JPH06330320A - 真空蒸着装置 - Google Patents
真空蒸着装置Info
- Publication number
- JPH06330320A JPH06330320A JP5119741A JP11974193A JPH06330320A JP H06330320 A JPH06330320 A JP H06330320A JP 5119741 A JP5119741 A JP 5119741A JP 11974193 A JP11974193 A JP 11974193A JP H06330320 A JPH06330320 A JP H06330320A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carrier belt
- vapor deposition
- substrate
- polymer substrate
- deposition apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 キャリヤベルトに沿って基板を搬送する巻取
り式の真空蒸着装置においてキャリヤベルトを電子冷却
器によって冷却する事により基板が熱によって劣下変形
する事を防止し、高付着効率で長尺の蒸着が可能な巻取
り式真空蒸着装置を提供することを目的とする。 【構成】 真空槽内に、高分子基板１を搬送するキャリ
ヤベルト４を設け、前記キャリヤベルト４に設けられた
電子冷却器１１に通電しペルチェ効果によりキャリヤベ
ルト４を冷却する事により、キャリヤベルト４に密着し
た高分子基板１の温度上昇を低く抑える事ができ高分子
基板１が劣下変形しない真空蒸着装置が得られる。
り式の真空蒸着装置においてキャリヤベルトを電子冷却
器によって冷却する事により基板が熱によって劣下変形
する事を防止し、高付着効率で長尺の蒸着が可能な巻取
り式真空蒸着装置を提供することを目的とする。 【構成】 真空槽内に、高分子基板１を搬送するキャリ
ヤベルト４を設け、前記キャリヤベルト４に設けられた
電子冷却器１１に通電しペルチェ効果によりキャリヤベ
ルト４を冷却する事により、キャリヤベルト４に密着し
た高分子基板１の温度上昇を低く抑える事ができ高分子
基板１が劣下変形しない真空蒸着装置が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高分子基板上に薄膜を
連続形成する真空蒸着装置に関する。
連続形成する真空蒸着装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、省資源、小型化などの時代要請が
あり薄膜の応用範囲が広がっている。
あり薄膜の応用範囲が広がっている。
【０００３】光学的、磁気的に異方性を付与するために
よく用いられる斜方蒸着等では、蒸発された材料の一部
しか基板上に付着させる事ができず、省資源、高生産性
の観点から蒸発物の付着効率を改善する方法として、高
分子基板をキャリヤベルトにより搬送する方式が試みら
れてきた。
よく用いられる斜方蒸着等では、蒸発された材料の一部
しか基板上に付着させる事ができず、省資源、高生産性
の観点から蒸発物の付着効率を改善する方法として、高
分子基板をキャリヤベルトにより搬送する方式が試みら
れてきた。
【０００４】以下に従来の蒸着装置について説明する。
図３は従来の真空蒸着装置の構造を示すものである。図
３において、１は高分子基板、２・３はキャリヤベルト
駆動軸、４はキャリヤベルト、５は耐火容器、６は蒸発
材料、７は蒸気流、８は電子ビーム、９はマスクであ
る。
図３は従来の真空蒸着装置の構造を示すものである。図
３において、１は高分子基板、２・３はキャリヤベルト
駆動軸、４はキャリヤベルト、５は耐火容器、６は蒸発
材料、７は蒸気流、８は電子ビーム、９はマスクであ
る。
【０００５】以上のように構成された真空蒸着装置につ
いて、以下その動作について説明する。まず、加速され
た電子ビーム８により蒸発材料６を加熱し蒸気流７を生
じせしめる。この蒸気流は磁気テープの製造時によく用
いられる基板１への入射角度を限定するマスク９により
一部さえぎられ移動する基板１に付着する。高分子基板
１は蒸発材料６の輻射熱及び蒸気流７の持つ熱によって
耐熱温度以上に温度上昇しないようキャリヤベルト４に
密着する事により冷却される。
いて、以下その動作について説明する。まず、加速され
た電子ビーム８により蒸発材料６を加熱し蒸気流７を生
じせしめる。この蒸気流は磁気テープの製造時によく用
いられる基板１への入射角度を限定するマスク９により
一部さえぎられ移動する基板１に付着する。高分子基板
１は蒸発材料６の輻射熱及び蒸気流７の持つ熱によって
耐熱温度以上に温度上昇しないようキャリヤベルト４に
密着する事により冷却される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、蒸着処理の時間の経過と共に蒸発材料６
からの輻射熱でキャリヤベルト４の温度が上昇し、高分
子基板１が耐熱温度以上の温度となって劣下変形したり
溶断するなどの問題点があった。
来の構成では、蒸着処理の時間の経過と共に蒸発材料６
からの輻射熱でキャリヤベルト４の温度が上昇し、高分
子基板１が耐熱温度以上の温度となって劣下変形したり
溶断するなどの問題点があった。
【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、高付着効率で長尺の蒸着ができる巻取り式真空蒸着
装置を提供することを目的とする。
で、高付着効率で長尺の蒸着ができる巻取り式真空蒸着
装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の真空蒸着装置は、真空槽内に、高分子成形物
基板を搬送するベルト機構、前記ベルトに設けられた電
子冷却機構、電子冷却機構の発熱側を冷却する機構を備
えた構成を有している。
に本発明の真空蒸着装置は、真空槽内に、高分子成形物
基板を搬送するベルト機構、前記ベルトに設けられた電
子冷却機構、電子冷却機構の発熱側を冷却する機構を備
えた構成を有している。
【０００９】
【作用】この構成によって、キャリヤベルトに設けられ
た電子冷却機構に通電する事によりキャリヤベルトを冷
却し高分子基板の温度上昇を抑える事ができる。
た電子冷却機構に通電する事によりキャリヤベルトを冷
却し高分子基板の温度上昇を抑える事ができる。
【００１０】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１１】図１は本発明の真空蒸着装置の構造を示す
ものである。図１において、１は高分子基板、２・３は
キャリヤベルト駆動軸、４はキャリヤベルト、５は耐火
容器、６は蒸発材料、７は蒸気流、８は電子ビーム、９
はマスク、１０は冷却キャン、１１は電子冷却器であ
る。
ものである。図１において、１は高分子基板、２・３は
キャリヤベルト駆動軸、４はキャリヤベルト、５は耐火
容器、６は蒸発材料、７は蒸気流、８は電子ビーム、９
はマスク、１０は冷却キャン、１１は電子冷却器であ
る。
【００１２】以上のように構成された真空蒸着装置につ
いて、その動作を説明する。まず、加速された電子ビー
ム８により蒸発材料６を加熱し蒸気流７を生じせしめ
る。この蒸気流は磁気テープの製造時によく用いられる
高分子基板１への入射角度を限定するマスク９により一
部さえぎられ、キャリヤベルト４に密着して移動する高
分子基板１に付着する。キャリヤベルト４は、高分子基
板１と接触する面の反対側に設けられた電子冷却器１１
により冷却される。さらに電子冷却器１１の発熱側は水
冷などにより一定の温度に保たれた冷却キャン１０に接
触され温度が一定に保たれる。次に電子冷却器１１の動
作について説明する。図２は、キャリヤベルト４の一部
を拡大したものである。図１の電子冷却器１１は、キャ
リヤベルト４の上に絶縁層（図示せず）を介して電極１
２、Ｐ型半導体１４、Ｎ型半導体１５を配し、さらに電
極１３でＰ型半導体１４、Ｎ型半導体１５を接続する事
によりＰＮ接合を形成している。この電子冷却器に直流
電源１６を用いて電流を流せばペルチェ効果により吸熱
と発熱が発生し電流の向きを選択する事によりキャリヤ
ベルト４は冷却され、キャリヤベルト４に密着された高
分子基板１も冷却される事になる。
いて、その動作を説明する。まず、加速された電子ビー
ム８により蒸発材料６を加熱し蒸気流７を生じせしめ
る。この蒸気流は磁気テープの製造時によく用いられる
高分子基板１への入射角度を限定するマスク９により一
部さえぎられ、キャリヤベルト４に密着して移動する高
分子基板１に付着する。キャリヤベルト４は、高分子基
板１と接触する面の反対側に設けられた電子冷却器１１
により冷却される。さらに電子冷却器１１の発熱側は水
冷などにより一定の温度に保たれた冷却キャン１０に接
触され温度が一定に保たれる。次に電子冷却器１１の動
作について説明する。図２は、キャリヤベルト４の一部
を拡大したものである。図１の電子冷却器１１は、キャ
リヤベルト４の上に絶縁層（図示せず）を介して電極１
２、Ｐ型半導体１４、Ｎ型半導体１５を配し、さらに電
極１３でＰ型半導体１４、Ｎ型半導体１５を接続する事
によりＰＮ接合を形成している。この電子冷却器に直流
電源１６を用いて電流を流せばペルチェ効果により吸熱
と発熱が発生し電流の向きを選択する事によりキャリヤ
ベルト４は冷却され、キャリヤベルト４に密着された高
分子基板１も冷却される事になる。
【００１３】本実施例による真空蒸着装置と従来の真空
蒸着装置の比較を、高密度記録に適した蒸着磁気テープ
を試作する事により比較した。
蒸着装置の比較を、高密度記録に適した蒸着磁気テープ
を試作する事により比較した。
【００１４】キャリヤベルトは厚さ０．５ｍｍのステン
レス鋼板を用いキャリヤベルトに沿って、厚み５μｍ、
長さ６０００ｍのポリエチレンテレフタレートフィルム
を１２０ｍ／分の速度で移動させ、この基板上にＣｏ８
０％−Ｎｉ１２０％からなる厚さ０．２μｍの磁性層を
形成するという試作を行った。本実施例では、電子冷却
器に流す直流電流を１００Ａとし、冷却キャンは水を循
環させて５℃に保った。その結果、比較例では蒸着開始
後５〜１０分後に高分子基板が温度上昇により溶断し
た。本実施例では、全く問題なく全長蒸着する事ができ
た。
レス鋼板を用いキャリヤベルトに沿って、厚み５μｍ、
長さ６０００ｍのポリエチレンテレフタレートフィルム
を１２０ｍ／分の速度で移動させ、この基板上にＣｏ８
０％−Ｎｉ１２０％からなる厚さ０．２μｍの磁性層を
形成するという試作を行った。本実施例では、電子冷却
器に流す直流電流を１００Ａとし、冷却キャンは水を循
環させて５℃に保った。その結果、比較例では蒸着開始
後５〜１０分後に高分子基板が温度上昇により溶断し
た。本実施例では、全く問題なく全長蒸着する事ができ
た。
【００１５】以上のように本実施例によれば、キャリヤ
ベルトを電子的に直接冷却する事により高分子基板が効
率よく冷却され長尺の蒸着が可能になり、高付着効率で
長尺の蒸着が可能な巻取り式真空蒸着装置を提供でき
る。
ベルトを電子的に直接冷却する事により高分子基板が効
率よく冷却され長尺の蒸着が可能になり、高付着効率で
長尺の蒸着が可能な巻取り式真空蒸着装置を提供でき
る。
【００１６】
【発明の効果】以上のように本発明は、真空槽内に、高
分子成形物基板を搬送するベルト機構、前記ベルトに設
けられた電子冷却機構、電子冷却機構の発熱側を冷却す
る機構を、備える事により蒸着中の基板の温度上昇を低
く抑える事ができ、高付着効率で長尺の蒸着が可能な巻
取り式真空蒸着装置を実現できるものである。
分子成形物基板を搬送するベルト機構、前記ベルトに設
けられた電子冷却機構、電子冷却機構の発熱側を冷却す
る機構を、備える事により蒸着中の基板の温度上昇を低
く抑える事ができ、高付着効率で長尺の蒸着が可能な巻
取り式真空蒸着装置を実現できるものである。
【図１】本発明の実施例における真空蒸着装置の構成図
【図２】本発明の実施例における電子冷却器の動作説明
のための構成図
のための構成図
【図３】従来の真空蒸着装置の構成図
【符号の説明】 １ 高分子基板 ２，３ キャリヤベルト駆動軸 ４ キャリヤベルト ５ 耐火容器 ６ 蒸発材料 ７ 蒸気流 ８ 電子ビーム ９ マスク １０ 冷却キャン １１ 電子冷却器 １２，１３ 電極 １４ Ｐ型半導体 １５ Ｎ型半導体 １６ 直流電源
Claims (1)
- 【請求項１】 真空槽内に、高分子成形物基板を搬送す
るベルト機構、前記ベルトに設けられた電子冷却機構、
電子冷却機構の発熱側を冷却する機構を備えたことを特
徴とする真空蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5119741A JPH06330320A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 真空蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5119741A JPH06330320A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 真空蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06330320A true JPH06330320A (ja) | 1994-11-29 |
Family
ID=14768990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5119741A Pending JPH06330320A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 真空蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06330320A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5589000A (en) * | 1995-09-06 | 1996-12-31 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Fixture for deposition |
| JP2008150636A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
| US9770890B2 (en) | 2013-05-30 | 2017-09-26 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Apparatus and method for manufacturing thin film, electro-chemical device and method for manufacturing electro-chemical device |
-
1993
- 1993-05-21 JP JP5119741A patent/JPH06330320A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5589000A (en) * | 1995-09-06 | 1996-12-31 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Fixture for deposition |
| JP2008150636A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
| US9770890B2 (en) | 2013-05-30 | 2017-09-26 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Apparatus and method for manufacturing thin film, electro-chemical device and method for manufacturing electro-chemical device |
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