JPH0633216B2 - 赤外線集光加熱単結晶製造装置 - Google Patents
赤外線集光加熱単結晶製造装置Info
- Publication number
- JPH0633216B2 JPH0633216B2 JP60005376A JP537685A JPH0633216B2 JP H0633216 B2 JPH0633216 B2 JP H0633216B2 JP 60005376 A JP60005376 A JP 60005376A JP 537685 A JP537685 A JP 537685A JP H0633216 B2 JPH0633216 B2 JP H0633216B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- infrared
- mirror
- manufacturing equipment
- heating single
- Prior art date
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/16—Heating of the molten zone
- C30B13/22—Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge
- C30B13/24—Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge using electromagnetic waves
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、赤外線集光加熱単結晶製造装置(以下FZ装
置と略記)に関し、特に結晶育成を、自動的に行なうF
Z装置に関する。
置と略記)に関し、特に結晶育成を、自動的に行なうF
Z装置に関する。
従来のFZ装置(実公昭51−22894)では、回転
楕円面鏡の一部に設けられた孔からの画像をスクリーン
上で観察するのみであり、結晶育成を行なうためには、
常時スクリーン上の画像を監視し、ランプパワーあるい
はギヤツプ調整を、手動で行なわなければならなかつ
た。
楕円面鏡の一部に設けられた孔からの画像をスクリーン
上で観察するのみであり、結晶育成を行なうためには、
常時スクリーン上の画像を監視し、ランプパワーあるい
はギヤツプ調整を、手動で行なわなければならなかつ
た。
FZ装置による結晶合成の自動制御はほとんど行なわれ
ておらず、わずかに当社の出願(特願昭58−1812
14)にあるのみであつた。
ておらず、わずかに当社の出願(特願昭58−1812
14)にあるのみであつた。
しかし前述の従来技術では、光学センサに溶融帯の像を
結像させるためSN比はそれほど問題にならないのであ
るが、テレビカメラに像を結像し画像処理するためには
SN比を良くしなければならないという問題点を有す
る。そこで本発明はこのような問題点を解決するもの
で、その目的とするところは、溶融帯の発光以外の迷光
を除去するために、無反射板を設けたFZ装置を提供す
るところにある。
結像させるためSN比はそれほど問題にならないのであ
るが、テレビカメラに像を結像し画像処理するためには
SN比を良くしなければならないという問題点を有す
る。そこで本発明はこのような問題点を解決するもの
で、その目的とするところは、溶融帯の発光以外の迷光
を除去するために、無反射板を設けたFZ装置を提供す
るところにある。
本発明の赤外線集光加熱単結晶製造装置は、回転楕円面
鏡の一部に設けた孔から、レンズ、プリズム、ハーフミ
ラー、反射鏡等の光学系を経て、テレビカメラに相対向
する原料棒と種結晶との間の溶融帯の像を結像し、コン
ピューターによって画像処理を行ない、前記溶融帯の直
径、高さ、外形形状を、ランプパワーあるいは、前記溶
融帯の高さにフィードバックして自動制御を行なう赤外
線集光加熱単結晶製造装置において、前記赤外線集光加
熱単結晶製造装置に用いる回転楕円面鏡の一部に設けた
孔と対向する他の面に、円錐形の黒色無反射板を設ける
ことを特徴とする。
鏡の一部に設けた孔から、レンズ、プリズム、ハーフミ
ラー、反射鏡等の光学系を経て、テレビカメラに相対向
する原料棒と種結晶との間の溶融帯の像を結像し、コン
ピューターによって画像処理を行ない、前記溶融帯の直
径、高さ、外形形状を、ランプパワーあるいは、前記溶
融帯の高さにフィードバックして自動制御を行なう赤外
線集光加熱単結晶製造装置において、前記赤外線集光加
熱単結晶製造装置に用いる回転楕円面鏡の一部に設けた
孔と対向する他の面に、円錐形の黒色無反射板を設ける
ことを特徴とする。
本発明の上記の構成によれば、ハロゲンランプから発せ
られた赤外線を回転楕円面鏡で反射し、溶融帯に照射さ
れる光のうちで、回転楕円面鏡の一部に設けられた孔に
向う方向の光のみを吸収するか、あるいは、孔の方向と
は別な方向に反射させることで、溶融帯から発せられる
光以外の迷光を除去しようというものである。
られた赤外線を回転楕円面鏡で反射し、溶融帯に照射さ
れる光のうちで、回転楕円面鏡の一部に設けられた孔に
向う方向の光のみを吸収するか、あるいは、孔の方向と
は別な方向に反射させることで、溶融帯から発せられる
光以外の迷光を除去しようというものである。
第1図は、本発明の実施例における無反射板の平面図で
あつて、回転楕円面鏡に設けられた孔と対称な回転楕円
面鏡部に取りつける。第2図に無反射板を取りつけたF
Z装置の回転楕円面鏡部を示した。1は黒染めを行つた
無反射板、2は回転楕円面鏡と無反射板の間に取りつけ
る台、3は回転楕円面鏡である。第3図、第4図にFZ
装置の正面図、断面図を示す。ここで、1,2,3は第
2図と同様であり、4は原料棒、5は溶融帯、6は種結
晶、7は下部シヤフト、8は上部シヤフト、9は石英
管、10はレンズ(含プリズム)、11はハロゲンラン
プ、12はガス導入口、13はガス排気口である。
あつて、回転楕円面鏡に設けられた孔と対称な回転楕円
面鏡部に取りつける。第2図に無反射板を取りつけたF
Z装置の回転楕円面鏡部を示した。1は黒染めを行つた
無反射板、2は回転楕円面鏡と無反射板の間に取りつけ
る台、3は回転楕円面鏡である。第3図、第4図にFZ
装置の正面図、断面図を示す。ここで、1,2,3は第
2図と同様であり、4は原料棒、5は溶融帯、6は種結
晶、7は下部シヤフト、8は上部シヤフト、9は石英
管、10はレンズ(含プリズム)、11はハロゲンラン
プ、12はガス導入口、13はガス排気口である。
上部シヤフト8に原料棒4をセツトし、下部シヤフト7
に種結晶6をセツトする。ハロゲンランプ11にパワー
を投入し、回転楕円面鏡3により該ハロゲンランプの光
を石英管9の中央部に集光する。この時、ガス導入口1
2から雰囲気ガスを導入し、ガス排出口13から雰囲気
ガスを排出する。集光部において、原料棒4の先端と種
結晶6の先端とを溶融接触させて、溶融帯5を形成す
る。この時、上部シヤフト8及び下部シヤフト7を同方
向ないし逆方向に回転させ、上下のシヤフトが同時に下
方へ移動する。
に種結晶6をセツトする。ハロゲンランプ11にパワー
を投入し、回転楕円面鏡3により該ハロゲンランプの光
を石英管9の中央部に集光する。この時、ガス導入口1
2から雰囲気ガスを導入し、ガス排出口13から雰囲気
ガスを排出する。集光部において、原料棒4の先端と種
結晶6の先端とを溶融接触させて、溶融帯5を形成す
る。この時、上部シヤフト8及び下部シヤフト7を同方
向ないし逆方向に回転させ、上下のシヤフトが同時に下
方へ移動する。
該集光部の状況をレンズ10(含プリズム)及び反射鏡
を経て、スクリーン上に投映し、常時、該投映像を監視
しつつ、ランプパワーあるいは原料棒と種結晶の間隔
(ギヤツプ)を調節しながら、結晶育成を行なう。本実
施例においては、ハーフミラーを用い、該集光部の状況
をテレビカメラ上にも結像させ、画像処理を行い、ラン
プパワーあるいは、溶融帯の高さにフイードバツクし自
動制御を行つた。
を経て、スクリーン上に投映し、常時、該投映像を監視
しつつ、ランプパワーあるいは原料棒と種結晶の間隔
(ギヤツプ)を調節しながら、結晶育成を行なう。本実
施例においては、ハーフミラーを用い、該集光部の状況
をテレビカメラ上にも結像させ、画像処理を行い、ラン
プパワーあるいは、溶融帯の高さにフイードバツクし自
動制御を行つた。
以上述べたように本発明によれば、結晶の育成状況を観
察しつつ、自動制御を可能にするものであり、特にテレ
ビカメラに画像を結像させ画像処理を行う際に、円錐形
の黒染めを行つた無反射板を設けることにより、例えば
平板形状の無反射板を設けた時よりも、さらに20〜3
0%の迷光を除去することができ、コントラストを大幅
に向上させることにより画像処理を可能にし、それによ
つて結晶育成の自動制御を行うことができるという効果
を有する。
察しつつ、自動制御を可能にするものであり、特にテレ
ビカメラに画像を結像させ画像処理を行う際に、円錐形
の黒染めを行つた無反射板を設けることにより、例えば
平板形状の無反射板を設けた時よりも、さらに20〜3
0%の迷光を除去することができ、コントラストを大幅
に向上させることにより画像処理を可能にし、それによ
つて結晶育成の自動制御を行うことができるという効果
を有する。
第1図は本発明における無反射板の平面図を示す。 第2図は本発明における無反射板をFZ装置の回転楕円
面鏡部に取りつける様子を示す図。 第3図はFZ装置の平面図を示す。 第4図は円錐形の黒染めを行つた無反射板を取りつけ
た、FZ装置の断面図を示す。
面鏡部に取りつける様子を示す図。 第3図はFZ装置の平面図を示す。 第4図は円錐形の黒染めを行つた無反射板を取りつけ
た、FZ装置の断面図を示す。
Claims (1)
- 【請求項1】回転楕円面鏡の一部に設けた孔から、レン
ズ、プリズム、ハーフミラー、反射鏡等の光学系を経
て、テレビカメラに相対向する原料棒と種結晶との間の
溶融帯の像を結像し、コンピューターによって画像処理
を行ない、前記溶融帯の直径、高さ、外形形状を、ラン
プパワーあるいは、前記溶融帯の高さにフィードバック
して自動制御を行なう赤外線集光加熱単結晶製造装置に
おいて、前記赤外線集光加熱単結晶製造装置に用いる回
転楕円面鏡の一部に設けた孔と対向する他の面に、円錐
形の黒色無反射板を設けることを特徴とする赤外線集光
加熱単結晶製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60005376A JPH0633216B2 (ja) | 1985-01-16 | 1985-01-16 | 赤外線集光加熱単結晶製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60005376A JPH0633216B2 (ja) | 1985-01-16 | 1985-01-16 | 赤外線集光加熱単結晶製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61163185A JPS61163185A (ja) | 1986-07-23 |
| JPH0633216B2 true JPH0633216B2 (ja) | 1994-05-02 |
Family
ID=11609450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60005376A Expired - Fee Related JPH0633216B2 (ja) | 1985-01-16 | 1985-01-16 | 赤外線集光加熱単結晶製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0633216B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6113290A (en) * | 1996-02-21 | 2000-09-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet recording apparatus having improved edge detecting and edge formation |
-
1985
- 1985-01-16 JP JP60005376A patent/JPH0633216B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61163185A (ja) | 1986-07-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |