子部品であって、誘電体セ
ラミック部分と磁性体セラミック部分との間に、Ｐｂ，
Ｎｉ，ＦｅおよびＮｂを主成分とするセラミック材料か
らなる中間層が形成される、複合電子部品である。な
お、誘電体セラミック部分の材料としては、たとえば、
一般式ＰｂＡＯ3 で表されＡがＢｉ，Ｍｇ，Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｒ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇｅ，Ｎ
ｉ，Ｚｎ，Ｗ，Ｃｕ，Ｎｂ，ＴｉおよびＭｎの少なくと
も１種類以上を含む平均４価イオンである鉛複合ペロブ
スカイト化合物が用いられることが好ましい。
れるＰｂ系の誘電体材料からなる誘電体セラミック部分
およびＮｉ−Ｚｎ系のフェライト材料からなる磁性体セ
ラミック部分を有する複合電子部品であって、誘電体セ
ラミック部分と磁性体セラミック部分との間に、Ｐｂ，
Ｎｉ，ＦｅおよびＮｂを主成分とするセラミック材料か
らなる中間層が形成される、複合電子部品である。な
お、誘電体セラミック部分の材料としては、たとえば、
一般式ＰｂＡＯ3 で表されＡがＢｉ，Ｍｇ，Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｒ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇｅ，Ｎ
ｉ，Ｚｎ，Ｗ，Ｃｕ，Ｎｂ，ＴｉおよびＭｎの少なくと
も１種類以上を含む平均４価イオンである鉛複合ペロブ
スカイト化合物が用いられることが好ましい。
【０００９】
【作用】Ｐｂ，Ｎｉ，ＦｅおよびＮｂを主成分とするセ
ラミック材料からなる中間層によって、Ｐｂ系の誘電体
材料からなる誘電体セラミック部分とＮｉ−Ｚｎ系のフ
ェライト材料からなる磁性体セラミック部分とが強固に
接合される。さらに、その中間層によって、Ｐｂ系の誘
電体材料からなる誘電体セラミック部分とＮｉ−Ｚｎ系
のフェライト材料からなる磁性体セラミック部分との間
の相互拡散が防止され、複合電子部品の電気的特性の劣
化が抑えられる。
ラミック材料からなる中間層によって、Ｐｂ系の誘電体
材料からなる誘電体セラミック部分とＮｉ−Ｚｎ系のフ
ェライト材料からなる磁性体セラミック部分とが強固に
接合される。さらに、その中間層によって、Ｐｂ系の誘
電体材料からなる誘電体セラミック部分とＮｉ−Ｚｎ系
のフェライト材料からなる磁性体セラミック部分との間
の相互拡散が防止され、複合電子部品の電気的特性の劣
化が抑えられる。
【００１０】
【発明の効果】この発明によれば、Ｐｂ系の誘電体材料
からなる誘電体セラミック部分とＮｉ−Ｚｎ系のフェラ
イト材料からなる磁性体セラミック部分との接合性が向
上され、それらの間の相互拡散が防止され、電気的特性
の劣化が少ない、複合電子部品が得られる。
からなる誘電体セラミック部分とＮｉ−Ｚｎ系のフェラ
イト材料からなる磁性体セラミック部分との接合性が向
上され、それらの間の相互拡散が防止され、電気的特性
の劣化が少ない、複合電子部品が得られる。
【００１１】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【００１２】
【実施例】図１はこの発明の一実施例を示す断面図解図
である。この複合電子部品１０は、たとえばＰｂ（Ｎｉ
1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 −Ｐｂ（Ｚｎ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 −Ｐ
ｂＴｉＯ3 −Ｐｂ（Ｃｕ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 系の鉛複合
ペロブスカイト化合物からなる誘電体セラミック部分１
２を含む。この誘電体セラミック部分１２の内部には、
コンデンサの一部を構成する内部電極１４ａおよび１４
ｂが形成されている。なお、誘電体セラミック部分１２
の材料としては、上記の材料以外のＰｂ系の誘電体材料
が用いられてもよいが、一般式ＰｂＡＯ3 で表されＡが
Ｂｉ，Ｍｇ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｒ，Ｓ
ｎ，Ｓｂ，Ｇｅ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｗ，Ｃｕ，Ｎｂ，Ｔｉお
よびＭｎの少なくとも１種類以上を含む平均４価イオン
である鉛複合ペロブスカイト化合物が用いられることが
好ましい。
である。この複合電子部品１０は、たとえばＰｂ（Ｎｉ
1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 −Ｐｂ（Ｚｎ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 −Ｐ
ｂＴｉＯ3 −Ｐｂ（Ｃｕ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 系の鉛複合
ペロブスカイト化合物からなる誘電体セラミック部分１
２を含む。この誘電体セラミック部分１２の内部には、
コンデンサの一部を構成する内部電極１４ａおよび１４
ｂが形成されている。なお、誘電体セラミック部分１２
の材料としては、上記の材料以外のＰｂ系の誘電体材料
が用いられてもよいが、一般式ＰｂＡＯ3 で表されＡが
Ｂｉ，Ｍｇ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｒ，Ｓ
ｎ，Ｓｂ，Ｇｅ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｗ，Ｃｕ，Ｎｂ，Ｔｉお
よびＭｎの少なくとも１種類以上を含む平均４価イオン
である鉛複合ペロブスカイト化合物が用いられることが
好ましい。
【００１３】この誘電体セラミック部分１２は、たとえ
ば０．５Ｐｂ（Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 −０．５Ｐｂ
（Ｎｉ1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 を主成分とするセラミック材
料からなる中間層１６によって、たとえば（Ｎｉ，Ｚ
ｎ，Ｃｕ）−Ｆｅ2 Ｏ4 系のフェライト材料からなる磁
性体セラミック部分１８に接合される。なお、中間層１
６の材料としては、上記の材料以外のＰｂ，Ｎｉ，Ｆｅ
およびＮｂを主成分とするセラミック材料が用いられて
もよい。また、磁性体セラミック部分１８の材料として
は、上記の材料以外のＮｉ−Ｚｎ系のフェライト材料が
用いられてもよい。この磁性体セラミック部分１８の内
部には、インダクタの一部を内部電極（図示せず）が形
成されている。
ば０．５Ｐｂ（Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 −０．５Ｐｂ
（Ｎｉ1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 を主成分とするセラミック材
料からなる中間層１６によって、たとえば（Ｎｉ，Ｚ
ｎ，Ｃｕ）−Ｆｅ2 Ｏ4 系のフェライト材料からなる磁
性体セラミック部分１８に接合される。なお、中間層１
６の材料としては、上記の材料以外のＰｂ，Ｎｉ，Ｆｅ
およびＮｂを主成分とするセラミック材料が用いられて
もよい。また、磁性体セラミック部分１８の材料として
は、上記の材料以外のＮｉ−Ｚｎ系のフェライト材料が
用いられてもよい。この磁性体セラミック部分１８の内
部には、インダクタの一部を内部電極（図示せず）が形
成されている。
【００１４】さらに、誘電体セラミック部分１２，中間
層１６および磁性体セラミック部分１８の端部には、た
とえばＡｇからなる複数の外部電極（図示せず）が形成
され、これらの外部電極は、所定の内部電極にそれぞれ
接続される。
層１６および磁性体セラミック部分１８の端部には、た
とえばＡｇからなる複数の外部電極（図示せず）が形成
され、これらの外部電極は、所定の内部電極にそれぞれ
接続される。
【００１５】次のこの複合電子部品１０の製造方法の一
例について説明する。
例について説明する。
【００１６】まず、誘電体セラミック部分１２の材料と
して、たとえばＰｂ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 −Ｐｂ
（Ｚｎ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 −ＰｂＴｉＯ3 −Ｐｂ（Ｃｕ
1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 系の鉛複合ペロブスカイト化合物が
準備される。
して、たとえばＰｂ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 −Ｐｂ
（Ｚｎ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 −ＰｂＴｉＯ3 −Ｐｂ（Ｃｕ
1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 系の鉛複合ペロブスカイト化合物が
準備される。
【００１７】さらに、磁性体セラミック部分１８の材料
として、たとえば（Ｎｉ，Ｚｎ，Ｃｕ）−Ｆｅ2 Ｏ4 系
のフェライト材料が準備される。
として、たとえば（Ｎｉ，Ｚｎ，Ｃｕ）−Ｆｅ2 Ｏ4 系
のフェライト材料が準備される。
【００１８】そして、それぞれの材料にバインダーを混
合するなどして、誘電体グリーンシートおよび磁性体グ
リーンシートがそれぞれ形成される。誘電体グリーンシ
ートの表面および磁性体グリーンシートの表面には、内
部電極となる導電体などの電極材料がそれぞれ印刷され
る。さらに、これらの誘電体グリーンシートおよび磁性
体グリーンシートは、それぞれ所定の大きさにカットさ
れる。
合するなどして、誘電体グリーンシートおよび磁性体グ
リーンシートがそれぞれ形成される。誘電体グリーンシ
ートの表面および磁性体グリーンシートの表面には、内
部電極となる導電体などの電極材料がそれぞれ印刷され
る。さらに、これらの誘電体グリーンシートおよび磁性
体グリーンシートは、それぞれ所定の大きさにカットさ
れる。
【００１９】また、中間層１６の材料として、たとえば
０．５Ｐｂ（Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 −０．５Ｐｂ（Ｎ
ｉ1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 を主成分とするセラミック材料が
準備される。
０．５Ｐｂ（Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 −０．５Ｐｂ（Ｎ
ｉ1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 を主成分とするセラミック材料が
準備される。
【００２０】そして、カットされた誘電体グリーンシー
トと磁性体グリーンシートとが上述のセラミック材料の
層を挟むようにして積層され、積層体が形成される。こ
の場合、誘電体グリーンシートは、誘電体セラミック部
分１２の厚みの対応する数だけ積層され、磁性体グリー
ンシートは、磁性体セラミック部分１８の厚みに対応す
る数だけ積層される。また、セラミック材料の層は、中
間層１６の厚みに対応する厚みに形成される。
トと磁性体グリーンシートとが上述のセラミック材料の
層を挟むようにして積層され、積層体が形成される。こ
の場合、誘電体グリーンシートは、誘電体セラミック部
分１２の厚みの対応する数だけ積層され、磁性体グリー
ンシートは、磁性体セラミック部分１８の厚みに対応す
る数だけ積層される。また、セラミック材料の層は、中
間層１６の厚みに対応する厚みに形成される。
【００２１】それから、積層体は、その積層方向にたと
えば５０℃，１ｔ／ｃｍ2 で単軸プレス機によって圧着
される。圧着された積層体は、たとえば５０℃で所定の
大きさにカットされる。
えば５０℃，１ｔ／ｃｍ2 で単軸プレス機によって圧着
される。圧着された積層体は、たとえば５０℃で所定の
大きさにカットされる。
【００２２】カットされた積層体は、たとえば５００℃
で１時間放置され、その中からバインダーが除去され
る。なお、積層体を５００℃に上昇する際には、１分間
当たりに１℃上昇される。
で１時間放置され、その中からバインダーが除去され
る。なお、積層体を５００℃に上昇する際には、１分間
当たりに１℃上昇される。
【００２３】そして、積層体は、たとえば１０００℃で
２時間焼成され、誘電体セラミック部分１２，中間層１
６および磁性体セラミック部分１８が一体焼結される。
なお、積層体を１０００℃に上昇する際には、１分間当
たりに２℃上昇される。
２時間焼成され、誘電体セラミック部分１２，中間層１
６および磁性体セラミック部分１８が一体焼結される。
なお、積層体を１０００℃に上昇する際には、１分間当
たりに２℃上昇される。
【００２４】それから、一体焼結された誘電体セラミッ
ク部分１２，中間層１６および磁性体セラミック部分１
８の端部にはたとえばＡｇペーストが塗布され、塗布さ
れたＡｇペーストがたとえば８００℃で焼き付けられ、
外部電極が形成される。
ク部分１２，中間層１６および磁性体セラミック部分１
８の端部にはたとえばＡｇペーストが塗布され、塗布さ
れたＡｇペーストがたとえば８００℃で焼き付けられ、
外部電極が形成される。
【００２５】この複合電子部品１０では、Ｐｂ系の誘電
体材料からなる誘電体セラミック部分１２とＮｉ−Ｚｎ
系のフェライトからなる磁性体セラミック部分１８との
間にＰｂ，Ｎｉ，ＦｅおよびＮｂを主成分とするセラミ
ック材料からなる中間層１６が形成されるので、その中
間層１６によって誘電体セラミック部分１２と磁性体セ
ラミック部分１８とが強固に接合される。
体材料からなる誘電体セラミック部分１２とＮｉ−Ｚｎ
系のフェライトからなる磁性体セラミック部分１８との
間にＰｂ，Ｎｉ，ＦｅおよびＮｂを主成分とするセラミ
ック材料からなる中間層１６が形成されるので、その中
間層１６によって誘電体セラミック部分１２と磁性体セ
ラミック部分１８とが強固に接合される。
【００２６】さらに、この複合電子部品１０では、その
中間層１６によって、Ｐｂ系の誘電体材料からなる誘電
体セラミック部分１２とＮｉ−Ｚｎ系のフェライトから
なる磁性体セラミック部分１８との間の相互拡散が防止
され、電気的特性の劣化が抑えられる。
中間層１６によって、Ｐｂ系の誘電体材料からなる誘電
体セラミック部分１２とＮｉ−Ｚｎ系のフェライトから
なる磁性体セラミック部分１８との間の相互拡散が防止
され、電気的特性の劣化が抑えられる。
【００２７】実験例として、まず、上述の実施例と、図
２に示すようにその実施例と比べて中間層を形成してい
ない比較例と、図３に示すようにその実施例と比べて中
間層および磁性体セラミック部分を形成していない単体
の積層コンデンサとを準備した。そして、それらの実施
例，比較例および積層コンデンサについて、それぞれ、
内部電極１４ａおよび１４ｂ間の静電容量（ｎＦ），誘
電損失（％）および絶縁抵抗ＩＲ（Ω）を測定した。そ
れらの測定結果を表１に示す。なお、表１には、絶縁抵
抗ＩＲ（Ω）については対数で示す。
２に示すようにその実施例と比べて中間層を形成してい
ない比較例と、図３に示すようにその実施例と比べて中
間層および磁性体セラミック部分を形成していない単体
の積層コンデンサとを準備した。そして、それらの実施
例，比較例および積層コンデンサについて、それぞれ、
内部電極１４ａおよび１４ｂ間の静電容量（ｎＦ），誘
電損失（％）および絶縁抵抗ＩＲ（Ω）を測定した。そ
れらの測定結果を表１に示す。なお、表１には、絶縁抵
抗ＩＲ（Ω）については対数で示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】表１に示す測定結果から明らかなように、
中間層のない比較例では、単体の積層コンデンサに比べ
て、誘電損失が増加し、絶縁抵抗が著しく低下している
が、中間層を有する実施例では、比較例と比べて、誘電
損失が小さく、絶縁抵抗が大きく、単体の積層コンデン
サの電気的特性に近いことがわかる。
中間層のない比較例では、単体の積層コンデンサに比べ
て、誘電損失が増加し、絶縁抵抗が著しく低下している
が、中間層を有する実施例では、比較例と比べて、誘電
損失が小さく、絶縁抵抗が大きく、単体の積層コンデン
サの電気的特性に近いことがわかる。
【００３０】なお、上述の実施例では１つの誘電体セラ
ミック部分と１つの磁性体セラミック部分とが中間層で
接合されているが、この発明は、たとえば、１つの誘電
体セラミック部分の両側にそれぞれの磁性体セラミック
部分がそれぞれの中間層で接合される複合電子部品、１
つの磁性体セラミック部分の両側にそれぞれの誘電体セ
ラミック部分がそれぞれの中間層で接合される複合電子
部品、および複数の誘電体セラミック部分と複数の磁性
体セラミック部分とが交互にそれぞれの中間層で接合さ
れる複合電子部品にも適用される。
ミック部分と１つの磁性体セラミック部分とが中間層で
接合されているが、この発明は、たとえば、１つの誘電
体セラミック部分の両側にそれぞれの磁性体セラミック
部分がそれぞれの中間層で接合される複合電子部品、１
つの磁性体セラミック部分の両側にそれぞれの誘電体セ
ラミック部分がそれぞれの中間層で接合される複合電子
部品、および複数の誘電体セラミック部分と複数の磁性
体セラミック部分とが交互にそれぞれの中間層で接合さ
れる複合電子部品にも適用される。
【００３１】また、上述の実施例では１つの誘電体セラ
ミック部分の主面と１つの磁性体セラミック部分の主面
とが中間層で接合されているが、この発明は、誘電体セ
ラミック部分および磁性体セラミック部分の一方に凹部
が設けられ、その凹部の中に誘電体セラミック部分およ
び磁性体セラミック部分の他方が中間層で接合される複
合電子部品にも適用され得る。
ミック部分の主面と１つの磁性体セラミック部分の主面
とが中間層で接合されているが、この発明は、誘電体セ
ラミック部分および磁性体セラミック部分の一方に凹部
が設けられ、その凹部の中に誘電体セラミック部分およ
び磁性体セラミック部分の他方が中間層で接合される複
合電子部品にも適用され得る。
【図１】この発明の一実施例を示す断面図解図である。
【図２】比較例を示す断面図解図である。
【図３】積層コンデンサを示す断面図解図である。
１０ 複合電子部品 １２ 誘電体セラミック部分 １４ａ，１４ｂ 内部電極 １６ 中間層 １８ 磁性体セラミック部分
フロントページの続き (72)発明者 山 崎 富 夫 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 河 端 利 夫 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (2)
- 【請求項１】 一体焼結されるＰｂ系の誘電体材料から
なる誘電体セラミック部分およびＮｉ−Ｚｎ系のフェラ
イト材料からなる磁性体セラミック部分を有する複合電
子部品であって、 前記誘電体セラミック部分と前記磁性体セラミック部分
との間に、Ｐｂ，Ｎｉ，ＦｅおよびＮｂを主成分とする
セラミック材料からなる中間層が形成される、複合電子
部品。 - 【請求項２】 前記誘電体セラミック部分の材料は、一
般式ＰｂＡＯ3 で表されＡがＢｉ，Ｍｇ，Ｆｅ，Ｃｏ，
Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｒ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｇｅ，Ｎｉ，Ｚ
ｎ，Ｗ，Ｃｕ，Ｎｂ，ＴｉおよびＭｎの少なくとも１種
類以上を含む平均４価イオンである鉛複合ペロブスカイ
ト化合物である、請求項１の複合電子部品。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5133888A JPH06325979A (ja) | 1993-05-11 | 1993-05-11 | 複合電子部品 |
| US08/240,327 US5453316A (en) | 1993-05-11 | 1994-05-10 | Composite electronic part |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5133888A JPH06325979A (ja) | 1993-05-11 | 1993-05-11 | 複合電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06325979A true JPH06325979A (ja) | 1994-11-25 |
Family
ID=15115448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5133888A Pending JPH06325979A (ja) | 1993-05-11 | 1993-05-11 | 複合電子部品 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5453316A (ja) |
| JP (1) | JPH06325979A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106315178A (zh) * | 2015-07-02 | 2017-01-11 | 株式会社村田制作所 | 电子元器件传送装置 |
| WO2019031738A1 (ko) * | 2017-08-07 | 2019-02-14 | 주식회사 아모텍 | 복합형 감전방지소자 및 이를 구비한 휴대용 전자장치 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997042662A1 (en) * | 1996-05-03 | 1997-11-13 | Motorola Inc. | Integrable circuit inductor |
| US5811847A (en) * | 1996-06-28 | 1998-09-22 | Symetrix Corporation | PSZT for integrated circuit applications |
| US5838214A (en) * | 1996-07-08 | 1998-11-17 | Motorola, Inc. | Unitary packaging system for a capacitor and inductor |
| JP3077056B2 (ja) * | 1996-09-12 | 2000-08-14 | 株式会社村田製作所 | 積層型電子部品 |
| JP3650949B2 (ja) * | 1997-07-04 | 2005-05-25 | 株式会社村田製作所 | 複合電子部品 |
| FR2797373B1 (fr) * | 1999-08-03 | 2003-06-20 | Deti | Filtre miniature a elements capacitifs et inductifs localises |
| JP3635631B2 (ja) * | 1999-12-20 | 2005-04-06 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
| US20040164269A1 (en) * | 2003-02-25 | 2004-08-26 | Chaby Hsu | Low temperature co-fired ferrite-ceramic composite and the process for manufacturing it |
| JP2004343084A (ja) * | 2003-04-21 | 2004-12-02 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品 |
| DE102008019127B4 (de) * | 2008-04-16 | 2010-12-09 | Epcos Ag | Vielschichtbauelement |
| DE102008035102A1 (de) * | 2008-07-28 | 2010-02-11 | Epcos Ag | Vielschichtbauelement |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4746557A (en) * | 1985-12-09 | 1988-05-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | LC composite component |
| US5077270A (en) * | 1987-03-26 | 1991-12-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Elements comprising a film of a perovskite compound whose crystallographic axes are oriented and a method of making such elements |
| ATE78950T1 (de) * | 1987-07-31 | 1992-08-15 | Siemens Ag | Fuellschichtbauteil mit einem gesinterten, monolithischen keramikkoerper und verfahren zu dessen herstellung. |
| JPH0258813A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-28 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型インダクタ |
| JPH0268992A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-08 | Nec Corp | 多層配線基板 |
| JP2763664B2 (ja) * | 1990-07-25 | 1998-06-11 | 日本碍子株式会社 | 分布定数回路用配線基板 |
-
1993
- 1993-05-11 JP JP5133888A patent/JPH06325979A/ja active Pending
-
1994
- 1994-05-10 US US08/240,327 patent/US5453316A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106315178A (zh) * | 2015-07-02 | 2017-01-11 | 株式会社村田制作所 | 电子元器件传送装置 |
| WO2019031738A1 (ko) * | 2017-08-07 | 2019-02-14 | 주식회사 아모텍 | 복합형 감전방지소자 및 이를 구비한 휴대용 전자장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5453316A (en) | 1995-09-26 |
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