JPH06347810A

JPH06347810A - 液晶素子の製造方法

Info

Publication number: JPH06347810A
Application number: JP15818293A
Authority: JP
Inventors: Shinjiro Okada; 伸二郎岡田; Kazunori Katakura; 一典片倉; Yutaka Inaba; 豊稲葉; Hideaki Takao; 英昭高尾
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1993-06-04
Filing date: 1993-06-04
Publication date: 1994-12-22
Anticipated expiration: 2015-09-25
Also published as: JP3091939B2

Abstract

(57)【要約】【目的】電圧波形のパルスの立ち上がり遅延を低減し
て、大画面表示装置における表示特性のばらつきを防止
したＦＬＣ素子を提供する。【構成】ガラス基板上に金属配線を形成し、隣接金属
配線間にＵＶ硬化樹脂を滴下し、上部より金型を圧接し
て該ＵＶ樹脂を硬化し、その上に上記金属配線に接触す
るＩＴＯ膜を形成して電極基板とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、強誘電性液晶（以下
「ＦＬＣ」と記す）を用いた液晶素子の製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】クラーク（Ｃｌａｒｋ）とラガーウォル
（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）はＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉ
ｃｓＬｅｔｔｅｒｓ第３６巻、第１１号（１９８０
年６月１日発行）Ｐ．８９９〜９０１、特開昭５６−１
０７２１６号公報、米国特許第４３６７９２４号明細
書、米国特許第４５６３０５９号明細書等で、表面安定
化ＦＬＣ（Ｓｕｒｆａｃｅ−ｓｔａｂｉｌｉｚｅｄｆ
ｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｌｉｑｕｉｄｃｒｙｓｔａ
ｌ）による双安定性ＦＬＣ素子を明らかにした。この双
安定性ＦＬＣ素子は、バルク状態のカイラルスメクティ
ックＣ相（ＳｍＣ^*相）、Ｈ相（ＳｍＨ^* ）等における
液晶分子のらせん配列構造の形成を制御するのに十分小
さい間隔に設定した一対の基板間に液晶を配置させ、且
つ、複数の液晶分子で組織された垂直分子層を一方向に
配列させることによって実現された。

【０００３】また、このようなＦＬＣを用いた表示素子
に関しては、特開昭６１−９４０２３号公報などにも示
されているように、１〜３μｍ位のセルギャップを保っ
て２枚の内面に透明電極を形成し配向処理を施したガラ
ス基板を向かい合わせて構成した液晶セルにＦＬＣを注
入したものが知られている。

【０００４】上記ＦＬＣ素子の特徴は、ＦＬＣが自発分
極を持つことにより、外部電界と自発分極の結合力をス
イッチングに使えるということ、及び、ＦＬＣ分子の長
軸方向が自発分極の分極方向と１対１に対応しているた
め外部電界の極性によってスイッチングできることであ
る。即ち、前記カイラルスメクティック相の状態におい
て、印加された電界に応答して第１の光学的安定状態と
第２の光学的安定状態とのいずれかをとり、且つ電界が
印加されない時はその状態を維持する性質、即ち双安定
性を有し、また電界の変化に対する応答が速やかで高速
且つ記憶型の表示装置等の分野における広い利用が期待
されている。

【０００５】ＦＬＣは上述のように、一般にカイラルス
メクティック液晶（ＳｍＣ^* ，ＳｍＨ^* ）を用いるの
で、バルク状態では液晶分子長軸がねじれた配向を示す
が、上述の１〜３μｍ位のセルギャップのセルに入れる
ことによって液晶分子長軸のねじれを解消することがで
きる（ｐ．２１３〜２３４，Ｎ．Ａ．Ｃｌａｒｋｅｔ
ａｌ，ＭＣＬＣ，１９８３，ｖｏｌ．９４）。

【０００６】係るＦＬＣ素子で形成した表示パネルを備
えた液晶表示装置は、例えば神辺らの米国特許第４６５
５５６１号明細書などに記載されたマルチプレクシング
駆動方式を用いることによって大容量画素の表示画面に
画像を形成することができる。上述の液晶表示装置は、
ワード・プロセッサ、パーソナル・コンピュータ、マイ
クロ・プリンタ、テレビジョンなどの表示画面に利用す
ることができる。

【０００７】ＦＬＣ素子は２つの安定状態を光透過及び
遮断状態とし、主として２値（白・黒）の表示素子とし
て利用されているが、多値即ち中間調表示も可能であ
る。中間調表示法の１つは画素内の双安定状態の面積比
を制御することにより中間的な光透過状態を作るもので
ある。以下、この方法（面積変調法）について詳しく説
明する。

【０００８】図５はＦＬＣ素子のスイッチングパルス振
幅と透過率の関係を模式的に示した図で、はじめ完全な
光遮断（黒）状態にあったセル（素子）に一方極性の単
発パルスを印加した後の透過光量Ｉを単発パルスの振幅
Ｖの関数としてプロットしたグラフである。パルス振幅
が閾値Ｖ_th以下（Ｖ＜Ｖ_th）の時は透過光量は変化せ
ず、パルス印加後の透過状態は図６（ｂ）に示すように
印加前の状態を示す同図（ａ）と変わらない。パルス振
幅が閾値を越えると（Ｖ_th＜Ｖ＜Ｖ_sat ）画素内の一部
分が他方の安定状態、即ち同図（ｃ）に示す光透過状態
に遷移し全体として中間的な透過光量を示す。更にパル
ス振幅が大きくなり、飽和値Ｖ_sat 以上（Ｖ_sat ＜Ｖ）
になると同図（ｄ）に示すように画素全部が光透過状態
になるので光量は一定値に達する。即ち、面積変調法は
電圧をパルス振幅がＶ_th＜Ｖ＜Ｖ_sat ）となるように制
御して中間調を表示するものである。

【０００９】しかし、このような単純な駆動方式では、
図５の電圧と透過光量の関係がセル厚と温度にも依存す
るため、表示パネル内にセル厚分布や温度分布がある
と、同じ電圧振幅の印加パルスに対して異なった階調レ
ベルが表示されてしまうという問題がある。

【００１０】図７はこのことを説明するための図で、図
５と同じく電圧振幅Ｖと透過光量Ｉの関係を示したグラ
フであるが、異なった温度即ち高温及び低温での関係を
それぞれ曲線Ｈ及び曲線Ｌで示してある。即ち、表示サ
イズの大きいディスプレイ（表示素子）では同一パネル
（表示部）内に温度分布が生じてくることは珍しくな
く、従ってある電圧Ｖ_apで中間調を表示させようとして
も、図７に示すようにＩ₁ からＩ₂ までの範囲にわたっ
て中間調レベルがばらついてしまい、均一な表示が得ら
れないのである。

【００１１】そこで考え出されたものが、本発明者が特
開平４−２１８０２２号において提案した「４パルス
法」である。この駆動方法は、図８及び図９に示すよう
にパネル内の同一走査線上の低閾値部用と高閾値部用に
複数のパルス（図９中、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）を印加するこ
とにより、最終的には等しい反転面積を得るようにした
ものである（図８中（Ｄ））。

【００１２】本発明者は、更に特願平３−３２０５４２
号において、書き込み時間を「４パルス法」より短縮し
た「画素シフト法」を提案している。

【００１３】画素シフト法は複数の走査信号線に、同時
に異なる走査信号を入力して選択することにより、複数
の走査信号線にまたがった電界強度の分布を作り、階調
表示する方式である。

【００１４】画素シフト法の概略を次に説明する。

【００１５】使用できる液晶セルは、図１０にその一例
を示したように、１画素内の閾値が分布を有するもので
ある。図１０に示したセルでは、電極間のＦＬＣ層５５
の層厚が変化しているのでＦＬＣのスイッチングの閾値
も分布を持つことになる。このような画素への印加電圧
を増加していくとセル厚が薄い部分から順にスイッチン
グしていくことになる。

【００１６】この様子を図１１（ａ）に示した。図１１
（ａ）中、Ｔ₁ 、Ｔ₂ 、Ｔ₃ はパネル内の観察している
部分の温度を示している。ＦＬＣのスイッチングの閾値
電圧は、温度が高くなるにつれ低くなるが、上記３つの
温度における印加電圧と光透過率との関係を３本の曲線
で示している。

【００１７】尚、閾値変動の原因は温度変化以外にも有
るが、説明の便宜上主として温度の変化を用いてその態
様を説明する。

【００１８】図１１（ａ）からわかるように、先ず画素
全体を暗状態にリセットした後温度Ｔ₁ でＶ_i の電圧を
画素に印加した時にはＸ％の透過率を得ることができる
が、温度がＴ₂ もしくはＴ₃ まで上昇すると、同じＶ_i
の電圧を画素に印加しても透過率が１００％になってし
まい、階調表示が正しく行なわれなくなる。図１１
（ｃ）は、上記各温度における書き込み後の画素の反転
状態を示している。このような条件では、温度変動によ
って書き込んだ階調情報が失われるので、表示素子とし
ての用途範囲が極めて限られたものとなってしまう。

【００１９】そこで、図１１（ｄ）に示したように、１
画素の情報を２つの走査信号線Ｓ₁、Ｓ₂ にまたがって
表示することにより、温度変動に対して安定した階調表
示が可能となる。

【００２０】以下、この駆動方式について詳しく説明す
る。

【００２１】画素内に連続的な閾値分布を持つＦＬＣ
セルを用意する：液晶セルの構成は図１０に示すよう
な、画素内のセル厚が連続的に分布したものを用いるこ
とができる。また、本出願人が特開昭６２−１２５３３
０号公報中で提案しているような画素内に電位の勾配を
有する構成、又は容量勾配を持つ構成でも良い。いずれ
にしても、画素内の閾値を連続的に分布させることによ
り、明状態に対応した領域（ドメイン）と暗状態に対応
した領域（ドメイン）を画素内に混在させることがで
き、これらのドメインの面積比によって階調表示を可能
としている。

【００２２】この方法は光量をステップ的に変調する場
合（例えば１６階調など）でも使用できるがアナログ的
な階調表示のためには連続的な光量変化が必要である。

【００２３】２つの走査信号線を同時に選択する：こ
の操作について図１２を用いて説明する。図１２（ａ）
は、２つの走査信号線上の画素をひとまとめにした時の
透過率−印加電圧特性を示す。図１２（ａ）中では、透
過率０％〜１００％を走査信号線２上の画素Ｂの表示領
域とし、透過率１００％〜２００％を走査信号線１上の
画素Ａの表示領域として示している。即ち、走査信号線
１本につき１つの画素を構成するので、２本同時に走査
した場合には、画素Ａ、画素Ｂの両方が全部光透過状態
になった時の透過率を２００％としている。ここでは、
１つの階調情報に対して同時に２つの走査信号線を選択
するのだが、１つの階調情報を表示するために１画素分
の面積を持つ領域を割り当てるようにしている。これに
ついて図１２（ｂ）を用いて説明する。

【００２４】温度Ｔ₁ では入力した階調情報は印加電圧
Ｖ₀ のとき０％、Ｖ₁₀₀ のとき１００％に対応する範囲
に書き込まれる。図から明らかなように、温度Ｔ₁ で
は、この範囲（画素領域）は全て走査信号線２上にある
（図１２（ｂ）中、斜線部参照）。ところが、温度がＴ
₁ からＴ₂ に上昇すると液晶の閾値電圧が下がっている
ため、同じ電圧を画素に印加した場合に画素内で、温度
Ｔ₁ の時よりも広い領域が反転してしまう。

【００２５】これを補正するために、温度Ｔ₂ の時の画
素領域を走査信号線１と走査信号線２にまたがって設定
する（図１２（ｂ）の温度Ｔ₂ の場合を示した斜線
部）。

【００２６】次に、温度が更に上昇してＴ₃ になった時
には、印加電圧をＶ₀ 〜Ｖ₁₀₀ まで変化させて描画され
る画素領域を、走査信号線１上のみに設定する（図１２
（ｂ）の温度Ｔ₃ の場合を示した斜線部）。

【００２７】以上のように温度によって階調表示をする
画素領域を、２つの走査信号線上でずらして設定するこ
とにより、Ｔ₁ からＴ₃ の温度範囲において正しい階調
表示を保つことができるようになる。

【００２８】同時に選択した２本の走査信号線に印加
する走査信号を互いに異なるものとする：上記で説明
したように、温度変化による液晶反転の閾値変動を、２
つの走査信号線を同時に選択することによって補償する
ためには、２つの選択された走査信号線に印加される走
査信号を互いに異なるものとしなければならない。この
点について図１１を用いて説明する。

【００２９】走査信号線１と走査信号線２に印加される
走査信号は、走査信号線２上の画素Ｂと走査信号線１上
の画素Ａの閾値が連続的に変化するように設定する。図
１１（ｂ）において、温度がＴ₁ の時の透過率−電圧曲
線は、透過率１００％までは走査信号線２上の領域で表
示されることを示し、その後２００％までが走査信号線
１上の領域で表示されることを示す。このように透過率
−電圧曲線が画素Ｂから画素Ａにかけて連続的、且つ等
しい勾配で設定する必要が有る。

【００３０】従って図１３に示すように走査信号線１上
の画素Ａと走査信号線２上の画素Ｂのセル形状（図１３
（ｂ）参照）を等しく設定しても、実質的に画素Ａ、画
素Ｂに連続的な閾値特性を与えた場合（図１１（ｂ）の
セル）と同様の表示が可能となる。

【００３１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＦＬＣ
を用いて階調表示を行なう場合には、液晶パネル内の電
気信号の伝播遅延が問題となる。液晶パネル内（入力Ｉ
Ｃ内部の抵抗成分〜１ｋΩ／ｌｉｎｅも含む）の電圧波
形の伝播遅延は、液晶層の静電容量、自発分極の反転に
伴う電流量、電極の配線抵抗、ＩＣの内部抵抗等によっ
て決定される。

【００３２】ＦＬＣの自発分極が６ｎｃ／ｃｍ² 程度で
あれば、パルスの立ち上がり時に及ぼす影響は無視でき
るので、電圧波形のなまり（印加された電圧パルスの立
ち上がりの遅延）は液晶の静電容量と配線抵抗によって
決まり、２８０ｍｍ×２２０ｍｍの表示エリアを持つデ
ィスプレイにおいては１信号線が約１３１４ｐＦの容量
を持ち、配線抵抗は約４．１ｋΩ、それにＩＣの内部抵
抗が約１ｋΩ存在するので、配線抵抗は約５．１ｋΩ
（コモン側）となり、波形のなまりは０％から９０％へ
の立ち上がりで約１５．４μｓである。同じセルでセグ
メント側（情報信号入力側）は配線抵抗６．４ｋΩ、Ｉ
Ｃ内部抵抗１．０ｋΩで、なまりは０％から９０％への
立ち上がりで約２２．０μｓである。

【００３３】パネル内部のなまりは約２．７μｓから約
２２．０μｓまで分布している。図１０に示したよう
に、液晶層厚（セル厚）を変化させる方式で電界強度を
変化させ階調表示を行なう場合には、なまりと次のよう
な関係にあった。

【００３４】

【表１】

【００３５】従ってパネル内部で透過率は１８％以上の
差（ばらつき）を生じてしまうので、著しく表示品質を
落としていた。

【００３６】

【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、上記
課題に鑑み達成されたもので、液晶セルを構成する電極
基板上に有機樹脂層に埋設された厚膜金属配線を設ける
ことにより、液晶パネル内の配線抵抗を下げて画素への
入力波形のなまりを減少させたものである。即ち本発明
は、対向配置した一対の電極基板間に強誘電性液晶を挟
持し、それぞれの電極基板に設けた走査電極群と情報電
極群との交差部を画素とする液晶素子の製造方法であっ
て、基板上に金属配線を形成した上にＵＶ硬化樹脂を載
せ、所定形状の金型を圧接することにより、上記金属配
線間にＵＶ硬化樹脂を充填し、露光して該ＵＶ硬化樹脂
を硬化させた後、その上部に透明電極を形成することを
特徴とする液晶素子の製造方法である。

【００３７】このようにして、電圧波形のなまりを減少
させることで液晶セル内における中間調表示のむらを減
少させることができる。

【００３８】

【実施例】

（実施例１）本発明第１の実施例として図１（ｃ）に示
したような液晶基板を作製した。図１において、１１は
ＫＮ面を研削した金型、１２は厚膜（２μｍ）配線メタ
ル、１３はＵＶ硬化樹脂、１４はガラス基板、１５はＩ
ＴＯ電極、１６は配向膜である。

【００３９】図１（ｃ）は画素内に上下電極間隔の分布
を持たせるための電極基板で、ガラス基板１４の面に対
して、ＩＴＯ膜１５の面は角度を持っている。

【００４０】図１（ａ）、（ｂ）は本実施例の製造工程
で、金型１１としてはダイヤモンド・バイトでＫＮ面を
研削したものを用い、寸法はＡ＝２００μｍ、Ｂ＝４０
μｍ、Ｃ＝０．５μｍ、Ｄ＝２０μｍ、Ｅ＝２．０μｍ
とした。

【００４１】作製手順としては、ガラス基板１４上に金
属配線１２を作り、ＵＶ硬化樹脂を滴下した後、金型１
１を金属配線１２に合わせて接触させ、圧力をかける。
金属配線１２上の樹脂層がなくなるか、十分薄くなるこ
と（約２０００Å以下）が望ましい。そのために必要な
圧力の強さはＵＶ硬化樹脂の粘度にもよるが、約１９ｋ
ｇｆ／ｃｍ² 位の圧力をかけることで金属配線１２上の
樹脂を十分薄くすることができた。

【００４２】このようにして、金属配線をスペーサーと
して金型１１と、ガラス基板１４をＵＶ硬化樹脂１３を
挟んで接着し、ガラス基板１４の金属配線１２を形成し
ていない面の方向から紫外線を照射することでＵＶ硬化
樹脂を硬化する（紫外線強度は約５００ｍＪ／ｃｍ
² ）。その後金型１１をガラス基板１４から剥離して金
属配線がＵＶ硬化樹脂に埋め込まれた電極基板を形成し
た。この工程において、ガラス基板側にはシラン・カッ
プリング処理を行ない、ＵＶ樹脂との接着性を向上させ
た。

【００４３】ＵＶ硬化樹脂としては、日本化薬社製のア
クリル系樹脂を用い、またシラン・カップリング材は日
本ユニカ株式会社製のＡ−１７４をメタノールで５％に
希釈して用いた。

【００４４】このようにして作製した金属配線の埋め込
み基板上にＩＴＯ膜をスパッタ形成・パターニングし、
更にその上に配向膜１６として日立化成社製の配向膜Ｌ
Ｑ−１８０２を、約３００Åに形成し、図１（ｃ）の電
極基板を形成した。

【００４５】対向側の電極基板は、ストライプ電極上
に、同じ配向膜を形成したもので、凹凸形状は持たせて
いない。

【００４６】上下基板のラビング方向は、平行方向に行
ない、上基板のラビング方向に対して、下基板のラビン
グ方向を約６°右ねじ方向にずらしてセルを構成した。
セル厚のコントロールは、薄い部分が約１．１０μｍ、
厚い部分が１．６４μｍになるようにした。また、のこ
ぎり形状の１辺を１画素になるように、下基板のストラ
イプ電極をストライプ状に、畝にそってパターニングし
た。

【００４７】ストライプ電極の幅を、３００μｍとし
て、画素サイズを３００μｍ×２００μｍの長方形に設
定した。

【００４８】本実施例における金属配線の材質として
は、Ａｌで約３．５×１０^-6Ωｃｍのρを持ち、Ｍｏで
は約１．２×１０^-5Ωｃｍのρを持つ。Ａｌでメタル配
線を構成した場合においては、なまり量（０〜９０％の
電圧立ち上がり量）は約２μｍに改善された。

【００４９】使用した液晶材料を表１に示す。

【００５０】

【表２】

【００５１】一方図２は本実施例に係る表示装置のブロ
ック構成図であり、図３は画像情報の通信タイミングチ
ャートである。

【００５２】以下、図面に従って動作を説明する。グラ
フィックスコントローラ１０２は走査電極を指定する走
査線アドレス情報とそのアドレス情報により指定される
走査線上の画像情報（ＰＤ０〜ＰＤ３）を液晶表示装置
１０１の表示駆動回路（走査線駆動回路１０４と情報線
駆動回路１０５とによって構成）１０４／１０５に転送
する。本実施例では、走査線アドレス情報と表示情報と
を有する画像情報を同一伝送路にて転送するため、前記
２種類の情報を区別しなければならない。この識別のた
めの信号がＡＨ／ＤＬであり、このＡＨ／ＤＬ信号がＨ
レベルの時は、走査線アドレス情報であることを示し、
Ｌレベルの時は、表示情報であることを示している。

【００５３】走査線アドレス情報は、液晶表示装置１０
１内の駆動制御回路１１１側で、画像情報ＰＤ０〜ＰＤ
３として転送されてくる画像情報から抽出されたのち、
指定された走査線を駆動するタイミングに合わせて走査
線駆動回路１０４に出力される。この走査線アドレス情
報は、走査線駆動回路１０４内のデコーダ１０６に入力
され、デコーダ１０６を介して、表示パネル１０３の指
定された走査電極が走査信号発生回路１０７によって駆
動される。一方、表示情報は情報線駆動回路１０５内の
シフトレジスタ１０８へ導かれ、転送クロックにて４画
素単位でシフトされる。シフトレジスタ１０８にて水平
方向の一走査線分のシフトが完了すると、１２８０画素
分の表示情報は併設されたラインメモリ１０９に転送さ
れ、一水平走査期間の間にわたって記憶され、情報信号
発生回路１１０から各情報電極に表示情報信号として出
力される。

【００５４】また、本実施例では液晶表示装置１０１に
おける表示パネル１０３の駆動とグラフィックスコント
ローラ１０２における走査線アドレス情報及び表示情報
の発生とが非同期で行なわれているため、画像情報転送
時に装置間（１０１／１０２）の同期を取る必要があ
る。この同期を司る信号がＳＹＮＣであり、一水平走査
期間毎に液晶表示装置１０１内の駆動制御回路１１１で
発生する。グラフィックスコントローラ１０２側は常に
ＳＹＮＣ信号を監視しており、ＳＹＮＣ信号がＬレベル
であれば画像情報の転送を行ない、逆にＨレベルの時に
は一水平走査線分の画像情報の転送終了後は転送を行な
わない。即ち、図２において、グラフィックスコントロ
ーラ１０２側はＳＹＮＣ信号がＬレベルになったことを
検知すると、直ちにＡＨ／ＤＬ信号をＨレベルにして一
水平走査線分の画像情報の転送を開始する。液晶表示装
置１０１内の駆動制御回路１１１は、ＳＹＮＣ信号を画
像情報転送期間中にＨレベルにする。所定の一水平走査
期間を経て表示パネル１０３への書き込みが終了した後
駆動制御回路（ＦＬＣＤコントローラ）１１１は、ＳＹ
ＮＣ信号を再びＬレベルに戻し、次の走査線の画像情報
を受け取ることができる。

【００５５】（実施例２）本発明第２の実施例を図４に
示す。

【００５６】液晶セルが大型化すると、ＵＶ硬化樹脂と
金型との接着面積が増加し、樹脂硬化後の金型の剥離が
非常に難しくなり、工程上の歩留低下の原因となる。

【００５７】本実施例は、金型表面に剥離層（図４中の
４１）を設けることでこの問題を解決した例である。こ
の剥離層に用いる樹脂としては、ＵＶ硬化樹脂との接着
力が弱く、また樹脂自体の強度も低い方が好ましい。例
えば、水溶性のＰＶＡ（ポリビニル・アルコール）樹脂
やポジ型のレジストが適している。

【００５８】本実施例では以下に示すように、ＰＶＡ樹
脂層を設けたが、ラングミュア膜やＵＶ硬化樹脂と相溶
性のない液体のベイパー処理を金型面に施しても良いと
考えられる。また、第１層目をフッ化アルキル系の薄膜
で構成し、その上に剥離用の樹脂層を形成しても良い。

【００５９】本実施例におけるＰＶＡ樹脂は８０°で３
０分間焼成したものを用いた。

【００６０】本実施例においては、金属配線により電圧
波形のなまりを低減すると同時に、製造工程における歩
留も向上した。

【００６１】（実施例３）本発明第３の実施例を図１４
に示す。先ず、ガラス基板１４上に約１μｍの金属配線
を形成する（ａ）。次にその基板上にカラーフィルター
層（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を形成する（ｂ）。（ａ）で形成した
金属配線と同一のパターンの金属配線を既に形成した金
属配線１２上に形成する（約５０００Å）（ｃ）。その
基板上にＵＶ硬化樹脂を滴下し（ｄ）、金属配線と同じ
形状に露光時の遮光メタル層を表面に設けた。その上か
ら平滑な表面を有する透明基板を金型１１として圧接す
る（ｅ）。十分な力でガラス基板１４と金型１１とを圧
接した後、金型１１側からＵＶ光を照射して露光する
（条件は７００ｍＪ／ｃｍ² で１ｍｉｎ）。ＵＶ樹脂の
硬化後、圧接していた金型１１をガラス基板１４から剥
離する（ｆ）。

【００６２】金型の平滑性と、圧着時の圧力により金属
配線１２上の樹脂の残り量は決定されるが、１０ｋｇｆ
／ｃｍ² の力を印加した場合には、約３０００Åの樹脂
層が部分的に残った。しかしこのように金属配線上に残
った樹脂層は硬化していないので、洗浄によって除去す
ることができる。従って洗浄後、ＩＴＯ膜を成膜、パタ
ーニングすることによって金属配線と電気的な接触を取
ることができる。

【００６３】金属配線上の残存樹脂層の厚みによって
は、ＩＴＯ層と金属配線が電気的に絶縁されてしまう場
合が有るが、この場合には、ＩＴＯ−金属断線部にＣｒ
を約１０００Åの厚みで蒸着、パターニングすることで
導通を取ることができる（ｈ）。

【００６４】本実施例において金属配線の幅は約２０μ
ｍに設定した。ＵＶ硬化樹脂は実施例１と同様のものを
用い、ガラス基板側にはシラン・カップリング処理を施
した。

【００６５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
電圧波形の伝播遅延を低減し表示特性に優れた液晶素子
を煩雑な工程を加えることなく製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明第１の実施例を示す図である。

【図２】実施例１で得られた液晶素子を適用した液晶表
示装置のブロック構成図である。

【図３】図２に示した液晶表示装置の画像情報の通信タ
イミングチャートである。

【図４】本発明第２の実施例の説明図である。

【図５】従来の面積変調法における電圧と透過率の関係
を模式的に示した図である。

【図６】従来の面積変調法における電圧と画素の光透過
状態を示した図である。

【図７】図５に示した電圧−透過率の温度による変動を
示す図である。

【図８】従来の４パルス法の駆動方法の説明図である。

【図９】従来の４パルス法の駆動方法の説明図である。

【図１０】ＦＬＣ素子の階調表示に用いられるセル厚勾
配を有する液晶セルの断面図である。

【図１１】従来の画素シフト法の説明図である。

【図１２】従来の画素シフト法の説明図である。

【図１３】従来の画素シフト法の説明図である。

【図１４】本発明第３の実施例の説明図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者高尾英昭東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】対向配置した一対の電極基板間に強誘電
性液晶を挟持し、それぞれの電極基板に設けた走査電極
群と情報電極群との交差部を画素とする液晶素子の製造
方法であって、基板上に金属配線を形成した上にＵＶ硬
化樹脂を載せ、所定形状の金型を圧接することにより、
上記金属配線間にＵＶ硬化樹脂を充填し、露光して該Ｕ
Ｖ硬化樹脂を硬化させた後、その上部に透明電極を形成
することを特徴とする液晶素子の製造方法。
【請求項２】金型の樹脂圧接面が、基板に平行な平面
であることを特徴とする請求項１記載の液晶素子の製造
方法。
【請求項３】ＵＶ硬化樹脂の厚さが１画素内で分布を
有するように、金型の樹脂圧接面に周期的な凹凸が形成
されていることを特徴とする請求項１記載の液晶素子の
製造方法。