JPH0634474A - 力測定変換器 - Google Patents
力測定変換器Info
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- JPH0634474A JPH0634474A JP5117200A JP11720093A JPH0634474A JP H0634474 A JPH0634474 A JP H0634474A JP 5117200 A JP5117200 A JP 5117200A JP 11720093 A JP11720093 A JP 11720093A JP H0634474 A JPH0634474 A JP H0634474A
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- sensing
- measuring transducer
- force measuring
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/24—Measuring force or stress, in general by measuring variations of optical properties of material when it is stressed, e.g. by photoelastic stress analysis using infrared, visible light, ultraviolet
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- G—PHYSICS
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- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0076—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using photoelectric means
- G01L9/0077—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using photoelectric means for measuring reflected light
- G01L9/0079—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using photoelectric means for measuring reflected light with Fabry-Perot arrangements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/001—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements based on interference in an adjustable optical cavity
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 変換器に静的構体及び偏位可能構体を組み込
むことによって出力信号が光源の強度変化や高温の影響
を受けにくい力変換器を得る。 【構成】 本体部分15及び感知素子27によって、反射モ
ード動作の光学的ファブリ−ペロットタイプ感知共振器
21,23,33を形成し、光学的検出組立体1,6,8 を、感知共
振器21,23,33に光学的に接続した広域スペクトル光源1
と、感知共振器21,23,33によって変化した光の強度を検
出するため光源1に光学的に接続した強度検出器8と、
感知共振器21,23,33及び光源1に光学的に接続し、また
感知素子27に加わる力F,F ′に比例した感知共振器21,2
3,33の光学的長さを決定するために制御可能な光学的長
さを有するファブリ−ペロットタイプの掃進走査共振器
41,49,51とを設ける。
むことによって出力信号が光源の強度変化や高温の影響
を受けにくい力変換器を得る。 【構成】 本体部分15及び感知素子27によって、反射モ
ード動作の光学的ファブリ−ペロットタイプ感知共振器
21,23,33を形成し、光学的検出組立体1,6,8 を、感知共
振器21,23,33に光学的に接続した広域スペクトル光源1
と、感知共振器21,23,33によって変化した光の強度を検
出するため光源1に光学的に接続した強度検出器8と、
感知共振器21,23,33及び光源1に光学的に接続し、また
感知素子27に加わる力F,F ′に比例した感知共振器21,2
3,33の光学的長さを決定するために制御可能な光学的長
さを有するファブリ−ペロットタイプの掃進走査共振器
41,49,51とを設ける。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、 - 本体部分と、 - 前記本体部分に弾性的に取り付けた感知素子であっ
て、前記本体部分に対する偏位を使用して前記感知素子
に加わる力を計算することができる受力素子として作用
する感知素子と、 - 前記感知素子の偏位を決定する光学的検出組立体とを
具えた力変換器に関するものである。
て、前記本体部分に対する偏位を使用して前記感知素子
に加わる力を計算することができる受力素子として作用
する感知素子と、 - 前記感知素子の偏位を決定する光学的検出組立体とを
具えた力変換器に関するものである。
【0002】本発明は、主に、絶対圧力、差圧及び加速
度を測定する用途を意図するものである。更に、力の測
定にも適用できる。
度を測定する用途を意図するものである。更に、力の測
定にも適用できる。
【0003】
【従来の技術】温度及び圧力は、工業上のプロセスにお
ける最も共通の測定対象である。圧力変換器は、より小
さいサイズでより高い性能を発揮するよう急激に開発さ
れてきた。このことは、シリコン技術をマイクロエレク
トロニクスからシリコンベースの変換器に応用すること
で大きな貢献がある。
ける最も共通の測定対象である。圧力変換器は、より小
さいサイズでより高い性能を発揮するよう急激に開発さ
れてきた。このことは、シリコン技術をマイクロエレク
トロニクスからシリコンベースの変換器に応用すること
で大きな貢献がある。
【0004】シリコンは、破壊応力に達するまでフック
の法則に従うとき優れた機械的特性を示し、600 ℃以下
の温度ではヒステリシスフリーである。また、酸化物又
は窒化物をシリコン上に成長させることができ、このこ
とは化学的に抵抗性を示すようになる。
の法則に従うとき優れた機械的特性を示し、600 ℃以下
の温度ではヒステリシスフリーである。また、酸化物又
は窒化物をシリコン上に成長させることができ、このこ
とは化学的に抵抗性を示すようになる。
【0005】変換器は静的構体又は振動構体の双方をベ
ースとすることができる。圧力変化は、圧電抵抗(Piezo
resistive)効果、容量変化又は光学的強度変化により静
的構体で検出すると都合がよい。ピエゾレジスティブ変
換器は、シリコンの電気的及び機械的特性を利用し、一
方容量的又は光学的変換器はシリコンの機械的特性のみ
を利用する。
ースとすることができる。圧力変化は、圧電抵抗(Piezo
resistive)効果、容量変化又は光学的強度変化により静
的構体で検出すると都合がよい。ピエゾレジスティブ変
換器は、シリコンの電気的及び機械的特性を利用し、一
方容量的又は光学的変換器はシリコンの機械的特性のみ
を利用する。
【0006】感度及びオフセットドリフトの温度依存性
はピエゾレジスティブ変換器よりも容量的変換器の方が
小さいため評価できる。容量的変換器は、更に、低い圧
力レベルでの性能が優れている。
はピエゾレジスティブ変換器よりも容量的変換器の方が
小さいため評価できる。容量的変換器は、更に、低い圧
力レベルでの性能が優れている。
【0007】B.カルショウ(Culshaw)1氏は、シリコン
技術に基づく光学的感知圧力変換器について開示してお
り、この変換器の内部に機械的振動ブリッジを設け、こ
のブリッジの引張応力を加わる圧力に関連させている。
ブリッジの共振周波数を引張応力の関数とし、変換器か
らの出力信号が直接ブリッジの共振周波数を表すように
している。
技術に基づく光学的感知圧力変換器について開示してお
り、この変換器の内部に機械的振動ブリッジを設け、こ
のブリッジの引張応力を加わる圧力に関連させている。
ブリッジの共振周波数を引張応力の関数とし、変換器か
らの出力信号が直接ブリッジの共振周波数を表すように
している。
【0008】感知素子の出力周波数を高い精度で測定す
ることができる。この構造の他の利点は、電気的接続な
しに感知素子自体が動作する点である。感知素子は、真
空内に包囲し、振動素子のために十分高いQファクタを
得るようにする。この特性は、しかし、この変換器を差
圧測定に適用するのに不向きであるという欠点がある。
即ち、この用途に必要な基準圧力を変換器の内部に加え
る必要があるためである。このような変換器は、ショッ
クを受け易く、感知素子の振動モードを変化させる恐れ
がある。
ることができる。この構造の他の利点は、電気的接続な
しに感知素子自体が動作する点である。感知素子は、真
空内に包囲し、振動素子のために十分高いQファクタを
得るようにする。この特性は、しかし、この変換器を差
圧測定に適用するのに不向きであるという欠点がある。
即ち、この用途に必要な基準圧力を変換器の内部に加え
る必要があるためである。このような変換器は、ショッ
クを受け易く、感知素子の振動モードを変化させる恐れ
がある。
【0009】振動変換器は、振動素子のQファクタが高
ければ高いほど少ない励起パワーで動作する。Qファク
タは、変換器の内部を真空にすることにより増大するの
が一般的である。このことは、従来の変換器が振動素子
を基準圧力のガス環境により包囲する、従って、素子の
Qファクタは容認できないほど小さい値に低下するため
差圧測定に使用できないという当然の結論になる。
ければ高いほど少ない励起パワーで動作する。Qファク
タは、変換器の内部を真空にすることにより増大するの
が一般的である。このことは、従来の変換器が振動素子
を基準圧力のガス環境により包囲する、従って、素子の
Qファクタは容認できないほど小さい値に低下するため
差圧測定に使用できないという当然の結論になる。
【0010】I. A. ドジィウバン(Dziuban) 氏等2 は
シリコン技術に基づく光学的感知圧力変換器を開示して
おり、この変換器は、単結晶シリコンで形成したダイヤ
フラムに取り付けた光ファイバの端部を有する。加わる
圧力が変化すると、ダイヤフラムは、取り付けたファイ
バとともに偏位する。ファイバの端部は検出器に近接配
置し、検出器における光の強度低下が検出器に対するフ
ァイバ端部の位置に依存しないようにする。変換器出力
信号は検出器に入射する光によって生ずる電圧又は電流
として利用できる。
シリコン技術に基づく光学的感知圧力変換器を開示して
おり、この変換器は、単結晶シリコンで形成したダイヤ
フラムに取り付けた光ファイバの端部を有する。加わる
圧力が変化すると、ダイヤフラムは、取り付けたファイ
バとともに偏位する。ファイバの端部は検出器に近接配
置し、検出器における光の強度低下が検出器に対するフ
ァイバ端部の位置に依存しないようにする。変換器出力
信号は検出器に入射する光によって生ずる電圧又は電流
として利用できる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来例は、出力
信号が光源の強度変化の影響を受け易いという欠点があ
り、従って、補償のための基準チャンネルを使用する必
要がある。しかし、上述の各氏による刊行物において
は、このような補償を行う方法についての記載はない。
他の欠点としては、検出器出力信号が高温の影響を受け
易く、補償のため、変換器の内部温度を感知する必要が
ある。
信号が光源の強度変化の影響を受け易いという欠点があ
り、従って、補償のための基準チャンネルを使用する必
要がある。しかし、上述の各氏による刊行物において
は、このような補償を行う方法についての記載はない。
他の欠点としては、検出器出力信号が高温の影響を受け
易く、補償のため、変換器の内部温度を感知する必要が
ある。
【0012】従って、本発明の目的は、従来技術の上述
の欠点を解決し、また全く新規な光学的力変換器を得る
にある。
の欠点を解決し、また全く新規な光学的力変換器を得る
にある。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、力変換
器を圧力及び加速度を測定するのに適用し、この変換器
に静的構体及び偏位可能構体を組み込む。
器を圧力及び加速度を測定するのに適用し、この変換器
に静的構体及び偏位可能構体を組み込む。
【0014】更に、本発明は、変換器の一体部分として
ファブリ−ペロット(Fabry-Perot)タイプの共振器を形
成し、可変共振波長で動作する別個のファブリ−ペロッ
トタイプの共振器により第1の共振器の共振波長を検出
することに基づく。
ファブリ−ペロット(Fabry-Perot)タイプの共振器を形
成し、可変共振波長で動作する別個のファブリ−ペロッ
トタイプの共振器により第1の共振器の共振波長を検出
することに基づく。
【0015】この目的を達成するため、本発明力変換器
は、 - 前記本体部分及び前記感知素子によって、反射モード
で動作する短い光学的ファブリ−ペロットタイプの感知
共振器を形成し、 - 前記光学的検出組立体を、 -前記感知共振器に光学的に接続した広域スペクトル光
源と、 -前記感知共振器によって変化した光の強度を検出する
ため、前記光源に光学的に接続した強度検出器と、 -前記前記感知共振器及び前記光源に光学的に接続し、
また前記感知素子に加わる力に比例した感知共振器の光
学的長さを決定するために制御可能な光学的長さを有す
るファブリ−ペロットタイプの掃進走査共振器と、を有
するものとして構成したことを特徴とする。
は、 - 前記本体部分及び前記感知素子によって、反射モード
で動作する短い光学的ファブリ−ペロットタイプの感知
共振器を形成し、 - 前記光学的検出組立体を、 -前記感知共振器に光学的に接続した広域スペクトル光
源と、 -前記感知共振器によって変化した光の強度を検出する
ため、前記光源に光学的に接続した強度検出器と、 -前記前記感知共振器及び前記光源に光学的に接続し、
また前記感知素子に加わる力に比例した感知共振器の光
学的長さを決定するために制御可能な光学的長さを有す
るファブリ−ペロットタイプの掃進走査共振器と、を有
するものとして構成したことを特徴とする。
【0016】
【発明の効果】本発明によれば、大きな利点が得られ
る。
る。
【0017】本発明による変換器は、スウィープ(掃
進)して走査するファブリ−ペロットタイプの掃進走査
共振器により構成した変換器の変換部分は、測定すべき
全ての力範囲にわたり同一にすることができるため、一
般的な特性である。感知共振器における偏位可能な感知
リフレクタのこわさ(stiffness) は、例えば、移動する
リフレクタの偏位を測定範囲の最大値とは無関係に外部
力の所定の相対値に等しい値に維持できるよう厚さを変
化させることによって決めることができる。このとき掃
進走査共振器は常に同一の波長範囲で動作する。
進)して走査するファブリ−ペロットタイプの掃進走査
共振器により構成した変換器の変換部分は、測定すべき
全ての力範囲にわたり同一にすることができるため、一
般的な特性である。感知共振器における偏位可能な感知
リフレクタのこわさ(stiffness) は、例えば、移動する
リフレクタの偏位を測定範囲の最大値とは無関係に外部
力の所定の相対値に等しい値に維持できるよう厚さを変
化させることによって決めることができる。このとき掃
進走査共振器は常に同一の波長範囲で動作する。
【0018】本発明による変換器は、ショックによりダ
メージを受ける振動素子を持たないため、衝撃耐久性に
優れる。従来の変換器は外部からの振動にも共振し、特
に、従来の変換器の振動素子の共振周波数に近い周波数
を有する環境からの振動に共振する。これに対して、本
発明による変換器は、圧力の下で移動するダイヤフラム
の共振周波数を極めて高く設計し、外部振動の作用は、
ニリアアレイセンサの感光領域におけるスペクトル等を
広くするときにのみ現れるようにする。しかし、このこ
とはスペクトルの最小値の検出を妨害しない。
メージを受ける振動素子を持たないため、衝撃耐久性に
優れる。従来の変換器は外部からの振動にも共振し、特
に、従来の変換器の振動素子の共振周波数に近い周波数
を有する環境からの振動に共振する。これに対して、本
発明による変換器は、圧力の下で移動するダイヤフラム
の共振周波数を極めて高く設計し、外部振動の作用は、
ニリアアレイセンサの感光領域におけるスペクトル等を
広くするときにのみ現れるようにする。しかし、このこ
とはスペクトルの最小値の検出を妨害しない。
【0019】本発明による変換器の変換部分を収容する
電子機器エンクロージャは、感知部分が適正である限
り、このようなショックをほとんど受けない。
電子機器エンクロージャは、感知部分が適正である限
り、このようなショックをほとんど受けない。
【0020】本発明2よる変換器は、広域スペクトル光
源例えば、小型白熱電球又はLEDを使用することがで
きる。これらは、例えば、レーザよりも低価格の構成部
材であり、温度変動による波長スペクトルのいかなるシ
フトも、レーザを使用した場合に見られるような変換器
の機能低下がない。
源例えば、小型白熱電球又はLEDを使用することがで
きる。これらは、例えば、レーザよりも低価格の構成部
材であり、温度変動による波長スペクトルのいかなるシ
フトも、レーザを使用した場合に見られるような変換器
の機能低下がない。
【0021】広域スペクトル光源の使用は、更に、測定
に対するファイバ関連の外乱作用を減少できる利点を有
する。
に対するファイバ関連の外乱作用を減少できる利点を有
する。
【0022】本発明による変換器は、変換器の測定精度
を補償することなく、光源の出力強度の変動に対して許
容性がある。即ち、検出は、強度信号の解像スペクトル
最小値又は最大値に基づき、強度の絶対値によらないた
めである。
を補償することなく、光源の出力強度の変動に対して許
容性がある。即ち、検出は、強度信号の解像スペクトル
最小値又は最大値に基づき、強度の絶対値によらないた
めである。
【0023】本発明の好適な実施例においては、最適Q
ファクタを得るために変換器室を高い真空度にする必要
がない。即ち、感知ダイヤフラムは振動しないためであ
る。差圧測定は、共振器の内部に基準圧力を加えること
により極めて簡単に行うことができる。
ファクタを得るために変換器室を高い真空度にする必要
がない。即ち、感知ダイヤフラムは振動しないためであ
る。差圧測定は、共振器の内部に基準圧力を加えること
により極めて簡単に行うことができる。
【0024】振動素子タイプを除いては、従来の変換器
は加速度測定に適用できる。振動素子は引張応力の下で
のみ動作し、従って、素子に圧縮応力を発生する力の測
定には適用できない。内部が真空であるこのような変換
器は、しかし、感知ダイヤフラムを設けることができな
い。即ち、ダイヤフラムは外部圧力に耐えることができ
なければならないためである。本発明によれば、このよ
うな制限を持たない。即ち、光学的共振器の移動リフレ
クタダイヤフラムは、ダイヤフラムの両側が等しい圧力
で動作する場合には極めて機敏になるためである。特別
感度のよい加速度変換器にしたいときは、共振器のリフ
レクタダイヤフラムに付加質量を設けると好適である。
は加速度測定に適用できる。振動素子は引張応力の下で
のみ動作し、従って、素子に圧縮応力を発生する力の測
定には適用できない。内部が真空であるこのような変換
器は、しかし、感知ダイヤフラムを設けることができな
い。即ち、ダイヤフラムは外部圧力に耐えることができ
なければならないためである。本発明によれば、このよ
うな制限を持たない。即ち、光学的共振器の移動リフレ
クタダイヤフラムは、ダイヤフラムの両側が等しい圧力
で動作する場合には極めて機敏になるためである。特別
感度のよい加速度変換器にしたいときは、共振器のリフ
レクタダイヤフラムに付加質量を設けると好適である。
【0025】
【実施例】次に、図面につき本発明の好適な実施例を説
明する。
明する。
【0026】図1につき説明すると、スウィープ(掃
進)して走査する掃進走査共振器6の掃進走査範囲sは
感知共振器(リゾネータ)4の光学的長さxにわたり掃
進走査するよう設計してあるため、検出器8は共振器
4、6の光学的長さが一致する度毎に最小強度を表示す
る。長さsにわたる掃進走査共振器6の周期的な繰り返
しの掃進(sweep) のため、感知共振器4の光学的長さは
検出した最小値における掃進走査共振器6の角度の位相
から解像又は分析される。感知共振器4の光学的長さ
は、例えば圧力等の加わる力の作用によって変化し、ま
た構体のこわさ(stiffness) が既知であるため、加わる
力の大きさは共振器の光学的長さ変化から計算すること
ができる。従って、装置には、検出強度の最小値又は最
大値における掃進走査共振器6の位相角度を分析できる
位相検出素子を設けなければならない。検出した位相角
度は、感知共振器4の光学的長さを直接表示し、従って
加わった力を計算することができる。光源1は、白熱電
球又はLEDのようなワイドスペクトルを有するものと
して構成することができる。
進)して走査する掃進走査共振器6の掃進走査範囲sは
感知共振器(リゾネータ)4の光学的長さxにわたり掃
進走査するよう設計してあるため、検出器8は共振器
4、6の光学的長さが一致する度毎に最小強度を表示す
る。長さsにわたる掃進走査共振器6の周期的な繰り返
しの掃進(sweep) のため、感知共振器4の光学的長さは
検出した最小値における掃進走査共振器6の角度の位相
から解像又は分析される。感知共振器4の光学的長さ
は、例えば圧力等の加わる力の作用によって変化し、ま
た構体のこわさ(stiffness) が既知であるため、加わる
力の大きさは共振器の光学的長さ変化から計算すること
ができる。従って、装置には、検出強度の最小値又は最
大値における掃進走査共振器6の位相角度を分析できる
位相検出素子を設けなければならない。検出した位相角
度は、感知共振器4の光学的長さを直接表示し、従って
加わった力を計算することができる。光源1は、白熱電
球又はLEDのようなワイドスペクトルを有するものと
して構成することができる。
【0027】図2につき説明すると、ホワイト光線は、
光源1から光ファイバ5に沿って、先ず掃進走査共振器
6及びこの掃進走査共振器6からメインファイバ3に沿
って感知共振器4の構体に伝送される。この共振器4の
構体は、1個又はそれ以上の狭い波長帯域を除いてすべ
ての光を反射する。従って、感知共振器構体4は帯域消
去フィルタとして作用する。反射した光のスペクトルは
メインファイバ3に沿って逆戻りし、分岐カプラ9に伝
送され、この分岐カプラ9から光の一部分は分岐ファイ
バ7に沿って検出器8に至る。掃進走査共振器6は、こ
の共振器と共振する波長を除いて他のすべての波長を大
幅に減衰し、従って、帯域フィルタとして作用する。
光源1から光ファイバ5に沿って、先ず掃進走査共振器
6及びこの掃進走査共振器6からメインファイバ3に沿
って感知共振器4の構体に伝送される。この共振器4の
構体は、1個又はそれ以上の狭い波長帯域を除いてすべ
ての光を反射する。従って、感知共振器構体4は帯域消
去フィルタとして作用する。反射した光のスペクトルは
メインファイバ3に沿って逆戻りし、分岐カプラ9に伝
送され、この分岐カプラ9から光の一部分は分岐ファイ
バ7に沿って検出器8に至る。掃進走査共振器6は、こ
の共振器と共振する波長を除いて他のすべての波長を大
幅に減衰し、従って、帯域フィルタとして作用する。
【0028】図3につき説明すると、光源1及び掃進走
査共振器6は、分岐ファイバ7に沿って配置する。原則
としてこの実施例は図2の実施例と同一である。
査共振器6は、分岐ファイバ7に沿って配置する。原則
としてこの実施例は図2の実施例と同一である。
【0029】図4につき説明すると、この実施例の変換
器は、光源1のみを分岐ファイバ7の端部に配置し、光
線は分岐カプラ9を介して直接感知共振器4に伝送す
る。この実施例においては、帯域通過した光の帰還スペ
クトルのみが掃進走査共振器6で帯域通過のフィルタ作
用を受ける。所要に応じ、検出器8は共振器6に直接一
体化することができ、これにより結合光ファイバ5を省
略できる。
器は、光源1のみを分岐ファイバ7の端部に配置し、光
線は分岐カプラ9を介して直接感知共振器4に伝送す
る。この実施例においては、帯域通過した光の帰還スペ
クトルのみが掃進走査共振器6で帯域通過のフィルタ作
用を受ける。所要に応じ、検出器8は共振器6に直接一
体化することができ、これにより結合光ファイバ5を省
略できる。
【0030】図5につき説明すると、この実施例におい
ては、図4のように配置したメインファイバ3及び分岐
ファイバ7に沿う素子が入れ替わっている。
ては、図4のように配置したメインファイバ3及び分岐
ファイバ7に沿う素子が入れ替わっている。
【0031】図6につき説明すると、この実施例におい
ては、感知共振器4及び掃進走査共振器6をメインファ
イバ3の両側の端部に配置する。光線は光源から分岐フ
ァイバ11に沿って先ず掃進走査共振器6に至り、この実
施例ではこの掃進走査共振器6は反射共振器として作用
し、従って、帯域消去フィルタとして機能する。光線は
次にメインファイバ3の他方の端部に向かい、感知共振
器4に至る。共振器4、6の光学的長さが等しいとき
は、最大強度が分岐カプラ10を介して分岐ファイバ7に
沿って検出器8に伝送される。
ては、感知共振器4及び掃進走査共振器6をメインファ
イバ3の両側の端部に配置する。光線は光源から分岐フ
ァイバ11に沿って先ず掃進走査共振器6に至り、この実
施例ではこの掃進走査共振器6は反射共振器として作用
し、従って、帯域消去フィルタとして機能する。光線は
次にメインファイバ3の他方の端部に向かい、感知共振
器4に至る。共振器4、6の光学的長さが等しいとき
は、最大強度が分岐カプラ10を介して分岐ファイバ7に
沿って検出器8に伝送される。
【0032】図7の(a)につき説明すると、光線は光
ファイバ3により形成される光導体に沿って変換器構体
4に達する。変換器構体4は本体部分15と一体動作感知
ダイヤフラム27とにより構成し、この感知ダイヤフラム
27の厚さは、このダイヤフラムに加わる外部力Fによ
り、ダイヤフラム27と変換器構体の本体部分15との間の
距離の測定可能な変化を生ずることができる程度の厚さ
とする。従って、作動したダイヤフラム27は変換器の本
体部分15に弾性的に取り付けた素子とみなすことができ
る。光ファイバ3から出射する光線は、本体部分15の透
光部分を経て先ず部分的に本体部分15に一体の透過可能
なリフレクタ21に入射し、このリフレクタを経て光の一
部は共振空間33に伝わり、この空間を経て動作した感知
薄膜におけるリフレクタ表面23に入射する。共振器の光
学的長さdが半波長の整数倍に等しい広いスペクトル光
のこれら波長成分は、減衰率が高い。従って、このよう
な波長は光ファイバ3から受ける帰還信号における最大
吸収部分として検出することができる。より大きな力F
が動作ダイヤフラム27に加わるとき、ダイヤフラム27と
変換器本体部分との間の距離は値d′まで減少し、これ
により新たな最大吸収が検出される。
ファイバ3により形成される光導体に沿って変換器構体
4に達する。変換器構体4は本体部分15と一体動作感知
ダイヤフラム27とにより構成し、この感知ダイヤフラム
27の厚さは、このダイヤフラムに加わる外部力Fによ
り、ダイヤフラム27と変換器構体の本体部分15との間の
距離の測定可能な変化を生ずることができる程度の厚さ
とする。従って、作動したダイヤフラム27は変換器の本
体部分15に弾性的に取り付けた素子とみなすことができ
る。光ファイバ3から出射する光線は、本体部分15の透
光部分を経て先ず部分的に本体部分15に一体の透過可能
なリフレクタ21に入射し、このリフレクタを経て光の一
部は共振空間33に伝わり、この空間を経て動作した感知
薄膜におけるリフレクタ表面23に入射する。共振器の光
学的長さdが半波長の整数倍に等しい広いスペクトル光
のこれら波長成分は、減衰率が高い。従って、このよう
な波長は光ファイバ3から受ける帰還信号における最大
吸収部分として検出することができる。より大きな力F
が動作ダイヤフラム27に加わるとき、ダイヤフラム27と
変換器本体部分との間の距離は値d′まで減少し、これ
により新たな最大吸収が検出される。
【0033】商業的製造においては、図7の(a)に示
す変換器構体4は、薄膜堆積プロセスにより形成するこ
とができ、このプロセスにおいて単結晶(monocrystalli
ne)シリコンのサブストレート15を部分的に透光する金
属フィルム21によりカバーする。次に、この金属フィル
ム21に二酸化シリコン層25を成長させ、この層25の厚さ
が共振器空間33の基本高さを決定する。この二酸化シリ
コン層25上に共振空間33のリフレクタとして機能する二
次金属フィルム23を堆積させる。この金属フィルム23上
に多結晶(polycrystalline) シリコン層27を堆積させ、
この層27の厚さ及び直径が変換器4の機械的感度を決定
する。適当な方法を使用することにより、二酸化シリコ
ン層25をエッチングし、共振器空間33を形成する。例え
ば、ガラス中間層29を使用して保護素子30を、多結晶シ
リコンから形成した感知ダイヤフラム27に取り付ける。
保護素子30には、差圧測定における測定圧力を変換器の
内部に伝達する適当な入口を設ける。絶対圧力測定にお
いては、保護素子30は冗長部分となる。即ち、感知共振
器は掃進走査共振器の構造と同様の構造で済むからであ
る。基準圧力をチャンネル31から共振器に伝送すること
がてきる。このチャンネル31は絶対圧力変換器では省略
することができる。
す変換器構体4は、薄膜堆積プロセスにより形成するこ
とができ、このプロセスにおいて単結晶(monocrystalli
ne)シリコンのサブストレート15を部分的に透光する金
属フィルム21によりカバーする。次に、この金属フィル
ム21に二酸化シリコン層25を成長させ、この層25の厚さ
が共振器空間33の基本高さを決定する。この二酸化シリ
コン層25上に共振空間33のリフレクタとして機能する二
次金属フィルム23を堆積させる。この金属フィルム23上
に多結晶(polycrystalline) シリコン層27を堆積させ、
この層27の厚さ及び直径が変換器4の機械的感度を決定
する。適当な方法を使用することにより、二酸化シリコ
ン層25をエッチングし、共振器空間33を形成する。例え
ば、ガラス中間層29を使用して保護素子30を、多結晶シ
リコンから形成した感知ダイヤフラム27に取り付ける。
保護素子30には、差圧測定における測定圧力を変換器の
内部に伝達する適当な入口を設ける。絶対圧力測定にお
いては、保護素子30は冗長部分となる。即ち、感知共振
器は掃進走査共振器の構造と同様の構造で済むからであ
る。基準圧力をチャンネル31から共振器に伝送すること
がてきる。このチャンネル31は絶対圧力変換器では省略
することができる。
【0034】変換器素子の代表的な寸法は〔表1〕に示
す通りである。
す通りである。
【0035】
【表1】
【0036】図7の(b)につき説明すると、掃進走査
共振器6の構体は図7の(a)に示す感知共振器4の同
様の大きさである。ダイヤフラムに示した光ファイバ
5、3の参照符号は、図2及び図4のダイヤフラムに使
用した符号に対応する。共振器は、リフレクタとして作
用する金属フィルム41で補足した本体部分55により構成
する。金属フィルム41の端縁を、二酸化シリコン層57に
よって下側から支持する。この層57の厚さが共振器のキ
ャビティ51の光学的長さを決定する。二酸化シリコン層
57の下側には、共振器51の他のリフレクタとして作用す
る第2金属フィルム49を配置する。この第2金属フィル
ム49を多結晶シリコン層53により下側から裏打ちし、こ
の層53は偏位可能な層構体のための支持素子として作用
する。本体部分55には、第1電極43を組み込み、多結晶
層により第2電極54を担持し、この構成によりこれら電
極に加わる電圧Uが、例えば、値d−d′間の共振器51
の長さ調整を行うようにする。共振器の光学的長さd
は、次の〔数1〕の公式によって決定される静電圧力P
S の作用によって調整する。
共振器6の構体は図7の(a)に示す感知共振器4の同
様の大きさである。ダイヤフラムに示した光ファイバ
5、3の参照符号は、図2及び図4のダイヤフラムに使
用した符号に対応する。共振器は、リフレクタとして作
用する金属フィルム41で補足した本体部分55により構成
する。金属フィルム41の端縁を、二酸化シリコン層57に
よって下側から支持する。この層57の厚さが共振器のキ
ャビティ51の光学的長さを決定する。二酸化シリコン層
57の下側には、共振器51の他のリフレクタとして作用す
る第2金属フィルム49を配置する。この第2金属フィル
ム49を多結晶シリコン層53により下側から裏打ちし、こ
の層53は偏位可能な層構体のための支持素子として作用
する。本体部分55には、第1電極43を組み込み、多結晶
層により第2電極54を担持し、この構成によりこれら電
極に加わる電圧Uが、例えば、値d−d′間の共振器51
の長さ調整を行うようにする。共振器の光学的長さd
は、次の〔数1〕の公式によって決定される静電圧力P
S の作用によって調整する。
【0037】
【数1】
【0038】このようにして、ダイヤフラム層53は加え
た電圧Uの補助の下に移動することができる。
た電圧Uの補助の下に移動することができる。
【0039】変換器に加える力の大きさを決定するのに
多数の異なる代替案が考えられる。例えば、図7の
(b)に示す掃進走査共振器の帯域通過波長と電圧Uと
の関係は実験に基づいく方法によって容易に決定するこ
とができる。同様の実験に基づく方法を使用して、図7
の(a)に示した共振器の共振波長と加える圧力との関
係を決定することができる。このようにして、外部から
加える力又は圧力は、測定装置によって示される最小強
度又は最大強度に対応する電圧Uが既知であるとき、較
正曲線から最終的に決定することができる。
多数の異なる代替案が考えられる。例えば、図7の
(b)に示す掃進走査共振器の帯域通過波長と電圧Uと
の関係は実験に基づいく方法によって容易に決定するこ
とができる。同様の実験に基づく方法を使用して、図7
の(a)に示した共振器の共振波長と加える圧力との関
係を決定することができる。このようにして、外部から
加える力又は圧力は、測定装置によって示される最小強
度又は最大強度に対応する電圧Uが既知であるとき、較
正曲線から最終的に決定することができる。
【0040】掃進走査共振器の制御は異なる方法で実施
することができる。制御電子機器は、検出器を最小強度
(代案として、最大強度)に一定にロックするよう設計
することができ、これにより電圧Uが加える圧力に追従
する。
することができる。制御電子機器は、検出器を最小強度
(代案として、最大強度)に一定にロックするよう設計
することができ、これにより電圧Uが加える圧力に追従
する。
【0041】代案として、電圧Uを調整し、ダイヤフラ
ム層53を周期的に共振器の最小波長と最大波長との間で
繰り返し偏位させる。このとき、検出器8は、各ハーフ
サイクル中に1個の最小値(最大値)を表示し、これに
より調整電圧の位相角度は、そのときの共振器の光学的
長さ、従って、加える圧力又は力の大きさとの関連がと
れる。位相角度(時点)を表示するため、最小強度の検
出用に適当なアルゴリズムにより制御されるマイクロプ
ロセッサを使用することができる。
ム層53を周期的に共振器の最小波長と最大波長との間で
繰り返し偏位させる。このとき、検出器8は、各ハーフ
サイクル中に1個の最小値(最大値)を表示し、これに
より調整電圧の位相角度は、そのときの共振器の光学的
長さ、従って、加える圧力又は力の大きさとの関連がと
れる。位相角度(時点)を表示するため、最小強度の検
出用に適当なアルゴリズムにより制御されるマイクロプ
ロセッサを使用することができる。
【0042】計算アルゴリズムの例としては、以下のよ
うにする。即ち、カウンタをスタートさせる。掃進走査
共振器を位置ゼロ(0)に制御する即ち、スタート時に
掃進偏位s(図1参照)をゼロにし、最小信号値Imin
を検出器素子が受けたときにストップさせる。このと
き、次の〔数2〕のようになる。即ち、
うにする。即ち、カウンタをスタートさせる。掃進走査
共振器を位置ゼロ(0)に制御する即ち、スタート時に
掃進偏位s(図1参照)をゼロにし、最小信号値Imin
を検出器素子が受けたときにストップさせる。このと
き、次の〔数2〕のようになる。即ち、
【0043】
【数2】
【0044】ただし、tは時刻ゼロ(掃進スタート時)
から最小強度Imin までの時間であり、sは掃進した光
学的長さであり、xは最小値の表示位置である。ts は
全体掃進走査距離sに必要な時間である。この〔数2〕
の式から次の〔数3〕が導かれる。即ち、
から最小強度Imin までの時間であり、sは掃進した光
学的長さであり、xは最小値の表示位置である。ts は
全体掃進走査距離sに必要な時間である。この〔数2〕
の式から次の〔数3〕が導かれる。即ち、
【0045】
【数3】
【0046】図8につき説明すると、感知ダイヤフラム
(薄膜)層27に付加質量37を設けることができ、この構
成により変換器は加速測定の用途に好適となる。
(薄膜)層27に付加質量37を設けることができ、この構
成により変換器は加速測定の用途に好適となる。
【0047】製造に際して、変換器全体を単一サブスト
レート上に形成することができる。
レート上に形成することができる。
【0048】参考文献: 1.オーストラリア、ニューサウスウェールズ州、シドニ
ーにおいて1990年12月2〜6日に開催された第7回光フ
ァイバセンサコンファレンスにおけるB. カルショウ(C
ulshaw) 氏の講演議事録「マイクロマシンド シリコン
−光ファイバ感知の相助作用的アプローチ(Micromachin
ed Silicon-A Synergistic Approach to Optical Fibre
Sensing?)」 2. イタリア、ローマにおいて1991年9月30日〜10月2
日に開催された第5回ユーロセンサ会議におけるI.
A. ドジウバン(Dziuban) 氏の講演のアブストラクト
「シリコン オプティカル プレッシャ センサ(Silic
on Optical PressureSensor) 」
ーにおいて1990年12月2〜6日に開催された第7回光フ
ァイバセンサコンファレンスにおけるB. カルショウ(C
ulshaw) 氏の講演議事録「マイクロマシンド シリコン
−光ファイバ感知の相助作用的アプローチ(Micromachin
ed Silicon-A Synergistic Approach to Optical Fibre
Sensing?)」 2. イタリア、ローマにおいて1991年9月30日〜10月2
日に開催された第5回ユーロセンサ会議におけるI.
A. ドジウバン(Dziuban) 氏の講演のアブストラクト
「シリコン オプティカル プレッシャ センサ(Silic
on Optical PressureSensor) 」
【図1】本発明による変換器における光学的共振器の機
能を示す説明図である。
能を示す説明図である。
【図2】本発明による変換器の第1の実施例の線図的説
明図である。
明図である。
【図3】図1に示す変換器構体を変更した第2の実施例
の線図的説明図である。
の線図的説明図である。
【図4】図1に示す変換器構体を変更した第3の実施例
の線図的説明図である。
の線図的説明図である。
【図5】図1に示す変換器構体を変更した第4の実施例
の線図的説明図である。
の線図的説明図である。
【図6】図1に示す変換器構体を変更した第5の実施例
の線図的説明図である。
の線図的説明図である。
【図7】(a)は、本発明によるファブリ−ペロット(F
abry-Perot) 型感知共振器の線図的縦断面図であり、
(b)は、本発明によるファブリ−ペロット(Fabry-Per
ot) 型掃進共振器の線図的縦断面図である。
abry-Perot) 型感知共振器の線図的縦断面図であり、
(b)は、本発明によるファブリ−ペロット(Fabry-Per
ot) 型掃進共振器の線図的縦断面図である。
【図8】図7に示した光学的感知共振器の加速度メータ
タイプの実施例の線図的断面図である。
タイプの実施例の線図的断面図である。
1 光源 3 メインファイバ 4 感知共振器(変換器構体) 5 光ファイバ 6 掃進走査共振器 7 分岐ファイバ 8 検出器 9 分岐カプラ 15 本体部分(単結晶シリコン) 21 リフレクタ(金属フィルム) 23 リフレクタ表面(二次金属フィルム) 25 二酸化シリコン層 27 感知ダイヤフラム(多結晶シリコン層) 29 ガラス中間層 30 保護素子 31 チャンネル 33 共振空間 37 付加質量 41 金属フィルム 43 第1電極 49 第2金属フィルム 51 キャビティ 53 ダイヤフラム層(多結晶シリコン層) 54 第2電極 55 本体部分 57 二酸化シリコン層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マルク オルパナ フィンランド国 02340 エスポー カス キサヴ 2 エフ 23 (72)発明者 アンシ コロホーネン フィンランド国 00700 ヘルシンキ ラ ウルラスターンクヤ 1 エフ 37 (72)発明者 シモ タメラ フィンランド国 02130 エスポー ヴィ サマキ 3 ベー
Claims (8)
- 【請求項1】- 本体部分(15)と、 - 前記本体部分(15)に弾性的に取り付けた感知素子であ
って、前記本体部分(15)に対する偏位を使用して前記感
知素子に加わる力を計算することができる受力素子とし
て作用する感知素子(27,37) と、 −前記感知素子(27,37) の偏位を決定する光学的検出組
立体(1,6,8) とを具えた力変換器において、 −前記本体部分(15)及び前記感知素子(27,37) によっ
て、反射モードで動作する短い光学的ファブリ−ペロッ
トタイプの感知共振器(21,23,33)を形成し、 −前記光学的検出組立体(1,6,8) を、 −前記感知共振器(21,23,33)に光学的に接続した広域ス
ペクトル光源(1) と、 −前記感知共振器(21,23,33)によって変化した光の強度
を検出するため、前記光源(1) に光学的に接続した強度
検出器(8) と、 −前記前記感知共振器(21,23,33)及び前記光源(1) に光
学的に接続し、また前記感知素子(27)に加わる力(F,
F′)に比例した感知共振器(21,23,33)の光学的長さを
決定するために制御可能な光学的長さを有するファブリ
−ペロットタイプの掃進走査共振器(41,49,51)と、を有
するものとして構成したことを特徴とする力測定変換
器。 - 【請求項2】光線の伝達経路に沿って前記感知共振器
(4) に達する前に前記掃進走査共振器(41,49,51)を配置
した請求項1記載の力測定変換器。 - 【請求項3】光線の伝達経路に沿って前記感知共振器
(4) の後に前記掃進走査共振器(41,49,51)を配置した請
求項1記載の力測定変換器。 - 【請求項4】前記掃進走査共振器(41,49,51)に静電偏位
素子(43,45) を組み込んだ請求項1記載の力測定変換
器。 - 【請求項5】前記本体部分(15)を変換器全体のサブスト
レートとして使用する請求項1乃至4のうちのいずれか
一項に記載の力測定変換器。 - 【請求項6】前記掃進走査共振器(41,49,51)の光学的長
さをリアルタイム制御可能にし、前記感知共振器(21,2
3,33)の光学的長さに追従させる構成とした請求項1記
載の力測定変換器。 - 【請求項7】前記掃進走査共振器(41,49,51)の光学的長
さを周期的に制御感応にした請求項1記載の力測定変換
器。 - 【請求項8】前記掃進走査共振器(41,49,51)からの強度
信号の最小ポイント又は最大ポイントの位相角度を解像
分析することができる位相検出素子を組み込んだ請求項
7記載の力測定変換器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI922263A FI98095C (fi) | 1992-05-19 | 1992-05-19 | Fabry-Perot resonaattoriin perustuva optinen voima-anturi, jossa ilmaisimen osana toimii pyyhkäisevä Fabry-Perot resonaattori |
| FI922263 | 1992-05-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0634474A true JPH0634474A (ja) | 1994-02-08 |
Family
ID=8535311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5117200A Pending JPH0634474A (ja) | 1992-05-19 | 1993-05-19 | 力測定変換器 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0571107B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0634474A (ja) |
| KR (1) | KR930023710A (ja) |
| CN (1) | CN1047663C (ja) |
| BR (1) | BR9301922A (ja) |
| DE (1) | DE69316082T2 (ja) |
| FI (1) | FI98095C (ja) |
| MX (1) | MX9302895A (ja) |
| NO (1) | NO931790L (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007101324A (ja) * | 2005-10-03 | 2007-04-19 | Yamatake Corp | 差圧測定システム及び差圧測定方法 |
| JP2008524606A (ja) * | 2004-12-22 | 2008-07-10 | オプセンス インコーポレイテッド | カテーテル用の光ファイバ圧力センサ |
| US8560171B2 (en) | 2008-12-25 | 2013-10-15 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Damping force controller |
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|---|---|---|---|---|
| EP0729051A3 (en) * | 1995-02-21 | 1998-06-17 | Ascom Tech Ag | Optical reflection modulator |
| US5831262A (en) * | 1997-06-27 | 1998-11-03 | Lucent Technologies Inc. | Article comprising an optical fiber attached to a micromechanical device |
| CN100550544C (zh) * | 2000-11-28 | 2009-10-14 | 柔斯芒特股份有限公司 | 适用于测量物理和材料性能的光学传感器 |
| US7330271B2 (en) | 2000-11-28 | 2008-02-12 | Rosemount, Inc. | Electromagnetic resonant sensor with dielectric body and variable gap cavity |
| NO315177B1 (no) | 2001-11-29 | 2003-07-21 | Sinvent As | Optisk forskyvnings-sensor |
| DE10224790B4 (de) * | 2002-06-04 | 2004-10-21 | Infineon Technologies Ag | Beschleunigungssensor und Verfahren zum Herstellen eines Beschleunigungssensors |
| US7043115B2 (en) | 2002-12-18 | 2006-05-09 | Rosemount, Inc. | Tunable optical filter |
| US7492463B2 (en) * | 2004-04-15 | 2009-02-17 | Davidson Instruments Inc. | Method and apparatus for continuous readout of Fabry-Perot fiber optic sensor |
| US7835598B2 (en) | 2004-12-21 | 2010-11-16 | Halliburton Energy Services, Inc. | Multi-channel array processor |
| EP1869737B1 (en) | 2005-03-16 | 2021-05-12 | Davidson Instruments, Inc. | High intensity fabry-perot sensor |
| WO2007033069A2 (en) | 2005-09-13 | 2007-03-22 | Davidson Instruments Inc. | Tracking algorithm for linear array signal processor for fabry-perot cross-correlation pattern and method of using same |
| US7684051B2 (en) | 2006-04-18 | 2010-03-23 | Halliburton Energy Services, Inc. | Fiber optic seismic sensor based on MEMS cantilever |
| US7743661B2 (en) | 2006-04-26 | 2010-06-29 | Halliburton Energy Services, Inc. | Fiber optic MEMS seismic sensor with mass supported by hinged beams |
| US8115937B2 (en) | 2006-08-16 | 2012-02-14 | Davidson Instruments | Methods and apparatus for measuring multiple Fabry-Perot gaps |
| US7787128B2 (en) | 2007-01-24 | 2010-08-31 | Halliburton Energy Services, Inc. | Transducer for measuring environmental parameters |
| US8904867B2 (en) * | 2010-11-04 | 2014-12-09 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display-integrated optical accelerometer |
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| GB2508908B (en) | 2012-12-14 | 2017-02-15 | Gen Electric | Resonator device |
| FR3000545B1 (fr) * | 2012-12-27 | 2015-07-31 | Commissariat Energie Atomique | Microbarometre a soufflet et a transducteur interferometrique |
| CN113281579B (zh) * | 2021-04-28 | 2023-01-24 | 西安理工大学 | 一种基于f-p干涉原理的芯片封装静电测量传感器 |
| JP7701243B2 (ja) * | 2021-11-01 | 2025-07-01 | 朝日インテック株式会社 | 光学式圧力センサおよびその製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| US4859060A (en) * | 1985-11-26 | 1989-08-22 | 501 Sharp Kabushiki Kaisha | Variable interferometric device and a process for the production of the same |
| DE3816529A1 (de) * | 1988-05-14 | 1989-11-23 | Kistler Instr Gmbh | Druckmessvorrichtung |
-
1992
- 1992-05-19 FI FI922263A patent/FI98095C/fi not_active IP Right Cessation
-
1993
- 1993-05-06 EP EP93303505A patent/EP0571107B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-05-06 DE DE69316082T patent/DE69316082T2/de not_active Expired - Fee Related
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