JPH06342042A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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JPH06342042A
JPH06342042A JP5152968A JP15296893A JPH06342042A JP H06342042 A JPH06342042 A JP H06342042A JP 5152968 A JP5152968 A JP 5152968A JP 15296893 A JP15296893 A JP 15296893A JP H06342042 A JPH06342042 A JP H06342042A
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circuit
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semiconductor integrated
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delay
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Hiroyuki Abe
浩之 阿部
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 特殊のテスト装置を必要とせず、測定精度が
高くかつ再現性が良い実際の動作周波数をウエハ上でプ
ロ−バで高周波テスト可能な半導体集積回路装置を提供
すること。 【構成】 リング発振器2は被試験回路1にその動作周
波数もしくはそれ以上の周波数の信号を発生する。被試
験回路1の1つの出力信号は遅延回路9を介して乗算回
路10の一入力に入力され、被試験回路1の他の出力信
号は乗算回路10の他の入力に直接入力される。乗算回
路10の出力は積分回路11によって交流成分が取除か
れる。つまり、遅延回路9、乗算回路10及び積分回路
11は周波数/電圧変換回路を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はウエハ上でのプロ−バに
よる高周波テストを可能にする半導体集積回路装置に関
する。
【0002】近年、半導体集積回路装置の集積化が進
み、ウエハ上でのプロ−バによる高周波テストが困難に
なりつつある。このため、リング発振器及び分周器を内
蔵せしめた半導体集積回路装置が公知である(参照:特
開昭59−181548号公報)。すなわち、図3に示
すように、被試験回路(論理回路)1の入力には奇数の
反転ゲ−トよりなるリング発振器2がヒュ−ズ4を介し
て接続され、被試験回路1の出力には分周器3がヒュ−
ズ5を介して接続され、被試験回路1の出力周波数を測
定可能な周波数まで分周する。この分周器3の出力周波
数をプロ−バにより測定することにより被試験回路1の
遅延時間を計算できる。テスト終了後にヒュ−ズ4、5
を溶断する。
【0003】また、ウエハ上でプロ−バにより高周波テ
スト可能な他の半導体集積回路装置として図4に示すも
のがある(参照:特開昭60−89937号公報)。な
お、図4の装置は被試験回路(ゲ−トアレイ等)の基本
ゲ−トの遅延時間を評価するものであって、被試験回路
に組込むものである。リセット回路6、カウンタ回路7
及び出力回路8が付加されている。図5の動作タイミン
グを参照すると、図5の(B)の外部リセットクロック
IRESETを受けてリセット回路6は図5の(C)に
示すリセット信号RSTを発生し、この結果、分周器3
及びカウンタ回路7はリセット(初期化)され、リング
発振器2の発振が停止する。次に、図5の(A)に示す
外部基準クロックICLKがハイレベル(”1”)とな
ると、リング発振器2の発振が、図5の(D)に示すご
とく、開始する。また、同時に、カウンタ回路7のカウ
ントイネ−ブル端子(CE)がハイレベル(”1”)と
なるので、カウンタ回路にはリセットから開放されてカ
ウント入力端子(C)の図5の(D)に示すクロックを
計数し始める。この計数動作は基準クロックICLKが
ハイレベル(”1”)の間だけ継続し、基準クロックI
CLKがロ−レベル(”0”)となると、リング発振器
2はル−プが開放されるために発振を停止する。このよ
うにして、基準クロックICLKがハイレベル状態での
内部クロックのパルス数がカウンタ回路7に保持され、
その値は出力回路8によって出力され、この結果、リン
グ発振器2の基本ゲ−トの遅延時間を求めることができ
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図3に
示す半導体集積回路装置においては、被試験回路1の動
作周波数より低いが、周波数測定を直接必要とし、この
結果、特殊のテスト装置を必要とし、しかも、プロ−バ
との接触抵抗等により測定精度と再現性が劣るという課
題がある。また、図4に示す半導体集積回路装置におい
ては、基準クロックICLK内のパルス数を計数してい
るので、基準クロックICLKの発生、信号IRESE
Tとの正しい位相調整を必要とし、従って、やはり特殊
のテスト装置を必要とし、しかも、遅延時間をカウンタ
回路7の出力で求めているので必ずしも実際の動作周波
数が得られないという課題がある。従って、本発明の目
的は、特殊のテスト装置を必要とせず、測定精度が高
く、再現性が良く、実際の動作周波数が得られるウエハ
上でプロ−バにより高周波テスト可能な半導体集積回路
装置を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに本発明は、被試験回路に所定周波数の信号を発生す
る発振回路、被試験回路からの出力信号を遅延する遅延
回路、遅延回路からの遅延された信号と被試験回路から
の出力信号との乗算を行う乗算回路、この乗算回路の出
力を積分する積分回路を設けている。
【作用】上述の手段によれば、遅延回路、乗算回路及び
積分回路は周波数/電圧変換回路として作用する。
【0006】
【実施例】図1は本発明に係る半導体集積回路装置の一
実施例を示す回路図である。図1において、被試験回路
1はたとえばプリスケ−ラ回路であって、入力端子I
N、出力端子OUT1、OUT2を有する。この場合、
出力端子OUT1、OUT2は同一周波数であり、従っ
て、同一の端子でもよく、また、出力端子OUT1、O
UT2はハイブリット回路に置換し得る。リング発振器
1は被試験回路1の動作周波数もしくはそれ以上の周波
数の信号を発生する。9は遅延回路、10は乗算回路で
あってアナログではミキサ回路、ディジタルでは排他的
論理和回路、11は積分回路である。
【0007】上述の遅延回路9、乗算回路10及び積分
回路11は周波数/電圧変換回路を構成することにな
る。すなわち、被試験回路1の出力端子OUT1の信号
は遅延回路9を介して乗算回路10の一入力に入力さ
れ、また、被試験回路1の出力端子OUT2の信号は乗
算回路10の他の入力に直接入力される。このとき、乗
算回路10に入力する2つの信号電圧をv1 、v2
し、被試験回路1の動作角周波数をωとすれば、 v1 =V1 ・sin(ωt−θ) ─(1) v2 =V2 ・sin ωt ─(2) ただし、V1 、V2 は定数、θは遅延回路9による遅延
位相、となる。ここで、遅延回路9の電気長をL、遅延
回路9への入力信号の周波数、波長をf、λとすれば、 θ=(L/λ−n)・2π =2πf・L−2πn =ωL−2πn ─(3) ただし、nは定数である。従って、遅延回路9による遅
延位相θと入力周波数f(ω)とは比例関係にある。
【0008】また、乗算回路10をミキサ−回路で構成
した場合には、乗算回路10の出力電圧v0 は、
(1)、(2)式より、 v0 =V1 ・V2 =V1 ・V2 ・sin(ωt−θ)・sinωt =(1/2)・V1 ・V2 ・(cosθ−cos(2ωt−θ))─(4 ) となる。(4)式の第2項の交流成分は積分回路11に
よって取除かれるので、積分回路11の出力電圧v0'
は、 v0'=(1/2)・V1 ・V2 ・cosθ ─(5) と直流成分のみとなる。この積分回路11の出力電圧v
0'は外部出力端子12に得られる。
【0009】上述のごとく、遅延位相θと周波数fとは
比例関係にある。従って、(5)式から周波数fと出力
電圧v0'との関係は図2に示すごとくなる。従って、出
力電圧v0'から周波数fを知ることができる。なお、図
1の遅延回路9に位相変調器等の所望の遅延を有する図
路を付加し、これにより、周波数検出範囲の変更もなし
得る。
【0010】以上説明したように本発明によれば、高周
波信号を直接測定することなく、周波数/電圧変換特性
により直流電圧得ているので、特殊のテスト装置を必要
とせず、通常のプロ−バで高周波テストを行うことがで
き、また、測定精度が高くかつ再現性が良い実際の動作
周波数を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体集積回路装置の一実施例を
示す回路図である。
【図2】図1の周波数/電圧特性を示すグラフである。
【図3】従来の半導体集積回路装置を示すブロック回路
図である。
【図4】他の従来の半導体集積回路装置を示すブロック
回路図である。
【図5】図4の装置の動作を示すタイミング図である。
【符号の説明】
1─被試験回路 2─リング発振器 3─分周器 4、5─ヒュ−ズ 6─リセット回路 7─カウンタ回路 8─出力回路 9─遅延回路 10─乗算回路 11─積分回路 12─外部端子

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被試験回路(1)を有する半導体集積回
    路装置において、 前記被試験回路に所定周波数の信号を発生する発振回路
    (2)と、 前記被試験回路からの出力信号を遅延する遅延回路
    (9)と、 該遅延回路からの遅延された信号と前記被試験回路から
    の出力信号との乗算を行う乗算回路(10)と、 該乗算回路の出力を積分する積分回路(11)とを具備
    し、該積分回路の出力により前記被試験回路の動作周波
    数を測定するようにしたことを特微とする半導体集積回
    路装置。
  2. 【請求項2】 前記遅延回路は位相変調器を内蔵する請
    求項1に記載の半導体集積回路装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007105563A1 (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Advantest Corporation 電子デバイス、試験装置、及び試験方法
WO2007105562A1 (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Advantest Corporation キャリブレーション装置、試験装置、キャリブレーション方法、及び試験方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57158567A (en) * 1981-03-26 1982-09-30 Pioneer Electronic Corp Frequency and voltage converting circuit
JPS59181548A (ja) * 1983-03-31 1984-10-16 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPS6089937A (ja) * 1983-10-24 1985-05-20 Nec Corp 集積回路装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57158567A (en) * 1981-03-26 1982-09-30 Pioneer Electronic Corp Frequency and voltage converting circuit
JPS59181548A (ja) * 1983-03-31 1984-10-16 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPS6089937A (ja) * 1983-10-24 1985-05-20 Nec Corp 集積回路装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007105563A1 (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Advantest Corporation 電子デバイス、試験装置、及び試験方法
WO2007105562A1 (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Advantest Corporation キャリブレーション装置、試験装置、キャリブレーション方法、及び試験方法
US7541815B2 (en) 2006-03-10 2009-06-02 Advantest Corporation Electronic device, testing apparatus, and testing method
JP5133870B2 (ja) * 2006-03-10 2013-01-30 株式会社アドバンテスト 電子デバイス、試験装置、及び試験方法

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