JPH06347672A - レーザモジュール - Google Patents
レーザモジュールInfo
- Publication number
- JPH06347672A JPH06347672A JP14031893A JP14031893A JPH06347672A JP H06347672 A JPH06347672 A JP H06347672A JP 14031893 A JP14031893 A JP 14031893A JP 14031893 A JP14031893 A JP 14031893A JP H06347672 A JPH06347672 A JP H06347672A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical fiber
- array
- optical
- output
- same
- Prior art date
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- Pending
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- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】容易にかつ素子信頼性を損なうことなく、レー
ザモジュールの光ファイバの大出力を得ること。 【構成】同一半導体基盤上にアレイ状に形成した半導体
レーザと同一ピッチに配列された光ファイバアレイを光
結合させ、さらにその光ファイバアレイの出力を光結合
器を用いて一本の光ファイバに結合させる。また、同時
に複数個の半導体レーザを駆動するＩＣを同一ケース内
に搭載し、かつ各ポート間の伝搬遅延量が等しくなるこ
とを意図して作られている。 【効果】光軸位置合わせが容易であり、また半導体レー
ザ一個当たりの駆動電流を少なくできるので、素子の寿
命を長くすることができる。また、入力電気波形と出力
波形が等しくなっている。よって、容易にかつ素子信頼
性を損なうことなく光ファイバの大出力を得ることがで
きる。
ザモジュールの光ファイバの大出力を得ること。 【構成】同一半導体基盤上にアレイ状に形成した半導体
レーザと同一ピッチに配列された光ファイバアレイを光
結合させ、さらにその光ファイバアレイの出力を光結合
器を用いて一本の光ファイバに結合させる。また、同時
に複数個の半導体レーザを駆動するＩＣを同一ケース内
に搭載し、かつ各ポート間の伝搬遅延量が等しくなるこ
とを意図して作られている。 【効果】光軸位置合わせが容易であり、また半導体レー
ザ一個当たりの駆動電流を少なくできるので、素子の寿
命を長くすることができる。また、入力電気波形と出力
波形が等しくなっている。よって、容易にかつ素子信頼
性を損なうことなく光ファイバの大出力を得ることがで
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ファイバ通信におけ
る光ファイバの大出力化を図ったレーザモジュールに関
するものである。
る光ファイバの大出力化を図ったレーザモジュールに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】光送信器の大出力化が達成されれば、伝
送距離の拡大や高感度の受信器が不要となるなど、光通
信の適用領域を拡大することができる。従来、半導体レ
ーザを用いて大出力を得るには、半導体レーザの駆動電
流を大きくしたり、複数のレ−ザモジュールの光ファイ
バを光結合器と接続する方法が知られており、前者に関
するものとして、例えば、平成２年電気・情報関連学会
連合大会講演論文集（第３分冊）『半導体レーザの高性
能化』があり、後者に関するものとして、例えば、特開
平４−１０４２３１号公報がある。
送距離の拡大や高感度の受信器が不要となるなど、光通
信の適用領域を拡大することができる。従来、半導体レ
ーザを用いて大出力を得るには、半導体レーザの駆動電
流を大きくしたり、複数のレ−ザモジュールの光ファイ
バを光結合器と接続する方法が知られており、前者に関
するものとして、例えば、平成２年電気・情報関連学会
連合大会講演論文集（第３分冊）『半導体レーザの高性
能化』があり、後者に関するものとして、例えば、特開
平４−１０４２３１号公報がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、半
導体レーザの駆動電流を大きくしても限界があるため、
望むような大出力が得られなかったり、駆動電流を大き
くすることにより半導体レーザの寿命を短くしてしまう
ことがある。また、複数のレーザモジュールの光ファイ
バを光結合器と接続させても、各ポート間の光軸位置合
わせをしなければならなく手間がかかってしまったり、
各ポート間の伝搬遅延量が異なるのでファイバの長さを
調整したり、入力信号の位相調整をしなければならなか
った。
導体レーザの駆動電流を大きくしても限界があるため、
望むような大出力が得られなかったり、駆動電流を大き
くすることにより半導体レーザの寿命を短くしてしまう
ことがある。また、複数のレーザモジュールの光ファイ
バを光結合器と接続させても、各ポート間の光軸位置合
わせをしなければならなく手間がかかってしまったり、
各ポート間の伝搬遅延量が異なるのでファイバの長さを
調整したり、入力信号の位相調整をしなければならなか
った。
【０００４】本発明の目的は、上記問題を解決し、容易
にかつ素子信頼性を損なうことなく光ファイバの大出力
を得るレーザモジュールを提供することにある。
にかつ素子信頼性を損なうことなく光ファイバの大出力
を得るレーザモジュールを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成させるた
めに、本発明によるレーザモジュールには、以下に示す
ような手段を採用した。
めに、本発明によるレーザモジュールには、以下に示す
ような手段を採用した。
【０００６】（１）同一半導体基盤上にアレイ状に形成
した半導体レーザと同一ピッチに配列された光ファイバ
アレイとを光結合させ、さらにその光ファイバアレイの
出力を光結合器を用いて一本の光ファイバに結合させ
る。
した半導体レーザと同一ピッチに配列された光ファイバ
アレイとを光結合させ、さらにその光ファイバアレイの
出力を光結合器を用いて一本の光ファイバに結合させ
る。
【０００７】（２）同時に複数個の半導体レーザを駆動
するＩＣを同一ケース内に搭載し、かつ各ポート間の伝
搬遅延量が等しくなるようにする。
するＩＣを同一ケース内に搭載し、かつ各ポート間の伝
搬遅延量が等しくなるようにする。
【０００８】
【作用】上記構成によれば、同一半導体基盤上にアレイ
状に形成した半導体レーザと同一ピッチに配列された光
ファイバアレイとの光結合は、両端の位置合わせをする
だけで済む。また半導体レーザの一個当たりの駆動電流
を小さくすることができる。さらに、各ポート間の伝搬
遅延量が等しくなることを意図して作ることで、チャネ
ル間のパルスの位相ずれが発せず、入力電気波形と出力
波形が等しくなって、大出力が得られる。
状に形成した半導体レーザと同一ピッチに配列された光
ファイバアレイとの光結合は、両端の位置合わせをする
だけで済む。また半導体レーザの一個当たりの駆動電流
を小さくすることができる。さらに、各ポート間の伝搬
遅延量が等しくなることを意図して作ることで、チャネ
ル間のパルスの位相ずれが発せず、入力電気波形と出力
波形が等しくなって、大出力が得られる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１を参照して説
明する。まず、マウント９の上面に８チャネル半導体レ
ーザアレイ１を搭載したサブマウント７および半導体レ
ーザアレイを駆動するＩＣ８を半田固定し、ワイヤボン
ディングを行って接続する。次に、光ファイバを８チャ
ネルにアレイ化した光ファイバアレイ２を半導体レーザ
アレイ１と同一のアレイピッチになるように施したＶ溝
ガイド５に埋め込み、これを半導体レーザアレイ１と光
軸調整を行ってケース６に固定する。更に、Ｖ溝ガイド
５を介してケース６の外部へ突き出した８チャネル光フ
ァイバアレイ２と一本の光ファイバ４を光結合器３に接
続させる。光ファイバと光結合器３の接続は、融着によ
り行う。
明する。まず、マウント９の上面に８チャネル半導体レ
ーザアレイ１を搭載したサブマウント７および半導体レ
ーザアレイを駆動するＩＣ８を半田固定し、ワイヤボン
ディングを行って接続する。次に、光ファイバを８チャ
ネルにアレイ化した光ファイバアレイ２を半導体レーザ
アレイ１と同一のアレイピッチになるように施したＶ溝
ガイド５に埋め込み、これを半導体レーザアレイ１と光
軸調整を行ってケース６に固定する。更に、Ｖ溝ガイド
５を介してケース６の外部へ突き出した８チャネル光フ
ァイバアレイ２と一本の光ファイバ４を光結合器３に接
続させる。光ファイバと光結合器３の接続は、融着によ
り行う。
【００１０】尚本実施では、半導体レーザを発光素子と
したが、発光ダイオードを用いても適用できる。
したが、発光ダイオードを用いても適用できる。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば、同一半導体基盤上にア
レイ状に形成した半導体レーザと光ファイバアレイとの
光結合は、アレイ化した半導体レーザと光ファイバアレ
イの両端を光軸位置合わせをすることにより、残りのチ
ャネル（Ｎ個のチャネルの場合、Ｎ−２個のチャネル）
の位置合わせを一括に行うことができ、容易に可能であ
る。また、アレイ化した半導体レーザの一個一個を少な
い電流で駆動することができ、素子寿命を長くすること
ができる。しかも、ある一定の出力を得られるように調
整しておけば、いくつかの半導体レーザを光らせてお
き、ある一個の素子が光らなくなっても残りの素子で補
うことができ、更にモジュールとしての寿命を伸ばすこ
とも可能である。さらに、各ポート間の伝搬遅延量が等
しくなることを意図して作られているので、入力電気波
形と出力波形が等しくなっており高速通信にも対応でき
る。以上のことから、容易にかつ素子信頼性を損なうこ
となく光ファイバの大出力を得ることができる。
レイ状に形成した半導体レーザと光ファイバアレイとの
光結合は、アレイ化した半導体レーザと光ファイバアレ
イの両端を光軸位置合わせをすることにより、残りのチ
ャネル（Ｎ個のチャネルの場合、Ｎ−２個のチャネル）
の位置合わせを一括に行うことができ、容易に可能であ
る。また、アレイ化した半導体レーザの一個一個を少な
い電流で駆動することができ、素子寿命を長くすること
ができる。しかも、ある一定の出力を得られるように調
整しておけば、いくつかの半導体レーザを光らせてお
き、ある一個の素子が光らなくなっても残りの素子で補
うことができ、更にモジュールとしての寿命を伸ばすこ
とも可能である。さらに、各ポート間の伝搬遅延量が等
しくなることを意図して作られているので、入力電気波
形と出力波形が等しくなっており高速通信にも対応でき
る。以上のことから、容易にかつ素子信頼性を損なうこ
となく光ファイバの大出力を得ることができる。
【図１】本発明によるレ−ザモジュールの一実施例の平
面図である。
面図である。
【符号の説明】 １…半導体レーザアレイ、２…光ファイバアレイ、３…
光結合器、４…光ファイバ、５…Ｖ溝ガイド、６…ケー
ス、７…サブマウント、８…ＩＣ、９…マウント、１０
…リード端子。
光結合器、４…光ファイバ、５…Ｖ溝ガイド、６…ケー
ス、７…サブマウント、８…ＩＣ、９…マウント、１０
…リード端子。
Claims (3)
- 【請求項１】同一半導体基盤上にアレイ状に複数個形成
した半導体レーザと、前記同一半導体基盤上にアレイ状
に複数個形成した半導体レーザとアレイピッチを同一に
配列した複数本の光ファイバとを光結合させるレーザモ
ジュールにおいて、前記複数本に配列した光ファイバア
レイの出力を一本の光ファイバに結合させていることを
特徴とするレーザモジュール。 - 【請求項２】前記複数本に配列した光ファイバアレイの
出力を一本の光ファイバに結合させるために光結合器が
取り付けられていることを特徴とする請求項１記載のレ
ーザモジュール。 - 【請求項３】同時に複数個の半導体レーザを駆動するＩ
Ｃを同一ケース内に搭載し、かつ各ポート間の伝搬遅延
量が等しくなることを意図して作られていることを特徴
とする請求項１記載のレーザモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14031893A JPH06347672A (ja) | 1993-06-11 | 1993-06-11 | レーザモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14031893A JPH06347672A (ja) | 1993-06-11 | 1993-06-11 | レーザモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06347672A true JPH06347672A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15266027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14031893A Pending JPH06347672A (ja) | 1993-06-11 | 1993-06-11 | レーザモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06347672A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101482059B1 (ko) * | 2005-07-01 | 2015-01-13 | 가부시키가이샤 아도테크 엔지니어링 | 반도체 레이저의 구동 방법 및 장치, 그리고 반도체 레이저구동 전류 패턴의 도출 방법 및 장치 |
-
1993
- 1993-06-11 JP JP14031893A patent/JPH06347672A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101482059B1 (ko) * | 2005-07-01 | 2015-01-13 | 가부시키가이샤 아도테크 엔지니어링 | 반도체 레이저의 구동 방법 및 장치, 그리고 반도체 레이저구동 전류 패턴의 도출 방법 및 장치 |
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