JPH0634965A - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装
置は、画素電極の一辺もしくは隣接する２辺に他の辺に
比べて近接した開口を有する遮光層を備たことを特徴と
しており、また更に遮光層は映像信号線もしくは走査信
号線と配向膜との間に配置されている。 【効果】 本発明によれば、遮光層と画素電極との特定
の配置により、リバースチルトドメインによる表示品位
の低下を防止し、しかも高い開口率を確保することがで
き、また遮光層の配置位置によってリバースチルトドメ
イン自体を低減させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、一対の電極間に液晶分
子からなる液晶層が保持されて成るアクティブマトリク
ス型液晶表示装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、一対の電極間に液晶分子からなる
液晶層が保持された液晶表示装置は、軽量、低消費電力
の特徴を生かしてコンピュータの表示装置として、ある
いはテレビ表示装置として種々の分野で利用されるよう
になってきた。

【０００３】例えば、液晶層を透過した光が光学レンズ
系によって投射されて表示される投射型液晶表示装置を
例にとって説明する。投射型液晶表示装置では、光源の
光がフィルタにより三原色に分離され、その光がそれぞ
れ液晶表示装置を透過し再び合成され投射される構造と
なっている。

【０００４】図９は、従来のアクティブマトリクス型液
晶表示装置(701) の対向基板(801)からアレイ基板(711)
を見た時の概略正面図であり、図１０は図９における
Ｄ−Ｄ’線に沿って切断した概略断面図である。

【０００５】透明な絶縁基板(713) 上に映像信号が送ら
れてくる映像信号線(715) とＭＯＳトランジスタから成
るスイッチ素子(721) のオン／オフ制御を行う走査信号
が送られる走査信号線(717) とが層間絶縁膜(771) を介
してマトリクス状に配線され、映像信号線(715) と走査
信号線(717) とで囲まれた領域内にスイッチ素子(721)
に接続された画素電極(731) が配置されている。そし
て、この上に所定方向にラビング処理された配向膜(78
1) が設置されてアレイ基板(711) は構成されている。

【０００６】また、透明な絶縁基板(811) 上に全面に対
向電極(813) が配置され、この上に所定方向にラビング
処理された配向膜(815) が設置されて対向基板(801) は
構成されている。そして、アレイ基板(711) と対向基板
(801) とが5.0 ミクロンの間隔で配置され、この間に液
晶層(901) が保持されて構成されてアクティブマトリク
ス型液晶表示装置(701) は構成されている。

【０００７】そして、このような液晶表示装置(701) で
は、表示画素のコントラストを向上させ、しかもスイッ
チ素子(721) に入射される光に起因した光電流による表
示品位の低下を防止するため、画素電極(731) よりも小
さい開口を有する遮光層がアレイ基板(711) 側、あるい
は対向基板(801) 側に設けられていた。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した液
晶表示装置(701) では、アレイ基板(711) 上のパターン
の段差による配向膜(781) 自体の配向不良および映像信
号線(715) 及び走査信号線(717) からの横方向電界等の
影響による液晶分子の配向不良により、通常のプレチル
トに反する領域、即ちリバースチルトドメインによる表
示不良が発生していた。

【０００９】このリバースチルトドメインは、その表示
状態によって正常な配向領域（ノーマルチルトドメイ
ン）と透過率が異なるため、これにより表示不良を引き
起こしたり、あるいはノーマルチルトドメインとリバー
スチルトドメインとの間にディスクリネーションライン
と呼ばれる光漏れを起こす領域の発生を引き起こしてコ
ントラストの低下等を招いていた。

【００１０】このようなリバースチルトドメインによる
コントラスト低下を防止する方法として、例えば特開平
3-111820号には、対向電極の一部分を横方向の電界を防
ぐように除去する技術が開示されている。しかし、この
ような対向電極のパターニングは、アレイ基板との位置
合わせを困難にするため、製造上好ましい方法ではな
い。

【００１１】また、特開平3-243934号には画素電極と映
像信号線との間隔を液晶層の厚み以上とする技術が開示
されているが、画素電極と映像信号線との間隔を大きく
しても実質的な横方向の電界による配向不良を防止する
ことができない。

【００１２】近年、液晶表示装置を構成する各表示画素
サイズは微細化の一途をたどっている。本発明者等が実
験に確認した、表示画素サイズが小さくなってもリバー
スチルトドメインは低減されないということからも、表
示画素サイズが小さくなるほどリバースチルトドメイン
の影響が大きくなる。

【００１３】本発明は、上述した技術課題に対処してな
されたもので、リバースチルトドメインによるコントラ
スト低下を効果的に防止することができるアクティブマ
トリクス型液晶表示装置を提供することを目的としたも
のである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上にマト
リクス状に配置される映像信号線と走査信号線とによっ
て囲まれる領域内にスイッチ素子を介して配置される画
素電極および画素電極上に配置され第１の方向にラビン
グ処理された配向膜を備えたアレイ基板と、画素電極に
対向する対向電極および対向電極上に配置され第２の方
向にラビング処理された配向膜を備えた対向基板と、ア
レイ基板と対向基板との間に保持された液晶分子からな
る液晶層とを備えたアクティブマトリクス型液晶表示装
置において、画素電極の一辺もしくは隣接する２辺に他
の辺に比べて近接しする開口を有する遮光層を備たこと
を特徴としたものである。

【００１５】そして、特にアレイ基板の配向膜は、画素
電極の少なくとも一辺近傍で傾斜していることを特徴と
しており、また更に遮光層が映像信号線もしくは走査信
号線と配向膜との間に配置されていることを特徴として
いる。

【００１６】また、本発明は、更に第１の方向から時計
回りに0 から45度の範囲内にベクトルＡＢが配置される
ように画素電極上の４点を時計回りにＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄと
したとき、遮光層の開口は辺ＣＤ，ＤＡよりも辺ＡＢ，
ＢＣに近接していることを特徴としている。そして、特
に画素電極の辺ＣＤもしくは辺ＤＡの少なくとも一方が
映像信号線もしくは走査信号線と重複して配置されてい
ることを特徴としている。

【００１７】

【作用】リバースチルトドメインは液晶分子の配向状態
および画素電極間に発生する横方向の電界により影響を
受けるもので、次のような作用によって生じる。図８に
示すように、液晶分子は電極基板間に所定のプレチルト
角（θ1 ）をもって電極基板間に配向されている。

【００１８】この液晶分子に対して、プレチルト角（θ
1 ）よりも大きく、プレチルト角（θ1 ）+90 度よりも
小さい角度、例えば角度（θE ）を持った図中Ａ方向の
傾斜電界が印加されると、電界方向にならってＡ方向か
ら液晶分子は配向する。

【００１９】しかし、プレチルト角（θ1 ）+90 度より
も大きく、プレチルト角（θ1 ）+180度よりも小さい角
度を持った傾斜電界が液晶分子に印加されると、液晶分
子は電界方向にならって、プレチルト方向とは逆方向か
ら液晶分子は配向するため、傾斜電界にならったリバー
スチルトとなりリバースチルトドメインが生じる。この
ようなことから、本発明者等の実験によれば、リバース
チルトドメインには次のような特徴があることがわかっ
た。 (1) リバースチルトドメインはプレチルト角が高い程低
減される。 (2) リバースチルトドメインは、画素電極の特定の１辺
もしくは隣接する２辺の近傍でのみ発生する。 (3) リバースチルトドメインは、横方向の電界強度が一
定であれば各信号線と画素電極端部との距離に依存する
ことなく画素電極上の同一面積に発生する。

【００２０】上述したことから、本発明のアクティブマ
トリクス型液晶表示装置の如く、画素電極の一辺もしく
は隣接する２辺に他の辺に比べて近接する開口を有する
遮光層を設けることにより、リバースチルトドメインを
避け、しかも十分な開口率を確保することができる。

【００２１】そして、発明者等の実験からリバースチル
トドメインに伴う表示不良領域は次のように特定できる
ことがわかった。即ち、上述したように、配向膜のラビ
ング方向である第１の方向から時計回りに0 から45度の
範囲内にベクトルＡＢが配置されるように画素電極上の
４点を時計回りにＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄとしたとき、辺ＣＤ，
ＤＡの近傍にリバースチルトドメインは発生するという
ものである。

【００２２】従って、画素電極の辺ＣＤ，ＤＡよりも辺
ＡＢ，ＢＣに近接して開口を設けることにより、十分な
開口率を維持しながらリバースチルトドメインに伴うコ
ントラスト低下を防止することができる。

【００２３】更に、リバースチルトドメインは横方向の
電界強度が一定であれば各信号線と画素電極端部との距
離に依存することなく画素電極上の同一面積に発生する
ことから、画素電極の辺ＣＤもしくは辺ＤＡの少なくと
も一方を映像信号線もしくは走査信号線と重複させて配
置しておくことによりリバースチルトドメインの一部を
各信号線上に推移させることができ、各信号線で囲まれ
る領域内での実効的なリバースチルトドメインを低減さ
せることができる。

【００２４】そして、特に遮光層をアレイ基板の基板と
画素電極との間に設置させることにより、画素電極間の
液晶分子のプレチルト角を大きくするように作用するた
め、横方向の電界によるプレチルトに反する配向を防止
することができる。このようにして局部的にプレチルト
角を異ならしめてリバースチルトドメインを防止するこ
とにより、表示品位を低下させることなくリバースチル
トドメインの発生自体を低減させることができる。

【００２５】

【実施例】以下、本発明の一実施例のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置(1) について図面を参照して説明す
る。

【００２６】図１は、本実施例のアクティブマトリクス
型液晶表示装置(1) の対向基板(101) からアレイ基板(1
1)を見た時の概略正面図であり、図２は図１におけるＡ
−Ａ’線に沿って切断した概略断面図である。

【００２７】アクティブマトリクス型液晶表示装置(1)
を構成するアレイ基板(11)は、図２に示すように透明な
絶縁基板(13)上に映像信号駆動回路（図示せず）と走査
信号駆動回路（図示せず）とが設置され、図１に示すよ
うに映像信号駆動回路に接続された複数本の映像信号線
(15)と走査信号駆動回路に接続された複数本の走査信号
線(17)とがマトリクス状に配置されている。

【００２８】各映像信号線(15)と走査信号線(17)との交
点部分には、ＭＯＳトランジスタから成るスイッチ素子
(21)を介して略四角形状のＩ．Ｔ．Ｏ．から成る透明導
電膜が画素電極(31)として設置されている。即ち、映像
信号線(15)はスイッチ素子(21)のポリシリコンに不純物
が添加されて成るソース領域(21b) に、画素電極(31)は
ポリシリコンに不純物が添加されて成るドレイン領域(2
1c) に接続され、走査信号線(15)はゲート電極(16)と一
体に構成されてゲート絶縁膜(23)を介してポリシリコン
から成る活性領域(21a) 上に配置されている。

【００２９】また、画素電極(31)と映像信号線(15)およ
び走査信号線(17)との間には、第２の層間絶縁膜(73)と
第３の層間絶縁膜(75)との間に挟まれた略四角形状の開
口(43)を有する不透明導電膜が遮光層(41)として画素ピ
ッチが40ミクロンとなるように設置されている。

【００３０】そして、更に、画素電極(31)上には、図２
に示すように均一な配向膜(51)が設置され、図１におけ
る第１の方向（映像信号線(15)から時計回りに45度の角
度）にラビング処理が施されてアレイ基板(11)は構成さ
れている。

【００３１】アレイ基板(11)に対向して設けられる対向
基板(101) は、図２に示すように透明な絶縁基板(111)
上にＩ．Ｔ．Ｏ．から成る透明導電膜が対向電極(113)
として全面に設けられ、この上に均一な配向膜(115) が
設置され、図１に示すように第１の方向と直交する第２
の方向にラビング処理が施されて構成されている。

【００３２】そして、このアクティブマトリクス型液晶
表示装置(1) は、図２に示すようにアレイ基板(11)と対
向基板(101) とが5.0 ミクロンの間隔で対向配置され、
これら基板(11),(101)間に液晶組成物からなる液晶層(2
01) が保持されて構成されている。

【００３３】ところで、本実施例において特徴的なこと
は、画素電極(31)と遮光層(41)の位置関係および遮光層
(41)の配置場所であり、これについて比較例を対比させ
て図３乃至図６を参照して説明する。尚、各図共に、走
査信号線(15),(715)から時計回りに45度の第１の方向で
アレイ基板(11),(711)の配向膜(51),(751)にラビング処
理を施し、対向基板(101),(801) には第１の方向と直交
する第２の方向にラビング処理を施した場合を示してい
る。

【００３４】図５は映像信号線(715) と走査信号線(71
7) とで囲まれる領域内に各信号線(715),(717) から等
間隔で画素電極(731) が配置され、更に画素電極(731)
よりも小さい開口(743) が各信号線(715),(717) から5.
0 ミクロンの間隔（ｄ２）で配置されて構成された比較
例を示している。

【００３５】このようにして画素電極(731) 、開口(74
3) が配置されると、図６に示すように画素電極(731)
の辺ＤＡ近傍には液晶分子がプレチルト角の向きになら
ったノーマルチルトとなる領域（Ａ）、対向電極(813)
と画素電極(731) との間の傾斜電界にならった領域
（Ｂ）、および対向電極(813) と画素電極(731) との間
の傾斜電界にならったリバースチルトとなる領域（Ｃ）
とが存在し、領域（Ａ），（Ｃ）との界面がディスクリ
ネーションライン(791) となる。そして、表示状態にも
よるが、領域（Ｂ）および（Ｃ）は透過率が異なる表示
不良領域を構成する。このことは、画素電極(731) の辺
ＣＤ近傍においても同様である。

【００３６】尚、上述した構造では、画素電極(731) の
辺ＤＡ近傍の表示不良領域の間隔（ｄ１₄ ）は7.3 ミク
ロンであり、画素電極(731) の辺ＣＤ近傍での表示不良
領域の間隔（ｄ１₃ ）は11.1ミクロンであった。そし
て、ディスクリネーションライン(791) から開口(743)
までの間隔（ｄ３）が不良表示領域の許容量となるが、
上述した構造では画素電極(731) の辺ＤＡ近傍での許容
量（ｄ３₄ ）は2.7 ミクロン、辺ＣＤ近傍での間隔（ｄ
３₃ ）は0.9 ミクロンと非常に小さく、温度上昇の度合
いによっては開口(43)内部に表示不良領域が形成される
ことがある。

【００３７】これに対して、本実施例によれば、図３に
示すように、画素電極(31)の辺ＣＤは走査信号線(17-2)
に、辺ＤＡは映像信号線(15-1)に層間絶縁膜(71),(73),
(75)（図２参照）を介してそれぞれ重複して構成されて
いる。また、走査信号線(17-1)と開口(43)との間隔（ｄ
２₁ ）および映像信号線(15-2)と開口(43)との間隔（ｄ
２₂ ）はそれぞれ2.0 ミクロンに、走査信号線(17-2)と
開口(43)との間隔（ｄ２₃ ）および映像信号線(15-1)と
開口(43)との間隔（ｄ２₄ ）はそれぞれ3.0 ミクロンに
形成されている。

【００３８】このように開口(43)を画素電極(31)の辺Ｃ
Ｄ，ＤＡよりも辺ＡＢ，辺ＢＣに近接させて配置するこ
とにより、表示不良領域を避けて十分な開口(43)が形成
できるため、表示不良の防止はもとより、十分な開口率
を確保することができる。

【００３９】また、本実施例において特徴的なことは、
上述したように画素電極(31)の辺ＤＡが映像信号線(15-
1)に、辺ＣＤが走査信号線(17-2)に重複されて配置され
ていることである。

【００４０】リバースチルトドメインは横方向の電界強
度が一定であれば各信号線(15),(17) と画素電極(31)端
部との距離に依存することなく画素電極(31)上の同一面
積に発生することから、上述した構成により図４に示す
ように各信号線(15),(17) によって囲まれる領域内に発
生していた表示不良領域、即ちリバースチルトドメイン
となる領域（Ｃ）の一部を各信号線(15-1),(17-2) 上に
移動させることができる。従って、各信号線(15),(17)
によって囲まれる領域内の表示不良領域の占める割合を
低減させることができる。

【００４１】このように、画素電極(31)および開口(43)
を配置することにより、各信号線(15),(17) から開口(4
3)までの間隔（ｄ２）を5.0 ミクロンとした場合の開口
率が36パーセントであったのに対し、開口率51パーセン
トを達成することができた。しかも、本実施例によれ
ば、遮光層(41)が画素電極(31)と配向膜(51)との間に配
置されているため、遮光層(41)が対向基板(101) 側等に
設置されている場合に比べ、図４に示すようにて隣接画
素電極(31)間での配向膜(51)の傾斜が大きく構成されて
いる。

【００４２】これにより、本実施例によれば、隣接画素
電極(31)間での液晶分子の見かけ上のプレチルト角を増
加させたこととなり、リバースチルトドメインとなる領
域（Ｃ）を一層抑えることができる。特に、本実施例に
よれば、液晶分子全体のプレチルト角を大きくしていな
いため、表示品位が低下することもない。

【００４３】上述した作用により、開口率が向上するこ
とは勿論のこと、本実施例の液晶表示装置(1) によれば
図３に示す画素電極(31)の辺ＤＡ近傍の表示不良領域の
間隔（ｄ１₄ ）を4.2 ミクロン，辺ＣＤ近傍の表示不良
領域の間隔（ｄ１₃ ）を7.0ミクロンと小さくすること
ができ、これにより許容量（ｄ３₄ ）を4.8 ミクロン，
許容量（ｄ３₃ ）を2.0 ミクロンと十分に大きくするこ
とができた。ところで、上述した実施例のラビング方向
にかえて、画素電極(31)の辺ＡＢ方向にラビング処理を
施した場合について説明する。このような方向にラビン
グ処理を施した場合であっても、上述したと同様に画素
電極(31)の辺ＣＤ，ＤＡ近傍に表示不良領域が発生す
る。

【００４４】そこで、上述したと同様に液晶表示装置
(1) を構成することにより、リバースチルトドメインと
なる領域（Ｃ）自体が低減され、画素電極(31)の辺ＤＡ
近傍の表示不良領域の間隔（ｄ１₄ ）は4.3 ミクロンと
非常に小さく、開口(43)までの許容量（ｄ３₄ ）は4.7
ミクロンと十分に大きくすることができた。

【００４５】このことは画素電極(31)の辺ＣＤ近傍にお
いても同様であり、辺ＣＤの表示不良領域の間隔（ｄ１
₄ ）は5.9 ミクロンと小さく、しかも開口(43)までの許
容量（ｄ３₃ ）は3.1 ミクロンと大きくなった。

【００４６】以上のように、ラビング方向を画素電極(3
1)のＡＢ方向に沿う方向としても、特定の画素電極(31)
の配置および画素電極(31)に対する開口(43)の配置によ
り、上述した実施例と同様にリバースチルトドメインと
なる領域（Ｃ）自体の低減に伴い、表示不良の解消、開
口率の向上を達成することができた。また、表示不良領
域の許容量の増大により、液晶層(201) の温度上昇に起
因したプレチルト角の低下によるリバースチルトドメイ
ンの増加に対する悪影響もない。

【００４７】次に、本発明の他の実施例について図７を
参照して説明する。本実施例のアクティブマトリクス型
液晶表示装置(1) が上述した実施例と相違する点は画素
電極(31)間の構造であり、上述した実施例と相違する部
分についてのみ説明する。

【００４８】この実施例においては、各映像信号線(1
5)，走査信号線（図示せず）上に層間絶縁膜(73),(74)
に挟まれたダミー層(81)が設置されている。そして、こ
のダミー層(81)は、画素電極(31)が重複している映像信
号線(15)，走査信号線側は各信号線と同一幅で、画素電
極(31)が重複していない映像信号線(15)，走査信号線側
は各信号線幅よりも幅広く構成されている。

【００４９】このようなダミー層(81)を介在させること
により、画素電極(31)間での液晶分子の見かけ上のプレ
チルト角を大きくし、上述した実施例に比べリバースチ
ルトドメインの領域（Ｃ）自体を一層低減させることが
できる。

【００５０】図３を参照すれば、画素電極(31)の辺ＤＡ
近傍の表示不良領域の間隔（ｄ１₄）は4.0 ミクロンと
小さく、表示不良領域の許容量（ｄ３₄ ）は5.0 ミクロ
ンと十分に大きくすることができた。また、画素電極(3
1)の辺ＣＤ近傍においても同様に、表示不良領域の間隔
（ｄ１₃ ）は6.8 ミクロンと小さく、しかも許容量（ｄ
３₃ ）は2.2 ミクロンと大きくすることができた。

【００５１】以上詳述したように、本実施例によれば、
上述した実施例に比べ更にリバースチルトドメインを低
減し、これによりリバースチルトドメインによる表示品
位の低下を防止し、高い開口率が確保できると共に許容
量（ｄ３）の大きな液晶表示装置を得ることができた。
従って、本実施例のアクティブマトリクス型液晶表示装
置は、投射型の液晶表示装置等の液晶層の温度上昇を伴
う液晶表示装置に最適である。

【００５２】上述した各実施例の液晶表示装置は、各信
号線に囲まれる領域内に一画素電極が設置されて成る場
合を示したが、例えば各信号線を２本一組として一領域
内に２以上の画素電極が配置される構成としても良いこ
とは言うまでもない。

【００５３】

【発明の効果】本発明のアクティブマトリクス型液晶表
示装置によれば、遮光層と画素電極との特定の配置によ
り、リバースチルトドメインを低減させると共に、リバ
ースチルトドメインによる表示品位の低下を防止し、し
かも高い開口率を確保することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は本発明の一実施例のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置のアレイ基板の概略正面図である。

【図２】図２は図１におけるＡ−Ａ’線に沿って切断し
たアクティブマトリクス型液晶表示装置の概略断面図で
ある。

【図３】図３は図１におけるアクティブマトリクス型液
晶表示装置の作用を説明するための一画素電極の概略正
面図である。

【図４】図４は図３におけるＢ−Ｂ’線に沿って切断し
た概略断面図である。

【図５】図５は本実施例のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の作用を説明するための比較例の一画素電極の
概略正面図である。

【図６】図６は図５におけるＣ−Ｃ’線に沿って切断し
た概略断面図である。

【図７】図７は本発明の他の実施例のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置の要部概略断面図である。

【図８】図８はアクティブマトリクス型液晶表示装置に
おけるリバースチルトドメインを説明するための図であ
る。

【図９】図９は従来のアクティブマトリクス型液晶表示
装置のアレイ基板の概略正面図である。

【図１０】図１０は図９におけるＤ−Ｄ’線に沿って切
断したアクティブマトリクス型液晶表示装置の概略断面
図である。

【符号の説明】

(1),(701) …アクティブマトリクス型液晶表示装置 (11),(711)…アレイ基板 (15),(715)…映像信号線 (17),(717)…走査信号線 (31),(731)…画素電極 (41)…遮光層 (43)…開口 (101),(801) …対向基板 (201),(901) …液晶層

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上にマトリクス状に配置される映像
   信号線と走査信号線とによって囲まれる領域内にスイッ
   チ素子を介して配置される画素電極および前記画素電極
   上に配置され第１の方向にラビング処理された配向膜を
   備えたアレイ基板と、前記画素電極に対向する対向電極
   および前記対向電極上に配置され第２の方向にラビング
   処理された配向膜を備えた対向基板と、前記アレイ基板
   と前記対向基板との間に保持された液晶分子からなる液
   晶層とを備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置に
   おいて、前記画素電極の一辺もしくは隣接する２辺に他
   の辺に比べて近接した開口を有する遮光層を備たことを
   特徴としたアクティブマトリクス型液晶表示装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載のアレイ基板の配向膜は、
   前記画素電極の少なくとも一辺近傍で傾斜していること
   を特徴としたアクティブマトリクス型液晶表示装置。
3. 【請求項３】 請求項１記載の遮光層は前記映像信号線
   もしくは前記走査信号線と前記配向膜との間に配置され
   ていることを特徴としたアクティブマトリクス型液晶表
   示装置。
4. 【請求項４】 請求項１記載のアクティブマトリクス型
   液晶表示装置において、第１の方向から時計回りに0 か
   ら45度の範囲内にベクトルＡＢが配置されるように画素
   電極上の４点を時計回りにＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄとしたとき、
   前記遮光層の開口は辺ＣＤ，ＤＡよりも辺ＡＢ，ＢＣに
   近接していることを特徴としたアクティブマトリクス型
   液晶表示装置。
5. 【請求項５】 請求項４記載の画素電極の辺ＣＤもしく
   は辺ＤＡの少なくとも一方が前記映像信号線もしくは前
   記走査信号線と重複して配置されていることを特徴とし
   たアクティブマトリクス型液晶表示装置。