JPH0634371Y2 - 融液表面観察用具 - Google Patents
融液表面観察用具Info
- Publication number
- JPH0634371Y2 JPH0634371Y2 JP1990100580U JP10058090U JPH0634371Y2 JP H0634371 Y2 JPH0634371 Y2 JP H0634371Y2 JP 1990100580 U JP1990100580 U JP 1990100580U JP 10058090 U JP10058090 U JP 10058090U JP H0634371 Y2 JPH0634371 Y2 JP H0634371Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mirror
- melt
- melt surface
- tool
- surface observation
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- Expired - Lifetime
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 18
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000005337 ground glass Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 ［考案の目的］ （産業上の利用分野） 本考案は引上げ法によって単結晶を製造するに際し、融
液表面を上方から観察する場合に使用する融液表面観察
用具に関する。
液表面を上方から観察する場合に使用する融液表面観察
用具に関する。
（従来の技術） 引上げ法とは単結晶を作成するための手法であり、とり
わけ第３図ではチョクラルスキー法（以下CZ法と称す）
が示されている。第３図に示すように単結晶育成炉１内
にるつぼ２を設け、この内部に原料を入れる。そして外
部から高周波加熱コイル３により加熱して融液４をつく
り、この融液内に種結晶５を浸し、この結晶を上方に引
上げることにより単結晶を製造する。
わけ第３図ではチョクラルスキー法（以下CZ法と称す）
が示されている。第３図に示すように単結晶育成炉１内
にるつぼ２を設け、この内部に原料を入れる。そして外
部から高周波加熱コイル３により加熱して融液４をつく
り、この融液内に種結晶５を浸し、この結晶を上方に引
上げることにより単結晶を製造する。
又、上方への結晶の引上げは結晶の成長具合に合せて行
なう必要があり、育成炉１の横方向（方向）から結晶
を観察しながら慎重に行なっていた。
なう必要があり、育成炉１の横方向（方向）から結晶
を観察しながら慎重に行なっていた。
（考案が解決しようとする課題） 上記従来装置の場合、育成状況の観察が斜め上方からで
あるため、視野が限られていた。そのため融液表面の流
れ及び結晶の育成状況の変化を正しく判断することは不
可能であった。またサーモビュア（放射温度計）等を用
い、育成に伴なう融液表面の温度分布の変化を知ること
は制御上必要であるにも拘らず、被測定物を鉛直方向か
ら観察することが困難なため、実施されてはいなかっ
た。
あるため、視野が限られていた。そのため融液表面の流
れ及び結晶の育成状況の変化を正しく判断することは不
可能であった。またサーモビュア（放射温度計）等を用
い、育成に伴なう融液表面の温度分布の変化を知ること
は制御上必要であるにも拘らず、被測定物を鉛直方向か
ら観察することが困難なため、実施されてはいなかっ
た。
本考案は上記事情に鑑みてなされたものであり、結晶の
成長過程を上方から観察することの可能な融液表面観察
用具を提供することを目的としている。
成長過程を上方から観察することの可能な融液表面観察
用具を提供することを目的としている。
［考案の構成］ （課題を解決するための手段及び作用） 上記目的を達成するため、本考案は引上げ法によって原
料融液から単結晶を製造する場合の用具であって、枠体
を用いて塔状の立体を形成し、上部を傾斜部とすると共
に、この傾斜部には中心部に孔を有するミラーを載置す
るよう構成した。
料融液から単結晶を製造する場合の用具であって、枠体
を用いて塔状の立体を形成し、上部を傾斜部とすると共
に、この傾斜部には中心部に孔を有するミラーを載置す
るよう構成した。
したがって上面から見た融液はミラーによって屈折し
て、外部から見ることができる。
て、外部から見ることができる。
（実施例） 以下図面を参照して実施例を説明する。
第１図は本考案による融液表面観察用具の一実施例の構
成図であり、斜視図として示す。
成図であり、斜視図として示す。
第１図において、10は融液表面観察用具本体であり、枠
体11とミラー12とからなる。
体11とミラー12とからなる。
枠体11は４本の柱11−１と部材11−２によって立体を形
成し、上方には部材11−３によって傾斜部を構成した。
なお、上方に設けた傾斜部の角度θは45°とする。ミラ
ー12は傾斜部に載置するものであり、その中心位置には
孔13が設けられ、かつミラーそものは２分割12−1,12−
２されている。
成し、上方には部材11−３によって傾斜部を構成した。
なお、上方に設けた傾斜部の角度θは45°とする。ミラ
ー12は傾斜部に載置するものであり、その中心位置には
孔13が設けられ、かつミラーそものは２分割12−1,12−
２されている。
第２図は第１図のＸ−Ｘ′から見たミラーのみの断面図
であり、孔13の側壁は傾斜している。これは融液表面観
察用具本体10の傾斜部に載置したとき、孔13の側壁が鉛
直方向となるためであり、この部分には結晶の引上軸が
挿通される。そしてミラーの上面（第２図の上面）はス
リガラス状とし、下面（第２図の下面）は鏡面となって
いる。
であり、孔13の側壁は傾斜している。これは融液表面観
察用具本体10の傾斜部に載置したとき、孔13の側壁が鉛
直方向となるためであり、この部分には結晶の引上軸が
挿通される。そしてミラーの上面（第２図の上面）はス
リガラス状とし、下面（第２図の下面）は鏡面となって
いる。
次に作用について説明する。
第１図に示す融液表面観察用具本体を、単結晶育成炉の
上方に据付ける。この場合、るつぼに浸す種結晶を上方
に引上げる引上軸（第３図の６）がミラーの孔13の中心
を通るように設定する。
上方に据付ける。この場合、るつぼに浸す種結晶を上方
に引上げる引上軸（第３図の６）がミラーの孔13の中心
を通るように設定する。
このようにすると育成中における融液表面は、上部にあ
るミラーに写し出され、これが45°の傾斜にて屈折して
外部から見ることができる。
るミラーに写し出され、これが45°の傾斜にて屈折して
外部から見ることができる。
上記実施例によれば傾斜部の角度を45°として説明した
が、これに限定されるものではない。なんとなれば反射
して見えてくる方向から見ればよいからでる。
が、これに限定されるものではない。なんとなれば反射
して見えてくる方向から見ればよいからでる。
［考案の効果］ 以上説明したように、本考案によれば枠体の上部を傾斜
させ、この傾斜部上に中心に孔を有するミラーを載置し
た構成としたので、この枠体を単結晶育成炉の上部に据
付けた場合、融液表面及び育成状況の変動を正確に知る
ことができ、その観察結果から育成条件を正しく制御す
ることができる。
させ、この傾斜部上に中心に孔を有するミラーを載置し
た構成としたので、この枠体を単結晶育成炉の上部に据
付けた場合、融液表面及び育成状況の変動を正確に知る
ことができ、その観察結果から育成条件を正しく制御す
ることができる。
そして、本考案では、ミラーの面積が大であるため視野
が広く、構造も単純であって安価である。又、枠体が容
器と別体であるため設定に自由度があり、かつミラーの
交換が容易である。更にミラーの上面を粗面としている
ために乱反射がなくなって像が鮮明となる。
が広く、構造も単純であって安価である。又、枠体が容
器と別体であるため設定に自由度があり、かつミラーの
交換が容易である。更にミラーの上面を粗面としている
ために乱反射がなくなって像が鮮明となる。
第１図は本考案による融液表面観察用具の一実施例の構
成図、第２図は第１図のＸ−Ｘ′線から見たミラーの断
面図、第３図はCZ法を説明する図である。 １……単結晶育成炉、２……るつぼ ３……高周波加熱コイル、４……融液 ５……種結晶、６……引上軸10 ……融液表面観察用具、11……枠体 12……ミラー、13……孔
成図、第２図は第１図のＸ−Ｘ′線から見たミラーの断
面図、第３図はCZ法を説明する図である。 １……単結晶育成炉、２……るつぼ ３……高周波加熱コイル、４……融液 ５……種結晶、６……引上軸10 ……融液表面観察用具、11……枠体 12……ミラー、13……孔
Claims (1)
- 【請求項１】原料融液から引上げ法により単結晶を製造
する場合に使用する用具であって、枠体を用いて育成炉
とは別体とした塔状の立体を形成し、前記立体の上部を
傾斜部とすると共に、この傾斜部には中心部に孔を有す
るミラーを２分割して載置し、このミラーの上面を粗面
とすることを特徴とする融液表面観察用具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990100580U JPH0634371Y2 (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 融液表面観察用具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990100580U JPH0634371Y2 (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 融液表面観察用具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0456764U JPH0456764U (ja) | 1992-05-15 |
| JPH0634371Y2 true JPH0634371Y2 (ja) | 1994-09-07 |
Family
ID=31843341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990100580U Expired - Lifetime JPH0634371Y2 (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 融液表面観察用具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0634371Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63233100A (ja) * | 1986-11-27 | 1988-09-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高解離圧化合物単結晶の製造装置 |
-
1990
- 1990-09-26 JP JP1990100580U patent/JPH0634371Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0456764U (ja) | 1992-05-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |