JPH06338278A

JPH06338278A - Ｘ線撮像管

Info

Publication number: JPH06338278A
Application number: JP12863393A
Authority: JP
Inventors: Kenji Samejima; 賢二鮫島; Kazuyuki Nagatsuma; 一之長妻; Kazutaka Tsuji; 和隆辻; Tadaaki Hirai; 忠明平井; Hirotaka Maruyama; 裕孝丸山; Saburo Okazaki; 三郎岡崎
Original assignee: Hitachi Ltd; Nippon Hoso Kyokai NHK; Japan Broadcasting Corp
Current assignee: Hitachi Ltd; Japan Broadcasting Corp
Priority date: 1993-05-31
Filing date: 1993-05-31
Publication date: 1994-12-06

Abstract

(57)【要約】【目的】基板の厚さを薄くしても画像歪や光導電膜の破
損がない、より高感度のＸ線撮像管を得る。【構成】撮像管外管６に圧着封止されたＸ線を透過する
入射窓１と、入射Ｘ線を電気信号に換える光導電膜４と
ターゲット電極３からなる撮像管ターゲット部と、走査
電子ビーム発生部とを備え、上記撮像管ターゲット部を
入射窓１から分離する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、特に感度を高めるため
に、ターゲット部を改良したＸ線撮像管に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】一般に、Ｘ線やγ線（以下、単にＸ線と
いう）を用いて不可視物体の透過Ｘ線像をテレビジョン
方式で観測する手段として、各種の方法が提案されてい
る。例えば、（１）透過Ｘ線像を螢光板に吸収させ、そ
の発光像を高感度のテレビジョンカメラで撮像する方
法、（２）Ｘ線蛍光増倍管の像をテレビジョンカメラで
撮像する方法、（３）Ｘ線撮像管を用いてＸ線像を直接
撮像する方法などである。これらのうち（３）に記した
Ｘ線像を直接に撮像管の光導電膜に受けて、電気信号に
変換する直接撮像方法は、他の方法と比較して装置が簡
単であり螢光板や光学系を省略できるため、高解像度が
得られるなどの特徴を有し、物質の非破壊検査等の各方
面で多用されている。

【０００３】上記Ｘ線撮像管に使用する基板は、Ｘ線の
吸収が少ない物質で形成されるが、上記基板の板厚を薄
くする必要がある。一般的には、金属ベリリウム、アル
ミニウム、チタン、ガラス等が用いられている。上記の
中で、金属ベリリウムは機械的強度が大きく軟Ｘ線領域
での吸収も少ないため、基板材料として広く用いられて
いる。

【０００４】ところで、上記Ｘ線撮像管のターゲット
は、従来、適当な厚さに成形された金属ベリリウムから
なる基板上に、直接光導電膜、例えば酸化鉛（Ｐb
Ｏ）、非晶質セレン（Ｓe）、シリコン（Ｓi）等を、真
空蒸着法等により堆積することによって得ている。ま
た、白点状の画像欠陥を抑制するために、あらかじめ金
属ベリリウム等の基板上にガラス薄層を形成する方法
（特開昭６２−２９０４２号）も知られている。

【０００５】さらにまた、電極あるいは走査電子ビーム
ランディング層から光導電膜内への電荷注入を阻止した
構造のＸ線撮像管に高い電圧を印加し、層内で電荷のア
バランシェ増倍を生じさせることにより、高い感度を得
る技術が報告されている（例えば、テレビジョン学会全
国大会講演予稿集、１５〜１６頁、１９８９年）。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術における
Ｘ線撮像管はＸ線入射窓材と蒸着基板とが同一である
か、または上記窓材と蒸着基板とが密着した構造になっ
ている。一般に撮像管では、撮像管の口径が大きくなる
にしたがい、撮像管内の真空を保つために基板の厚さを
増すことが必要である。しかしながら、Ｘ線撮像管では
基板の厚さを増すことにより、基板内でのＸ線吸収量が
増加して感度の低下を生じるため、極力上記基板の厚さ
を薄くすることが重要である。従来技術のＸ線撮像管で
は、上記基板の厚さを撮像管内の真空に耐え得る程度に
薄くすると、上記基板に反りを生じる。その結果、画像
の歪を発生するとともに、さらには上記基板上に形成し
た光導電膜が破損するおそれがある。また、基板に直接
撮像管ターゲットを形成する方法では、上記のような白
点状の画像欠陥を抑制するために、あらかじめ金属ベリ
リウム等の基板上に、ガラス層を形成する工程が加わり
ターゲットの作製が複雑になる。さらには上記ガラス層
でＸ線を吸収し感度の低下をきたすなどの欠点があっ
た。

【０００７】本発明の目的は、基板の厚さを薄くして
も、画像歪ならびに光導電膜の破損が生じない、より高
感度のＸ線撮像管を得ることである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的は、Ｘ線を透過
し、かつ撮像管外管の開口部にインジュウムリングで圧
着封止されたＸ線入射窓と、少なくとも入射Ｘ線を電気
信号に変換するための光導電膜と、該光導電膜のＸ線入
射側に形成したターゲット電極とからなる撮像管ターゲ
ット部と、上記電気信号を読み取るための走査電子ビー
ム発生部とを備え、上記撮像管ターゲット部を上記Ｘ線
入射窓から分離して構成することにより達成される。

【０００９】

【作用】主なＸ線入射窓について発明者らが調査した結
果の、Ｘ線入射窓材の厚さとＸ線透過率との関係を図２
に示す。Ｘ線のエネルギーは１０ｋeＶである。図より
Ｘ線入射窓の厚さが厚いほど、上記Ｘ線入射窓でのＸ線
吸収量が大きくなることがわかる。特に、Ｂe，ＢＮ以
外のＸ線入射窓を用いた場合に、入射窓の厚さが１ｍｍ
以上になるとＸ線は上記Ｘ線入射窓で吸収されてしま
う。このことから、Ｘ線撮像管の感度を高めるには、上
記Ｘ線入射窓の厚さを極力薄くして、基板におけるＸ線
の吸収量を極力少なくすることが重要である。

【００１０】つぎに、図面を用いて本発明を詳しく説明
する。図１は本発明によるＸ線撮像管の基本構造を示す
概略断面図である。図において、１はＸ線入射窓、２は
Ｘ線透過性薄板状基板、３はターゲット電極、４は光導
電膜、５は走査電子ビームランディング層、６は撮像管
の外管、７は管内を真空に封止するためのインジュウム
リング、８は金属リング、９はメッシュ電極、１０は走
査電子ビーム、１１はカソード、１２は走査電子ビーム
を偏向集束するためのコイルである。Ｘ線入射窓１とし
ては、Ｂe，ＢＮ，Ａl，Ｔi，ＳiＯ₂、ならびにＡl₂Ｏ₃
等を用いる。上記Ｘ線入射窓１の厚さは撮像管内の真空
が保持できる厚さであればよく、基板２に反りが発生し
ても構わない。上記Ｘ線透過性薄板状基板２は、Ｂe，
ＢＮ，Ａl，Ｔi，ＳiＯ₂，Ａl₂Ｏ₃および有機高分子材
料等のいずれかを用い、厚さは極力薄い方が好ましい。
上記基板２上に光導電膜４を形成するが、上記光導電膜
４が上記基板２なしでも保持できる場合には、上記基板
２を取り除くことも可能で、その方がより高感度なＸ線
撮像管を得ることができる。ターゲット電極３として
は、ＩＴＯ，ＳnＯ₂、および金属薄膜を使用できるが、
中でもＸ線の吸収量が少ないＡl薄膜が好適である。Ａl
薄膜は通常の真空蒸着法やスパッタリング法等によって
形成することができる。光導電膜４には、従来から知ら
れているＰbＯ，Ｓe，Ｓiからなる半導体材料を用いる
が、中でもＳeを主体とする非晶質半導体を光導電膜４
として用いると、画像欠陥を発生することなしに解像度
が高い撮像管ターゲットを得ることができる。さらにま
た、膜内で電荷のアバランシェ増倍を生じさせて感度を
高めることもできる。

【００１１】図３は本発明のＸ線撮像管におけるターゲ
ット電極３に、電圧を供給するための具体的形態を示す
概略断面図である。図において、１３はターゲット電極
３から撮像管の外管６を貫通して設けたターゲット電極
取り出しピンで、１４はＸ線入射窓１を貫通して設けた
ターゲット電極取り出しピンである。ターゲット電極３
に電圧を供給する方法には、図３（ａ）に示すように外
管６内で上記ターゲット電極３をインジュウムリング７
に接続する方法、図３（ｂ）に示すように撮像管の外管
６を貫通したターゲット電極取り出しピン１３とターゲ
ット電極３とを外管６内で接続する方法、および図３
（ｃ）に示すようにＸ線入射窓１を貫通したターゲット
電極取り出しピン１４と、ターゲット電極３とを外管６
内で接続する方法が有効である。図３（ｃ）では、ター
ゲット電極取り出しピン１４が直接Ｘ線入射窓１を貫通
して設けられているが、必ずしもその必要はなく、例え
ば上記Ｘ線入射窓１をＸ線が通過できるだけの孔があい
た補強板に取り付け、上記補強板にターゲット電極取り
出しピン１４を設けても構わない。上記方法による方が
Ｘ線入射窓１をより薄くできるので、高感度なＸ線撮像
管を得ることができる。図３に示す（ａ）〜（ｃ）の中
では、（ａ）が最も簡単な構成であるが、Ｘ線入射窓１
が金属ベリリウムのように導電性材料である場合は、
（ｂ）または（ｃ）の方が有効である。

【００１２】また、図１および図３に示した本発明のＸ
線撮像管では、Ｘ線入射窓１と撮像管ターゲット部が分
離されているため、上記Ｘ線入射窓１を撮像管内の真空
が保たれる程度であれば十分に薄くすることが可能で、
それに伴って生じる上記Ｘ線入射窓１の反りも何ら問題
とはならない。そのため、Ｘ線入射窓１におけるＸ線吸
収量を大幅に低減することができ、より高感度のＸ線撮
像管を実現することができる。

【００１３】

【実施例】つぎに本発明の実施例を図面とともに説明す
る。図１は本発明によるＸ線撮像管の概略構成を示す図
であり、図４は上記Ｘ線撮像管の第１実施例におけるＸ
線入射窓および撮像管ターゲット部を示す図、図５は上
記Ｘ線撮像管の第２実施例におけるＸ線入射窓および撮
像管ターゲット部を示す図、図６は上記Ｘ線撮像管の第
３実施例におけるＸ線入射窓および撮像管ターゲット部
を示す図、図７は上記Ｘ線撮像管の第４実施例における
主要部分を示す断面図、図８は上記Ｘ線撮像管を用いる
Ｘ線像解析システムの構成を示す第５実施例図である。

【００１４】第１実施例本発明によるＸ線撮像管の基本構造は、図１に示すよう
に、Ｘ線撮像管の外管６の開口端に、Ｂe，ＢＮ，Ａl，
Ｔi，ＳiＯ₂，Ａl₂Ｏ₃のいずれかにより形成したＸ線入
射窓１をインジュウムリング７で圧着封止し、その上を
金属リング８で締め付け、上記外管６内を真空に保持し
ている。３はＸ線透過性薄板状基板２上に、ＩＴＯ，Ｓ
nＯ₂、金属薄膜のいずれかを真空蒸着法やスパッタリン
グ法等で形成したターゲット電極で、該ターゲット電極
３上に、入射Ｘ線を電気信号に変換するための光導電膜
４および走査電子ビームランディング層５を順次積層し
て、撮像管ターゲット部を上記Ｘ線入射窓１から分離し
た状態で構成している。１１はカソード、１２は走査電
子ビーム１０を偏向集束するためのコイルであり、９は
メッシュ電極である。なお、上記基板２は、上記光導電
膜４が基板なしでも保持できる場合は取り除いても差し
支えない。

【００１５】上記Ｘ線撮像管のターゲット電極に対する
電圧供給法として、Ｘ線入射窓および撮像管ターゲット
部の構成の第１実施例を示す図４において、（ａ）は電
子ビーム走査側から見た平面図、（ｂ）は断面図であ
る。２４ｍｍ角で厚さ０.１ｍｍの透光性ガラスからな
るＸ線透過性薄板状基板（図示せず）の片側全面に、タ
ーゲット電極３として真空蒸着法により膜厚２００Åの
アルミニウム膜を形成する。つぎに、１８ｍｍ角で膜厚
が１００〜３００Åの酸化セリウムからなる正孔注入阻
止層および１８ｍｍ角で膜厚が１０〜５０μｍのＳeを
主体とする非晶質半導体からなる光導電膜４を、真空蒸
着法により順次形成する。上記により得られた撮像管タ
ーゲットを反応性スパッタリング装置に装着し、圧力
０.０１〜０.０８Ｔorrのアルゴンガス雰囲気中におけ
る反応性スパッタリングにより、上記Ｘ線透過性薄板状
基板だけをエッチングして取り除く。つぎに上記光導電
膜４上に圧力０.１〜０.４Ｔorrのアルゴンガス雰囲気
中で三硫化アンチモンを蒸着し、１８ｍｍ角で膜厚０.
１μｍの走査電子ビームランディング層５を形成し、撮
像管ターゲット部を得る。

【００１６】上記のようにして得られた撮像管ターゲッ
ト部は、図４（ｂ）に示すようにあらかじめ撮像管外管
６の開口縁に設けた溝に取り付け、つぎにＸ線入射窓１
である直径２６ｍｍで厚さ０.３ｍｍの金属ベリリウム
を、上記外管６にインジュウムリング７で気密に封着し
たのち、外管６の内部を真空封止してＸ線撮像管を得
る。

【００１７】上記Ｘ線撮像管では、封着に用いたインジ
ュウムリング７によって上記ターゲット電極３が上記イ
ンジュウムリング７と電気的に接続され、しかも撮像管
ターゲット部のＸ線透過性薄板状基板を除去しているの
で、上記基板による入射Ｘ線の吸収がなく、高感度のＸ
線撮像管を得ることができる。

【００１８】第２実施例ターゲット電極に対する電圧供給法の例として、Ｘ線入
射窓および撮像管ターゲット部の構成の第２実施例を示
す図５において、（ａ）は電子ビーム走査側から見た平
面図、（ｂ）は断面図である。直径７５ｍｍで上端が切
り落された厚さ０.２ｍｍのアルミニウムからなるＸ線
透過性薄板状基板２（ターゲット電極３の役割も果た
す）の片側に、反応性スパッタリング法によって、直径
６５ｍｍで膜厚１００〜３００Åの酸化シリコンからな
る正孔注入阻止層を形成し、その上に真空蒸着法により
直径６５ｍｍで膜厚１〜５０μｍのＳeを主体とする非
晶質半導体の光導電膜４を形成する。つぎに、圧力０.
１〜０.４Ｔorrのアルゴンガス雰囲気中で、上記光導電
膜４の上に三硫化アンチモンを蒸着し、直径６５ｍｍで
膜厚０.１μｍの走査電子ビームランディング層５を形
成し、撮像管ターゲット部を得る。

【００１９】つぎに、撮像管ターゲット部を所定の位置
に装着できるような溝とターゲット電極取り出しピン１
３とを、管壁にあらかじめ設けた撮像管外管６に、上記
撮像管ターゲット部を取り付けるが、上記外管６に設け
た溝には、ターゲット電極３の役割をもつＸ線透過性薄
板状基板２と上記ターゲット電極取り出しピン１３とを
接続するためのインジュウムが溶着されている。まず、
上記撮像管ターゲット部を撮像管外管６の溝に装着し、
つぎに撮像管ターゲット押えガラス１５を装着する。最
後にＸ線入射窓１である直径７９ｍｍで厚さ０.５ｍｍ
の金属チタンを撮像管外管６にインジュウムリング７で
気密封着し、内部を真空封止してＸ線撮像管を得る。

【００２０】上記Ｘ線撮像管では、上記ターゲット電極
取り出しピン１３が外管６の管壁を貫通してターゲット
電極（基板）との電気的接続を行っているが、上記撮像
管ターゲット部のＸ線透過性薄板状基板２を製作工程で
取り除く必要がないので、容易に撮像管ターゲット部を
作製することができる。

【００２１】第３実施例Ｘ線入射窓を貫通して電極取り出しを行う例として、Ｘ
線入射窓および撮像管ターゲット部の構成に対する第３
実施例を示す図６において、（ａ）は電子ビーム走査側
から見た平面図、（ｂ）は断面図である。２２ｍｍ角で
厚さ０.１ｍｍの金属ベリリウムからなるＸ線透過性薄
板状基板２（ターゲット電極の役割も果たす）の片側全
面に、膜厚１００〜３００Åの酸化セリウムからなる正
孔注入阻止層を、さらにその上に膜厚１０〜５０μｍの
Ｓeを主体とする非晶質半導体の光導電膜４を、それぞ
れ真空蒸着法により形成する。つぎに、圧力０.１〜０.
４Ｔorrのアルゴンガス雰囲気中で、上記光導電膜４上
に三硫化アンチモンを蒸着し、膜厚０.１μｍの走査電
子ビームランディング層５を形成して撮像管ターゲット
部を得る。

【００２２】つぎに、ターゲット電極取り出しピン１４
があらかじめ溶着され、直径２６ｍｍ厚さ３ｍｍで、中
心に直径１８ｍｍの孔があいたガラス基板からなる補強
板１６に、直径２６ｍｍで厚さ０.５ｍｍの金属ベリリ
ウムからなるＸ線入射窓１を接着する。上記のようにし
て得たＸ線入射窓１付き補強板１６のターゲット電極取
り出しピン１４に、上記撮像管ターゲット部のＸ線透過
性薄板状基板側を導電性接着剤で接着する。最後に上記
補強板１６を撮像管外管６の開口端にインジュウムリン
グ７で気密封着し、外管６の内部を真空封止してＸ線撮
像管を得る。

【００２３】上記Ｘ線撮像管では、ターゲット電極取り
出しピン１４が導電性接着剤により撮像管ターゲット部
の基板２（ターゲット電極の役割をもつ）に接着され電
気的接続を行っているが、Ｘ線入射窓１は上記補強板１
６に固定されているため、走査領域におけるＸ線入射窓
１を極力薄くできるので、上記Ｘ線入射窓１による入射
Ｘ線の吸収がほとんどなく、高感度のＸ線撮像管を得る
ことができる。

【００２４】第４実施例撮像管外管の管壁を貫通してターゲット電極に電圧を供
給する方法の一例を示す第４実施例は、Ｘ線撮像管の主
要部分の断面を図７に示す。直径８インチで厚さ１ｍｍ
のアルミニウムからなるＸ線透過性薄板状基板２（ター
ゲット電極３の役割も果たす）の片面に、直径７インチ
で膜厚１００〜３００Åの酸化セリウムからなる正孔注
入阻止層を、真空蒸着法によって形成する。さらにその
上に、膜厚５０〜５００μｍのＳeを主体にする非晶質
半導体の光導電膜４を真空蒸着法で形成する。つぎに圧
力０.１〜０.４Ｔorrのアルゴンガス雰囲気中で上記光
導電膜４上に三硫化アンチモンを蒸着し、膜厚０.１μ
ｍの走査電子ビームランディング層５を形成して撮像管
ターゲット部を得る。

【００２５】つぎに、直径９インチの開口部を有する外
管６の、開口部近くに貫通して設けたターゲット電極取
り出しピン１３と、上記撮像管ターゲット部のＸ線透過
性薄板状基板２とを導電性接着剤で接着して、電気的接
続を行う。最後に、直径９インチで厚さ２ｍｍのアルミ
ニウムからなるＸ線入射窓１をインジュウムリング７で
気密封着し、上記外管６の内部を真空封止してＸ線撮像
管を得る。

【００２６】本実施例に示すＸ線撮像管はＸ線入射窓１
が大面積であるため、レンズ系を通さずに直接心臓等の
Ｘ線透過像を得ることができる。ただし、上記Ｘ線入射
窓１のアルミニウムが２ｍｍと厚いため、Ｘ線のエネル
ギが１５ｋeＶ以下ではほとんどのＸ線が上記Ｘ線入射
窓１で吸収されてしまう。したがって、図７に示す第５
実施例の構造では、Ｘ線のエネルギが２０ｋeＶ以上で
あるＸ線を用いる場合に有効である。

【００２７】第５実施例図８は本発明の第５実施例として、上記各実施例に記載
したＸ線撮像管を用いるＸ線像解析システムの概略を示
す構成図である。図において、１７は本発明によるＸ線
撮像管、１８はＸ線被検体、１９はＸ線源、２０はフレ
ームメモリ、２１は画像信号処理装置、２２はターゲッ
ト電源、２３はカメラコントロールユニット、２４はモ
ニタである。

【００２８】一例として、膜厚２０μｍの非晶質Ｓeを
光導電膜として用いた、上記第２実施例に記載のＸ線撮
像管を図８に示すＸ線像解析システムに実装し、ターゲ
ット電極に２０００Ｖの電圧を印加して動作させたとこ
ろ、上記Ｘ線撮像管の光導電膜内で電荷のアバランシェ
増倍を生じさせることができ、高感度で高Ｓ／ＮのＸ線
解析処理を行うことができた。

【００２９】また、上記第１実施例、第２実施例ならび
に第３実施例によって得られた、膜厚１０μｍの非晶質
Ｓeを用いたＸ線撮像管を上記第５実施例のＸ線像解析
システムに実装し、ターゲット電極に６００Ｖの電圧を
印加して動作させたところ、従来のＸ線撮像管に対して
感度比で約３倍の特性が得られ、さらにターゲット電極
に１０５０Ｖの電圧を印加し、光導電膜内で電荷のアバ
ランシェ増倍を生じさせて動作させたところ、従来のＸ
線撮像管に対して感度比で約１００倍の高感度特性を得
ることができた。

【００３０】

【発明の効果】上記のように本発明によるＸ線撮像管
は、Ｘ線を透過し、かつ撮像管外管の開口部にインジュ
ウムリングで圧着封止されたＸ線入射窓と、少なくとも
入射Ｘ線を電気信号に変換するための光導電膜と、該光
導電膜のＸ線入射側に形成したターゲット電極とからな
る撮像管ターゲット部と、上記電気信号を読み取るため
の走査電子ビーム発生部とを少なくとも備え、上記撮像
管ターゲット部を、上記Ｘ線入射窓から分離したことに
より、上記撮像管の真空が保たれるかぎり、光導電膜を
破損することなくＸ線入射窓を極力薄くすることができ
る。その結果、上記Ｘ線入射窓における入射Ｘ線の吸収
率が低下するため、Ｘ線撮像管の感度を増大させること
ができ、また上記Ｘ線撮像管をＸ線像解析システムに用
いることによって、高感度で高Ｓ／ＮのＸ線像解析処理
を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるＸ線撮像管の概略構成を示す図で
ある。

【図２】Ｘ線入射窓の厚さとＸ線透過率との関係を示す
図である。

【図３】ターゲット電極に電圧を供給する具体的方法を
示す断面図で、（ａ）は外管内でターゲット電極とイン
ジュウムリングとを接続する方法を示す図、（ｂ）は外
管を貫通したターゲット電極取り出しピンとターゲット
電極とを接続する方法を示す図、（ｃ）はＸ線入射窓を
貫通するターゲット電極取り出しピンとターゲット電極
とを接続する方法を示す図である。

【図４】上記Ｘ線撮像管の第１実施例におけるＸ線入射
窓および撮像管ターゲット部を示す図で、（ａ）は電子
ビーム走査側から見た平面図、（ｂ）は断面図である。

【図５】上記Ｘ線撮像管の第２実施例におけるＸ線入射
窓および撮像管ターゲット部を示す図で、（ａ）は電子
ビーム走査側から見た平面図、（ｂ）は断面図である。

【図６】上記Ｘ線撮像管の第３実施例におけるＸ線入射
窓および撮像管ターゲット部を示す図で、（ａ）は電子
ビーム走査側から見た平面図、（ｂ）は断面図である。

【図７】上記Ｘ線撮像管の第４実施例における主要部分
を示す断面図である。

【図８】上記Ｘ線撮像管を用いるＸ線像解析システムの
構成を示す第５実施例図である。

【符号の説明】

１…入射Ｘ線窓２…薄板状基板３…ターゲット電極４…光導電膜６…撮像管外管７…インジュウムリング１１…カソード１３，１４…ターゲット電極取り出しピン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者辻和隆東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者平井忠明東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者丸山裕孝東京都世田谷区砧一丁目10番11号日本放送協会放送技術研究所内 (72)発明者岡崎三郎東京都世田谷区砧一丁目10番11号日本放送協会放送技術研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】Ｘ線を透過し、かつ撮像管外管の開口部に
インジュウムリングで圧着封止されたＸ線入射窓と、少
なくとも入射Ｘ線を電気信号に変換するための光導電膜
と、該光導電膜のＸ線入射側に形成したターゲット電極
とからなる撮像管ターゲット部と、上記電気信号を読み
取るための走査電子ビーム発生部とを備え、上記撮像管
ターゲット部を上記Ｘ線入射窓から分離して構成したＸ
線撮像管。
【請求項２】上記撮像管ターゲット部は、上記ターゲッ
ト電極と上記光導電膜とが、Ｘ線透過性の薄板状基板に
順次積層して形成されたことを特徴とする請求項１記載
のＸ線撮像管。
【請求項３】上記撮像管ターゲット部は、基板なしで単
独に保持されていることを特徴とする請求項１または請
求項２記載のＸ線撮像管。
【請求項４】上記入射窓は、Ｂe，ＢＮ，Ａl，Ｔi，Ｓi
Ｏ₂，Ａl₂Ｏ₃の少なくとも１つからなることを特徴とす
る請求項１記載のＸ線撮像管。
【請求項５】上記Ｘ線透過性薄板状基板は、Ｂe，Ｂ
Ｎ，Ａl，Ｔi，ＳiＯ₂，Ａl₂Ｏ₃および有機高分子材料
の少なくとも１つからなることを特徴とする請求項２記
載のＸ線撮像管。
【請求項６】上記ターゲット電極は、上記インジュウム
リングに電気的に接続されていることを特徴とする請求
項１または請求項２記載のＸ線撮像管。
【請求項７】上記ターゲット電極は、撮像管の外管を貫
通して設けたターゲット電極取り出しピンに、電気的に
接続されていることを特徴とする請求項１、請求項２、
請求項６のいずれかに記載のＸ線撮像管。
【請求項８】上記ターゲット電極取り出しピンは、上記
入射窓を貫通して設けられていることを特徴とする請求
項７記載のＸ線撮像管。
【請求項９】上記光導電膜は、Ｓeを材料とすることを
特徴とする請求項１または請求項２記載のＸ線撮像管。
【請求項１０】上記Ｓeを材料とする光導電膜は、内部
で電荷のアバランシェ増倍を生じる程のターゲット電圧
を印加して、使用することを特徴とする請求項９記載の
Ｘ線撮像管。
【請求項１１】上記請求項１より請求項１０のいずれか
に記載するＸ線撮像管を用いたＸ線解析システム。