JPH06333867A - ガス導入管付反応器 - Google Patents
ガス導入管付反応器Info
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- JPH06333867A JPH06333867A JP11575693A JP11575693A JPH06333867A JP H06333867 A JPH06333867 A JP H06333867A JP 11575693 A JP11575693 A JP 11575693A JP 11575693 A JP11575693 A JP 11575693A JP H06333867 A JPH06333867 A JP H06333867A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体製造装置の縦型拡散炉に用いられるガ
ス導入管付反応器において、反応器の性能や機能を保持
したままで、取扱い、メンテナンス、洗浄が極めて容易
で、反応器を損傷することなく長期間使用することが可
能な構造の縦型反応器を提供する。 【構成】 縦型反応器の内部に反応性ガスを導入するガ
ス導入管を、反応器の内壁に沿って配管し、反応器の上
部に設けられているガス分散供給部から反応器内部に反
応性ガスを導入する構造のガス導入管付反応器とする。 【効果】 反応器の性能および機能は従来の反応器と同
等のままで、ガス導入管を損傷することなく長期間使用
することができ、経済的効果は大きい。
ス導入管付反応器において、反応器の性能や機能を保持
したままで、取扱い、メンテナンス、洗浄が極めて容易
で、反応器を損傷することなく長期間使用することが可
能な構造の縦型反応器を提供する。 【構成】 縦型反応器の内部に反応性ガスを導入するガ
ス導入管を、反応器の内壁に沿って配管し、反応器の上
部に設けられているガス分散供給部から反応器内部に反
応性ガスを導入する構造のガス導入管付反応器とする。 【効果】 反応器の性能および機能は従来の反応器と同
等のままで、ガス導入管を損傷することなく長期間使用
することができ、経済的効果は大きい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置の縦型拡
散炉等に用いられる縦型円筒形の反応器に係り、特に半
導体への不純物の熱拡散あるいは酸化膜等の形成に好適
で、取扱いならびに保守が容易であり、かつ反応性ガス
の導入管が破損されることなく長期間使用することかが
できるガス導入管付反応器に関する。
散炉等に用いられる縦型円筒形の反応器に係り、特に半
導体への不純物の熱拡散あるいは酸化膜等の形成に好適
で、取扱いならびに保守が容易であり、かつ反応性ガス
の導入管が破損されることなく長期間使用することかが
できるガス導入管付反応器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体製造装置の縦型拡散炉等に
用いられている縦型円筒形の反応器の一例を図２
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示す。ここで、図２
（ａ）は反応器の縦断面図で、図２（ｂ）は図２（ａ）
のＡ矢視図、図２（ｃ）はＢ矢視図、図２（ｄ）はＣ−
Ｃ矢視図である。図において、反応器１内へ導入される
反応性ガスは、ガス導入口３から、反応器１の外側に設
けられているガス導入管２を通り、ガス分散供給部５の
分散ノズル６から反応器１の内部に導入され、半導体中
への不純物の熱拡散あるいはウェハ等へ酸化膜等を形成
させた後、未反応の反応性ガスはガス排気口４から系外
に排出される構造となっている。なお、反応器１の外周
部には、反応器１内を所定の温度に加熱するための加熱
手段（図示せず）が設けられている。しかしながら、上
述した従来のガス導入管付反応器は、ガス導入管２が反
応器１の外側に配管され、反応器１の頂部（上部）に設
けられているガス分散供給部５から反応器１の内部に反
応性ガスを導入する構造になっているので、反応を終了
した使用済みの反応器１を縦型拡散炉から取外し、反応
器１を洗浄する場合にガス導入管２が反応器１の外側に
出っ張っているため、例えば洗浄液中に浸漬してローラ
等により回転させながら機械的に洗浄しようとすると、
ガス導入管２とローラとが衝突してガス導入管２が破損
されるという問題があった。そのため、ローラを用いた
効率的な機械的洗浄を行うことができず、作業者による
能率の悪い手作業による洗浄を行わねばならなかった。
しかし、作業者による手作業洗浄を行ったとしても、ガ
ス導入管２が出っ張っているためぶっつけて破損させた
り、また反応器の取扱い、あるいは保守を行う場合にお
いてもガス導入管２を破損させる事故がしばしば発生す
るという問題があった。
用いられている縦型円筒形の反応器の一例を図２
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示す。ここで、図２
（ａ）は反応器の縦断面図で、図２（ｂ）は図２（ａ）
のＡ矢視図、図２（ｃ）はＢ矢視図、図２（ｄ）はＣ−
Ｃ矢視図である。図において、反応器１内へ導入される
反応性ガスは、ガス導入口３から、反応器１の外側に設
けられているガス導入管２を通り、ガス分散供給部５の
分散ノズル６から反応器１の内部に導入され、半導体中
への不純物の熱拡散あるいはウェハ等へ酸化膜等を形成
させた後、未反応の反応性ガスはガス排気口４から系外
に排出される構造となっている。なお、反応器１の外周
部には、反応器１内を所定の温度に加熱するための加熱
手段（図示せず）が設けられている。しかしながら、上
述した従来のガス導入管付反応器は、ガス導入管２が反
応器１の外側に配管され、反応器１の頂部（上部）に設
けられているガス分散供給部５から反応器１の内部に反
応性ガスを導入する構造になっているので、反応を終了
した使用済みの反応器１を縦型拡散炉から取外し、反応
器１を洗浄する場合にガス導入管２が反応器１の外側に
出っ張っているため、例えば洗浄液中に浸漬してローラ
等により回転させながら機械的に洗浄しようとすると、
ガス導入管２とローラとが衝突してガス導入管２が破損
されるという問題があった。そのため、ローラを用いた
効率的な機械的洗浄を行うことができず、作業者による
能率の悪い手作業による洗浄を行わねばならなかった。
しかし、作業者による手作業洗浄を行ったとしても、ガ
ス導入管２が出っ張っているためぶっつけて破損させた
り、また反応器の取扱い、あるいは保守を行う場合にお
いてもガス導入管２を破損させる事故がしばしば発生す
るという問題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したごとく、従来
の半導体製造装置の縦型拡散炉等に用いられるガス導入
管付反応器は、ガス導入管が反応器の外側に配管されて
いるため、反応器の取扱い時、メンテナンス時あるいは
洗浄時に、出っ張っているガス導入管をぶっつけて破損
させてしまうことが多く、ガス導入管付反応器の取扱い
には細心の注意が必要であった。
の半導体製造装置の縦型拡散炉等に用いられるガス導入
管付反応器は、ガス導入管が反応器の外側に配管されて
いるため、反応器の取扱い時、メンテナンス時あるいは
洗浄時に、出っ張っているガス導入管をぶっつけて破損
させてしまうことが多く、ガス導入管付反応器の取扱い
には細心の注意が必要であった。
【０００４】本発明の目的は、上記従来技術における問
題点を解消するものであって、反応器の性能や機能を従
来と同等に保持したままで、反応器の取扱い、メンテナ
ンスあるいは機械的洗浄等が極めて容易で、反応器に設
けられているガス導入管を損傷させることなく長期間使
用することが可能な経済的効果の大きいガス導入管付反
応器を提供することにある。
題点を解消するものであって、反応器の性能や機能を従
来と同等に保持したままで、反応器の取扱い、メンテナ
ンスあるいは機械的洗浄等が極めて容易で、反応器に設
けられているガス導入管を損傷させることなく長期間使
用することが可能な経済的効果の大きいガス導入管付反
応器を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記本発明の目的を達成
するために、半導体製造装置の縦型拡散炉等に用いられ
る縦型円筒形の反応器内に反応性ガスを導入するガス導
入管を、反応器のガス導入口から反応器内部の側壁を伝
って反応器の上部に設けられている反応器内へガスを分
散供給するガス分散供給部に配管接続する構成とするも
のである。このような構成とすることにより、ガス導入
管が反応器の外側に出っ張った構造とならないのでガス
導入管をぶっつけて破損させることがなくなる。本発明
のガス導入管付反応器は、該反応器の下部に反応性ガス
を供給するガス導入口と、未反応の反応性ガスを排出す
るガス排気口を有し、上記ガス導入口から反応性ガス導
入管を、反応器内の内壁を伝って、反応器の上部に設け
られている反応性ガスを反応器内にほぼ均等に分散供給
させるガス分散供給部に配管接続したガス導入管付反応
器である。このような構成とすることにより、反応器の
性能や機能を従来の反応器と同等に保持することがで
き、かつ反応性ガス導入管が反応器の内部にあるためぶ
っつけて破損させることがない。また、洗浄液中に浸け
て、機械的にローラで回転させながらガス導入管付反応
器を洗浄してもガス導入管は損傷さることが無く、ある
いは取扱い時、メンテナンス時等においてもガス導入管
をぶっつけて破損させることがないので長期にわたり使
用することが可能となり経済的効果は大きい。
するために、半導体製造装置の縦型拡散炉等に用いられ
る縦型円筒形の反応器内に反応性ガスを導入するガス導
入管を、反応器のガス導入口から反応器内部の側壁を伝
って反応器の上部に設けられている反応器内へガスを分
散供給するガス分散供給部に配管接続する構成とするも
のである。このような構成とすることにより、ガス導入
管が反応器の外側に出っ張った構造とならないのでガス
導入管をぶっつけて破損させることがなくなる。本発明
のガス導入管付反応器は、該反応器の下部に反応性ガス
を供給するガス導入口と、未反応の反応性ガスを排出す
るガス排気口を有し、上記ガス導入口から反応性ガス導
入管を、反応器内の内壁を伝って、反応器の上部に設け
られている反応性ガスを反応器内にほぼ均等に分散供給
させるガス分散供給部に配管接続したガス導入管付反応
器である。このような構成とすることにより、反応器の
性能や機能を従来の反応器と同等に保持することがで
き、かつ反応性ガス導入管が反応器の内部にあるためぶ
っつけて破損させることがない。また、洗浄液中に浸け
て、機械的にローラで回転させながらガス導入管付反応
器を洗浄してもガス導入管は損傷さることが無く、ある
いは取扱い時、メンテナンス時等においてもガス導入管
をぶっつけて破損させることがないので長期にわたり使
用することが可能となり経済的効果は大きい。
【０００６】
【実施例】図１に、本発明の縦型円筒形のガス導入管付
反応器の構成の一例を示す。図１（ａ）は反応器の縦断
面図で、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ矢視図、図１
（ｃ）はＢ矢視図、図１（ｄ）はＣ−Ｃ矢視図である。
本発明のガス導入管付反応器は、主に半導体製造装置の
中の縦型拡散炉に使用するもので、（１）半導体中への
不純物の熱拡散、（２）シリコンウェハ等の被処理物の
表面に酸化膜を形成させる場合等に用いられる。本実施
例においては、被処理物として主にシリコンウェハに酸
化膜を形成させる場合について説明する。未処理のシリ
コンウェハは、大気中の酸素（Ｏ2）によっても容易に
反応し、その表面に自然に酸化膜が生成される。この自
然酸化膜は酸化反応を制御して生成したものではなく、
所望する次工程での反応成膜処理の障害となるものであ
る。それで、反応器１内に保持されたシリコンウェハは
極力大気中の酸素に曝されないように保護する必要があ
る。したがって、酸化反応により酸化膜を生成する時以
外にはガス導入管２より、不活性ガス、例えば窒素（Ｎ
2）ガス等を反応器１内に導入して自然酸化膜の生成を
防止する処置がとられる。次に、未処理のシリコンウェ
ハの表面に酸化膜を生成させる方法について説明する。
まず、ガス導入管２より所定流量の酸素ガスを所定時間
供給する。この時、図示していないが反応器１の外周部
に設けられているヒータ等の加熱手段によって反応器１
は設定の温度に加熱される。したがって、ガス導入口３
から反応器１の内壁に沿って配管されているガス導入管
２の内部を通過する酸素ガスは加熱され、反応器１の上
部に設けられているガス分散供給部５に導入される。そ
して、ガス分散供給部５内に多数個設けられている分散
ノズル６から反応性ガスは反応器１内の上部から下方向
にほぼ均等に導入され、Ｓｉ＋Ｏ2＝ＳｉＯ2の反応によ
りシリコンウェハの表面に所定の厚さの酸化膜が形成さ
れる。その後、未反応の酸素ガスはガス排気口４から系
外に排出される。なお、上述の酸化膜の生成にはＯ2ガ
スを用いたが、所定量の水蒸気を所定時間導入すること
により、Ｓｉ＋２Ｈ2Ｏ＝ＳｉＯ2＋２Ｈ2の反応で酸化
膜を形成させることも可能である。次に、シリコンウェ
ハの酸化膜の形成に用いたガス導入管付反応器を縦型拡
散炉から取り外し、洗浄液中に浸けて上記反応器をロー
ラで回転させながら洗浄を行ったところ、従来のガス導
入管が反応器の外側に設けられているガス導入管付反応
器の場合には、数回の洗浄で出っ張っているガス導入管
の部分がぶっつかり破損されたのに比べ、本発明のガス
導入管付反応器は何回洗浄してもガス導入管が破損され
ることなく長期間の使用に耐えることができた。また、
作業者の手作業による能率の悪い洗浄の必要性もなく経
済的効果の大きいガス導入管付反応器を得ることができ
た。
反応器の構成の一例を示す。図１（ａ）は反応器の縦断
面図で、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ矢視図、図１
（ｃ）はＢ矢視図、図１（ｄ）はＣ−Ｃ矢視図である。
本発明のガス導入管付反応器は、主に半導体製造装置の
中の縦型拡散炉に使用するもので、（１）半導体中への
不純物の熱拡散、（２）シリコンウェハ等の被処理物の
表面に酸化膜を形成させる場合等に用いられる。本実施
例においては、被処理物として主にシリコンウェハに酸
化膜を形成させる場合について説明する。未処理のシリ
コンウェハは、大気中の酸素（Ｏ2）によっても容易に
反応し、その表面に自然に酸化膜が生成される。この自
然酸化膜は酸化反応を制御して生成したものではなく、
所望する次工程での反応成膜処理の障害となるものであ
る。それで、反応器１内に保持されたシリコンウェハは
極力大気中の酸素に曝されないように保護する必要があ
る。したがって、酸化反応により酸化膜を生成する時以
外にはガス導入管２より、不活性ガス、例えば窒素（Ｎ
2）ガス等を反応器１内に導入して自然酸化膜の生成を
防止する処置がとられる。次に、未処理のシリコンウェ
ハの表面に酸化膜を生成させる方法について説明する。
まず、ガス導入管２より所定流量の酸素ガスを所定時間
供給する。この時、図示していないが反応器１の外周部
に設けられているヒータ等の加熱手段によって反応器１
は設定の温度に加熱される。したがって、ガス導入口３
から反応器１の内壁に沿って配管されているガス導入管
２の内部を通過する酸素ガスは加熱され、反応器１の上
部に設けられているガス分散供給部５に導入される。そ
して、ガス分散供給部５内に多数個設けられている分散
ノズル６から反応性ガスは反応器１内の上部から下方向
にほぼ均等に導入され、Ｓｉ＋Ｏ2＝ＳｉＯ2の反応によ
りシリコンウェハの表面に所定の厚さの酸化膜が形成さ
れる。その後、未反応の酸素ガスはガス排気口４から系
外に排出される。なお、上述の酸化膜の生成にはＯ2ガ
スを用いたが、所定量の水蒸気を所定時間導入すること
により、Ｓｉ＋２Ｈ2Ｏ＝ＳｉＯ2＋２Ｈ2の反応で酸化
膜を形成させることも可能である。次に、シリコンウェ
ハの酸化膜の形成に用いたガス導入管付反応器を縦型拡
散炉から取り外し、洗浄液中に浸けて上記反応器をロー
ラで回転させながら洗浄を行ったところ、従来のガス導
入管が反応器の外側に設けられているガス導入管付反応
器の場合には、数回の洗浄で出っ張っているガス導入管
の部分がぶっつかり破損されたのに比べ、本発明のガス
導入管付反応器は何回洗浄してもガス導入管が破損され
ることなく長期間の使用に耐えることができた。また、
作業者の手作業による能率の悪い洗浄の必要性もなく経
済的効果の大きいガス導入管付反応器を得ることができ
た。
【０００７】
【発明の効果】以上説明したごとく、本発明のガス導入
管付反応器は、従来の反応器と同等の性能ならびに機能
を保持し、かつガス導入管が反応器の内壁に設けられて
いるため、反応器の機械的洗浄あるいは取扱いやメンテ
ナンス時にガス導入管をぶっつけて破損させることがな
く長期間使用することができるので、経済的効果の大き
いガス導入管付反応管を実現することができる。
管付反応器は、従来の反応器と同等の性能ならびに機能
を保持し、かつガス導入管が反応器の内壁に設けられて
いるため、反応器の機械的洗浄あるいは取扱いやメンテ
ナンス時にガス導入管をぶっつけて破損させることがな
く長期間使用することができるので、経済的効果の大き
いガス導入管付反応管を実現することができる。
【図１】本発明の実施例で例示したガス導入管付反応器
の構造を示す模式図。
の構造を示す模式図。
【図２】従来のガス導入管付反応器の構造を示す模式
図。
図。
１…反応器 ２…ガス導入管 ３…ガス導入口 ４…ガス排気口 ５…ガス分散供給部 ６…分散ノズル
Claims (1)
- 【請求項１】半導体製造装置の縦型拡散炉に用いられる
縦型円筒形の反応器において、該反応器の下部に反応性
ガスを供給するガス導入口と未反応の反応性ガスを排出
するガス排気口を備え、上記ガス導入口から反応性ガス
を反応器内に導入するガス導入管を、上記反応器の内壁
に沿って該反応器の上部に設けられているガス分散供給
部に配管し、該ガス分散供給部から反応性ガスを反応器
の上部から下方向に導入する構造としたことを特徴とす
るガス導入管付反応器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11575693A JPH06333867A (ja) | 1993-05-18 | 1993-05-18 | ガス導入管付反応器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11575693A JPH06333867A (ja) | 1993-05-18 | 1993-05-18 | ガス導入管付反応器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06333867A true JPH06333867A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=14670275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11575693A Pending JPH06333867A (ja) | 1993-05-18 | 1993-05-18 | ガス導入管付反応器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06333867A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5968593A (en) * | 1995-03-20 | 1999-10-19 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing apparatus |
| JP2001516960A (ja) * | 1997-09-11 | 2001-10-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 気化・堆積装置および方法 |
-
1993
- 1993-05-18 JP JP11575693A patent/JPH06333867A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5968593A (en) * | 1995-03-20 | 1999-10-19 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing apparatus |
| JP2001516960A (ja) * | 1997-09-11 | 2001-10-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 気化・堆積装置および方法 |
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