JPH06333494A - 電子管用陰極 - Google Patents
電子管用陰極Info
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- JPH06333494A JPH06333494A JP12238693A JP12238693A JPH06333494A JP H06333494 A JPH06333494 A JP H06333494A JP 12238693 A JP12238693 A JP 12238693A JP 12238693 A JP12238693 A JP 12238693A JP H06333494 A JPH06333494 A JP H06333494A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子放射性能を向上させる電子管用陰極を提
供する。 【構成】 ニッケルに0.05wt％のシリコン及び0.05wt％
のマグネシウムを含有させた低濃度基体１ａと、ニッケ
ルに 0.2wt％のシリコン及び0.2wt ％のマグネシウムを
含有させた高濃度基体１ｂとを圧着してバイメタル構造
に形成した基体１は、1000℃程度で加熱処理され、円筒
形状のスリーブ４内の一端部に低濃度基体１ａを外側に
配して固定されている。そして、低濃度基体１ａ表面に
アルカリ土類金属炭酸塩を塗布し、ヒータ３で加熱する
ことにより、電子放射物質層２が被着され活性化され
る。
供する。 【構成】 ニッケルに0.05wt％のシリコン及び0.05wt％
のマグネシウムを含有させた低濃度基体１ａと、ニッケ
ルに 0.2wt％のシリコン及び0.2wt ％のマグネシウムを
含有させた高濃度基体１ｂとを圧着してバイメタル構造
に形成した基体１は、1000℃程度で加熱処理され、円筒
形状のスリーブ４内の一端部に低濃度基体１ａを外側に
配して固定されている。そして、低濃度基体１ａ表面に
アルカリ土類金属炭酸塩を塗布し、ヒータ３で加熱する
ことにより、電子放射物質層２が被着され活性化され
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＴＶ用ブラウン管，撮
像管等に用いられる電子管用陰極に関する。
像管等に用いられる電子管用陰極に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、ＴＶ用ブラウン管に用いられる
従来の電子管陰極の構造を示す模式的断面図である。図
中１１は板状の基体であり、主成分をニッケルとして、
微量なシリコン（Ｓｉ），マグネシウム（Ｍｇ）等の還
元性元素を均一に含む金属層である。基体１１は1000℃
程度で還元処理され、円筒形状のスリーブ１４内の一端
部に固定されており、スリーブ１４内にはヒータ１３
が、基体１１近傍から他端部側へ延設されている。そし
て、基体１１の表面には電子放射物質層１２が被着され
ている。電子放射物質層１２はバリウム（Ｂａ），スト
ロンチウム（Ｓｒ）及びカルシウム（Ｃａ）等を含むア
ルカリ土類金属酸化物から形成されており、基体１１へ
の被着は、例えば以下のように行われる。
従来の電子管陰極の構造を示す模式的断面図である。図
中１１は板状の基体であり、主成分をニッケルとして、
微量なシリコン（Ｓｉ），マグネシウム（Ｍｇ）等の還
元性元素を均一に含む金属層である。基体１１は1000℃
程度で還元処理され、円筒形状のスリーブ１４内の一端
部に固定されており、スリーブ１４内にはヒータ１３
が、基体１１近傍から他端部側へ延設されている。そし
て、基体１１の表面には電子放射物質層１２が被着され
ている。電子放射物質層１２はバリウム（Ｂａ），スト
ロンチウム（Ｓｒ）及びカルシウム（Ｃａ）等を含むア
ルカリ土類金属酸化物から形成されており、基体１１へ
の被着は、例えば以下のように行われる。
【０００３】まず、アルカリ土類金属炭酸塩（ＢａＣＯ
3 ，ＳｒＣＯ3 ，ＣａＣＯ3 ）を含む懸濁液を基体１１
表面に塗布し、真空排気中でスリーブ１４内に配設され
たヒータ１３により基体１１を介して電子放射物質層１
２を加熱する。このとき、アルカリ土類金属炭酸塩はア
ルカリ土類金属酸化物に変化し、基体１１表面にアルカ
リ土類金属酸化物が被着する。そして、動作時よりも若
干高い加熱温度処理により、酸化物の一部が還元されて
活性化が行われる。
3 ，ＳｒＣＯ3 ，ＣａＣＯ3 ）を含む懸濁液を基体１１
表面に塗布し、真空排気中でスリーブ１４内に配設され
たヒータ１３により基体１１を介して電子放射物質層１
２を加熱する。このとき、アルカリ土類金属炭酸塩はア
ルカリ土類金属酸化物に変化し、基体１１表面にアルカ
リ土類金属酸化物が被着する。そして、動作時よりも若
干高い加熱温度処理により、酸化物の一部が還元されて
活性化が行われる。
【０００４】この活性化により、アルカリ土類金属酸化
物の一部は以下のように反応する。基体１１内に含有さ
れたシリコン，マグネシウム等の還元性元素は、拡散に
より基体１１とアルカリ土類金属酸化物との界面に移動
し、アルカリ土類金属酸化物と反応する。例えば、アル
カリ土類金属酸化物の酸化バリウム（ＢａＯ）は、 ４ＢａＯ＋Ｓｉ→２Ｂａ＋Ｂａ2 ＳｉＯ4 ＢａＯ＋Ｍｇ→Ｂａ＋Ｍｇ のように反応し、基体１１の表面に被着された電子放射
物質層１２の一部が還元されて酸素欠乏型の半導体陰極
となる。そして、陰極温度 700〜800 ℃の動作で0.5〜
0.8 Ａ／cm2 の熱電子を放出するようになっている。
物の一部は以下のように反応する。基体１１内に含有さ
れたシリコン，マグネシウム等の還元性元素は、拡散に
より基体１１とアルカリ土類金属酸化物との界面に移動
し、アルカリ土類金属酸化物と反応する。例えば、アル
カリ土類金属酸化物の酸化バリウム（ＢａＯ）は、 ４ＢａＯ＋Ｓｉ→２Ｂａ＋Ｂａ2 ＳｉＯ4 ＢａＯ＋Ｍｇ→Ｂａ＋Ｍｇ のように反応し、基体１１の表面に被着された電子放射
物質層１２の一部が還元されて酸素欠乏型の半導体陰極
となる。そして、陰極温度 700〜800 ℃の動作で0.5〜
0.8 Ａ／cm2 の熱電子を放出するようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上の如き構造の電子
管用陰極は、上述の反応が進行するに従い、基体１１中
のシリコン，マグネシウム等の還元性元素が消耗し、徐
々にＢａの生成速度が減少する。一方、還元されて生成
したＢａは蒸発して消耗するために、電子放射物質層１
２中のＢａ濃度は時間と共に減少する。これにより、電
子放射性能は経時的に劣化し、 0.5〜0.8 Ａ／cm2 の動
作時でも徐々に電子放射性能が悪化する。このような陰
極の寿命特性は、カソード電流が 10000時間で初期状態
の20％まで減少し、電子放射の長期に渡っての安定性に
欠けるという問題があった。
管用陰極は、上述の反応が進行するに従い、基体１１中
のシリコン，マグネシウム等の還元性元素が消耗し、徐
々にＢａの生成速度が減少する。一方、還元されて生成
したＢａは蒸発して消耗するために、電子放射物質層１
２中のＢａ濃度は時間と共に減少する。これにより、電
子放射性能は経時的に劣化し、 0.5〜0.8 Ａ／cm2 の動
作時でも徐々に電子放射性能が悪化する。このような陰
極の寿命特性は、カソード電流が 10000時間で初期状態
の20％まで減少し、電子放射の長期に渡っての安定性に
欠けるという問題があった。
【０００６】このように陰極の電子放射性能が悪化する
原因は、上述したように、基体１１中のシリコン，マグ
ネシウム等のような電子放射物質層１２を還元させる還
元性物質の濃度が、基体１１と電子放射物質層１２との
界面で低下することにある。また、シリコン，マグネシ
ウム等のような還元性物質の拡散速度が速く、還元性物
質が速く減少することにも原因がある。
原因は、上述したように、基体１１中のシリコン，マグ
ネシウム等のような電子放射物質層１２を還元させる還
元性物質の濃度が、基体１１と電子放射物質層１２との
界面で低下することにある。また、シリコン，マグネシ
ウム等のような還元性物質の拡散速度が速く、還元性物
質が速く減少することにも原因がある。
【０００７】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、電子放射物質と反応する還元性物質の濃度を
安定させることにより、また、還元性物質の基体中での
拡散速度を遅くすることにより、電子放射性能を向上さ
せる電子管用陰極を提供することを目的とする。
のであり、電子放射物質と反応する還元性物質の濃度を
安定させることにより、また、還元性物質の基体中での
拡散速度を遅くすることにより、電子放射性能を向上さ
せる電子管用陰極を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】第１発明に係る電子管用
陰極は、少なくとも１種類の還元性物質を含みニッケル
を主成分とする基体の表面に、少なくともバリウムを含
むアルカリ土類金属酸化物の電子放射物質層を被着した
電子管用陰極において、前記基体は、前記還元性物質の
含有量を前記電子放射物質層側では低く、他側では高く
してなることを特徴とする。
陰極は、少なくとも１種類の還元性物質を含みニッケル
を主成分とする基体の表面に、少なくともバリウムを含
むアルカリ土類金属酸化物の電子放射物質層を被着した
電子管用陰極において、前記基体は、前記還元性物質の
含有量を前記電子放射物質層側では低く、他側では高く
してなることを特徴とする。
【０００９】第２発明に係る電子管用陰極は、第１発明
において、基体は、電子放射物質層を被着する前に1100
℃以上で加熱処理されてなることを特徴とする。
において、基体は、電子放射物質層を被着する前に1100
℃以上で加熱処理されてなることを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明の電子管用陰極では、電子放射物質と反
応し還元せしめる還元性物質の含有量を、基体の電子放
射物質層側で低くしてあるので、還元性物質が基体の濃
度勾配により、電子放射物質層側へ拡散される。これに
より、反応により還元性物質が減少した電子放射物質層
側の基体に還元性物質が補充される。
応し還元せしめる還元性物質の含有量を、基体の電子放
射物質層側で低くしてあるので、還元性物質が基体の濃
度勾配により、電子放射物質層側へ拡散される。これに
より、反応により還元性物質が減少した電子放射物質層
側の基体に還元性物質が補充される。
【００１１】加えて、電子放射物質層を被着する前に、
ニッケルを主成分とする基体を1100℃以上で加熱処理す
ることにより、ニッケルの金属結晶粒を粗大化して粒界
を減少せしめ、基体に含有された還元性物質の拡散速度
を遅くする。これにより、電子放射物質と反応する還元
性物質の移動速度、及び基体中を移動し電子放射物質層
側へ補充される還元性物質の移動速度が遅くなり、長期
間の還元が可能になる。
ニッケルを主成分とする基体を1100℃以上で加熱処理す
ることにより、ニッケルの金属結晶粒を粗大化して粒界
を減少せしめ、基体に含有された還元性物質の拡散速度
を遅くする。これにより、電子放射物質と反応する還元
性物質の移動速度、及び基体中を移動し電子放射物質層
側へ補充される還元性物質の移動速度が遅くなり、長期
間の還元が可能になる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
き具体的に説明する。図１は、ＴＶ用ブラウン管に用い
られる本発明の電子管用陰極の構造を示す模式的断面図
である。図中１は基体であり、低濃度基体１ａ及び高濃
度基体１ｂで構成されている。低濃度基体１ａは、還元
性元素である0.05wt％のシリコン及び0.05wt％のマグネ
シウムを含有するニッケルであり、高濃度基体１ｂは
0.2wt％のシリコン及び0.2wt ％のマグネシウムを含有
するニッケルである。基体１は、低濃度基体１ａと高濃
度基体１ｂとを圧着することによりバイメタル構造に形
成され、1000℃程度で加熱処理されて大気中で酸化した
還元性物質を還元処理してある。このような基体１が円
筒形状のスリーブ４内の一端部に、低濃度基体１ａを外
側に配して固定されている。スリーブ４内にはヒータ３
が、基体１近傍から他端部側へ延設されている。
き具体的に説明する。図１は、ＴＶ用ブラウン管に用い
られる本発明の電子管用陰極の構造を示す模式的断面図
である。図中１は基体であり、低濃度基体１ａ及び高濃
度基体１ｂで構成されている。低濃度基体１ａは、還元
性元素である0.05wt％のシリコン及び0.05wt％のマグネ
シウムを含有するニッケルであり、高濃度基体１ｂは
0.2wt％のシリコン及び0.2wt ％のマグネシウムを含有
するニッケルである。基体１は、低濃度基体１ａと高濃
度基体１ｂとを圧着することによりバイメタル構造に形
成され、1000℃程度で加熱処理されて大気中で酸化した
還元性物質を還元処理してある。このような基体１が円
筒形状のスリーブ４内の一端部に、低濃度基体１ａを外
側に配して固定されている。スリーブ４内にはヒータ３
が、基体１近傍から他端部側へ延設されている。
【００１３】そして、低濃度基体１ａ表面には電子放射
物質層２が被着されている。この被着の方法は、まず、
アルカリ土類金属炭酸塩（ＢａＣＯ3 ，ＳｒＣＯ3 ，Ｃ
ａＣＯ3 ）からなる懸濁液を低濃度基体１ａ表面に60μ
ｍの厚みで塗布する。次に、真空排気中でヒータ３によ
り加熱して、低濃度基体１ａ表面にアルカリ土類金属酸
化物を形成し、活性化を行う。
物質層２が被着されている。この被着の方法は、まず、
アルカリ土類金属炭酸塩（ＢａＣＯ3 ，ＳｒＣＯ3 ，Ｃ
ａＣＯ3 ）からなる懸濁液を低濃度基体１ａ表面に60μ
ｍの厚みで塗布する。次に、真空排気中でヒータ３によ
り加熱して、低濃度基体１ａ表面にアルカリ土類金属酸
化物を形成し、活性化を行う。
【００１４】このように形成された陰極では、ヒータ３
の加熱により低濃度基体１ａ中の還元性物質が低濃度基
体１ａと電子放射物質層２との界面に拡散される。そし
て、例えば、アルカリ土類金属酸化物の酸化バリウム
（ＢａＯ）は、以下に示す(1)，(2) 式のように反応
し、 ４ＢａＯ＋Ｓｉ→２Ｂａ＋Ｂａ2 ＳｉＯ4 …(1) ＢａＯ＋Ｍｇ→Ｂａ＋Ｍｇ …(2) 酸化物の一部を還元して活性化を行い、酸素欠乏型の半
導体陰極を形成する。この反応が進行するに従い低濃度
基体１ａ中の還元性物質は減少するが、高濃度基体１ｂ
中の還元性物質が濃度勾配により低濃度基体１ａ中へ拡
散することにより、低濃度基体１ａ中の還元性物質の濃
度は安定し、長期間アルカリ土類金属酸化物を還元せし
めることができる。
の加熱により低濃度基体１ａ中の還元性物質が低濃度基
体１ａと電子放射物質層２との界面に拡散される。そし
て、例えば、アルカリ土類金属酸化物の酸化バリウム
（ＢａＯ）は、以下に示す(1)，(2) 式のように反応
し、 ４ＢａＯ＋Ｓｉ→２Ｂａ＋Ｂａ2 ＳｉＯ4 …(1) ＢａＯ＋Ｍｇ→Ｂａ＋Ｍｇ …(2) 酸化物の一部を還元して活性化を行い、酸素欠乏型の半
導体陰極を形成する。この反応が進行するに従い低濃度
基体１ａ中の還元性物質は減少するが、高濃度基体１ｂ
中の還元性物質が濃度勾配により低濃度基体１ａ中へ拡
散することにより、低濃度基体１ａ中の還元性物質の濃
度は安定し、長期間アルカリ土類金属酸化物を還元せし
めることができる。
【００１５】次に、本発明の第２実施例を説明する。上
述と同様の低濃度基体１ａ及び高濃度基体１ｂでバイメ
タル構造をなす基体１を、1100℃程度の還元性雰囲気下
で処理し、スリーブ４内の一端部に固定せしめる。その
後に、上述の実施例と同様にして、電子放射物質層２を
低濃度基体１ａ表面に被着させる。
述と同様の低濃度基体１ａ及び高濃度基体１ｂでバイメ
タル構造をなす基体１を、1100℃程度の還元性雰囲気下
で処理し、スリーブ４内の一端部に固定せしめる。その
後に、上述の実施例と同様にして、電子放射物質層２を
低濃度基体１ａ表面に被着させる。
【００１６】このような陰極は、1100℃程度の還元性雰
囲気下で基体１を処理しているので、大気中で酸化され
た還元性物質が還元されると共に、1100℃の高温で基体
１の金属結晶粒が粗大化されている。金属結晶粒即ちニ
ッケル結晶粒が粗大化されることにより、還元性物質の
拡散速度は遅くなり、低濃度基体１ａ中の還元性物質が
電子放射物質層２との界面に拡散する速度、及び高濃度
基体１ｂ中の還元性物質が濃度勾配により低濃度基体１
ａ中へ拡散する速度が遅くなる。還元性物質の拡散速度
が遅くなると低濃度基体１ａ中の還元性物質の濃度が安
定し、アルカリ土類金属酸化物を長期間還元せしめるこ
とができる。
囲気下で基体１を処理しているので、大気中で酸化され
た還元性物質が還元されると共に、1100℃の高温で基体
１の金属結晶粒が粗大化されている。金属結晶粒即ちニ
ッケル結晶粒が粗大化されることにより、還元性物質の
拡散速度は遅くなり、低濃度基体１ａ中の還元性物質が
電子放射物質層２との界面に拡散する速度、及び高濃度
基体１ｂ中の還元性物質が濃度勾配により低濃度基体１
ａ中へ拡散する速度が遅くなる。還元性物質の拡散速度
が遅くなると低濃度基体１ａ中の還元性物質の濃度が安
定し、アルカリ土類金属酸化物を長期間還元せしめるこ
とができる。
【００１７】以上の如き電子管用陰極の電子放射の寿命
特性を測定した。図２は、２極管において0.8 Ａ／cm2
の動作条件でのカソード電流変化を示したグラフであ
る。縦軸はカソード電流を、横軸は時間を表している。
‘△−△’は第１実施例を、‘□−□’は第２実施例を
示しており、そして‘○−○’は従来例を示している。
グラフから明らかなように、第１実施例では、10000 時
間で初期状態の50％のカソード電流値を維持し、第２実
施例では、10000 時間で初期状態の65％のカソード電流
値を維持している。これにより、従来例の20％の維持と
比較して、大幅に寿命特性が向上していることが判る。
特性を測定した。図２は、２極管において0.8 Ａ／cm2
の動作条件でのカソード電流変化を示したグラフであ
る。縦軸はカソード電流を、横軸は時間を表している。
‘△−△’は第１実施例を、‘□−□’は第２実施例を
示しており、そして‘○−○’は従来例を示している。
グラフから明らかなように、第１実施例では、10000 時
間で初期状態の50％のカソード電流値を維持し、第２実
施例では、10000 時間で初期状態の65％のカソード電流
値を維持している。これにより、従来例の20％の維持と
比較して、大幅に寿命特性が向上していることが判る。
【００１８】なお、上述の本実施例では、基体１を還元
性物質が低濃度の基体と高濃度の基体とをバイメタル構
造に形成しているが、これに限るものではなく、基体１
の電子放射物質層側の還元性物質の含有量を低く形成し
てあれば良い。
性物質が低濃度の基体と高濃度の基体とをバイメタル構
造に形成しているが、これに限るものではなく、基体１
の電子放射物質層側の還元性物質の含有量を低く形成し
てあれば良い。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、本発明においては、基体
の還元性物質含有量を、電子放射物質層側で低く他側で
高く形成してあるので、濃度勾配により還元性物質が電
子放射物質層側へ拡散し、電子放射物質を還元する電子
放射物質層側の基体の還元性物質量が安定し、電子放射
性能が向上する。また、基体を1100℃以上で還元処理す
ることにより、還元物質の電子放射物質層への拡散速
度、及び基体中の拡散速度を遅くするので、さらに電子
放射性能を向上させる等、本発明は優れた効果を奏する
ものである。
の還元性物質含有量を、電子放射物質層側で低く他側で
高く形成してあるので、濃度勾配により還元性物質が電
子放射物質層側へ拡散し、電子放射物質を還元する電子
放射物質層側の基体の還元性物質量が安定し、電子放射
性能が向上する。また、基体を1100℃以上で還元処理す
ることにより、還元物質の電子放射物質層への拡散速
度、及び基体中の拡散速度を遅くするので、さらに電子
放射性能を向上させる等、本発明は優れた効果を奏する
ものである。
【図１】本発明の電子管用陰極の構造を示す模式的断面
図である。
図である。
【図２】２極管において0.8 Ａ／cm2 の動作条件でのカ
ソード電流変化を示したグラフである。
ソード電流変化を示したグラフである。
【図３】従来の電子管用陰極の構造を示す模式的断面図
である。
である。
１ 基体 １ａ 低濃度基体 １ｂ 高濃度基体 ２ 電子放射物質層 ３ ヒータ ４ スリーブ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年９月１３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】この活性化により、アルカリ土類金属酸化
物の一部は以下のように反応する。基体１１内に含有さ
れたシリコン，マグネシウム等の還元性元素は、拡散に
より基体１１とアルカリ土類金属酸化物との界面に移動
し、アルカリ土類金属酸化物と反応する。例えば、アル
カリ土類金属酸化物の酸化バリウム（ＢａＯ）は、 ４ＢａＯ＋Ｓｉ→２Ｂａ＋Ｂａ2 ＳｉＯ4 ＢａＯ＋Ｍｇ→Ｂａ＋ＭｇＯ のように反応し、基体１１の表面に被着された電子放射
物質層１２の一部が還元されて酸素欠乏型の半導体陰極
となる。そして、陰極温度 700〜800 ℃の動作で0.5〜
0.8 Ａ／cm2 の熱電子を放出するようになっている。
物の一部は以下のように反応する。基体１１内に含有さ
れたシリコン，マグネシウム等の還元性元素は、拡散に
より基体１１とアルカリ土類金属酸化物との界面に移動
し、アルカリ土類金属酸化物と反応する。例えば、アル
カリ土類金属酸化物の酸化バリウム（ＢａＯ）は、 ４ＢａＯ＋Ｓｉ→２Ｂａ＋Ｂａ2 ＳｉＯ4 ＢａＯ＋Ｍｇ→Ｂａ＋ＭｇＯ のように反応し、基体１１の表面に被着された電子放射
物質層１２の一部が還元されて酸素欠乏型の半導体陰極
となる。そして、陰極温度 700〜800 ℃の動作で0.5〜
0.8 Ａ／cm2 の熱電子を放出するようになっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】このように形成された陰極では、ヒータ３
の加熱により低濃度基体１ａ中の還元性物質が低濃度基
体１ａと電子放射物質層２との界面に拡散される。そし
て、例えば、アルカリ土類金属酸化物の酸化バリウム
（ＢａＯ）は、以下に示す(1)，(2) 式のように反応
し、 ４ＢａＯ＋Ｓｉ→２Ｂａ＋Ｂａ2 ＳｉＯ4 …(1) ＢａＯ＋Ｍｇ→Ｂａ＋ＭｇＯ …(2) 酸化物の一部を還元して活性化を行い、酸素欠乏型の半
導体陰極を形成する。この反応が進行するに従い低濃度
基体１ａ中の還元性物質は減少するが、高濃度基体１ｂ
中の還元性物質が濃度勾配により低濃度基体１ａ中へ拡
散することにより、低濃度基体１ａ中の還元性物質の濃
度は安定し、長期間アルカリ土類金属酸化物を還元せし
めることができる。
の加熱により低濃度基体１ａ中の還元性物質が低濃度基
体１ａと電子放射物質層２との界面に拡散される。そし
て、例えば、アルカリ土類金属酸化物の酸化バリウム
（ＢａＯ）は、以下に示す(1)，(2) 式のように反応
し、 ４ＢａＯ＋Ｓｉ→２Ｂａ＋Ｂａ2 ＳｉＯ4 …(1) ＢａＯ＋Ｍｇ→Ｂａ＋ＭｇＯ …(2) 酸化物の一部を還元して活性化を行い、酸素欠乏型の半
導体陰極を形成する。この反応が進行するに従い低濃度
基体１ａ中の還元性物質は減少するが、高濃度基体１ｂ
中の還元性物質が濃度勾配により低濃度基体１ａ中へ拡
散することにより、低濃度基体１ａ中の還元性物質の濃
度は安定し、長期間アルカリ土類金属酸化物を還元せし
めることができる。
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくとも１種類の還元性物質を含みニ
ッケルを主成分とする基体の表面に、少なくともバリウ
ムを含むアルカリ土類金属酸化物の電子放射物質層を被
着した電子管用陰極において、 前記基体は、前記還元性物質の含有量を前記電子放射物
質層側では低く、他側では高くしてなることを特徴とす
る電子管用陰極。 - 【請求項２】 基体は、電子放射物質層を被着する前に
1100℃以上で加熱処理されてなる請求項１記載の電子管
用陰極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12238693A JPH06333494A (ja) | 1993-05-25 | 1993-05-25 | 電子管用陰極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12238693A JPH06333494A (ja) | 1993-05-25 | 1993-05-25 | 電子管用陰極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06333494A true JPH06333494A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=14834520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12238693A Pending JPH06333494A (ja) | 1993-05-25 | 1993-05-25 | 電子管用陰極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06333494A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990027741A (ko) * | 1997-09-30 | 1999-04-15 | 김영남 | 전자총용 음극구조체 |
-
1993
- 1993-05-25 JP JP12238693A patent/JPH06333494A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990027741A (ko) * | 1997-09-30 | 1999-04-15 | 김영남 | 전자총용 음극구조체 |
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