JPH06347246A - 測長機能を備えた走査電子顕微鏡 - Google Patents
測長機能を備えた走査電子顕微鏡Info
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- JPH06347246A JPH06347246A JP5159967A JP15996793A JPH06347246A JP H06347246 A JPH06347246 A JP H06347246A JP 5159967 A JP5159967 A JP 5159967A JP 15996793 A JP15996793 A JP 15996793A JP H06347246 A JPH06347246 A JP H06347246A
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- Japan
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- signal
- electron microscope
- scanning electron
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 測長機能を備えた走査電子顕微鏡において、
自動測長の結果が許容範囲を外れた場合に、測長結果が
正しいか否かを容易に判断できるようにする。 【構成】 観察対象の走査像31やラインプロファイル
波形32と共に、当該ラインプロファイル信号波形32
の変化率を表す微分信号波形33を画面上に重畳表示す
る。
自動測長の結果が許容範囲を外れた場合に、測長結果が
正しいか否かを容易に判断できるようにする。 【構成】 観察対象の走査像31やラインプロファイル
波形32と共に、当該ラインプロファイル信号波形32
の変化率を表す微分信号波形33を画面上に重畳表示す
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、測長機能を備えた走査
電子顕微鏡に係り、特に、半導体ウエハ上の微細パター
ンの幅やピッチ等の寸法を自動的に測定するのに好適な
測長機能を備えた走査電子顕微鏡に関する。
電子顕微鏡に係り、特に、半導体ウエハ上の微細パター
ンの幅やピッチ等の寸法を自動的に測定するのに好適な
測長機能を備えた走査電子顕微鏡に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスの製造過程や検査過程で
は、不良品の発生率を抑えて信頼性の高い製品を生産す
るために、コンタクトホール径やパターン幅を正確に計
測し、計測結果が許容範囲を外れていると当該計測結果
に基づいて生産ラインの管理パラメータが変更される。
したがって、計測結果が不正確であると大きな損害が発
生する可能性がある。
は、不良品の発生率を抑えて信頼性の高い製品を生産す
るために、コンタクトホール径やパターン幅を正確に計
測し、計測結果が許容範囲を外れていると当該計測結果
に基づいて生産ラインの管理パラメータが変更される。
したがって、計測結果が不正確であると大きな損害が発
生する可能性がある。
【0003】近年、この種のサブミクロンオーダーでの
寸法計測に走査電子顕微鏡が多用されるようになってき
た。走査電子顕微鏡を用いた寸法計測では、走査領域内
の1本または複数本の走査によって得られるラインプロ
ファイル信号に基づいてエッジ検出を行い、エッジ間の
距離を検出することにより測長が行われる。
寸法計測に走査電子顕微鏡が多用されるようになってき
た。走査電子顕微鏡を用いた寸法計測では、走査領域内
の1本または複数本の走査によって得られるラインプロ
ファイル信号に基づいてエッジ検出を行い、エッジ間の
距離を検出することにより測長が行われる。
【0004】ここで、従来のラインプロファイル信号を
利用した最大傾斜法による自動測定の概要を図12を参
照して説明する。一般的に走査電子顕微鏡による自動測
長では、初めに測長対象の走査像を画面表示し、図12
(a) に示したように測長範囲を例えば2本のカーソルラ
イン40a、40bで指定する。そして、2本のカーソ
ルライン40a、40bで挟まれた範囲での複数本の走
査信号を垂直方向にライン積算することによりラインプ
ロファイル信号を得る。同図(b) に、このようなライン
積算によって得られるラインプロファイル信号32の典
型的な波形図を示す。
利用した最大傾斜法による自動測定の概要を図12を参
照して説明する。一般的に走査電子顕微鏡による自動測
長では、初めに測長対象の走査像を画面表示し、図12
(a) に示したように測長範囲を例えば2本のカーソルラ
イン40a、40bで指定する。そして、2本のカーソ
ルライン40a、40bで挟まれた範囲での複数本の走
査信号を垂直方向にライン積算することによりラインプ
ロファイル信号を得る。同図(b) に、このようなライン
積算によって得られるラインプロファイル信号32の典
型的な波形図を示す。
【0005】この信号波形でのパターン幅は、パターン
エッジE1とE2との距離で表されるが、最大傾斜法で
は、パターンエッジE1、E2を決定するために信号波
形の中で傾斜がもっとも急である位置A1(A2)を探
し、A1(A2)を中心とする前後数点の信号データで
決まる直線Ls1(Ls2)と、信号波形のベースを構
成する直線Lb1(Lb2)とを求め、両者の交点をパ
ターンエッジE1(E2)と定義している。なお、位置
A1(A2)は、同図(c) に示したような、ラインプロ
ファイル信号波形の変化率を表す微分信号33に基づい
て決定するのが一般的である。
エッジE1とE2との距離で表されるが、最大傾斜法で
は、パターンエッジE1、E2を決定するために信号波
形の中で傾斜がもっとも急である位置A1(A2)を探
し、A1(A2)を中心とする前後数点の信号データで
決まる直線Ls1(Ls2)と、信号波形のベースを構
成する直線Lb1(Lb2)とを求め、両者の交点をパ
ターンエッジE1(E2)と定義している。なお、位置
A1(A2)は、同図(c) に示したような、ラインプロ
ファイル信号波形の変化率を表す微分信号33に基づい
て決定するのが一般的である。
【0006】微分信号波形33では、最大値の位置が右
上がりの最大傾斜の位置を示し、最小値の位置が右下が
りの最大傾斜の位置を示す。したがって、微分信号波形
33上で最大値を見つければ位置A1が、最小値を見つ
ければ位置A2がそれぞれ見つかることになる。
上がりの最大傾斜の位置を示し、最小値の位置が右下が
りの最大傾斜の位置を示す。したがって、微分信号波形
33上で最大値を見つければ位置A1が、最小値を見つ
ければ位置A2がそれぞれ見つかることになる。
【0007】なお、このようなラインプロファイル信号
を利用した寸法測長に関しては、例えば特開昭63−2
66746号公報に記載されており、二次信号の最大値
に基づいてエッジを判断する方法に関しては、例えば特
開平3−289507号公報に記載されている。
を利用した寸法測長に関しては、例えば特開昭63−2
66746号公報に記載されており、二次信号の最大値
に基づいてエッジを判断する方法に関しては、例えば特
開平3−289507号公報に記載されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】半導体ウエハのプロセ
スルールの微細化が進むにつれてウエハのパターン形状
が多様化し、走査電子顕微鏡を用いた試料の自動寸法測
定も信頼性を確保するのが困難になってきた。
スルールの微細化が進むにつれてウエハのパターン形状
が多様化し、走査電子顕微鏡を用いた試料の自動寸法測
定も信頼性を確保するのが困難になってきた。
【0009】例えば、図11(a) に示したような断面構
造を有する積層構造のパターン形状を測定すると、同図
(b) に示したように、ラインプロファイル波形32は試
料のエッジ部分で傾斜が2段階に変化する。このような
現象は、試料の材質A、Bによって2次電子の放射効率
が異なるために起こる。この波形に対して上記最大傾斜
法による自動測定を適用すると、誤って位置E1(E
2)をパターンエッジ位置と判定し、本来のパターンエ
ッジ位置e1(e2)を検出できない。また、このよう
な自動測長に限らず手動による測長であっても、ライン
プロファイル信号波形が試料の断面形状をそのまま表し
てはいないので、熟練者以外の者がラインプロファイル
信号波形32のみから断面形状や本来のエッジ位置を判
定することは困難であった。
造を有する積層構造のパターン形状を測定すると、同図
(b) に示したように、ラインプロファイル波形32は試
料のエッジ部分で傾斜が2段階に変化する。このような
現象は、試料の材質A、Bによって2次電子の放射効率
が異なるために起こる。この波形に対して上記最大傾斜
法による自動測定を適用すると、誤って位置E1(E
2)をパターンエッジ位置と判定し、本来のパターンエ
ッジ位置e1(e2)を検出できない。また、このよう
な自動測長に限らず手動による測長であっても、ライン
プロファイル信号波形が試料の断面形状をそのまま表し
てはいないので、熟練者以外の者がラインプロファイル
信号波形32のみから断面形状や本来のエッジ位置を判
定することは困難であった。
【0010】また、上記した最大傾斜法に限らず、他の
どんな方式を用いても、今後ますます多様化するウエハ
形状の全てを誤りなく高精度に自動測定するのは困難で
あり、最終的な判断は操作者に頼らざるを得ない。
どんな方式を用いても、今後ますます多様化するウエハ
形状の全てを誤りなく高精度に自動測定するのは困難で
あり、最終的な判断は操作者に頼らざるを得ない。
【0011】なお、上記した以外にも、走査電子顕微鏡
を利用した全自動測長では、画像の焦点が合っていなか
ったり、異物をエッジと判断してしまった場合に、測長
開始点や終点を誤判断して測長結果に大きな誤差が生じ
ることが知られており、測長結果が許容範囲を外れてい
る場合であっても、必ずしもパターンの寸法や径が異常
であるとは限らない。ところが、従来は測長結果のみを
尊重していたために、実際には許容範囲内に収まってい
るものまで不良と判定してしまうという問題があった。
を利用した全自動測長では、画像の焦点が合っていなか
ったり、異物をエッジと判断してしまった場合に、測長
開始点や終点を誤判断して測長結果に大きな誤差が生じ
ることが知られており、測長結果が許容範囲を外れてい
る場合であっても、必ずしもパターンの寸法や径が異常
であるとは限らない。ところが、従来は測長結果のみを
尊重していたために、実際には許容範囲内に収まってい
るものまで不良と判定してしまうという問題があった。
【0012】本発明の目的は、上記した従来技術の問題
点を解決し、自動測長の結果が許容範囲を外れた場合
に、この測長結果が正しいか否かを容易に判断できるよ
うにすることにある。
点を解決し、自動測長の結果が許容範囲を外れた場合
に、この測長結果が正しいか否かを容易に判断できるよ
うにすることにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明では、以下のような手段を講じた点に特
徴がある。 (1) 収束された電子ビームを試料上で走査して測長対象
物の走査像を表示する手段と、走査像のラインプロファ
イル信号を検出する手段と、ラインプロファイル信号の
変化率を示す変化率信号を検出する手段と、変化率信号
の波形を、走査像およびラインプロファイル信号の少な
くとも一方と共に画像表示する手段と、ラインプロファ
イル信号に基づいて測長開始点および終点を判断する手
段と、前記測長開始点および終点間の距離を検出する手
段。 (2) 前記構成(1) に加えて、1組のマークを画面表示す
る手段と、前記各マークをそれぞれ独立的に画面上で移
動させる手段と、各マークで示された走査像上の2点間
の距離を検出する手段。
ために、本発明では、以下のような手段を講じた点に特
徴がある。 (1) 収束された電子ビームを試料上で走査して測長対象
物の走査像を表示する手段と、走査像のラインプロファ
イル信号を検出する手段と、ラインプロファイル信号の
変化率を示す変化率信号を検出する手段と、変化率信号
の波形を、走査像およびラインプロファイル信号の少な
くとも一方と共に画像表示する手段と、ラインプロファ
イル信号に基づいて測長開始点および終点を判断する手
段と、前記測長開始点および終点間の距離を検出する手
段。 (2) 前記構成(1) に加えて、1組のマークを画面表示す
る手段と、前記各マークをそれぞれ独立的に画面上で移
動させる手段と、各マークで示された走査像上の2点間
の距離を検出する手段。
【0014】
【作用】上記した構成(1) によれば、ラインプロファイ
ル信号波形の微分波形が画面上に表示されるので、操作
者が当該微分波形を参照すれば、測長結果が予定の許容
範囲から外れていたような場合でも、それがパターン不
良に基づくものであるのか、あるいは測長対象物の形状
に起因した測長ミスに基づくものであるのかを容易に理
解できるようになる。
ル信号波形の微分波形が画面上に表示されるので、操作
者が当該微分波形を参照すれば、測長結果が予定の許容
範囲から外れていたような場合でも、それがパターン不
良に基づくものであるのか、あるいは測長対象物の形状
に起因した測長ミスに基づくものであるのかを容易に理
解できるようになる。
【0015】上記した構成(2) によれば、測長ミスが発
生した場合であっても、正規の測長開始点および終点を
1組のマークで指定することにより、正規の位置での再
測長を容易に行えるようになる。
生した場合であっても、正規の測長開始点および終点を
1組のマークで指定することにより、正規の位置での再
測長を容易に行えるようになる。
【0016】
【実施例】以下、図面を参照して本発明を詳細に説明す
る。図1は、本発明が適用される測長機能を備えた走査
電子顕微鏡の概略構成を示したブロック図である。電子
銃1より放射された電子ビーム2は、対物レンズ6によ
り細く絞られて試料7に照射される。対物レンズ6は対
物レンズ電源11により励磁される。偏向信号発生器1
4は、コンピュータ21によって指示された試料上での
電子ビーム2の走査範囲、走査位置に応じた偏向信号を
偏向増幅器10を介して偏向コイル5へ供給してこれを
励磁し、電子ビーム2を試料7上で2次元的に走査す
る。
る。図1は、本発明が適用される測長機能を備えた走査
電子顕微鏡の概略構成を示したブロック図である。電子
銃1より放射された電子ビーム2は、対物レンズ6によ
り細く絞られて試料7に照射される。対物レンズ6は対
物レンズ電源11により励磁される。偏向信号発生器1
4は、コンピュータ21によって指示された試料上での
電子ビーム2の走査範囲、走査位置に応じた偏向信号を
偏向増幅器10を介して偏向コイル5へ供給してこれを
励磁し、電子ビーム2を試料7上で2次元的に走査す
る。
【0017】また、電子ビーム2の照射に応答して試料
7より発生した2次信号(2次電子信号、反射電子信号
など)は、検出器12で検出されて電気信号に変換され
た後にA/D変換器15によってアナログ信号からディ
ジタル信号に変換され、画像メモリ16に記憶される。
この画像メモリ16の内容は、常にD/A変換器17に
よりディジタル信号から再びアナログ信号に変換され、
画像表示用CRT(陰極線管)19の輝度信号としてグ
リッドに引加される。このとき、A/D変換器15、画
像メモリ16、D/A変換器17は、A/D変換して記
憶し、更にD/A変換して画像表示するためのタイミン
グ信号を偏向信号発生器14より受け取る。画像表示用
CRT19の偏向コイル20は、偏向信号発生器14が
発生する偏向信号を偏向増幅器18で増幅して得られた
信号によって励磁される。
7より発生した2次信号(2次電子信号、反射電子信号
など)は、検出器12で検出されて電気信号に変換され
た後にA/D変換器15によってアナログ信号からディ
ジタル信号に変換され、画像メモリ16に記憶される。
この画像メモリ16の内容は、常にD/A変換器17に
よりディジタル信号から再びアナログ信号に変換され、
画像表示用CRT(陰極線管)19の輝度信号としてグ
リッドに引加される。このとき、A/D変換器15、画
像メモリ16、D/A変換器17は、A/D変換して記
憶し、更にD/A変換して画像表示するためのタイミン
グ信号を偏向信号発生器14より受け取る。画像表示用
CRT19の偏向コイル20は、偏向信号発生器14が
発生する偏向信号を偏向増幅器18で増幅して得られた
信号によって励磁される。
【0018】一方、試料7を載置した試料ステージ8
は、ステージ駆動回路13により移動され、これにより
試料7上での電子ビーム2の走査位置が変化して視野が
移動する。同様の視野移動は、直流増幅器9によってイ
メージシフトコイル3を励磁し、電子ビーム2の試料7
上での走査位置をオフセットすることによっても行え
る。これらの視野移動の移動量はコンピュータ21によ
って制御される。
は、ステージ駆動回路13により移動され、これにより
試料7上での電子ビーム2の走査位置が変化して視野が
移動する。同様の視野移動は、直流増幅器9によってイ
メージシフトコイル3を励磁し、電子ビーム2の試料7
上での走査位置をオフセットすることによっても行え
る。これらの視野移動の移動量はコンピュータ21によ
って制御される。
【0019】カーソル信号発生器22が発生するカーソ
ル信号は、トラックボール24またはコンピュータ21
からの信号によって変化し、画像表示用CRT19上に
表示されるカーソルの表示位置を変化させる。コンピュ
ータ21は、カーソル信号発生器22の状態から画像表
示用CRT19上での位置情報を取得できる。また、コ
ンピュータ21は、画像メモリ16中の画像データの全
部または一部を読み込むことができ、前期カーソル位置
情報と組み合わせることで、カーソル位置を中心とする
一部の画像データから画像のライン積算を行って信号波
形を生成し、画像メモリ16中の該当位置を変更して、
画像表示用CRT19上に該信号波形(ラインプロファ
イル)を表示する。なお、信号波形の表示は、信号波形
表示専用のメモリを別途設け、該メモリ上の該当位置を
変更し、当該メモリと、前記画像メモリ16との排他的
論理和をとり、画像表示用CRT19に表示することに
よっても行うことができる。
ル信号は、トラックボール24またはコンピュータ21
からの信号によって変化し、画像表示用CRT19上に
表示されるカーソルの表示位置を変化させる。コンピュ
ータ21は、カーソル信号発生器22の状態から画像表
示用CRT19上での位置情報を取得できる。また、コ
ンピュータ21は、画像メモリ16中の画像データの全
部または一部を読み込むことができ、前期カーソル位置
情報と組み合わせることで、カーソル位置を中心とする
一部の画像データから画像のライン積算を行って信号波
形を生成し、画像メモリ16中の該当位置を変更して、
画像表示用CRT19上に該信号波形(ラインプロファ
イル)を表示する。なお、信号波形の表示は、信号波形
表示専用のメモリを別途設け、該メモリ上の該当位置を
変更し、当該メモリと、前記画像メモリ16との排他的
論理和をとり、画像表示用CRT19に表示することに
よっても行うことができる。
【0020】次に、前記図11(a) 、(b) に関して説明
したような、自動測長では測長ミスが発生する試料に対
して測長を行う場合を例にして本発明を説明する。図2
は、前記図11(a) に関して説明したような2層構造の
パターンを観察した場合の、本発明の第1実施例による
画像表示用CRT19上での表示内容を示した図であ
り、本実施例では、観察対象の走査像31やラインプロ
ファイル波形32と共に、図11(c) に示したような、
当該ラインプロファイル信号波形32の変化率を表す微
分信号波形33を画面上に重畳表示するようにした点に
特徴がある。
したような、自動測長では測長ミスが発生する試料に対
して測長を行う場合を例にして本発明を説明する。図2
は、前記図11(a) に関して説明したような2層構造の
パターンを観察した場合の、本発明の第1実施例による
画像表示用CRT19上での表示内容を示した図であ
り、本実施例では、観察対象の走査像31やラインプロ
ファイル波形32と共に、図11(c) に示したような、
当該ラインプロファイル信号波形32の変化率を表す微
分信号波形33を画面上に重畳表示するようにした点に
特徴がある。
【0021】図11(a) に関して説明したような2層構
造のパターンを観察した場合、図11(b) に示したよう
に、ラインプロファイル波形32は試料のエッジ部分で
傾斜が2段階に変化するため、最大傾斜法による自動測
定を適用すると、誤ったエッジ位置E1、E2を正規の
測長開始点および終点と誤判断するため測長ミスが発生
し、測長結果が許容範囲から外れてしまう場合がある。
造のパターンを観察した場合、図11(b) に示したよう
に、ラインプロファイル波形32は試料のエッジ部分で
傾斜が2段階に変化するため、最大傾斜法による自動測
定を適用すると、誤ったエッジ位置E1、E2を正規の
測長開始点および終点と誤判断するため測長ミスが発生
し、測長結果が許容範囲から外れてしまう場合がある。
【0022】このような場合、従来であれば一義的にパ
ターン不良と判断されていたが、本実施例ではラインプ
ロファイル波形32の微分波形33が表示されており、
当該微分波形33には極値が多数存在し、かつピーク値
の最も大きな極値が正規のエッジと対応していないこと
から、操作者が当該微分波形33を参照することによ
り、測長結果が許容範囲外であった原因がパターン不良
に基づくものではなく測長ミスに起因したものである可
能性が高いことを認識することができる。
ターン不良と判断されていたが、本実施例ではラインプ
ロファイル波形32の微分波形33が表示されており、
当該微分波形33には極値が多数存在し、かつピーク値
の最も大きな極値が正規のエッジと対応していないこと
から、操作者が当該微分波形33を参照することによ
り、測長結果が許容範囲外であった原因がパターン不良
に基づくものではなく測長ミスに起因したものである可
能性が高いことを認識することができる。
【0023】すなわち、図11に関して説明した例では
極値が多数存在することから、最大傾斜法によるエッジ
の判断理論についてある程度の知識を有する操作者であ
れば、正規のエッジとは異なる他のエッジが測長開始点
および終点と誤判断された可能性が高いことを容易に認
識できるようになる。
極値が多数存在することから、最大傾斜法によるエッジ
の判断理論についてある程度の知識を有する操作者であ
れば、正規のエッジとは異なる他のエッジが測長開始点
および終点と誤判断された可能性が高いことを容易に認
識できるようになる。
【0024】このように測長結果が予定の許容範囲を外
れると、本実施例では自動的あるいは操作者からの指示
に応答して、左エッジ指定用マーク50Lおよび右エッ
ジ指定用マーク50Rが、図3に示したように画面上の
予定位置に重畳表示される。ここで、操作者がトラック
ボールやマウス等の適宜の入力手段を利用し、図4に示
したように各マーク50L、50Rを正規のエッジ位置
まで移動する。
れると、本実施例では自動的あるいは操作者からの指示
に応答して、左エッジ指定用マーク50Lおよび右エッ
ジ指定用マーク50Rが、図3に示したように画面上の
予定位置に重畳表示される。ここで、操作者がトラック
ボールやマウス等の適宜の入力手段を利用し、図4に示
したように各マーク50L、50Rを正規のエッジ位置
まで移動する。
【0025】トラックボールによりマーク50L、50
Rを移動する際、本実施例では切り替えスイッチで左エ
ッジ、右エッジのどちらのマークを移動するか選択でき
る。移動中に変化する左右マーク間の距離は、信号波形
上の単位長さと、実パターン上の単位長さとを校正する
係数を乗じて、実時間でパターンの実寸法に変換されて
表示される。したがって、正しい位置までマークを移動
し終わったときに表示されているパターンの実寸法が求
めるパターン幅となる。
Rを移動する際、本実施例では切り替えスイッチで左エ
ッジ、右エッジのどちらのマークを移動するか選択でき
る。移動中に変化する左右マーク間の距離は、信号波形
上の単位長さと、実パターン上の単位長さとを校正する
係数を乗じて、実時間でパターンの実寸法に変換されて
表示される。したがって、正しい位置までマークを移動
し終わったときに表示されているパターンの実寸法が求
めるパターン幅となる。
【0026】なお、正規のエッジ位置を指定するための
マークの形状は、上記したような矢印に限定されるもの
ではなく、例えば図5に示したように、走査像31から
ラインプロファイル波形32や微分波形33にまで達す
る縦方向に垂直な直線状のマーク51L、51Rであっ
てもよい。また、マ−クの移動手段は、トラックボ−ル
に限定されず、マウスや矢印キ−などでもよい。
マークの形状は、上記したような矢印に限定されるもの
ではなく、例えば図5に示したように、走査像31から
ラインプロファイル波形32や微分波形33にまで達す
る縦方向に垂直な直線状のマーク51L、51Rであっ
てもよい。また、マ−クの移動手段は、トラックボ−ル
に限定されず、マウスや矢印キ−などでもよい。
【0027】本実施例によれば、ラインプロファイル波
形の微分波形が表示されて操作者に示されるので、測長
結果が予定の許容範囲から外れていたような場合でも、
それがパターン不良に基づくものであるのか、あるいは
測長対象物の形状に起因した測長ミスに基づくものであ
るのかを容易に理解できるようになる。
形の微分波形が表示されて操作者に示されるので、測長
結果が予定の許容範囲から外れていたような場合でも、
それがパターン不良に基づくものであるのか、あるいは
測長対象物の形状に起因した測長ミスに基づくものであ
るのかを容易に理解できるようになる。
【0028】さらに、マーク等の適宜の手段で正規のエ
ッジ位置を指定することにより当該位置での測長を行う
ことができるので、エッジを誤判断して測長ミスが発生
した場合であっても、正規のエッジ間距離を容易に再測
長できるようになる。
ッジ位置を指定することにより当該位置での測長を行う
ことができるので、エッジを誤判断して測長ミスが発生
した場合であっても、正規のエッジ間距離を容易に再測
長できるようになる。
【0029】なお、上記した実施例では、初めにマーク
50L、50Rが表示される位置(図3参照)は特に意
味を持たないが、図10に示したように、自動測長にお
いて測定開始点および終点の判断された箇所を指示する
ようにしても良い。
50L、50Rが表示される位置(図3参照)は特に意
味を持たないが、図10に示したように、自動測長にお
いて測定開始点および終点の判断された箇所を指示する
ようにしても良い。
【0030】また、上記した実施例では変化率信号33
が走査像31やラインプロファイル信号32と共に表示
されるものとして説明したが、本発明はこれのみに限定
されず、走査像31およびラインプロファイル信号32
のいずれか一方と共に表示されるようにしても良い。こ
のような表示形態によっても、測定開始点および終点が
誤判断されたことの認識や、誤判断時における正規のエ
ッジ位置の指定は同様に行うことができる。
が走査像31やラインプロファイル信号32と共に表示
されるものとして説明したが、本発明はこれのみに限定
されず、走査像31およびラインプロファイル信号32
のいずれか一方と共に表示されるようにしても良い。こ
のような表示形態によっても、測定開始点および終点が
誤判断されたことの認識や、誤判断時における正規のエ
ッジ位置の指定は同様に行うことができる。
【0031】次いで、エッジを誤判断して測長結果が予
定の許容範囲を外れた場合に、正規のエッジ位置の指定
を更に簡単かつ正確に行えるようにした本発明の第2実
施例について説明する。
定の許容範囲を外れた場合に、正規のエッジ位置の指定
を更に簡単かつ正確に行えるようにした本発明の第2実
施例について説明する。
【0032】図6は、本発明の第2実施例による画面表
示例を示した図である。本実施例では、ラインプロファ
イル波形32の変化率を、その変化率信号の極値の量子
化レベルを離散的に表示した量子化信号36で表示する
ようにした点に特徴がある。すなわち、本実施例では、
微分信号の上に凸なピーク(上限値)と、下に凸なピー
ク(下限値)を、その位置での量子化レベルと共にプロ
ットするようにしている。
示例を示した図である。本実施例では、ラインプロファ
イル波形32の変化率を、その変化率信号の極値の量子
化レベルを離散的に表示した量子化信号36で表示する
ようにした点に特徴がある。すなわち、本実施例では、
微分信号の上に凸なピーク(上限値)と、下に凸なピー
ク(下限値)を、その位置での量子化レベルと共にプロ
ットするようにしている。
【0033】ここで、測長結果が予定の許容範囲を外れ
ると、操作者が当該量子化信号36を参照することによ
り、前記同様、測長結果が規格外であった原因がパター
ン不良に基づくものではなく測長ミスに起因したもので
ある可能性の高いことを認識することができる。このと
き、前記と同様に自動的あるいは操作者からの指示に応
答して、図7に示したように最大傾斜法によって判断さ
れた左エッジおよび右エッジにマーク51L、51Rが
画面上に重畳表示される。本実施例では、ラインプロフ
ァイル信号波形32の変化率が最も大きい一対のエッジ
位置P1L、P1Rが、それぞれ測長開始点および終点と誤
判断されていることがわかる。
ると、操作者が当該量子化信号36を参照することによ
り、前記同様、測長結果が規格外であった原因がパター
ン不良に基づくものではなく測長ミスに起因したもので
ある可能性の高いことを認識することができる。このと
き、前記と同様に自動的あるいは操作者からの指示に応
答して、図7に示したように最大傾斜法によって判断さ
れた左エッジおよび右エッジにマーク51L、51Rが
画面上に重畳表示される。本実施例では、ラインプロフ
ァイル信号波形32の変化率が最も大きい一対のエッジ
位置P1L、P1Rが、それぞれ測長開始点および終点と誤
判断されていることがわかる。
【0034】ところで、このようにエッジ位置を誤判断
した場合であっても、本来のエッジ位置も他のいずれか
の極値上にある可能性が非常に高い。例えば、本実施例
では、正規のエッジは4番目の量子化レベル位置P4L、
P4Rに相当する。そこで、本実施例では操作者が予定の
キースイッチを1回押下すると、図8に示したように、
一対のマーク51L、51Rの位置が当該最大値のエッ
ジ位置P1L、P1Rから第2番目のエッジ位置P2L、P2R
に移動するようにした。さらにキースイッチを1回押下
すると、第2番目のエッジ位置P2L、P2Rから第3番目
のエッジ位置P3L、P3Rに移動する。さらにキースイッ
チを1回押下すると、第3番目のエッジ位置P3L、P3R
から正規のエッジ位置である第4番目のエッジ位置P4
L、P4Rに移動し、このときのマーク間隔が正規のエッ
ジ間距離として表示される。
した場合であっても、本来のエッジ位置も他のいずれか
の極値上にある可能性が非常に高い。例えば、本実施例
では、正規のエッジは4番目の量子化レベル位置P4L、
P4Rに相当する。そこで、本実施例では操作者が予定の
キースイッチを1回押下すると、図8に示したように、
一対のマーク51L、51Rの位置が当該最大値のエッ
ジ位置P1L、P1Rから第2番目のエッジ位置P2L、P2R
に移動するようにした。さらにキースイッチを1回押下
すると、第2番目のエッジ位置P2L、P2Rから第3番目
のエッジ位置P3L、P3Rに移動する。さらにキースイッ
チを1回押下すると、第3番目のエッジ位置P3L、P3R
から正規のエッジ位置である第4番目のエッジ位置P4
L、P4Rに移動し、このときのマーク間隔が正規のエッ
ジ間距離として表示される。
【0035】このように、本実施例ではボタンの押下と
いう単純な作業毎に測定装置がつぎつぎと新たなエッジ
候補を選択するので、前記したトラックボールやマウス
等を利用してエッジ位置を指定する場合に比べて、正規
のエッジ位置の指定を容易かつ正確に行えるようにな
る。
いう単純な作業毎に測定装置がつぎつぎと新たなエッジ
候補を選択するので、前記したトラックボールやマウス
等を利用してエッジ位置を指定する場合に比べて、正規
のエッジ位置の指定を容易かつ正確に行えるようにな
る。
【0036】なお、上記した実施例では、キースイッチ
を押下してエッジ位置を選択する優先順位が量子化レベ
ルに基づいて決定されるものとして説明したが、本発明
はこれのみに限定されず、ピーク信号情報のうち、左エ
ッジについては最も左のものを、右エッジについては最
も右のものをそれぞれ順番に選択するようにしても良
い。
を押下してエッジ位置を選択する優先順位が量子化レベ
ルに基づいて決定されるものとして説明したが、本発明
はこれのみに限定されず、ピーク信号情報のうち、左エ
ッジについては最も左のものを、右エッジについては最
も右のものをそれぞれ順番に選択するようにしても良
い。
【0037】
【発明の効果】上記したように、本発明によれば以下の
ような効果が達成される。 (1) ラインプロファイル波形の微分波形が表示されて操
作者に示されるので、測長結果が予定の許容範囲から外
れていたような場合でも、それがパターン不良に基づく
ものであるのか、あるいは測長対象物の形状に起因した
測長ミスに基づくものであるのかを容易に理解できるよ
うになる。
ような効果が達成される。 (1) ラインプロファイル波形の微分波形が表示されて操
作者に示されるので、測長結果が予定の許容範囲から外
れていたような場合でも、それがパターン不良に基づく
ものであるのか、あるいは測長対象物の形状に起因した
測長ミスに基づくものであるのかを容易に理解できるよ
うになる。
【0038】そして、このような判断が容易になれば操
作者に安心感を与えることができ、精神的負担を軽減で
きるので、特に測定装置の前で長時間測定作業をする作
業者の負担を大幅に軽減できるようになる。 (2) マーク等の適宜の手段で正規のエッジ位置を指定し
て当該位置での測長を行うことができるので、エッジを
誤判断して測長ミスが発生した場合であっても、正規の
エッジ間距離を容易に再測長できるようになる。この結
果、測長ミスの結果が品質管理に利用されることを未然
に防ぐことが可能になる。 (3) ラインプロファイル波形の変化率を、その変化率信
号の極値の量子化レベルを離散的に表示した量子化信号
で表示すると共に、ボタン押下という単純な作業毎に測
定装置が次々と新たなエッジ候補を選択するようにした
ので、正規の位置の指定を容易かつ正確に行えるように
なる。
作者に安心感を与えることができ、精神的負担を軽減で
きるので、特に測定装置の前で長時間測定作業をする作
業者の負担を大幅に軽減できるようになる。 (2) マーク等の適宜の手段で正規のエッジ位置を指定し
て当該位置での測長を行うことができるので、エッジを
誤判断して測長ミスが発生した場合であっても、正規の
エッジ間距離を容易に再測長できるようになる。この結
果、測長ミスの結果が品質管理に利用されることを未然
に防ぐことが可能になる。 (3) ラインプロファイル波形の変化率を、その変化率信
号の極値の量子化レベルを離散的に表示した量子化信号
で表示すると共に、ボタン押下という単純な作業毎に測
定装置が次々と新たなエッジ候補を選択するようにした
ので、正規の位置の指定を容易かつ正確に行えるように
なる。
【図1】 本発明を適用した走査電子顕微鏡のブロック
図である。
図である。
【図2】 本発明の第1実施例における測長対象物の表
示形態の一例を示した図である。
示形態の一例を示した図である。
【図3】 測長ミスが発生した場合に正規のエッジ間距
離を測長する方法の一例を示した図である。
離を測長する方法の一例を示した図である。
【図4】 測長ミスが発生した場合に正規のエッジ間距
離を測長する方法の一例を示した図である。
離を測長する方法の一例を示した図である。
【図5】 測長ミスが発生した場合に正規のエッジ間距
離を測長する方法の一例を示した図である。
離を測長する方法の一例を示した図である。
【図6】 本発明の第2実施例における測長対象物の表
示形態の一例を示した図である。
示形態の一例を示した図である。
【図7】 測長ミスが発生した場合に正規のエッジ間距
離を測長する方法の一例を示した図である。
離を測長する方法の一例を示した図である。
【図8】 測長ミスが発生した場合に正規のエッジ間距
離を測長する方法の一例を示した図である。
離を測長する方法の一例を示した図である。
【図9】 測長ミスが発生した場合に正規のエッジ間距
離を測長する方法の一例を示した図である。
離を測長する方法の一例を示した図である。
【図10】 測長ミスが発生した場合に正規のエッジ間
距離を測長する方法の一例を示した図である。
距離を測長する方法の一例を示した図である。
【図11】 最大傾斜法を採用した自動測長において測
長ミスが発生する原因を説明するための図である。
長ミスが発生する原因を説明するための図である。
【図12】 最大傾斜法を採用した自動測長方法を示し
た図である。
た図である。
1…電子銃、2…電子ビ−ム、3…偏向コイル、5…イ
メ−ジシフトコイル、6…対物レンズ、7…試料、8…
試料ステージ、9…直流増幅器、10…偏向増幅器、1
1…対物レンズ電源、12…検出器、13…ステージ駆
動回路、14…偏向信号発生器、15…A/D変換器、
16…画像メモリ、17…D/A変換器、18…偏向増
幅器、19…画像表示用モニタ、20…偏向コイル、2
1…コンピュ−タ、22…カーソル信号発生器、24…
トラックボール、31…走査像、32…ラインプロファ
イル信号波形、33…微分信号波形、36…量子化信号
波形、50L、51L…左エッジ用マーク、50R、5
1R…右エッジ用マーク
メ−ジシフトコイル、6…対物レンズ、7…試料、8…
試料ステージ、9…直流増幅器、10…偏向増幅器、1
1…対物レンズ電源、12…検出器、13…ステージ駆
動回路、14…偏向信号発生器、15…A/D変換器、
16…画像メモリ、17…D/A変換器、18…偏向増
幅器、19…画像表示用モニタ、20…偏向コイル、2
1…コンピュ−タ、22…カーソル信号発生器、24…
トラックボール、31…走査像、32…ラインプロファ
イル信号波形、33…微分信号波形、36…量子化信号
波形、50L、51L…左エッジ用マーク、50R、5
1R…右エッジ用マーク
Claims (7)
- 【請求項1】 収束された電子ビームを試料上で走査し
て測長対象物の走査像を表示する手段と、 走査像の予定位置のラインプロファイル信号を検出する
手段と、 ラインプロファイル信号の変化率を示す変化率信号を検
出する手段と、 前記変化率信号の波形を、走査像およびラインプロファ
イル信号の少なくとも一方と共に画像表示する手段と、 ラインプロファイル信号に基づいて測長開始点および終
点を判断する手段と、 前記測長開始点および終点間の距離を検出する手段とを
具備したことを特徴とする測長機能を備えた走査電子顕
微鏡。 - 【請求項2】 前記変化率信号は、ラインプロファイル
信号の微分値に基づいて算出された微分信号であること
を特徴とする請求項1記載の測長機能を備えた走査電子
顕微鏡。 - 【請求項3】 前記微分信号は、微分値の各極値におけ
る量子化レベルを離散的に表した量子化信号であること
を特徴とする請求項2記載の測長機能を備えた走査電子
顕微鏡。 - 【請求項4】 1組のマークを画面表示する手段と、 前記各マークをそれぞれ独立的に画面上で移動させる手
段と、 各マークで示された走査像上の2点間の距離を検出する
手段とを、さらに具備したことを特徴とする請求項1な
いし3のいずれかに記載の測長機能を備えた走査電子顕
微鏡。 - 【請求項5】 前記1組のマークは、前記微分値の測長
開始点および終点に応答した一対の極値を発生する位置
のそれぞれを入力操作に応じて選択的に順次指定するこ
とを特徴とする請求項4記載の測長機能を備えた走査電
子顕微鏡。 - 【請求項6】 前記1組のマークは、前記微分値の測長
開始点および終点に応答した一対の極値を、量子化レベ
ルが最も大きい一対の極値を発生する位置、および最も
小さい一対の極値を発生する位置のいずれか一方から順
次指定することを特徴とする請求項5記載の測長機能を
備えた走査電子顕微鏡。 - 【請求項7】 前記1組のマークは、前記微分値の測長
開始点および終点に応答した一対の極値を、量子化信号
の内側および外側のいずれか一方から順次指定すること
を特徴とする請求項5記載の測長機能を備えた走査電子
顕微鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5159967A JPH06347246A (ja) | 1993-06-07 | 1993-06-07 | 測長機能を備えた走査電子顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5159967A JPH06347246A (ja) | 1993-06-07 | 1993-06-07 | 測長機能を備えた走査電子顕微鏡 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06347246A true JPH06347246A (ja) | 1994-12-20 |
Family
ID=15705088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5159967A Pending JPH06347246A (ja) | 1993-06-07 | 1993-06-07 | 測長機能を備えた走査電子顕微鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06347246A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2338297A (en) * | 1998-06-13 | 1999-12-15 | Samsung Electronics Co Ltd | Contact failure inspection in semiconductor devices using a scanning electron beam microscope |
| JP2001118537A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Hitachi Ltd | ビーム走査形検査装置 |
| JP2002202115A (ja) * | 2000-11-09 | 2002-07-19 | Samsung Electronics Co Ltd | 測定装置の自動測定エラー検出方法 |
| US6724947B1 (en) | 2000-07-14 | 2004-04-20 | International Business Machines Corporation | Method and system for measuring characteristics of curved features |
| US6791084B2 (en) | 2001-10-12 | 2004-09-14 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and scanning electron microscope for measuring dimension of material on sample |
| JP2005174929A (ja) * | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Samsung Electronics Co Ltd | 微細パターン線幅測定方法およびそのシステム |
| US7053371B2 (en) | 2003-02-21 | 2006-05-30 | Hitachi High-Technologies Corporation | Scanning electron microscope with measurement function |
| JP2006170969A (ja) * | 2004-11-19 | 2006-06-29 | Horon:Kk | 測定値の判定方法 |
| JP2008082927A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Fujitsu Ltd | 測長装置及び測長方法 |
| JP2011145302A (ja) * | 2004-11-19 | 2011-07-28 | Horon:Kk | 測定値の判定方法 |
| CN114543672A (zh) * | 2022-02-14 | 2022-05-27 | 湖北工业大学 | 一种起落架形位公差检测平台 |
-
1993
- 1993-06-07 JP JP5159967A patent/JPH06347246A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2338297B (en) * | 1998-06-13 | 2003-03-19 | Samsung Electronics Co Ltd | Apparatus and method for contact failure inspection in semiconductor devices |
| GB2338297A (en) * | 1998-06-13 | 1999-12-15 | Samsung Electronics Co Ltd | Contact failure inspection in semiconductor devices using a scanning electron beam microscope |
| DE19860704B4 (de) * | 1998-06-13 | 2009-07-30 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Verfahren zur Überprüfung zumindest eines Teils eines Halbleiterwafers mit einem Rasterelektronenmikroskop |
| JP2001118537A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Hitachi Ltd | ビーム走査形検査装置 |
| US6724947B1 (en) | 2000-07-14 | 2004-04-20 | International Business Machines Corporation | Method and system for measuring characteristics of curved features |
| JP2002202115A (ja) * | 2000-11-09 | 2002-07-19 | Samsung Electronics Co Ltd | 測定装置の自動測定エラー検出方法 |
| US7385196B2 (en) | 2001-10-12 | 2008-06-10 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and scanning electron microscope for measuring width of material on sample |
| US6791084B2 (en) | 2001-10-12 | 2004-09-14 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and scanning electron microscope for measuring dimension of material on sample |
| US7053371B2 (en) | 2003-02-21 | 2006-05-30 | Hitachi High-Technologies Corporation | Scanning electron microscope with measurement function |
| JP2005174929A (ja) * | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Samsung Electronics Co Ltd | 微細パターン線幅測定方法およびそのシステム |
| JP2006170969A (ja) * | 2004-11-19 | 2006-06-29 | Horon:Kk | 測定値の判定方法 |
| JP2011145302A (ja) * | 2004-11-19 | 2011-07-28 | Horon:Kk | 測定値の判定方法 |
| JP2008082927A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Fujitsu Ltd | 測長装置及び測長方法 |
| CN114543672A (zh) * | 2022-02-14 | 2022-05-27 | 湖北工业大学 | 一种起落架形位公差检测平台 |
| CN114543672B (zh) * | 2022-02-14 | 2023-09-08 | 湖北工业大学 | 一种起落架形位公差检测平台 |
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