JPH06338701A - 高周波回路基板構造 - Google Patents
高周波回路基板構造Info
- Publication number
- JPH06338701A JPH06338701A JP5126412A JP12641293A JPH06338701A JP H06338701 A JPH06338701 A JP H06338701A JP 5126412 A JP5126412 A JP 5126412A JP 12641293 A JP12641293 A JP 12641293A JP H06338701 A JPH06338701 A JP H06338701A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric substrate
- chip component
- frequency circuit
- circuit board
- board structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
Landscapes
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 チップ部品の通過位相量を少なくし、マイク
ロ波特性を改善した高周波回路基板構造を提供するこ
と。 【構成】 マイクロストリップ線路２ａ、２ｂが表面に
形成され、裏面に接地導体３が形成された誘電体基板１
と、前記マイクロストリップ線路２ａ、２ｂに接続され
るチップ部品５と、前記誘電体基板１の接地導体３が接
するように前記誘電体基板１が載置され、接地面４ａを
形成する金属基板４とを具備した高周波回路基板構造に
おいて、前記チップ部品５と前記金属基板４の接地面４
ａとの間が空気層となるように、前記チップ部品５直下
の前記誘電体基板１に穴６を設けている。
ロ波特性を改善した高周波回路基板構造を提供するこ
と。 【構成】 マイクロストリップ線路２ａ、２ｂが表面に
形成され、裏面に接地導体３が形成された誘電体基板１
と、前記マイクロストリップ線路２ａ、２ｂに接続され
るチップ部品５と、前記誘電体基板１の接地導体３が接
するように前記誘電体基板１が載置され、接地面４ａを
形成する金属基板４とを具備した高周波回路基板構造に
おいて、前記チップ部品５と前記金属基板４の接地面４
ａとの間が空気層となるように、前記チップ部品５直下
の前記誘電体基板１に穴６を設けている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波機器などに
用いられる高周波回路基板構造に関するもので、例えば
抵抗やコンデンサ等のチップ部品を実装する高周波回路
基板構造に関する。
用いられる高周波回路基板構造に関するもので、例えば
抵抗やコンデンサ等のチップ部品を実装する高周波回路
基板構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の高周波回路基板構造について、図
３を参照して説明する。
３を参照して説明する。
【０００３】３１は誘電体基板で、誘電体基板３１の表
面にはマイクロストリップ線路３２ａ、３２ｂが、ま
た、裏面には接地導体３３が形成される。上記した構成
の誘電体基板３１は、裏面の接地導体３３が金属基板３
４の接地面３４ａに接するように、金属基板３４上に配
置される。そして、誘電体基板３１上に形成されたマイ
クロストリップ線路３２ａ、３２ｂ間に、抵抗やコンデ
ンサ等のチップ部品３５が接続される。
面にはマイクロストリップ線路３２ａ、３２ｂが、ま
た、裏面には接地導体３３が形成される。上記した構成
の誘電体基板３１は、裏面の接地導体３３が金属基板３
４の接地面３４ａに接するように、金属基板３４上に配
置される。そして、誘電体基板３１上に形成されたマイ
クロストリップ線路３２ａ、３２ｂ間に、抵抗やコンデ
ンサ等のチップ部品３５が接続される。
【０００４】次に、図３のような構成で、誘電体基板３
１面の回路を高周波的に短絡する場合の高周波回路基板
構造について、図４を参照して説明する。なお、図４で
は図３と同一部分には同一符号を付し、重複する説明は
省略する。
１面の回路を高周波的に短絡する場合の高周波回路基板
構造について、図４を参照して説明する。なお、図４で
は図３と同一部分には同一符号を付し、重複する説明は
省略する。
【０００５】この場合、マイクロストリップ線路３２
ａ、３２ｂ間に接続されるチップ部品３５として、例え
ばコンデンサが使用される。そして、誘電体基板３１に
スルーホール３６が形成され、スルーホール３６周囲に
形成された導電層３７のインダクタンス分とチップ部品
３５のコンデンサとの直列回路で、誘電体基板３１面の
回路を短絡する。
ａ、３２ｂ間に接続されるチップ部品３５として、例え
ばコンデンサが使用される。そして、誘電体基板３１に
スルーホール３６が形成され、スルーホール３６周囲に
形成された導電層３７のインダクタンス分とチップ部品
３５のコンデンサとの直列回路で、誘電体基板３１面の
回路を短絡する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記したようにチップ
部品３５を誘電体基板３１上に配置する場合、チップ部
品３５直下の波長短縮率は、ほぼ誘電体基板３１の比誘
電率の平方根の逆数となる。したがって、チップ部品３
５部分の波長は誘電体基板３１の比誘電率で決定され
る。このため、誘電体基板３１上に形成される高周波回
路を小形化するために、例えば誘電体基板３１の比誘電
率を大きくすると、チップ部品３５部分の波長が短くな
る。このようにチップ部品３５部分の波長が短くなる
と、チップ部品３５部分の通過位相量が増大し、ＶＳＷ
Ｒ等のマイクロ波特性が劣化する。
部品３５を誘電体基板３１上に配置する場合、チップ部
品３５直下の波長短縮率は、ほぼ誘電体基板３１の比誘
電率の平方根の逆数となる。したがって、チップ部品３
５部分の波長は誘電体基板３１の比誘電率で決定され
る。このため、誘電体基板３１上に形成される高周波回
路を小形化するために、例えば誘電体基板３１の比誘電
率を大きくすると、チップ部品３５部分の波長が短くな
る。このようにチップ部品３５部分の波長が短くなる
と、チップ部品３５部分の通過位相量が増大し、ＶＳＷ
Ｒ等のマイクロ波特性が劣化する。
【０００７】マイクロ波特性が劣化した高周波回路基板
構造を、例えば電力の分配器や合成器の終端抵抗として
使用すると、ＶＳＷＲ特性の劣化が原因してアイソレー
ションが悪くなる。また、スルーホール３６周囲の導電
層３７のインダクタンス分とチップ部品３５のコンデン
サとを直列に接続して、誘電体基板３１上の回路を短絡
する場合、コンデンサ部分の通過位相量の増大分を吸収
する必要から、例えばキャパシタンスの値は小さく選ば
れる。このため、短絡できる周波数範囲が狭くなってし
まう。
構造を、例えば電力の分配器や合成器の終端抵抗として
使用すると、ＶＳＷＲ特性の劣化が原因してアイソレー
ションが悪くなる。また、スルーホール３６周囲の導電
層３７のインダクタンス分とチップ部品３５のコンデン
サとを直列に接続して、誘電体基板３１上の回路を短絡
する場合、コンデンサ部分の通過位相量の増大分を吸収
する必要から、例えばキャパシタンスの値は小さく選ば
れる。このため、短絡できる周波数範囲が狭くなってし
まう。
【０００８】本発明は、上記の欠点を解決するもので、
チップ部品の通過位相量を小さくし、マイクロ波特性を
改善した高周波回路基板構造を提供することを目的とす
る。
チップ部品の通過位相量を小さくし、マイクロ波特性を
改善した高周波回路基板構造を提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、マイクロスト
リップ線路が表面に形成され、裏面に接地導体が形成さ
れた誘電体基板と、前記マイクロストリップ線路に接続
されるチップ部品と、前記誘電体基板の接地導体が接す
るように前記誘電体基板が載置され、接地面を形成する
金属基板とを具備した高周波回路基板構造において、前
記チップ部品と前記金属基板の接地面との間が空気層と
なるように、前記チップ部品直下の前記誘電体基板に穴
を設けている。
リップ線路が表面に形成され、裏面に接地導体が形成さ
れた誘電体基板と、前記マイクロストリップ線路に接続
されるチップ部品と、前記誘電体基板の接地導体が接す
るように前記誘電体基板が載置され、接地面を形成する
金属基板とを具備した高周波回路基板構造において、前
記チップ部品と前記金属基板の接地面との間が空気層と
なるように、前記チップ部品直下の前記誘電体基板に穴
を設けている。
【００１０】また、前記誘電体基板の穴の部分に前記接
地面の一部が入り込むように、前記金属基板面に突起を
形成している。
地面の一部が入り込むように、前記金属基板面に突起を
形成している。
【００１１】
【作用】上記した構成によれば、チップ部品直下の誘電
体基板に穴が形成されているので、チップ部品と金属基
板の接地面との間が空気層になる。したがって、チップ
部品部分での通過位相量が小さくなり、ＶＳＷＲ等のマ
イクロ波特性の劣化が防げる。
体基板に穴が形成されているので、チップ部品と金属基
板の接地面との間が空気層になる。したがって、チップ
部品部分での通過位相量が小さくなり、ＶＳＷＲ等のマ
イクロ波特性の劣化が防げる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図１を参
照して説明する。
照して説明する。
【００１３】１は誘電体基板で、誘電体基板１の表面に
はマイクロストリップ線路２ａ、２ｂが形成される。ま
た、裏面には接地導体３が形成される。上記した構成の
誘電体基板１は、接地導体３が金属基板４の接地面４ａ
に接するようにして、金属基板４上に配置される。そし
て、誘電体基板１上に形成されたマイクロストリップ線
路２ａ、２ｂ間に、例えば抵抗からなるチップ部品５が
配置される。このとき、チップ部品５の幅や誘電体基板
１の厚みは、所望のインピーダンスとなるように選定さ
れる。また、チップ部品５と金属基板４の接地面４ａと
の間が空気層となるように、チップ部品５直下の誘電体
基板１に穴６が形成される。
はマイクロストリップ線路２ａ、２ｂが形成される。ま
た、裏面には接地導体３が形成される。上記した構成の
誘電体基板１は、接地導体３が金属基板４の接地面４ａ
に接するようにして、金属基板４上に配置される。そし
て、誘電体基板１上に形成されたマイクロストリップ線
路２ａ、２ｂ間に、例えば抵抗からなるチップ部品５が
配置される。このとき、チップ部品５の幅や誘電体基板
１の厚みは、所望のインピーダンスとなるように選定さ
れる。また、チップ部品５と金属基板４の接地面４ａと
の間が空気層となるように、チップ部品５直下の誘電体
基板１に穴６が形成される。
【００１４】上記の構造によれば、チップ部品５と金属
基板４の接地面４ａとの間は空気層となっているので、
チップ部品５直下部分の比誘電率はほぼ１となる。した
がって、チップ部品５部分の波長は短縮されない。この
ため、チップ部品５部分の通過位相量は小さくなり、Ｖ
ＳＷＲの劣化を少なくできる。
基板４の接地面４ａとの間は空気層となっているので、
チップ部品５直下部分の比誘電率はほぼ１となる。した
がって、チップ部品５部分の波長は短縮されない。この
ため、チップ部品５部分の通過位相量は小さくなり、Ｖ
ＳＷＲの劣化を少なくできる。
【００１５】本発明の他の実施例について、図２を参照
して説明する。なお、図２では図１と同一部分には同一
符号を付し、重複する説明は省略する。
して説明する。なお、図２では図１と同一部分には同一
符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１６】図１ではチップ部品５は抵抗であったが、
図２ではチップ部品５として、例えばコンデンサが使用
される。そして、誘電体基板１にスルーホール７が形成
され、スルーホール７の周囲には導電層７ａが形成され
る。なお、導電層７ａは、誘電体基板１上のマイクロス
トリップ線路２ｂや誘電体基板１裏面の接地導体３に接
続されている。また、チップ部品５直下の誘電体基板１
に形成された穴６に、金属基板４の接地面４ａの一部が
入り込むように、金属基板４に突起４ｂが形成されてい
る。
図２ではチップ部品５として、例えばコンデンサが使用
される。そして、誘電体基板１にスルーホール７が形成
され、スルーホール７の周囲には導電層７ａが形成され
る。なお、導電層７ａは、誘電体基板１上のマイクロス
トリップ線路２ｂや誘電体基板１裏面の接地導体３に接
続されている。また、チップ部品５直下の誘電体基板１
に形成された穴６に、金属基板４の接地面４ａの一部が
入り込むように、金属基板４に突起４ｂが形成されてい
る。
【００１７】上記の構成によれば、スルーホール７周囲
の導電層７ａによるインダクタンス分とチップ部品５の
コンデンサとが直列に接続されて共振回路が形成され
る。そして、この共振回路を利用して、例えば誘電体基
板１上の回路を高周波的に短絡できる。
の導電層７ａによるインダクタンス分とチップ部品５の
コンデンサとが直列に接続されて共振回路が形成され
る。そして、この共振回路を利用して、例えば誘電体基
板１上の回路を高周波的に短絡できる。
【００１８】また、チップ部品５と金属基板４の接地面
４ａとの間は、空気層になっているので、チップ部品５
直下部分の比誘電率はほぼ１となり、チップ部品５のコ
ンデンサ部分の波長は短縮されない。
４ａとの間は、空気層になっているので、チップ部品５
直下部分の比誘電率はほぼ１となり、チップ部品５のコ
ンデンサ部分の波長は短縮されない。
【００１９】また、金属基板４の接地面４ａに突起４ｂ
を設けることにより、高周波回路の特性インピーダンス
が小さくでき、チップ部品５のコンデンサ部分の等価イ
ンダクタンス分を小さくできる。したがって、この等価
インダクタンスおよびスルーホール７の等価インダクタ
ンスの和とチップ部品５のコンデンサ２との直列共振
で、誘電体基板１上の高周波回路を短絡する場合に、短
絡できる周波数範囲を広くできる。なお、前記突起４ｂ
の高さを変えることにより、高周波回路の特性インピー
ダンスの値を適宜調整できる。
を設けることにより、高周波回路の特性インピーダンス
が小さくでき、チップ部品５のコンデンサ部分の等価イ
ンダクタンス分を小さくできる。したがって、この等価
インダクタンスおよびスルーホール７の等価インダクタ
ンスの和とチップ部品５のコンデンサ２との直列共振
で、誘電体基板１上の高周波回路を短絡する場合に、短
絡できる周波数範囲を広くできる。なお、前記突起４ｂ
の高さを変えることにより、高周波回路の特性インピー
ダンスの値を適宜調整できる。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、チップ部品と金属基板
の接地面との間が空気層になっているので、チップ部品
の通過位相量を小さくでき、マイクロ波特性を改善でき
る。
の接地面との間が空気層になっているので、チップ部品
の通過位相量を小さくでき、マイクロ波特性を改善でき
る。
【図１】本発明の一実施例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す概略断面図である。
【図３】従来例を示す概略断面図である。
【図４】従来の他の例を示す概略断面図である。
１…誘電体基板 ２ａ、２ｂ…マイクロストリップ線路 ３…接地導体 ４…金属基板 ４ａ…接地面 ５…チップ部品 ６…穴
Claims (2)
- 【請求項１】 マイクロストリップ線路が表面に形成さ
れ、裏面に接地導体が形成された誘電体基板と、前記マ
イクロストリップ線路に接続されるチップ部品と、前記
誘電体基板の接地導体が接するように前記誘電体基板が
載置され、接地面を形成する金属基板とを具備した高周
波回路基板構造において、前記チップ部品と前記金属基
板の接地面との間が空気層となるように、前記チップ部
品直下の前記誘電体基板に穴を設けたことを特徴とする
高周波回路基板構造。 - 【請求項２】 前記誘電体基板の穴の部分に前記接地面
の一部が入り込むように、前記金属基板面に突起を形成
したことを特徴とする請求項１記載の高周波回路基板構
造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5126412A JP2925428B2 (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 高周波回路基板構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5126412A JP2925428B2 (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 高周波回路基板構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06338701A true JPH06338701A (ja) | 1994-12-06 |
| JP2925428B2 JP2925428B2 (ja) | 1999-07-28 |
Family
ID=14934526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5126412A Expired - Fee Related JP2925428B2 (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 高周波回路基板構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2925428B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4927236A (ja) * | 1972-06-30 | 1974-03-11 | ||
| JPS566502A (en) * | 1979-06-29 | 1981-01-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Microstrip line |
-
1993
- 1993-05-28 JP JP5126412A patent/JP2925428B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4927236A (ja) * | 1972-06-30 | 1974-03-11 | ||
| JPS566502A (en) * | 1979-06-29 | 1981-01-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Microstrip line |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2925428B2 (ja) | 1999-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH05327331A (ja) | プリントアンテナ | |
| US4649396A (en) | Double-tuned blade monopole | |
| JPH0851313A (ja) | 表面実装型アンテナ及びその周波数調整方法 | |
| EP0762533B1 (en) | Antenna matching device | |
| US20100085130A1 (en) | Manufacturable tunable matching network for wire and ribbon bond compensation | |
| JPH06176962A (ja) | 貫通形積層セラミックコンデンサ | |
| JPH06152206A (ja) | 無反射終端 | |
| US5528202A (en) | Distributed capacitance transmission line | |
| Zheng et al. | Frequency-agile patch element using varactor loaded patterned ground plane | |
| JP2788838B2 (ja) | 高周波集積回路 | |
| JPH10256825A (ja) | 表面実装型アンテナの共振周波数調整方法、ならびにインピーダンス調整方法 | |
| US11406008B2 (en) | Wideband termination for high power applications | |
| JPH0697701A (ja) | ローパスフィルタ | |
| EP1058337B1 (en) | Delay line | |
| JPS5930323B2 (ja) | ストリツプ線路用無反射終端 | |
| JPH04125903A (ja) | 高周波用終端抵抗器 | |
| JPH06338701A (ja) | 高周波回路基板構造 | |
| JPH0624223B2 (ja) | マイクロ波集積回路装置 | |
| JPS584483B2 (ja) | 高周波高出力トランジスタ増幅器 | |
| JP3100036B2 (ja) | 多層基板を用いたｖｃｏ等の高周波回路 | |
| JPH0697725A (ja) | プリントアンテナ | |
| JPH0513060Y2 (ja) | ||
| JP2001326444A (ja) | チップ部品の実装基板 | |
| GB2189942A (en) | Transmission-line bias T | |
| JP2567210B2 (ja) | マイクロ波接地構造 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090507 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090507 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100507 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110507 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110507 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120507 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120507 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130507 Year of fee payment: 14 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |