JPH06329803A - 電気接点障害のないシリコーン製品 - Google Patents
電気接点障害のないシリコーン製品Info
- Publication number
- JPH06329803A JPH06329803A JP12147693A JP12147693A JPH06329803A JP H06329803 A JPH06329803 A JP H06329803A JP 12147693 A JP12147693 A JP 12147693A JP 12147693 A JP12147693 A JP 12147693A JP H06329803 A JPH06329803 A JP H06329803A
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- Japan
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- silicone
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 電気接点障害を起こさないことにおいても優
れかつ安定した特性を有し、容易にかつ安価に得られる
シリコーン製品を提供する。 【構成】 密閉状態における気相中の低分子シロキサン
の濃度が実使用温度において 0.1mg/L以下になるように
したシリコーン製品。
れかつ安定した特性を有し、容易にかつ安価に得られる
シリコーン製品を提供する。 【構成】 密閉状態における気相中の低分子シロキサン
の濃度が実使用温度において 0.1mg/L以下になるように
したシリコーン製品。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は気相中へ揮散する低分子
シロキサンを特定量以下に抑えたシリコーン製品に関す
る。本発明のシリコーン製品は低分子シロキサンによる
電気接点障害を起こさないものとして電気関係の用途に
有用である。
シロキサンを特定量以下に抑えたシリコーン製品に関す
る。本発明のシリコーン製品は低分子シロキサンによる
電気接点障害を起こさないものとして電気関係の用途に
有用である。
【0002】
【従来の技術】現在、低分子シロキサンによる電気接点
障害を防ぐ方法としては、(1)上市されている電気接
点障害対策を施したシリコーン製品を用いる、(2)シ
リコーン以外の材料に切り換える、ことなどが挙げられ
る。しかし、(1)は何種類かの製品が上市されている
ものの基準が明確でない。また幅広い使用温度を想定し
た場合コストアップにつながる。さらに未だ電気接点障
害対策用のものが開発されていないシリコーン製品群も
ある。一方、(2)はシリコーンと同等の特性を持ち、
かつ価格も同レベルの材料を見出すことが困難である。
障害を防ぐ方法としては、(1)上市されている電気接
点障害対策を施したシリコーン製品を用いる、(2)シ
リコーン以外の材料に切り換える、ことなどが挙げられ
る。しかし、(1)は何種類かの製品が上市されている
ものの基準が明確でない。また幅広い使用温度を想定し
た場合コストアップにつながる。さらに未だ電気接点障
害対策用のものが開発されていないシリコーン製品群も
ある。一方、(2)はシリコーンと同等の特性を持ち、
かつ価格も同レベルの材料を見出すことが困難である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】前記のような状況か
ら、本発明は、実用上充分であるがコストアップにつな
がる過度の対策は施さない電気接点障害防止用シリコー
ン製品を、電気用シリコーン製品の全分野にわたって提
供しようとしてなされたものである。
ら、本発明は、実用上充分であるがコストアップにつな
がる過度の対策は施さない電気接点障害防止用シリコー
ン製品を、電気用シリコーン製品の全分野にわたって提
供しようとしてなされたものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者らは前記の課題
を解決するため鋭意検討の結果、シリコーン製品の実使
用温度において気相中へ揮散する低分子シロキサンを特
定量以下に抑えると目的が達成できることを見出して本
発明に至った。すなわち、本発明の要旨は、密閉状態に
おける気相中の低分子シロキサンの濃度が実使用温度に
おいて0.1mg/L以下になるようにしたシリコーン製品に
ある。以下に本発明について詳しく説明する。
を解決するため鋭意検討の結果、シリコーン製品の実使
用温度において気相中へ揮散する低分子シロキサンを特
定量以下に抑えると目的が達成できることを見出して本
発明に至った。すなわち、本発明の要旨は、密閉状態に
おける気相中の低分子シロキサンの濃度が実使用温度に
おいて0.1mg/L以下になるようにしたシリコーン製品に
ある。以下に本発明について詳しく説明する。
【0005】本発明のシリコーン製品は、シリコーンオ
イル、シリコーングリース、シリコーンゴムなど、電気
用に用いられる全てのものを包含する。シリコーン製品
は通常低分子シロキサンを含有し、これが温度上昇時に
気相中へ揮散し、電気製品に用いられた場合、電気接点
に付着して障害を起こすのである。このような低分子シ
ロキサンは実質的に環状シロキサンである。もし、電気
製品、電子機器類の作動中に内部の換気が充分行われて
おれば障害の発生は少なくなると考えられるが、実際上
は難題であり、また、換気が充分でないことから内部の
温度も上昇する。したがって、換気が行われない状態
(密閉状態)でシリコーン製品が曝されるかなり高い温
度(実使用温度)での低分子シロキサンの揮散が問題と
なる。
イル、シリコーングリース、シリコーンゴムなど、電気
用に用いられる全てのものを包含する。シリコーン製品
は通常低分子シロキサンを含有し、これが温度上昇時に
気相中へ揮散し、電気製品に用いられた場合、電気接点
に付着して障害を起こすのである。このような低分子シ
ロキサンは実質的に環状シロキサンである。もし、電気
製品、電子機器類の作動中に内部の換気が充分行われて
おれば障害の発生は少なくなると考えられるが、実際上
は難題であり、また、換気が充分でないことから内部の
温度も上昇する。したがって、換気が行われない状態
(密閉状態)でシリコーン製品が曝されるかなり高い温
度(実使用温度)での低分子シロキサンの揮散が問題と
なる。
【0006】そこで本発明者らは密閉状態においてシリ
コーン製品から揮散する気相中の低分子シロキサンにつ
いて検討し、各温度においてその濃度が0.1mg/L 以下で
あれば障害が発生しないことを見出したのである。その
ためには、図1に示されるような、指定された温度(実
使用温度)における蒸気圧により0.1mg/L を超える気相
中の濃度を与えるような重合度n以下の低分子シロキサ
ンDn (ただし、実質的に全体を占める重合度nの環状
ジメチルポリシロキサンDn として示す)をシリコーン
製品から実質的に除去しておくとよい。除去方法として
は減圧留去及び/又は加熱などがあり、抽出できること
もある。また、シリコーン製品の原料であるオルガノポ
リシロキサンから予め低分子シロキサンを除去しておく
ことも有効である。シリコーン製品のうち、シリコーン
ゴム成形品など加熱が可能なものについては二次加硫な
どの後工程で加熱処理し、所定のDn を実質的に除去し
ておくこと(残留量は各々10ppm 未満)ができる。
コーン製品から揮散する気相中の低分子シロキサンにつ
いて検討し、各温度においてその濃度が0.1mg/L 以下で
あれば障害が発生しないことを見出したのである。その
ためには、図1に示されるような、指定された温度(実
使用温度)における蒸気圧により0.1mg/L を超える気相
中の濃度を与えるような重合度n以下の低分子シロキサ
ンDn (ただし、実質的に全体を占める重合度nの環状
ジメチルポリシロキサンDn として示す)をシリコーン
製品から実質的に除去しておくとよい。除去方法として
は減圧留去及び/又は加熱などがあり、抽出できること
もある。また、シリコーン製品の原料であるオルガノポ
リシロキサンから予め低分子シロキサンを除去しておく
ことも有効である。シリコーン製品のうち、シリコーン
ゴム成形品など加熱が可能なものについては二次加硫な
どの後工程で加熱処理し、所定のDn を実質的に除去し
ておくこと(残留量は各々10ppm 未満)ができる。
【0007】
【実施例】次に、本発明の実施例を挙げる。 実施例1 10L の密閉容器中にマイクロモーターを入れ、それに電
流波形測定用のオシログラフをつないだ。そして環状低
分子シロキサンの代表としてオクタメチルシクロテトラ
シロキサン(D4 :760mmHg における沸点は 175℃)
を、密閉容器気相中の濃度を変えて添加した。各々の添
加量においてマイクロモーターを動作させた。条件は、
接点トラブルが発生し易いとされる負荷条件とし、直流
3V、100mAとした。オシログラフを観察し電流波形に異常
の発生する時間及びマイクロモーターの停止する時間を
測定した。結果は図2に示すとおりであった。気相中の
D4 濃度は、活性炭吸着法と熱分解ガスクロマトグラフ
ィーを用いる分析法[分析化学,Vol.40,T37(1991)参
照]によって測定した。結果は図2の縦軸に示されるも
のであった。
流波形測定用のオシログラフをつないだ。そして環状低
分子シロキサンの代表としてオクタメチルシクロテトラ
シロキサン(D4 :760mmHg における沸点は 175℃)
を、密閉容器気相中の濃度を変えて添加した。各々の添
加量においてマイクロモーターを動作させた。条件は、
接点トラブルが発生し易いとされる負荷条件とし、直流
3V、100mAとした。オシログラフを観察し電流波形に異常
の発生する時間及びマイクロモーターの停止する時間を
測定した。結果は図2に示すとおりであった。気相中の
D4 濃度は、活性炭吸着法と熱分解ガスクロマトグラフ
ィーを用いる分析法[分析化学,Vol.40,T37(1991)参
照]によって測定した。結果は図2の縦軸に示されるも
のであった。
【0008】気相中のD4 濃度が1mg/L の場合、ほぼマ
イクロモーター動作開始直後から波形異常が観測され、
100 時間未満でモーターが停止した。気相中のD4 濃度
が0.3mg/L の場合、400 時間程度でやや波形異常が観測
されはじめた。また、気相中のD4 濃度が0.1mg/L の場
合、700 時間以上でも波形異常は認められなかった。こ
の結果から、気相中の低分子シロキサンの濃度が 0.1mg
/L以下であれば障害が起こらないことが明らかになっ
た。
イクロモーター動作開始直後から波形異常が観測され、
100 時間未満でモーターが停止した。気相中のD4 濃度
が0.3mg/L の場合、400 時間程度でやや波形異常が観測
されはじめた。また、気相中のD4 濃度が0.1mg/L の場
合、700 時間以上でも波形異常は認められなかった。こ
の結果から、気相中の低分子シロキサンの濃度が 0.1mg
/L以下であれば障害が起こらないことが明らかになっ
た。
【0009】実施例2 10L の密閉容器中にマイクロモーターを入れ、実施例1
と全く同様の試験装置を用意した。容器内に各種シリコ
ーンゴム製品10g を入れ、実施例1と同様にしてマイク
ロモーターの動作テストを行った。
と全く同様の試験装置を用意した。容器内に各種シリコ
ーンゴム製品10g を入れ、実施例1と同様にしてマイク
ロモーターの動作テストを行った。
【0010】使用したシリコーンゴム製品はサンプルA
〜Eの5種類のプレス成形品で、この5種類についてプ
レス加硫( 160℃×5分)のみのもの、及び前記プレス
加硫後に二次加硫( 200℃×4時間)を行って得たも
の、いずれも厚さ 2mmの成形品計10種類である。これら
のサンプルについて、それに含まれる環状低分子シロキ
サンDn (n=3〜10)の各々を測定した。その結果を
表1に示す。測定は、1gのサンプルを四塩化炭素10mlに
一昼夜浸漬し、抽出液をガスクロマトグラフ分析するこ
とにより行った。
〜Eの5種類のプレス成形品で、この5種類についてプ
レス加硫( 160℃×5分)のみのもの、及び前記プレス
加硫後に二次加硫( 200℃×4時間)を行って得たも
の、いずれも厚さ 2mmの成形品計10種類である。これら
のサンプルについて、それに含まれる環状低分子シロキ
サンDn (n=3〜10)の各々を測定した。その結果を
表1に示す。測定は、1gのサンプルを四塩化炭素10mlに
一昼夜浸漬し、抽出液をガスクロマトグラフ分析するこ
とにより行った。
【0011】上記サンプルを1種類ずつ試験装置に入
れ、60℃でマイクロモーターの動作テストを行った。プ
レス加硫のみで二次加硫(低分子シロキサンの加熱除
去)をしていないサンプルについての結果は図3のとお
りであり、低分子シロキサンの含有量の多いものほど含
有量に比例して不良発生率が高かった。ただし、図3の
縦軸は不良(オシログラフ波形異常又はマイクロモータ
ー停止)発生率(n=10における)を表す。二次加硫を
行ったサンプルについては不良は発生しなかった。図1
からは、60℃の実使用温度においては重合度9(D9 )
以下の環状低分子シロキサンを実質的に除去しておけば
よいことが分かるが、表1にみられるとおり、前記の二
次加硫(加熱処理)条件によればこのような環状低分子
シロキサンの含有量は10ppm未満に低下し実質的に除去
されている。これらの結果から、図1に基づいてDn の
含有量を気相中の濃度が 0.1mg/L以下になるように管理
することの有効性は明らかである。
れ、60℃でマイクロモーターの動作テストを行った。プ
レス加硫のみで二次加硫(低分子シロキサンの加熱除
去)をしていないサンプルについての結果は図3のとお
りであり、低分子シロキサンの含有量の多いものほど含
有量に比例して不良発生率が高かった。ただし、図3の
縦軸は不良(オシログラフ波形異常又はマイクロモータ
ー停止)発生率(n=10における)を表す。二次加硫を
行ったサンプルについては不良は発生しなかった。図1
からは、60℃の実使用温度においては重合度9(D9 )
以下の環状低分子シロキサンを実質的に除去しておけば
よいことが分かるが、表1にみられるとおり、前記の二
次加硫(加熱処理)条件によればこのような環状低分子
シロキサンの含有量は10ppm未満に低下し実質的に除去
されている。これらの結果から、図1に基づいてDn の
含有量を気相中の濃度が 0.1mg/L以下になるように管理
することの有効性は明らかである。
【0012】
【表1】
【0013】実施例3 実施例1と同様の10L の密閉容器を備えた試験装置でマ
イクロモーターを用いたトラブルシミュレーションを行
った。サンプルには接触障害トラブルが発生した市販の
ラジオカセットから回収したシリコーンゴム成形品を用
いた。まず、このサンプルに含まれる環状低分子シロキ
サン(3〜10量体)を実施例2で用いた測定法により、
回収されたままのサンプル、実際にラジオカセット中で
使用される温度条件(60℃)で24時間加熱したサンプ
ル、及び 200℃×4時間加熱処理したサンプルについて
測定した。結果は表2に示すとおりであった。次に、上
記のサンプルを試験装置に 20g(2g×10個)入れ、60℃
にてn=5でテストを行った。結果は図4のとおりであ
り、 200℃×4時間の加熱処理を行った場合は不良発生
がなく、環状低分子シロキサン(3〜10量体)を除去し
たことによる効果が明らかに認められる。
イクロモーターを用いたトラブルシミュレーションを行
った。サンプルには接触障害トラブルが発生した市販の
ラジオカセットから回収したシリコーンゴム成形品を用
いた。まず、このサンプルに含まれる環状低分子シロキ
サン(3〜10量体)を実施例2で用いた測定法により、
回収されたままのサンプル、実際にラジオカセット中で
使用される温度条件(60℃)で24時間加熱したサンプ
ル、及び 200℃×4時間加熱処理したサンプルについて
測定した。結果は表2に示すとおりであった。次に、上
記のサンプルを試験装置に 20g(2g×10個)入れ、60℃
にてn=5でテストを行った。結果は図4のとおりであ
り、 200℃×4時間の加熱処理を行った場合は不良発生
がなく、環状低分子シロキサン(3〜10量体)を除去し
たことによる効果が明らかに認められる。
【0014】
【表2】
【0015】
【発明の効果】本発明のシリコーン製品は、密閉状態に
おける気相中の低分子シロキサンの濃度が実使用温度に
おいて0.1mg/L 以下になるように設定されており、これ
により電気接点障害を起こさない点で特性が優れかつ安
定している。また、本発明のシリコーン製品は容易かつ
安価に得ることができる。
おける気相中の低分子シロキサンの濃度が実使用温度に
おいて0.1mg/L 以下になるように設定されており、これ
により電気接点障害を起こさない点で特性が優れかつ安
定している。また、本発明のシリコーン製品は容易かつ
安価に得ることができる。
【図1】低分子シロキサンDn の液相共存下、密閉状態
における気相中の濃度が0.1mg/L になるときのnと温度
の関係を示すグラフである。
における気相中の濃度が0.1mg/L になるときのnと温度
の関係を示すグラフである。
【図2】気相中のD4 濃度と、この気相中でマイクロモ
ーターを動作させたときの電流波形に異常が発生する時
間及びマイクロモーターが停止する時間の関係を示すグ
ラフである。
ーターを動作させたときの電流波形に異常が発生する時
間及びマイクロモーターが停止する時間の関係を示すグ
ラフである。
【図3】プレス加硫のみ行ったシリコーンゴム成形品の
密閉共存下でのマイクロモーターの動作テストにおける
不良発生率を示すグラフである。
密閉共存下でのマイクロモーターの動作テストにおける
不良発生率を示すグラフである。
【図4】接触障害トラブルが発生した市販のラジオカセ
ットから回収したシリコーンゴム成形品の密閉共存下で
のマイクロモーターのトラブルシミュレーションにおけ
る不良発生率を示すグラフである。
ットから回収したシリコーンゴム成形品の密閉共存下で
のマイクロモーターのトラブルシミュレーションにおけ
る不良発生率を示すグラフである。
Claims (1)
- 【請求項1】 密閉状態における気相中の低分子シロキ
サンの濃度が実使用温度において0.1mg/L 以下になるよ
うにしたシリコーン製品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12147693A JPH06329803A (ja) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | 電気接点障害のないシリコーン製品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12147693A JPH06329803A (ja) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | 電気接点障害のないシリコーン製品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06329803A true JPH06329803A (ja) | 1994-11-29 |
Family
ID=14812101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12147693A Pending JPH06329803A (ja) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | 電気接点障害のないシリコーン製品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06329803A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002012666A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ポリイミドシリコーン樹脂、その製造方法およびその組成物 |
| JP2002012667A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ポリイミドシリコーン樹脂、その溶液組成物、およびポリイミドシリコーン樹脂皮膜 |
| JP2002146024A (ja) * | 2000-11-06 | 2002-05-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | オルガノポリシロキサンの精製方法及びその精製方法により得られるオルガノポリシロキサン |
| JP2003086047A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Yamatake Corp | リミットスイッチ |
| JP2006028533A (ja) * | 2005-10-13 | 2006-02-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ポリイミドシリコーン樹脂およびその製造方法 |
| EP2042559A1 (en) | 2007-09-21 | 2009-04-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Addition curable silicone rubber composition and cured product thereof |
| JPWO2011118109A1 (ja) * | 2010-03-23 | 2013-07-04 | 株式会社朝日ラバー | 可撓性反射基材、その製造方法及びその反射基材に用いる原材料組成物 |
| JP2018154130A (ja) * | 2017-03-15 | 2018-10-04 | 株式会社Shindo | ヘッドスペースバイアルの開口部封止用セプタム形成用積層シート、その製造方法、ヘッドスペースバイアルの開口部封止用セプタムおよびセプタム |
| WO2019240122A1 (ja) * | 2018-06-12 | 2019-12-19 | モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 | シリコーン硬化物の製造方法、シリコーン硬化物および光学用部材 |
-
1993
- 1993-05-24 JP JP12147693A patent/JPH06329803A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002012666A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ポリイミドシリコーン樹脂、その製造方法およびその組成物 |
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| JP2018154130A (ja) * | 2017-03-15 | 2018-10-04 | 株式会社Shindo | ヘッドスペースバイアルの開口部封止用セプタム形成用積層シート、その製造方法、ヘッドスペースバイアルの開口部封止用セプタムおよびセプタム |
| WO2019240122A1 (ja) * | 2018-06-12 | 2019-12-19 | モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 | シリコーン硬化物の製造方法、シリコーン硬化物および光学用部材 |
| JPWO2019240122A1 (ja) * | 2018-06-12 | 2020-06-25 | モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 | シリコーン硬化物の製造方法、シリコーン硬化物および光学用部材 |
| US12065567B2 (en) | 2018-06-12 | 2024-08-20 | Momentive Performance Materials Japan Llc | Method of manufacturing silicone cured product, silicone cured product and optical member |
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