JPH0632677Y2 - 光ｃｖｄ装置 - Google Patents
光ｃｖｄ装置Info
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- JPH0632677Y2 JPH0632677Y2 JP1987057001U JP5700187U JPH0632677Y2 JP H0632677 Y2 JPH0632677 Y2 JP H0632677Y2 JP 1987057001 U JP1987057001 U JP 1987057001U JP 5700187 U JP5700187 U JP 5700187U JP H0632677 Y2 JPH0632677 Y2 JP H0632677Y2
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本考案は、光エネルギにより反応ガスを分解し例えばア
モルファス半導体膜、微結晶膜等の薄膜を形成する光Ｃ
ＶＤ装置に関する。
モルファス半導体膜、微結晶膜等の薄膜を形成する光Ｃ
ＶＤ装置に関する。
(ロ)従来の技術 アモルファス半導体等の薄膜を光ＣＶＤにより形成する
ことは既に知られているが、光ＣＶＤは反応ガスを光源
により輻射された光エネルギで分解し薄膜を堆積するも
のである以上、斯る光エネルギを反応室内の外部に設け
られた光源から反応室内に導入する照射窓への膜の付着
は不可欠な問題である。電気学会研究会資料ＳＰＣ−８
４−４８に示された先行技術にあっては、光源と反応室
内部とを区画し、光エネルギを内部に導く照射窓に低蒸
気圧油脂を塗布したり、不活性ガスを吹きつけること
で、上記照射窓への膜の付着を防止していた。しかし、
この方法でも照射窓への膜の付着は完全には避けられ
ず、従って照射窓のくもりにより、反応雰囲気への充分
な光エネルギの供給ができず、このため、成膜中に著し
い成膜速度の低下を招いている。
ことは既に知られているが、光ＣＶＤは反応ガスを光源
により輻射された光エネルギで分解し薄膜を堆積するも
のである以上、斯る光エネルギを反応室内の外部に設け
られた光源から反応室内に導入する照射窓への膜の付着
は不可欠な問題である。電気学会研究会資料ＳＰＣ−８
４−４８に示された先行技術にあっては、光源と反応室
内部とを区画し、光エネルギを内部に導く照射窓に低蒸
気圧油脂を塗布したり、不活性ガスを吹きつけること
で、上記照射窓への膜の付着を防止していた。しかし、
この方法でも照射窓への膜の付着は完全には避けられ
ず、従って照射窓のくもりにより、反応雰囲気への充分
な光エネルギの供給ができず、このため、成膜中に著し
い成膜速度の低下を招いている。
更に、照射窓への低蒸気圧油脂の塗布と不活性ガスの吹
きつけを同時に行なうと、成膜速度の低下割合の減少が
期待できるものの、今度は不活性ガスの吹きつけにより
塗布されていた油脂が飛散し、堆積しつつある膜面に付
着して膜質を悪化させてしまう。
きつけを同時に行なうと、成膜速度の低下割合の減少が
期待できるものの、今度は不活性ガスの吹きつけにより
塗布されていた油脂が飛散し、堆積しつつある膜面に付
着して膜質を悪化させてしまう。
(ハ)考案が解決しようとする問題点 本考案は上述の如く照射窓のくもりにより反応雰囲気へ
の充分な光エネルギの供給ができず、このため成膜中に
著しい成膜速度の低下が生じていた点を低蒸気圧油脂の
飛散による膜質の悪化を招くことなく解決しようとする
ものである。
の充分な光エネルギの供給ができず、このため成膜中に
著しい成膜速度の低下が生じていた点を低蒸気圧油脂の
飛散による膜質の悪化を招くことなく解決しようとする
ものである。
(ニ)問題点を解決するための手段 本考案光ＣＶＤ装置は上記問題点を解決するために、反
応室に反応ガスを導入し、この反応ガスを光源から輻射
された光エネルギにより分解し薄膜を形成する光ＣＶＤ
装置であって、上記光エネルギを輻射する光源は反応室
の底部に貯蔵されたパーフルポリエール中に浸漬されて
いると共に、上記パーフルポリエールの表面に生じた上
記反応ガスの分解による浮遊物を回収すべく、該表面を
拭うように移動するクリーニングブレード、を具備した
クリーニング部材を備えていることを特徴とする。
応室に反応ガスを導入し、この反応ガスを光源から輻射
された光エネルギにより分解し薄膜を形成する光ＣＶＤ
装置であって、上記光エネルギを輻射する光源は反応室
の底部に貯蔵されたパーフルポリエール中に浸漬されて
いると共に、上記パーフルポリエールの表面に生じた上
記反応ガスの分解による浮遊物を回収すべく、該表面を
拭うように移動するクリーニングブレード、を具備した
クリーニング部材を備えていることを特徴とする。
(ホ)作用 上述の如く光源を反応室の底部に貯蔵された低蒸気圧油
脂中に浸漬すると共に、低蒸気圧油脂表面をクリーニン
グ部材により清浄化することによって、上記光源を発し
た光エネルギは絶えず遮られることなく反応雰囲気中に
到達して反応ガスを分解する。
脂中に浸漬すると共に、低蒸気圧油脂表面をクリーニン
グ部材により清浄化することによって、上記光源を発し
た光エネルギは絶えず遮られることなく反応雰囲気中に
到達して反応ガスを分解する。
(ヘ)実施例 第１図は本考案光ＣＶＤ装置の一実施例であって、減圧
し得る反応室(1)の底部にパーフロポリエール等の低蒸
気圧油脂(2)を貯蔵する油脂溜め(3)が設けられ、この低
蒸気圧油脂(2)中に波長１８４９Åと２５３７Åの紫外
光を輻射する低圧水銀ランプの光源(4)を浸漬されてい
る。斯る光源(4)から輻射される上記紫外光は、低蒸気
圧油脂(2)中を透過して反応雰囲気と接する。上記パー
フロポリエールの紫外光透過率は１mmにつき９９％と極
めて高いものの、光源(4)が液面から深く浸漬されてい
ると透過率の低下を招くので、通常５mm以内に配置され
ている。尚、上記油脂溜め(3)の底部には冷却水が循環
供給され、低蒸気圧油脂(2)の光源(4)による温度上昇を
抑圧している。
し得る反応室(1)の底部にパーフロポリエール等の低蒸
気圧油脂(2)を貯蔵する油脂溜め(3)が設けられ、この低
蒸気圧油脂(2)中に波長１８４９Åと２５３７Åの紫外
光を輻射する低圧水銀ランプの光源(4)を浸漬されてい
る。斯る光源(4)から輻射される上記紫外光は、低蒸気
圧油脂(2)中を透過して反応雰囲気と接する。上記パー
フロポリエールの紫外光透過率は１mmにつき９９％と極
めて高いものの、光源(4)が液面から深く浸漬されてい
ると透過率の低下を招くので、通常５mm以内に配置され
ている。尚、上記油脂溜め(3)の底部には冷却水が循環
供給され、低蒸気圧油脂(2)の光源(4)による温度上昇を
抑圧している。
反応室(1)内の中央には、予めガラス、セラミック、金
属板或いは前記ガラスやセラミックの表面にＳｎＯ２や
ＩＴＯに代表される透光性導電膜や金属膜がコーティン
グされた導電性ガラスや導電性セラミック等の膜厚サブ
ミクロン〜数ミクロン程度の薄膜を支持するに好適な支
持体(5)がヒータ(6)を内蔵した載置台(7)に固定され、
上記低蒸気圧油脂(2)に浸漬された光源(4)と反応空間を
挟んで対峙している。上記光源(4)の紫外光により分解
される反応ガスは、斯る反応ガスを貯蔵するガスボンベ
(8a)(8b)を出発し、バルブ(9a)(9b)を介して反応室(1)
内に於いて支持体(5)と対向した環状のガス噴出体(10)
に到達して該噴出体(10)の多数の噴出孔(11)(11)…から
反応室(1)内に導入される。
属板或いは前記ガラスやセラミックの表面にＳｎＯ２や
ＩＴＯに代表される透光性導電膜や金属膜がコーティン
グされた導電性ガラスや導電性セラミック等の膜厚サブ
ミクロン〜数ミクロン程度の薄膜を支持するに好適な支
持体(5)がヒータ(6)を内蔵した載置台(7)に固定され、
上記低蒸気圧油脂(2)に浸漬された光源(4)と反応空間を
挟んで対峙している。上記光源(4)の紫外光により分解
される反応ガスは、斯る反応ガスを貯蔵するガスボンベ
(8a)(8b)を出発し、バルブ(9a)(9b)を介して反応室(1)
内に於いて支持体(5)と対向した環状のガス噴出体(10)
に到達して該噴出体(10)の多数の噴出孔(11)(11)…から
反応室(1)内に導入される。
また、図示はしていないがバルブ(9a)(9b)とガス噴出体
(10)を結ぶガス供給系の途中に所定の温度、例えば室温
〜８０℃程度に制御された水銀槽を配置して、増感材と
して作用する水銀蒸気と共に反応ガスを供給する構成と
しても良い。
(10)を結ぶガス供給系の途中に所定の温度、例えば室温
〜８０℃程度に制御された水銀槽を配置して、増感材と
して作用する水銀蒸気と共に反応ガスを供給する構成と
しても良い。
而して、本考案の特徴は反応ガスを分解する光源(4)を
反応室(1)の底部の油脂溜め(3)に貯蔵された低蒸気圧油
脂(2)中に浸漬すると共に、上記低蒸気圧油脂(2)の表面
に反応ガスの分解により生成された浮遊物を除去し清浄
化するクリーニング部材(12)を設けたところにある。上
記クリーニング部材(12)は、低蒸気圧油脂(2)の表面に
向って垂下しその下端を油脂(2)中に僅かに投入せしめ
たクリーニングブレード(13)と、該クリーニングブレー
ド(13)を左右方向に往復移動せしめ図中左端に設けられ
た回収部(15)に浮遊物を回収する案内アーム(14)と、か
ら構成され、その詳細は第２図に示されている。即ち、
クリーニング部材(12)は薄膜の堆積が行われている間、
一定周期でクリーニングブレード(13)を低蒸気圧油脂
(2)の表面を拭うように左右方向に往復移動せしめ、反
応ガスの分解により形成されつつある浮遊物を左端に設
けられた回収部(15)に引き寄せ、堰(16)を越えた浮遊物
を捕獲する。斯る浮遊物の回収において堰(16)を越えた
低蒸気圧油脂(2)は浮遊物の透過を阻止するフィルタ(1
7)を通過してオリフィス(18)から再び油脂溜め(3)に至
る。従って、浮遊物は表面の低蒸気圧油脂(2)と共に回
収されるので、確実な回収を行なうことができるのみな
らず、回収された油脂(2)は濾過後油脂溜め(3)に復帰す
ることによって、液面を絶えず一定のレベルに保持する
ことができる。
反応室(1)の底部の油脂溜め(3)に貯蔵された低蒸気圧油
脂(2)中に浸漬すると共に、上記低蒸気圧油脂(2)の表面
に反応ガスの分解により生成された浮遊物を除去し清浄
化するクリーニング部材(12)を設けたところにある。上
記クリーニング部材(12)は、低蒸気圧油脂(2)の表面に
向って垂下しその下端を油脂(2)中に僅かに投入せしめ
たクリーニングブレード(13)と、該クリーニングブレー
ド(13)を左右方向に往復移動せしめ図中左端に設けられ
た回収部(15)に浮遊物を回収する案内アーム(14)と、か
ら構成され、その詳細は第２図に示されている。即ち、
クリーニング部材(12)は薄膜の堆積が行われている間、
一定周期でクリーニングブレード(13)を低蒸気圧油脂
(2)の表面を拭うように左右方向に往復移動せしめ、反
応ガスの分解により形成されつつある浮遊物を左端に設
けられた回収部(15)に引き寄せ、堰(16)を越えた浮遊物
を捕獲する。斯る浮遊物の回収において堰(16)を越えた
低蒸気圧油脂(2)は浮遊物の透過を阻止するフィルタ(1
7)を通過してオリフィス(18)から再び油脂溜め(3)に至
る。従って、浮遊物は表面の低蒸気圧油脂(2)と共に回
収されるので、確実な回収を行なうことができるのみな
らず、回収された油脂(2)は濾過後油脂溜め(3)に復帰す
ることによって、液面を絶えず一定のレベルに保持する
ことができる。
(ト)考案の効果 本考案装置は以上の説明から明らかな如く、光源を反応
室の底部に貯蔵された低蒸気圧油脂中に浸漬すると共
に、低蒸気圧油脂表面をクリーニング部材により清浄化
することによって、上記光源を発した光エネルギは絶え
ず遮られることなく反応雰囲気中に到達して反応ガスを
分解するので、膜質の悪化を招くことなく長時間に亘っ
て安定した成膜速度を得ることができ、また成膜速度の
バラツキに起因する膜質の変動も防止することができ
る。更に本考案装置は数１０００Å以上の膜厚のアモル
ファスシリコンであっても膜質の変動なく形成すること
ができるので、ｐｉｎ接合型アモルファスシリコン系太
陽電池の特に発電に寄与する肉厚なｉ型（ノンドープ）
層の形成に適用することができ、斯るｉ型（ノンドー
プ）層を形成する従来のプラズマＣＶＤ装置に比してプ
ラズマダメージのない良質の膜が得られた光電変換効率
の上昇を図ることができる。
室の底部に貯蔵された低蒸気圧油脂中に浸漬すると共
に、低蒸気圧油脂表面をクリーニング部材により清浄化
することによって、上記光源を発した光エネルギは絶え
ず遮られることなく反応雰囲気中に到達して反応ガスを
分解するので、膜質の悪化を招くことなく長時間に亘っ
て安定した成膜速度を得ることができ、また成膜速度の
バラツキに起因する膜質の変動も防止することができ
る。更に本考案装置は数１０００Å以上の膜厚のアモル
ファスシリコンであっても膜質の変動なく形成すること
ができるので、ｐｉｎ接合型アモルファスシリコン系太
陽電池の特に発電に寄与する肉厚なｉ型（ノンドープ）
層の形成に適用することができ、斯るｉ型（ノンドー
プ）層を形成する従来のプラズマＣＶＤ装置に比してプ
ラズマダメージのない良質の膜が得られた光電変換効率
の上昇を図ることができる。
第１図は本考案光ＣＶＤ装置の概念を示す模式的断面
図、第２図は本考案光ＣＶＤ装置の要部を示す模式的断
面図である。 (1)…反応室、(2)…低蒸気圧油脂、(3)…油脂溜め、(4)
…光源、(5)…支持体、(10)…ガス噴出体、(12)…クリ
ーニング部材。
図、第２図は本考案光ＣＶＤ装置の要部を示す模式的断
面図である。 (1)…反応室、(2)…低蒸気圧油脂、(3)…油脂溜め、(4)
…光源、(5)…支持体、(10)…ガス噴出体、(12)…クリ
ーニング部材。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 大西 三千年 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−130776（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】反応室に反応ガスを導入し、この反応ガス
を光源から輻射された光エネルギにより分解し薄膜を形
成する光ＣＶＤ装置であって、上記光エネルギを輻射す
る光源は反応室の底部に貯蔵されたパーフルポリエール
中に浸漬されていると共に、上記パーフルポリエールの
表面に生じた上記反応ガスの分解による浮遊物を回収す
べく、該表面を拭うように移動するクリーニングブレー
ド、を具備したクリーニング部材を備えていることを特
徴とした光ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987057001U JPH0632677Y2 (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | 光ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987057001U JPH0632677Y2 (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | 光ｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63164214U JPS63164214U (ja) | 1988-10-26 |
| JPH0632677Y2 true JPH0632677Y2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=30886313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987057001U Expired - Lifetime JPH0632677Y2 (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | 光ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0632677Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63130776A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-06-02 | Hitachi Ltd | Ｃｖｄ装置 |
-
1987
- 1987-04-15 JP JP1987057001U patent/JPH0632677Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63164214U (ja) | 1988-10-26 |
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