JPH06347837A - 光制御デバイスとその製造方法 - Google Patents
光制御デバイスとその製造方法Info
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- JPH06347837A JPH06347837A JP5136349A JP13634993A JPH06347837A JP H06347837 A JPH06347837 A JP H06347837A JP 5136349 A JP5136349 A JP 5136349A JP 13634993 A JP13634993 A JP 13634993A JP H06347837 A JPH06347837 A JP H06347837A
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板表面に導波光の電界を集中させることに
より低電圧な光制御デバイスとその製造方法を提供する
ことにある。 【構成】 光導波路２ａ，２ｂが形成される領域のＬｉ
ＮｂＯ3 結晶１の組成が光導波路２ａ，２ｂが形成され
ない領域のＬｉＮｂＯ3 結晶基板１の組成と異なり、光
導波路２ａ，２ｂが形成される領域のＬｉＮｂＯ3 結晶
１の組成が光導波路２ａ，２ｂが形成されない領域のＬ
ｉＮｂＯ3 結晶基板１に比して、Ｌｉが多いか、または
Ｎｂが少ない。リチウム（Ｌｉ）雰囲気中においてＬｉ
ＮｂＯ3 結晶基板１を熱処理することにより、Ｌｉを結
晶基板１に拡散する。
より低電圧な光制御デバイスとその製造方法を提供する
ことにある。 【構成】 光導波路２ａ，２ｂが形成される領域のＬｉ
ＮｂＯ3 結晶１の組成が光導波路２ａ，２ｂが形成され
ない領域のＬｉＮｂＯ3 結晶基板１の組成と異なり、光
導波路２ａ，２ｂが形成される領域のＬｉＮｂＯ3 結晶
１の組成が光導波路２ａ，２ｂが形成されない領域のＬ
ｉＮｂＯ3 結晶基板１に比して、Ｌｉが多いか、または
Ｎｂが少ない。リチウム（Ｌｉ）雰囲気中においてＬｉ
ＮｂＯ3 結晶基板１を熱処理することにより、Ｌｉを結
晶基板１に拡散する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光波の変調、光路切り替
えを行う光制御デバイスに関し、特にＬｉＮｂＯ3 電気
光学結晶基板に形成された光導波路を用いて制御を行う
導波型光制御デバイスとその製造方法に関するものであ
る。
えを行う光制御デバイスに関し、特にＬｉＮｂＯ3 電気
光学結晶基板に形成された光導波路を用いて制御を行う
導波型光制御デバイスとその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】光通信システムの実用化に伴い、更に大
容量で多機能の高度なシステムが求められており、より
高速の光信号の発生や光伝送路の切り替え、交換等の新
たな機能の付加が必要とされている。現在の実用システ
ムでは光信号は直接半導体レーザや発光ダイオードの注
入電流を変調することによって得られているが、直接変
調では緩和振動等の効果のため数ＧＨｚ以上の高速変調
が難しいこと、波長変動が発生するためコヒーレント光
伝送方式には適用が難しい等の欠点がある。これを解決
する手段としては、外部変調器を使用する方法があり、
特に電気光学結晶基板中に形成された光導波路により構
成される導波型の光変調器は小型、高効率、高速という
特徴がある。
容量で多機能の高度なシステムが求められており、より
高速の光信号の発生や光伝送路の切り替え、交換等の新
たな機能の付加が必要とされている。現在の実用システ
ムでは光信号は直接半導体レーザや発光ダイオードの注
入電流を変調することによって得られているが、直接変
調では緩和振動等の効果のため数ＧＨｚ以上の高速変調
が難しいこと、波長変動が発生するためコヒーレント光
伝送方式には適用が難しい等の欠点がある。これを解決
する手段としては、外部変調器を使用する方法があり、
特に電気光学結晶基板中に形成された光導波路により構
成される導波型の光変調器は小型、高効率、高速という
特徴がある。
【０００３】一方、光伝送路の切り替えやネットワーク
の交換機能を得る手段としては、光スイッチが使用され
ている。現在実用化されている光スイッチはプリズム、
ミラー、ファイバ等を機械的に移動させて光路を切り替
えるものであり、低速であること、形状が大きくマトリ
クス化に不適等の欠点がある。これを解決する手段とし
て、光導波路を用いた導波型の光スイッチの開発が進め
られており、この光スイッチは高速、多素子の集積化が
可能、高信頼等の特徴がある。特にニオブ酸リチウム
（ＬｉＮｂＯ3 ）結晶等の強誘電体材料を用いたもの
は、光吸収が小さく低損失であること、大きな電気光学
効果を有しているため高効率である等の特徴があり、方
向性結合器型光変調器あるいは光スイッチ、マッハツェ
ンダ型光変調器、バランスブリッジ型光変調器あるいは
光スイッチ、全反射型光スイッチ等の種々の方式の光制
御デバイスが報告されている。
の交換機能を得る手段としては、光スイッチが使用され
ている。現在実用化されている光スイッチはプリズム、
ミラー、ファイバ等を機械的に移動させて光路を切り替
えるものであり、低速であること、形状が大きくマトリ
クス化に不適等の欠点がある。これを解決する手段とし
て、光導波路を用いた導波型の光スイッチの開発が進め
られており、この光スイッチは高速、多素子の集積化が
可能、高信頼等の特徴がある。特にニオブ酸リチウム
（ＬｉＮｂＯ3 ）結晶等の強誘電体材料を用いたもの
は、光吸収が小さく低損失であること、大きな電気光学
効果を有しているため高効率である等の特徴があり、方
向性結合器型光変調器あるいは光スイッチ、マッハツェ
ンダ型光変調器、バランスブリッジ型光変調器あるいは
光スイッチ、全反射型光スイッチ等の種々の方式の光制
御デバイスが報告されている。
【０００４】近年、ＬｉＮｂＯ3 電気光学結晶基板中に
形成された方向性結合器を用いた導波路型光スイッチの
高密度集積化の研究開発が盛んに行われており、西本裕
らの文献、電子情報通信学会０ＱＥ８８−１４７によれ
ば、Ｚ板のＬｉＮｂＯ3 基板を用いて方向性結合器型光
スイッチを６４素子集積した８×８マトリクス光スイッ
チを得ている。一方、外部光変調器のような単一の光ス
イッチ素子からなるデバイスの研究開発も盛んに進めら
れている。
形成された方向性結合器を用いた導波路型光スイッチの
高密度集積化の研究開発が盛んに行われており、西本裕
らの文献、電子情報通信学会０ＱＥ８８−１４７によれ
ば、Ｚ板のＬｉＮｂＯ3 基板を用いて方向性結合器型光
スイッチを６４素子集積した８×８マトリクス光スイッ
チを得ている。一方、外部光変調器のような単一の光ス
イッチ素子からなるデバイスの研究開発も盛んに進めら
れている。
【０００５】このような光導波路デバイスの特性項目に
は、スイッチング電圧（電力）、クロストーク、消光
比、損失、切り替え速度、強度及び位相変調周波数帯
域、動作の安定性などがある。
は、スイッチング電圧（電力）、クロストーク、消光
比、損失、切り替え速度、強度及び位相変調周波数帯
域、動作の安定性などがある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した特性項目の中
でも、駆動電圧の低減は最も重要な課題である。ここで
従来の技術を図を用いて説明する。図５はＬｉＮｂＯ3
電気光学結晶基板１に形成された２本の光導波路２ａ，
２ｂからなる方向性結合器を用いた導波型光制御デバイ
スの構造を示す断面図である。バッファ層３は、導波光
を制御するための外部制御信号が印加される金属電極４
ａ，４ｂによる光の吸収を防ぐための光学的バッファ層
として用いられ、金属電極４ａ，４ｂは通常は高速動作
が行えるように体積抵抗率の小さいものが用いられる。
光導波路２ａ，２ｂは電気光学定数を劣化させないこと
が知られている。光導波路は、チタン（Ｔｉ）を９５０
℃から１１００℃程度の高温雰囲気中でＬｉＮｂＯ3 電
気光学結晶基板１に拡張することで得られる。Ｔｉを熱
拡散した領域のＬｉＮｂＯ3 電気光学結晶基板１の屈折
率の上昇は０．０１程度であることが知られている。光
制御デバイスにおいて、外部からの電極への印加により
結晶基板中に発生する電界と導波光の電界との重ね合わ
せが大きいほど駆動電圧は低くなる。従って、低電圧化
を実現するには光導波路２ａ，２ｂのＬｉＮｂＯ3 電気
光学結晶基板１の垂直方向における導波光の閉じ込めを
強くし、つまり光導波路２ａ，２ｂとＬｉＮｂＯ3 電気
光学結晶基板１と屈折率差の基板表面に導波光の電界を
集中させることが必要であるが、従来のＴｉを熱拡散し
た光導波路では前述したように改善は困難である。一
方、ＬｉＮｂＯ3 電気光学結晶基板１のＬｉとプロトン
との交換による光導波路は大きい屈折率差が得られるこ
とが知られているが、電気光学定数が大幅に劣化するた
め、低電圧化を実現することが困難である。
でも、駆動電圧の低減は最も重要な課題である。ここで
従来の技術を図を用いて説明する。図５はＬｉＮｂＯ3
電気光学結晶基板１に形成された２本の光導波路２ａ，
２ｂからなる方向性結合器を用いた導波型光制御デバイ
スの構造を示す断面図である。バッファ層３は、導波光
を制御するための外部制御信号が印加される金属電極４
ａ，４ｂによる光の吸収を防ぐための光学的バッファ層
として用いられ、金属電極４ａ，４ｂは通常は高速動作
が行えるように体積抵抗率の小さいものが用いられる。
光導波路２ａ，２ｂは電気光学定数を劣化させないこと
が知られている。光導波路は、チタン（Ｔｉ）を９５０
℃から１１００℃程度の高温雰囲気中でＬｉＮｂＯ3 電
気光学結晶基板１に拡張することで得られる。Ｔｉを熱
拡散した領域のＬｉＮｂＯ3 電気光学結晶基板１の屈折
率の上昇は０．０１程度であることが知られている。光
制御デバイスにおいて、外部からの電極への印加により
結晶基板中に発生する電界と導波光の電界との重ね合わ
せが大きいほど駆動電圧は低くなる。従って、低電圧化
を実現するには光導波路２ａ，２ｂのＬｉＮｂＯ3 電気
光学結晶基板１の垂直方向における導波光の閉じ込めを
強くし、つまり光導波路２ａ，２ｂとＬｉＮｂＯ3 電気
光学結晶基板１と屈折率差の基板表面に導波光の電界を
集中させることが必要であるが、従来のＴｉを熱拡散し
た光導波路では前述したように改善は困難である。一
方、ＬｉＮｂＯ3 電気光学結晶基板１のＬｉとプロトン
との交換による光導波路は大きい屈折率差が得られるこ
とが知られているが、電気光学定数が大幅に劣化するた
め、低電圧化を実現することが困難である。
【０００７】本発明の目的は、基板表面に導波光の電界
を集中させることにより低電圧な光制御デバイスとその
製造方法を提供することにある。
を集中させることにより低電圧な光制御デバイスとその
製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、電気光学効果
を有するＬｉＮｂＯ3 結晶基板に形成された光導波路と
前記光導波路の近傍に形成された電極とからなる光制御
デバイスにおいて、前記光導波路が形成される領域のＬ
ｉＮｂＯ3 結晶基板の屈折率が、光導波路が形成されな
い領域のＬｉＮｂＯ3 結晶基板の屈折率より大きいこと
を特徴とする。
を有するＬｉＮｂＯ3 結晶基板に形成された光導波路と
前記光導波路の近傍に形成された電極とからなる光制御
デバイスにおいて、前記光導波路が形成される領域のＬ
ｉＮｂＯ3 結晶基板の屈折率が、光導波路が形成されな
い領域のＬｉＮｂＯ3 結晶基板の屈折率より大きいこと
を特徴とする。
【０００９】本発明の光制御デバイスの製造方法は、電
気光学効果を有するＬｉＮｂＯ3 結晶基板をＬｉ雰囲気
中において熱処理することにより、ＬｉＮｂＯ3 結晶基
板にＬｉを拡散するとともに、ＬｉＮｂＯ3 結晶基板の
Ｎｂを外拡散する工程と、前記ＬｉＮｂＯ3 基板の表面
にＴｉのパターンを形成する工程と、前記Ｔｉの熱拡散
により光導波路を形成する工程と、を含むことを特徴と
する。
気光学効果を有するＬｉＮｂＯ3 結晶基板をＬｉ雰囲気
中において熱処理することにより、ＬｉＮｂＯ3 結晶基
板にＬｉを拡散するとともに、ＬｉＮｂＯ3 結晶基板の
Ｎｂを外拡散する工程と、前記ＬｉＮｂＯ3 基板の表面
にＴｉのパターンを形成する工程と、前記Ｔｉの熱拡散
により光導波路を形成する工程と、を含むことを特徴と
する。
【００１０】また本発明の光制御デバイスの製造方法
は、電気光学効果を有するＬｉＮｂＯ3 結晶基板の表面
に、Ｔｉのパターンを形成する工程と、前記ＬｉＮｂＯ
3 結晶基板をＬｉ雰囲気中において熱処理することによ
り、ＬｉＮｂＯ3 結晶基板にＬｉを拡散するとともに、
ＬｉＮｂＯ3 結晶基板のＮｂを外拡散し、かつ前記Ｔｉ
の熱拡散により光導波路を形成する工程と、を含むこと
を特徴とする。
は、電気光学効果を有するＬｉＮｂＯ3 結晶基板の表面
に、Ｔｉのパターンを形成する工程と、前記ＬｉＮｂＯ
3 結晶基板をＬｉ雰囲気中において熱処理することによ
り、ＬｉＮｂＯ3 結晶基板にＬｉを拡散するとともに、
ＬｉＮｂＯ3 結晶基板のＮｂを外拡散し、かつ前記Ｔｉ
の熱拡散により光導波路を形成する工程と、を含むこと
を特徴とする。
【００１１】
【作用】本発明による光制御デバイスとその製造方法を
用いれば、低電圧で駆動できる光制御デバイスとその製
造方法が得られる。すなわち、本発明では光導波路に大
きな屈折率差を与えることができるため、基板表面に導
波光の電界を集中させることが可能となり、外部からの
電極への印加により結晶基板中に発生する電界と導波光
の電界との重ね合わせが大きくなる。従って、従来より
低い電圧での動作が得られる。
用いれば、低電圧で駆動できる光制御デバイスとその製
造方法が得られる。すなわち、本発明では光導波路に大
きな屈折率差を与えることができるため、基板表面に導
波光の電界を集中させることが可能となり、外部からの
電極への印加により結晶基板中に発生する電界と導波光
の電界との重ね合わせが大きくなる。従って、従来より
低い電圧での動作が得られる。
【００１２】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
【００１３】図１は本発明の一実施例に係わる光制御デ
バイスの構造を示す断面図である。
バイスの構造を示す断面図である。
【００１４】図１の光制御デバイスは、２本の光導波路
２ａ，２ｂからなる光回路５と、光導波路２ａ，２ｂの
上にバッファ層３を介して電極４ａ，４ｂ（以後、制御
電極と呼ぶ）が形成されている。なお、光回路５は方向
性結合器、マッハツェンダ型、バランスブリッジ型など
である。制御電極４ａ，４ｂは電気光学結晶基板１の上
にバッファ層３を介して形成されている。図１では、Ｔ
ｉの熱拡散により形成された光導波路２ａ，２ｂの周辺
ＬｉＮｂＯ3 結晶基板１の屈折率が、Ｌｉの内拡散やＮ
ｂの外拡散などにより、バルクのＬｉＮｂＯ3 結晶基板
１より高くされている。従って、導波光の光導波路２
ａ，２ｂへの閉じ込めは図５に示した従来の光制御デバ
イスに比べて強く、基板表面に導波光の電界を集中させ
ることが可能となり、外部からの電極への印加により結
晶基板中に発生する電界と導波光の電界との重ね合わせ
が大きくなる。これにより、従来の光制御デバイスより
低い電圧での動作が得られる。
２ａ，２ｂからなる光回路５と、光導波路２ａ，２ｂの
上にバッファ層３を介して電極４ａ，４ｂ（以後、制御
電極と呼ぶ）が形成されている。なお、光回路５は方向
性結合器、マッハツェンダ型、バランスブリッジ型など
である。制御電極４ａ，４ｂは電気光学結晶基板１の上
にバッファ層３を介して形成されている。図１では、Ｔ
ｉの熱拡散により形成された光導波路２ａ，２ｂの周辺
ＬｉＮｂＯ3 結晶基板１の屈折率が、Ｌｉの内拡散やＮ
ｂの外拡散などにより、バルクのＬｉＮｂＯ3 結晶基板
１より高くされている。従って、導波光の光導波路２
ａ，２ｂへの閉じ込めは図５に示した従来の光制御デバ
イスに比べて強く、基板表面に導波光の電界を集中させ
ることが可能となり、外部からの電極への印加により結
晶基板中に発生する電界と導波光の電界との重ね合わせ
が大きくなる。これにより、従来の光制御デバイスより
低い電圧での動作が得られる。
【００１５】なお、バッファ層３としては、ＳｉＯ
2 系、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＦ2 、ＳｉＯＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 な
どが用いられ、電極４ａ，４ｂとしては、Ａｕ，Ａｌ，
Ｍｏ，ＩＴＯ，ＷＳｉ，ＺｎＯ系材料、導電性高分子な
どの各種の導電性物質が用いられる。なお、制御電極４
ａ，４ｂに光の吸収がなければ、バッファ層３を用いな
くともよい。
2 系、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＦ2 、ＳｉＯＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 な
どが用いられ、電極４ａ，４ｂとしては、Ａｕ，Ａｌ，
Ｍｏ，ＩＴＯ，ＷＳｉ，ＺｎＯ系材料、導電性高分子な
どの各種の導電性物質が用いられる。なお、制御電極４
ａ，４ｂに光の吸収がなければ、バッファ層３を用いな
くともよい。
【００１６】図２は本発明が用いる特性図であり、Ｌｉ
ＮｂＯ3 結晶基板１の組成比と屈折率の関係を示したも
のである。ＬｉＮｂＯ3 結晶基板１はＬｉの増加、ある
いはＮｂの減少により、屈折率は大きくなる。
ＮｂＯ3 結晶基板１の組成比と屈折率の関係を示したも
のである。ＬｉＮｂＯ3 結晶基板１はＬｉの増加、ある
いはＮｂの減少により、屈折率は大きくなる。
【００１７】図３は本発明による光制御デバイスの製造
方法を示す工程図である。図３を参照して、製造方法を
説明する。
方法を示す工程図である。図３を参照して、製造方法を
説明する。
【００１８】まず工程ＡでＬｉＮｂＯ3 結晶基板１をリ
チウム（Ｌｉ）雰囲気中において熱処理することによ
り、ＬｉＮｂＯ3 結晶基板１にＬｉを拡散するととも
に、ＬｉＮｂＯ3 結晶基板１のＮｂを外拡散し、光導波
路を形成する領域のＬｉＮｂＯ3結晶基板１の屈折率の
上昇を得ている。次に工程Ｂで光導波路を形成する材料
であるＴｉ層６を所望のパターンに通常のリソグラフィ
プロセスを用いて形成する。次に、Ｔｉの熱拡散により
光導波路２ａ，２ｂを形成する（工程Ｃ）。次にバッフ
ァ層３を成膜し（工程Ｄ）、最後に電極４ａ，４ｂを形
成する（工程Ｅ）。
チウム（Ｌｉ）雰囲気中において熱処理することによ
り、ＬｉＮｂＯ3 結晶基板１にＬｉを拡散するととも
に、ＬｉＮｂＯ3 結晶基板１のＮｂを外拡散し、光導波
路を形成する領域のＬｉＮｂＯ3結晶基板１の屈折率の
上昇を得ている。次に工程Ｂで光導波路を形成する材料
であるＴｉ層６を所望のパターンに通常のリソグラフィ
プロセスを用いて形成する。次に、Ｔｉの熱拡散により
光導波路２ａ，２ｂを形成する（工程Ｃ）。次にバッフ
ァ層３を成膜し（工程Ｄ）、最後に電極４ａ，４ｂを形
成する（工程Ｅ）。
【００１９】図４は本発明による光制御デバイスの他の
製造方法を示す工程図である。この製造方法では、光導
波路を形成するＴｉの熱拡散の際にＬｉ雰囲気を用い
る。
製造方法を示す工程図である。この製造方法では、光導
波路を形成するＴｉの熱拡散の際にＬｉ雰囲気を用い
る。
【００２０】まず工程Ａで光導波路を形成する材料であ
るＴｉ層６を所望のパターンに通常のリソグラフィプロ
セスを用いて形成する。次に工程ＢでＬｉＮｂＯ3 結晶
基板１をＬｉ雰囲気中において熱処理することにより、
ＬｉＮｂＯ3 結晶基板１にＬｉを拡散するとともに、Ｌ
ｉＮｂＯ3 結晶基板１のＮｂを外拡散し、Ｔｉの熱拡散
により光導波路２ａ，２ｂを形成する。次にバッファ層
３を成膜し（工程Ｃ）、最後に電極４ａ，４ｂを形成す
る（工程Ｄ）。
るＴｉ層６を所望のパターンに通常のリソグラフィプロ
セスを用いて形成する。次に工程ＢでＬｉＮｂＯ3 結晶
基板１をＬｉ雰囲気中において熱処理することにより、
ＬｉＮｂＯ3 結晶基板１にＬｉを拡散するとともに、Ｌ
ｉＮｂＯ3 結晶基板１のＮｂを外拡散し、Ｔｉの熱拡散
により光導波路２ａ，２ｂを形成する。次にバッファ層
３を成膜し（工程Ｃ）、最後に電極４ａ，４ｂを形成す
る（工程Ｄ）。
【００２１】この製造方法によれば、図３の製造方法と
同様に、光導波路を形成する領域のＬｉＮｂＯ3 結晶基
板１の屈折率の上昇を得ている。
同様に、光導波路を形成する領域のＬｉＮｂＯ3 結晶基
板１の屈折率の上昇を得ている。
【００２２】
【発明の効果】本発明を用いれば、光導波路に大きな非
屈折率差を与えることができるため、基板表面に導波光
の電界を集中させることが可能となり、外部からの電極
への印加により結晶基板中に発生する電界と導波光の電
界との重ね合わせが大きくなる。従って、従来より低い
電圧での動作を得ることができる。
屈折率差を与えることができるため、基板表面に導波光
の電界を集中させることが可能となり、外部からの電極
への印加により結晶基板中に発生する電界と導波光の電
界との重ね合わせが大きくなる。従って、従来より低い
電圧での動作を得ることができる。
【図１】本発明の光制御デバイスの構造を示す断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明が用いる特性図である。
【図３】本発明の光制御デバイスの製造方法の一例を示
す図である。
す図である。
【図４】本発明の光制御デバイスの製造方法の他の例を
示す図である。
示す図である。
【図５】従来の光制御デバイスの構造を示す断面図であ
る。
る。
１ ＬｉＮｂＯ3 電気光学結晶基板 ２ａ，２ｂ 光導波路 ３ バッファ層 ４ａ，４ｂ 電極 ５ 光回路 ６ Ｔｉ層
Claims (5)
- 【請求項１】電気光学効果を有するＬｉＮｂＯ3 結晶基
板に形成された光導波路と前記光導波路の近傍に形成さ
れた電極とからなる光制御デバイスにおいて、 前記光導波路が形成される領域のＬｉＮｂＯ3 結晶基板
の屈折率が、光導波路が形成されない領域のＬｉＮｂＯ
3 結晶基板の屈折率より大きいことを特徴とする光制御
デバイス。 - 【請求項２】電気光学効果を有するＬｉＮｂＯ3 結晶基
板に形成された光導波路と前記光導波路の近傍に形成さ
れた電極とからなる光制御デバイスにおいて、 前記光導波路が形成される領域のＬｉＮｂＯ3 結晶基板
の組成が、光導波路が形成されない領域のＬｉＮｂＯ3
結晶基板の組成と異なることを特徴とする光制御デバイ
ス。 - 【請求項３】請求項２記載の光制御デバイスにおいて、 前記光導波路が形成される領域のＬｉＮｂＯ3 結晶基板
の組成が、光導波路が形成されない領域のＬｉＮｂＯ3
結晶基板に比して、Ｌｉが少ないか、またはＮｂが多い
ことを特徴とする光制御デバイス。 - 【請求項４】電気光学効果を有するＬｉＮｂＯ3 結晶基
板をＬｉ雰囲気中において熱処理することにより、Ｌｉ
ＮｂＯ3 結晶基板にＬｉを拡散するとともに、ＬｉＮｂ
Ｏ3結晶基板のＮｂを外拡散する工程と、 前記ＬｉＮｂＯ3 基板の表面にＴｉのパターンを形成す
る工程と、 前記Ｔｉの熱拡散により光導波路を形成する工程と、を
含むことを特徴とする光制御デバイスの製造方法。 - 【請求項５】電気光学効果を有するＬｉＮｂＯ3 結晶基
板の表面に、Ｔｉのパターンを形成する工程と、 前記ＬｉＮｂＯ3 結晶基板をＬｉ雰囲気中において熱処
理することにより、ＬｉＮｂＯ3 結晶基板にＬｉを拡散
するとともに、ＬｉＮｂＯ3 結晶基板のＮｂを外拡散
し、かつ前記Ｔｉの熱拡散により光導波路を形成する工
程と、を含むことを特徴とする光制御デバイスの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5136349A JPH06347837A (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 光制御デバイスとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5136349A JPH06347837A (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 光制御デバイスとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06347837A true JPH06347837A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15173119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5136349A Pending JPH06347837A (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 光制御デバイスとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06347837A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03188423A (ja) * | 1989-12-18 | 1991-08-16 | Nec Corp | 光方向性結合器及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-06-08 JP JP5136349A patent/JPH06347837A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03188423A (ja) * | 1989-12-18 | 1991-08-16 | Nec Corp | 光方向性結合器及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19960507 |