JPH06333996A - 半導体装置およびテープキャリヤパッケージならびにその製造に用いるテープキャリヤ - Google Patents
半導体装置およびテープキャリヤパッケージならびにその製造に用いるテープキャリヤInfo
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- JPH06333996A JPH06333996A JP5115750A JP11575093A JPH06333996A JP H06333996 A JPH06333996 A JP H06333996A JP 5115750 A JP5115750 A JP 5115750A JP 11575093 A JP11575093 A JP 11575093A JP H06333996 A JPH06333996 A JP H06333996A
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- resin
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- tape carrier
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 TCP構造の半導体装置におけるリード破損
防止。 【構成】 デバイスホール27を有する絶縁性のテープ
2と、このテープ2の一面に設けられた前記デバイスホ
ールを中心とするリードパターンとを有するテープキャ
リヤ25において、リード3のインナリード4とアウタ
リード5との間を被うように設けられるソルダーレジス
ト9を、パッケージ12を形成するレジン11の塗布厚
さと同じ厚さあるいはそれ以上の厚さとする。レジン塗
布時、前記ソルダーレジスト9がダム10となり、レジ
ンの流出が防止される。アウタリードボンディング時、
金型の上・下型で流出レジンを押圧しないことから、リ
ードに強い押圧力が加わらずリード破損が起きない。レ
ジン流出を考慮しなくても良く、リードパターンの小型
化が図れ、半導体装置1の小型化も達成できる。
防止。 【構成】 デバイスホール27を有する絶縁性のテープ
2と、このテープ2の一面に設けられた前記デバイスホ
ールを中心とするリードパターンとを有するテープキャ
リヤ25において、リード3のインナリード4とアウタ
リード5との間を被うように設けられるソルダーレジス
ト9を、パッケージ12を形成するレジン11の塗布厚
さと同じ厚さあるいはそれ以上の厚さとする。レジン塗
布時、前記ソルダーレジスト9がダム10となり、レジ
ンの流出が防止される。アウタリードボンディング時、
金型の上・下型で流出レジンを押圧しないことから、リ
ードに強い押圧力が加わらずリード破損が起きない。レ
ジン流出を考慮しなくても良く、リードパターンの小型
化が図れ、半導体装置1の小型化も達成できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置、特に絶縁性
のテープキャリヤを用いて製造したTCP構造の半導体
装置およびテープキャリヤパッケージならびにその製造
に用いるテープキャリヤに関する
のテープキャリヤを用いて製造したTCP構造の半導体
装置およびテープキャリヤパッケージならびにその製造
に用いるテープキャリヤに関する
【0002】
【従来の技術】電子機器は、機能面から高密度実装化
が、実装面から軽量化,小型化,薄型化が要請されてい
る。また、電子部品の製造コストの低減のために、パッ
ケージ形態としては材料が安くかつ生産性が良好な樹脂
封止(レジンパッケージ)型半導体装置が多用されてい
る。レジンパッケージ型半導体装置としては、金属製の
リードフレームを用いるもの、絶縁性フィルムの表面に
リードを形成したTCP(Tape Carrier Package)等が
知られている。
が、実装面から軽量化,小型化,薄型化が要請されてい
る。また、電子部品の製造コストの低減のために、パッ
ケージ形態としては材料が安くかつ生産性が良好な樹脂
封止(レジンパッケージ)型半導体装置が多用されてい
る。レジンパッケージ型半導体装置としては、金属製の
リードフレームを用いるもの、絶縁性フィルムの表面に
リードを形成したTCP(Tape Carrier Package)等が
知られている。
【0003】テープキャリヤパッケージ(TCP)とし
てはTAB(Tape Automated Bonding)およびトランス
ファモールドによるモールドTABがある。TABにつ
いては、たとえば、応用技術出版株式会社発行「最近の
半導体アセンブリ技術とその高信頼化・全自動化」1985
年11月3日発行、P200およびP201に記載されている。こ
の文献には、SiチップやこのSiチップの図示しない
電極にAuバンプを介して接続したインナリードの内端
部分等を樹脂(レジン)で封止するパッケージ形態とし
て、Siチップの上下面全体を樹脂で封止する形態、半
硬化性樹脂を含むガラスクロスシート上にSiチップを
設けかつガラスクロスシート上側を樹脂で封止した形
態、Siチップの上面側および周辺部分を樹脂で封止し
た形態が開示されている。
てはTAB(Tape Automated Bonding)およびトランス
ファモールドによるモールドTABがある。TABにつ
いては、たとえば、応用技術出版株式会社発行「最近の
半導体アセンブリ技術とその高信頼化・全自動化」1985
年11月3日発行、P200およびP201に記載されている。こ
の文献には、SiチップやこのSiチップの図示しない
電極にAuバンプを介して接続したインナリードの内端
部分等を樹脂(レジン)で封止するパッケージ形態とし
て、Siチップの上下面全体を樹脂で封止する形態、半
硬化性樹脂を含むガラスクロスシート上にSiチップを
設けかつガラスクロスシート上側を樹脂で封止した形
態、Siチップの上面側および周辺部分を樹脂で封止し
た形態が開示されている。
【0004】一方、工業調査会発行「電子材料」1991年
5月号、同年5月1日発行、P25〜P36には、LCD
(Liquid Crystal Display:液晶ディスプレイ)ドライ
バおよびTABドライバのLCDへの実装方法について
記載されている。この文献には2色メッキテープについ
て記載され、2色メッキテープについて、「2色メッキ
テープは,インナリードとアウタリードを異なるメッキ
により仕上げられたテープである…OLのハンダの組成
は,Sn90%,Pb10%であり,インナとアウタの
間はソルダレジストにより仕切られている。」旨記載さ
れている。
5月号、同年5月1日発行、P25〜P36には、LCD
(Liquid Crystal Display:液晶ディスプレイ)ドライ
バおよびTABドライバのLCDへの実装方法について
記載されている。この文献には2色メッキテープについ
て記載され、2色メッキテープについて、「2色メッキ
テープは,インナリードとアウタリードを異なるメッキ
により仕上げられたテープである…OLのハンダの組成
は,Sn90%,Pb10%であり,インナとアウタの
間はソルダレジストにより仕切られている。」旨記載さ
れている。
【0005】また、株式会社日立製作所半導体事業部
「Gain」1990年1月30日発行、P32およびP33に
は、LCDドライバ用TABについて記載されている。
この文献におけるTAB断面においては、封止材の外周
部分は、ソルダーレジストの途中部分にまで薄く延在し
ている。すなわち、LSI(大規模集積回路装置)チッ
プを装着するための穴の周囲のポリイミドテープ上に
は、接着剤を介して銅箔(リード:35μm厚)が設け
られている。また、前記リードの内外端部分を除く表面
にはソルダーレジストが設けられている。また、この文
献には、幅が35mm、長さが57mmのTABパター
ンが開示されている。このTABパターンでは、入力端
子,出力端子,選別用テストパッド,エージング用テス
トパッドが示され、かつテープの使用領域として、ユー
ザエリアおよびテストエリアがある旨記載されている。
「Gain」1990年1月30日発行、P32およびP33に
は、LCDドライバ用TABについて記載されている。
この文献におけるTAB断面においては、封止材の外周
部分は、ソルダーレジストの途中部分にまで薄く延在し
ている。すなわち、LSI(大規模集積回路装置)チッ
プを装着するための穴の周囲のポリイミドテープ上に
は、接着剤を介して銅箔(リード:35μm厚)が設け
られている。また、前記リードの内外端部分を除く表面
にはソルダーレジストが設けられている。また、この文
献には、幅が35mm、長さが57mmのTABパター
ンが開示されている。このTABパターンでは、入力端
子,出力端子,選別用テストパッド,エージング用テス
トパッドが示され、かつテープの使用領域として、ユー
ザエリアおよびテストエリアがある旨記載されている。
【0006】他方、工業調査会発行「電子材料」1987年
9月号、同年9月1日発行、P51〜P56には、TAB樹
脂封止装置について記載されている。この文献によれ
ば、樹脂の塗布にはディスペンサが使用される。ディス
ペンサによる塗布プロセスについて、同文献には「図1
0に示すとおり,ノズルから液を吐出し,フィルム表面
にスタンプするごとくノズルを下降し,液が裏側に回り
込んでからノズルを上昇する。この場合ノズルの上下ス
ピードが重要であり,最適でないと液の回り込みの過不
足,泡の発生,パターン不良といった問題が生じる。」
旨記載されている。また、樹脂厚さ測定については、
「樹脂は数十〜200μmの厚さで塗布されており,こ
れの厚みを測定して不良品の排除およびディスペンサの
吐出量調整を行う必要がある。」旨記載されている。
9月号、同年9月1日発行、P51〜P56には、TAB樹
脂封止装置について記載されている。この文献によれ
ば、樹脂の塗布にはディスペンサが使用される。ディス
ペンサによる塗布プロセスについて、同文献には「図1
0に示すとおり,ノズルから液を吐出し,フィルム表面
にスタンプするごとくノズルを下降し,液が裏側に回り
込んでからノズルを上昇する。この場合ノズルの上下ス
ピードが重要であり,最適でないと液の回り込みの過不
足,泡の発生,パターン不良といった問題が生じる。」
旨記載されている。また、樹脂厚さ測定については、
「樹脂は数十〜200μmの厚さで塗布されており,こ
れの厚みを測定して不良品の排除およびディスペンサの
吐出量調整を行う必要がある。」旨記載されている。
【0007】さらに、工業調査会発行「電子材料別冊
号」1988年12月10日発行、P105〜P113には、テープキャ
リヤボンダについて記載されている。TAB技術におい
ては、テープに半導体チップを取り付けるためのインナ
リードボンダ(ILB)と、電子機器等にTAB製品
(半導体装置) を実装するアウタリードボンダ(OL
B)がある。同文献には、アウタリードボンダの機構に
ついて、「機構的には図13のようにフィルムキャリヤ
よりインナリードボンディングされたICチップをアウ
タリード部分で切断する金型部とフィルムキャリヤより
切断分離されたICチップを基板上の接続位置まで移送
する移送アーム部およびボンディングツールを,基板と
ICチップの接続点に一致させるようにX,Y軸方向に
位置補正するとともに,ボンディング時ツールに荷重を
付加するボンディングヘッド部。さらに基板の供給・収
納を行う搬送ユニット部より構成されている。」旨記載
されている。
号」1988年12月10日発行、P105〜P113には、テープキャ
リヤボンダについて記載されている。TAB技術におい
ては、テープに半導体チップを取り付けるためのインナ
リードボンダ(ILB)と、電子機器等にTAB製品
(半導体装置) を実装するアウタリードボンダ(OL
B)がある。同文献には、アウタリードボンダの機構に
ついて、「機構的には図13のようにフィルムキャリヤ
よりインナリードボンディングされたICチップをアウ
タリード部分で切断する金型部とフィルムキャリヤより
切断分離されたICチップを基板上の接続位置まで移送
する移送アーム部およびボンディングツールを,基板と
ICチップの接続点に一致させるようにX,Y軸方向に
位置補正するとともに,ボンディング時ツールに荷重を
付加するボンディングヘッド部。さらに基板の供給・収
納を行う搬送ユニット部より構成されている。」旨記載
されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】電子部品の軽薄短小化
が進む中で、TCP構造の半導体装置においても小型化
が進められているが、TCP構造の半導体装置の小型化
においては、パッケージを形成する液状レジンの塗布範
囲が問題となることが分かった。すなわち、パッケージ
の形成にあっては、ディスペンサのノズルによってテー
プキャリヤのデバイスホール部分にレジンを塗布すると
ともに、レジンを硬化させることによってパッケージを
形成する。ところで、前記レジン塗布の際、前記文献に
も記載されているように、液状のレジンは周囲に流出し
て広がる。レジン広がりのバラツキは、ディスペンサの
シリンジ内の液状レジンの水頭差による吐出量バラツキ
や、使用する液状レジンの温度差による粘度バラツキに
よって大きく変化する。
が進む中で、TCP構造の半導体装置においても小型化
が進められているが、TCP構造の半導体装置の小型化
においては、パッケージを形成する液状レジンの塗布範
囲が問題となることが分かった。すなわち、パッケージ
の形成にあっては、ディスペンサのノズルによってテー
プキャリヤのデバイスホール部分にレジンを塗布すると
ともに、レジンを硬化させることによってパッケージを
形成する。ところで、前記レジン塗布の際、前記文献に
も記載されているように、液状のレジンは周囲に流出し
て広がる。レジン広がりのバラツキは、ディスペンサの
シリンジ内の液状レジンの水頭差による吐出量バラツキ
や、使用する液状レジンの温度差による粘度バラツキに
よって大きく変化する。
【0009】細長のテープキャリヤの各リードパターン
部分にそれぞれ半導体チップが取り付けられるととも
に、所定のリードパターン部分がレジンからなるパッケ
ージで封止されて複数の半導体装置部が形成されてなる
テープキャリヤパッケージにあっては、各半導体装置部
分はアウタリードボンダによってテープキャリヤから切
断分離されて所定の基板に実装される。このアウタリー
ボンディング時、半導体装置部分はアウタリードボンダ
の金型部でテープキャリヤから切断分離されるが、前記
のようにレジンの流出が大きいと、流出レジン部分が金
型の上・下型間に挟まれる。流出レジン部分が金型の上
・下型間に挟まれると、流出レジンが存在する分リード
は強く押し潰される結果、破断したり、あるいは局所的
に薄くなってリードとしての信頼性が低くなる。また、
金型部の切断刃は流出レジン部分をも切断することか
ら、摩耗が激しくなって寿命が短くなる。半導体装置が
大型で各部の寸法が余裕をもって設計されている場合
は、このような流出レジンによる問題は発生しないが、
半導体装置の小型化によってリードの長さが短くなり、
金型の上・下型がよりパッケージに近くなると、金型の
上・下型が流出レジン部分を挟むことになり、前記のよ
うな製品不良や金型部の切断刃の寿命劣化を来すことに
なる。
部分にそれぞれ半導体チップが取り付けられるととも
に、所定のリードパターン部分がレジンからなるパッケ
ージで封止されて複数の半導体装置部が形成されてなる
テープキャリヤパッケージにあっては、各半導体装置部
分はアウタリードボンダによってテープキャリヤから切
断分離されて所定の基板に実装される。このアウタリー
ボンディング時、半導体装置部分はアウタリードボンダ
の金型部でテープキャリヤから切断分離されるが、前記
のようにレジンの流出が大きいと、流出レジン部分が金
型の上・下型間に挟まれる。流出レジン部分が金型の上
・下型間に挟まれると、流出レジンが存在する分リード
は強く押し潰される結果、破断したり、あるいは局所的
に薄くなってリードとしての信頼性が低くなる。また、
金型部の切断刃は流出レジン部分をも切断することか
ら、摩耗が激しくなって寿命が短くなる。半導体装置が
大型で各部の寸法が余裕をもって設計されている場合
は、このような流出レジンによる問題は発生しないが、
半導体装置の小型化によってリードの長さが短くなり、
金型の上・下型がよりパッケージに近くなると、金型の
上・下型が流出レジン部分を挟むことになり、前記のよ
うな製品不良や金型部の切断刃の寿命劣化を来すことに
なる。
【0010】また、従来のテープキャリヤパッケージに
おけるソルダーレジストの目的は、半田付け時のマスク
対策や耐絶縁性向上、さらにはリード表面のSnメッキ
に起因するホイスカ対策であり、その厚さは20〜30
μm程度以下である。このため、前記流出レジンはソル
ダーレジスト表面を伝わって外方に広がり易い。
おけるソルダーレジストの目的は、半田付け時のマスク
対策や耐絶縁性向上、さらにはリード表面のSnメッキ
に起因するホイスカ対策であり、その厚さは20〜30
μm程度以下である。このため、前記流出レジンはソル
ダーレジスト表面を伝わって外方に広がり易い。
【0011】本発明の目的は、リードの信頼性が高い小
型のTCP構造の半導体装置を提供することにある。
型のTCP構造の半導体装置を提供することにある。
【0012】本発明の他の目的は、アウタリードボンデ
ィングにおいてアウタリードボンダの金型部の上・下型
間で流出レジン部分を挟むことのないテープキャリヤパ
ッケージを提供することにある。
ィングにおいてアウタリードボンダの金型部の上・下型
間で流出レジン部分を挟むことのないテープキャリヤパ
ッケージを提供することにある。
【0013】本発明の他の目的は、レジン塗布によって
パッケージを形成する際、パッケージ形成領域からレジ
ンが流出しないテープキャリヤを提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
パッケージを形成する際、パッケージ形成領域からレジ
ンが流出しないテープキャリヤを提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
【0014】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。すなわち、本発明のTCP構造の半
導体装置は、絶縁性のテープと、このテープの主面に設
けられたリードパターンと、前記リードパターンを構成
する各リードの内端部に電極を介して接続された半導体
チップと、前記半導体チップおよびリード内端部分を被
うレジンからなるパッケージとを有する半導体装置であ
って、前記テープの少なくとも主面にはパッケージの外
周縁を規定するダムが設けられた構造となっている。前
記ダムは前記リードの内端近傍から外端近傍に亘って設
けられるソルダーレジストによって形成され、塗布され
るレジンの厚さと略同一かそれ以上の厚さに形成されて
いる。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。すなわち、本発明のTCP構造の半
導体装置は、絶縁性のテープと、このテープの主面に設
けられたリードパターンと、前記リードパターンを構成
する各リードの内端部に電極を介して接続された半導体
チップと、前記半導体チップおよびリード内端部分を被
うレジンからなるパッケージとを有する半導体装置であ
って、前記テープの少なくとも主面にはパッケージの外
周縁を規定するダムが設けられた構造となっている。前
記ダムは前記リードの内端近傍から外端近傍に亘って設
けられるソルダーレジストによって形成され、塗布され
るレジンの厚さと略同一かそれ以上の厚さに形成されて
いる。
【0015】本発明のテープキャリヤパッケージは、細
長の絶縁性テープと、このテープの主面に設けられたリ
ードパターンと、前記各リードパターンの各リードの内
端部に電極を介して接続された半導体チップと、前記半
導体チップおよびリード内端部分を被うレジンからなる
パッケージとを有するテープキャリヤパッケージであっ
て、前記テープの少なくとも主面には各パッケージの外
周縁を規定するダムが設けられた構造となっている。前
記ダムは前記リードの内端近傍から外端近傍に亘って設
けられるソルダーレジストによって形成され、塗布され
るレジンの厚さと略同一かそれ以上の厚さに形成されて
いる。
長の絶縁性テープと、このテープの主面に設けられたリ
ードパターンと、前記各リードパターンの各リードの内
端部に電極を介して接続された半導体チップと、前記半
導体チップおよびリード内端部分を被うレジンからなる
パッケージとを有するテープキャリヤパッケージであっ
て、前記テープの少なくとも主面には各パッケージの外
周縁を規定するダムが設けられた構造となっている。前
記ダムは前記リードの内端近傍から外端近傍に亘って設
けられるソルダーレジストによって形成され、塗布され
るレジンの厚さと略同一かそれ以上の厚さに形成されて
いる。
【0016】本発明のテープキャリヤは、細長の絶縁性
テープと、このテープの主面に設けられたリードパター
ンとからなるテープキャリヤであって、前記テープの少
なくとも主面には各リードパターンにおいてレジンの流
出を阻止するダムが設けられた構造となっている。ま
た、前記ダムは前記リードの内端近傍から外端近傍に亘
って設けられるソルダーレジストによって形成され、塗
布されるレジンの厚さと略同一かそれ以上の厚さに形成
されている。
テープと、このテープの主面に設けられたリードパター
ンとからなるテープキャリヤであって、前記テープの少
なくとも主面には各リードパターンにおいてレジンの流
出を阻止するダムが設けられた構造となっている。ま
た、前記ダムは前記リードの内端近傍から外端近傍に亘
って設けられるソルダーレジストによって形成され、塗
布されるレジンの厚さと略同一かそれ以上の厚さに形成
されている。
【0017】
【作用】上記した手段によれば、本発明においては、パ
ッケージ形成領域を規定するダムが設けられたテープキ
ャリヤが使用されてテープキャリヤパッケージが製造さ
れる。したがって、テープキャリヤの各リードパターン
部分に半導体チップを取り付け、その後ディスペンサに
よってレジンを塗布してパッケージを形成した場合、液
状のレジンが外方に流れ出そうとしても前記ダムで阻止
されるため、レジン流出のないテープキャリヤパッケー
ジが形成できる。また、本発明のテープキャリヤによれ
ば、レジンの流出を考慮しなくとも良くなり、リードパ
ターンの小型化も可能となる。
ッケージ形成領域を規定するダムが設けられたテープキ
ャリヤが使用されてテープキャリヤパッケージが製造さ
れる。したがって、テープキャリヤの各リードパターン
部分に半導体チップを取り付け、その後ディスペンサに
よってレジンを塗布してパッケージを形成した場合、液
状のレジンが外方に流れ出そうとしても前記ダムで阻止
されるため、レジン流出のないテープキャリヤパッケー
ジが形成できる。また、本発明のテープキャリヤによれ
ば、レジンの流出を考慮しなくとも良くなり、リードパ
ターンの小型化も可能となる。
【0018】本発明のテープキャリヤパッケージは、ダ
ムの外側、すなわちパッケージ形成領域外にレジンが流
出していないことから、アウタリードボンディング時に
アウタリードボンダの金型の上・下型間にテープキャリ
ヤパッケージを挟んだ際、上・下型は従来のように流出
レジン部分を挟まないことから、リードに設定よりも大
きな押圧力が作用しないため、リード破断やリードが部
分的に薄くなるような不良発生がなくなる。また、本発
明のテープキャリヤパッケージの場合には、アウタリー
ドボンディング時、切断刃がレジン部分を切断しないこ
とから、切断刃の寿命も長くなる。また、本発明のテー
プキャリヤを使用することによって、テープキャリヤパ
ッケージにおいて半導体装置部分の小型化が達成でき
る。
ムの外側、すなわちパッケージ形成領域外にレジンが流
出していないことから、アウタリードボンディング時に
アウタリードボンダの金型の上・下型間にテープキャリ
ヤパッケージを挟んだ際、上・下型は従来のように流出
レジン部分を挟まないことから、リードに設定よりも大
きな押圧力が作用しないため、リード破断やリードが部
分的に薄くなるような不良発生がなくなる。また、本発
明のテープキャリヤパッケージの場合には、アウタリー
ドボンディング時、切断刃がレジン部分を切断しないこ
とから、切断刃の寿命も長くなる。また、本発明のテー
プキャリヤを使用することによって、テープキャリヤパ
ッケージにおいて半導体装置部分の小型化が達成でき
る。
【0019】本発明のテープキャリヤを使用して製造さ
れたTCP構造の半導体装置にあっては、その製造にお
いてパッケージ形成領域からレジンが流出しないことか
ら、金型の上・下型間にリードが流出レジン部分を介し
て強く押し潰されることもなく、リードの信頼性低下が
発生せず、半導体装置としての信頼性も高くなる。ま
た、パッケージ形成領域からのレジンの流出を考慮しな
くとも良くなり、半導体装置の小型化も達成できる。
れたTCP構造の半導体装置にあっては、その製造にお
いてパッケージ形成領域からレジンが流出しないことか
ら、金型の上・下型間にリードが流出レジン部分を介し
て強く押し潰されることもなく、リードの信頼性低下が
発生せず、半導体装置としての信頼性も高くなる。ま
た、パッケージ形成領域からのレジンの流出を考慮しな
くとも良くなり、半導体装置の小型化も達成できる。
【0020】
【実施例】以下図面を参照して本発明の一実施例につい
て説明する。図1は本発明の一実施例によるTCP構造
の半導体装置の実装状態を示す断面図、図2は本発明の
一実施例によるテープキャリヤの一部を示す平面図、図
3は同じく断面図、図4は本発明の一実施例によるテー
プキャリヤパッケージの一部を切り欠いた状態の平面
図、図5は同じく断面図、図6は本発明のテープキャリ
ヤパッケージから半導体装置部分を切断分離する状態を
示す断面図、図7は本発明の一実施例によるTCP構造
の半導体装置の平面図である。
て説明する。図1は本発明の一実施例によるTCP構造
の半導体装置の実装状態を示す断面図、図2は本発明の
一実施例によるテープキャリヤの一部を示す平面図、図
3は同じく断面図、図4は本発明の一実施例によるテー
プキャリヤパッケージの一部を切り欠いた状態の平面
図、図5は同じく断面図、図6は本発明のテープキャリ
ヤパッケージから半導体装置部分を切断分離する状態を
示す断面図、図7は本発明の一実施例によるTCP構造
の半導体装置の平面図である。
【0021】この実施例においては、LCD用半導体装
置に本発明を適用した例について説明する。本発明のT
CP構造の半導体装置1は、図1および図7に示すよう
に、中央にデバイスホールを有する厚さ125μmの絶
縁性のテープ2と、このテープ2の一面に設けられる複
数のリード3とを有している。前記各リード3は、35
μmの厚さの銅箔をエッチングすることによって形成さ
れ、その内端部(インナリード4)が前記デバイスホー
ル内に突出するとともに、外端部(アウタリード5)が
テープ2の外縁あるいは外縁から外に突出するようにな
っている。また、図示はしないが、インナリード4およ
びアウタリード5の表面にはSnメッキが施されてい
る。前記インナリード4の一面側には、Auバンプ6を
介してチップ(半導体チップ)7が接続されている。ま
た、リード3の内端近傍から外端近傍に掛けてソルダー
レジスト9が設けられている。このソルダーレジスト9
は、前記デバイスホールの周囲に亘って設けられてい
る。ソルダーレジスト9に囲まれた領域には、レジン1
1が塗布されてパッケージ12が形成されている。前記
レジン11は、デバイスホールを埋め、さらにチップ7
の周囲をも被っている。
置に本発明を適用した例について説明する。本発明のT
CP構造の半導体装置1は、図1および図7に示すよう
に、中央にデバイスホールを有する厚さ125μmの絶
縁性のテープ2と、このテープ2の一面に設けられる複
数のリード3とを有している。前記各リード3は、35
μmの厚さの銅箔をエッチングすることによって形成さ
れ、その内端部(インナリード4)が前記デバイスホー
ル内に突出するとともに、外端部(アウタリード5)が
テープ2の外縁あるいは外縁から外に突出するようにな
っている。また、図示はしないが、インナリード4およ
びアウタリード5の表面にはSnメッキが施されてい
る。前記インナリード4の一面側には、Auバンプ6を
介してチップ(半導体チップ)7が接続されている。ま
た、リード3の内端近傍から外端近傍に掛けてソルダー
レジスト9が設けられている。このソルダーレジスト9
は、前記デバイスホールの周囲に亘って設けられてい
る。ソルダーレジスト9に囲まれた領域には、レジン1
1が塗布されてパッケージ12が形成されている。前記
レジン11は、デバイスホールを埋め、さらにチップ7
の周囲をも被っている。
【0022】一方、これが本発明の特徴の一つである
が、前記ソルダーレジスト9は、前記パッケージ12を
構成するレジン11の塗布厚と略同じ程度の厚さとな
り、パッケージ12を形成する際塗布したレジン11が
流出するのを防止したダム10となっている。すなわ
ち、テープ2の表面に塗布されるレジン11の厚さは6
0〜100μm程度となる。ダム10の厚さはダム10
と接するレジン部分の厚さと略同じ厚さ、たとえば60
〜70μm程度となっている。このダム10は、従来の
半導体装置において設けられるソルダーレジストの場合
よりも遙かに厚く塗布することによって形成されてい
る。
が、前記ソルダーレジスト9は、前記パッケージ12を
構成するレジン11の塗布厚と略同じ程度の厚さとな
り、パッケージ12を形成する際塗布したレジン11が
流出するのを防止したダム10となっている。すなわ
ち、テープ2の表面に塗布されるレジン11の厚さは6
0〜100μm程度となる。ダム10の厚さはダム10
と接するレジン部分の厚さと略同じ厚さ、たとえば60
〜70μm程度となっている。このダム10は、従来の
半導体装置において設けられるソルダーレジストの場合
よりも遙かに厚く塗布することによって形成されてい
る。
【0023】このようなTCP構造の半導体装置1は、
図1に示すように、左側の入力リード15がTAB実装
基板16の導体層17に半田18を介して接続され、右
側の出力リード19がLCDパネル20の導体層21に
異方性導電シート22を介して接続されている。このよ
うな半導体装置1は、後述するが、その製造において、
リード3に大きな押圧力が加わらないことから、リード
が破断されることなく歩留りが向上するとともに、リー
ド3が局所的に薄くなることもなく信頼性が高くなる。
図1に示すように、左側の入力リード15がTAB実装
基板16の導体層17に半田18を介して接続され、右
側の出力リード19がLCDパネル20の導体層21に
異方性導電シート22を介して接続されている。このよ
うな半導体装置1は、後述するが、その製造において、
リード3に大きな押圧力が加わらないことから、リード
が破断されることなく歩留りが向上するとともに、リー
ド3が局所的に薄くなることもなく信頼性が高くなる。
【0024】つぎに、本発明のTCP構造の半導体装置
1の製造について説明する。半導体装置1の製造におい
ては、図2に示すような本発明によるテープキャリヤ2
5が用意される。テープキャリヤ25は、基本的には細
長のポリイミド樹脂からなる厚さ125μm程度の絶縁
性のテープ2の一表面に定間隔にリードパターンを有す
る構造となっている。テープ2は、その両側に一定間隔
に配設されるスプロケットホール(パーフォレーション
孔)26を有している。また、テープ2の中央には、そ
の長手方向に沿って一定間隔に矩形状の穴(デバイスホ
ール)27が設けられている。このデバイスホール27
は、後に取り付けられる半導体チップ7よりもわずかに
大きい穴となっている。
1の製造について説明する。半導体装置1の製造におい
ては、図2に示すような本発明によるテープキャリヤ2
5が用意される。テープキャリヤ25は、基本的には細
長のポリイミド樹脂からなる厚さ125μm程度の絶縁
性のテープ2の一表面に定間隔にリードパターンを有す
る構造となっている。テープ2は、その両側に一定間隔
に配設されるスプロケットホール(パーフォレーション
孔)26を有している。また、テープ2の中央には、そ
の長手方向に沿って一定間隔に矩形状の穴(デバイスホ
ール)27が設けられている。このデバイスホール27
は、後に取り付けられる半導体チップ7よりもわずかに
大きい穴となっている。
【0025】また、テープ2の一面には、前記各デバイ
スホール27を中心とするリードパターンが設けられて
いる。この実施例では、デバイスホール27の両端にそ
れぞれ複数のリード3を配置するパターンとなってい
る。図2および図3において、デバイスホール27の右
側の複数のリード3は入力リード15となるとともに、
デバイスホール27の左側の複数のリード3は出力リー
ド19となっている。これらのリード3の内端(インナ
リード4)は、前記デバイスホール27内に突出し、半
導体チップ7の図示しない電極に設けられたAuバンプ
6に重なるようになっている。また、リード3の外端
(アウタリード5)はテープ2の長手方向に沿って延在
している。リード3は出力リード19においては密とな
り、入力リード15においては粗となっている。また、
入力リード15のアウタリード5は出力リード19のア
ウタリード5に比較して太くなっているとともに、テー
プ2に設けられたスリット穴29を跨ぐようになってい
る。また、図示はしないが、インナリード4およびアウ
タリード5の表面にはSnメッキが施されている。ま
た、インナリード4とアウタリード5との間には、ソル
ダーレジスト9が設けられている。このソルダーレジス
ト9は、デバイスホール27の全周に亘って設けられて
いる。
スホール27を中心とするリードパターンが設けられて
いる。この実施例では、デバイスホール27の両端にそ
れぞれ複数のリード3を配置するパターンとなってい
る。図2および図3において、デバイスホール27の右
側の複数のリード3は入力リード15となるとともに、
デバイスホール27の左側の複数のリード3は出力リー
ド19となっている。これらのリード3の内端(インナ
リード4)は、前記デバイスホール27内に突出し、半
導体チップ7の図示しない電極に設けられたAuバンプ
6に重なるようになっている。また、リード3の外端
(アウタリード5)はテープ2の長手方向に沿って延在
している。リード3は出力リード19においては密とな
り、入力リード15においては粗となっている。また、
入力リード15のアウタリード5は出力リード19のア
ウタリード5に比較して太くなっているとともに、テー
プ2に設けられたスリット穴29を跨ぐようになってい
る。また、図示はしないが、インナリード4およびアウ
タリード5の表面にはSnメッキが施されている。ま
た、インナリード4とアウタリード5との間には、ソル
ダーレジスト9が設けられている。このソルダーレジス
ト9は、デバイスホール27の全周に亘って設けられて
いる。
【0026】前記ソルダーレジスト9は、従来と同様に
半田付け時のマスク対策や耐絶縁性向上、さらにはリー
ド表面のSnメッキに起因するホイスカ対策であるが、
それ以外にこれが本発明の特徴の一つであるが、ダム1
0ともなっている。すなわち、テープキャリヤ25は、
半導体チップのバンプ電極にインナリードの内端を固定
するとともに、デバイスホール部分にレジンを塗布して
半導体チップの電極面側を被うが、本発明のテープキャ
リヤ25においては、前記ダム10の内周面によって溶
けたレジンの広がりを阻止し、レジンによって形成され
るパッケージの外周を規定するものである。ソルダーレ
ジストに対してレジンは比較的濡れ性が良いことから、
前記ソルダーレジスト9は、塗布されるレジンの厚さと
略同一の厚さかあるいはそれ以上の厚さに設けられ、物
理的に溶けたレジンの流出を阻止するようになってい
る。たとえば、パッケージを形成するために、レジンが
60〜100μm程度の厚さ塗布されるとするならば、
ソルダーレジスト9の厚さも60〜100μm以上とな
っている。このようなテープキャリヤ25は、この状態
でも市販される。
半田付け時のマスク対策や耐絶縁性向上、さらにはリー
ド表面のSnメッキに起因するホイスカ対策であるが、
それ以外にこれが本発明の特徴の一つであるが、ダム1
0ともなっている。すなわち、テープキャリヤ25は、
半導体チップのバンプ電極にインナリードの内端を固定
するとともに、デバイスホール部分にレジンを塗布して
半導体チップの電極面側を被うが、本発明のテープキャ
リヤ25においては、前記ダム10の内周面によって溶
けたレジンの広がりを阻止し、レジンによって形成され
るパッケージの外周を規定するものである。ソルダーレ
ジストに対してレジンは比較的濡れ性が良いことから、
前記ソルダーレジスト9は、塗布されるレジンの厚さと
略同一の厚さかあるいはそれ以上の厚さに設けられ、物
理的に溶けたレジンの流出を阻止するようになってい
る。たとえば、パッケージを形成するために、レジンが
60〜100μm程度の厚さ塗布されるとするならば、
ソルダーレジスト9の厚さも60〜100μm以上とな
っている。このようなテープキャリヤ25は、この状態
でも市販される。
【0027】つぎに、前記テープキャリヤ25に対し
て、図4および図5に示すように、図示しないインナリ
ードボンダによって半導体チップ7が取り付けられる。
このインナリードボンディングにおいては、半導体チッ
プ7の各Auバンプ6に対して相対的にインナリード4
の位置決めが行われ、その後、インナリード4の内端と
Auバンプ6がAuSn共晶によって接続される。その
後、図示しないディスペンサによってレジン11の塗布
が行われてパッケージ12が形成される。このディスペ
ンサによるレジンの塗布においては、デバイスホール2
7の半導体チップ7上へのレジン11の塗布および硬化
処理によってパッケージ12が形成されるが、塗布され
たレジン11は、外方向に流出しようとしても、厚く設
けられたダム10(ソルダーレジスト9)の内周面で流
出を阻止される。したがって、パッケージ12の周縁は
常に一定となり、顧客要求に即した液状レジン塗布範囲
を保証することができる。以上の手段によって各デバイ
スホール27部分にそれぞれ半導体装置部分30が設け
られたテープキャリヤパッケージ31が製造される。こ
のテープキャリヤパッケージ31は、この状態のままで
ユーザに提供される場合が多い。
て、図4および図5に示すように、図示しないインナリ
ードボンダによって半導体チップ7が取り付けられる。
このインナリードボンディングにおいては、半導体チッ
プ7の各Auバンプ6に対して相対的にインナリード4
の位置決めが行われ、その後、インナリード4の内端と
Auバンプ6がAuSn共晶によって接続される。その
後、図示しないディスペンサによってレジン11の塗布
が行われてパッケージ12が形成される。このディスペ
ンサによるレジンの塗布においては、デバイスホール2
7の半導体チップ7上へのレジン11の塗布および硬化
処理によってパッケージ12が形成されるが、塗布され
たレジン11は、外方向に流出しようとしても、厚く設
けられたダム10(ソルダーレジスト9)の内周面で流
出を阻止される。したがって、パッケージ12の周縁は
常に一定となり、顧客要求に即した液状レジン塗布範囲
を保証することができる。以上の手段によって各デバイ
スホール27部分にそれぞれ半導体装置部分30が設け
られたテープキャリヤパッケージ31が製造される。こ
のテープキャリヤパッケージ31は、この状態のままで
ユーザに提供される場合が多い。
【0028】テープキャリヤパッケージ31から、各半
導体装置部分30を切断分離して所定の基板に実装する
場合は、たとえばアウタリードボンダによって行われ
る。すなわち、テープキャリヤパッケージ31は、図6
に示すように、アウタリードボンダの金型部の上・下型
35,36に挟持される。この上・下型35,36は矩
形枠状断面となるとともに、テープ2からソルダーレジ
スト9(ダム10)に亘る厚さ部分やテープ2を挟む。
そして、前記上型35の外側に沿って降下する切断刃3
7によってテープ2を切断し、図7に示すようなTCP
構造の半導体装置1を得る。その後、図示しないボンデ
ィングツールで半導体装置1を保持して、所定の基板に
実装する。たとえば、半導体装置1は、図1に示すよう
に、入力リード15がTAB実装基板16の導体層17
に半田18を介して接続され、出力リード19がLCD
パネル20の導体層21に異方性導電シート22を介し
て接続される。
導体装置部分30を切断分離して所定の基板に実装する
場合は、たとえばアウタリードボンダによって行われ
る。すなわち、テープキャリヤパッケージ31は、図6
に示すように、アウタリードボンダの金型部の上・下型
35,36に挟持される。この上・下型35,36は矩
形枠状断面となるとともに、テープ2からソルダーレジ
スト9(ダム10)に亘る厚さ部分やテープ2を挟む。
そして、前記上型35の外側に沿って降下する切断刃3
7によってテープ2を切断し、図7に示すようなTCP
構造の半導体装置1を得る。その後、図示しないボンデ
ィングツールで半導体装置1を保持して、所定の基板に
実装する。たとえば、半導体装置1は、図1に示すよう
に、入力リード15がTAB実装基板16の導体層17
に半田18を介して接続され、出力リード19がLCD
パネル20の導体層21に異方性導電シート22を介し
て接続される。
【0029】前記半導体装置部分30の切断分離におい
て、パッケージ12を形成するレジン11が、半導体装
置1の製造時のレジン塗布時、ダム10によって流出を
阻止されるため、レジン11はダム10(ソルダーレジ
スト9)上には延在しないことになる。したがって、従
来のように、上・下型35,36がソルダーレジスト9
上のレジンを押圧して内部のリード3に大きな押圧力が
加わる結果起きるリード3の破断やリード3の局所的な
薄肉化等の不良は発生しなくなり、実装される半導体装
置1の信頼性が高くなる。
て、パッケージ12を形成するレジン11が、半導体装
置1の製造時のレジン塗布時、ダム10によって流出を
阻止されるため、レジン11はダム10(ソルダーレジ
スト9)上には延在しないことになる。したがって、従
来のように、上・下型35,36がソルダーレジスト9
上のレジンを押圧して内部のリード3に大きな押圧力が
加わる結果起きるリード3の破断やリード3の局所的な
薄肉化等の不良は発生しなくなり、実装される半導体装
置1の信頼性が高くなる。
【0030】
【発明の効果】(1)本発明のテープキャリヤは、デバ
イスホール周囲にダムが設けられていることから、パッ
ケージ形成時のレジン塗布時、レジンの外方への流出を
防止できるという効果が得られる。
イスホール周囲にダムが設けられていることから、パッ
ケージ形成時のレジン塗布時、レジンの外方への流出を
防止できるという効果が得られる。
【0031】(2)上記(1)により、本発明のテープ
キャリヤは、レジンの流出をダムによって防止できるこ
とから、リードパターンの小型化が図れ、小型のTCP
構造の半導体装置の製造に寄与できるという効果が得ら
れる。
キャリヤは、レジンの流出をダムによって防止できるこ
とから、リードパターンの小型化が図れ、小型のTCP
構造の半導体装置の製造に寄与できるという効果が得ら
れる。
【0032】(3)本発明のテープキャリヤパッケージ
は、デバイスホール周囲にレジン流出防止用のダムを有
するテープキャリヤを使用して製造されていることか
ら、ダムの外側にレジンが流出しない半導体装置部分を
有することができるという効果が得られる。
は、デバイスホール周囲にレジン流出防止用のダムを有
するテープキャリヤを使用して製造されていることか
ら、ダムの外側にレジンが流出しない半導体装置部分を
有することができるという効果が得られる。
【0033】(4)上記(3)により、本発明のテープ
キャリヤパッケージにあっては、各半導体装置部分にお
いて、ダムの外側にレジンが流出していないことから、
アウタリードボンダの金型の上・下型間でテープキャリ
ヤパッケージ部分を挟持した場合、リードを破断させた
り、局所的に薄肉部を発生させることがないという効果
が得られる。
キャリヤパッケージにあっては、各半導体装置部分にお
いて、ダムの外側にレジンが流出していないことから、
アウタリードボンダの金型の上・下型間でテープキャリ
ヤパッケージ部分を挟持した場合、リードを破断させた
り、局所的に薄肉部を発生させることがないという効果
が得られる。
【0034】(5)上記(4)により、本発明のテープ
キャリヤパッケージにおいては、アウタリードボンディ
ング時にリードを破断させることがないことから、アウ
タリードボンディングの歩留り向上を達成することがで
きるという効果が得られる。
キャリヤパッケージにおいては、アウタリードボンディ
ング時にリードを破断させることがないことから、アウ
タリードボンディングの歩留り向上を達成することがで
きるという効果が得られる。
【0035】(6)上記(4)により、本発明のテープ
キャリヤパッケージにおいては、アウタリードボンディ
ング時にリードを局所的に薄肉化させることがない。し
たがって、実装された本発明によるTCP構造の半導体
装置の実装の信頼性が高くなるという効果が得られる。
キャリヤパッケージにおいては、アウタリードボンディ
ング時にリードを局所的に薄肉化させることがない。し
たがって、実装された本発明によるTCP構造の半導体
装置の実装の信頼性が高くなるという効果が得られる。
【0036】(7)上記(1)により、本発明のTCP
構造の半導体装置は、リードパターンの小型化が図れる
テープキャリヤを使用して製造されるため、小型化が可
能となるという効果が得られる。
構造の半導体装置は、リードパターンの小型化が図れる
テープキャリヤを使用して製造されるため、小型化が可
能となるという効果が得られる。
【0037】(8)上記(1)〜(7)により、本発明
によれば、リードの信頼性が高くかつ小型化が可能なT
CP構造の半導体装置を提供することができるという相
乗効果が得られる。
によれば、リードの信頼性が高くかつ小型化が可能なT
CP構造の半導体装置を提供することができるという相
乗効果が得られる。
【0038】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない、たとえば、
図8は本発明の他の実施例によるテープキャリヤパッケ
ージを示す断面図である。この実施例では、テープ2の
裏面側にもデバイスホール27の縁近傍に沿ってダム4
0を設け、裏面側でのレジン11の流出を防止するよう
にしても前記実施例同様な効果が得られる。
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない、たとえば、
図8は本発明の他の実施例によるテープキャリヤパッケ
ージを示す断面図である。この実施例では、テープ2の
裏面側にもデバイスホール27の縁近傍に沿ってダム4
0を設け、裏面側でのレジン11の流出を防止するよう
にしても前記実施例同様な効果が得られる。
【0039】図9は本発明の他の実施例によるテープキ
ャリヤパッケージを示す断面図である。この実施例は、
テープ2上のリード3を被う従来のソルダーレジスト9
の上に部分的にダム45を設けた例である。このソルダ
ーレジスト9は、厚さが20〜30μm以下となる従来
のソルダーレジスト9であり、ダム45が存在する部分
だけ、パッケージ12を形成するレジン11の塗布厚さ
と同じ、あるいはそれ以上の厚さとしている。このダム
45は、ソルダーレジストで形成しても良く、あるいは
レジンの濡れ性の低い他の樹脂等の物質で形成してもよ
い。レジンの濡れ性が低い樹脂等の物質の場合、前記ダ
ム45の高さは、レジン11の塗布厚さよりも低くて
も、濡れ性が低いことによってレジン11の流出を抑止
できることになる。したがって、図1に示す前記実施例
の場合でも、ダム10をソルダーレジスト以外のレジン
の濡れ性の悪い樹脂等の物質で形成した場合には、レジ
ン11の塗布厚さよりもダム10の厚さを低くしてもよ
い。
ャリヤパッケージを示す断面図である。この実施例は、
テープ2上のリード3を被う従来のソルダーレジスト9
の上に部分的にダム45を設けた例である。このソルダ
ーレジスト9は、厚さが20〜30μm以下となる従来
のソルダーレジスト9であり、ダム45が存在する部分
だけ、パッケージ12を形成するレジン11の塗布厚さ
と同じ、あるいはそれ以上の厚さとしている。このダム
45は、ソルダーレジストで形成しても良く、あるいは
レジンの濡れ性の低い他の樹脂等の物質で形成してもよ
い。レジンの濡れ性が低い樹脂等の物質の場合、前記ダ
ム45の高さは、レジン11の塗布厚さよりも低くて
も、濡れ性が低いことによってレジン11の流出を抑止
できることになる。したがって、図1に示す前記実施例
の場合でも、ダム10をソルダーレジスト以外のレジン
の濡れ性の悪い樹脂等の物質で形成した場合には、レジ
ン11の塗布厚さよりもダム10の厚さを低くしてもよ
い。
【0040】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるLCD
用半導体装置の製造技術に適用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではない。本発明は少なく
ともレジンを塗布する構造のTCP構造の半導体装置の
製造技術には適用できる。
なされた発明をその背景となった利用分野であるLCD
用半導体装置の製造技術に適用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではない。本発明は少なく
ともレジンを塗布する構造のTCP構造の半導体装置の
製造技術には適用できる。
【図1】 本発明の一実施例によるTCP構造の半導体
装置の実装状態を示す断面図である。
装置の実装状態を示す断面図である。
【図2】 本発明の一実施例によるテープキャリヤの一
部を示す平面図である。
部を示す平面図である。
【図3】 本発明の一実施例によるテープキャリヤの断
面図である。
面図である。
【図4】 本発明の一実施例によるテープキャリヤパッ
ケージの一部を切り欠いた状態の平面図である。
ケージの一部を切り欠いた状態の平面図である。
【図5】 本発明の一実施例によるテープキャリヤパッ
ケージの断面図である。
ケージの断面図である。
【図6】 本発明のテープキャリヤパッケージから半導
体装置部分を切断分離する状態を示す断面図である。
体装置部分を切断分離する状態を示す断面図である。
【図7】 本発明のTCP構造の半導体装置の平面図で
ある。
ある。
【図8】 本発明の他の実施例によるテープキャリヤパ
ッケージを示す断面図である。
ッケージを示す断面図である。
【図9】 本発明の他の実施例によるテープキャリヤパ
ッケージを示す断面図である。
ッケージを示す断面図である。
1…半導体装置、2…テープ、3…リード、4…インナ
リード、5…アウタリード、6…Auバンプ、7…半導
体チップ、9…ソルダーレジスト、10…ダム、11…
レジン、12…パッケージ、15…入力リード、16…
TAB実装基板、17…導体層、18…半田、19…出
力リード、20…LCDパネル、21…導体層、22…
異方性導電シート、25…テープキャリヤ、26…スプ
ロケットホール、27…デバイスホール、29…スリッ
ト穴、30…半導体装置部分、31…テープキャリヤパ
ッケージ、35…上型、36…下型、37…切断刃、4
0,45…ダム。
リード、5…アウタリード、6…Auバンプ、7…半導
体チップ、9…ソルダーレジスト、10…ダム、11…
レジン、12…パッケージ、15…入力リード、16…
TAB実装基板、17…導体層、18…半田、19…出
力リード、20…LCDパネル、21…導体層、22…
異方性導電シート、25…テープキャリヤ、26…スプ
ロケットホール、27…デバイスホール、29…スリッ
ト穴、30…半導体装置部分、31…テープキャリヤパ
ッケージ、35…上型、36…下型、37…切断刃、4
0,45…ダム。
Claims (4)
- 【請求項1】 絶縁性のテープと、このテープの主面に
設けられたリードパターンと、前記リードパターンを構
成する各リードの内端部に電極を介して接続された半導
体チップと、前記半導体チップおよびリード内端部分を
被うレジンからなるパッケージとを有する半導体装置で
あって、前記テープの少なくとも主面にはパッケージの
外周縁を規定するダムが設けられていることを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項2】 細長の絶縁性テープと、このテープの主
面に設けられた複数のリードパターンと、前記各リード
パターンの各リードの内端部に電極を介して接続された
半導体チップと、前記半導体チップおよびリード内端部
分を被うレジンからなるパッケージとを有するテープキ
ャリヤパッケージであって、前記テープの少なくとも主
面には各パッケージの外周縁を規定するダムが設けられ
ていることを特徴とするテープキャリヤパッケージ。 - 【請求項3】 細長の絶縁性テープと、このテープの主
面に設けられた複数のリードパターンとからなるテープ
キャリヤであって、前記テープの少なくとも主面には各
リードパターンにおいてレジンの流出を阻止するダムが
設けられていることを特徴とするテープキャリヤ。 - 【請求項4】 前記ダムは前記リードの内端近傍から外
端近傍に亘って設けられるソルダーレジストによって形
成され、塗布されるレジンの厚さと略同一かそれ以上の
厚さに形成されていることを特徴とする請求項3記載の
テープキャリヤ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5115750A JPH06333996A (ja) | 1993-05-18 | 1993-05-18 | 半導体装置およびテープキャリヤパッケージならびにその製造に用いるテープキャリヤ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5115750A JPH06333996A (ja) | 1993-05-18 | 1993-05-18 | 半導体装置およびテープキャリヤパッケージならびにその製造に用いるテープキャリヤ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06333996A true JPH06333996A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=14670132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5115750A Pending JPH06333996A (ja) | 1993-05-18 | 1993-05-18 | 半導体装置およびテープキャリヤパッケージならびにその製造に用いるテープキャリヤ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06333996A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990070186A (ko) * | 1998-02-18 | 1999-09-15 | 윤종용 | 테이프 캐리어 패키지 |
| CN115579294A (zh) * | 2021-06-21 | 2023-01-06 | 碁鼎科技秦皇岛有限公司 | 封装结构、封装基板及其制造方法 |
-
1993
- 1993-05-18 JP JP5115750A patent/JPH06333996A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990070186A (ko) * | 1998-02-18 | 1999-09-15 | 윤종용 | 테이프 캐리어 패키지 |
| CN115579294A (zh) * | 2021-06-21 | 2023-01-06 | 碁鼎科技秦皇岛有限公司 | 封装结构、封装基板及其制造方法 |
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