JPH0633245A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
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- JPH0633245A JPH0633245A JP19238692A JP19238692A JPH0633245A JP H0633245 A JPH0633245 A JP H0633245A JP 19238692 A JP19238692 A JP 19238692A JP 19238692 A JP19238692 A JP 19238692A JP H0633245 A JPH0633245 A JP H0633245A
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- reaction tube
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 複数枚ウェファ上に同時に薄膜を堆積する時
用いられるＣＶＤ装置に関し、軸方向に多数枚装架した
ウェファ間で均一な厚みの薄膜が堆積できるＣＶＤ装置
を提供することを目的とする。 【構成】 軸方向に長い反応管と、前記反応管の一端に
形成されたガス排出手段と、前記反応管内で、軸方向に
沿って複数のウェファを支持するめための支持手段と、
前記反応管の軸方向に沿った複数箇所で反応ガスの少な
くとも１種類を放出するための反応ガス導入手段とを有
する。
用いられるＣＶＤ装置に関し、軸方向に多数枚装架した
ウェファ間で均一な厚みの薄膜が堆積できるＣＶＤ装置
を提供することを目的とする。 【構成】 軸方向に長い反応管と、前記反応管の一端に
形成されたガス排出手段と、前記反応管内で、軸方向に
沿って複数のウェファを支持するめための支持手段と、
前記反応管の軸方向に沿った複数箇所で反応ガスの少な
くとも１種類を放出するための反応ガス導入手段とを有
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＣＶＤ装置に関し、特に
複数枚ウェファ上に同時に薄膜を堆積する時用いられる
ＣＶＤ装置に関する。
複数枚ウェファ上に同時に薄膜を堆積する時用いられる
ＣＶＤ装置に関する。
【０００２】近年、半導体集積回路の大規模化に伴っ
て、微細加工技術の重要性が一段と高まり、各種装置が
開発されている。その中で、特に低温で絶縁膜やＳｉ結
晶を堆積する技術としてプラズマＣＶＤが注目されてい
る。
て、微細加工技術の重要性が一段と高まり、各種装置が
開発されている。その中で、特に低温で絶縁膜やＳｉ結
晶を堆積する技術としてプラズマＣＶＤが注目されてい
る。
【０００３】
【従来の技術】プラズマＣＶＤは、通常ガス圧１Ｔｏｒ
ｒ程度で電極間にＲＦ電力を投入することによってグロ
ー放電を生じせしめ、その電気エネルギを反応ガスに付
与して堆積反応を促進する。膜を堆積させるウェファの
温度は１００〜４００℃と比較的低温で済むのが特徴で
ある。
ｒ程度で電極間にＲＦ電力を投入することによってグロ
ー放電を生じせしめ、その電気エネルギを反応ガスに付
与して堆積反応を促進する。膜を堆積させるウェファの
温度は１００〜４００℃と比較的低温で済むのが特徴で
ある。
【０００４】プラズマＣＶＤは、通常金属配線間の分離
絶縁膜として使用されるＳｉＯ2 やＳｉ3 Ｎ4 の堆積に
使用されるが、アモルファスＳｉ層の成長等にも利用さ
れている。
絶縁膜として使用されるＳｉＯ2 やＳｉ3 Ｎ4 の堆積に
使用されるが、アモルファスＳｉ層の成長等にも利用さ
れている。
【０００５】一般に、ウェファ温度を低くすると、成膜
中には不純物、特に水素が高濃度で含有されやすいと報
告されている。水素はアモルファスＳｉにおいて、ダン
グリングボンドのターミネート（終端化）に有効であ
る。
中には不純物、特に水素が高濃度で含有されやすいと報
告されている。水素はアモルファスＳｉにおいて、ダン
グリングボンドのターミネート（終端化）に有効であ
る。
【０００６】ところで、プラズマＣＶＤ法で多数枚のウ
ェファを同時に処理する場合、膜質と共に膜厚の均一性
が重要である。図２は、反応管の軸方向に沿って、多数
枚のＳｉウェファを装架する従来のプラズマＣＶＤ装置
の構成大略を示す。
ェファを同時に処理する場合、膜質と共に膜厚の均一性
が重要である。図２は、反応管の軸方向に沿って、多数
枚のＳｉウェファを装架する従来のプラズマＣＶＤ装置
の構成大略を示す。
【０００７】図２（Ａ）は、プラズマＣＶＤ装置の概略
縦断面図を示し、図２（Ｂ）は反応管内に配置されるボ
ートとサセプタの配置を概略的に示す平面図である。図
２（Ａ）において、石英等で形成された反応管５１は、
ヒータ５３内に水平に配置される。
縦断面図を示し、図２（Ｂ）は反応管内に配置されるボ
ートとサセプタの配置を概略的に示す平面図である。図
２（Ａ）において、石英等で形成された反応管５１は、
ヒータ５３内に水平に配置される。
【０００８】反応管５１は、その一端にガス排出口５５
を有し、他端にガス導入口５７、５９を有する。なお、
２つのガス導入口を有する場合を図示したが、ガス導入
口の数は２つに制限されない。
を有し、他端にガス導入口５７、５９を有する。なお、
２つのガス導入口を有する場合を図示したが、ガス導入
口の数は２つに制限されない。
【０００９】反応管５１内には、その軸方向に沿ってカ
ーボン等で形成されたボート６０が配置される。ボート
６０には、カーボン等で形成された多数のサセプタ６２
が結合される。各サセプタ６２は、その両面にウェファ
６４を載置する。
ーボン等で形成されたボート６０が配置される。ボート
６０には、カーボン等で形成された多数のサセプタ６２
が結合される。各サセプタ６２は、その両面にウェファ
６４を載置する。
【００１０】図２（Ｂ）は、ボートとサセプタの構成を
より詳細に示す。ボート６０は、一対の導電性部材６０
ａ、６０ｂで形成され、それぞれの上に複数枚のサセプ
タ６２ａ、６２ｂを取り付けられるように構成されてい
る。すなわち、サセプタ６２ａと６２ｂは、互いに絶縁
された状態で一対のボート６０ａ、６０ｂに電気的に接
続されている。
より詳細に示す。ボート６０は、一対の導電性部材６０
ａ、６０ｂで形成され、それぞれの上に複数枚のサセプ
タ６２ａ、６２ｂを取り付けられるように構成されてい
る。すなわち、サセプタ６２ａと６２ｂは、互いに絶縁
された状態で一対のボート６０ａ、６０ｂに電気的に接
続されている。
【００１１】ボート６０には、ＲＦ電源６６が接続さ
れ、隣接するサセプタ６２ａ、６２ｂ間にｍｓｅｃオー
ダで間けつ的にＲＦ電圧を印加できる。ウェファ６４
は、たとえばＳｉウェファである。Ｓｉウェファ上に絶
縁膜を堆積させる場合、ウェファ６４間の間隔はたとえ
ば約１１ｍｍ程度に設定される。
れ、隣接するサセプタ６２ａ、６２ｂ間にｍｓｅｃオー
ダで間けつ的にＲＦ電圧を印加できる。ウェファ６４
は、たとえばＳｉウェファである。Ｓｉウェファ上に絶
縁膜を堆積させる場合、ウェファ６４間の間隔はたとえ
ば約１１ｍｍ程度に設定される。
【００１２】ガス導入口５７、５９からは、反応ガス
Ａ、Ｂを、必要に応じてアルゴン等のキャリアガスと共
に導入する。ウェファを支持するサセプタ６２は、ヒー
タ５３によって加熱される。ガス導入口５７、５９から
反応管５１内に導入されたガスは、分解、堆積を行い、
ガス排出口５５から排出される。
Ａ、Ｂを、必要に応じてアルゴン等のキャリアガスと共
に導入する。ウェファを支持するサセプタ６２は、ヒー
タ５３によって加熱される。ガス導入口５７、５９から
反応管５１内に導入されたガスは、分解、堆積を行い、
ガス排出口５５から排出される。
【００１３】たとえば、ウェファを約３５０℃に加熱
し、ガス導入口５７、５９から反応ガスＡとしてテトラ
エチルオルソシリケート（ＴＥＯＳ）と、反応ガスＢと
してＯ 2 を導入する。
し、ガス導入口５７、５９から反応ガスＡとしてテトラ
エチルオルソシリケート（ＴＥＯＳ）と、反応ガスＢと
してＯ 2 を導入する。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】図２で示すように、反
応管５１の一端から反応ガスＡ、Ｂが供給される場合、
それぞれの反応ガスはヒータ５３の加熱領域でプラズマ
放電により分解し、反応種間の化学反応を受けてウェフ
ァ６４上に薄膜を堆積させる。
応管５１の一端から反応ガスＡ、Ｂが供給される場合、
それぞれの反応ガスはヒータ５３の加熱領域でプラズマ
放電により分解し、反応種間の化学反応を受けてウェフ
ァ６４上に薄膜を堆積させる。
【００１５】反応ガスの消費に伴い、反応ガスＡ、Ｂの
流れは、上流から下流に行くにしたがって濃度が薄くな
る。この結果、図２（Ｃ）の曲線Ｃ１のようにガス流方
向に沿って反応管の軸方向に進むに従って減少する堆積
膜の膜厚分布が生じる。
流れは、上流から下流に行くにしたがって濃度が薄くな
る。この結果、図２（Ｃ）の曲線Ｃ１のようにガス流方
向に沿って反応管の軸方向に進むに従って減少する堆積
膜の膜厚分布が生じる。
【００１６】なお、たとえば間けつ放電の放電時間を短
くすること等により、反応ガスの分解を抑えると、図２
（Ｃ）の曲線Ｃ２に示すように反応ガスが十分反応しな
い領域の膜厚は減少できるが、ウェファ面内凸型のピー
ク状の膜厚分布が生じやすい。また、同一厚の膜を堆積
するために必要な原料ガスの量が増大する。
くすること等により、反応ガスの分解を抑えると、図２
（Ｃ）の曲線Ｃ２に示すように反応ガスが十分反応しな
い領域の膜厚は減少できるが、ウェファ面内凸型のピー
ク状の膜厚分布が生じやすい。また、同一厚の膜を堆積
するために必要な原料ガスの量が増大する。
【００１７】多数枚のウェファを同時に装荷して薄膜形
成を行なうと、効率は良いが、ウェファ間で膜厚のばら
つきが生じ、均一な厚みの膜形成が妨げられる。ウェフ
ァ間の膜厚分布は、電気的特性のばらつき等につなが
り、好ましくない。
成を行なうと、効率は良いが、ウェファ間で膜厚のばら
つきが生じ、均一な厚みの膜形成が妨げられる。ウェフ
ァ間の膜厚分布は、電気的特性のばらつき等につなが
り、好ましくない。
【００１８】本発明の目的は、軸方向に多数枚装架した
ウェファ間で均一な厚みの薄膜が堆積できるＣＶＤ装置
を提供することである。
ウェファ間で均一な厚みの薄膜が堆積できるＣＶＤ装置
を提供することである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマＣＶＤ
装置は、軸方向に長い反応管と、前記反応管の一端に形
成されたガス排出手段と、前記反応管内で、軸方向に沿
って複数のウェファを支持するめための支持手段と、前
記反応管の軸方向に沿った複数箇所で反応ガスの少なく
とも１種類を放出するための反応ガス導入手段とを有す
る。
装置は、軸方向に長い反応管と、前記反応管の一端に形
成されたガス排出手段と、前記反応管内で、軸方向に沿
って複数のウェファを支持するめための支持手段と、前
記反応管の軸方向に沿った複数箇所で反応ガスの少なく
とも１種類を放出するための反応ガス導入手段とを有す
る。
【００２０】前記反応ガス導入手段は、様々な形状が可
能であるが、たとえば利便性の高いものとして反応管内
でＵ字型に折り返している形状のもの、または、それぞ
れひとつのガス放出孔を持ち、その放出位置が軸方向に
複数個所になるように配置されたものを用いることがで
きる。
能であるが、たとえば利便性の高いものとして反応管内
でＵ字型に折り返している形状のもの、または、それぞ
れひとつのガス放出孔を持ち、その放出位置が軸方向に
複数個所になるように配置されたものを用いることがで
きる。
【００２１】
【作用】反応ガス導入手段が、反応管の軸方向に沿った
複数箇所で反応ガスの少なくとも一種類を放出するた
め、ガス流に沿った複数の位置で新鮮な反応ガスを供給
することができる。
複数箇所で反応ガスの少なくとも一種類を放出するた
め、ガス流に沿った複数の位置で新鮮な反応ガスを供給
することができる。
【００２２】ガス流に沿って適当量の新鮮ガスを供給す
ることにより、反応管内の広い領域で均一な膜厚の薄膜
を成長することが可能となる。以下、本発明を実施例に
基づいてより詳しく述べる。
ることにより、反応管内の広い領域で均一な膜厚の薄膜
を成長することが可能となる。以下、本発明を実施例に
基づいてより詳しく述べる。
【００２３】
【実施例】図１は、本発明の実施例によるプラズマＣＶ
Ｄ装置の構成大略を示す。図１（Ａ）は反応ガスＡ、Ｂ
のそれぞれが多数のガス放出孔を有する一端封止型反応
ガス導入管５ａ、５ｂから反応管４内に放出される場合
を示す。
Ｄ装置の構成大略を示す。図１（Ａ）は反応ガスＡ、Ｂ
のそれぞれが多数のガス放出孔を有する一端封止型反応
ガス導入管５ａ、５ｂから反応管４内に放出される場合
を示す。
【００２４】また、図１（Ｂ）は、反応ガスＡのみが多
数のガス放出孔を有する一端封止Ｕ字型反応ガス導入管
５から反応管４内に放出される場合を示す。この時、反
応ガスＢは反応管４の一端から従来例と同様にガス排出
口７を備えた反応管４の他端に向かって放出される。図
示していないが、勿論反応ガスＢの導入管も一端封止Ｕ
字型にすることは可能である。
数のガス放出孔を有する一端封止Ｕ字型反応ガス導入管
５から反応管４内に放出される場合を示す。この時、反
応ガスＢは反応管４の一端から従来例と同様にガス排出
口７を備えた反応管４の他端に向かって放出される。図
示していないが、勿論反応ガスＢの導入管も一端封止Ｕ
字型にすることは可能である。
【００２５】図１（Ａ）、（Ｂ）において、反応管４内
には多数枚のサセプタ２が反応管４の軸方向に沿って配
置されている。各サセプタ２は、軸方向に垂直に配置さ
れている。両端のサセプタを除き、中間の各サセプタ２
にはその両面にウェファ１が配置されている。
には多数枚のサセプタ２が反応管４の軸方向に沿って配
置されている。各サセプタ２は、軸方向に垂直に配置さ
れている。両端のサセプタを除き、中間の各サセプタ２
にはその両面にウェファ１が配置されている。
【００２６】なお、図示を省略したが、各サセプタは一
個おきに一対のボート上に結合されており、ＲＦ電源３
からＲＦ電力を供給される。このようなサセプタおよび
ウェファの配置は、図２に示す従来の技術によるプラズ
マＣＶＤ装置と同様である。
個おきに一対のボート上に結合されており、ＲＦ電源３
からＲＦ電力を供給される。このようなサセプタおよび
ウェファの配置は、図２に示す従来の技術によるプラズ
マＣＶＤ装置と同様である。
【００２７】図示の構成においては、反応ガスは反応管
４の左側端部に結合され、反応管４の右側端部にはガス
排出口７が設けられている。反応管４は、横型炉芯管に
配置されたヒータ６内に水平に配置されている。これら
の構造も図２に示す構成と同様である。
４の左側端部に結合され、反応管４の右側端部にはガス
排出口７が設けられている。反応管４は、横型炉芯管に
配置されたヒータ６内に水平に配置されている。これら
の構造も図２に示す構成と同様である。
【００２８】図１（Ａ）においては、反応管４の右側端
部から２本の反応ガス導入管５ａ、５ｂが挿入され、反
応管４の右側端部近傍まで延在している。各反応ガス導
入管５ａ、５ｂは、複数のガス放出口９が設けられてお
り、反応管４の軸方向の複数箇所でガスを放出する。ガ
ス放出口９の形状密度を調整することにより、反応管４
内での未反応ガスの濃度を均一に保つことができる。
部から２本の反応ガス導入管５ａ、５ｂが挿入され、反
応管４の右側端部近傍まで延在している。各反応ガス導
入管５ａ、５ｂは、複数のガス放出口９が設けられてお
り、反応管４の軸方向の複数箇所でガスを放出する。ガ
ス放出口９の形状密度を調整することにより、反応管４
内での未反応ガスの濃度を均一に保つことができる。
【００２９】たとえば、反応ガス導入管５のガス放出口
９は、反応管４内の下流に向かうに従って大きくなるよ
うにする。また、反応済のガスが下流側ほど多くなるこ
とを補償するためには、各原料ガス濃度は反応管内の下
流側で幾分多くなるようになることが好ましい。
９は、反応管４内の下流に向かうに従って大きくなるよ
うにする。また、反応済のガスが下流側ほど多くなるこ
とを補償するためには、各原料ガス濃度は反応管内の下
流側で幾分多くなるようになることが好ましい。
【００３０】図１（Ｂ）においては、反応管４の左側端
部に反応ガスＢのガス導入口８が設けられ、反応ガスＡ
を導入する反応ガス導入管５ａは反応管４の左側端部か
ら一旦右側端部近傍まで延在し、Ｕ字型に折り返して再
び反応管４の左側端部近傍まで延在している。反応ガス
導入管５ａに反応ガスＡを供給すると、反応ガスＡはガ
ス放出口９から放出されることにより、次第にその量が
減少する。
部に反応ガスＢのガス導入口８が設けられ、反応ガスＡ
を導入する反応ガス導入管５ａは反応管４の左側端部か
ら一旦右側端部近傍まで延在し、Ｕ字型に折り返して再
び反応管４の左側端部近傍まで延在している。反応ガス
導入管５ａに反応ガスＡを供給すると、反応ガスＡはガ
ス放出口９から放出されることにより、次第にその量が
減少する。
【００３１】したがって、反応ガス供給側から遠くなる
にしたがって、反応導入管の反応ガス供給能力は低下す
る。反応ガス導入管５ａをＵ字型に折り返すことによ
り、最もガス供給能力の高い部分と、最もガス供給能力
の低い部分が組み合わされ、反応管４の広い領域に亘っ
てガス供給能力を平均化することができる。
にしたがって、反応導入管の反応ガス供給能力は低下す
る。反応ガス導入管５ａをＵ字型に折り返すことによ
り、最もガス供給能力の高い部分と、最もガス供給能力
の低い部分が組み合わされ、反応管４の広い領域に亘っ
てガス供給能力を平均化することができる。
【００３２】反応管４は、たとえば直径３００ｍｍ、長
さ２ｍの透明石英管である。反応ガス導入管５も透明石
英管からなる。ヒータ６は抵抗加熱電気炉であり、膜堆
積時には反応管４内をたとえば約３５０℃に保持する。
さ２ｍの透明石英管である。反応ガス導入管５も透明石
英管からなる。ヒータ６は抵抗加熱電気炉であり、膜堆
積時には反応管４内をたとえば約３５０℃に保持する。
【００３３】以下、図１（Ａ）のＣＶＤ装置を用いて、
Ｓｉウェファ上にＳｉ酸化膜を堆積するプロセスを簡単
に説明する。ウェファ１を載置したサセプタ２を反応管
４の所定位置に設置し、一旦反応管４内を真空排気して
からヒータ６を昇温する。反応管４内が所定温度に到達
した後、反応ガスＡとしてＴＥＯＳを３００ｃｃ／ｍｉ
ｎ反応ガス導入管５ａより反応管４内に放出する。
Ｓｉウェファ上にＳｉ酸化膜を堆積するプロセスを簡単
に説明する。ウェファ１を載置したサセプタ２を反応管
４の所定位置に設置し、一旦反応管４内を真空排気して
からヒータ６を昇温する。反応管４内が所定温度に到達
した後、反応ガスＡとしてＴＥＯＳを３００ｃｃ／ｍｉ
ｎ反応ガス導入管５ａより反応管４内に放出する。
【００３４】一方、反応ガスＢとして酸素を３０００ｃ
ｃ／ｍｉｎ反応ガス供給管５ｂより反応管４内に導入す
る。反応管４のガス排出口７より真空ポンプで強制排気
することにより、反応管４内の圧力は約１Ｔｏｒｒ程度
に保つ。ここで、ＲＦ電源３を駆動して４３０ＫＨｚの
ＲＦ電力を投入する。
ｃ／ｍｉｎ反応ガス供給管５ｂより反応管４内に導入す
る。反応管４のガス排出口７より真空ポンプで強制排気
することにより、反応管４内の圧力は約１Ｔｏｒｒ程度
に保つ。ここで、ＲＦ電源３を駆動して４３０ＫＨｚの
ＲＦ電力を投入する。
【００３５】ＲＦ電力によりｍｓｅｃオーダのグロー放
電が間けつ的に生じて反応ガスＡ、Ｂが活性化される。
ＴＥＯＳ（反応ガスＡ）は分解して活性酸素（反応ガス
Ｂ）と化合し、低温でＳｉＯ2 膜がＳｉウェファ１上に
堆積する。反応管４内におけるガス流速は毎秒１００ｍ
程度である。反応ガス導入管５の直径は反応管４の１／
１０程度のため、ガスＡの反応ガス導入管５内での流速
はさらに高速となるであろう。
電が間けつ的に生じて反応ガスＡ、Ｂが活性化される。
ＴＥＯＳ（反応ガスＡ）は分解して活性酸素（反応ガス
Ｂ）と化合し、低温でＳｉＯ2 膜がＳｉウェファ１上に
堆積する。反応管４内におけるガス流速は毎秒１００ｍ
程度である。反応ガス導入管５の直径は反応管４の１／
１０程度のため、ガスＡの反応ガス導入管５内での流速
はさらに高速となるであろう。
【００３６】このような高速ガスが多数の放出孔から各
ウェファ１近傍に供給されるので、各ウェファ１領域の
原料ガス濃度は均一性が高くなる。したがって、ウェフ
ァ１上に堆積したＳｉＯ2 膜厚は各ウェファ間でほぼ均
一となる。
ウェファ１近傍に供給されるので、各ウェファ１領域の
原料ガス濃度は均一性が高くなる。したがって、ウェフ
ァ１上に堆積したＳｉＯ2 膜厚は各ウェファ間でほぼ均
一となる。
【００３７】上述のように、ＴＥＯＳをＳｉソースと
し、酸素ガスをＯソースとしてＳｉＯ 2 膜を堆積する場
合、通常酸素ガスは十分多量に供給される。この場合、
反応管中での消費量が問題となるのはＴＥＯＳである。
し、酸素ガスをＯソースとしてＳｉＯ 2 膜を堆積する場
合、通常酸素ガスは十分多量に供給される。この場合、
反応管中での消費量が問題となるのはＴＥＯＳである。
【００３８】したがって、図１（Ａ）に示すように、ガ
スＡ、Ｂのいずれも多くのガス放出口９を有するガス導
入管５ａ、５ｂから導入する代わりに、図１（Ｂ）に示
すように、ＴＥＯＳのみをガス導入管５ａから供給し、
酸素は反応管４端部から供給しても、均一なＳｉＯ2 膜
厚分布を得ることができる。
スＡ、Ｂのいずれも多くのガス放出口９を有するガス導
入管５ａ、５ｂから導入する代わりに、図１（Ｂ）に示
すように、ＴＥＯＳのみをガス導入管５ａから供給し、
酸素は反応管４端部から供給しても、均一なＳｉＯ2 膜
厚分布を得ることができる。
【００３９】さらに、図１（Ｂ）に示すように、Ｕ字型
反応ガス導入管を用いれば、反応ガスＡの反応管軸方向
濃度分布が一層均一とでき、均一膜厚分布が得やすい。
また、図１（Ｃ）に示すように、軸方向にガス放出位置
をずらせた放出口９ａ、９ｂを有する。独立に流量制御
された５ａ、５ｂの複数本のガス導入管から反応ガスを
供給する。この場合、軸方向のガス供給の再現性は、穴
の形状、部分的な穴のつまり等に影響されず、安定した
ものとなり、均一な膜厚分布が得られやすくなる。
反応ガス導入管を用いれば、反応ガスＡの反応管軸方向
濃度分布が一層均一とでき、均一膜厚分布が得やすい。
また、図１（Ｃ）に示すように、軸方向にガス放出位置
をずらせた放出口９ａ、９ｂを有する。独立に流量制御
された５ａ、５ｂの複数本のガス導入管から反応ガスを
供給する。この場合、軸方向のガス供給の再現性は、穴
の形状、部分的な穴のつまり等に影響されず、安定した
ものとなり、均一な膜厚分布が得られやすくなる。
【００４０】次に、本発明の別の実施例であるプラズマ
ＣＶＤ装置の構成大略を、図３に示す。図３において
は、一端封止型の反応ガス導入管５が反応管４の外周に
設けられた同心円筒状石英管で構成される。
ＣＶＤ装置の構成大略を、図３に示す。図３において
は、一端封止型の反応ガス導入管５が反応管４の外周に
設けられた同心円筒状石英管で構成される。
【００４１】ガス導入管５は、フランジ１８ａ、１８ｂ
によって反応管４に気密に固定されている。反応管４の
管壁には、反応ガスＡを反応管内に導入するための複数
個のガス放出孔９が設けられている。反応ガスＢは、反
応管４の一端のガス導入口８から導入される。
によって反応管４に気密に固定されている。反応管４の
管壁には、反応ガスＡを反応管内に導入するための複数
個のガス放出孔９が設けられている。反応ガスＢは、反
応管４の一端のガス導入口８から導入される。
【００４２】使用後のガスは他端のガス排出口７から排
気される。反応ガスＢ用のガス導入口８およびガス排出
口７は、フランジ１７ａ、１７ｂに取り付けられた細管
によって構成されている。
気される。反応ガスＢ用のガス導入口８およびガス排出
口７は、フランジ１７ａ、１７ｂに取り付けられた細管
によって構成されている。
【００４３】ウェファ１としてシリコンウェファを用
い、Ｓｉ3 Ｎ4 膜の堆積を行なう場合を簡単に説明す
る。ヒータ６の温度を約３５０℃とし、反応ガスＡとし
てＳｉＨ 4 、反応ガスＢとしてＮＨ3 を用いる。
い、Ｓｉ3 Ｎ4 膜の堆積を行なう場合を簡単に説明す
る。ヒータ６の温度を約３５０℃とし、反応ガスＡとし
てＳｉＨ 4 、反応ガスＢとしてＮＨ3 を用いる。
【００４４】ＳｉＨ4 の流量は７００ｃｃ／ｍｉｎ、Ｎ
Ｈ3 の流量は６０００ｃｃ／ｍｉｎとし、反応管４の内
圧を２．５Ｔｏｒｒとする。ＲＦ電源３から４３０ＫＨ
ｚのＲＦ電力を供給して各シリコンウェファ上にＲＦプ
ラズマを生じさせ、Ｓｉ3 Ｎ 4 膜を堆積する。
Ｈ3 の流量は６０００ｃｃ／ｍｉｎとし、反応管４の内
圧を２．５Ｔｏｒｒとする。ＲＦ電源３から４３０ＫＨ
ｚのＲＦ電力を供給して各シリコンウェファ上にＲＦプ
ラズマを生じさせ、Ｓｉ3 Ｎ 4 膜を堆積する。
【００４５】以上述べた実施例は、いずれもＳｉウェフ
ァ上にＳｉＯ2 またはＳｉ3 Ｎ4 を堆積するものであっ
たが、石英等の他のウェファ上にＳｉや金属等の他の材
料を堆積することもできる。
ァ上にＳｉＯ2 またはＳｉ3 Ｎ4 を堆積するものであっ
たが、石英等の他のウェファ上にＳｉや金属等の他の材
料を堆積することもできる。
【００４６】単元素膜の堆積の場合、反応ガスは１種類
のみであってもよい。したがって、反応ガス導入管５の
本数は必要に応じて増減することができる。また、反応
ガス導入管５の形状は、上記実施例以外にも様々変化さ
せうることは当業者にとって明らかである。
のみであってもよい。したがって、反応ガス導入管５の
本数は必要に応じて増減することができる。また、反応
ガス導入管５の形状は、上記実施例以外にも様々変化さ
せうることは当業者にとって明らかである。
【００４７】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者
に自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者
に自明であろう。
【００４８】
【発明の効果】ガス流方向に沿って複数のガス放出口を
有する反応ガス導入管の採用によって反応管内、特にウ
ェファ近傍の反応ガス濃度ほぼ均一とすることができ、
ウェファ間の膜厚のばらつきを抑制することができる。
有する反応ガス導入管の採用によって反応管内、特にウ
ェファ近傍の反応ガス濃度ほぼ均一とすることができ、
ウェファ間の膜厚のばらつきを抑制することができる。
【００４９】また、特に下流領域で反応ガスの実効濃度
（未反応成分の割合）を高めることができるので、平均
的膜堆積速度を高めることも可能である。
（未反応成分の割合）を高めることができるので、平均
的膜堆積速度を高めることも可能である。
【図１】本発明の実施例によるプラズマＣＶＤ装置の構
成概略を示す断面図である。
成概略を示す断面図である。
【図２】従来例によるプラズマＣＶＤ装置を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図３】本発明の別の実施例によるプラズマＣＶＤ装置
の構成概略を示す断面図である。
の構成概略を示す断面図である。
１ ウェファ ２ サセプタ ３ ＲＦ電源 ４ 反応管 ５ 反応ガス導入管 ６ ヒータ ７ ガス排出口 ８ ガス導入口 ９ ガス放出口 １７ａ、１７ｂ、１８ａ、１８ｂ フランジ
フロントページの続き (72)発明者 恒岡 正年 宮城県黒川郡大和町松坂平１丁目６番地 富士フイルムマイクロデバイス株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 軸方向に長い反応管（４）と、 前記反応管（４）の一端に形成されたガス排出手段と、 前記反応管（４）内で、軸方向に沿って複数のウェファ
を支持するめための支持手段（２）と、 前記反応管（４）の軸方向に沿った複数箇所で反応ガス
の少なくとも１種類を放出するための反応ガス導入手段
（５）とを有するＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 前記支持手段（２）が一対の導電性部材
を含み、 さらに前記一対の導電性部材に接続された高周波電源が
備えられた請求項１記載のＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 前記反応ガス導入手段（５）が前記反応
管（４）内でＵ字型に折り返している管を含む請求項１
ないし２記載のＣＶＤ装置。 - 【請求項４】 前記反応ガス導入手段が、独立に流量制
御される複数本の反応ガス導入管を含み、前記複数本の
反応ガス導入管が前記反応管（４）内の軸方向複数位置
に配置された反応ガス放出口を有する請求項１〜３のい
ずれかに記載のＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19238692A JPH0633245A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | Ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19238692A JPH0633245A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | Ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0633245A true JPH0633245A (ja) | 1994-02-08 |
Family
ID=16290437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19238692A Withdrawn JPH0633245A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0633245A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012222287A (ja) * | 2011-04-13 | 2012-11-12 | Shimadzu Corp | プラズマｃｖｄ成膜装置および基板搭載装置 |
| WO2012169277A1 (ja) * | 2011-06-10 | 2012-12-13 | シャープ株式会社 | テクスチャ構造の形成方法および太陽電池の製造方法 |
| CN103451624A (zh) * | 2012-05-30 | 2013-12-18 | 北大方正集团有限公司 | 一种沉积炉管及沉积薄膜的方法 |
| KR20160091940A (ko) | 2013-11-29 | 2016-08-03 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 편광자 및 그것을 포함하는 편광판 |
-
1992
- 1992-07-20 JP JP19238692A patent/JPH0633245A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012222287A (ja) * | 2011-04-13 | 2012-11-12 | Shimadzu Corp | プラズマｃｖｄ成膜装置および基板搭載装置 |
| WO2012169277A1 (ja) * | 2011-06-10 | 2012-12-13 | シャープ株式会社 | テクスチャ構造の形成方法および太陽電池の製造方法 |
| JP2012256801A (ja) * | 2011-06-10 | 2012-12-27 | Sharp Corp | テクスチャ構造の形成方法および太陽電池の製造方法 |
| CN103597586A (zh) * | 2011-06-10 | 2014-02-19 | 夏普株式会社 | 纹理结构的形成方法以及太阳能电池的制造方法 |
| CN103451624A (zh) * | 2012-05-30 | 2013-12-18 | 北大方正集团有限公司 | 一种沉积炉管及沉积薄膜的方法 |
| KR20160091940A (ko) | 2013-11-29 | 2016-08-03 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 편광자 및 그것을 포함하는 편광판 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |