JPH06334218A - 発光ダイオード素子 - Google Patents
発光ダイオード素子Info
- Publication number
- JPH06334218A JPH06334218A JP12126693A JP12126693A JPH06334218A JP H06334218 A JPH06334218 A JP H06334218A JP 12126693 A JP12126693 A JP 12126693A JP 12126693 A JP12126693 A JP 12126693A JP H06334218 A JPH06334218 A JP H06334218A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitting diode
- light emitting
- electrode
- diode element
- crystal layer
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＧａＰ系発光ダイオード素子の組立工程にお
ける加圧によるクラック防止で、高信頼性化と高輝度化
を図る。 【構成】 ＧａＰ基板上にＮ型エピタキシャル結晶層及
びＰ型エピタキシャル結晶層を成長させ、ＰＮ接合を形
成した発光ダイオード素子の天面をエッチングで粗化す
る際に、天面電極周辺に所定幅の非エッチング部を設け
る。 【効果】 発光ダイオード素子の組立（ダイスボンディ
ング、ワイヤーボンディング）工程におけるクラック防
止に大きな効果がある。
ける加圧によるクラック防止で、高信頼性化と高輝度化
を図る。 【構成】 ＧａＰ基板上にＮ型エピタキシャル結晶層及
びＰ型エピタキシャル結晶層を成長させ、ＰＮ接合を形
成した発光ダイオード素子の天面をエッチングで粗化す
る際に、天面電極周辺に所定幅の非エッチング部を設け
る。 【効果】 発光ダイオード素子の組立（ダイスボンディ
ング、ワイヤーボンディング）工程におけるクラック防
止に大きな効果がある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は可視発光ダイオード素子
の高輝度化と高信頼性化に関する。
の高輝度化と高信頼性化に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＧａＰ基板結晶を用いた発光ダイ
オード素子の構造を図３に天面図（ａ）および側断面図
（ｂ）で示す。この構造は、Ｎ型ＧａＰ基板１上に、液
相エピタキシャル結晶成長法を用いて、Ｎ型エピタキシ
ャル結晶層２及びＰ型エピタキシャル結晶層３を成長さ
せ、ＰＮ接合を形成している。次に、Ｎ型ＧａＰ基板１
の裏面にＡｕ合金等を蒸着させてＮ電極４を形成し、ま
たＰ型エピタキシャル結晶層３の表面にＰ電極５を形成
している。
オード素子の構造を図３に天面図（ａ）および側断面図
（ｂ）で示す。この構造は、Ｎ型ＧａＰ基板１上に、液
相エピタキシャル結晶成長法を用いて、Ｎ型エピタキシ
ャル結晶層２及びＰ型エピタキシャル結晶層３を成長さ
せ、ＰＮ接合を形成している。次に、Ｎ型ＧａＰ基板１
の裏面にＡｕ合金等を蒸着させてＮ電極４を形成し、ま
たＰ型エピタキシャル結晶層３の表面にＰ電極５を形成
している。
【０００３】さらに、光の外部取出し効率を高めて発光
ダイオード素子の高輝度化を図るために、発光ダイオー
ド素子の天面６のＰ電極５の外側をＨＣｌ（塩酸）等で
エッチングして粗化したものが使用されている。
ダイオード素子の高輝度化を図るために、発光ダイオー
ド素子の天面６のＰ電極５の外側をＨＣｌ（塩酸）等で
エッチングして粗化したものが使用されている。
【０００４】図４は従来の発光ダイオード素子のＰ電極
端部の拡大断面図である。図４において、エッチング部
６がＰ電極下端からＰ電極５の下部に入り込み、そのサ
イドエッチング量８’は平均２〜３μｍとなっていた。
端部の拡大断面図である。図４において、エッチング部
６がＰ電極下端からＰ電極５の下部に入り込み、そのサ
イドエッチング量８’は平均２〜３μｍとなっていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来例の発光ダイオー
ド素子で天面をエッチングにより粗化したものは、Ｐ電
極５の下部までエッチングが進行することがある。この
ため、発光ダイオード素子をコレットによりダイスボン
ディングする場合のストレスやキャピラリによりＰ電極
５へワイヤボンディングする場合のストレスにより、Ｐ
電極５の下部でＰ型結晶層３にクラックが発生しやすい
課題があった。本発明は、前記クラックの発生しない発
光ダイオード素子を提供することにある。
ド素子で天面をエッチングにより粗化したものは、Ｐ電
極５の下部までエッチングが進行することがある。この
ため、発光ダイオード素子をコレットによりダイスボン
ディングする場合のストレスやキャピラリによりＰ電極
５へワイヤボンディングする場合のストレスにより、Ｐ
電極５の下部でＰ型結晶層３にクラックが発生しやすい
課題があった。本発明は、前記クラックの発生しない発
光ダイオード素子を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の発光ダイオード
素子は、天面のエッチングによる粗化の際に、同天面の
電極周辺に非粗化部を設けて、電極部と粗化部とを分離
したものである。
素子は、天面のエッチングによる粗化の際に、同天面の
電極周辺に非粗化部を設けて、電極部と粗化部とを分離
したものである。
【０００７】
【作用】本発明の発光ダイオード素子は、電極の周囲に
エッチングによる粗化を行わない、非粗化部を有するた
め、Ｐ電極下部までエッチングが進行しない。このた
め、ダイスボンディングやワイヤーボンディング時にＰ
電極下部のＰ型結晶層にクラックが発生しないことにな
る。
エッチングによる粗化を行わない、非粗化部を有するた
め、Ｐ電極下部までエッチングが進行しない。このた
め、ダイスボンディングやワイヤーボンディング時にＰ
電極下部のＰ型結晶層にクラックが発生しないことにな
る。
【０００８】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明
する。図１は本発明の一実施例に係る発光ダイオード素
子の天面図（ａ）と側断面図（ｂ）である。この構造
は、Ｎ型のＧａＰ基板１上に液相エピタキシャル結晶成
長法を用いて、Ｎ型エピタキシャル結晶層２及びＰ型エ
ピタキシャル結晶層３を成長させ、ＰＮ接合を形成す
る。次にＮ型ＧａＰ基板１の裏面にＡｕ合金等を蒸着さ
せてＮ電極４を形成し、またＰ型結晶層３の表面にＰ電
極５を形成した後、Ｐ電極５の周囲をＳｉＯ2膜でマス
キングする。この後発光ダイオード素子の天面をＨＣｌ
等でエッチングして粗化した後、マスキング部のＳｉＯ
2膜を除去する。これにより、Ｐ電極５の周囲にエッチ
ングを行わない非粗化部、すなわち、非エッチング部７
を設けることができ、Ｐ電極５は安定した状態でＰ型エ
ピタキシャル結晶層３に載置されることになる。
する。図１は本発明の一実施例に係る発光ダイオード素
子の天面図（ａ）と側断面図（ｂ）である。この構造
は、Ｎ型のＧａＰ基板１上に液相エピタキシャル結晶成
長法を用いて、Ｎ型エピタキシャル結晶層２及びＰ型エ
ピタキシャル結晶層３を成長させ、ＰＮ接合を形成す
る。次にＮ型ＧａＰ基板１の裏面にＡｕ合金等を蒸着さ
せてＮ電極４を形成し、またＰ型結晶層３の表面にＰ電
極５を形成した後、Ｐ電極５の周囲をＳｉＯ2膜でマス
キングする。この後発光ダイオード素子の天面をＨＣｌ
等でエッチングして粗化した後、マスキング部のＳｉＯ
2膜を除去する。これにより、Ｐ電極５の周囲にエッチ
ングを行わない非粗化部、すなわち、非エッチング部７
を設けることができ、Ｐ電極５は安定した状態でＰ型エ
ピタキシャル結晶層３に載置されることになる。
【０００９】次に、詳細にＰ電極端部の構造を説明す
る。図２は本発明の一実施例に係るＰ電極端部の拡大断
面図である。図２ではＰ電極５の下端に０．５μｍ以下
のサイドエッチング量８に相当する構造が見られるが、
これは電極エッチングによるものであり、クラック発生
の現象からみると、実用上ほとんど問題にならない。こ
うして発光ダイオード素子天面のエッチング部６は非エ
ッチング部７があるためにＰ電極５に達することがな
い。この結果、実際に同一組立条件のもとで、従来の発
光ダイオード素子と本発明の発光ダイオード素子のクラ
ック発生率を比較したところ、従来構造の発光ダイオー
ド素子において数百ｐｐｍのクラック発生率が本発明の
発光ダイオード素子ではゼロであることが確認された。
る。図２は本発明の一実施例に係るＰ電極端部の拡大断
面図である。図２ではＰ電極５の下端に０．５μｍ以下
のサイドエッチング量８に相当する構造が見られるが、
これは電極エッチングによるものであり、クラック発生
の現象からみると、実用上ほとんど問題にならない。こ
うして発光ダイオード素子天面のエッチング部６は非エ
ッチング部７があるためにＰ電極５に達することがな
い。この結果、実際に同一組立条件のもとで、従来の発
光ダイオード素子と本発明の発光ダイオード素子のクラ
ック発生率を比較したところ、従来構造の発光ダイオー
ド素子において数百ｐｐｍのクラック発生率が本発明の
発光ダイオード素子ではゼロであることが確認された。
【００１０】
【発明の効果】本発明によれば、発光ダイオード素子天
面のエッチングによる粗化が電極下部まで進行すること
がなく、発光ダイオードの組立て（特にダイスボンディ
ング及びワイヤーボンディング）時に電極下部にクラッ
クが発生することがない。したがって、発光ダイオード
の高輝度化と高信頼性化に大きく寄与することができ
る。
面のエッチングによる粗化が電極下部まで進行すること
がなく、発光ダイオードの組立て（特にダイスボンディ
ング及びワイヤーボンディング）時に電極下部にクラッ
クが発生することがない。したがって、発光ダイオード
の高輝度化と高信頼性化に大きく寄与することができ
る。
【図１】本発明の一実施例に係る発光ダイオード素子の
構造図
構造図
【図２】本発明の一実施例に係る発光ダイオード素子の
Ｐ電極端部断面図
Ｐ電極端部断面図
【図３】従来の発光ダイオード素子の構造図
【図４】従来の発光ダイオード素子のＰ電極端部断面図
１ Ｎ型ＧａＰ基板 ２ Ｎ型エピタキシャル結晶層 ３ Ｐ型エピタキシャル結晶層 ４ Ｎ電極 ５ Ｐ電極 ６ エッチング部 ７ 非エッチング部 ８、８’ サイドエッチング量
Claims (1)
- 【請求項１】 ＧａＰ基板上に液相エピタキシャル結晶
成長法を用いてＮ型エピタキシャル結晶層及びＰ型エピ
タキシャル結晶層を成長させＰＮ接合を形成した発光ダ
イオード素子において、同発光ダイオード素子の天面電
極外周に、同天面のエッチング粗化部から分離する所定
幅の非粗化領域を配置したことを特徴とする発光ダイオ
ード素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12126693A JPH06334218A (ja) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | 発光ダイオード素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12126693A JPH06334218A (ja) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | 発光ダイオード素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06334218A true JPH06334218A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=14807003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12126693A Pending JPH06334218A (ja) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | 発光ダイオード素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06334218A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003524884A (ja) * | 1999-09-10 | 2003-08-19 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | パターニングされた表面を備えた発光ダイオード |
| JP2005116615A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Dowa Mining Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2010045288A (ja) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
| JP5310564B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2013-10-09 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2018050070A (ja) * | 2017-11-21 | 2018-03-29 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
| JP2020065041A (ja) * | 2018-10-12 | 2020-04-23 | ローム株式会社 | 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 |
| US11626539B2 (en) | 2018-10-12 | 2023-04-11 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device |
-
1993
- 1993-05-24 JP JP12126693A patent/JPH06334218A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003524884A (ja) * | 1999-09-10 | 2003-08-19 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | パターニングされた表面を備えた発光ダイオード |
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| JP2013211595A (ja) * | 2007-12-28 | 2013-10-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
| EP2234182A4 (en) * | 2007-12-28 | 2014-09-03 | Nichia Corp | SEMICONDUCTOR LIGHT ELEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| US8883529B2 (en) | 2007-12-28 | 2014-11-11 | Nichia Corporation | Method for manufacturing semiconductor light emitting device |
| US9159868B2 (en) | 2007-12-28 | 2015-10-13 | Nichia Corporation | Method for manufacturing semiconductor light emitting device |
| JP2010045288A (ja) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
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| JP2020065041A (ja) * | 2018-10-12 | 2020-04-23 | ローム株式会社 | 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 |
| US11626539B2 (en) | 2018-10-12 | 2023-04-11 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device |
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