JPH06326032A - Ｃｖｄ装置用カーボン電極 - Google Patents
Ｃｖｄ装置用カーボン電極Info
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- JPH06326032A JPH06326032A JP11291793A JP11291793A JPH06326032A JP H06326032 A JPH06326032 A JP H06326032A JP 11291793 A JP11291793 A JP 11291793A JP 11291793 A JP11291793 A JP 11291793A JP H06326032 A JPH06326032 A JP H06326032A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 カーボン粒子の結合力を向上させ、カーボン
電極からカーボン粒子が脱落したり、ガラス状炭素の被
膜が剥離したりすることを極力防止し、使用回数を向上
させるＣＶＤ装置用カーボン電極を提供する。 【構成】 カーボン基材内部のカーボン粒子３の表面が
ガラス状炭素２で被覆され、さらにカーボン基材の表面
がガラス状炭素１で被覆されたＣＶＤ装置用カーボン電
極。
電極からカーボン粒子が脱落したり、ガラス状炭素の被
膜が剥離したりすることを極力防止し、使用回数を向上
させるＣＶＤ装置用カーボン電極を提供する。 【構成】 カーボン基材内部のカーボン粒子３の表面が
ガラス状炭素２で被覆され、さらにカーボン基材の表面
がガラス状炭素１で被覆されたＣＶＤ装置用カーボン電
極。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＣＶＤ装置用カーボン電
極（以下カーボン電極とする）の改良に関する。
極（以下カーボン電極とする）の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のカーボン電極は、コークスを粉砕
したカーボン粉末（粒子）とバインダーとを混練した
後、所定の形状に成形し、さらに黒鉛化したカーボン基
材を用いていた。
したカーボン粉末（粒子）とバインダーとを混練した
後、所定の形状に成形し、さらに黒鉛化したカーボン基
材を用いていた。
【０００３】カーボン電極は、通常半導体デバイス用シ
リコンウエハを載置して用いられるが、長時間使用して
いるとカーボン電極に窒化物、酸化物等が付着するよう
になってくる。カーボン電極に窒化物、酸化物等が付着
すると、半導体デバイス用シリコンウエハ上にＣＶＤ膜
を均一に形成することが困難になる。
リコンウエハを載置して用いられるが、長時間使用して
いるとカーボン電極に窒化物、酸化物等が付着するよう
になってくる。カーボン電極に窒化物、酸化物等が付着
すると、半導体デバイス用シリコンウエハ上にＣＶＤ膜
を均一に形成することが困難になる。
【０００４】そこでカーボン電極に付着している窒化
物、酸化物等を取り除くためにフレオンガスなどを用い
て定期的にカーボン電極を洗浄する必要性があるが、し
かしこの洗浄の繰り返しにより、短期間でカーボン電極
からカーボン粒子が脱落してプナズマＣＶＤ処理中に半
導体デバイス用シリコンウエハに付着するおそれがあ
る。
物、酸化物等を取り除くためにフレオンガスなどを用い
て定期的にカーボン電極を洗浄する必要性があるが、し
かしこの洗浄の繰り返しにより、短期間でカーボン電極
からカーボン粒子が脱落してプナズマＣＶＤ処理中に半
導体デバイス用シリコンウエハに付着するおそれがあ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の問題点を解消す
るために、図２に示すように黒鉛化したカーボン基材の
表面にガラス状炭素１の被膜を形成したカーボン電極が
あるが、このカーボン電極は、カーボン基材の表面に単
にガラス状炭素１の被膜が薄く付着しているだけである
ため、被膜自体の機械的強度が弱いという欠点がある。
そこで上記被膜の強度を高めるために、膜厚を厚くする
ことが考えられるが、膜厚を厚くすると被膜生成時の熱
処理工程で被膜が剥離するという欠点が生じる。なお図
２において３はカーボン粒子である。
るために、図２に示すように黒鉛化したカーボン基材の
表面にガラス状炭素１の被膜を形成したカーボン電極が
あるが、このカーボン電極は、カーボン基材の表面に単
にガラス状炭素１の被膜が薄く付着しているだけである
ため、被膜自体の機械的強度が弱いという欠点がある。
そこで上記被膜の強度を高めるために、膜厚を厚くする
ことが考えられるが、膜厚を厚くすると被膜生成時の熱
処理工程で被膜が剥離するという欠点が生じる。なお図
２において３はカーボン粒子である。
【０００６】本発明は、カーボン粒子の結合力を向上さ
せ、カーボン電極からカーボン粒子が脱落したり、ガラ
ス状炭素の被膜が剥離したりすることを極力防止し、使
用回数を向上させたカーボン電極を提供するものであ
る。
せ、カーボン電極からカーボン粒子が脱落したり、ガラ
ス状炭素の被膜が剥離したりすることを極力防止し、使
用回数を向上させたカーボン電極を提供するものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明はカーボン基材内
部のカーボン粒子の表面がガラス状炭素で被覆され、さ
らにカーボン基材の表面がガラス状炭素で被覆されたカ
ーボン電極に関する。
部のカーボン粒子の表面がガラス状炭素で被覆され、さ
らにカーボン基材の表面がガラス状炭素で被覆されたカ
ーボン電極に関する。
【０００８】本発明におけるガラス状炭素は、カーボン
基材にフラン樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂又
はこれらの混合樹脂を減圧した条件で含浸してカーボン
基材内部のカーボン粒子に付着させ、さらに前記の熱硬
化性樹脂又は混合樹脂をカーボン基材の表面に塗布して
付着させ、次いで不活性ガス雰囲気中で１０００℃程度
の温度で焼成炭化し、更に必要に応じて３０００℃まで
の温度で黒鉛化処理して得られる。なおガラス状炭素の
厚みについては特に制限はない。
基材にフラン樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂又
はこれらの混合樹脂を減圧した条件で含浸してカーボン
基材内部のカーボン粒子に付着させ、さらに前記の熱硬
化性樹脂又は混合樹脂をカーボン基材の表面に塗布して
付着させ、次いで不活性ガス雰囲気中で１０００℃程度
の温度で焼成炭化し、更に必要に応じて３０００℃まで
の温度で黒鉛化処理して得られる。なおガラス状炭素の
厚みについては特に制限はない。
【０００９】
【実施例】以下本発明の実施例を説明する。所定の形状
に加工したカーボン基材（日立化成工業製、商品名ＰＤ
−６００）にフェノール樹脂（日立化成工業製、商品名
ＶＰ−１１Ｎ）３０重量％をアセトン７０重量％に溶解
した溶液を１mmHgに減圧した条件で含浸し、９０℃で２
４時間保持した。次いで該カーボン基材の表面に上記と
同様のフェノール樹脂４０重量％をアセトン６０重量％
に溶解した溶液を塗布した後１５０℃で６時間保持して
樹脂を硬化させた。
に加工したカーボン基材（日立化成工業製、商品名ＰＤ
−６００）にフェノール樹脂（日立化成工業製、商品名
ＶＰ−１１Ｎ）３０重量％をアセトン７０重量％に溶解
した溶液を１mmHgに減圧した条件で含浸し、９０℃で２
４時間保持した。次いで該カーボン基材の表面に上記と
同様のフェノール樹脂４０重量％をアセトン６０重量％
に溶解した溶液を塗布した後１５０℃で６時間保持して
樹脂を硬化させた。
【００１０】次に窒素ガス雰囲気中で、１０００℃で３
時間焼成して図１に示すようにカーボン粒子３の表面及
びカーボン基材の表面にガラス状炭素２及び１で被覆し
たカーボン電極を得た。得られたカーボン電極及び図２
に示すカーボン基材の表面のみにガラス状炭素の被膜を
形成した従来のカーボン電極の使用回数を調べた。その
結果を表１に示す。なお使用回数は、カーボン電極上に
半導体デバイス用シリコンウエハを載置し、ＣＶＤ処理
を行った後、半導体デバイス用シリコンウエハを交換
し、再度ＣＶＤ処理を行うという工程を繰り返し行い、
異物（カーボン粒子など）が半導体デバイス用シリコン
ウエハに付着してＣＶＤ処理が均一にできなくなるまで
の回数を求めたものである。
時間焼成して図１に示すようにカーボン粒子３の表面及
びカーボン基材の表面にガラス状炭素２及び１で被覆し
たカーボン電極を得た。得られたカーボン電極及び図２
に示すカーボン基材の表面のみにガラス状炭素の被膜を
形成した従来のカーボン電極の使用回数を調べた。その
結果を表１に示す。なお使用回数は、カーボン電極上に
半導体デバイス用シリコンウエハを載置し、ＣＶＤ処理
を行った後、半導体デバイス用シリコンウエハを交換
し、再度ＣＶＤ処理を行うという工程を繰り返し行い、
異物（カーボン粒子など）が半導体デバイス用シリコン
ウエハに付着してＣＶＤ処理が均一にできなくなるまで
の回数を求めたものである。
【００１１】
【表１】
【００１２】表１に示されるようにカーボン粒子の表面
にガラス状炭素を被覆した本発明になるカーボン電極
は、カーボン粒子の表面にガラス状炭素を被覆しない従
来のカーボン電極に比較して使用回数の多いことが示さ
れる。
にガラス状炭素を被覆した本発明になるカーボン電極
は、カーボン粒子の表面にガラス状炭素を被覆しない従
来のカーボン電極に比較して使用回数の多いことが示さ
れる。
【００１３】
【発明の効果】本発明になるカーボン電極は、カーボン
基材の表面の他に、カーボン基材内部のカーボン粒子の
表面にガラス状炭素を被覆するので、カーボン粒子の結
合力を向上させ、カーボン電極からカーボン粒子が脱落
したり、ガラス状炭素の被膜が剥離したりすることを極
力防止し、使用回数を大幅に向上させることができるカ
ーボン電極である。
基材の表面の他に、カーボン基材内部のカーボン粒子の
表面にガラス状炭素を被覆するので、カーボン粒子の結
合力を向上させ、カーボン電極からカーボン粒子が脱落
したり、ガラス状炭素の被膜が剥離したりすることを極
力防止し、使用回数を大幅に向上させることができるカ
ーボン電極である。
【図１】本発明の実施例になるカーボン電極の部分断面
図である。
図である。
【図２】従来のカーボン電極の部分断面図である。
１ ガラス状炭素 ２ ガラス状炭素 ３ カーボン粒子
Claims (1)
- 【請求項１】 カーボン基材内部のカーボン粒子の表面
がガラス状炭素で被覆され、さらにカーボン基材の表面
がガラス状炭素で被覆されたＣＶＤ装置用カーボン電
極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11291793A JPH06326032A (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | Ｃｖｄ装置用カーボン電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11291793A JPH06326032A (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | Ｃｖｄ装置用カーボン電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06326032A true JPH06326032A (ja) | 1994-11-25 |
Family
ID=14598725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11291793A Pending JPH06326032A (ja) | 1993-05-14 | 1993-05-14 | Ｃｖｄ装置用カーボン電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06326032A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013251367A (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Shimadzu Corp | プラズマｃｖｄ成膜装置 |
| CN112080753A (zh) * | 2020-09-15 | 2020-12-15 | 西北矿冶研究院 | 利用浸渍法加工制氟用碳阳极板及尾气处理工艺 |
-
1993
- 1993-05-14 JP JP11291793A patent/JPH06326032A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013251367A (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Shimadzu Corp | プラズマｃｖｄ成膜装置 |
| CN112080753A (zh) * | 2020-09-15 | 2020-12-15 | 西北矿冶研究院 | 利用浸渍法加工制氟用碳阳极板及尾气处理工艺 |
| CN112080753B (zh) * | 2020-09-15 | 2021-11-16 | 西北矿冶研究院 | 利用浸渍法加工制氟用碳阳极板工艺 |
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