JPH06338729A - バイアス回路 - Google Patents
バイアス回路Info
- Publication number
- JPH06338729A JPH06338729A JP15157493A JP15157493A JPH06338729A JP H06338729 A JPH06338729 A JP H06338729A JP 15157493 A JP15157493 A JP 15157493A JP 15157493 A JP15157493 A JP 15157493A JP H06338729 A JPH06338729 A JP H06338729A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- current
- base
- reference voltage
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低電圧電源を使用する増幅回路の電圧利用率
を向上し、かつ良好な直線性を得る。 【構成】 エミッタを直接接地したトランジスタＴＲ1
のコレクタ電流を電流検出回路１において最適値に設定
されると共にコレクタ電流の僅かな変化を良好な感度で
検出し、これを差動増幅回路２で予め設定した基準電圧
と比較し、差に相当する電流値に変えトランジスタＴＲ
1 のベースへ帰還する構成。
を向上し、かつ良好な直線性を得る。 【構成】 エミッタを直接接地したトランジスタＴＲ1
のコレクタ電流を電流検出回路１において最適値に設定
されると共にコレクタ電流の僅かな変化を良好な感度で
検出し、これを差動増幅回路２で予め設定した基準電圧
と比較し、差に相当する電流値に変えトランジスタＴＲ
1 のベースへ帰還する構成。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、携帯電話機の受信部等
高度な直線性が要求される高周波増幅器のトランジスタ
又はＦＥＴのバイアス回路に関する。
高度な直線性が要求される高周波増幅器のトランジスタ
又はＦＥＴのバイアス回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、携帯形電話機等の高周波増幅器は
低電圧電源により給電されており、図３に示すエミッタ
接地形回路が通常用いられる。Ｃ1 、Ｃ4 は結合コンデ
ンサ、Ｃ2 、Ｌ1 は同調回路の要素、Ｃ3 、Ｃ5 は交流
バイパス用コンデンサ、Ｒ3 はエミッタ抵抗であり、抵
抗Ｒ3 の電圧降下によりトランジスタＴＲ1 の動作点が
安定化される。
低電圧電源により給電されており、図３に示すエミッタ
接地形回路が通常用いられる。Ｃ1 、Ｃ4 は結合コンデ
ンサ、Ｃ2 、Ｌ1 は同調回路の要素、Ｃ3 、Ｃ5 は交流
バイパス用コンデンサ、Ｒ3 はエミッタ抵抗であり、抵
抗Ｒ3 の電圧降下によりトランジスタＴＲ1 の動作点が
安定化される。
【０００３】他に図４のエミッタ直接接地形回路があ
り、抵抗Ｒ5 に流れるコレクタ電流により、ベース電流
を制御して動作点を安定化している。
り、抵抗Ｒ5 に流れるコレクタ電流により、ベース電流
を制御して動作点を安定化している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】携帯形電話機等の受信
部は一般に低電圧電源により給電されているが、その効
率的な利用が不可欠である。すなわちトランジスタのコ
レクタ・エミッタ間（ＦＥＴではドレイン・ソース間）
の効率（電圧利用率）を大とし、これにより良好な直線
性を得て相互変調等を減少させることが必要である。
部は一般に低電圧電源により給電されているが、その効
率的な利用が不可欠である。すなわちトランジスタのコ
レクタ・エミッタ間（ＦＥＴではドレイン・ソース間）
の効率（電圧利用率）を大とし、これにより良好な直線
性を得て相互変調等を減少させることが必要である。
【０００５】図３の回路では、低電圧電源の電圧はエミ
ッタ抵抗の電圧降下とコレクタ・エミッタ間電圧に分割
されており、また図４の回路はコレクタ電流とベース電
流が共通に流れる抵抗Ｒ5 が安定度の点からも比較的大
きな値をとるため、いずれの回路も電圧利用率が悪いと
いう欠点がある。
ッタ抵抗の電圧降下とコレクタ・エミッタ間電圧に分割
されており、また図４の回路はコレクタ電流とベース電
流が共通に流れる抵抗Ｒ5 が安定度の点からも比較的大
きな値をとるため、いずれの回路も電圧利用率が悪いと
いう欠点がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明はこれらの課題を
解決するため、エミッタを直接接地したトランジスタの
コレクタ電流を電流検出回路において最適値に設定され
ると共にコレクタ電流の僅かな変化を良好な感度で検出
し、これを差動増幅回路で予め設定した基準電圧と比較
し、差に相当する電流値に変えトランジスタのベースへ
帰還する構成である。
解決するため、エミッタを直接接地したトランジスタの
コレクタ電流を電流検出回路において最適値に設定され
ると共にコレクタ電流の僅かな変化を良好な感度で検出
し、これを差動増幅回路で予め設定した基準電圧と比較
し、差に相当する電流値に変えトランジスタのベースへ
帰還する構成である。
【０００７】また、電流検出回路内ではコレクタ電流に
よる電圧降下を僅少とするものである。以下実施例につ
き図面により詳細に説明する。
よる電圧降下を僅少とするものである。以下実施例につ
き図面により詳細に説明する。
【０００８】
【実施例】図１は実施例を示す増幅器の構成図で、増幅
回路はエミッタ直接接地形トランジスタＴＲ1 １段の場
合を示している。同図において１は電流検出回路、２は
差動増幅回路、３は制御回路、４はメモリ回路である。
回路はエミッタ直接接地形トランジスタＴＲ1 １段の場
合を示している。同図において１は電流検出回路、２は
差動増幅回路、３は制御回路、４はメモリ回路である。
【０００９】増幅回路はトランジスタＴＲ1 、結合コン
デンサＣ1 、Ｃ4 、同調回路Ｃ2 、Ｌ1 及び交流接地用
コンデンサＣ3 から構成される。同調回路と低電圧電源
との間には、低損失の電流検出回路１が介在し、その検
出出力側に差動増幅回路２が接続され、その出力側はト
ランジスタＴＲ1 のベースに接続される。制御回路３に
よる制御信号は、メモリ回路４にトランジスタＴＲ1 の
動作点設定、検出感度設定、基準電圧Ｖr の各データを
格納する。メモリ回路４からは電流検出回路１、差動増
幅回路２へそれぞれ必要なデータを出力する。
デンサＣ1 、Ｃ4 、同調回路Ｃ2 、Ｌ1 及び交流接地用
コンデンサＣ3 から構成される。同調回路と低電圧電源
との間には、低損失の電流検出回路１が介在し、その検
出出力側に差動増幅回路２が接続され、その出力側はト
ランジスタＴＲ1 のベースに接続される。制御回路３に
よる制御信号は、メモリ回路４にトランジスタＴＲ1 の
動作点設定、検出感度設定、基準電圧Ｖr の各データを
格納する。メモリ回路４からは電流検出回路１、差動増
幅回路２へそれぞれ必要なデータを出力する。
【００１０】次に図２により電流検出回路１と差動増幅
回路２の動作につき説明する。ＴＲ2 、ＴＲ3 のコレク
タ電流をＩ2 、Ｉ3 、エミッタ・ベース電圧をＶBE2 、
ＶBE3 、ベース電流をＩB2、ＩB3、Ｒ1 を流れる電流を
Ｉ0 、基準電圧をＶr とすると、 Ｒ1 Ｉ0 ＋ＶBE2 ＝ＶBE3 ……… （１） Ｒ2 Ｉ2 ＝Ｖr ……… （２） いま、Ｉ0 ＞＞Ｉ2 、ＩB2＜＜Ｉ3 となるようにＴ
Ｒ2 、ＴＲ3 、Ｒ1 、Ｒ2を選ぶと、定電流回路Ａ１に
よりＩ3 はほぼ一定となり、ＶBE3 もほぼ一定となる。
回路２の動作につき説明する。ＴＲ2 、ＴＲ3 のコレク
タ電流をＩ2 、Ｉ3 、エミッタ・ベース電圧をＶBE2 、
ＶBE3 、ベース電流をＩB2、ＩB3、Ｒ1 を流れる電流を
Ｉ0 、基準電圧をＶr とすると、 Ｒ1 Ｉ0 ＋ＶBE2 ＝ＶBE3 ……… （１） Ｒ2 Ｉ2 ＝Ｖr ……… （２） いま、Ｉ0 ＞＞Ｉ2 、ＩB2＜＜Ｉ3 となるようにＴ
Ｒ2 、ＴＲ3 、Ｒ1 、Ｒ2を選ぶと、定電流回路Ａ１に
よりＩ3 はほぼ一定となり、ＶBE3 もほぼ一定となる。
【００１１】ここで増幅回路に流れる電流が温度変化等
により増加するとＩ0 Ｒ1 が大となり、（１）式よりＶ
BE2 は小、Ｉ2 も小となる。Ｉ2 が小となるとＲ2 Ｉ2
が小となり、差動増幅回路２の出力も小となり増幅回路
トランジスタのバイアス電流（ベース電流）が小となっ
てＩ0 が減少する。これによりＲ1 Ｉ0 は元の値に戻り
変化が抑圧される。つまりトランジスタの動作点の安定
が維持される。これらのことから、ＴＲ2 、ＴＲ3 、Ｒ
1 、Ｒ2 、Ｖr を適当に選ぶことによってＩ0の設定が
できる。ここでＲ1 Ｉ0 は０．１Ｖ程度であるので、増
幅回路のコレクタ・エミッタ間電圧が電源電圧とほぼ同
じになり電圧利用率が向上する。
により増加するとＩ0 Ｒ1 が大となり、（１）式よりＶ
BE2 は小、Ｉ2 も小となる。Ｉ2 が小となるとＲ2 Ｉ2
が小となり、差動増幅回路２の出力も小となり増幅回路
トランジスタのバイアス電流（ベース電流）が小となっ
てＩ0 が減少する。これによりＲ1 Ｉ0 は元の値に戻り
変化が抑圧される。つまりトランジスタの動作点の安定
が維持される。これらのことから、ＴＲ2 、ＴＲ3 、Ｒ
1 、Ｒ2 、Ｖr を適当に選ぶことによってＩ0の設定が
できる。ここでＲ1 Ｉ0 は０．１Ｖ程度であるので、増
幅回路のコレクタ・エミッタ間電圧が電源電圧とほぼ同
じになり電圧利用率が向上する。
【００１２】また、図１に示すように、制御回路３を介
してＩ0 、検出感度、基準電圧Ｖr等の適切な値をメモ
リ回路４へ格納しておくことにより安定度の良好な増幅
器を得ることができる。
してＩ0 、検出感度、基準電圧Ｖr等の適切な値をメモ
リ回路４へ格納しておくことにより安定度の良好な増幅
器を得ることができる。
【００１３】多段接続の増幅回路の場合には、各段のバ
イアス回路をまとめてＩＣ化することにより部品点数の
増加が防止できて小形化が図れ、更に各部から各電流値
の設定等を行うようにすることにより機能性と汎用性の
向上が期待できる。
イアス回路をまとめてＩＣ化することにより部品点数の
増加が防止できて小形化が図れ、更に各部から各電流値
の設定等を行うようにすることにより機能性と汎用性の
向上が期待できる。
【００１４】なお、本バイアス回路は電源電圧が高い場
合にも適用できる。
合にも適用できる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、増幅回路のトラン
ジスタのコレクタ・エミッタ電圧は電源電圧とほぼ同じ
値となるので、電圧利用率が向上し良好な直線性を得る
ことができる。
ジスタのコレクタ・エミッタ電圧は電源電圧とほぼ同じ
値となるので、電圧利用率が向上し良好な直線性を得る
ことができる。
【００１６】更に多段増幅器の場合もＩＣ化が容易で小
形、低コストとなる。これらの点から規格の厳しい携帯
電話機等に極めて有効に適用できる。
形、低コストとなる。これらの点から規格の厳しい携帯
電話機等に極めて有効に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例を示す構成図である。
【図２】バイアス回路の細部を示す回路図である。
【図３】従来例のエミッタ接地形回路図である。
【図４】従来例のエミッタ直接接地形回路図である。
１ 電流検出回路 ２ 差動増幅回路 ３ 制御回路 ４ メモリ回路
Claims (1)
- 【請求項１】 低電圧電源により給電される増幅回路に
おいて、該増幅回路のトランジスタ（ＴＲ1 ）のコレク
タ給電点とベース間に電流検出回路（１）と差動増幅回
路（２）とを接続し、制御回路（３）により出力された
データを記憶するメモリ回路（４）により前記電流検出
回路（１）の通過電流、検出感度と、前記差動増幅回路
（２）の基準電圧（Ｖr ）の設定を行い、前記差動増幅
回路（２）において前記電流検出回路（１）の出力と基
準電圧（Ｖr ）を比較して生じた出力を前記トランジス
タ（ＴＲ1 ）のベースに帰還するように構成したことを
特徴とするバイアス回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15157493A JPH06338729A (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | バイアス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15157493A JPH06338729A (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | バイアス回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06338729A true JPH06338729A (ja) | 1994-12-06 |
Family
ID=15521501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15157493A Pending JPH06338729A (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | バイアス回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06338729A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002176368A (ja) * | 2001-07-11 | 2002-06-21 | Nec Corp | 送信出力増幅器のバイアス電流最適化制御が可能な送信電力制御装置 |
| US6434373B2 (en) | 1997-08-06 | 2002-08-13 | Nec Corporation | Transmission power control device capable of decreasing current consumption |
| JP2002534833A (ja) * | 1998-12-31 | 2002-10-15 | ノキア モービル フォーンズ リミテッド | 電力増幅器における利得および電力消費の制御 |
| WO2003073627A1 (en) * | 2002-02-28 | 2003-09-04 | Renesas Technology Corp. | High-frequency power amplifier circuit and electronic part for communication |
-
1993
- 1993-05-28 JP JP15157493A patent/JPH06338729A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6434373B2 (en) | 1997-08-06 | 2002-08-13 | Nec Corporation | Transmission power control device capable of decreasing current consumption |
| JP2002534833A (ja) * | 1998-12-31 | 2002-10-15 | ノキア モービル フォーンズ リミテッド | 電力増幅器における利得および電力消費の制御 |
| JP2002176368A (ja) * | 2001-07-11 | 2002-06-21 | Nec Corp | 送信出力増幅器のバイアス電流最適化制御が可能な送信電力制御装置 |
| WO2003073627A1 (en) * | 2002-02-28 | 2003-09-04 | Renesas Technology Corp. | High-frequency power amplifier circuit and electronic part for communication |
| US7116173B2 (en) | 2002-02-28 | 2006-10-03 | Renesas Technology Corp. | High-frequency power amplifier circuit and electronic part for communication |
| US7336132B2 (en) | 2002-02-28 | 2008-02-26 | Renesas Technology Corp. | High-frequency power amplifier circuit and electronic part for communication |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6417735B1 (en) | Amplifier with bias compensation using a current mirror circuit | |
| KR20030031073A (ko) | 전력증폭기에서의 바이어스 안정화 회로 | |
| EP1386390A2 (en) | High-frequency amplifier circuit with independent control of quiescent current and bias impedance | |
| US20080129384A1 (en) | Variable gain amplifier circuit | |
| EP1297621A2 (en) | High-frequency amplifier circuit with negative impedance cancellation | |
| US5999050A (en) | Differential amplifier, an integrated circuit, and a telephone | |
| US7113041B2 (en) | Operational amplifier | |
| KR0145469B1 (ko) | 고주파 증폭기 | |
| CA1095128A (en) | Integrated front end circuit for vhf receiver | |
| US5517684A (en) | Radio communication system having current control circuit | |
| US6664856B2 (en) | Circuit configuration for setting the operating point of a radiofrequency transistor and amplifier circuit | |
| US5099139A (en) | Voltage-current converting circuit having an output switching function | |
| JPH11205047A (ja) | 光受信器用トランスインピーダンスアンプ | |
| US6801090B1 (en) | High performance differential amplifier | |
| JP3398950B2 (ja) | フィールドバスインターフェース回路 | |
| JP2690595B2 (ja) | 電力制御回路 | |
| US4535256A (en) | Integrated video amp with common base lateral PNP transistor | |
| JP3338783B2 (ja) | トランジスタ回路 | |
| JP2577946B2 (ja) | 増幅回路 | |
| JPH098564A (ja) | 増幅回路 | |
| JPH036110A (ja) | 半導体増幅回路 | |
| KR19990004266A (ko) | 무선통신 단말기내 고주파 증폭회로 | |
| JPS58161405A (ja) | 周波数変換回路装置 | |
| JPH04223706A (ja) | 入力終端回路 | |
| JPS58161430A (ja) | 受信回路装置 |