JPH063372B2 - 表面粗さ測定装置 - Google Patents
表面粗さ測定装置Info
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- JPH063372B2 JPH063372B2 JP7384187A JP7384187A JPH063372B2 JP H063372 B2 JPH063372 B2 JP H063372B2 JP 7384187 A JP7384187 A JP 7384187A JP 7384187 A JP7384187 A JP 7384187A JP H063372 B2 JPH063372 B2 JP H063372B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は超精密加工面などの被測定面を走査してその
表面粗さを測定するための装置に関する。
表面粗さを測定するための装置に関する。
（従来の技術とその問題点） 磁気ディスクや光ディスク、それに半導体ウエハなどに
おいては、その表面を超精密加工するとともに、加工後
の表面粗さを高精度で測定しておく必要がある。このよ
うな表面粗さの測定においては、通常、機械的な触針式
の粗さ計が用いられるが、被測定面が軟かい場合には測
定によって被測定面に傷が付いてしまうため、非接触式
の表面粗さ測定装置を使用することが望ましい。この種
の非接触式表面粗さ測定装置として代表的なものは光学
式の装置であるが、そのうちでミロー型干渉機構を利用
した装置の例を第９図に示す。同図において、光源１か
ら与えられた光Ｌはハーフミラー２で反射され、集光レ
ンズ３によって集光されて、ミロー型干渉機構４に到達
する。このミロー型干渉機構４は、透明板５の一部に遮
光部６を設け、さらに、この透明板５に平行にビームス
プリッタ（ハーフミラー）７を配設して形成されてい
る。
おいては、その表面を超精密加工するとともに、加工後
の表面粗さを高精度で測定しておく必要がある。このよ
うな表面粗さの測定においては、通常、機械的な触針式
の粗さ計が用いられるが、被測定面が軟かい場合には測
定によって被測定面に傷が付いてしまうため、非接触式
の表面粗さ測定装置を使用することが望ましい。この種
の非接触式表面粗さ測定装置として代表的なものは光学
式の装置であるが、そのうちでミロー型干渉機構を利用
した装置の例を第９図に示す。同図において、光源１か
ら与えられた光Ｌはハーフミラー２で反射され、集光レ
ンズ３によって集光されて、ミロー型干渉機構４に到達
する。このミロー型干渉機構４は、透明板５の一部に遮
光部６を設け、さらに、この透明板５に平行にビームス
プリッタ（ハーフミラー）７を配設して形成されてい
る。
そして、このミロー型反射機構４に入射した光のうちの
一部はそのまま図の下方へと進み、被測定物８の被測定
面９で反射されて反射光ＬＳとなる。この反射光ＬＳは
ミロー型反射機構４を逆向き（上向き）に通って集光レ
ンズ３に到達する。
一部はそのまま図の下方へと進み、被測定物８の被測定
面９で反射されて反射光ＬＳとなる。この反射光ＬＳは
ミロー型反射機構４を逆向き（上向き）に通って集光レ
ンズ３に到達する。
一方、集光レンズ３から透明板５を経てビームスプリッ
タ７に到達した光の残りの部分は、このビームスプリッ
タ７の表面で反射された後、透明板５の表面（参照面１
０）でも反射されて反射光ＬＲとなる。そして、さらに
ビームスプリッタ７で反射された後に透明板５を透過
し、集光レンズ３に向かって進行する。
タ７に到達した光の残りの部分は、このビームスプリッ
タ７の表面で反射された後、透明板５の表面（参照面１
０）でも反射されて反射光ＬＲとなる。そして、さらに
ビームスプリッタ７で反射された後に透明板５を透過
し、集光レンズ３に向かって進行する。
このため、集光レンズ３を通して図の上方に向う光Ｉ
は、被測定面９で反射した光ＬＳと参照面１０で反射さ
れた光ＬＲとの干渉光となる。そして、これらの２種類
の反射光ＬＳ，ＬＲの光路差は、ビームスプリッタ７
と参照面１０との間の往復に要する光学距離と、ビー
ムスプリッタ７と被測定面９との間の往復に要する光学
距離との差となっている。したがって、これらの光学距
離をそれぞれＤＲ，ＤＳと書くと、（ＤＲ−ＤＳ）の値
と、照射光Ｌの波長λとの関係によって定まる位相差δ
が２つの反射光ＬＲ，ＬＳの間に生じ、その位相差δに
応じて干渉光Ｉの強度が変化する。このため、干渉光Ｉ
の強度を光センサ１１で検出すれば、ビームスプリッタ
７と被測定面９との間の距離、したがって被測定面９の
うち光照射を行なっている部分の高さがわかる。そし
て、被測定物８を図の水平方向に並進移動させ、それに
よって被測定面９の全体を走査することによって、被測
定面９の粗さが測定される。
は、被測定面９で反射した光ＬＳと参照面１０で反射さ
れた光ＬＲとの干渉光となる。そして、これらの２種類
の反射光ＬＳ，ＬＲの光路差は、ビームスプリッタ７
と参照面１０との間の往復に要する光学距離と、ビー
ムスプリッタ７と被測定面９との間の往復に要する光学
距離との差となっている。したがって、これらの光学距
離をそれぞれＤＲ，ＤＳと書くと、（ＤＲ−ＤＳ）の値
と、照射光Ｌの波長λとの関係によって定まる位相差δ
が２つの反射光ＬＲ，ＬＳの間に生じ、その位相差δに
応じて干渉光Ｉの強度が変化する。このため、干渉光Ｉ
の強度を光センサ１１で検出すれば、ビームスプリッタ
７と被測定面９との間の距離、したがって被測定面９の
うち光照射を行なっている部分の高さがわかる。そし
て、被測定物８を図の水平方向に並進移動させ、それに
よって被測定面９の全体を走査することによって、被測
定面９の粗さが測定される。
より定量的には被測定面９のｚ方向の高さを、面内位置
を示す（ｘ，ｙ）座標を変数としてｈ（ｘ，ｙ）のよう
に書いたとき、被測定面９からの反射光ＬＳの波面は、 Ｗｔ（ｘ，ｙ）＝ａ exp［ｉ２ｋｈ（ｘ，ｙ）］…(1) と書ける。ただし、ａは振幅であり、ｋは照射光Ｌの波
数（＝２π／λ）、λは照射光Ｌの波長である。また、
参照面１０からの反射光ＬＲの波面は、 Ｗｒ（ｘ，ｙ）＝ｂ exp（ｉｋδ）…(2) と書ける。ただし、ｂは振幅であり、δは参照面１０で
の反射による位相変化量である。
を示す（ｘ，ｙ）座標を変数としてｈ（ｘ，ｙ）のよう
に書いたとき、被測定面９からの反射光ＬＳの波面は、 Ｗｔ（ｘ，ｙ）＝ａ exp［ｉ２ｋｈ（ｘ，ｙ）］…(1) と書ける。ただし、ａは振幅であり、ｋは照射光Ｌの波
数（＝２π／λ）、λは照射光Ｌの波長である。また、
参照面１０からの反射光ＬＲの波面は、 Ｗｒ（ｘ，ｙ）＝ｂ exp（ｉｋδ）…(2) と書ける。ただし、ｂは振幅であり、δは参照面１０で
の反射による位相変化量である。
このため、光センサ１１で検出される干渉光Ｉの強度
は、 Ｉ（ｘ，ｙ，δ） ＝｜Ｗｔ（ｘ，ｙ）＋Ｗｒ（ｘ，ｙ）｜２ ＝α＋β cos［ｋ｛２ｈ（ｘ，ｙ）−δ｝］…(3) となる。ここで、 α≡ａ２＋ｂ２，β≡２ａｂ…(4) である。
は、 Ｉ（ｘ，ｙ，δ） ＝｜Ｗｔ（ｘ，ｙ）＋Ｗｒ（ｘ，ｙ）｜２ ＝α＋β cos［ｋ｛２ｈ（ｘ，ｙ）−δ｝］…(3) となる。ここで、 α≡ａ２＋ｂ２，β≡２ａｂ…(4) である。
(3)式によって、高さｈ（ｘ，ｙ）が変化した場合に
は、干渉光Ｉの強度Ｉ（ｘ，ｙ，δ）は第１０図のよう
に変化することがわかる。このため、干渉光Ｉの最大
値： Ｍａｘ＝（ａ＋ｂ）２…(5) と、最小値： Ｍｉｎ＝（ａ−ｂ）２…(6) それに、これらの差（強度幅）： Ｕ＝４ａｂ…(7) を定義すると、(3)式をｈ（ｘ，ｙ）について解くこと
により、 ｈ（ｘ，ｙ）＝（1/2）ｃｏｓ−１（Ｍ／Ｕ）…(8) Ｍ＝２Ｉ（ｘ，ｙ，δ）−（Ｍａｘ＋Ｍｉｎ）…(9) と書けるため、Ｍax，Ｍin，Ｕを知った上で強度Ｉ
（ｘ，ｙ，δ）を検出すれば、被測定面９の高さｈ
（ｘ，ｙ）の分布（したがって表面粗さ）を知ることが
できる。ただし、参照面１０は平滑であり、δ≒０であ
るとした。
は、干渉光Ｉの強度Ｉ（ｘ，ｙ，δ）は第１０図のよう
に変化することがわかる。このため、干渉光Ｉの最大
値： Ｍａｘ＝（ａ＋ｂ）２…(5) と、最小値： Ｍｉｎ＝（ａ−ｂ）２…(6) それに、これらの差（強度幅）： Ｕ＝４ａｂ…(7) を定義すると、(3)式をｈ（ｘ，ｙ）について解くこと
により、 ｈ（ｘ，ｙ）＝（1/2）ｃｏｓ−１（Ｍ／Ｕ）…(8) Ｍ＝２Ｉ（ｘ，ｙ，δ）−（Ｍａｘ＋Ｍｉｎ）…(9) と書けるため、Ｍax，Ｍin，Ｕを知った上で強度Ｉ
（ｘ，ｙ，δ）を検出すれば、被測定面９の高さｈ
（ｘ，ｙ）の分布（したがって表面粗さ）を知ることが
できる。ただし、参照面１０は平滑であり、δ≒０であ
るとした。
ところが、(3)式は余弦関数を含んでいるために高さｈ
（ｘ，ｙ）の変化に対して周期（λ／２）を有する周期
関数となっている。したがって、被測定面９の傾斜や曲
がりなどのよって高さｈ（ｘ，ｙ）が（λ／４）以上の
変動幅を持っていると第１０図の山点ｍaxや谷点ｍinが
必然的にこの変動幅の中に入ってしまう。そして、これ
らの山点ｍaxや谷点inの付近では高さｈ（ｘ，ｙ）に対
する強度Ｉ（ｘ，ｙ，δ）の変化率が小さいため、この
ような場合には測定精度が低下してしまうという問題が
あった。
（ｘ，ｙ）の変化に対して周期（λ／２）を有する周期
関数となっている。したがって、被測定面９の傾斜や曲
がりなどのよって高さｈ（ｘ，ｙ）が（λ／４）以上の
変動幅を持っていると第１０図の山点ｍaxや谷点ｍinが
必然的にこの変動幅の中に入ってしまう。そして、これ
らの山点ｍaxや谷点inの付近では高さｈ（ｘ，ｙ）に対
する強度Ｉ（ｘ，ｙ，δ）の変化率が小さいため、この
ような場合には測定精度が低下してしまうという問題が
あった。
（発明の目的） この発明は従来技術における上述の問題の克服を意図し
ており、高さの変動幅が大きな被測定面などについても
高精度で表面粗さ測定を行なうことのできる表面粗さ測
定装置を提供することを目的とする。
ており、高さの変動幅が大きな被測定面などについても
高精度で表面粗さ測定を行なうことのできる表面粗さ測
定装置を提供することを目的とする。
（目的を達成するための手段） この発明は、被測定面と所定の参照面とに測定光を照射
して、前記被測定面からの第１の反射光と前記参照面か
らの第２の反射光とを干渉させ、前記被測定面を走査し
つつこの干渉光の強度を光センサで検出してゆくことに
よって前記被測定面の表面粗さを測定する表面粗さ測定
装置であって、上記目的を達成するため、前記被測定面
のうち、その時点において前記光センサで検出を行なっ
ている被検出領域の近傍領域からの反射光と前記参照面
からの反射光との光路差を求め、前記近傍領域と前記参
照面との光学的位置関係を検出する光学的位置関係検出
手段と、前記被測定面と前記参照面とを相対的に移動さ
せて、前記被測定面と前記参照面との光学的位置関係を
調整する移動機構と、前記光学的位置関係検出手段から
出力される前記光路差に基づいて、第１と第２の反射光
の位相差がπ／２の奇数倍付近の所定範囲内の値となる
ように、前記移動機構を制御して前記被測定面と前記参
照面とを調整量だけ相対的に移動させ、前記被測定面と
前記参照面との光学的位置関係を調整制御する光学的位
置関係調整制御手段と、前記光センサによる検出結果に
前記光学的位置関係調整制御手段による前記調整量を加
え、前記検出結果を補正する補正手段とを備え、前記調
整制御を行ないつつ前記走査と前記検出とを行ない、前
記検出結果に前記補正を施して前記被測定面の表面粗さ
を測定するようにしている。
して、前記被測定面からの第１の反射光と前記参照面か
らの第２の反射光とを干渉させ、前記被測定面を走査し
つつこの干渉光の強度を光センサで検出してゆくことに
よって前記被測定面の表面粗さを測定する表面粗さ測定
装置であって、上記目的を達成するため、前記被測定面
のうち、その時点において前記光センサで検出を行なっ
ている被検出領域の近傍領域からの反射光と前記参照面
からの反射光との光路差を求め、前記近傍領域と前記参
照面との光学的位置関係を検出する光学的位置関係検出
手段と、前記被測定面と前記参照面とを相対的に移動さ
せて、前記被測定面と前記参照面との光学的位置関係を
調整する移動機構と、前記光学的位置関係検出手段から
出力される前記光路差に基づいて、第１と第２の反射光
の位相差がπ／２の奇数倍付近の所定範囲内の値となる
ように、前記移動機構を制御して前記被測定面と前記参
照面とを調整量だけ相対的に移動させ、前記被測定面と
前記参照面との光学的位置関係を調整制御する光学的位
置関係調整制御手段と、前記光センサによる検出結果に
前記光学的位置関係調整制御手段による前記調整量を加
え、前記検出結果を補正する補正手段とを備え、前記調
整制御を行ないつつ前記走査と前記検出とを行ない、前
記検出結果に前記補正を施して前記被測定面の表面粗さ
を測定するようにしている。
（実施例） Ａ．実施例の構成 第１図は、この発明の一実施例である表面粗さ測定装置
１００を示す図である。この装置１００は、被測定物８
を支持・移動させるための支持機構２０と、後述する光
学系や検出系を含んだセンサヘッド３０とを備えてい
る。このうち、支持機構２０は、固定台１２上を図のｘ
方向に移動する電動スライドテーブル２２を有してお
り、この電動スライドテーブル２２は、リニアアクチュ
エータ２３の駆動力によって上記移動を行なう。
１００を示す図である。この装置１００は、被測定物８
を支持・移動させるための支持機構２０と、後述する光
学系や検出系を含んだセンサヘッド３０とを備えてい
る。このうち、支持機構２０は、固定台１２上を図のｘ
方向に移動する電動スライドテーブル２２を有してお
り、この電動スライドテーブル２２は、リニアアクチュ
エータ２３の駆動力によって上記移動を行なう。
電動スライドテーブル２２上には、３個のＰＺＴ２４ａ
〜２４ｃがほぼ正三角形状に固定配置されており、この
ＰＺＴ２４ａ〜２４ｃ上にサンプル台２５が取付けられ
ている。被測定物（サンプル）８はこのサンプル台２５
上に載置されている。ＰＺＴ２４ａ〜２４ｃはＰＺＴコ
ントローラ５２から与えられるＰＺＴ制御信号Ｖによっ
て図のＺ方向に個別に伸縮する。その結果、サンプル台
２５（したがって被測定物８の被測定面９）は、その面
の姿勢と法線方向ｎについての位置（図示例ではｚ方向
の高さ）とが可変となっている。
〜２４ｃがほぼ正三角形状に固定配置されており、この
ＰＺＴ２４ａ〜２４ｃ上にサンプル台２５が取付けられ
ている。被測定物（サンプル）８はこのサンプル台２５
上に載置されている。ＰＺＴ２４ａ〜２４ｃはＰＺＴコ
ントローラ５２から与えられるＰＺＴ制御信号Ｖによっ
て図のＺ方向に個別に伸縮する。その結果、サンプル台
２５（したがって被測定物８の被測定面９）は、その面
の姿勢と法線方向ｎについての位置（図示例ではｚ方向
の高さ）とが可変となっている。
一方、センサヘッド３０は、中空円筒状のセンサ筒４５
の下端に、集光レンズ３１とミロー型干渉機構３２とを
備えている。ただし、この実施例では、第２図に示すよ
うに、集光レンズ３１として、その下面が平坦なレンズ
（ミロ型対物レンズ）を使用し、この平坦面を参照面３
３として使用する。また、この参照面３３の中心部付近
には遮光層６１が埋込まれている。さらに、ハーフミラ
ー３４は第９図のビームスプリッタ７と同様の機能を果
する。
の下端に、集光レンズ３１とミロー型干渉機構３２とを
備えている。ただし、この実施例では、第２図に示すよ
うに、集光レンズ３１として、その下面が平坦なレンズ
（ミロ型対物レンズ）を使用し、この平坦面を参照面３
３として使用する。また、この参照面３３の中心部付近
には遮光層６１が埋込まれている。さらに、ハーフミラ
ー３４は第９図のビームスプリッタ７と同様の機能を果
する。
集光レンズ３１の上方には、第１図の単色光源３５から
の光を部分反射するハーフミラー３６が設けられてお
り、さらにこのハーフミラー３６の上方には遮光部３７
が設けられている。この遮光部３７の中心には所定のサ
イズ（たとえば直径１０μｍ）のピンホール３８が穿設
されており、このピンホール３８の上方には光電子増倍
管３９が位置決めされている。また、遮光板３７の下面
には、上記ピンホール３８を中心とした同心円上に３個
のシリコンフォトディテクタ４０ａ〜４０ｃはほぼ等角
度間隔で固定されている。これらのフォトディテクタ４
０ａ〜４０ｃは比較的大きなセンサ面を有しているとと
もに、上記光電子増倍管３９のセンサ面に対して固定的
な位置関係を有している。
の光を部分反射するハーフミラー３６が設けられてお
り、さらにこのハーフミラー３６の上方には遮光部３７
が設けられている。この遮光部３７の中心には所定のサ
イズ（たとえば直径１０μｍ）のピンホール３８が穿設
されており、このピンホール３８の上方には光電子増倍
管３９が位置決めされている。また、遮光板３７の下面
には、上記ピンホール３８を中心とした同心円上に３個
のシリコンフォトディテクタ４０ａ〜４０ｃはほぼ等角
度間隔で固定されている。これらのフォトディテクタ４
０ａ〜４０ｃは比較的大きなセンサ面を有しているとと
もに、上記光電子増倍管３９のセンサ面に対して固定的
な位置関係を有している。
後述する説明から明らかとなるように、以上の光学的構
成のうち、ミロー型干渉機構３２，ピンホール３８およ
び光電子増倍管３９によって、被測定面９のうちその時
点において光照射している領域Ａ（第３図）の中心に存
在する被検出領域Ｐと光電子増倍管３９の受光面（セン
サ面）との間の光学的位置関係（光学的距離）を検出す
る検出光学系が形成される。また、ミロー型干渉機構３
２およびフォトディテクタ４０ａ〜４０ｃによって、第
３図の被検出領域Ｐを囲む３個の近傍領域Ｒａ〜Ｒｃと
参照面３３との光学的位置関係の検出光学系が形成され
る。
成のうち、ミロー型干渉機構３２，ピンホール３８およ
び光電子増倍管３９によって、被測定面９のうちその時
点において光照射している領域Ａ（第３図）の中心に存
在する被検出領域Ｐと光電子増倍管３９の受光面（セン
サ面）との間の光学的位置関係（光学的距離）を検出す
る検出光学系が形成される。また、ミロー型干渉機構３
２およびフォトディテクタ４０ａ〜４０ｃによって、第
３図の被検出領域Ｐを囲む３個の近傍領域Ｒａ〜Ｒｃと
参照面３３との光学的位置関係の検出光学系が形成され
る。
次に、信号処理系統について説明する。この装置１００
の信号処理系統は２系統に大別されており、そのうちの
ひとつは検出データから表面粗さを演算して求める系統
である。この系統は、光電子増倍管３９とフォトディテ
クタ４０ａ〜４０ｃのそれぞれの検出出力（干渉信号）
Ｓｐ，ｓａ〜Ｓｃを取込んで、これらに対して後述する
演算を行ない、表面粗さを求めるコンピュータ５０と、
測定結果をプロットするプロッタ６５とによって形成さ
れている。
の信号処理系統は２系統に大別されており、そのうちの
ひとつは検出データから表面粗さを演算して求める系統
である。この系統は、光電子増倍管３９とフォトディテ
クタ４０ａ〜４０ｃのそれぞれの検出出力（干渉信号）
Ｓｐ，ｓａ〜Ｓｃを取込んで、これらに対して後述する
演算を行ない、表面粗さを求めるコンピュータ５０と、
測定結果をプロットするプロッタ６５とによって形成さ
れている。
一方、他の信号処置系統は、走査制御とＰＺＴ２４ａ〜
２４ｃの伸縮制御とを行なうためのものである。この系
統では、フォトディテクタ４０ａ〜４０ｃの検出出力
（干渉信号）Ｓａ〜Ｓｃを取込んでＰＺＴコントローラ
５２に駆動制御信号を出力する。この実施例では上記コ
ンピュータ５０によってこの機能を実現させている。ま
た、コンピュータ５０から走査移動のための走査制御信
号をリニアアクチュエータ電源回路５３に出力する。
２４ｃの伸縮制御とを行なうためのものである。この系
統では、フォトディテクタ４０ａ〜４０ｃの検出出力
（干渉信号）Ｓａ〜Ｓｃを取込んでＰＺＴコントローラ
５２に駆動制御信号を出力する。この実施例では上記コ
ンピュータ５０によってこの機能を実現させている。ま
た、コンピュータ５０から走査移動のための走査制御信
号をリニアアクチュエータ電源回路５３に出力する。
Ｂ．実施例の動作 次に、この装置１００の動作を、実施例の特徴部を中心
にして説明する。
にして説明する。
まず、光源３５からの光Ｌによって被測定面９上の光照
射領域Ａと参照面３３とを照射し、それによって生ずる
２種類の反射光ＬＳ，ＬＲ（第３図）から干渉光Ｉを得
るまでの光学的原理は従来例と同様である。ただし、そ
の時点で凹凸を検出しようとしている被検査領域Ｐより
も大きな領域を光照射領域Ａとしている。
射領域Ａと参照面３３とを照射し、それによって生ずる
２種類の反射光ＬＳ，ＬＲ（第３図）から干渉光Ｉを得
るまでの光学的原理は従来例と同様である。ただし、そ
の時点で凹凸を検出しようとしている被検査領域Ｐより
も大きな領域を光照射領域Ａとしている。
干渉光Ｉのうち、被検査領域Ｐからの反射光ＬＳを含む
光は、ピンホール３８を通って光電子増倍管３９に与え
られ、この光電子増倍管３９においてその強度に応じた
光電変換信号（干渉信号）Ｓｐに変換される。また、干
渉光Ｉのうち、第３図の近傍領域Ｒａ〜Ｒｃのそれぞれ
からの反射光を含む光はそれぞれフォトディテクタ４０
ａ〜４０ｃによって検出されて光電変換される。
光は、ピンホール３８を通って光電子増倍管３９に与え
られ、この光電子増倍管３９においてその強度に応じた
光電変換信号（干渉信号）Ｓｐに変換される。また、干
渉光Ｉのうち、第３図の近傍領域Ｒａ〜Ｒｃのそれぞれ
からの反射光を含む光はそれぞれフォトディテクタ４０
ａ〜４０ｃによって検出されて光電変換される。
これらのうち、フォトディテクタ４０ａ〜４０ｃの受光
面はピンホール３８の断面積と比較してある程度大きな
面積とされているため、フォトディテクタ４０ａ〜４０
ｃのそれぞれの光電変換信号（干渉信号）Ｓａ〜Ｓ
ｃは、近傍領域Ｒａ〜Ｒｃのそれぞれの内部の凹凸を平
均化した高さを反映した信号となっている。つまり、第
４図のような凹凸を持った被測定面９の場合には、近傍
領域Ｒａ〜Ｒｃのそれぞれの平均高さＨａ〜Ｈｃ（Ｈｃ
は図示省略。）を反映した干渉信号Ｓａ〜Ｓｃが得られ
ることになる。
面はピンホール３８の断面積と比較してある程度大きな
面積とされているため、フォトディテクタ４０ａ〜４０
ｃのそれぞれの光電変換信号（干渉信号）Ｓａ〜Ｓ
ｃは、近傍領域Ｒａ〜Ｒｃのそれぞれの内部の凹凸を平
均化した高さを反映した信号となっている。つまり、第
４図のような凹凸を持った被測定面９の場合には、近傍
領域Ｒａ〜Ｒｃのそれぞれの平均高さＨａ〜Ｈｃ（Ｈｃ
は図示省略。）を反映した干渉信号Ｓａ〜Ｓｃが得られ
ることになる。
このような光学系および検出系の配置によって干渉信号
Ｓｐ，Ｓａ〜Ｓｃが得られるが、実際の粗さ測定を開始
する前に、まず、コンピュータ５０からＰＺＴコントロ
ーラ５２にＰＺＴ制御信号Ｖを与えて、ＰＺＴ２４ａ〜
２４ｃを、光Ｌの波長λ程度の範囲で一度伸長させる。
このとき、コンピュータ５０は干渉信号Ｓａ〜Ｓｃを取
込みつつ上記伸長制御を行なっている。それによってＰ
ＺＴ２４ａ〜２４ｃの長さ変化（したがって被測定面９
の全体的な上下変化）に対する干渉信号Ｓｉ（i=p,a〜
c）の変化を観察する。
Ｓｐ，Ｓａ〜Ｓｃが得られるが、実際の粗さ測定を開始
する前に、まず、コンピュータ５０からＰＺＴコントロ
ーラ５２にＰＺＴ制御信号Ｖを与えて、ＰＺＴ２４ａ〜
２４ｃを、光Ｌの波長λ程度の範囲で一度伸長させる。
このとき、コンピュータ５０は干渉信号Ｓａ〜Ｓｃを取
込みつつ上記伸長制御を行なっている。それによってＰ
ＺＴ２４ａ〜２４ｃの長さ変化（したがって被測定面９
の全体的な上下変化）に対する干渉信号Ｓｉ（i=p,a〜
c）の変化を観察する。
第５図に例示するように、この変化は正弦波状となる。
そして、このプロセスを通じて干渉信号の最大値Ｓimax
および最小値Ｓimin（i=p,a〜c）を求める。
そして、このプロセスを通じて干渉信号の最大値Ｓimax
および最小値Ｓimin（i=p,a〜c）を求める。
ただし、この第５図において、Ｄｉ（ｉ＝p,a〜ｃ）
は、各領域Ｐ，Ｒａ〜Ｒｃで反射される光と、参照面３
３で反射される光との光路差であり、δｉ（ｉ＝p,a〜
ｃ）はこれらの光路差Ｄｉに対応する位相差である。
は、各領域Ｐ，Ｒａ〜Ｒｃで反射される光と、参照面３
３で反射される光との光路差であり、δｉ（ｉ＝p,a〜
ｃ）はこれらの光路差Ｄｉに対応する位相差である。
その後、近傍領域Ｒａ〜Ｒｃについての各干渉信号Ｓａ
〜Ｓｃがそれぞれの最大値と最小値との平均値Ｓａ０，
Ｓｂ０，Ｓｃ０となる位置までＰＺＴ２４ａ〜２４ｃを
伸縮しておく。
〜Ｓｃがそれぞれの最大値と最小値との平均値Ｓａ０，
Ｓｂ０，Ｓｃ０となる位置までＰＺＴ２４ａ〜２４ｃを
伸縮しておく。
これらのルーチンは第６図に例示されているが、そのう
ち、干渉信号Ｓａ〜Ｓｃがその平均値（中央値）となる
ようにＰＺＴ２４ａ〜２４ｃを位置決めするステップに
おいては、上記平均値Ｓａ０，Ｓｂ０，Ｓｃ０とその時
点における干渉信号Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｃとのそれぞれの偏
差をΔａ，Δｂ，Δｃとして、ＰＺＴ２４ａについて
は、 Δａ０＝（Δａ＋Δｂ＋Δｃ）／３ ＋ρ（Δｂ＋Δｃ−２Δａ）…(10) を偏差パラメータとし、この偏差パラメータΔａ０がゼ
ロまたはその近傍の値となるように、ＰＺＴ２４ａを駆
動する。他のＰＺＴ２４ａ，２４ｃについては(10)式内
の添字a,b,cを循環的に変えたものを使用する。また、
ρはあらかじめ設定しておいた傾斜補正係数である。
ち、干渉信号Ｓａ〜Ｓｃがその平均値（中央値）となる
ようにＰＺＴ２４ａ〜２４ｃを位置決めするステップに
おいては、上記平均値Ｓａ０，Ｓｂ０，Ｓｃ０とその時
点における干渉信号Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｃとのそれぞれの偏
差をΔａ，Δｂ，Δｃとして、ＰＺＴ２４ａについて
は、 Δａ０＝（Δａ＋Δｂ＋Δｃ）／３ ＋ρ（Δｂ＋Δｃ−２Δａ）…(10) を偏差パラメータとし、この偏差パラメータΔａ０がゼ
ロまたはその近傍の値となるように、ＰＺＴ２４ａを駆
動する。他のＰＺＴ２４ａ，２４ｃについては(10)式内
の添字a,b,cを循環的に変えたものを使用する。また、
ρはあらかじめ設定しておいた傾斜補正係数である。
このようにすることによって、被測定面９は、第５図の
点Ｑに相当する高さに調整される。このようにするの
は、点Ｑにおいては、被測定面９の高さ変化に対する干
渉信号Ｓｉの変化率（第５図のグラフの微分係数）が最
も大きくなっており、測定精度が最大となるためであ
る。もっとも、一般には、位相差δｉが（π／２）の奇
数倍となっている点（第５図中、白丸で示す。）をＱと
すればよく、上記のものに限定されない。以下、これら
のすべてを総称して点Ｑと呼ぶことにする。
点Ｑに相当する高さに調整される。このようにするの
は、点Ｑにおいては、被測定面９の高さ変化に対する干
渉信号Ｓｉの変化率（第５図のグラフの微分係数）が最
も大きくなっており、測定精度が最大となるためであ
る。もっとも、一般には、位相差δｉが（π／２）の奇
数倍となっている点（第５図中、白丸で示す。）をＱと
すればよく、上記のものに限定されない。以下、これら
のすべてを総称して点Ｑと呼ぶことにする。
なお、これらの点Ｑは、上述した光路差Ｄｉが、光Ｌの
波長λの1/4の奇数倍となっているような場合に相当す
るが、点Ｑの近傍（たとえば干渉信号の振幅の±０．２
倍程度）に相当する位相差（光路差）としても、上記変
化率としてかなりの値が得られる。
波長λの1/4の奇数倍となっているような場合に相当す
るが、点Ｑの近傍（たとえば干渉信号の振幅の±０．２
倍程度）に相当する位相差（光路差）としても、上記変
化率としてかなりの値が得られる。
このようにして、ＰＺＴ２４ａ〜２４ｃは最も高い感度
を持った位相差に相当する高さに調整され、被測定面９
と参照面３３とは光学的に平行とされる。ただし、「光
学的に平行」とは、それぞれ反射された光を干渉させた
ときに、光束の断面の各部分の位相が１波長内で同一と
なっていることを言うものとする。したがって、後述す
る変形例（第８図）のように、被測定面９と参照面３３
とが幾何学的には非平行であってもよい。
を持った位相差に相当する高さに調整され、被測定面９
と参照面３３とは光学的に平行とされる。ただし、「光
学的に平行」とは、それぞれ反射された光を干渉させた
ときに、光束の断面の各部分の位相が１波長内で同一と
なっていることを言うものとする。したがって、後述す
る変形例（第８図）のように、被測定面９と参照面３３
とが幾何学的には非平行であってもよい。
次に、実際の粗さ測定処理について説明する。なお、以
下の処理は、第７図のフローチヤートにも示されてい
る。まず、第１図のリニアアクチュエータ２３を駆動し
て電動テーブル２２をｘ方向に順次移動させ、それによ
って光走査を開始する。そして、干渉信号Ｓａ〜Ｓｃを
コンピュータ６０が取込み、それらの平均値： Ｓ＝（Ｓａ＋Ｓｂ＋Ｓｃ）／３…(17) を算出する。
下の処理は、第７図のフローチヤートにも示されてい
る。まず、第１図のリニアアクチュエータ２３を駆動し
て電動テーブル２２をｘ方向に順次移動させ、それによ
って光走査を開始する。そして、干渉信号Ｓａ〜Ｓｃを
コンピュータ６０が取込み、それらの平均値： Ｓ＝（Ｓａ＋Ｓｂ＋Ｓｃ）／３…(17) を算出する。
一方、第６図のルーチンで求めた最大値Ｓｉｍａｘおよ
び最小値Ｓｉｍｉｎによって、振幅： Ｂｉ＝（Ｓｉｍａｘ−Ｓｉｍｉｎ）／２（ｉ＝ａ〜ｃ）
…(18) があらかじめ求められており、これらの振幅Ｂｉ以下の
値を持つ正のしきい値ＳＴＨが設定されている。
び最小値Ｓｉｍｉｎによって、振幅： Ｂｉ＝（Ｓｉｍａｘ−Ｓｉｍｉｎ）／２（ｉ＝ａ〜ｃ）
…(18) があらかじめ求められており、これらの振幅Ｂｉ以下の
値を持つ正のしきい値ＳＴＨが設定されている。
次に、干渉信号Ｓａ〜Ｓｃが、それらの中央値Ｓａ０〜
Ｓｃ０に対して、 （Ｓｉ０−ＳＴＨ）≦Ｓｉ≦（Ｓｉ０＋ＳＴＨ）…(20) （ｉ＝ａ〜ｃ）となっているかどうか、つまり、位相差
が第５図の点Ｑ付近の所定範囲Ｇ内の値になっているか
どうかを判断する。そして、(20)式が満たされていない
ときには、ＰＺＴコントローラ５２にＰＺＴ制御信号Ｖ
を出力し、(19)式の条件が満されるまでＰＺＴ２４ａ〜
２４ｃを伸縮させて参照面３３との間の位置関係を調整
する。また、このような伸縮によって生じた被測定面９
全体の高さ変化量（換言すれば、被測定面９と参照面３
３との光学的位置関係調整量）ｄ(t)も求めておく。た
だし、ｔは時間パラメータであり、上記高さ変化量ｄ
(t)が走査の進行に伴って変化するために、このような
パラメータ表示がなされている。
Ｓｃ０に対して、 （Ｓｉ０−ＳＴＨ）≦Ｓｉ≦（Ｓｉ０＋ＳＴＨ）…(20) （ｉ＝ａ〜ｃ）となっているかどうか、つまり、位相差
が第５図の点Ｑ付近の所定範囲Ｇ内の値になっているか
どうかを判断する。そして、(20)式が満たされていない
ときには、ＰＺＴコントローラ５２にＰＺＴ制御信号Ｖ
を出力し、(19)式の条件が満されるまでＰＺＴ２４ａ〜
２４ｃを伸縮させて参照面３３との間の位置関係を調整
する。また、このような伸縮によって生じた被測定面９
全体の高さ変化量（換言すれば、被測定面９と参照面３
３との光学的位置関係調整量）ｄ(t)も求めておく。た
だし、ｔは時間パラメータであり、上記高さ変化量ｄ
(t)が走査の進行に伴って変化するために、このような
パラメータ表示がなされている。
具体的には、ＰＺＴ制御信号Ｖに含まれる各ＰＺＴ２４
ａ〜２４ｃの制御量Ｖａ(t)〜Ｖｃ(t)の平均値を(21)式
のように積分することによって、上記高さ変化量ｄ(t)
が求められている。ただし、(21)式中のｇは定数であ
る。
ａ〜２４ｃの制御量Ｖａ(t)〜Ｖｃ(t)の平均値を(21)式
のように積分することによって、上記高さ変化量ｄ(t)
が求められている。ただし、(21)式中のｇは定数であ
る。
Ｖｓ(t)＝ ［Ｖａ(t)＋Ｖｂ(t)＋Ｖｃ(t)］／３…(22) したがって、第７図中に破線で囲んだ部分は、被測定面
９と参照面３３との光学的位置関係を調整制御するとと
もに、その調整による被測定面９の位置変化量を求めて
おくルーチンとなっている。
９と参照面３３との光学的位置関係を調整制御するとと
もに、その調整による被測定面９の位置変化量を求めて
おくルーチンとなっている。
このような処理の後、コンピュータ５０は改めて干渉信
号Ｓｐ，Ｓａ〜Ｓｃを取込み、光路差Ｄｉ（ｉ＝p,a〜
ｃ）を、次の(23)〜(25)式に基いて演算して求める。
号Ｓｐ，Ｓａ〜Ｓｃを取込み、光路差Ｄｉ（ｉ＝p,a〜
ｃ）を、次の(23)〜(25)式に基いて演算して求める。
Ｄｉ＝（λ／２π）sin−１（Ｋ１ｉ／Ｋ２ｉ）…(23) Ｋ１ｉ≡２Ｓｉ−（Ｓｉｍａｘ＋ｓｉｍｉｎ）…(24) Ｋ２ｉ≡Ｓｉｍａｘ−Ｓｉｍｉｎ…(25) （ｉ＝p,a〜ｃ） 上記(23)〜(25)式が、干渉信号の値から光路差を求める
式になっていることは、(23)〜(25)式をＳｉについて解
いて、 Ｓｉ＝［（Ｓｉｍａｘ−Ｓｉｍｉｎ）sin（２πＤｉ／
λ） ＋（Ｓｉｍａｘ＋Ｓｉｍｉｎ）］／２…(26) とすることによって容易に理解できる。このうち、 （Ｓｉｍａｘ−Ｓｉｍｉｎ）／２（＝Ｂｉ） は振幅であり、 （Ｓｉｍａｘ＋Ｓｉｍｉｎ）／２ は原点移動量である。
式になっていることは、(23)〜(25)式をＳｉについて解
いて、 Ｓｉ＝［（Ｓｉｍａｘ−Ｓｉｍｉｎ）sin（２πＤｉ／
λ） ＋（Ｓｉｍａｘ＋Ｓｉｍｉｎ）］／２…(26) とすることによって容易に理解できる。このうち、 （Ｓｉｍａｘ−Ｓｉｍｉｎ）／２（＝Ｂｉ） は振幅であり、 （Ｓｉｍａｘ＋Ｓｉｍｉｎ）／２ は原点移動量である。
次に、このようにして求まった光路差Ｄｉ（i=p,a〜c）
のうち、近傍領域Ｒａ〜Ｒｃに対応する光路差Ｄａ〜Ｄ
ｃを平均化して、平均光路差Ｄを(16)式のように求め
る。
のうち、近傍領域Ｒａ〜Ｒｃに対応する光路差Ｄａ〜Ｄ
ｃを平均化して、平均光路差Ｄを(16)式のように求め
る。
Ｄ≡（Ｄａ＋Ｄｂ＋Ｄｃ）／３…(27) そして、この平均光路差Ｄを用いて、被検出領域Ｐにつ
いての見かけの凹凸量Ｚｐを、 Ｚｐ＝（Ｄｐ−Ｄ）／２…(28) のように求める。ただし、(28)式の右辺における除算
は、被測定面９の凹凸変化量の２倍が光路差変化量とな
ることを考慮して入れられている。
いての見かけの凹凸量Ｚｐを、 Ｚｐ＝（Ｄｐ−Ｄ）／２…(28) のように求める。ただし、(28)式の右辺における除算
は、被測定面９の凹凸変化量の２倍が光路差変化量とな
ることを考慮して入れられている。
この式からわかるように、見かけの凹凸量Ｚｐは、被検
出領域Ｐと近傍領域Ｒａ〜Ｒｃとの間の相対的凹凸関係
を表現する値を持っている。つまり、光路差Ｄａ〜Ｄｃ
は各近傍領域Ｒａ〜Ｒｃの平均高さＨａ〜Ｈｃを反映し
た値となっているが、それらを平均化して光照射領域Ａ
全体としての平均高さを求め、それを基準として光検出
領域Ｐの高さを見ていることになる。
出領域Ｐと近傍領域Ｒａ〜Ｒｃとの間の相対的凹凸関係
を表現する値を持っている。つまり、光路差Ｄａ〜Ｄｃ
は各近傍領域Ｒａ〜Ｒｃの平均高さＨａ〜Ｈｃを反映し
た値となっているが、それらを平均化して光照射領域Ａ
全体としての平均高さを求め、それを基準として光検出
領域Ｐの高さを見ていることになる。
このため、次のステップでは、見かけの凹凸量Ｚｐに、
被測定面９全体の上下位置変化量ｄ(t)を加えて、(29)
式のような補正を行なう。
被測定面９全体の上下位置変化量ｄ(t)を加えて、(29)
式のような補正を行なう。
Ｈ＝Ｚｐ＋ｄ(t)…(29) こうして求まった真の凹凸量Ｈは、たとえばプロッタ６
５に出力されて記録紙上に記録される。走査によって以
上の処理を被測定面９の各位置について行なうことによ
り、被測定面の粗さが測定される。
５に出力されて記録紙上に記録される。走査によって以
上の処理を被測定面９の各位置について行なうことによ
り、被測定面の粗さが測定される。
以上の処理によって、近傍領域Ｒａ〜Ｒｃで反射された
光と参照面３３で反射された光との位相差は、常に第５
図の所定範囲Ｇ（つまり高感度域）の中の値に維持され
る。そして、近傍領域Ｒａ〜Ｒｃの高さを基準とした被
検出領域Ｐの高さはあまり大きくないため、被検出領域
Ｐで反射された光と参照面３３で反射された光との位相
差も、ほぼ上記範囲Ｇ内の値となる。その結果、被測定
面６全体にうねりや傾斜があっても、高感度の表面粗さ
測定が行なわれることになる。
光と参照面３３で反射された光との位相差は、常に第５
図の所定範囲Ｇ（つまり高感度域）の中の値に維持され
る。そして、近傍領域Ｒａ〜Ｒｃの高さを基準とした被
検出領域Ｐの高さはあまり大きくないため、被検出領域
Ｐで反射された光と参照面３３で反射された光との位相
差も、ほぼ上記範囲Ｇ内の値となる。その結果、被測定
面６全体にうねりや傾斜があっても、高感度の表面粗さ
測定が行なわれることになる。
Ｄ．変形例 上記実施例ではミロー干渉機構を用いているが、第８図
のようにトワイマングリーン干渉機構を利用した装置に
おいて、基準板８０の反射表面としての参照面８１の法
線方向ｎの位置や姿勢を、基準板支持部８３と固定面８
４との間に介挿させたＰＺＴ８２ａ〜８２ｃで変化させ
て、参照面８１の光学的位置を調整制御してもよい。た
だし第８図において、参照面８１への光は、ハーフミラ
ー８７と対物レンズ８５とを介して与えられる。また、
被測定面９への光は集光レンズ８６を介して与えられて
いる。
のようにトワイマングリーン干渉機構を利用した装置に
おいて、基準板８０の反射表面としての参照面８１の法
線方向ｎの位置や姿勢を、基準板支持部８３と固定面８
４との間に介挿させたＰＺＴ８２ａ〜８２ｃで変化させ
て、参照面８１の光学的位置を調整制御してもよい。た
だし第８図において、参照面８１への光は、ハーフミラ
ー８７と対物レンズ８５とを介して与えられる。また、
被測定面９への光は集光レンズ８６を介して与えられて
いる。
もちろん、参照面と被測定面との双方の位置や姿勢を変
え得るように双方を可変支持機構で支持して、双方の光
学的位置を調整してもよい。
え得るように双方を可変支持機構で支持して、双方の光
学的位置を調整してもよい。
さらに、上記実施例では３つの近傍領域Ｒａ〜Ｒｃにつ
いての検出結果を用いているが、検出する近傍領域の数
を限定するものではなく、いくつであってもよい。もっ
とも、被測定面上にある程度の領域について、その空間
的な位置・姿勢を正確に知るためには、３つ以上の近傍
領域を設定することが望ましい。また、方向による誤差
を減少させるためには、上記実施例のように被検出領域
Ｐを等角度で取り囲むように近傍領域を設定することが
好ましい。
いての検出結果を用いているが、検出する近傍領域の数
を限定するものではなく、いくつであってもよい。もっ
とも、被測定面上にある程度の領域について、その空間
的な位置・姿勢を正確に知るためには、３つ以上の近傍
領域を設定することが望ましい。また、方向による誤差
を減少させるためには、上記実施例のように被検出領域
Ｐを等角度で取り囲むように近傍領域を設定することが
好ましい。
被測定面を移動させることによって走査を行なう場合の
みでなく、センサヘッド側を移動させる場合などにもこ
の発明は適用できる。
みでなく、センサヘッド側を移動させる場合などにもこ
の発明は適用できる。
（発明の効果） 以上説明したように、この発明によれば、常に干渉光の
高感度域で被測定面の凹凸が検出され、さらに、このよ
うな高感度域での検出を行なうための被測定面と参照面
との光学的位置関係の調整量による補正もなされている
ため、高さの変動幅が大きな被測定面についても高精度
の粗さ測定を行なうことができる。
高感度域で被測定面の凹凸が検出され、さらに、このよ
うな高感度域での検出を行なうための被測定面と参照面
との光学的位置関係の調整量による補正もなされている
ため、高さの変動幅が大きな被測定面についても高精度
の粗さ測定を行なうことができる。
第１図は、実施例の概略構成を示す図、 第２図は、実施例におけるセンサヘッドの内部構成を示
す図、 第３図ないし第５図は、実施例の動作説明図、第６図お
よび第７図は、実施例の動作を示すフローチヤート、 第８図は、この発明の変形例を示す図、 第９図は、従来装置の配置図、 第１０図は、従来装置の動作原理図である。 ８…被測定物、９…被測定面、 ２４ａ〜２４ｃ，８２ａ〜８２ｃ…ＰＺＴ， ３１…集光レンズ、３２…ミロー型干渉機構、 ３３，８１…参照面、３５…光源、 ３７…遮光板、３８…ピンホール、 ３９…光電子増倍管、 ４０ａ〜４０ｃ…フォトディテクタ、 Ｐ…被検出領域、Ｒａ〜Ｒｃ…近傍領域
す図、 第３図ないし第５図は、実施例の動作説明図、第６図お
よび第７図は、実施例の動作を示すフローチヤート、 第８図は、この発明の変形例を示す図、 第９図は、従来装置の配置図、 第１０図は、従来装置の動作原理図である。 ８…被測定物、９…被測定面、 ２４ａ〜２４ｃ，８２ａ〜８２ｃ…ＰＺＴ， ３１…集光レンズ、３２…ミロー型干渉機構、 ３３，８１…参照面、３５…光源、 ３７…遮光板、３８…ピンホール、 ３９…光電子増倍管、 ４０ａ〜４０ｃ…フォトディテクタ、 Ｐ…被検出領域、Ｒａ〜Ｒｃ…近傍領域
Claims (1)
- 【請求項１】被測定面と所定の参照面とに測定光を照射
して、前記被測定面からの第１の反射光と前記参照面か
らの第２の反射光とを干渉させ、前記被測定面を走査し
つつこの干渉光の強度を光センサで検出してゆくことに
よって前記被測定面の表面粗さを測定する表面粗さ測定
装置であって、 前記被測定面のうち、その時点において前記光センサで
検出を行なっている被検出領域の近傍領域からの反射光
と前記参照面からの反射光との光路差を求め、前記近傍
領域と前記参照面との光学的位置関係を検出する光学的
位置関係検出手段と、 前記被測定面と前記参照面とを相対的に移動させて、前
記被測定面と前記参照面との光学的位置関係を調整する
移動機構と、 前記光学的位置関係検出手段から出力される前記光路差
に基づいて、第１と第２の反射光の位相差がπ／２の奇
数倍付近の所定範囲内の値となるように、前記移動機構
を制御して前記被測定面と前記参照面とを調整量だけ相
対的に移動させ、前記被測定面と前記参照面との光学的
位置関係を調整制御する光学的位置関係調整制御手段
と、 前記光センサによる検出結果に前記光学的位置関係調整
制御手段による前記調整量を加え、前記検出結果を補正
する補正手段とを備え、 前記調整制御を行ないつつ前記走査と前記検出とを行な
い、前記検出結果に前記補正を施して前記被測定面の表
面粗さを測定することを特徴とする表面粗さ測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7384187A JPH063372B2 (ja) | 1987-03-26 | 1987-03-26 | 表面粗さ測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7384187A JPH063372B2 (ja) | 1987-03-26 | 1987-03-26 | 表面粗さ測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63238411A JPS63238411A (ja) | 1988-10-04 |
| JPH063372B2 true JPH063372B2 (ja) | 1994-01-12 |
Family
ID=13529767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7384187A Expired - Fee Related JPH063372B2 (ja) | 1987-03-26 | 1987-03-26 | 表面粗さ測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH063372B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN118500302B (zh) * | 2024-07-16 | 2024-09-17 | 国鲸科技(广东横琴粤澳深度合作区)有限公司 | 一种基于光学测量的透明基材表面粗糙度检测方法 |
-
1987
- 1987-03-26 JP JP7384187A patent/JPH063372B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63238411A (ja) | 1988-10-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |