JPH06347650A - プラスチック光伝送体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 コア部がポリカーボネートから成るプラスチ
ック光伝送体、例えばプラスチック光ファイバであっ
て、当該コア部のポリカーボネートが１０℃／ｍｍの昇
温速度で示差熱分析したときの吸熱ピークが１００℃以
上２００℃以下の温度範囲に存在し、且つその吸熱量が
１．５ｍＪ／ｍｇ以上であるポリカーボネートであるプ
ラスチック光伝送体。 【効果】 このプラスチック光伝送体は耐熱性が高くて
伝送損失が小さく、高温度下における熱収縮率が小さく
伝送損失の増加量も小さい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は伝送損失が小さくしかも
耐熱性が向上したプラスチック光伝送体及びその製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】プラスチック光ファイバは可とう性、軽
量で、しかも端末加工性が容易であるという特徴を有す
る光伝送体であり、自動車や電子機器の信号伝送路とし
ての開発、利用が期待されている。この中で、アクリル
系プラスチック光ファイバの場合、伝送損失が３００ｄ
Ｂ／ｋｍ程度であり低損失であるが、耐熱性は８５℃程
度であり使用範囲がかなり限定される。一方、これより
高い耐熱性を有するものとしてポリカーボネート系プラ
スチック光ファイバがあるが、耐熱性は１２５℃程度で
あり、自動車のエンジンルームなどに使用する光伝送路
としてはまだ不十分である。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は伝送損失が小さく、しかも、耐熱性の高いプラス
チック光伝送体を提供することである。また、本発明の
目的は従来のプラスチック光ファイバの耐熱性を向上さ
せ、ファイバの適用範囲を拡大しうるプラスチック光フ
ァイバを提供することにある。さらに、本発明の目的
は、伝送損失が小さく、耐熱性の高いプラスチック光伝
送体の製造方法を提供することであり、例えば、耐熱性
を向上させたプラスチック光ファイバの製造方法を提供
することである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者らは上記目的を
達成するためコア材が熱可塑性樹脂の場合、プラスチッ
ク光伝送体、ことにポリカーボネートをコア材とするプ
ラスチック光ファイバの耐熱性について鋭意検討を行っ
た結果、ポリカーボネートのコア層を樹脂のガラス転移
温度以下の所定温度で、予め熱処理することにより、樹
脂の耐熱性を向上しうること、そしてこの熱処理後のプ
ラスチック光ファイバが低い伝送損失を示し、しかも高
温下においても伝送損失の増加量が小さいことを見いだ
した。本発明はこの知見に基づきなされたものである。
すなわち本発明は、（１）コア部がポリカーボネートか
ら成るプラスチック光伝送体であって、当該コア部のポ
リカーボネートが、１０℃／ｍｉｎの昇温速度で示差熱
分析したときの吸熱ピークが１００℃以上２００℃以下
の温度範囲に存在し、かつその吸熱量が１．５ｍＪ／ｍ
ｇ以上であるポリカーボネートであることを特徴とする
プラスチック光伝送体、（２）前記プラスチック光伝送
体がプラスチック光ファイバであることを特徴とする
（１）項記載のプラスチック光伝送体、（３）コア部が
ポリカーボネートから成るプラスチック光伝送体を製造
するに当り、当該コア部を形成するポリカーボネートの
ガラス転移温度より１０℃以上低い温度で少なくとも８
時間、該コア部を熱処理することを特徴とするプラスチ
ック光伝送体の製造方法、及び（４）前記プラスチック
光伝送体がプラスチック光ファイバであることを特徴と
する（３）項記載のプラスチック光伝送体の製造方法を
提供するものである。

【０００５】本発明における光伝送体とは光波、信号、
像などを伝搬させる光導波路として用いられるものを意
味し、具体的には光ファイバ、ライトガイド、光ファイ
バセンサーなどの他、これらの接続部、光カプラーを含
むものである。また、形状には特に制限はなく、コア断
面は円形のほか、方形のものでもよい。次に本発明を、
代表的な光伝送体である光ファイバを例に説明する。プ
ラスチック光ファイバを構成するコア層のポリカーボネ
ートは、１０℃／ｍｉｎの昇温速度で示差熱分析をした
ときの吸熱ピークが１００℃以上２００℃以下に存在
し、その吸熱量が１．５ｍＪ／ｍｇ以上でなければなら
ない。この吸熱ピークの位置は、ほぼ樹脂のガラス転移
温度によるが、この吸熱ピークはコア層を構成している
樹脂のガラス転移温度より１℃〜２０℃程度高い位置に
現れる。この温度が１００℃未満であるプラスチック光
ファイバは耐熱性に乏しく、その温度は高い程良いが、
またこれが２００℃を超えると樹脂の成形加工が困難に
なる。プラスチック光ファイバとして、好ましくは前記
コア層の吸熱ピークが１３０℃以上１９０℃以下、特に
好ましくは１３５℃以上１８５℃以下に存在するもので
ある。またこの吸熱ピークにおける吸熱量は１．５ｍＪ
／ｍｇ以上でなければならない。吸熱量が１．５ｍＪ／
ｍｇより小さいとプラスチック光ファイバの耐熱性の向
上が見られないからである。また、プラスチック光ファ
イバとして、好ましくは前記吸熱ピークにおける吸熱量
が２．０ｍＪ／ｍｇ以上、特に好ましくは２．５ｍＪ／
ｍｇ以上のものである。このようなプラスチック光ファ
イバに用いられるコア層熱可塑性樹脂は、伝送損失及び
樹脂のガラス転移温度を考慮してポリカーボネートが用
いられ、ポリカーボネートが熱処理の効果が大きい。ポ
リカーボネートとしては特に限定はなくいずれの種類で
もよいが、具体的には、ポリカーボネートＡ（下記ビス
フェノールＡとカルボニルを繰り返し単位とするポリカ
ーボネートである。）の他、下記の二価フェノールにカ
ーボネート前駆物質を反応させて得られる芳香族ポリカ
ーボネート及びその共重合体などが挙げられる。

【０００６】二価フェノールとしては、２，２−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以下、ビスフェ
ノールＡという。）、２，２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプ
ロパン（以下、ビスフェノールＡＦという。）、１，１
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタ
ン（以下、ビスフェノールＡＰという。）、９，９−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン（以下、ビス
フェノールＦＬという。）、ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）メタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メ
チルフェニル）プロパン、４，４−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）ヘプタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ
−３，５−ジクロロフェニル）プロパン、２，２−ビス
（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモフェニル）プロパ
ン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）オキサイド、ビス
（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）オキサ
イド、ｐ，ｐ’−ジヒドロキシビフェニル、３，３’−
ジクロロ−４，４’−ジヒドロキシビフェニル、ビス
（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，５−
ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、レゾル
シノール、ハイドロキノン、１，４−ジヒドロキシ−
２，５−ジクロロベンゼン、１，４−ジヒドロキシ−３
−メチルベンゼン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ス
ルフィド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホキシ
ド等が挙げられる。上記の二価フェノ−ルと反応させる
カーボネート前駆物質としてはホスゲン、ジフェニルカ
ーボネート等が挙げられる。

【０００７】プラスチック光ファイバの熱処理は、コア
上にクラッド層を形成した後に行っても、またクラッド
層を形成する前にコアに対し行ってもよい。熱処理温度
はコア層樹脂のガラス転移温度より１０℃以上低い温度
とし、好ましくはコア層樹脂のガラス転移温度より１０
℃以上５０℃未満低い温度、特に好ましくはコア層樹脂
のガラス転移温度より１５℃以上４０℃未満低い温度と
する。この熱処理温度がガラス転移温度以下で１０℃よ
り小さい温度差であるとファイバに収縮が生じ、耐熱性
向上が達成できないだけでなく、伝送損失の低下が小さ
くならないためである。また特には限定しないが、ガラ
ス転移温度より５０℃以下であると熱処理の効果が小さ
く、生産性が悪いため好ましくない。熱処理条件として
は、例えばコア部がポリカーボネートＡ（通常、ガラス
転移温度が１４２℃程度）の場合、１１０〜１３０℃、
好ましくは１１０〜１２５℃程度である。プラスチック
光ファイバの製造において、前記熱処理を８時間以上行
う。前記熱処理時間の上限に特に制限はないが、前記熱
処理を好ましくは２０〜２００時間、さらに好ましくは
３０〜１８０時間行う。熱処理時間が不足すると吸熱ピ
ークが現われず、耐熱性が向上しない点から好ましくな
い。プラスチック光ファイバのクラッド層としてはテト
ラフルオロエチレン−ヘキサフルオロエチレン共重合
体、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビ
ニルエーテル共重合体、エチレン−テトラフルオロエチ
レン共重合体、フッ素化ポリメタクリル酸メチル、テフ
ロンＡＦ（商品名、デユポン社製）、サイトップ（商品
名、旭硝子社製）などのフッ素系樹脂やシリコーン樹
脂、イミド化アクリル樹脂などが用いられる。プラスチ
ック光ファイバの作成は常法に従って行うことができ、
例えば連続的にコアを紡糸しながら、後工程でコアの外
周にクラッド層を被覆するようにしてもよく、いわゆる
２重押出法、あるいはその他の手法を用いても行うこと
ができ、その作成法自体に制限はない。より伝送損失を
低下させるには特開平４−１２４６０３号に示される加
熱減圧加圧法を用いてプリフォームを形成した後にこれ
を紡糸しプラスチック光ファイバを作成してもよい。本
発明において、プラスチック光ファイバ以外のプラスチ
ック光伝送体の場合も上記プラスチック光ファイバにつ
いて説明したと同様のコアを用いるものであり、コアの
製造方法も上記プラスチック光ファイバと同様である。
一方コア以外の点は従来のライトガイド、光ファイバセ
ンサーなどの光伝送体と同様であり上述の点以外は常法
に従うものとすることができる。

【０００８】

【発明の効果】本発明の光伝送体の製造方法によれば、
コアにクラッドした後、又はクラッド前にコア層樹脂の
ガラス転移点より１０℃以上低い温度で熱処理を行うこ
とにより、高い耐熱性で伝送損失の小さい光伝送体を作
成することができる。また本発明のプラスチック光伝送
体は、コア層熱可塑性樹脂のガラス転移温度以上に吸熱
ピークを有し、高温度下における熱収縮率も小さく伝送
損失の増加量も小さい。したがって、本発明の耐熱性プ
ラスチック光伝送体は、光波、信号、像などを伝搬する
プラスチック光ファイバとしてばかりでなく、特に耐熱
性を要求される、光源からの照明光を伝送するライトガ
イド用、自動車光ＬＡＮ（ローカル・エリア・ネットワ
ーク）、ＦＡ（ファクトリー・オートメーション）−Ｌ
ＡＮシステム、高温度の工場での物品の位置確認光ファ
イバセンサー等の装置に好ましく用いられ、優れた効果
を奏する。

【０００９】

【実施例】次に本発明を実施例に基づきさらに詳細に説
明するが、もとより本発明はこれらの例に限定されるも
のではない。なお、例中の部は重量部を表わす。特性の
測定は以下の方法で行った。 ・伝送損失 ５ｍ−１ｍカットバック法で６６０ｎｍのＬＥＤを光源
として測定した。 ・示差熱分析 ＤＳＣ ＲＤＣ２２０（セイコー電子工業社製）を用
い、昇温速度１０℃／ｍｉｎで測定した。 ・収縮率 プラスチック光ファイバを１０ｃｍに切りとり、所定温
度にて１０日間熱処理後の長さを測定し、以下の式で収
縮率を求めた。

【００１０】

【数１】

【００１１】実施例１ コア層としてポリカーボネートＡＤ−９０００ＴＧ（商
品名、ポリカーボネートＡ；帝人化成社製）（ガラス転
移温度：１４２℃）をプラスチック光ファイバ紡糸装置
の樹脂導入路に加え、ヘッド温度２４５℃で紡糸した。
紡糸する途中にダイスを設置し、その中に熱硬化性シリ
コーン樹脂（商品名、Ｘ−３８−０９１ＨＡＢ：信越化
学社製）を加えクラッド層を形成したのち、さらにダイ
スの下部の炉で硬化させた。次にこれを１２０℃で２日
間熱処理を行い、目的のプラスチック光ファイバを得
た。得られたプラスチック光ファイバはコア径が０．９
６ｍｍ、外径が１．０２ｍｍであった。また伝送損失は
４００ｄＢ／ｋｍ（６６０ｎｍ：ＬＥＤ）であった。ま
た得られたプラスチック光ファイバのＤＳＣによる示差
熱分析の結果を図１に示したが吸熱ピークは１５３℃に
現れ、吸熱量は４．７ｍＪ／ｍｇであった。このプラス
チック光ファイバを１３５℃１カ月間加熱を行ったとこ
ろ、伝送損失は６３０ｄＢ／ｋｍ（６６０ｎｍ：ＬＥ
Ｄ）であった。また得られたプラスチック光ファイバを
１３５℃１０日間熱処理したときのファイバの収縮率は
０．８％であった。

【００１２】比較例１ クラッド層形成後、１２０℃において熱処理を行わない
以外は、実施例１と同様な方法でプラスチック光ファイ
バを作成した。得られたプラスチック光ファイバの伝送
損失は４００ｄＢ／ｋｍ（６６０ｎｍ：ＬＥＤ）であっ
た。また得られたプラスチック光ファイバのＤＳＣによ
る示差熱分析の結果を図２に示したが吸熱ピークは観測
されず、ガラス転移温度の吸熱転移が１４２℃に観測さ
れた。このプラスチック光ファイバを１３５℃１カ月間
加熱を行ったところ、伝送損失は１３００ｄＢ／ｋｍ
（６６０ｎｍ：ＬＥＤ）であった。また得られたプラス
チック光ファイバを１３５℃１０日間熱処理したときの
ファイバの収縮率は５．４％であった。

【００１３】比較例２ １３５℃で２日間熱処理した以外は、実施例１と同様な
方法でプラスチック光ファイバを作成した。得られたプ
ラスチック光ファイバの伝送損失は６００ｄＢ／ｋｍ
（６６０ｎｍ：ＬＥＤ）であった。また得られたプラス
チック光ファイバのＤＳＣによる吸熱ピークは１４７℃
に現れ、吸熱量は１．２ｍＪ／ｍｇであった。このプラ
スチック光ファイバを１３５℃１カ月間加熱を行ったと
ころ、伝送損失は１２００ｄＢ／ｋｍ（６６０ｎｍ：Ｌ
ＥＤ）であった。また得られたプラスチック光ファイバ
を１３５℃１０日間熱処理したときのファイバの収縮率
は３．１％であった。

【００１４】比較例３ コア層としてＡＤ−９０００ＴＧ（帝人化成社製）（ガ
ラス転移温度：１４２℃）をプラスチック光ファイバ紡
糸装置の樹脂導入路に加え、ヘッド温度２４５℃で紡糸
した。紡糸する途中にダイスを設置し、その中に熱硬化
性シリコーン樹脂（Ｘ−３８−０９１ＨＡＢ：信越化学
社製）を加えクラッド層を形成したのち、さらにダイス
の下部の炉で硬化させた。次にこれを１２０℃で３時間
熱処理を行い、プラスチック光ファイバを得た。得られ
たプラスチック光ファイバはコア径が０．９６ｍｍ、外
径が１．０２ｍｍであった。また伝送損失は４００ｄＢ
／ｋｍ（６６０ｎｍ：ＬＥＤ）であった。また得られた
プラスチック光ファイバのＤＳＣによる示差熱分析の結
果、吸熱ピークは観測されず、ガラス転移温度の吸熱転
移が１４２℃に観測された。このプラスチック光ファイ
バを１３５℃１カ月間加熱を行ったところ、伝送損失は
１３００ｄＢ／ｋｍ（６６０ｎｍ：ＬＥＤ）であった。
また得られたプラスチック光ファイバを１３５℃１０日
間熱処理したときのファイバの収縮率は５．３％であっ
た。

【００１５】実施例２ 攪拌機、温度計、還流冷却機を備えた反応槽に４８．５
％水酸化ナトリウム水溶液９４８．４部及びイオン交換
水８２５１部を入れ、窒素ガスで約３０分間バブリング
して脱酸素した。これにハイドロサルファイド２．４部
を加え、９９．９９％純度のビスフェノールＡＦ１７４
０．５部を溶解した後、塩化メチレン６１７０部を加
え、攪拌下１４〜１６℃でホスゲン６００部を約６０分
を要して吹き込んだ。ついでｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェ
ノール４２．７部及び４８．５％水酸化ナトリウム水溶
液３２２．６部を添加し、攪拌して乳化させた後トリエ
チルアミン１．０部を加え、３０℃で約２時間攪拌して
反応を終了した。反応終了後、生成物を塩化メチレンで
希釈して水洗した後、塩酸酸性にしてさらに水洗し、水
相の導伝率がイオン交換水と殆ど同じになったところで
塩化メチレンを蒸発してポリマーを得た。このポリマー
の比粘度は０．１７５、ガラス転移温度は１５７℃であ
った。コア層として上述のポリカーボネート樹脂をプラ
スチック光ファイバ紡糸装置の樹脂導入路に加え、ヘッ
ド温度２３５℃で紡糸した。紡糸される途中にダイスを
設置し、その中に熱硬化性シリコーン樹脂（Ｘ−３８−
０９１ＨＡＢ：信越化学社製）を加え、さらにダイスの
下部の炉で硬化させた。次にこれを１４０℃２日間熱処
理し、目的のプラスチック光ファイバを得た。得られた
プラスチック光ファイバはコア径が０．９６ｍｍ、外径
が１．０２ｍｍであった。また伝送損失は８００ｄＢ／
ｋｍ（６６０ｎｍ：ＬＥＤ）であった。また得られたプ
ラスチック光ファイバのＤＳＣによる示差熱分析の結果
を図３に示したが吸熱ピークは１６４℃に現れ、吸熱量
は３．６ｍＪ／ｍｇであった。このプラスチック光ファ
イバを１５０℃１カ月間加熱を行ったところ、伝送損失
は９００ｄＢ／ｋｍ（６６０ｎｍ：ＬＥＤ）であった。
また得られたプラスチック光ファイバを１５０℃１０日
間熱処理したときのファイバの収縮率は１．３％であっ
た。

【００１６】比較例４ １４０℃において熱処理を行わない以外は、実施例２と
同様な方法でプラスチック光ファイバを作成した。得ら
れたプラスチック光ファイバの伝送損失は８００ｄＢ／
ｋｍ（６６０ｎｍ：ＬＥＤ）であった。また得られたプ
ラスチック光ファイバのＤＳＣによる示差熱分析の結果
を図４に示したが吸熱ピークは観測されず、ガラス転移
温度の吸熱転移が１５６℃に観測された。このプラスチ
ック光ファイバを１５０℃１カ月間加熱を行ったとこ
ろ、伝送損失は１４００ｄＢ／ｋｍ（６６０ｎｍ：ＬＥ
Ｄ）であった。また得られたプラスチック光ファイバを
１５０℃１０日間熱処理したときのファイバの収縮率は
５．０％であった。

【００１７】比較例５ １５０℃で２日間熱処理した以外は、実施例１と同様な
方法でプラスチック光ファイバを作成した。得られたプ
ラスチック光ファイバの伝送損失は９００ｄＢ／ｋｍ
（６６０ｎｍ：ＬＥＤ）であった。また得られたプラス
チック光ファイバのＤＳＣによる示差熱分析の結果を図
５に示したが吸熱ピークは１５８℃に現れ、吸熱量は
１．３ｍＪ／ｍｇであった。このプラスチック光ファイ
バを１５０℃１カ月間加熱を行ったところ、伝送損失は
１３００ｄＢ／ｋｍ（６６０ｎｍ：ＬＥＤ）であった。
また得られたプラスチック光ファイバを１３５℃１０日
間熱処理したときのファイバの収縮率は４．５％であっ
た。

【００１８】実施例３ 攪拌機、温度計、還流冷却機を備えた反応槽にイオン交
換水３２８０部及び４８．５％水酸化ナトリウム水溶液
３７２部を入れ、窒素ガスで約５０分間バブリングして
脱酸素した。これにハイドロサルファイド０．９９部を
加え、９９．９８％純度のビスフェノールＡＦ５４４．
３部及び９９．９８％純度のビスフェノールＡＰ５２．
２部を溶解した後、塩化メチレン２１５０部を加え、攪
拌下１４〜１６℃でホスゲン２１０部を約６０分を要し
て吹き込んだ。ついでｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール
１３．３部及び４８．５％水酸化ナトリウム水溶液７
０．０部を添加し、攪拌して乳化させた後トリエチルア
ミン０．２８部を加え、３０℃で約２時間攪拌して反応
を終了した。反応終了後、生成物を塩化メチレンで希釈
して水洗した後、塩酸酸性にしてさらに水洗し、水相の
導伝率がイオン交換水と殆ど同じになったところで塩化
メチレンを蒸発して共重合ポリマーを得た。この共重合
ポリマーの比粘度は０．２１０であり、ガラス転移温度
は１６０℃であった。コア層として０．１μｍのフィル
ターを通してゴミを取り除いた上述のポリカーボネート
共重合体を樹脂導入路に加え、ヘッド温度２４０℃で紡
糸した。紡糸される途中にダイスを設置し、その中に熱
硬化性シリコーン樹脂（Ｘ−３８−０９１ＨＡＢ：信越
化学社製）を加えてクラッド層を形成し、さらにダイス
の下部の炉で硬化させた。これを１４０℃３日間熱処理
し、目的のプラスチック光ファイバを得た。得られたプ
ラスチック光ファイバはコア径が０．９６ｍｍ、外径が
１．０２ｍｍであった。また伝送損失は８３０ｄＢ／ｋ
ｍ（６６０ｎｍ：ＬＥＤ）であった。このプラスチック
光ファイバを１５０℃１カ月間加熱を行ったところ、伝
送損失は９３０ｄＢ／ｋｍ（６６０ｎｍ：ＬＥＤ）であ
った。また得られたプラスチック光ファイバのＤＳＣに
よる示差熱分析の結果は、吸熱ピークは１６８℃に現
れ、吸熱量は２．８ｍＪ／ｍｇであった。また得られた
プラスチック光ファイバを１５０℃１０日間熱処理した
ときのファイバの収縮率は０．５％であった。

【００１９】実施例４ 攪拌機、温度計及び還流冷却機を備えた反応槽にイオン
交換水２４９部及び４８．５％水酸化ナトリウム水溶液
１６．４部を入れ、窒素ガスで約３０分間バブリングし
て脱酸素した。これにハイドロサルファイド０．０５部
を加え、９９．９８％純度のビスフェノールＡＦ２７．
１部及び９９．８％純度の９，９−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）フルオレン３．１４部を溶解した後、塩化
メチレン２６７部を加え、攪拌下１４〜１６℃でホスゲ
ン１０．４部を約６０分を要して吹き込んだ。ついでｐ
−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール０．６７部及び４８．５
％水酸化ナトリウム水溶液５．６部を添加し、攪拌して
乳化させた後トリエチルアミン０．０２部を加え、３０
℃で約２時間攪拌して反応を終了した。反応終了後、生
成物を塩化メチレンで希釈して水洗した後、塩酸酸性に
してさらに水洗し、水相の導伝率がイオン交換水と殆ど
同じになったところで塩化メチレンを蒸発して共重合ポ
リマーを得た。この共重合ポリマーの比粘度は０．２１
１であり、ガラス転移温度は１６８℃であった。コア層
として０．１μｍのフィルターを通してゴミを取り除い
た上述のポリカーボネート共重合体を樹脂導入路に加
え、ヘッド温度２４５℃で紡糸した。紡糸される途中に
ダイスを設置し、その中に熱硬化性シリコーン樹脂（Ｘ
−３８−０４０ＨＡＢ：信越化学社製）を加えてクラッ
ド層を形成し、さらにダイスの下部の炉で硬化させた。
これを１４５℃３日間熱処理し、目的のプラスチック光
ファイバを得た。得られたプラスチック光ファイバはコ
ア径が０．９６ｍｍ、外径が１．０２ｍｍであった。ま
た伝送損失は９００ｄＢ／ｋｍ（６６０ｎｍ：ＬＥＤ）
であった。また得られたプラスチック光ファイバのＤＳ
Ｃによる示差熱分析の結果は、吸熱ピークは１７８℃に
現れ、吸熱量は３．４ｍＪ／ｍｇであった。このプラス
チック光ファイバを１５０℃１カ月間加熱を行ったとこ
ろ、伝送損失は１０５０ｄＢ／ｋｍ（６６０ｎｍ：ＬＥ
Ｄ）であった。また得られたプラスチック光ファイバを
１５５℃１０日間熱処理したときのファイバの収縮率は
０．３％であった。

【００２０】比較例６ １４０℃３日間熱処理を行わない以外は、例３と同様な
方法でプラスチック光ファイバを作成した。また得られ
たプラスチック光ファイバのＤＳＣによる示差熱分析の
結果、吸熱ピークは観測されなかった。得られたプラス
チック光ファイバの伝送損失は８３０ｄＢ／ｋｍ（６６
０ｎｍ：ＬＥＤ）であった。このプラスチック光ファイ
バを１５０℃１０日間熱処理したときのファイバの収縮
率は３．０％であった。

【００２１】比較例７ １４５℃３日間熱処理を行わない以外は、例４と同様な
方法でプラスチック光ファイバを作成した。また得られ
たプラスチック光ファイバのＤＳＣによる示差熱分析の
結果、吸熱ピークは観測されなかった。得られたプラス
チック光ファイバの伝送損失は９００ｄＢ／ｋｍ（６６
０ｎｍ：ＬＥＤ）であった。このプラスチック光ファイ
バを１５５℃１０日間熱処理したときのファイバの収縮
率は２．５％であった。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１により得られたプラスチック光ファイ
バのコア層のＤＳＣチャートである。

【図２】比較例１により得られたプラスチック光ファイ
バのコア層のＤＳＣチャートである。

【図３】実施例２により得られたプラスチック光ファイ
バのコア層のＤＳＣチャートである。

【図４】比較例４により得られたプラスチック光ファイ
バのコア層のＤＳＣチャートである。

【図５】比較例５により得られたプラスチック光ファイ
バのコア層のＤＳＣチャートである。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 コア部がポリカーボネートから成るプラ
   スチック光伝送体であって、当該コア部のポリカーボネ
   ートが１０℃／ｍｉｎの昇温速度で示差熱分析したとき
   の吸熱ピークが１００℃以上２００℃以下の温度範囲に
   存在し、かつその吸熱量が１．５ｍＪ／ｍｇ以上である
   ポリカーボネートであることを特徴とするプラスチック
   光伝送体。
2. 【請求項２】 コア部がポリカーボネートから成るプラ
   スチック光ファイバであって、当該コア部のポリカーボ
   ネートが１０℃／ｍｉｎの昇温速度で示差熱分析したと
   きの吸熱ピークが１００℃以上２００℃以下の温度範囲
   に存在し、かつその吸熱量が１．５ｍＪ／ｍｇ以上であ
   るポリカーボネートであることを特徴とするプラスチッ
   ク光ファイバ。
3. 【請求項３】 コア部がポリカーボネートから成るプラ
   スチック光伝送体を製造するに当り、当該コア部を形成
   するポリカーボネートのガラス転移温度より１０℃以上
   低い温度で少なくとも８時間、該コア部を熱処理するこ
   とを特徴とするプラスチック光伝送体の製造方法。
4. 【請求項４】 コア部がポリカーボネートから成るプラ
   スチック光ファイバを製造するに当り、当該コア部を形
   成するポリカーボネートのガラス転移温度より１０℃以
   上低い温度で少なくとも８時間、該コア部を熱処理する
   ことを特徴とするプラスチック光ファイバの製造方法。