JPH0634802A - 導電性反射防止膜 - Google Patents
導電性反射防止膜Info
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- JPH0634802A JPH0634802A JP4215423A JP21542392A JPH0634802A JP H0634802 A JPH0634802 A JP H0634802A JP 4215423 A JP4215423 A JP 4215423A JP 21542392 A JP21542392 A JP 21542392A JP H0634802 A JPH0634802 A JP H0634802A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板１１上に、高屈折率層Ｈと低屈折率層Ｌ
とからなる交互積層膜２５、透明導電層２３、低屈折率
の表面層２７を順次積層して導電性反射防止膜とする。
表面層２７を介して表面から透明導電層２３に対して電
極を電気的に接続でき、アースが容易に取れる。 【構成】 基板上に高屈折率層と低屈折率層とが合計４
層以上積層され、表面層が低屈折率層であり、表面層下
面の高屈折率層が透明導電層である、ＣＲＴ等の前面パ
ネルに利用される導電性反射防止膜。
とからなる交互積層膜２５、透明導電層２３、低屈折率
の表面層２７を順次積層して導電性反射防止膜とする。
表面層２７を介して表面から透明導電層２３に対して電
極を電気的に接続でき、アースが容易に取れる。 【構成】 基板上に高屈折率層と低屈折率層とが合計４
層以上積層され、表面層が低屈折率層であり、表面層下
面の高屈折率層が透明導電層である、ＣＲＴ等の前面パ
ネルに利用される導電性反射防止膜。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、適度の導電性を有し、
かつ、反射防止能が施された導電性反射防止膜およびそ
のアース方法に関する。
かつ、反射防止能が施された導電性反射防止膜およびそ
のアース方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】テレビジョン、コンピュータ端末のディ
スプレイ等においては、帯電による誤動作、ホコリの付
着防止などを目的として、前面ガラスパネルに透明導電
膜が形成されている。また、透明導電膜はガラス基板と
屈折率の差が大きく、ガラス基板の反射率が高くなるこ
とから、導電性とともに反射防止能を付与し、見やすい
画面としている。
スプレイ等においては、帯電による誤動作、ホコリの付
着防止などを目的として、前面ガラスパネルに透明導電
膜が形成されている。また、透明導電膜はガラス基板と
屈折率の差が大きく、ガラス基板の反射率が高くなるこ
とから、導電性とともに反射防止能を付与し、見やすい
画面としている。
【０００３】従来、このような導電性反射防止膜として
は、ＭｇＦ2−Ｉｎ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3またはＣｅＦ3 膜か
らなる３層膜（勝部ら、光学、第７巻第６号、２５０−
２５４（１９７８））、ＩＴＯ／ＭｇＦ2／ＩＴＯ／Ｍ
ｇＦ2の４層膜（特開昭６１−１６８８９９号公報）、
ＩＴＯ−ＭｇＦ2 −屈折率２．０５〜２．２の薄膜−Ｍ
ｇＦ2 膜からなる４層膜（特公平４−１５４４３号公
報）などが知られている。
は、ＭｇＦ2−Ｉｎ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3またはＣｅＦ3 膜か
らなる３層膜（勝部ら、光学、第７巻第６号、２５０−
２５４（１９７８））、ＩＴＯ／ＭｇＦ2／ＩＴＯ／Ｍ
ｇＦ2の４層膜（特開昭６１−１６８８９９号公報）、
ＩＴＯ−ＭｇＦ2 −屈折率２．０５〜２．２の薄膜−Ｍ
ｇＦ2 膜からなる４層膜（特公平４−１５４４３号公
報）などが知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、３層膜
では十分な反射防止特性が得られず、４層膜以上とする
必要がある。４層膜以上の膜構成となると、前述のよう
に従来は、透明導電層であるＩＴＯが最下層となり基板
上に設けられていた。この層構成によれば、基板に予め
アース電極を形成し、その一部をマスキングしてＩＴＯ
薄膜を形成することにより、ＩＴＯ薄膜とアース電極と
を電気的に接続できる。
では十分な反射防止特性が得られず、４層膜以上とする
必要がある。４層膜以上の膜構成となると、前述のよう
に従来は、透明導電層であるＩＴＯが最下層となり基板
上に設けられていた。この層構成によれば、基板に予め
アース電極を形成し、その一部をマスキングしてＩＴＯ
薄膜を形成することにより、ＩＴＯ薄膜とアース電極と
を電気的に接続できる。
【０００５】しかしこの方式では、ＩＴＯ蒸着時のマス
キングが面倒であり、また、予めアース電極を形成する
必要があるため設計上の制約があり、得られた導電性反
射防止膜付きガラス板の汎用性もなく、用途が限定され
てしまう。さらに、ＩＴＯ膜を高屈折率層として用いた
従来の導電性反射防止膜は、誘電体から形成された通常
の反射防止膜に比べ、反射防止特性が劣っていた。
キングが面倒であり、また、予めアース電極を形成する
必要があるため設計上の制約があり、得られた導電性反
射防止膜付きガラス板の汎用性もなく、用途が限定され
てしまう。さらに、ＩＴＯ膜を高屈折率層として用いた
従来の導電性反射防止膜は、誘電体から形成された通常
の反射防止膜に比べ、反射防止特性が劣っていた。
【０００６】本発明は、上記問題点を解決することを目
的とするものであり、透明導電層との電気的接続が容易
な導電性反射防止膜を提供するものである。
的とするものであり、透明導電層との電気的接続が容易
な導電性反射防止膜を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の導電性反射防止
膜は、基板上に高屈折率層と低屈折率層とが合計４層以
上積層された導電性反射防止膜において、表面層が低屈
折率層であり、該表面層の下面の高屈折率層が透明導電
層であることを特徴とする。
膜は、基板上に高屈折率層と低屈折率層とが合計４層以
上積層された導電性反射防止膜において、表面層が低屈
折率層であり、該表面層の下面の高屈折率層が透明導電
層であることを特徴とする。
【０００８】本発明では、表面から２層目を透明導電層
とすることにより、表面に電極を取り付けて透明導電層
とアース電極とを簡単に電気的に接続することができ
る。また、表面から２層目の透明導電層以外の高屈折率
層の少なくとも１層、好ましくは全層を誘電体層とする
ことにより、誘電体のみからなる通常の反射防止膜と同
等以上に、広帯域において良好な反射防止特性が得られ
る。
とすることにより、表面に電極を取り付けて透明導電層
とアース電極とを簡単に電気的に接続することができ
る。また、表面から２層目の透明導電層以外の高屈折率
層の少なくとも１層、好ましくは全層を誘電体層とする
ことにより、誘電体のみからなる通常の反射防止膜と同
等以上に、広帯域において良好な反射防止特性が得られ
る。
【０００９】さらに、本発明では、全層を酸化物とし、
スパッタリング、イオンビームアシスト蒸着、イオンプ
レーティング等のプラズマを利用した薄膜形成法により
成膜することにより、膜の耐摩耗性、耐汚染性および分
光特性の環境安定性が改善される。
スパッタリング、イオンビームアシスト蒸着、イオンプ
レーティング等のプラズマを利用した薄膜形成法により
成膜することにより、膜の耐摩耗性、耐汚染性および分
光特性の環境安定性が改善される。
【００１０】
【実施例】図１は、本発明の導電性反射防止膜の層構成
を示す説明図であり、基板１１上に導電性反射防止膜２
１が形成されている。導電性反射防止膜２１は、基板１
１上に形成された交互積層膜２５と、その上に形成され
た透明導電層２１（高屈折率層Ｈ）および表面層２７
（低屈折率層Ｌ）とからなり、透明導電層２１は表面
（大気側）から２層目に位置する。
を示す説明図であり、基板１１上に導電性反射防止膜２
１が形成されている。導電性反射防止膜２１は、基板１
１上に形成された交互積層膜２５と、その上に形成され
た透明導電層２１（高屈折率層Ｈ）および表面層２７
（低屈折率層Ｌ）とからなり、透明導電層２１は表面
（大気側）から２層目に位置する。
【００１１】交互積層膜２５は、基板１１から見て、高
屈折率層Ｈ／低屈折率層Ｌの２層膜からなる。また、さ
らにこの上に（透明導電層との間に）高屈折率層Ｈ／低
屈折率層Ｌの組み合わせで２層、あるいは４層、６層…
…と何層積層してもよい。このように本発明では高屈折
率層Ｈと低屈折率層Ｌとの交互積層膜とし、かつ、表面
層２７（最上層）を低屈折率層Ｌ、その下層を透明導電
層２３とする限りにおいて、交互積層膜２５の積層数は
問わない。反射防止膜としてのＨ／Ｌ交互積層膜におい
ては、透明導電層２３は高屈折率層Ｈとして機能してい
る。
屈折率層Ｈ／低屈折率層Ｌの２層膜からなる。また、さ
らにこの上に（透明導電層との間に）高屈折率層Ｈ／低
屈折率層Ｌの組み合わせで２層、あるいは４層、６層…
…と何層積層してもよい。このように本発明では高屈折
率層Ｈと低屈折率層Ｌとの交互積層膜とし、かつ、表面
層２７（最上層）を低屈折率層Ｌ、その下層を透明導電
層２３とする限りにおいて、交互積層膜２５の積層数は
問わない。反射防止膜としてのＨ／Ｌ交互積層膜におい
ては、透明導電層２３は高屈折率層Ｈとして機能してい
る。
【００１２】図２は、本発明の導電性反射防止膜２１の
他の層構成を示す説明図であり、基板１１上に積層され
ている交互積層膜２５が、低屈折率層Ｌ／高屈折率層Ｈ
／低屈折率層Ｌの３層膜から形成されている点を除い
て、図１に示したものと、基本的に同じ層構成である。
図２に示したタイプの層構成の導電性反射防止膜の場合
も、図１の場合と同様に、さらに低屈折率層Ｌの上に、
高屈折率層Ｈと低屈折率層Ｌとの組み合せで２層、ある
いは４層、６層……と何層でも積層して交互積層膜とす
ることができる。
他の層構成を示す説明図であり、基板１１上に積層され
ている交互積層膜２５が、低屈折率層Ｌ／高屈折率層Ｈ
／低屈折率層Ｌの３層膜から形成されている点を除い
て、図１に示したものと、基本的に同じ層構成である。
図２に示したタイプの層構成の導電性反射防止膜の場合
も、図１の場合と同様に、さらに低屈折率層Ｌの上に、
高屈折率層Ｈと低屈折率層Ｌとの組み合せで２層、ある
いは４層、６層……と何層でも積層して交互積層膜とす
ることができる。
【００１３】図３は、本発明の導電性反射防止膜２１の
他の層構成を示す説明図であり、基板１１上に積層され
ている交互積層膜２５が、高屈折率層Ｈ／低屈折率層Ｌ
／高屈折率層Ｈの３層膜からなり、透明導電層２３が高
屈折率層Ｈ上に形成されている点を除いて、図１に示し
たものと、基本的に同じ層構成である。図３に示したタ
イプの層構成の導電性反射防止膜の場合も、図１の場合
と同様に、さらに高屈折率層Ｈの上に、低屈折率層Ｌと
高屈折率層Ｈとの組み合せで２層、あるいは４層、６層
……と何層でも積層して交互積層膜することができる。
反射防止膜としてのＨ／Ｌ交互積層膜においては、透明
導電層２３とその下の高屈折率層Ｈとの両層で、１層の
高屈折率層（Ｈ）の等価膜と見ることができる。
他の層構成を示す説明図であり、基板１１上に積層され
ている交互積層膜２５が、高屈折率層Ｈ／低屈折率層Ｌ
／高屈折率層Ｈの３層膜からなり、透明導電層２３が高
屈折率層Ｈ上に形成されている点を除いて、図１に示し
たものと、基本的に同じ層構成である。図３に示したタ
イプの層構成の導電性反射防止膜の場合も、図１の場合
と同様に、さらに高屈折率層Ｈの上に、低屈折率層Ｌと
高屈折率層Ｈとの組み合せで２層、あるいは４層、６層
……と何層でも積層して交互積層膜することができる。
反射防止膜としてのＨ／Ｌ交互積層膜においては、透明
導電層２３とその下の高屈折率層Ｈとの両層で、１層の
高屈折率層（Ｈ）の等価膜と見ることができる。
【００１４】透明導電層２３を形成する透明導電性物質
としては、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ Ｏｘｉｄｅ；
すずをドープした酸化インジウム）、ＺｎＯにＡｌある
いはＳｉをドーピングしたもの、あるいはＣｄ2ＳｎＯ4
等の複合酸化物、酸化スズなどが用いられる。
としては、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ Ｏｘｉｄｅ；
すずをドープした酸化インジウム）、ＺｎＯにＡｌある
いはＳｉをドーピングしたもの、あるいはＣｄ2ＳｎＯ4
等の複合酸化物、酸化スズなどが用いられる。
【００１５】低屈折率層Ｌを形成する物質としては、屈
折率１．３５〜１．５５のものが好ましく、フッ化マグ
ネシウム（ＭｇＦ2 ）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）等の
酸化物などの誘電体が代表的である。表面層を、ＳｉＯ
2 などの酸化物層から構成することにより、以下のよう
な作用効果が得られる。
折率１．３５〜１．５５のものが好ましく、フッ化マグ
ネシウム（ＭｇＦ2 ）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）等の
酸化物などの誘電体が代表的である。表面層を、ＳｉＯ
2 などの酸化物層から構成することにより、以下のよう
な作用効果が得られる。
【００１６】 表面が平滑で指紋などの汚れが容易に
拭き取れる。 耐薬品性が向上する。 真空蒸着による成膜であっても、充填率が高いので
環境による色変化および経時変化が少ない。
拭き取れる。 耐薬品性が向上する。 真空蒸着による成膜であっても、充填率が高いので
環境による色変化および経時変化が少ない。
【００１７】高屈折率層Ｈを形成する物質としては、屈
折率１．８〜２．９のものが好ましく、酸化チタン（Ｔ
ｉＯ2 ）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化ハフニウム
（ＨｆＯ2 ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、ＴｉＯ2
＋Ｐｒ6Ｏ11、ＺｒＯ2＋ＴｉＯ2 などの誘電体酸化物、
あるいはＩＴＯ等の透明導電性物質などが用いられる。
特に、表面層の下層を透明導電層とし、残りの高屈折率
層Ｌを誘電体で形成することにより、全層が誘電体で形
成されている通常の反射防止膜と同等以上に広帯域で優
れた反射防止特性が得られる。
折率１．８〜２．９のものが好ましく、酸化チタン（Ｔ
ｉＯ2 ）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化ハフニウム
（ＨｆＯ2 ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、ＴｉＯ2
＋Ｐｒ6Ｏ11、ＺｒＯ2＋ＴｉＯ2 などの誘電体酸化物、
あるいはＩＴＯ等の透明導電性物質などが用いられる。
特に、表面層の下層を透明導電層とし、残りの高屈折率
層Ｌを誘電体で形成することにより、全層が誘電体で形
成されている通常の反射防止膜と同等以上に広帯域で優
れた反射防止特性が得られる。
【００１８】具体的な膜構成は、反射率を低下させる中
心波長ピークを定め、使用する透明導電性物質、高屈折
率物質および低屈折率物質を選択することにより、これ
らの屈折率と積層数とから、各層の最適膜厚を決定する
ことができる。
心波長ピークを定め、使用する透明導電性物質、高屈折
率物質および低屈折率物質を選択することにより、これ
らの屈折率と積層数とから、各層の最適膜厚を決定する
ことができる。
【００１９】以下、層構成の具体例およびその分光反射
特性を表１〜表５（図４〜８に対応）に示す。なお、第
１層が基板上に直接形成された層であり、以下、順次各
層が積層される。基板としてはＢＫ７（屈折率１．５１
５）を用いた。表面層２７をＭｇＦ2 とした表１、表２
の層構成では、広帯域で優れた反射防止特性の得られて
いることが判る。
特性を表１〜表５（図４〜８に対応）に示す。なお、第
１層が基板上に直接形成された層であり、以下、順次各
層が積層される。基板としてはＢＫ７（屈折率１．５１
５）を用いた。表面層２７をＭｇＦ2 とした表１、表２
の層構成では、広帯域で優れた反射防止特性の得られて
いることが判る。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【表２】
【００２２】
【表３】
【００２３】
【表４】
【００２４】
【表５】
【００２５】本発明の導電性反射防止膜は、一般的な真
空蒸着法によって形成でき、優れた膜特性が得られる。
また、全層を酸化物とし、プラズマ雰囲気における薄膜
形成法により成膜することもできる。なお、ＭｇＦ
2 は、プラズマ中で形成すると膜に吸収が生じ透過特性
が劣化するが、ＳｉＯ2 等の酸化物は、プラズマ中で形
成しても膜吸収が生じない。
空蒸着法によって形成でき、優れた膜特性が得られる。
また、全層を酸化物とし、プラズマ雰囲気における薄膜
形成法により成膜することもできる。なお、ＭｇＦ
2 は、プラズマ中で形成すると膜に吸収が生じ透過特性
が劣化するが、ＳｉＯ2 等の酸化物は、プラズマ中で形
成しても膜吸収が生じない。
【００２６】全層をプラズマ中で形成すると、通常の真
空蒸着法に比べて以下のような作用効果がさらに改善さ
れる。
空蒸着法に比べて以下のような作用効果がさらに改善さ
れる。
【００２７】 環境による分光反射特性の変化がな
い。このため、季節等により高湿下、低湿下のように使
用環境が変化しても膜の反射光が常に同じである。分光
反射特性のピークが変化し、人間の目で観察されるディ
スプレー面からのわずかな反射色が、緑色→赤味を帯び
た緑色、あるいは緑色→青味を帯びた緑色のように微妙
に変化すると、人間の目がこのような微妙な色変化に対
して敏感であるため、導電性反射防止膜の品質に対する
信頼性が低下し、商品品質上好ましくない。
い。このため、季節等により高湿下、低湿下のように使
用環境が変化しても膜の反射光が常に同じである。分光
反射特性のピークが変化し、人間の目で観察されるディ
スプレー面からのわずかな反射色が、緑色→赤味を帯び
た緑色、あるいは緑色→青味を帯びた緑色のように微妙
に変化すると、人間の目がこのような微妙な色変化に対
して敏感であるため、導電性反射防止膜の品質に対する
信頼性が低下し、商品品質上好ましくない。
【００２８】 耐摩耗性が大きく、拭いたり、こすっ
たりしてもキズが入りにくい。 表面が滑らかなため、指紋などが付着しても容易に
拭き取ることが可能である。
たりしてもキズが入りにくい。 表面が滑らかなため、指紋などが付着しても容易に
拭き取ることが可能である。
【００２９】プラズマ中で成膜する方法としては、スパ
ッタリング法、高周波ＲＦコイルを用いた高周波放電な
どにより蒸着物質をイオン化して蒸着するイオンプレー
ティング法、イオン源（銃）により基板にイオンビーム
を照射しながら真空蒸着を行なうイオンビームアシスト
蒸着などがある。
ッタリング法、高周波ＲＦコイルを用いた高周波放電な
どにより蒸着物質をイオン化して蒸着するイオンプレー
ティング法、イオン源（銃）により基板にイオンビーム
を照射しながら真空蒸着を行なうイオンビームアシスト
蒸着などがある。
【００３０】得られた導電性反射防止膜２１は、表面層
２７を介して膜表面から透明導電層２３と電気的に接触
することができる。よって、導電性反射防止膜２１の表
面にハンダ等により電極を取り付けたり、あるいは電極
端子などを押圧することにより、容易にアースを取るこ
とができる。
２７を介して膜表面から透明導電層２３と電気的に接触
することができる。よって、導電性反射防止膜２１の表
面にハンダ等により電極を取り付けたり、あるいは電極
端子などを押圧することにより、容易にアースを取るこ
とができる。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、高屈折率層と低屈折率
層とを４層以上積層して反射防止膜を形成するととも
に、表面層の下層を透明導電層として導電性を付与する
ことにより、表面に電極を取り付けるだけで容易に透明
導電層への電気的接触が可能となる。
層とを４層以上積層して反射防止膜を形成するととも
に、表面層の下層を透明導電層として導電性を付与する
ことにより、表面に電極を取り付けるだけで容易に透明
導電層への電気的接触が可能となる。
【００３２】製造例 ＩＴＯ，ＴｉＯ2 ，ＳｉＯ2 の３つのターゲットと、各
ターゲット間に基板を移送させる搬送機構を具えたマグ
ネトロンスパッタリング装置を用い、本発明の導電性反
射防止膜を成膜した。基板としてのＢＫ７を真空槽内に
セットし、１×１０-5Ｔｏｒｒ以下の高真空まで排気し
たのち、酸素を含むアルゴンガスを導入してスパッタ圧
力を２×１０-3Ｔｏｒｒに調整した。
ターゲット間に基板を移送させる搬送機構を具えたマグ
ネトロンスパッタリング装置を用い、本発明の導電性反
射防止膜を成膜した。基板としてのＢＫ７を真空槽内に
セットし、１×１０-5Ｔｏｒｒ以下の高真空まで排気し
たのち、酸素を含むアルゴンガスを導入してスパッタ圧
力を２×１０-3Ｔｏｒｒに調整した。
【００３３】ついで、基板を加熱しながら順次ターゲッ
トをスパッタし、表５に示した８層膜（ＴｉＯ2／Ｓｉ
Ｏ2／ＴｉＯ2／ＳｉＯ2／ＴｉＯ2／ＳｉＯ2／ＩＴＯ／
ＳｉＯ2 ）からなる導電性反射防止膜を成膜した。
トをスパッタし、表５に示した８層膜（ＴｉＯ2／Ｓｉ
Ｏ2／ＴｉＯ2／ＳｉＯ2／ＴｉＯ2／ＳｉＯ2／ＩＴＯ／
ＳｉＯ2 ）からなる導電性反射防止膜を成膜した。
【００３４】この導電性反射防止膜は、耐摩耗性が良好
であり摩耗試験で傷が付かず、また、指紋を付けた場合
も簡単な空拭きで拭き取ることができた。さらに、導電
性反射防止膜を成膜したＢＫ７を、恒温恒湿槽に入れ、
１０℃−２０％ＲＨおよび３５℃−８０％ＲＨの低温低
湿環境および高温高湿環境条件下に反射光を肉視で観察
したところ、両環境間で反射光に色変化は見られなかっ
た。
であり摩耗試験で傷が付かず、また、指紋を付けた場合
も簡単な空拭きで拭き取ることができた。さらに、導電
性反射防止膜を成膜したＢＫ７を、恒温恒湿槽に入れ、
１０℃−２０％ＲＨおよび３５℃−８０％ＲＨの低温低
湿環境および高温高湿環境条件下に反射光を肉視で観察
したところ、両環境間で反射光に色変化は見られなかっ
た。
【図１】本発明の導電性反射防止膜の層構成例を示す説
明図である。
明図である。
【図２】本発明の導電性反射防止膜の層構成例を示す説
明図である。
明図である。
【図３】本発明の導電性反射防止膜の層構成例を示す説
明図である。
明図である。
【図４】本発明の導電性反射防止膜の分光反射特性を示
すグラフである。
すグラフである。
【図５】本発明の導電性反射防止膜の分光反射特性を示
すグラフである。
すグラフである。
【図６】本発明の導電性反射防止膜の分光反射特性を示
すグラフである。
すグラフである。
【図７】本発明の導電性反射防止膜の分光反射特性を示
すグラフである。
すグラフである。
【図８】本発明の導電性反射防止膜の分光反射特性を示
すグラフである。
すグラフである。
１１ 基板 ２１ 導電性反射防止膜 ２３ 透明導電層 ２５ 交互積層膜 ２７ 表面層 Ｌ 低屈折率層 Ｈ 高屈折率層
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に高屈折率層と低屈折率層とが合
計４層以上積層された導電性反射防止膜において、 表面層が低屈折率層であり、該表面層の下面の高屈折率
層が透明導電層であることを特徴とする導電性反射防止
膜。 - 【請求項２】 前記表面層下面の高屈折率層以外の高屈
折率層の少なくとも１層が、誘電体からなる請求項１に
記載の導電性反射防止膜。 - 【請求項３】 前記低屈折率層および高屈率層が、プラ
ズマ雰囲気下における薄膜形成法により成膜されたもの
である請求項１または２に記載の導電性反射防止膜。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか一項に記載の導
電性反射防止膜に対して、前記表面層上にアース電極を
取り付け、この表面層を介して、前記透明導電層とアー
ス電極とを電気的に接続することを特徴とする導電性反
射防止膜のアース方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4215423A JPH0634802A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 導電性反射防止膜 |
| US08/449,804 US5667880A (en) | 1992-07-20 | 1995-05-24 | Electroconductive antireflection film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4215423A JPH0634802A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 導電性反射防止膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0634802A true JPH0634802A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16672094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4215423A Pending JPH0634802A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 導電性反射防止膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0634802A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001521201A (ja) * | 1997-10-29 | 2001-11-06 | イノヴェイティヴ・スパッタリング・テクノロジー | 多層導電性反射防止コーティング |
| USRE39215E1 (en) | 1994-10-31 | 2006-08-01 | Tru Vue, Inc. | Antireflection coating for a temperature sensitive substrate |
| WO2006080502A1 (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-03 | Asahi Glass Company, Limited | 反射防止膜付き基体 |
| JP2007148201A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Asahi Glass Co Ltd | 反射防止フィルムの製造方法およびディスプレイ装置 |
| WO2007083661A1 (ja) * | 2006-01-23 | 2007-07-26 | Sony Corporation | 光学ローパスフィルタ |
| JP2007241179A (ja) * | 2006-03-13 | 2007-09-20 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ディスプレイ用カバーガラス |
| WO2008018340A1 (fr) * | 2006-08-11 | 2008-02-14 | Konica Minolta Opto, Inc. | Composant optique |
| JP2009196364A (ja) * | 2001-02-14 | 2009-09-03 | Nitto Denko Corp | 透明導電性積層体及びそれを用いたタッチパネル |
| JP2010210945A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Seiko Epson Corp | 光学多層フィルムおよびその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60168102A (ja) * | 1983-11-10 | 1985-08-31 | オプチカル コ−テイング ラボラトリ− インコ−ポレ−テツド | 光学製品 |
| JPH01252901A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-09 | Hoya Corp | 静電界防止フィルター |
| JPH0481791A (ja) * | 1990-07-24 | 1992-03-16 | Hitachi Chem Co Ltd | 電気泳動表示装置用表示パネルの製造法 |
-
1992
- 1992-07-20 JP JP4215423A patent/JPH0634802A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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