JPH0634236U - 減圧ｃｖｄ装置 - Google Patents

減圧ｃｖｄ装置

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JPH0634236U
JPH0634236U JP6823992U JP6823992U JPH0634236U JP H0634236 U JPH0634236 U JP H0634236U JP 6823992 U JP6823992 U JP 6823992U JP 6823992 U JP6823992 U JP 6823992U JP H0634236 U JPH0634236 U JP H0634236U
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JP
Japan
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pipe
tail
etching gas
tube
reaction
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JP6823992U
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Inventor
幹彦 小林
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Yokogawa Electric Corp
Original Assignee
Yokogawa Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】生成物の成長レイトを安定させ、メンテナンス
作業の労力を削減する。 【構成】エッチングガスを尾管部内及び接続管内に導入
するエッチングガスラインと、エッチングガスの流量を
制御する流量制御手段と、尾管部内及び接続管内を真空
排気手段で排気した状態で尾管部内及び接続管内にエッ
チングガスのプラズマを発生させるプラズマ発生手段と
を設け、尾管部内及び接続管内に積層される生成物をエ
ッチングすることを特徴とする減圧ＣＶＤ装置。

Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本考案は、減圧ＣＶＤ装置に係わるものであり、特に、ＣＶＤ膜の成長レイト の安定性向上とメンテナンスにかかる労力の削減の為の減圧ＣＶＤ装置の改良に 関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の減圧ＣＶＤ装置を図面を用いて説明する。 図３は、従来の減圧ＣＶＤ装置の構成図である。 図３において、減圧ＣＶＤ装置は、一端をその径を小さくした尾管部１１とし 温度制御される反応管１０と、この尾管部１１にシール材２１を介してその一端 が接続される接続管２０と、この接続管２０の他端にその一端が接続される排気 管３０と、この排気管３０の他端に接続される真空排気装置４０とで構成されて いる。
【０００３】 反応管１０は例えば石英製であり、真空排気装置４０は例えば一連のロータリ ーポンプ４１とメカニカルブースターポンプ４２である。そして、シール材２１ を介して尾管部１１に接続される接続管２０の一端にはシール材２１の劣化を防 止する為に冷却水２２が供給される。
【０００４】 次に、従来の減圧ＣＶＤ装置の動作を説明する。 図４は図３に示す減圧ＣＶＤ装置の動作を説明するフローチャート図である。 図４において、ステップ（１）で、温度制御された反応管１０の他端より反応 管１０内にボート１２上にのせたウエハー１３をローディングした後、反応管１ ０を密閉して真空排気装置４０で反応管１０内を真空排気する。
【０００５】 次に、ステップ（２）で、反応管１０内に所定の流量の反応ガスＧ１を導入し て、反応管１０内を所定の真空度に保ち、反応管１０内のウエハー１３上に化学 反応による生成物を積層させＣＶＤ膜を形成する。次に、ステップ（３）で、反 応管１０内をリークさせて大気圧とし、ボート１２を反応管１０より引き出し、 ウエハー１３を取り出す。
【考案が解決しようとする課題】
このような従来の技術にあっては、反応ガスを例えばＳｉ2Ｃｌ2＋ＮＨ3とし た場合、高温での生成物はＳｉＮ（窒化シリコン）であり、低温での生成物は白 い粉状のＮＨ4Ｃｌ2（塩化アンモニウム）となる。従って反応管１０の内部のウ エハー１３及び反応管１０の内壁にはＳｉＮが積層されるが、尾管部１１及び接 続管２０は接続管２０の一端に冷却水２２が供給されて低温となっている為、そ の内壁にはＮＨ4Ｃｌ2が集中的に積層されることとなる。従って、工程を複数回 繰り返すと尾管部１１内及び接続管２０内に繰り返し積層されたＮＨ4Ｃｌ2は、 反応管１０内の真空排気特性を変動させ、ウエハー１３上に形成されるＣＶＤ膜 の成長レイトを不安定にするという問題点があり、尾管部１１内及び接続管２０ 内に積層された生成物を除去する為には、定期的に接続管２０を反応管１０及び 排気管３０より取外さなければならず、そのメンテナンス作業の労力が大きいと いう問題点があった。 本考案は、従来の有するこのような問題点に鑑みてなされたものであり、その 目的とするところは、ウエハー上に形成されるＣＶＤ膜の成長レイトを安定させ 、メンテナンス作業の労力を削減できる減圧ＣＶＤ装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本考案は、温度制御され一端をその径を小さくし た尾管部とする反応管と、この尾管部に接続管を介して接続される排気管と、こ の接続管を冷却する冷却手段と、この排気管に接続される真空排気手段とからな り、前記反応管内に反応ガスを導入し前記排気手段で前記反応管内を排気した状 態で前記反応管内のウエハー上に化学反応による生成物を積層させる減圧ＣＶＤ 装置において、 エッチングガスを前記尾管部及び前記接続管内に導入するエッチングガスライ ンと、前記エッチングガスの流量を制御する流量制御手段と、前記尾管部内及び 前記接続管内を前記真空排気手段で排気した状態で前記尾管部内及び前記接続管 内に前記エッチングガスのプラズマを発生させるプラズマ発生手段とを設け、前 記尾管部内及び前記接続管内に積層される前記生成物をエッチングすることを特 徴とする減圧ＣＶＤ装置である。
【０００７】
【作用】
このような本考案では、エッチングガスラインは、尾管部内及び接続管内に積 層する生成物をエッチングするエッチングガスを尾管部内及び接続管内に導入し 、流量制御手段は、エッチングガスの流量を制御し、プラズマ発生手段は尾管部 内及び接続管内にエッチングガスのプラズマを発生させ、尾管部内及び接続管内 に積層する生成物をエッチングさせる。
【０００８】
【実施例】
次に、本考案の実施例について図面を用いて説明する。 尚、以下の図面において、図３と重複する部分は同一番号を付してその説明は 適宜に省略する。 図１は本考案の一実施例を示す構成図である。 図１において、減圧ＣＶＤ装置は、一端をその径を小さくした尾管部１１とし 温度制御される反応管１０と、この尾管部１１にシール材２１を介してその一端 が接続される接続管２０と、この接続管２０の他端にその一端が接続される排気 管３０と、この排気管３０の他端に接続される真空排気装置４０とで構成されて いる。
【０００９】 反応管１０は例えば石英製であり、真空排気装置４０は例えば一連のロータリ ーポンプ４１とメカニカルブースターポンプ４２である。そして、シール材２１ を介して尾管部１１に接続される接続管２０の一端にはシール材２１の劣化を防 止する為に冷却水２２が供給される。
【００１０】 接続管２０には、尾管部１１内及び接続管２０内に積層されるＮＨ4Ｃｌ2をエ ッチングするエッチングガスＧ２として例えばＣＦ4＋Ｏ2を尾管部１１内及び接 続管２０内に導入するエッチングガスライン６０が設けられ、尾管部１１及び接 続管２０には、尾管部１１内及び接続管２０内を真空排気装置４０で排気した状 態で尾管部１１内及び接続管２０内にエッチングガスＧ２のプラズマを発生させ るプラズマ発生装置５０が設けられている。
【００１１】 そしてエッチングガスライン６０にはエッチングガスＧ２の流量を制御する流 量制御装置７０が設けられ、プラズマ発生装置５０は、例えば高周波電源５１と この高周波電源５１に接続され尾管部１１及び接続管２０の外周部にそって設け られるコイル５２であり、流量制御装置７０は例えば一連の開閉弁７１とマスフ ローコントローラー７２とで構成されている。
【００１２】 次に、図１に示す実施例の動作を説明する。 図２は図１に示す実施例の動作を説明するフローチャート図である。 図２において、ステップ（１）で、温度制御された反応管１０の他端より反応 管１０内にボート１２上にのせたウエハー１３をローディングした後、反応管１ ０を密閉して真空排気装置４０で反応管１０内を真空排気する。
【００１３】 次に、ステップ（２）で、反応管１０内に所定の流量の反応ガスＧ１として例 えばＳｉ2Ｃｌ2＋ＮＨ3を導入して、反応管１０内を所定の真空度に保ち、反応 管１０内のウエハー１３上にＳｉＮを積層させＣＶＤ膜を形成する。この場合、 尾管部１１内及び接続管２０内にはＮＨ4Ｃｌ2が積層される。
【００１４】 次に、ステップ（３）で、真空排気装置４０で反応管１０内を真空排気した状 態で、開閉弁７１を開き、マスフローコントローラー７２を通して所定の流量の エッチングガスＧ２として例えばＣＦ4＋Ｏ2を尾管部１１内及び接続管２０内に 導入し、尾管部１１内及び接続管２０内の真空度を所定の値に保つ。次に、コイ ル５２に高周波電源５１より高周波の電力を供給して尾管部１１内及び接続管２ ０内にＣＦ4＋Ｏ2のプラズマを発生させ、尾管部１１内及び接続管２０内に積層 されたＮＨ4Ｃｌ2をエッチングする。 次に、ステップ（４）で、反応管１０内をリークさせて大気圧とし、ボート１ ２を反応管１０より引き出し、ウエハー１３を取り出す。
【００１５】 このように、ウエハー１３にＣＶＤ膜を形成するステップ（２）の後に、尾管 部１１内及び接続管２０内に積層された生成物をエッチングするステップ（３） の工程が入っているので、尾管部１１内及び接続管２０内に積層された生成物が 残留したままの状態となることはなく、反応管１０内の真空排気特性を変動させ ず、ウエハー１３上に形成されるＣＶＤ膜の成長レイトを安定化することができ る。また、尾管部１１内及び接続管２０内に積層された生成物を除去する為に定 期的に接続管２０を反応管１０及び排気管３０より取外す必要もなくなり、その メンテナンス作業の労力を削減することとなる。
【００１６】
【考案の効果】
本考案は、以上説明したように、エッチングガスを尾管部内及び接続管内に導 入するエッチングガスラインと、エッチングガスの流量を制御する流量制御装置 と、尾管部内及び接続管内を真空排気装置で排気した状態で尾管部内及び接続管 内にエッチングガスのプラズマを発生させるプラズマ発生装置とを設け、尾管部 内及び接続管内に積層される生成物をエッチングするように構成されているので 、尾管部内及び接続管内に生成物を残留させないようにできる。従って、ウエハ ー上に形成されるＣＶＤ膜の成長レイトを安定させメンテナンス作業の労力を削 減できる減圧ＣＶＤ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本考案の一実施例を示す構成図である。
【図２】図１に示す実施例の動作を説明するフローチャ
ート図である。
【図３】従来の減圧ＣＶＤ装置の構成図である。
【図４】図３に示す減圧ＣＶＤ装置の動作を説明するフ
ローチャート図である。
【符号の説明】
１０ 反応菅 １１ 尾菅部 １３ ウエハー ２０ 接続菅 ２２ 冷却水 ３０ 排気菅 ４０ 真空排気装置 ５０ プラズマ発生装置 ６０ エッチングガスライン ７０ 流量制御装置 Ｇ１ 反応ガス Ｇ２ エッチングガス

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】温度制御され一端をその径を小さくした尾
    管部とする反応管と、この尾管部に接続管を介して接続
    される排気管と、この接続管を冷却する冷却手段と、こ
    の排気管に接続される真空排気手段とからなり、前記反
    応管内に反応ガスを導入し前記排気手段で前記反応管内
    を排気した状態で前記反応管内のウエハー上に化学反応
    による生成物を積層させる減圧ＣＶＤ装置において、 エッチングガスを前記尾管部内及び前記接続管内に導入
    するエッチングガスラインと、前記エッチングガスの流
    量を制御する流量制御手段と、前記尾管部内及び前記接
    続管内を前記真空排気手段で排気した状態で前記尾管部
    内及び前記接続管内に前記エッチングガスのプラズマを
    発生させるプラズマ発生手段とを設け、前記尾管部内及
    び前記接続管内に積層される前記生成物をエッチングす
    ることを特徴とする減圧ＣＶＤ装置。
JP6823992U 1992-09-30 1992-09-30 減圧ｃｖｄ装置 Withdrawn JPH0634236U (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08218173A (ja) * 1995-02-14 1996-08-27 Nec Corp 常圧ｃｖｄ装置
JP2023077726A (ja) * 2021-11-25 2023-06-06 キオクシア株式会社 排気配管装置

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JPH08218173A (ja) * 1995-02-14 1996-08-27 Nec Corp 常圧ｃｖｄ装置
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