JPH06332154A - Method for correcting mask - Google Patents
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- JPH06332154A JPH06332154A JP12104193A JP12104193A JPH06332154A JP H06332154 A JPH06332154 A JP H06332154A JP 12104193 A JP12104193 A JP 12104193A JP 12104193 A JP12104193 A JP 12104193A JP H06332154 A JPH06332154 A JP H06332154A
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Landscapes
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、高解像力リソグラフ
ィーに用いる位相差マスクの位相シフタに発生した欠陥
部の修正方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of repairing a defective portion generated in a phase shifter of a phase difference mask used for high resolution lithography.
【０００２】[0002]
【従来の技術】以下、図面を参照して、位相シフタに、
ボイド型で底面が平面となっていない欠陥部が発生した
場合の従来のマスク修正方法について説明する。2. Description of the Related Art A phase shifter will now be described with reference to the drawings.
A conventional mask repairing method in the case of a void type defective portion having a non-planar bottom surface will be described.
【０００３】図５の（Ａ）および（Ｂ）は、従来のマス
ク修正方法の説明に供する断面図である。図５の（Ａ）
は、未修正の欠陥部分を含む部分断面図である。図５の
（Ｂ）は、図５の（Ａ）を修正後の部分断面図である。5A and 5B are sectional views for explaining a conventional mask repairing method. FIG. 5A
FIG. 4 is a partial cross-sectional view including an uncorrected defective portion. FIG. 5B is a partial cross-sectional view after modifying FIG. 5A.
【０００４】この従来例の位相差マスクでは、マスク基
板１０上に導電層１２を設け、その上に、遮光パターン
１４が設けてある。そして、この遮光パターン１４を含
む導電層１２上に設けられた位相シフタ１６に、ボイド
型で底面が平面となっていない欠陥部１８が発生してい
る。In this conventional phase difference mask, a conductive layer 12 is provided on a mask substrate 10, and a light shielding pattern 14 is provided thereon. Then, the phase shifter 16 provided on the conductive layer 12 including the light-shielding pattern 14 has a void type defect portion 18 having a non-planar bottom surface.
【０００５】従来のマスク修正方法では、欠陥部１８を
含む領域の位相シフタ１６部分上に、入射光に対する透
過光の位相角が２πとなる厚さの透明膜２０を形成し
て、マスク修正を行っていた。In the conventional mask repairing method, the mask is repaired by forming a transparent film 20 having a thickness such that the phase angle of the transmitted light with respect to the incident light is 2π on the phase shifter 16 in the region including the defect portion 18. I was going.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のマスク修正方法方法は種々の問題点を有する。
以下、図６の（Ａ）および（Ｂ）を参照して、この問題
点について説明する。図６の（Ａ）および（Ｂ）は、従
来のマスク修正方法の問題点の説明に供する部分断面図
である。However, the above-described conventional mask correction method method has various problems.
Hereinafter, this problem will be described with reference to FIGS. 6 (A) and 6 (B). FIGS. 6A and 6B are partial cross-sectional views for explaining the problems of the conventional mask correction method.
【０００７】従来のマスク修正方法において、例えば、
透明膜２０としてＳｉＯ2 膜２０を用い、水銀灯のｉ線
を光源とする場合、ＳｉＯ2 膜２０の膜厚を８５００Ａ
°（Ａ°は、オングストロームを表す）程度とする必要
がある。このような厚い透明膜２０を形成すると、通
常、図６の（Ｂ）に示すように、透明膜２０の側壁にテ
ーパー２２が生じてしまう。このため、修正した位相差
マスクにおいて、このテーパ２２に由来する透過光の光
強度の低下が生じ、その結果、転写誤差が発生してしま
うという問題点があった。In the conventional mask correction method, for example,
When the SiO 2 film 20 is used as the transparent film 20 and the i-line of a mercury lamp is used as the light source, the thickness of the SiO 2 film 20 is 8500A.
It is necessary to set the angle to approximately ° (A ° represents angstrom). When such a thick transparent film 20 is formed, a taper 22 is usually formed on the side wall of the transparent film 20 as shown in FIG. 6B. Therefore, in the corrected phase difference mask, there is a problem that the light intensity of the transmitted light due to the taper 22 is reduced, and as a result, a transfer error occurs.
【０００８】また、欠陥部１８のみを透明膜２０で埋め
込んでマスク修正を行う場合は、欠陥部１８の不定型な
形状に由来する透明膜２０の膜厚の誤差や欠陥部１８と
透明膜２０の形成領域との重ね合わせ誤差により、未修
正部分２４や新たな突起部２６が発生することがあった
（図６の（Ｂ））。Further, when masking is performed by embedding only the defective portion 18 with the transparent film 20, an error in the film thickness of the transparent film 20 due to the irregular shape of the defective portion 18 and the defective portion 18 and the transparent film 20. An uncorrected portion 24 or a new protrusion 26 may be generated due to an overlay error with the formation area of () (FIG. 6B).
【０００９】従って、この発明の第１の目的は、透明膜
の側壁のテーパーに由来する光強度の低下が生じないマ
スク修正方法を提供することにある。Therefore, it is a first object of the present invention to provide a mask repairing method in which a decrease in light intensity due to the taper of a side wall of a transparent film does not occur.
【００１０】また、この発明の第２の目的は、欠陥部の
不定型な形状に由来する透明膜の膜厚の誤差や欠陥部と
透明膜の形成領域との重ね合わせ誤差による未修正部や
新たな突起部の生じないマスク修正方法を提供すること
にある。A second object of the present invention is to provide an uncorrected portion due to an error in the film thickness of the transparent film due to the irregular shape of the defective portion and an overlay error between the defective portion and the transparent film forming region. It is an object of the present invention to provide a mask repairing method in which a new protrusion is not generated.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】これらの目的の達成を図
るため、この出願に係る第１の発明によれば、位相差マ
スクの位相シフタに発生した欠陥部を修正するにあた
り、位相シフタの欠陥部を含む領域に対して掘り込みを
行って、位相シフタの無欠陥部分の位相角との相対的な
位相差が９０°以内となる位相角を有し、かつ、底面が
平滑な平面となっている堀込部を形成することを特徴と
する。In order to achieve these objects, according to the first invention of this application, the defect of the phase shifter is corrected when the defective portion generated in the phase shifter of the phase difference mask is corrected. By digging into a region including a portion, the phase shifter has a phase angle with a relative phase difference of 90 ° or less with respect to the phase angle of the defect-free portion of the phase shifter, and has a smooth bottom surface. It is characterized by forming a dug portion.
【００１２】ここで、位相角とは、位相シフタまたは堀
込部への入射光の位相に対する、透過または通過光の相
対的な位相差のことである。Here, the phase angle means a relative phase difference between transmitted or transmitted light with respect to the phase of incident light to the phase shifter or the recessed portion.
【００１３】また、この第１の発明を実施するにあた
り、位相シフタの位相角が１８０°の場合、記堀込部分
の位相シフタを全て除去することが望ましい。In implementing the first aspect of the invention, when the phase angle of the phase shifter is 180 °, it is desirable to remove all the phase shifter in the engraved portion.
【００１４】また、この出願に係る第２の発明によれ
ば、位相差マスクの位相シフタに発生した欠陥部を修正
するにあたり、位相シフタの前記欠陥部を含む領域に対
して掘り込みを行って、底面が平滑な平面となっている
堀込部を形成する工程と、堀込部に、堀込部の少なくと
も一部分の側壁との間に、光干渉に及ぼす影響が無視で
きる程度の幅の狭い間隙を設けて、堀込部の周囲の位相
シフタの無欠陥部分の位相角との相対的な位相差が９０
°以内となる位相角を有する、透明膜からなる埋込部を
形成する工程とを含むことを特徴とする。Further, according to the second invention of this application, when correcting the defective portion generated in the phase shifter of the phase difference mask, the region including the defective portion of the phase shifter is dug out. , A step of forming a dug portion whose bottom surface is a flat surface, and a narrow gap between the dug portion and the side wall of at least a part of the dug portion, the width of which is so small that the influence on optical interference can be ignored. Therefore, the relative phase difference with the phase angle of the defect-free portion of the phase shifter around the engraved portion is 90
And a step of forming an embedded portion made of a transparent film having a phase angle of within °.
【００１５】また、第２の発明の実施にあたり、間隙
を、埋込部の全周に設けることが望ましい。In implementing the second aspect of the invention, it is desirable to provide a gap along the entire circumference of the embedding part.
【００１６】また、第２の発明の実施にあたり、堀込部
の形成に当たっては、堀込部の側壁の少なくとも一部分
を位相差マスクの遮光パタ−ン上に形成し、埋込部の形
成に当たっては、埋込部を形成する透明膜の一部分を遮
光パタ−ン上に重ねて設けることが望ましい。In implementing the second aspect of the invention, in forming the engraved portion, at least a part of the side wall of the engraved portion is formed on the light shielding pattern of the phase difference mask, and the embedding portion is formed by embedding. It is desirable that a part of the transparent film forming the recessed portion is provided so as to overlap the light shielding pattern.
【００１７】[0017]
【作用】この出願に係る第１の発明のマスク修正方法に
よれば、堀込部の底面を平滑な平面となっている堀込部
を形成し、かつ、この堀込部の位相角と、堀込部の周囲
の位相シフタの無欠陥部分の位相角との相対的な位相差
を９０°以内とする。このため、透明膜のテーパー角に
よる光強度の低下および埋め込み誤差等による新たな突
起部等を生じることなくマスク修正を行うことができ
る。According to the mask repairing method of the first invention of this application, the bottom surface of the engraved portion is formed into a smooth flat surface, and the phase angle of the engraved portion and the The relative phase difference with the phase angle of the defect-free portion of the surrounding phase shifter is set to within 90 °. Therefore, the mask can be corrected without causing a decrease in light intensity due to the taper angle of the transparent film and a new protrusion due to an embedding error or the like.
【００１８】また、第１の発明のマスク修正方法は、欠
陥部の周囲の無欠陥部の位相シフタの位相角が、例えば
１８０°の場合は、堀込部分の位相シフタを全て除去す
れば良いのでマスク修正に用いて好適である。Further, in the mask repairing method of the first invention, when the phase angle of the phase shifter in the defect-free portion around the defect portion is, for example, 180 °, it is sufficient to remove all the phase shifter in the engraved portion. It is suitable for use in mask correction.
【００１９】また、この出願に係る第２の発明のマスク
修正方法によれば、堀込部に埋込部を形成するにあた
り、この埋込部の位相角と、堀込部の周囲の位相シフタ
の無欠陥部分の位相角との相対的な位相差が９０°以内
となるようにする。このため、透明膜のテーパー角によ
る光強度の低下を生じることなくマスク修正を行うこと
ができる。Further, according to the mask repairing method of the second invention of this application, when the embedding portion is formed in the embedding portion, the phase angle of the embedding portion and the phase shifter around the embedding portion are eliminated. The relative phase difference with the phase angle of the defective portion is set to be within 90 °. Therefore, mask correction can be performed without causing a decrease in light intensity due to the taper angle of the transparent film.
【００２０】さらに、第２の発明のマスク修正方法によ
れば、埋込部を形成するにあたり、堀込部の少なくとも
一部分の側壁と埋込部との間に、光干渉に及ぼす影響が
無視できる程度の幅の狭い間隙を、堀込部の少なくとも
一部分の側壁との間に設けてる。このため、埋込部と堀
込部との位置合わせに余裕を持たせることが出来る。そ
の結果、埋め込み誤差による新たな突起等を生じること
なくマスク修正を行うことができる。Furthermore, according to the mask repairing method of the second aspect of the present invention, in forming the embedded portion, the influence on the optical interference between the embedded portion and the sidewall of at least a part of the recessed portion is negligible. A narrow gap is provided between the sidewall of at least a portion of the recess. For this reason, it is possible to give a margin to the alignment between the embedding portion and the dug portion. As a result, the mask can be corrected without generating new protrusions due to the embedding error.
【００２１】また、この方法は、欠陥部の近傍に遮光パ
ターンがある場合に、堀込部の側壁の少なくとも一部分
を位相差マスクの遮光パタ−ン上に形成し、埋込部を形
成する透明膜の一部分を遮光パタ−ン上に重ねて設ける
ことによっても、埋込部と堀込部との位置合わせに余裕
を持たせることが出来る。Further, according to this method, when there is a light-shielding pattern in the vicinity of the defective portion, at least a part of the side wall of the recessed portion is formed on the light-shielding pattern of the retardation mask to form the embedded portion. It is also possible to provide a margin in the alignment between the embedding part and the digging part by providing a part of the above part on the light shielding pattern.
【００２２】[0022]
【実施例】以下、図面を参照して、この出願に係る発明
の実施例について説明する。尚、以下に参照する図は、
各発明が理解できる程度に各構成成分の大きさ、形状お
よび配置関係を概略的に示してあるにすぎない。従っ
て、この発明は、図示例にのみ限定されるものではない
ことは明らかである。尚、図は、断面を表すハッチング
等を一部省略して示してある。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the invention according to this application will be described below with reference to the drawings. The figures referenced below are
The sizes, shapes, and positional relationships of the respective constituents are only schematically shown so that each invention can be understood. Therefore, it is obvious that the present invention is not limited to the illustrated examples. In the figure, hatching and the like showing the cross section are partially omitted.
【００２３】第１実施例 以下、この出願に係る第１の発明について第１実施例と
して説明する。図１の（Ａ）は、未修正の欠陥部を有す
る位相差マスクの部分断面図である。図１の（Ｂ）は、
欠陥部を修正した位相差マスクの部分断面図である。図
１の（Ａ）に示した位相差マスクは、マスク基板３０上
に導電層３２が設けてあり、その上に設けられた、位相
角が１８０°の位相シフタ３４に、ボイド型で底面が平
面となっていない欠陥部３６が発生している。First Embodiment Hereinafter, the first invention according to this application will be described as a first embodiment. FIG. 1A is a partial sectional view of a retardation mask having an uncorrected defect portion. In FIG. 1B,
FIG. 6 is a partial cross-sectional view of a retardation mask in which a defective portion is corrected. In the retardation mask shown in FIG. 1A, a conductive layer 32 is provided on a mask substrate 30, and a phase shifter 34 having a phase angle of 180 ° is provided on the conductive layer 32 and has a void type bottom surface. A defective portion 36 that is not a flat surface is generated.
【００２４】この欠陥部３６を修正するために、第１実
施例では、位相シフタ３４の欠陥部３６を含む領域に対
して、導電層３２まで達する堀込部３６を形成する。堀
込部３８の底面４０は平滑な平面となっており、この堀
込部３８の位相角と、堀込部３８の周囲の位相シフタ３
４の無欠陥部分４２の位相角との相対的な位相差は９０
°以内となっている。In order to correct this defective portion 36, in the first embodiment, a recess 36 reaching the conductive layer 32 is formed in the region including the defective portion 36 of the phase shifter 34. The bottom surface 40 of the engraved portion 38 is a smooth flat surface, and the phase angle of the engraved portion 38 and the phase shifter 3 around the engraved portion 38.
The relative phase difference with the phase angle of the defect-free portion 42 of No. 4 is 90
It is within °.
【００２５】ここで、位相角とは、位相シフタ３４また
は堀込部３８への入射光の位相に対する、透過または通
過光の相対的な位相差のことである。Here, the phase angle is a relative phase difference between the transmitted light and the transmitted light with respect to the phase of the incident light on the phase shifter 34 or the engraved portion 38.
【００２６】第２実施例 次に、この出願に係る第１の発明について第２実施例と
して説明する。図２の（Ａ）は、未修正の欠陥部を有す
る位相差マスクの部分断面図である。図２の（Ｂ）は、
欠陥部を修正した位相差マスクの部分断面図である。Second Embodiment Next, the first invention according to this application will be described as a second embodiment. FIG. 2A is a partial cross-sectional view of a retardation mask having an uncorrected defect portion. In FIG. 2B,
FIG. 6 is a partial cross-sectional view of a retardation mask in which a defective portion is corrected.
【００２７】図２の（Ａ）に示した位相差マスクは、マ
スク基板３０上に第１導電層４４が設けてあり、その上
に、位相角が９０°の第１位相シフタ４６、第２導電層
４８および位相角が９０°の第２位相シフタ５０が順次
に積層して設けてある。そして、第２実施例では、この
第２位相シフタ５０に、ボイド型で底面が平面となって
いない欠陥部３６が発生している。In the retardation mask shown in FIG. 2A, a first conductive layer 44 is provided on a mask substrate 30, and a first phase shifter 46 having a phase angle of 90 ° and a second phase shifter 46 are provided thereon. A conductive layer 48 and a second phase shifter 50 having a phase angle of 90 ° are sequentially stacked and provided. Then, in the second embodiment, a void type defect portion 36 having a non-planar bottom surface is generated in the second phase shifter 50.
【００２８】この欠陥部３６を修正するために、第２実
施例では、第２位相シフタ５０の欠陥部３６を含む領域
に対して、第２導電層４８まで掘り込みを行って堀込部
５２を形成する。この堀込部５２の底面５４は、第１実
施例の堀込部３８と同様に、平滑な平面となっており、
この堀込部５２の位相角と、堀込部５２の周囲の第２位
相シフタ５０の無欠陥部分５６の位相角との相対的な位
相差は９０°以内となっている。In order to correct this defective portion 36, in the second embodiment, the region including the defective portion 36 of the second phase shifter 50 is dug up to the second conductive layer 48 to form the dug portion 52. Form. The bottom surface 54 of the dug portion 52 is a smooth flat surface like the dug portion 38 of the first embodiment,
The relative phase difference between the phase angle of the recessed portion 52 and the phase angle of the defect-free portion 56 of the second phase shifter 50 around the recessed portion 52 is within 90 °.
【００２９】さらに、第２実施例において、好ましく
は、堀込部５２の幅を（図２の（Ｂ）においてＲW で示
す）は、堀込部５２の対向するエッジ５８ａおよび５８
同士による光干渉の影響が、通常の孤立シフタのエッジ
部分による影響と同等に小さくなる大きさとすると良
い。具体的には、例えば、開口数ＮＡ＝０．５、コヒー
レンスファクターσ＝０．５の光学系を用いて、位相差
マスクに水銀灯のｉ線を照射する場合は、堀込部５２の
幅（ＲW ）を１μｍ以上とすると良い。Further, in the second embodiment, preferably, the width of the recessed portion 52 (shown by R W in FIG. 2B) is determined by the opposing edges 58a and 58 of the recessed portion 52.
It is preferable that the influence of optical interference between them is as small as the influence of the edge portion of a normal isolated shifter. Specifically, for example, when the retardation mask is irradiated with the i-line of a mercury lamp using an optical system having a numerical aperture NA = 0.5 and a coherence factor σ = 0.5, the width (R W ) should be 1 μm or more.
【００３０】第３実施例 次に、この出願に係る第２の発明について第３実施例と
して説明する。図３の（Ａ）〜（Ｃ）は、第３実施例の
マスク修正方法の説明に供する工程図であり、各図は、
位相差マスクの部分断面図を示している。Third Embodiment Next, a second invention according to this application will be described as a third embodiment. FIGS. 3A to 3C are process drawings for explaining the mask correcting method of the third embodiment.
The partial cross section figure of a phase contrast mask is shown.
【００３１】図３の（Ａ）に示した位相差マスクは、マ
スク基板３０上に導電層３２が設けてあり、その上に設
けられた位相シフタ７０には、ボイド型で底面が平面と
なっていない欠陥部３６が発生している。In the retardation mask shown in FIG. 3A, the conductive layer 32 is provided on the mask substrate 30, and the phase shifter 70 provided thereon has a void type bottom surface that is flat. A defective portion 36 that has not occurred is generated.
【００３２】この欠陥部３６を修正するために第３実施
例では、先ず、位相シフタ６０の欠陥部３６を含む領域
に対して、導電層３２まで掘り込みを行って、底面６２
が平滑な平面となっている堀込部６４を形成する（図３
の（Ｂ））。In order to correct this defective portion 36, in the third embodiment, first, the region including the defective portion 36 of the phase shifter 60 is dug up to the conductive layer 32, and the bottom surface 62 is formed.
Forming a recessed portion 64 having a smooth flat surface (see FIG. 3).
(B)).
【００３３】次に、堀込部に堀込部６４の周囲の位相シ
フタ６０の無欠陥部分６６の位相角との相対的な位相差
が９０°以内となる位相角を有する、透明膜６８からな
る埋込部７０を形成する。第３実施例では、この埋込部
７０と堀込部６４の側壁７２との間に、狭い間隙７４を
設けて埋込部７０を形成する。この間隙７４の幅（図３
の（Ｃ）にＲS で示す）は、間隙７５が光干渉に及ぼす
影響が無視できる程度の幅とする。Next, an embedding portion made of a transparent film 68 having a phase angle within the engraved portion which makes the relative phase difference with the phase angle of the defect-free portion 66 of the phase shifter 60 around the engraved portion 64 within 90 °. The recess 70 is formed. In the third embodiment, the embedded portion 70 is formed by providing a narrow gap 74 between the embedded portion 70 and the side wall 72 of the recessed portion 64. The width of this gap 74 (see FIG.
(Indicated by R S in (C)) has a width such that the effect of the gap 75 on optical interference can be ignored.
【００３４】このように、埋込部７０と堀込部６４との
間に間隙７４を設けるので、埋込部７０と堀込部６４と
の位置合わせに余裕を持たせることが出来る。Since the gap 74 is provided between the embedding portion 70 and the engraved portion 64 in this manner, a margin can be provided for the alignment between the embedding portion 70 and the engraved portion 64.
【００３５】第４実施例 次に、この出願に係る第２の発明について第４実施例と
して説明する。図４の（Ａ）〜（Ｃ）は、第４実施例の
マスク修正方法の説明に供する工程図であり、各図は、
位相差マスクの部分断面図を示している。Fourth Embodiment Next, a second invention according to this application will be described as a fourth embodiment. FIGS. 4A to 4C are process drawings for explaining the mask repairing method of the fourth embodiment, and each drawing is
The partial cross section figure of a phase contrast mask is shown.
【００３６】図４の（Ａ）に示した位相差マスクは、マ
スク基板３０上に導電層３２が設けてあり、この導電層
３２上の一部分には遮光パターン７６が設けてある。ま
た、導電層３２および遮光パターン７６の上に設けられ
た位相シフタ７８には、ボイド型で底面が平面となって
いない欠陥部３６が遮光パタ−ン７６の近傍に発生して
いる。In the retardation mask shown in FIG. 4A, the conductive layer 32 is provided on the mask substrate 30, and the light shielding pattern 76 is provided on a part of the conductive layer 32. Further, in the phase shifter 78 provided on the conductive layer 32 and the light-shielding pattern 76, a void type defect portion 36 having a non-planar bottom surface is generated in the vicinity of the light-shielding pattern 76.
【００３７】この欠陥部３６を修正するために、先ず、
位相シフタ７８の欠陥部３６を含む領域に対して、導電
層３２まで掘り込みを行って、底面８０が平滑な平面と
なっている堀込部８２を形成する。第４実施例では、堀
込部８０の形成に当たって、堀込部８２の側壁８４の一
部分を位相差マスクの遮光パタ−ン７６上に形成する
（図４の（Ｂ））。In order to correct this defective portion 36, first,
A region including the defective portion 36 of the phase shifter 78 is dug up to the conductive layer 32 to form a dug portion 82 having a flat bottom surface 80. In the fourth embodiment, when forming the engraved portion 80, a part of the side wall 84 of the engraved portion 82 is formed on the light-shielding pattern 76 of the retardation mask ((B) of FIG. 4).
【００３８】次に、堀込部８０に、堀込部８０の周囲の
位相シフタ７８の無欠陥部分８６の位相角との相対的な
位相差が９０°以内となる位相角を有する、透明膜８８
からなる埋込部９０を形成する。第４実施例では、遮光
パタ−ン７６上以外の堀込部８２の側壁８４と、埋込部
９０との間に、狭い間隙９２を設けて埋込部９０を形成
し、その上、埋込部９０を形成する透明膜８８の一部分
を遮光パタ−ン７６上に重ねて設ける。但し、間隙９２
の幅（図４の（Ｃ）にＲS で示す）は、光干渉に及ぼす
影響が無視できる程度の幅とする（図４の（Ｃ））。Next, the transparent film 88 having a phase angle in the engraved portion 80 that makes the relative phase difference with the phase angle of the defect-free portion 86 of the phase shifter 78 around the engraved portion 80 within 90 °.
The embedded portion 90 is formed. In the fourth embodiment, a narrow gap 92 is provided between the embedding portion 90 and the side wall 84 of the dug portion 82 other than the light-shielding pattern 76 to form the embedding portion 90. A part of the transparent film 88 forming the portion 90 is provided so as to overlap the light shielding pattern 76. However, the gap 92
The width (denoted by R S in FIG. 4C) is such that the effect on optical interference is negligible (FIG. 4C).
【００３９】このように、埋込部９０と堀込部８２との
間に間隙９２を設け、また、遮光パタ−ン７６上に透明
膜８８を重ねて設けるので、埋込部９０と堀込部８２と
の位置合わせに余裕を持たせることが出来る。As described above, since the gap 92 is provided between the embedding portion 90 and the engraved portion 82, and the transparent film 88 is overlaid on the light shielding pattern 76, the embedding portion 90 and the engraved portion 82 are provided. It is possible to give a margin to the alignment with.
【００４０】上述した各実施例では、この出願に係る発
明を特定の材料を使用し、特定の条件で構成した例につ
いて説明したが、この発明は、これらに何ら特定される
ものではなく、多くの変更および変形を行うことができ
る。例えば、上述した各実施例では、導電層に達する堀
込部を形成したが、この出願に係る発明では、位相シフ
タの掘り込み当たっては、位相シフタの下側の導電層迄
掘り込まずに、位相シフタの途中迄掘り込んで、平滑な
平面を形成しても良い。In each of the above-described embodiments, the invention according to this application was described using the specific material and under the specific condition. However, the invention is not limited to these and many Can be changed and modified. For example, in each of the above-described embodiments, the dug portion reaching the conductive layer is formed, but in the invention according to this application, when the phase shifter is dug, the electric conductive layer below the phase shifter is not dug, A smooth flat surface may be formed by digging in the middle of the phase shifter.
【００４１】[0041]
【発明の効果】この出願に係る第１の発明のマスク修正
方法によれば、堀込部の底面を平滑な平面となっている
堀込部を形成し、かつ、この堀込部の位相角と、堀込部
の周囲の位相シフタの無欠陥部分の位相角との相対的な
位相差を９０°以内とする。このため、透明膜のテーパ
ー角による光強度の低下および埋め込み誤差等による新
たな突起部等を生じることなくマスク修正を行うことが
できる。According to the mask repairing method of the first invention of the present application, a dug portion having a flat bottom surface of the dug portion is formed, and the phase angle of the dug portion and the dug portion are formed. The relative phase difference with the phase angle of the defect-free portion of the phase shifter around the area is within 90 °. Therefore, the mask can be corrected without causing a decrease in light intensity due to the taper angle of the transparent film and a new protrusion due to an embedding error or the like.
【００４２】また、第１の発明のマスク修正方法は、欠
陥部の周囲の無欠陥部の位相シフタの位相角が、例えば
１８０°の場合は、堀込部分の位相シフタを全て除去す
れば良いのでマスク修正に用いて好適である。Further, in the mask repairing method of the first invention, when the phase angle of the phase shifter of the defect-free portion around the defect portion is, for example, 180 °, it suffices to remove all the phase shifter of the engraved portion. It is suitable for use in mask correction.
【００４３】また、この出願に係る第２の発明のマスク
修正方法によれば、堀込部に埋込部を形成するにあた
り、この埋込部の位相角と、堀込部の周囲の位相シフタ
の無欠陥部分の位相角との相対的な位相差が９０°以内
となるようにする。このため、透明膜のテーパー角によ
る光強度の低下を生じることなくマスク修正を行うこと
ができる。Further, according to the mask repairing method of the second invention of this application, in forming the embedding portion in the embedding portion, the phase angle of the embedding portion and the absence of the phase shifter around the embedding portion are provided. The relative phase difference with the phase angle of the defective portion is set to be within 90 °. Therefore, mask correction can be performed without causing a decrease in light intensity due to the taper angle of the transparent film.
【００４４】さらに、第２の発明のマスク修正方法によ
れば、埋込部を形成するにあたり、堀込部の少なくとも
一部分の側壁と埋込部との間に、光干渉に及ぼす影響が
無視できる程度の幅の狭い間隙を、堀込部の少なくとも
一部分の側壁との間に設けてる。このため、埋込部と堀
込部との位置合わせに余裕を持たせることが出来る。そ
の結果、埋め込み誤差による新たな突起等を生じること
なくマスク修正を行うことができる。Further, according to the mask repairing method of the second invention, in forming the buried portion, the influence on the optical interference is negligible between the buried portion and the side wall of at least a part of the recessed portion. A narrow gap is provided between the sidewall of at least a portion of the recess. For this reason, it is possible to give a margin to the alignment between the embedding portion and the dug portion. As a result, the mask can be corrected without generating new protrusions due to the embedding error.
【００４５】また、この方法は、欠陥部の近傍に遮光パ
ターンがある場合に、堀込部の側壁の少なくとも一部分
を位相差マスクの遮光パタ−ン上に形成し、埋込部を形
成する透明膜の一部分を遮光パタ−ン上に重ねて設ける
ことによっても、埋込部と堀込部との位置合わせに余裕
を持たせることが出来る。Further, according to this method, when there is a light shielding pattern in the vicinity of the defective portion, at least a part of the side wall of the engraved portion is formed on the light shielding pattern of the phase difference mask to form the embedded portion. It is also possible to provide a margin in the alignment between the embedding part and the digging part by providing a part of the above part on the light shielding pattern.
【図１】（Ａ）および（Ｂ）は、第１実施例の説明に供
する工程図であり、（Ａ）は、未修正の欠陥部を有する
位相差マスクの部分断面を示し、（Ｂ）は、欠陥部を修
正した位相差マスクの部分断面を示している。FIGS. 1A and 1B are process diagrams for explaining a first embodiment, FIG. 1A shows a partial cross section of a retardation mask having an uncorrected defect portion, and FIG. Shows a partial cross section of the retardation mask in which the defective portion is corrected.
【図２】（Ａ）および（Ｂ）は、第２実施例の説明に供
する工程図であり、（Ａ）は、未修正の欠陥部を有する
位相差マスクの部分断面を示し、（Ｂ）は、欠陥部を修
正した位相差マスクの部分断面を示している。2 (A) and 2 (B) are process drawings for explaining a second embodiment, FIG. 2 (A) shows a partial cross section of a retardation mask having an uncorrected defect portion, and FIG. 2 (B). Shows a partial cross section of the retardation mask in which the defective portion is corrected.
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は、第３実施例の説明に供する
工程図であり、位相差マスクの部分断面を示している。FIG. 3A to FIG. 3C are process diagrams for explaining a third embodiment, showing a partial cross section of a retardation mask.
【図４】（Ａ）〜（Ｃ）は、第４実施例の説明に供する
工程図であり、位相差マスクの部分断面を示している。FIG. 4A to FIG. 4C are process diagrams for explaining the fourth embodiment, showing a partial cross section of a retardation mask.
【図５】（Ａ）および（Ｂ）は、従来のマスク修正方法
の説明に供する工程図であり、（Ａ）は、未修正の欠陥
部を有する位相差マスクの部分断面を示し、（Ｂ）は、
欠陥部を修正した位相差マスクの部分断面を示してい
る。5A and 5B are process diagrams for explaining a conventional mask repairing method, FIG. 5A shows a partial cross section of a retardation mask having an uncorrected defect portion, and FIG. ) Is
The partial cross section of the phase contrast mask which corrected the defective part is shown.
【図６】（Ａ）および（Ｂ）は、従来のマスク修正方法
の問題点の説明に供する部分断面図である。6A and 6B are partial cross-sectional views for explaining the problems of the conventional mask correction method.
１０：マスク基板 １２：導電層 １４：遮光パターン １６：位相シフタ １８：欠陥部 ２０：透明膜 ２２：テーパー ２４：未修正部分 ２６：新たな突起部分 ３０：マスク基板 ３２：導電層 ３４：位相シフタ ３６：欠陥部 ３８：堀込部 ４０：堀込部の底面 ４２：無欠陥部分 ４４：第１導電層 ４６：第１位相シフタ ４８：第２導電層 ５０：第２位相シフタ ５２：堀込部 ５４：堀込部の底面 ５６：無欠陥部分 ５８ａ、５８ｂ：堀込部のエッジ ６０：位相シフタ ６２：底面 ６４：堀込部 ６６：無欠陥部分 ６８：透明膜 ７０：埋込部 ７２：堀込部の側壁 ７４：間隙 ７６：遮光パターン ７８：位相シフタ ８０：底面 ８２：堀込部 ８４：堀込部の側壁 ８６：無欠陥部分 ８８：透明膜 ９０：埋込部 ９２：間隙 10: Mask substrate 12: Conductive layer 14: Light-shielding pattern 16: Phase shifter 18: Defect part 20: Transparent film 22: Taper 24: Unmodified part 26: New protrusion part 30: Mask substrate 32: Conductive layer 34: Phase shifter 36: Defect part 38: Engraved part 40: Bottom surface of engraved part 42: Defect-free part 44: First conductive layer 46: First phase shifter 48: Second conductive layer 50: Second phase shifter 52: Engraved part 54: Engraved part Bottom surface 56: Defect-free portion 58a, 58b: Edge of engraved portion 60: Phase shifter 62: Bottom surface 64: Engraved portion 66: Defect-free portion 68: Transparent film 70: Embedded portion 72: Side wall of engraved portion 74: Gap 76: Light-shielding pattern 78: Phase shifter 80: Bottom surface 82: Engraved portion 84: Side wall of engraved portion 86: No defect portion 88: Transparent film 90: Embedded portion 92: Gap
Claims (5)
陥部を修正するにあたり、 前記位相シフタの前記欠陥部を含む領域に対して掘り込
みを行って、 前記位相シフタの無欠陥部分の位相角との相対的な位相
差が９０°以内となる位相角を有し、かつ、底面が平滑
な平面となっている堀込部を形成することを特徴とする
マスク修正方法。1. In repairing a defective portion generated in a phase shifter of a phase difference mask, a region including the defective portion of the phase shifter is dug to obtain a phase angle of a defect-free portion of the phase shifter. A mask repairing method, which comprises forming a dug portion having a phase angle with a relative phase difference within 90 ° with respect to and having a flat bottom surface.
て、 前記位相シフタの位相角が１８０°の場合、前記堀込部
分の該位相シフタを全て除去することを特徴とするマス
ク修正方法。2. The mask repairing method according to claim 1, wherein when the phase angle of the phase shifter is 180 °, all the phase shifter in the dug portion is removed.
陥部を修正するにあたり、 前記位相シフタの前記欠陥部を含む領域に対して掘り込
みを行って、底面が平滑な平面となっている堀込部を形
成する工程と、 前記堀込部に、前記堀込部の少なくとも一部分の側壁と
の間に、光干渉に及ぼす影響が無視できる程度の幅の狭
い間隙を設けて、前記堀込部の周囲の位相シフタの無欠
陥部分の位相角との相対的な位相差が９０°以内となる
位相角を有する、透明膜からなる埋込部埋込部を形成す
る工程とを含むことを特徴とするマスク修正方法。3. A method of repairing a defective portion generated in a phase shifter of a retardation mask, by engraving a region including the defective portion of the phase shifter so that a bottom surface is a flat surface. A step of forming a portion, in the dug portion, between the sidewall of at least a portion of the dug portion, by providing a narrow gap such that the effect on optical interference is negligible, the phase around the dug portion. A mask having a phase angle relative to the phase angle of a defect-free portion of the shifter of 90 ° or less. Method.
て、 前記間隙を、前記埋込部の全周に設けることを特徴とす
るマスク修正方法。4. The mask repairing method according to claim 3, wherein the gap is provided all around the embedding portion.
て、 前記堀込部の形成に当たっては、前記堀込部の側壁の少
なくとも一部分を位相差マスクの遮光パタ−ン上に形成
し、 前記埋込部の形成に当たっては、前記埋込部を形成する
前記透明膜の一部分を前記遮光パタ−ン上に重ねて設け
ることを特徴とするマスク修正方法。5. The mask repairing method according to claim 3, wherein in forming the engraved portion, at least a part of a sidewall of the engraved portion is formed on a light-shielding pattern of a retardation mask, and the embedding portion is formed. In forming the mask, a part of the transparent film forming the embedding part is overlapped on the light shielding pattern and provided.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12104193A JPH06332154A (en) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | Method for correcting mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12104193A JPH06332154A (en) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | Method for correcting mask |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06332154A true JPH06332154A (en) | 1994-12-02 |
Family
ID=14801359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12104193A Withdrawn JPH06332154A (en) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | Method for correcting mask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06332154A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5859921A (en) * | 1995-05-10 | 1999-01-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for processing an image of a face |
-
1993
- 1993-05-24 JP JP12104193A patent/JPH06332154A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5859921A (en) * | 1995-05-10 | 1999-01-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for processing an image of a face |
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