JPH06337334A - 光電子トランシーバ・サブモジュールとその製造方法 - Google Patents
光電子トランシーバ・サブモジュールとその製造方法Info
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- JPH06337334A JPH06337334A JP6127144A JP12714494A JPH06337334A JP H06337334 A JPH06337334 A JP H06337334A JP 6127144 A JP6127144 A JP 6127144A JP 12714494 A JP12714494 A JP 12714494A JP H06337334 A JPH06337334 A JP H06337334A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4246—Bidirectionally operating package structures
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 表面102、および整合フェルール107,
108を備えた端部表面103を有するモールド・ベー
ス101が提供される。 【構成】 複数の電気トレーシング110は、モールド
・ベース101の表面102の上に配置される。複数の
コア領域120は有機光学媒体によって形成され、モー
ルド・ベース101の表面102の上に配置される第1
端部413および第2端部144を有する。コア領域1
22,121の第1端部143は、モールド・ベース1
01の端部103から始まり、第2端部144はモール
ド・ベース101の表面102上に伸びる。フォトニッ
ク・デバイス130,131,430は、モールド・ベ
ース101の表面102の上にマウントされ、コア領域
122,121の第2端部144はフォトニック・デバ
イス130,131,430と動作可能な形で結合さ
れ、複数の電気トレーシング110の一つと電気的に結
合される。
108を備えた端部表面103を有するモールド・ベー
ス101が提供される。 【構成】 複数の電気トレーシング110は、モールド
・ベース101の表面102の上に配置される。複数の
コア領域120は有機光学媒体によって形成され、モー
ルド・ベース101の表面102の上に配置される第1
端部413および第2端部144を有する。コア領域1
22,121の第1端部143は、モールド・ベース1
01の端部103から始まり、第2端部144はモール
ド・ベース101の表面102上に伸びる。フォトニッ
ク・デバイス130,131,430は、モールド・ベ
ース101の表面102の上にマウントされ、コア領域
122,121の第2端部144はフォトニック・デバ
イス130,131,430と動作可能な形で結合さ
れ、複数の電気トレーシング110の一つと電気的に結
合される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は一般に光電子デバイスに
関し、さらに詳しくは光電子トランシーバ・サブモジュ
ールに関する。
関し、さらに詳しくは光電子トランシーバ・サブモジュ
ールに関する。
【0002】本出願は、MOLDED WAVEGUIDE AND METHOD
OF MAKING SAMEと題され、1992年5月28日に出願
された米国特許出願番号第07/889,335号の同
時係属出願、および1992年5月26日に付与された
METHOD FOR FABRICATING ANANGLE DIFFRACTION GRADING
と題される米国特許第5,116,461号に関連
し、それはここに参考資料として包含される。
OF MAKING SAMEと題され、1992年5月28日に出願
された米国特許出願番号第07/889,335号の同
時係属出願、および1992年5月26日に付与された
METHOD FOR FABRICATING ANANGLE DIFFRACTION GRADING
と題される米国特許第5,116,461号に関連
し、それはここに参考資料として包含される。
【0003】
【従来の技術】これまで、複数の光ファイバーを有する
光ケーブルを光学的インタフェース・デバイスに結合も
しくは相互接続するのに、いくつかの方法が用いられて
きた。これら従前の方法は通常、複数の光ファイバーを
適所にしっかりと固定する精密コネクタを使用する。一
般に、複数の光ファイバーはコネクタから突き出るた
め、複数の光ファイバーの断面が露出する。光学的イン
タフェース・デバイスは通常、光学的インタフェース・
デバイスに化学的にエッチングされるV溝を持つように
作られ、これによって、光ケーブル内の複数の光ファイ
バーを整合でき、すなわち、光学的インタフェース・デ
バイスの溝と合体するように配置できる。しかしなが
ら、V溝はインタフェース・デバイス上に高精度で配置
される必要があるため、またV溝はインタフェース・デ
バイス上で適正な深さで精密にエッチングする必要があ
るため、インタフェース・デバイスのV溝はきわめて製
造が難しく、そのため光学的インタフェース・デバイス
の製造には高い費用がかかる。
光ケーブルを光学的インタフェース・デバイスに結合も
しくは相互接続するのに、いくつかの方法が用いられて
きた。これら従前の方法は通常、複数の光ファイバーを
適所にしっかりと固定する精密コネクタを使用する。一
般に、複数の光ファイバーはコネクタから突き出るた
め、複数の光ファイバーの断面が露出する。光学的イン
タフェース・デバイスは通常、光学的インタフェース・
デバイスに化学的にエッチングされるV溝を持つように
作られ、これによって、光ケーブル内の複数の光ファイ
バーを整合でき、すなわち、光学的インタフェース・デ
バイスの溝と合体するように配置できる。しかしなが
ら、V溝はインタフェース・デバイス上に高精度で配置
される必要があるため、またV溝はインタフェース・デ
バイス上で適正な深さで精密にエッチングする必要があ
るため、インタフェース・デバイスのV溝はきわめて製
造が難しく、そのため光学的インタフェース・デバイス
の製造には高い費用がかかる。
【0004】また、複数の光ファイバーを光学的インタ
フェース・デバイスの動作部分に対し高精度に整合させ
ることが重要であるため、V溝もしくはチャネルの製造
はきわめて高精度の許容誤差で形成されなければなら
ず、このため、光学的インタフェース・デバイスの製造
コストはさらに高くなる。また、複数の光ファイバーの
中の個々のファイバーを光学的インタフェース・デバイ
スに合わせて一度に一本ずつのファイバーしか配置でき
ないので、この製造方法を使用したのでは、光学的イン
タフェース・デバイスとコネクタの双方を大量生産する
ことは不可能であり、このため、光学的インタフェース
・デバイスもしくはコネクタのいずれか一方を大量生産
することはできない。また、これまでは、インタフェー
ス・デバイスの一部としてV溝を使用すると、光学的イ
ンタフェース・デバイスの設計に重大な制約を与え、こ
れがフレキシビリティを制限して、コストを増大させ、
光学的インタフェース・デバイスの大量生産を不可能に
している。
フェース・デバイスの動作部分に対し高精度に整合させ
ることが重要であるため、V溝もしくはチャネルの製造
はきわめて高精度の許容誤差で形成されなければなら
ず、このため、光学的インタフェース・デバイスの製造
コストはさらに高くなる。また、複数の光ファイバーの
中の個々のファイバーを光学的インタフェース・デバイ
スに合わせて一度に一本ずつのファイバーしか配置でき
ないので、この製造方法を使用したのでは、光学的イン
タフェース・デバイスとコネクタの双方を大量生産する
ことは不可能であり、このため、光学的インタフェース
・デバイスもしくはコネクタのいずれか一方を大量生産
することはできない。また、これまでは、インタフェー
ス・デバイスの一部としてV溝を使用すると、光学的イ
ンタフェース・デバイスの設計に重大な制約を与え、こ
れがフレキシビリティを制限して、コストを増大させ、
光学的インタフェース・デバイスの大量生産を不可能に
している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】光学的インタフェース
・デバイスを製造する従来の方法には重大な制約がある
ことが容易に見て取れる。また、光学的インタフェース
・デバイスを製造する従来の方法は複雑であり、高精
度、高額の費用を要し、製造も難しい。そのため、低コ
ストで製造が容易な光学的インタフェース・デバイスも
しくは光電子トランシーバ・モジュールを製造する方法
および物品を有することが望ましい。
・デバイスを製造する従来の方法には重大な制約がある
ことが容易に見て取れる。また、光学的インタフェース
・デバイスを製造する従来の方法は複雑であり、高精
度、高額の費用を要し、製造も難しい。そのため、低コ
ストで製造が容易な光学的インタフェース・デバイスも
しくは光電子トランシーバ・モジュールを製造する方法
および物品を有することが望ましい。
【0006】
【課題を解決するための手段】要約すれば、光電子サブ
モジュールを製造する物品および方法が提供される。一
つの表面、および整合フェルールを備えた一つの端部表
面を有するモールド・ベースが形成される。複数の電気
トレーシングがこのモールド・ベースの表面上に配置さ
れる。有機光学媒体によって形成され、第1端部および
第2端部を有するコア領域が、モールド・ベースの表面
上に配置される。コア領域の第1端部は、端部表面とモ
ールド・ベースの表面とがぶつかる箇所から始まり、コ
ア領域の第2端部はモールド・ベースの表面上に伸び
る。一つの動作部分および一つの電気接点を有するフォ
トニック・デバイスが、モールド・ベースの表面上にマ
ウントされ、コア領域の第2端部はフォトニック・デバ
イスの動作部分と動作可能な形で結合され、フォトニッ
ク・デバイスの接点は複数の電気トレーシングの一つと
電気的に結合される。
モジュールを製造する物品および方法が提供される。一
つの表面、および整合フェルールを備えた一つの端部表
面を有するモールド・ベースが形成される。複数の電気
トレーシングがこのモールド・ベースの表面上に配置さ
れる。有機光学媒体によって形成され、第1端部および
第2端部を有するコア領域が、モールド・ベースの表面
上に配置される。コア領域の第1端部は、端部表面とモ
ールド・ベースの表面とがぶつかる箇所から始まり、コ
ア領域の第2端部はモールド・ベースの表面上に伸び
る。一つの動作部分および一つの電気接点を有するフォ
トニック・デバイスが、モールド・ベースの表面上にマ
ウントされ、コア領域の第2端部はフォトニック・デバ
イスの動作部分と動作可能な形で結合され、フォトニッ
ク・デバイスの接点は複数の電気トレーシングの一つと
電気的に結合される。
【0007】
【実施例】図1は、光電子トランシーバ・サブモジュー
ル100の一実施例を拡大し単純化した斜視図である。
サブモジュール100は大幅に単純化されたものであ
り、本発明をより分かりやすく定義し、具体的に指摘す
るために、個々のエンジニアリング細部の多くは省略さ
れていることを理解されたい。本発明では、素子とプロ
セスの新しい組み合わせを用いてサブモジュール100
を作る。
ル100の一実施例を拡大し単純化した斜視図である。
サブモジュール100は大幅に単純化されたものであ
り、本発明をより分かりやすく定義し、具体的に指摘す
るために、個々のエンジニアリング細部の多くは省略さ
れていることを理解されたい。本発明では、素子とプロ
セスの新しい組み合わせを用いてサブモジュール100
を作る。
【0008】一般に、サブモジュール100は、モール
ド・ベース101,複数の電気トレーシング110,複
数のコア領域120,およびフォトニック・デバイス1
30,131を含む。通常、モールド・ベース101
は、MOLDED WAVEGUIDE AND METHOD OF MAKING SAMEと題
され、1992年5月28日に出願された米国特許出願
番号第07,889,335号の同時係属出願の教示に
従って作られる。
ド・ベース101,複数の電気トレーシング110,複
数のコア領域120,およびフォトニック・デバイス1
30,131を含む。通常、モールド・ベース101
は、MOLDED WAVEGUIDE AND METHOD OF MAKING SAMEと題
され、1992年5月28日に出願された米国特許出願
番号第07,889,335号の同時係属出願の教示に
従って作られる。
【0009】簡単に言えば、モールド・ベース101
は、プラスチック,ポリイミド,エポキシなど、適合す
る任意の硬質光活性ポリマー材料を用いて作られる。光
活性ポリマーは、1.4から1.7の屈折率を有する。
また、シリケートおよびシリコンなどのフィルタを、光
活性ポリマーに付加して、強度,温度サイクル耐性など
の構造特性を向上できることを理解されたい。
は、プラスチック,ポリイミド,エポキシなど、適合す
る任意の硬質光活性ポリマー材料を用いて作られる。光
活性ポリマーは、1.4から1.7の屈折率を有する。
また、シリケートおよびシリコンなどのフィルタを、光
活性ポリマーに付加して、強度,温度サイクル耐性など
の構造特性を向上できることを理解されたい。
【0010】モールド・ベース101は、任意の適正な
サイズに製造可能であり、表面102上に複数の電気ト
レーシング110,複数のコア領域120およびデバイ
ス130,131を配置できる十分な余裕をもたせられ
る。具体的な幅104,高さ105,長さ106は用途
によって異なり、そのため、光電子トランシーバ・サブ
モジュール100の個々のアプリケーションおよび用途
に合わせて、幅104,高さ105,および長さ106
に変更を加えることができることを理解されたい。
サイズに製造可能であり、表面102上に複数の電気ト
レーシング110,複数のコア領域120およびデバイ
ス130,131を配置できる十分な余裕をもたせられ
る。具体的な幅104,高さ105,長さ106は用途
によって異なり、そのため、光電子トランシーバ・サブ
モジュール100の個々のアプリケーションおよび用途
に合わせて、幅104,高さ105,および長さ106
に変更を加えることができることを理解されたい。
【0011】端部表面103は通常、平面もしくはファ
セット面(facet surface )であり、光コネクタ140
をサブモジュール100と整合できる整合システム(整
合フェルール107,108で表す)を組み込む。整合
フェルール107は、整合フェルール107全体が端部
表面103に組み込まれるように作られる。図1に示す
ように、整合フェルール107は、表面102と小表面
もしくは表面115との間のほぼ中間点に位置する。し
かしながら、整合フェルール107の位置は、表面10
2と表面115の間のいずれの箇所にも調整できること
を理解されたい。
セット面(facet surface )であり、光コネクタ140
をサブモジュール100と整合できる整合システム(整
合フェルール107,108で表す)を組み込む。整合
フェルール107は、整合フェルール107全体が端部
表面103に組み込まれるように作られる。図1に示す
ように、整合フェルール107は、表面102と小表面
もしくは表面115との間のほぼ中間点に位置する。し
かしながら、整合フェルール107の位置は、表面10
2と表面115の間のいずれの箇所にも調整できること
を理解されたい。
【0012】整合フェルール108は、上と同一のもの
を作る別の方法を示したものである。この具体例では、
整合フェルール108は、2つの部分109,116か
ら作られる。部分116は、モールド・ベース101と
一体化された部分であり、モールド・ベース101と同
時に鋳造される。部分109は別個に鋳造される。つい
で部分109および部分116は結合されて整合フェル
ール108を形成する。いずれの整合システムを選択し
ても、モールド・ベース101と結合して用いられる整
合システムの配置もしくは位置づけに対しさらなる柔軟
性が得られる。
を作る別の方法を示したものである。この具体例では、
整合フェルール108は、2つの部分109,116か
ら作られる。部分116は、モールド・ベース101と
一体化された部分であり、モールド・ベース101と同
時に鋳造される。部分109は別個に鋳造される。つい
で部分109および部分116は結合されて整合フェル
ール108を形成する。いずれの整合システムを選択し
ても、モールド・ベース101と結合して用いられる整
合システムの配置もしくは位置づけに対しさらなる柔軟
性が得られる。
【0013】スタンドオフ141は、フォトニック・デ
バイス130,131を支持する。一般に、スタンドオ
フ141は、鋳造,ミリング(milling )などの種々の
適切な方法によって作ることができる。たとえば、スタ
ンドオフ141は別個にミリングもしくは鋳造されて、
モールド・ベース101に付着される。しかしながら、
本発明の好適な実施例では、スタンドオフ141はモー
ルド・ベース101と同時に鋳造され、これによって、
スタンドオフ141の適正な配置および高さを確保す
る。
バイス130,131を支持する。一般に、スタンドオ
フ141は、鋳造,ミリング(milling )などの種々の
適切な方法によって作ることができる。たとえば、スタ
ンドオフ141は別個にミリングもしくは鋳造されて、
モールド・ベース101に付着される。しかしながら、
本発明の好適な実施例では、スタンドオフ141はモー
ルド・ベース101と同時に鋳造され、これによって、
スタンドオフ141の適正な配置および高さを確保す
る。
【0014】複数の電気トレーシング110は、半導体
技術上周知のいくつかのプロセスにより作られる。通
常、アルミニウムもしくは銅などの導電材料もしくは合
金が、モールド・ベース101の表面102上に蒸着
(deposit )される。周知のフォトリソグラフィおよび
エッチング工程を用いて、表面102上で、電気トレー
シング111,112,113,114を画定する。す
なわち、光活性ポリマーが導電材料に塗布される。電気
トレーシング111,112,113,114を画定す
るパターンは、光投射,直接描画(direct-write)など
のいくつかの方法を用いて光活性ポリマーを露光させる
ことによって生成される。光活性ポリマーが露光された
なら、パターンが現像され、これによって、ポリマーの
アイランドによってマスクされた導電材料の部分が残
り、マスクされないその他の領域が露光される。ついで
エッチング工程を用いて、導電層の露光された領域をエ
ッチングすることにより、複数の電気トレーシング11
0を画定するパターンを導電材料内に転写する。エッチ
ング後に、残りの光活性ポリマーを除去することは通
常、容材処理(wet solvent treatment),ドライ・プラズ
マ処理(dry plasma treatment)などいくつかの技術上周
知の方法によって達成される。
技術上周知のいくつかのプロセスにより作られる。通
常、アルミニウムもしくは銅などの導電材料もしくは合
金が、モールド・ベース101の表面102上に蒸着
(deposit )される。周知のフォトリソグラフィおよび
エッチング工程を用いて、表面102上で、電気トレー
シング111,112,113,114を画定する。す
なわち、光活性ポリマーが導電材料に塗布される。電気
トレーシング111,112,113,114を画定す
るパターンは、光投射,直接描画(direct-write)など
のいくつかの方法を用いて光活性ポリマーを露光させる
ことによって生成される。光活性ポリマーが露光された
なら、パターンが現像され、これによって、ポリマーの
アイランドによってマスクされた導電材料の部分が残
り、マスクされないその他の領域が露光される。ついで
エッチング工程を用いて、導電層の露光された領域をエ
ッチングすることにより、複数の電気トレーシング11
0を画定するパターンを導電材料内に転写する。エッチ
ング後に、残りの光活性ポリマーを除去することは通
常、容材処理(wet solvent treatment),ドライ・プラズ
マ処理(dry plasma treatment)などいくつかの技術上周
知の方法によって達成される。
【0015】複数のコア領域120は、半導体技術上周
知のいくつかの工程によって作られる。通常、有機光学
媒体の層が、吹き付けコーティング,スピン・コーティ
ング(spin coating)など任意の適切な方法により表面
102に塗布される。ついで有機光学媒体はパターン化
されて、コア領域121,122を画定する。有機媒体
は通常1.4から1.7の屈折率を有する。しかしなが
ら、最終的に複数のコア領域120を形成する光学媒体
の屈折率は、モールド・ベース101の屈折率より少な
くとも0.01大きいことを理解されたい。一般に、複
数のコア領域120は表面102と端部表面103とが
ぶつかる箇所から始まり、これにより光コネクタ140
の光ファイバー(図示せず)を、複数のコア領域120
と動作可能な形で結合できる。また、複数のコア領域1
20は、表面102を通ってフォトニック・デバイス1
30,131まで伸びることを理解されたい。
知のいくつかの工程によって作られる。通常、有機光学
媒体の層が、吹き付けコーティング,スピン・コーティ
ング(spin coating)など任意の適切な方法により表面
102に塗布される。ついで有機光学媒体はパターン化
されて、コア領域121,122を画定する。有機媒体
は通常1.4から1.7の屈折率を有する。しかしなが
ら、最終的に複数のコア領域120を形成する光学媒体
の屈折率は、モールド・ベース101の屈折率より少な
くとも0.01大きいことを理解されたい。一般に、複
数のコア領域120は表面102と端部表面103とが
ぶつかる箇所から始まり、これにより光コネクタ140
の光ファイバー(図示せず)を、複数のコア領域120
と動作可能な形で結合できる。また、複数のコア領域1
20は、表面102を通ってフォトニック・デバイス1
30,131まで伸びることを理解されたい。
【0016】本発明の好適な実施例では、光学媒体は、
フォトレジスト,ポリイミド,ポリメタクリル酸メチル
(PMMA)などの感光性有機ポリマーによって作られ
る。ついでこの有機媒体は、周知のフォトリソグラフィ
およびエッチング工程によって、第1端部143および
第2端部144を有するコア領域121,122の中に
画定される。たとえば、PMMA,フォトレジスト,ま
たはポリイミドなどの光活性有機媒体が表面102に塗
布される。複数のコア領域120を画定するパターン
は、光投射,直接描画などの任意の適切な方法によっ
て、光活性有機媒体をパターン(図示せず)に合わせて
露光することによって生成される。PMMAが露光され
たなら、パターンが現像され、これにより、表面102
の上に光活性有機媒体の一部を残し、複数のコア領域1
20を生成する。
フォトレジスト,ポリイミド,ポリメタクリル酸メチル
(PMMA)などの感光性有機ポリマーによって作られ
る。ついでこの有機媒体は、周知のフォトリソグラフィ
およびエッチング工程によって、第1端部143および
第2端部144を有するコア領域121,122の中に
画定される。たとえば、PMMA,フォトレジスト,ま
たはポリイミドなどの光活性有機媒体が表面102に塗
布される。複数のコア領域120を画定するパターン
は、光投射,直接描画などの任意の適切な方法によっ
て、光活性有機媒体をパターン(図示せず)に合わせて
露光することによって生成される。PMMAが露光され
たなら、パターンが現像され、これにより、表面102
の上に光活性有機媒体の一部を残し、複数のコア領域1
20を生成する。
【0017】フォトニック・デバイス130,131は
一般に、フォトトランスミッタもしくはフォトレシーバ
のいずれかである。一般に、フォトニック・デバイス1
30,131は、ワイヤ・ボンディング,タブ・ボンデ
ィング(tab bonding ),バンプ・ボンディングなど、
技術上周知の任意の適切な方法によって、複数の電気ト
レーシング110と接続もしくは結合される。本発明の
好適な実施例では、バンプ・ボンディングを用いてフォ
トニック・デバイス130,131を複数の電気トレー
シング110と電気的および機械的に結合し、フォトニ
ック・デバイス130,131をモールド・ベース10
1の表面102に対して機械的に固定する。これに加え
て、本発明の好適な実施例において、フォトニック・デ
バイス130,131のいずれかがフォトトランスミッ
タである場合には、垂直空洞表面エミッティング・レー
ザー(vertical cavity surface emitting laser)(V
CSEL)が使用される。また、フォトニック・デバイ
ス130,131のいずれかがフォトレシーバである場
合には、p−i−n形フォトダイオードもしくはp−i
−n形検出器が使用される。
一般に、フォトトランスミッタもしくはフォトレシーバ
のいずれかである。一般に、フォトニック・デバイス1
30,131は、ワイヤ・ボンディング,タブ・ボンデ
ィング(tab bonding ),バンプ・ボンディングなど、
技術上周知の任意の適切な方法によって、複数の電気ト
レーシング110と接続もしくは結合される。本発明の
好適な実施例では、バンプ・ボンディングを用いてフォ
トニック・デバイス130,131を複数の電気トレー
シング110と電気的および機械的に結合し、フォトニ
ック・デバイス130,131をモールド・ベース10
1の表面102に対して機械的に固定する。これに加え
て、本発明の好適な実施例において、フォトニック・デ
バイス130,131のいずれかがフォトトランスミッ
タである場合には、垂直空洞表面エミッティング・レー
ザー(vertical cavity surface emitting laser)(V
CSEL)が使用される。また、フォトニック・デバイ
ス130,131のいずれかがフォトレシーバである場
合には、p−i−n形フォトダイオードもしくはp−i
−n形検出器が使用される。
【0018】図2は、図1の光電子トランシーバ・サブ
モジュール100を線2ー2で切り取った部分的断面図
を高倍率で拡大し単純化したものである。図1で識別し
たのと同様の構造物には元の識別番号が付けられること
を理解されたい。
モジュール100を線2ー2で切り取った部分的断面図
を高倍率で拡大し単純化したものである。図1で識別し
たのと同様の構造物には元の識別番号が付けられること
を理解されたい。
【0019】図2に示すように、図1では隠れて見えな
かったいくつかの機構が断面図では見えるようになる。
かったいくつかの機構が断面図では見えるようになる。
【0020】動作部分201および電気接点部分202
を有するフォトニック・デバイス130は、コア領域1
22および電気トレーシング111の上方に位置して、
動作部分201をコア領域122と動作可能な形で結合
し、接点部分202を電気トレーシング111と電気的
および機械的に結合する。
を有するフォトニック・デバイス130は、コア領域1
22および電気トレーシング111の上方に位置して、
動作部分201をコア領域122と動作可能な形で結合
し、接点部分202を電気トレーシング111と電気的
および機械的に結合する。
【0021】一般に、フォトニック・デバイス130と
電気トレーシング111との電気的結合は、タブ・ボン
ディング,バンプ・ボンディングなど技術上周知のいく
つかの方法によって達成できる。しかしながら、本発明
の好適な実施例では、バンプ・ボンディングを使用し
て、フォトニック・デバイス130を電気トレーシング
111と電気的に結合する。図2に示すように、バンブ
・ボンド203は接点部分202を電気トレーシング1
11と電気的に結合し、フォトニック・デバイス130
と電気トレーシング111との間に機械的相互接続を設
け、これにより単一工程ステップで電気機械的サポート
を提供する。バンプ203は、半田,導電エポキシ,金
などの各種材料から作ることができる。本発明の好適な
実施例では、導電エポキシを使用して、電気トレーシン
グ111と接点部分202との間に良好な電気および機
械接点を設ける。
電気トレーシング111との電気的結合は、タブ・ボン
ディング,バンプ・ボンディングなど技術上周知のいく
つかの方法によって達成できる。しかしながら、本発明
の好適な実施例では、バンプ・ボンディングを使用し
て、フォトニック・デバイス130を電気トレーシング
111と電気的に結合する。図2に示すように、バンブ
・ボンド203は接点部分202を電気トレーシング1
11と電気的に結合し、フォトニック・デバイス130
と電気トレーシング111との間に機械的相互接続を設
け、これにより単一工程ステップで電気機械的サポート
を提供する。バンプ203は、半田,導電エポキシ,金
などの各種材料から作ることができる。本発明の好適な
実施例では、導電エポキシを使用して、電気トレーシン
グ111と接点部分202との間に良好な電気および機
械接点を設ける。
【0022】また、スタンドオフ141に対し所望の高
さ209を選択することによって、フォトニック・デバ
イス130の動作部分201と、コア領域122の表面
208との間の高さもしくは距離210を調節でき、こ
れにより、動作部分201とコア領域122との間の結
合相互作用を向上させる。また、スタンドオフ141
は、電気伝導および熱伝導の両方を提供して、スタンド
オフ141を、電気相互接続,熱膨張リリーフ,機械サ
ポートなどの各種の機能に利用できるような方法で作る
ことができることを理解されたい。
さ209を選択することによって、フォトニック・デバ
イス130の動作部分201と、コア領域122の表面
208との間の高さもしくは距離210を調節でき、こ
れにより、動作部分201とコア領域122との間の結
合相互作用を向上させる。また、スタンドオフ141
は、電気伝導および熱伝導の両方を提供して、スタンド
オフ141を、電気相互接続,熱膨張リリーフ,機械サ
ポートなどの各種の機能に利用できるような方法で作る
ことができることを理解されたい。
【0023】コア領域122の表面213は、Lebby ら
によるMETHOD FOR FABRICATING ANANGLED DIFFRACTION
GRATINGと題され、同一人に譲渡された米国特許第5,
116,461号の教示に従って作られる。すなわち、
光学媒体がモールド・ベース101の表面102に塗布
されたなら、ついでフォトレジストなどの光活性材料
(図示せず)が光学媒体に塗布される。後に塗布された
フォトレジストは光学媒体上で露光・現像されて、これ
により光学媒体上にパターンを生成する。ついで光学媒
体上のこのパターンを使用して、このパターンを光学媒
体層に転写する。表面213は、プラズマ・リアクタ
(plasma reactor)が光学媒体にイオンを注入する間
に、パターン化された光学媒体を傾けて配置することに
よってエッチングもしくは形成される。アルゴン・ビー
ムなどの指向性ビームが注入イオンを介して、パターン
化された光学媒体にある角度で衝突し、これにより、物
理的部材および化学的部材の両方をパターン化された光
学媒体に移送し、これにより角度を付けた表面213を
生成する。
によるMETHOD FOR FABRICATING ANANGLED DIFFRACTION
GRATINGと題され、同一人に譲渡された米国特許第5,
116,461号の教示に従って作られる。すなわち、
光学媒体がモールド・ベース101の表面102に塗布
されたなら、ついでフォトレジストなどの光活性材料
(図示せず)が光学媒体に塗布される。後に塗布された
フォトレジストは光学媒体上で露光・現像されて、これ
により光学媒体上にパターンを生成する。ついで光学媒
体上のこのパターンを使用して、このパターンを光学媒
体層に転写する。表面213は、プラズマ・リアクタ
(plasma reactor)が光学媒体にイオンを注入する間
に、パターン化された光学媒体を傾けて配置することに
よってエッチングもしくは形成される。アルゴン・ビー
ムなどの指向性ビームが注入イオンを介して、パターン
化された光学媒体にある角度で衝突し、これにより、物
理的部材および化学的部材の両方をパターン化された光
学媒体に移送し、これにより角度を付けた表面213を
生成する。
【0024】フォトニック・デバイス130はフォトト
ランスミッタもしくはフォトレシーバのいずれかになる
ことができるため、矢印215は、コア領域122を通
っていずれかの方向に進む光信号を示す。フォトニック
・デバイス130がフォトレシーバである場合には、光
信号215は表面213に反射して、動作部分201の
方向に向かい、これによりコア領域122をフォトニッ
ク・デバイス130の動作部分201と動作可能な形で
結合する。また、フォトニック・デバイス130がフォ
トトランスミッタである場合には、動作部分201から
発せられる光信号215が表面213に反射して、フォ
トニック・デバイス130から離れる方向に向かう。光
信号215がコア領域122内にあるなら、光信号21
5はコア領域122を通って導波(waveguide )もしく
は進行し続ける。
ランスミッタもしくはフォトレシーバのいずれかになる
ことができるため、矢印215は、コア領域122を通
っていずれかの方向に進む光信号を示す。フォトニック
・デバイス130がフォトレシーバである場合には、光
信号215は表面213に反射して、動作部分201の
方向に向かい、これによりコア領域122をフォトニッ
ク・デバイス130の動作部分201と動作可能な形で
結合する。また、フォトニック・デバイス130がフォ
トトランスミッタである場合には、動作部分201から
発せられる光信号215が表面213に反射して、フォ
トニック・デバイス130から離れる方向に向かう。光
信号215がコア領域122内にあるなら、光信号21
5はコア領域122を通って導波(waveguide )もしく
は進行し続ける。
【0025】図3は、図1の光電子トランシーバ・サブ
モジュールを線3ー3で切り取った部分的断面図を高倍
率で拡大し単純化したものである。図2で既述したのと
同様の機構には、数字2を数字3に代えた以外には同一
の識別番号が付けられるが、図1で既述した機構はその
ままの識別番号にすることを理解されたい。
モジュールを線3ー3で切り取った部分的断面図を高倍
率で拡大し単純化したものである。図2で既述したのと
同様の機構には、数字2を数字3に代えた以外には同一
の識別番号が付けられるが、図1で既述した機構はその
ままの識別番号にすることを理解されたい。
【0026】図3を参照して、図3は、光信号315を
フォトニック・デバイス131の動作部分301と動作
可能な形で結合するもう一つの方法を表す。この代替的
方法では、表面321を有するフォーム(form)320
は、コア領域122を出る光信号315が表面321に
反射して動作部分301に向かうように配置される。
フォトニック・デバイス131の動作部分301と動作
可能な形で結合するもう一つの方法を表す。この代替的
方法では、表面321を有するフォーム(form)320
は、コア領域122を出る光信号315が表面321に
反射して動作部分301に向かうように配置される。
【0027】一般に、フォーム320は、鋳造,ミリン
グなど任意の適切な方法によって作ることができる。し
かしながら、本発明の好適な実施例では、フォーム32
0はモールド・ベース101と同時に鋳造され、これに
より、整合システム,コア領域121,およびフォトニ
ック・デバイス131の動作部分301に照らして、表
面321を正確・精密に配置する。また、フォトニック
・デバイス131の正確・精密な配置は、機械測定を用
いてフォトニック・デバイス131を自動的に配置する
自動化システム(図示せず)を使用して達成できること
を理解されたい。一般に、フォトニック・デバイス13
0,131の配置に使用される自動化システムは通常、
±2.0ミクロンの精度である。しかしながら、自動化
システムの精度は時を経て向上することを理解された
い。通常、基準(fiducials,図示せず)はモールド・ベ
ース101と同時に鋳造され、フォトニック・デバイス
131の整合に使用される。また、フォーム320が別
個に作られる場合には、モールド・ベース101内に鋳
造される基準を使用して、フォーム320を適所に精密
・正確に配置する。
グなど任意の適切な方法によって作ることができる。し
かしながら、本発明の好適な実施例では、フォーム32
0はモールド・ベース101と同時に鋳造され、これに
より、整合システム,コア領域121,およびフォトニ
ック・デバイス131の動作部分301に照らして、表
面321を正確・精密に配置する。また、フォトニック
・デバイス131の正確・精密な配置は、機械測定を用
いてフォトニック・デバイス131を自動的に配置する
自動化システム(図示せず)を使用して達成できること
を理解されたい。一般に、フォトニック・デバイス13
0,131の配置に使用される自動化システムは通常、
±2.0ミクロンの精度である。しかしながら、自動化
システムの精度は時を経て向上することを理解された
い。通常、基準(fiducials,図示せず)はモールド・ベ
ース101と同時に鋳造され、フォトニック・デバイス
131の整合に使用される。また、フォーム320が別
個に作られる場合には、モールド・ベース101内に鋳
造される基準を使用して、フォーム320を適所に精密
・正確に配置する。
【0028】また、フォーム320の表面321は、層
322によってコーティングされ、光信号315の反射
率を向上できることを理解されたい。一般に、コーティ
ング322は、アルミニウム,金,銀などの任意の数の
反射材料によって作られる。一般にこれら反射材料は、
スパッタリング,蒸着など技術上周知の任意の適切な方
法によって、表面321上に蒸着される。
322によってコーティングされ、光信号315の反射
率を向上できることを理解されたい。一般に、コーティ
ング322は、アルミニウム,金,銀などの任意の数の
反射材料によって作られる。一般にこれら反射材料は、
スパッタリング,蒸着など技術上周知の任意の適切な方
法によって、表面321上に蒸着される。
【0029】一般に、光信号315は、図2で既述した
のと同様の方法でフォトニック・デバイス131の動作
部分301と動作可能な形で結合される。しかしなが
ら、この実施例では、光信号315は層322もしくは
表面321に反射して、フォトニック・デバイス131
の動作部分301に向かう。フォトニック・デバイス1
31がフォトトランスミッタである場合には、動作部分
301から発せられる光が反射層322もしくは表面3
21に反射してコア領域122に向かい、これによりコ
ア領域122内に光信号315を生成することを理解さ
れたい。
のと同様の方法でフォトニック・デバイス131の動作
部分301と動作可能な形で結合される。しかしなが
ら、この実施例では、光信号315は層322もしくは
表面321に反射して、フォトニック・デバイス131
の動作部分301に向かう。フォトニック・デバイス1
31がフォトトランスミッタである場合には、動作部分
301から発せられる光が反射層322もしくは表面3
21に反射してコア領域122に向かい、これによりコ
ア領域122内に光信号315を生成することを理解さ
れたい。
【0030】図4は、光電子トランシーバ・サブモジュ
ール400の別の実施例を拡大し単純化した斜視図であ
る。図1で既述したのと同様の機構には、数字1を数字
4に代えたことを除いて同一の識別番号が付けられるこ
とを理解されたい。本発明のこの具体例では、溝もしく
はチャネル440が401内に形成される。一般に、溝
もしくはチャネル440は端部403から始まって、フ
ォトニック・デバイス430が表面402にマウントさ
れる位置の辺りまで、表面402内に伸びる。一般に、
溝440は、機械加工,ミリング,鋳造などの任意の適
切な方法によって作ることができる。しかしながら、本
発明の好適な実施例では、溝440はモールド・ベース
401と同時に鋳造され、整合フェルール407,40
8に照らして溝440の精密・正確な配置を達成する。
溝440が形成されたなら、溝440は、モールド・ベ
ース401の反射率より少なくとも0.01大きい反射
率を有する光学媒体材料によって充填され、これによ
り、コア領域422、およびモールド・ベース401で
あるクラディング領域を有する導波管を生成する。通
常、溝440を光学媒体によって充填することは、有機
光学媒体をモールド・ベース401の表面402に塗布
することによって達成される。一般に、モールド・ベー
ス401の表面402に塗布された過剰な有機光学媒体
は、機械的平坦化,化学的平坦化など任意の適切な方法
によって除去される。
ール400の別の実施例を拡大し単純化した斜視図であ
る。図1で既述したのと同様の機構には、数字1を数字
4に代えたことを除いて同一の識別番号が付けられるこ
とを理解されたい。本発明のこの具体例では、溝もしく
はチャネル440が401内に形成される。一般に、溝
もしくはチャネル440は端部403から始まって、フ
ォトニック・デバイス430が表面402にマウントさ
れる位置の辺りまで、表面402内に伸びる。一般に、
溝440は、機械加工,ミリング,鋳造などの任意の適
切な方法によって作ることができる。しかしながら、本
発明の好適な実施例では、溝440はモールド・ベース
401と同時に鋳造され、整合フェルール407,40
8に照らして溝440の精密・正確な配置を達成する。
溝440が形成されたなら、溝440は、モールド・ベ
ース401の反射率より少なくとも0.01大きい反射
率を有する光学媒体材料によって充填され、これによ
り、コア領域422、およびモールド・ベース401で
あるクラディング領域を有する導波管を生成する。通
常、溝440を光学媒体によって充填することは、有機
光学媒体をモールド・ベース401の表面402に塗布
することによって達成される。一般に、モールド・ベー
ス401の表面402に塗布された過剰な有機光学媒体
は、機械的平坦化,化学的平坦化など任意の適切な方法
によって除去される。
【0031】一般に、本発明の好適な実施例では、過剰
な有機媒体は、表面402から過剰な光学媒体を化学的
平坦化によって除去し、これにより、チャネル440内
に有機光学媒体を残し、コア領域422を生成する。た
とえば、化学的平坦化は、酸素ベースのプラズマ化学に
よって過剰な有機媒体をエッチングもしくは化学的に除
去することによって行う。一般に、有機光学媒体がモー
ルド・ベース401の表面402に塗布されたなら、モ
ールド・ベース401は、プラズマ・リアクタ(図示せ
ず)内に配置されて、酸素プラズマにあてられ、この酸
素プラズマが、有機光学媒体をエッチングもしくは除去
して、有機光学媒体のごく一部がチャネル440内に残
されるまで、有機光学媒体を表面402から除去する。
な有機媒体は、表面402から過剰な光学媒体を化学的
平坦化によって除去し、これにより、チャネル440内
に有機光学媒体を残し、コア領域422を生成する。た
とえば、化学的平坦化は、酸素ベースのプラズマ化学に
よって過剰な有機媒体をエッチングもしくは化学的に除
去することによって行う。一般に、有機光学媒体がモー
ルド・ベース401の表面402に塗布されたなら、モ
ールド・ベース401は、プラズマ・リアクタ(図示せ
ず)内に配置されて、酸素プラズマにあてられ、この酸
素プラズマが、有機光学媒体をエッチングもしくは除去
して、有機光学媒体のごく一部がチャネル440内に残
されるまで、有機光学媒体を表面402から除去する。
【0032】図5は、図4の光電子トランシーバ・モジ
ュール400を線4ー4で切り取った部分的断面図を高
倍率で拡大し単純化した図である。図4で既述したのと
同様の機構には元の識別番号が付けられていることを理
解されたい。
ュール400を線4ー4で切り取った部分的断面図を高
倍率で拡大し単純化した図である。図4で既述したのと
同様の機構には元の識別番号が付けられていることを理
解されたい。
【0033】図5に示すように、図4では隠れて見えな
かったいくつかの機構が断面図では見ることができる。
かったいくつかの機構が断面図では見ることができる。
【0034】動作部分401および電気接点部分402
を有するフォトニック・デバイス430は、コア領域4
22および電気トレーシング412の上方に配置され
て、動作部分401をコア領域422と動作可能な形で
結合し、電気接点部分402を電気トレーシング412
と動作可能な形で結合する。
を有するフォトニック・デバイス430は、コア領域4
22および電気トレーシング412の上方に配置され
て、動作部分401をコア領域422と動作可能な形で
結合し、電気接点部分402を電気トレーシング412
と動作可能な形で結合する。
【0035】一般に、バンプ503を介したフォトニッ
ク・デバイス430と電気トレーシング412との電気
結合については図2で既述した。図2では、フォトニッ
ク・デバイス130はバンプ203を介して電気トレー
シング111と電気的に結合される。
ク・デバイス430と電気トレーシング412との電気
結合については図2で既述した。図2では、フォトニッ
ク・デバイス130はバンプ203を介して電気トレー
シング111と電気的に結合される。
【0036】フォトニック・デバイス430の動作部分
501の動作的結合は、角度を付けた表面513によっ
て達成される。フォトニック・デバイス430は、フォ
トトランスミッタもしくはフォトレシーバのいずれにも
なることができ、矢印415は、コア領域422を通っ
て進む光信号を表す。フォトニック・デバイス430が
フォトレシーバである場合には、光信号515は表面5
13に反射して動作部分401に向かい、これによりコ
ア領域422をフォトニック・デバイス430の動作部
分501と動作可能な形で結合する。また、フォトニッ
ク・デバイス430がフォトトランスミッタである場合
には、動作部分501から発せられる光信号515は、
表面513に反射しコア領域422を通ってフォトニッ
ク・デバイス430から離れる。
501の動作的結合は、角度を付けた表面513によっ
て達成される。フォトニック・デバイス430は、フォ
トトランスミッタもしくはフォトレシーバのいずれにも
なることができ、矢印415は、コア領域422を通っ
て進む光信号を表す。フォトニック・デバイス430が
フォトレシーバである場合には、光信号515は表面5
13に反射して動作部分401に向かい、これによりコ
ア領域422をフォトニック・デバイス430の動作部
分501と動作可能な形で結合する。また、フォトニッ
ク・デバイス430がフォトトランスミッタである場合
には、動作部分501から発せられる光信号515は、
表面513に反射しコア領域422を通ってフォトニッ
ク・デバイス430から離れる。
【0037】一般に、角度を付けた表面513は所望の
任意の角度に鋳造できる。しかしながら、本発明の好適
な実施例では、角度を付けた表面513は、公称60度
から30度の範囲で鋳造される。角度を付けた表面51
3は、公称45度で鋳造されて、これによりフォトニッ
ク・デバイス430の動作部分401に向かう、もしく
は離れるような反射を提供するのが望ましい。
任意の角度に鋳造できる。しかしながら、本発明の好適
な実施例では、角度を付けた表面513は、公称60度
から30度の範囲で鋳造される。角度を付けた表面51
3は、公称45度で鋳造されて、これによりフォトニッ
ク・デバイス430の動作部分401に向かう、もしく
は離れるような反射を提供するのが望ましい。
【0038】よって、本発明により、製造および全体の
組立の間の工程ステップ数および部材数が少なくなると
いう利点を合わせ持つ、新規の光電子トランシーバ・モ
ジュールが提供されることが明かであろう。また、光電
子トラインシーバ・サブモジュールは、光ケーブルを、
光電子トランシーバ・サブモジュールのコア領域に対し
精密・正確に受動的に整合させる利点を提供する。
組立の間の工程ステップ数および部材数が少なくなると
いう利点を合わせ持つ、新規の光電子トランシーバ・モ
ジュールが提供されることが明かであろう。また、光電
子トラインシーバ・サブモジュールは、光ケーブルを、
光電子トランシーバ・サブモジュールのコア領域に対し
精密・正確に受動的に整合させる利点を提供する。
【図1】光電子トランシーバ・サブモジュールの一実施
例を拡大し単純化した斜視図である。
例を拡大し単純化した斜視図である。
【図2】図1の光電子トランシーバ・サブモジュールを
線2ー2で切り取った部分的断面図を高倍率で拡大し単
純化した図である。
線2ー2で切り取った部分的断面図を高倍率で拡大し単
純化した図である。
【図3】図1の光電子トランシーバ・サブモジュールを
線3ー3で切り取った部分的断面図を高倍率で拡大し単
純化した図である。
線3ー3で切り取った部分的断面図を高倍率で拡大し単
純化した図である。
【図4】光電子トランシーバ・サブモジュールの別の実
施例を拡大して単純化した斜視図である。
施例を拡大して単純化した斜視図である。
【図5】図4の光電子トランシーバ・サブモジュールを
線4ー4で切り取った部分的断面図を高倍率で拡大し単
純化した図である。
線4ー4で切り取った部分的断面図を高倍率で拡大し単
純化した図である。
100 光電子トランシーバ・サブモジュール 101 モールド・ベース 102 表面 103 端部表面 104 幅 105 高さ 106 長さ 107,108 整合フェルール 109 部分 110 複数の電気トレーシング 111,112,113,114 電気トレーシング 115 表面 116 部分 120 複数のコア領域 121,122 コア領域 130,131 フォトニック・デバイス 140 光コネクタ 141 スタンドオフ 143 第1端部 144 第2端部 201 動作部分 202 電気接点部分 203 バンプ・ボンド 208 表面 209 高さ 210 動作部分201と表面208との間の距離 213 表面 215 光信号 301 動作部分 302 電気接点部分 303 電気接点 315 光信号 320 フォーム 321 表面 322 反射層 400 光電子トランシーバ・サブモジュール 402 表面 403 端部表面 407,408 整合フェルール 411,412 電気トレーシング 422 コア領域 430 フォトニック・デバイス 440 溝もしくはチャネル 503 バンプ 513 角度を付けた表面 515 光信号
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 シュン・ミーン・クオ アメリカ合衆国アリゾナ州チャンドラー、 ダブリュー・ギャリー・ドライヴ5943
Claims (4)
- 【請求項1】 光電子トランシーバ・モジュールであっ
て:表面(102)および端部表面(103)を有し、
整合フェルール(107)が前記端部表面103内に配
置されるモールド・ベース(101);前記モールド・
ベース上の前記表面(102)の上に配置される複数の
電気トレーシング(110);有機光学媒体によって形
成され、第1端部(143)および第2端部(144)
を有するコア領域(121)であって、前記コア領域
(121)は前記モールド・ベース(101)の前記表
面(102)の上に位置し、前記コア領域(121)の
前記第1端部(143)は前記モールド・ベース(10
1)の前記端部表面(103)から始まり、前記コア領
域(121)は前記モールド・ベース(101)の前記
表面(102)上に伸びるコア領域(121);およ
び、 前記モールド・ベース(101)の前記表面(102)
の上にマウントされるフォトニック・デバイス(13
1)であって、前記コア領域(121)の前記第2端部
(144)が前記フォトニック・デバイス(131)と
動作可能な形で結合され、前記フォトニック・デバイス
(131)は前記複数の電気トレーシング(110)の
一つと電気的に結合されるフォトニック・デバイス(1
31);によって構成されることを特徴とする光電子ト
ランシーバ・モジュール。 - 【請求項2】 光電子トランシーバ・モジュールであっ
て:第1表面(102)および端部表面(103) を有
し、整合フェルール( 107) が前記モールド・ベース
( 101) の前記端部表面( 103) 内に配置され、前
記第1表面(102)は一段高い第2表面を生成するス
タンドオフ(141)を有するモールド・ベース(10
1);前記モールド・ベース(101)の前記表面(1
02)の上に配置される複数の電気トレーシング(11
0);有機光学媒体によって形成され、第1端部(14
3)および第2端部(144)を有するコア領域(12
1)であって、前記コア領域(121)は前記ベース
(101)の前記表面(102)の上に配置され、前記
コア領域(121)の前記第1端部(143)は前記モ
ールド・ベース(101)の前記端部表面(103)か
ら始まり、前記モールド・ベース(101)の前記第1
表面(102)の上に伸びるコア領域(121);およ
び、 動作部分(301)および電気接点を有し、前記モール
ド・ベース(101)上で前記スタンドオフ(141)
の前記一段高い第2表面上にマウントされるフォトニッ
ク・デバイス(131)であって、前記有機導波管の前
記第2端部(144)は前記フォトニック・デバイス
(131)の前記動作部分(301)と動作可能な形で
結合し、前記フォトニック・デバイス(131)の前記
電気接点(303)は前記複数の電気トレーシング(1
10)の一つと電気的に結合され、これによって光電子
トランシーバ・モジュールを生成するフォトニック・デ
バイス(131);によって構成されることを特徴とす
る光電子トランシーバ・モジュール。 - 【請求項3】 光電子トランシーバ・モジュールを作る
方法であって:表面(102)および端部表面(10
3)を有し、前記端部表面(103)の上に配置される
整合フェルール(107)を備えたベース(101)を
鋳造する段階;前記ベース(101)の前記表面(10
2)の上に複数の電気トレーシング(110)を配置す
る段階;前記ベース(101)の前記表面(102)上
に、有機光学媒体からコア領域(121)を形成する段
階であって、前記表面(102)上の前記コア領域(1
21)は第1端部(143)および第2端部(144)
を有し、前記コア領域(121)の前記第1端部(14
3)は前記ベース(101)の前記端部表面(103)
から始まり、前記第2端部(144)は前記ベース(1
01)の前記表面(102)の上に伸びる段階;およ
び、 動作部分(301)および電気接点を有するフォトニッ
ク・デバイス(131)を、前記ベース(101)の前
記表面(102)の上にマウントする段階であって、前
記コア領域(121)の前記第2端部(144)は前記
フォトニック・デバイス(131)の前記動作部分(3
01)と動作可能な形で結合し、前記フォトニック・デ
バイス(131)の前記接点は前記複数の電気トレーシ
ング(110)の一つと電気的に結合される段階;によ
って構成されることを特徴とする製造方法。 - 【請求項4】 光電子トランシーバ・モジュールであっ
て:第1表面(402)および端部表面(403)を有
するモールド・ベース(401)であって、整合フェル
ール(407)は前記モールド・ベース(101)の前
記端部表面(103)内に配置され、チャネル(44
0)は第1端部および第2端部を有して、前記チャネル
(422)の前記第1端部は前記端部表面(103)か
ら始まり、前記第2端部は前記モールド・ベースの前記
第1表面(402)内に伸び、および前記第1表面(4
02)のスタンドオフ(141)は一段高い第2表面を
生成するモールド・ベース(401);前記モールド・
ベース(401)の前記表面(402)の上に配置され
る複数の電気トレーシング(411,412);前記モ
ールド・ベース(401)のチャネル(440)内に有
機光学媒体によって形成され、第1端部および第2端部
を有するるコア領域(422)であって、前記コア領域
(422)は前記ベース(401)の前記表面(40
2)上に配置され、前記コア領域(422)の前記第1
端部は前記ベース(401)の前記端部(403)から
始まり、前記ベース(401)の前記第1表面(40
2)内に伸びるコア領域(422);および、 前記ベース(401)上の前記スタンドオフの前記一段
高い第2表面上にマウントされる、動作部分および電気
接点を有するフォトニック・デバイス(430)であっ
て、前記有機導波管の前記第2端部は前記フォトニック
・デバイス(430)と動作可能な形で結合され、前記
フォトニック・デバイス(430)の前記電気接点は、
前記複数の電気トレーシング(411,412)の一つ
と電気的に結合されて、これにより光電子トランシーバ
・モジュールを生成するフォトニック・デバイス(43
0);によって構成されることを特徴とする光電子トラ
ンシーバ・モジュール。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/063,826 US5345524A (en) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | Optoelectronic transceiver sub-module and method for making |
| US063826 | 1993-05-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06337334A true JPH06337334A (ja) | 1994-12-06 |
Family
ID=22051776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6127144A Pending JPH06337334A (ja) | 1993-05-20 | 1994-05-18 | 光電子トランシーバ・サブモジュールとその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5345524A (ja) |
| JP (1) | JPH06337334A (ja) |
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| JP2008065287A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-03-21 | Matsushita Electric Works Ltd | 光電気変換装置 |
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